|
C30B 1/00
|
Croissance des monocristaux à partir de l'état solide |
|
C30B 1/02
|
Croissance des monocristaux à partir de l'état solide par traitement thermique, p.ex. recuit sous contrainte |
|
C30B 1/04
|
Recristallisation isothermique |
|
C30B 1/06
|
Recristallisation dans un gradient de température |
|
C30B 1/08
|
Recristallisation par zone |
|
C30B 1/10
|
Croissance des monocristaux à partir de l'état solide par réaction à l'état solide ou diffusion multi-phase |
|
C30B 1/12
|
Croissance des monocristaux à partir de l'état solide par traitement sous pression pendant la croissance |
|
C30B 3/00
|
Démixtion unidirectionnelle des matériaux eutectoïdes |
|
C30B 5/00
|
Croissance des monocristaux à partir de gels |
|
C30B 5/02
|
Croissance des monocristaux à partir de gels avec addition d'un matériau de dopage |
|
C30B 7/00
|
Croissance des monocristaux à partir de solutions en utilisant des solvants liquides à la température ordinaire, p.ex. à partir de solutions aqueuses |
|
C30B 7/02
|
Croissance des monocristaux à partir de solutions en utilisant des solvants liquides à la température ordinaire, p.ex. à partir de solutions aqueuses par évaporation du solvant |
|
C30B 7/04
|
Croissance des monocristaux à partir de solutions en utilisant des solvants liquides à la température ordinaire, p.ex. à partir de solutions aqueuses par évaporation du solvant en utilisant des solvants aqueux |
|
C30B 7/06
|
Croissance des monocristaux à partir de solutions en utilisant des solvants liquides à la température ordinaire, p.ex. à partir de solutions aqueuses par évaporation du solvant en utilisant des solvants non aqueux |
|
C30B 7/08
|
Croissance des monocristaux à partir de solutions en utilisant des solvants liquides à la température ordinaire, p.ex. à partir de solutions aqueuses par refroidissement de la solution |
|
C30B 7/10
|
Croissance des monocristaux à partir de solutions en utilisant des solvants liquides à la température ordinaire, p.ex. à partir de solutions aqueuses par application d'une pression, p.ex. procédés hydrothermiques |
|
C30B 7/12
|
Croissance des monocristaux à partir de solutions en utilisant des solvants liquides à la température ordinaire, p.ex. à partir de solutions aqueuses par électrolyse |
|
C30B 7/14
|
Croissance des monocristaux à partir de solutions en utilisant des solvants liquides à la température ordinaire, p.ex. à partir de solutions aqueuses le matériau à cristalliser étant produit dans la solution par des réactions chimiques |
|
C30B 9/00
|
Croissance des monocristaux à partir de bains fondus utilisant des solvants fondus |
|
C30B 9/02
|
Croissance des monocristaux à partir de bains fondus utilisant des solvants fondus par évaporation du solvant fondu |
|
C30B 9/04
|
Croissance des monocristaux à partir de bains fondus utilisant des solvants fondus par refroidissement du bain |
|
C30B 9/06
|
Croissance des monocristaux à partir de bains fondus utilisant des solvants fondus par refroidissement du bain en utilisant un des constituants du cristal solvant |
|
C30B 9/08
|
Croissance des monocristaux à partir de bains fondus utilisant des solvants fondus par refroidissement du bain en utilisant d'autres solvants |
|
C30B 9/10
|
Solvants métalliques |
|
C30B 9/12
|
Solvants formés de sels, p.ex. croissance dans un fondant |
|
C30B 9/14
|
Croissance des monocristaux à partir de bains fondus utilisant des solvants fondus par électrolyse |
|
C30B 11/00
|
Croissance des monocristaux par simple solidification ou dans un gradient de température, p.ex. méthode de Bridgman-Stockbarger |
|
C30B 11/02
|
Croissance des monocristaux par simple solidification ou dans un gradient de température, p.ex. méthode de Bridgman-Stockbarger sans solvants |
|
C30B 11/04
|
Croissance des monocristaux par simple solidification ou dans un gradient de température, p.ex. méthode de Bridgman-Stockbarger en introduisant dans le bain fondu le matériau à cristalliser ou les réactifs le formant in situ |
|
C30B 11/06
|
Croissance des monocristaux par simple solidification ou dans un gradient de température, p.ex. méthode de Bridgman-Stockbarger en introduisant dans le bain fondu le matériau à cristalliser ou les réactifs le formant in situ au moins un constituant du cristal, mais non tous, étant ajouté |
|
C30B 11/08
|
Croissance des monocristaux par simple solidification ou dans un gradient de température, p.ex. méthode de Bridgman-Stockbarger en introduisant dans le bain fondu le matériau à cristalliser ou les réactifs le formant in situ tous les constituants du cristal étant ajoutés pendant la cristallisation |
|
C30B 11/10
|
Constituants solides ou liquides, p.ex. méthode de Verneuil |
|
C30B 11/12
|
Constituants gazeux, p.ex. croissance vapeur-liquide-solide |
|
C30B 11/14
|
Croissance des monocristaux par simple solidification ou dans un gradient de température, p.ex. méthode de Bridgman-Stockbarger caractérisée par le germe, p.ex. par son orientation cristallographique |
|
C30B 13/00
|
Croissance des monocristaux par fusion de zone; Affinage par fusion de zone |
|
C30B 13/02
|
Fusion de zone à l'aide d'un solvant, p.ex. procédé par déplacement du solvant |
|
C30B 13/04
|
Homogénéisation par nivellement de zone |
|
C30B 13/06
|
Croissance des monocristaux par fusion de zone; Affinage par fusion de zone la zone fondue ne s'étendant pas à toute la section transversale |
|
C30B 13/08
|
Croissance des monocristaux par fusion de zone; Affinage par fusion de zone en introduisant dans la zone fondue le matériau à cristalliser ou les réactifs le formant in situ |
|
C30B 13/10
|
Croissance des monocristaux par fusion de zone; Affinage par fusion de zone en introduisant dans la zone fondue le matériau à cristalliser ou les réactifs le formant in situ avec addition d'un matériau de dopage |
|
C30B 13/12
|
Croissance des monocristaux par fusion de zone; Affinage par fusion de zone en introduisant dans la zone fondue le matériau à cristalliser ou les réactifs le formant in situ avec addition d'un matériau de dopage à l'état de gaz ou de vapeur |
|
C30B 13/14
|
Creusets ou récipients |
|
C30B 13/16
|
Chauffage de la zone fondue |
|
C30B 13/18
|
Chauffage de la zone fondue l'élément chauffant étant en contact avec, ou immergé dans, la zone fondue |
|
C30B 13/20
|
Chauffage de la zone fondue par induction, p.ex. technique du fil chaud |
|
C30B 13/22
|
Chauffage de la zone fondue par irradiation ou par décharge électrique |
|
C30B 13/24
|
Chauffage de la zone fondue par irradiation ou par décharge électrique en utilisant des radiations électromagnétiques |
|
C30B 13/26
|
Agitation de la zone fondue |
|
C30B 13/28
|
Commande ou régulation |
|
C30B 13/30
|
Stabilisation, ou commande de la forme, de la zone de fusion, p.ex. par concentrateurs, par champs électromagnétiques; Commande de la section du cristal |
|
C30B 13/32
|
Mécanismes pour déplacer soit la charge, soit le dispositif de chauffage |
|
C30B 13/34
|
Croissance des monocristaux par fusion de zone; Affinage par fusion de zone caractérisée par le germe, p.ex. par son orientation cristallographique |
|
C30B 15/00
|
Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p.ex. méthode de Czochralski |
|
C30B 15/02
|
Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p.ex. méthode de Czochralski en introduisant dans le matériau fondu le matériau à cristalliser ou les réactifs le formant in situ |
|
C30B 15/04
|
Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p.ex. méthode de Czochralski en introduisant dans le matériau fondu le matériau à cristalliser ou les réactifs le formant in situ avec addition d'un matériau de dopage, p.ex. pour une jonction n–p |
|
C30B 15/06
|
Tirage non vertical |
|
C30B 15/08
|
Tirage vers le bas |
|
C30B 15/10
|
Creusets ou récipients pour soutenir le bain fondu |
|
C30B 15/12
|
Méthodes utilisant un creuset double |
|
C30B 15/14
|
Chauffage du bain fondu ou du matériau cristallisé |
|
C30B 15/16
|
Chauffage du bain fondu ou du matériau cristallisé par irradiation ou par décharge électrique |
|
C30B 15/18
|
Chauffage du bain fondu ou du matériau cristallisé en utilisant un chauffage direct par résistance en plus des autres moyens de chauffage, p.ex. en utilisant le chauffage par effet Peltier |
|
C30B 15/20
|
Commande ou régulation |
|
C30B 15/22
|
Stabilisation, ou commande de la forme, de la zone fondue au voisinage du cristal tiré; Commande de la section du cristal |
|
C30B 15/24
|
Stabilisation, ou commande de la forme, de la zone fondue au voisinage du cristal tiré; Commande de la section du cristal en utilisant des moyens mécaniques, p.ex. des guides de formage |
|
C30B 15/26
|
Stabilisation, ou commande de la forme, de la zone fondue au voisinage du cristal tiré; Commande de la section du cristal en utilisant des détecteurs photographiques ou à rayons X |
|
C30B 15/28
|
Stabilisation, ou commande de la forme, de la zone fondue au voisinage du cristal tiré; Commande de la section du cristal en utilisant le changement de poids du cristal ou du bain fondu, p.ex. par les méthodes de flottation |
|
C30B 15/30
|
Mécanismes pour faire tourner ou pour déplacer soit le bain fondu, soit le cristal |
|
C30B 15/32
|
Porte-germe, p.ex. mandrins |
|
C30B 15/34
|
Croissance des cristaux par alimentation de couche avec contrôle de surface en utilisant des matrices de formage ou des fentes de guidage |
|
C30B 15/36
|
Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p.ex. méthode de Czochralski caractérisée par le germe, p.ex. par son orientation cristallographique |
|
C30B 17/00
|
Croissance des monocristaux sur un germe restant dans le bain fondu pendant la croissance, p.ex. méthode de Nacken-Kyropoulos |
|
C30B 19/00
|
Croissance d'une couche épitaxiale à partir de la phase liquide |
|
C30B 19/02
|
Croissance d'une couche épitaxiale à partir de la phase liquide en utilisant des solvants fondus, p.ex. des fondants |
|
C30B 19/04
|
Croissance d'une couche épitaxiale à partir de la phase liquide en utilisant des solvants fondus, p.ex. des fondants le solvant étant un constituant du cristal |
|
C30B 19/06
|
Chambres de réaction; Nacelles pour bain fondu; Porte-substrat |
|
C30B 19/08
|
Chauffage de la chambre de réaction ou du substrat |
|
C30B 19/10
|
Commande ou régulation |
|
C30B 19/12
|
Croissance d'une couche épitaxiale à partir de la phase liquide caractérisée par le substrat |
|
C30B 21/00
|
Solidification unidirectionnelle des matériaux eutectiques |
|
C30B 21/02
|
Solidification unidirectionnelle des matériaux eutectiques par simple coulée ou par solidification dans un gradient de température |
|
C30B 21/04
|
Solidification unidirectionnelle des matériaux eutectiques par fusion de zone |
|
C30B 21/06
|
Solidification unidirectionnelle des matériaux eutectiques par tirage à partir d'un bain fondu |
|
C30B 23/00
|
Croissance des monocristaux par condensation d'un matériau évaporé ou sublimé |
|
C30B 23/02
|
Croissance d'une couche épitaxiale |
|
C30B 23/04
|
Dépôt suivant une configuration déterminée, p.ex. en utilisant des masques |
|
C30B 23/06
|
Chauffage de l'enceinte de dépôt, du substrat ou du matériau à évaporer |
|
C30B 23/08
|
Croissance d'une couche épitaxiale par condensation de vapeurs ionisées |
|
C30B 25/00
|
Croissance des monocristaux par réaction chimique de gaz réactifs, p.ex. croissance par dépôt chimique en phase vapeur |
|
C30B 25/02
|
Croissance d'une couche épitaxiale |
|
C30B 25/04
|
Dépôt suivant une configuration déterminée, p.ex. en utilisant des masques |
|
C30B 25/06
|
Croissance d'une couche épitaxiale par pulvérisation réactive |
|
C30B 25/08
|
Enceintes de réaction; Emploi d'un matériau spécifié à cet effet |
|
C30B 25/10
|
Chauffage de l'enceinte de réaction ou du substrat |
|
C30B 25/12
|
Porte-substrat ou supports |
|
C30B 25/14
|
Moyens d'introduction et d'évacuation des gaz; Modification du courant des gaz réactifs |
|
C30B 25/16
|
Commande ou régulation |
|
C30B 25/18
|
Croissance d'une couche épitaxiale caractérisée par le substrat |
|
C30B 25/20
|
Croissance d'une couche épitaxiale caractérisée par le substrat le substrat étant dans le même matériau que la couche épitaxiale |
|
C30B 25/22
|
Procédés dans lesquels la croissance intervient sur les deux faces |
|
C30B 27/00
|
Croissance de monocristaux sous un fluide protecteur |
|
C30B 27/02
|
Croissance de monocristaux sous un fluide protecteur par tirage à partir d'un bain fondu |
|
C30B 28/00
|
Production de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée |
|
C30B 28/02
|
Production de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée directement à partir de l'état solide |
|
C30B 28/04
|
Production de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée à partir de liquides |
|
C30B 28/06
|
Production de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée à partir de liquides par solidification simple ou dans un gradient de température |
|
C30B 28/08
|
Production de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée à partir de liquides par fusion de zone |
|
C30B 28/10
|
Production de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée à partir de liquides par tirage hors d'un bain fondu |
|
C30B 28/12
|
Production de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée directement à partir de l'état gazeux |
|
C30B 28/14
|
Production de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée directement à partir de l'état gazeux par réaction chimique de gaz réactifs |
|
C30B 29/00
|
Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme |
|
C30B 29/02
|
Eléments |
|
C30B 29/04
|
Diamant |
|
C30B 29/06
|
Silicium |
|
C30B 29/08
|
Germanium |
|
C30B 29/10
|
Composés inorganiques ou compositions inorganiques |
|
C30B 29/12
|
Halogénures |
|
C30B 29/14
|
Phosphates |
|
C30B 29/16
|
Oxydes |
|
C30B 29/18
|
Quartz |
|
C30B 29/20
|
Oxydes d'aluminium |
|
C30B 29/22
|
Oxydes complexes |
|
C30B 29/24
|
Oxydes complexes de formule AMeO3, dans laquelle A est un métal des terres rares et Me est Fe, Ga, Sc, Cr, Co ou Al, p.ex. orthoferrites |
|
C30B 29/26
|
Oxydes complexes de formule BMe2O4, dans laquelle B est Mg, Ni, Co, Al, Zn ou Cd et Me est Fe, Ga, Sc, Cr, Co ou Al |
|
C30B 29/28
|
Oxydes complexes de formule A3Me5O12, dans laquelle A est un métal des terres rares et Me est Fe, Ga, Sc, Cr, Co ou Al, p.ex. grenats |
|
C30B 29/30
|
Niobates; Vanadates; Tantalates |
|
C30B 29/32
|
Titanates; Germanates; Molybdates; Tungstates |
|
C30B 29/34
|
Silicates |
|
C30B 29/36
|
Carbures |
|
C30B 29/38
|
Nitrures |
|
C30B 29/40
|
Composés AIII BV |
|
C30B 29/42
|
Arséniure de gallium |
|
C30B 29/44
|
Phosphure de gallium |
|
C30B 29/46
|
Composés contenant du soufre, du sélénium ou du tellure |
|
C30B 29/48
|
Composés AII BVI |
|
C30B 29/50
|
Sulfure de cadmium |
|
C30B 29/52
|
Alliages |
|
C30B 29/54
|
Composés organiques |
|
C30B 29/56
|
Tartrates |
|
C30B 29/58
|
Composés macromoléculaires |
|
C30B 29/60
|
Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme caractérisés par la forme |
|
C30B 29/62
|
Aiguilles ou "whiskers" |
|
C30B 29/64
|
Cristaux plats, p.ex. plaques, bandes ou pastilles |
|
C30B 29/66
|
Cristaux de forme géométrique complexe, p.ex. tubes, cylindres |
|
C30B 29/68
|
Cristaux avec une structure multicouche, p.ex. superréseaux |
|
C30B 30/00
|
Production de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée, caractérisée par l'action de champs électriques ou magnétiques, de l'énergie ondulatoire ou d'autres conditions physiques spécifiques |
|
C30B 30/02
|
Production de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée, caractérisée par l'action de champs électriques ou magnétiques, de l'énergie ondulatoire ou d'autres conditions physiques spécifiques en utilisant des champs électriques, p.ex. par électrolyse |
|
C30B 30/04
|
Production de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée, caractérisée par l'action de champs électriques ou magnétiques, de l'énergie ondulatoire ou d'autres conditions physiques spécifiques en utilisant des champs magnétiques |
|
C30B 30/06
|
Production de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée, caractérisée par l'action de champs électriques ou magnétiques, de l'énergie ondulatoire ou d'autres conditions physiques spécifiques en utilisant des vibrations mécaniques |
|
C30B 30/08
|
Production de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée, caractérisée par l'action de champs électriques ou magnétiques, de l'énergie ondulatoire ou d'autres conditions physiques spécifiques dans les conditions de gravité nulle ou de microgravité |
|
C30B 31/00
|
Procédés de diffusion ou de dopage des monocristaux ou des matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée; Appareillages à cet effet |
|
C30B 31/02
|
Procédés de diffusion ou de dopage des monocristaux ou des matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée; Appareillages à cet effet par contact avec la substance de diffusion à l'état solide |
|
C30B 31/04
|
Procédés de diffusion ou de dopage des monocristaux ou des matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée; Appareillages à cet effet par contact avec la substance de diffusion à l'état liquide |
|
C30B 31/06
|
Procédés de diffusion ou de dopage des monocristaux ou des matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée; Appareillages à cet effet par contact avec la substance de diffusion à l'état gazeux |
|
C30B 31/08
|
Procédés de diffusion ou de dopage des monocristaux ou des matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée; Appareillages à cet effet par contact avec la substance de diffusion à l'état gazeux la substance de diffusion étant un composé des éléments à diffuser |
|
C30B 31/10
|
Enceintes de réaction; Emploi d'un matériau spécifié à cet effet |
|
C30B 31/12
|
Chauffage de l'enceinte de réaction |
|
C30B 31/14
|
Porte-substrat ou supports |
|
C30B 31/16
|
Moyens d'introduction et d'évacuation des gaz; Modification du courant des gaz |
|
C30B 31/18
|
Commande ou régulation |
|
C30B 31/20
|
Dopage par irradiation au moyen de radiations électromagnétiques ou par rayonnement corpusculaire |
|
C30B 31/22
|
Dopage par irradiation au moyen de radiations électromagnétiques ou par rayonnement corpusculaire par implantation d'ions |
|
C30B 33/00
|
Post-traitement des monocristaux ou des matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée |
|
C30B 33/02
|
Traitement thermique |
|
C30B 33/04
|
Post-traitement des monocristaux ou des matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée en utilisant des champs électriques ou magnétiques ou des rayonnements corpusculaires |
|
C30B 33/06
|
Assemblage de cristaux |
|
C30B 33/08
|
Gravure |
|
C30B 33/10
|
Gravure dans des solutions ou des bains fondus |
|
C30B 33/12
|
Gravure dans une atmosphère gazeuse ou un plasma |
|
C30B 35/00
|
Appareillages non prévus ailleurs, spécialement adaptés à la croissance, à la production ou au post-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée |