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G11C 5/00
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MÉMOIRES STATIQUES - Détails de mémoires couverts par le groupe |
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G11C 5/02
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Disposition d'éléments d'emmagasinage, p.ex. sous la forme d'une matrice |
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G11C 5/04
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Supports pour éléments d'emmagasinage; Montage ou fixation d'éléments d'emmagasinage sur de tels supports |
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G11C 5/05
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Supports de noyaux dans une matrice |
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G11C 5/06
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Dispositions pour interconnecter électriquement des éléments d'emmagasinage |
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G11C 5/08
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Dispositions pour interconnecter électriquement des éléments d'emmagasinage pour interconnecter des éléments magnétiques, p.ex. des noyaux toroïdaux |
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G11C 5/10
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Dispositions pour interconnecter électriquement des éléments d'emmagasinage pour interconnecter des capacités |
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G11C 5/12
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Appareils ou procédés pour interconnecter des éléments d'emmagasinage, p.ex. pour enfiler des noyaux magnétiques |
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G11C 5/14
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Dispositions pour l'alimentation |
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G11C 7/00
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Dispositions pour écrire une information ou pour lire une information dans une mémoire numérique |
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G11C 7/02
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Dispositions pour écrire une information ou pour lire une information dans une mémoire numérique avec des moyens d'éviter les signaux parasites |
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G11C 7/04
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Dispositions pour écrire une information ou pour lire une information dans une mémoire numérique avec des moyens d'éviter les effets perturbateurs thermiques |
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G11C 7/06
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Amplificateurs de lecture; Circuits associés |
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G11C 7/08
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Leur commande |
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G11C 7/10
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Dispositions d'interface d'entrée/sortie [E/S, I/O] de données, p.ex. circuits de commande E/S de données, mémoires tampon de données E/S |
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G11C 7/12
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Circuits de commande de lignes de bits, p.ex. circuits d'attaque, de puissance, de tirage vers le haut, d'abaissement, circuits de précharge, circuits d'égalisation, pour lignes de bits |
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G11C 7/14
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Gestion de cellules factices; Générateurs de tension de référence de lecture |
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G11C 7/16
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Emmagasinage de signaux analogiques dans des mémoires numériques utilisant une disposition comprenant des convertisseurs analogiques/numériques [A/N], des mémoires numériques et des convertisseurs numériques/analogiques [N/A] |
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G11C 7/18
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Organisation de lignes de bits; Disposition de lignes de bits |
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G11C 7/20
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Circuits d'initialisation de cellules de mémoire, p.ex. à la mise sous ou hors tension, effacement de mémoire, mémoire d'image latente |
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G11C 7/22
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Circuits de synchronisation ou d'horloge pour la lecture-écriture [R-W]; Générateurs ou gestion de signaux de commande pour la lecture-écriture [R-W] |
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G11C 7/24
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Circuits de protection ou de sécurité pour cellules de mémoire, p.ex. dispositions pour empêcher la lecture ou l'écriture par inadvertance; Cellules d'état; Cellules de test |
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G11C 8/00
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Dispositions pour sélectionner une adresse dans une mémoire numérique |
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G11C 8/02
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Dispositions pour sélectionner une adresse dans une mémoire numérique utilisant une matrice de sélection |
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G11C 8/04
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Dispositions pour sélectionner une adresse dans une mémoire numérique utilisant un dispositif d'adressage séquentiel, p.ex. registre à décalage, compteur |
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G11C 8/06
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Dispositions d'interface d'adresses, p.ex. mémoires tampon d'adresses |
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G11C 8/08
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Circuits de commande de lignes de mots, p.ex. circuits d'attaque, de puissance, de tirage vers le haut, d'abaissement, circuits de précharge, pour lignes de mots |
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G11C 8/10
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Décodeurs |
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G11C 8/12
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Circuits de sélection de groupe, p.ex. pour la sélection d'un bloc de mémoire, la sélection d'une puce, la sélection d'un réseau de cellules |
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G11C 8/14
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Organisation de lignes de mots; Disposition de lignes de mots |
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G11C 8/16
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Réseau de mémoire à accès multiple, p.ex. adressage à un élément d'emmagasinage par au moins deux groupes de lignes d'adressage indépendantes |
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G11C 8/18
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Circuits de synchronisation ou d'horloge; Génération ou gestion de signaux de commande d'adresse, p.ex. pour des signaux d'échantillonnage d'adresse de ligne [RAS] ou d'échantillonnage d'adresse de colonne [CAS] |
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G11C 8/20
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Circuits de sécurité ou de protection d'adresse, c. à d. dispositions pour empêcher un accès non autorisé ou accidentel |
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G11C 11/00
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Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants |
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G11C 11/02
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Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments magnétiques |
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G11C 11/04
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Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments magnétiques utilisant des éléments d'emmagasinage de forme cylindrique, p.ex. barre, fil |
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G11C 11/06
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Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments magnétiques utilisant des plaques à plusieurs ouvertures dans lesquelles chaque ouverture constitue un élément d'emmagasinage |
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G11C 11/08
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Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments magnétiques utilisant des plaques comportant plusieurs éléments d'emmagasinage individuels à ouvertures multiples |
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G11C 11/10
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Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments magnétiques utilisant des éléments d'emmagasinage multi-axiaux |
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G11C 11/12
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Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments magnétiques utilisant des tensors; utilisant des twistors, c. à d. des éléments dans lesquels un axe de magnétisation est tordu |
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G11C 11/14
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Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments magnétiques utilisant des éléments à pellicules minces |
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G11C 11/15
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Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments magnétiques utilisant des éléments à pellicules minces utilisant des couches magnétiques multiples |
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G11C 11/16
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Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments magnétiques utilisant des éléments dans lesquels l'effet d'emmagasinage est basé sur l'effet de spin |
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G11C 11/18
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Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants utilisant des dispositifs à effet Hall |
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G11C 11/19
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Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants utilisant des dispositifs réactifs non linéaires dans des circuits résonnants |
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G11C 11/20
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Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants utilisant des dispositifs réactifs non linéaires dans des circuits résonnants utilisant des paramétrons |
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G11C 11/21
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Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments électriques |
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G11C 11/22
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Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments électriques utilisant des éléments ferro-électriques |
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G11C 11/23
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Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments électriques utilisant l'emmagasinage électrostatique sur une couche commune, p.ex. tubes de Forrester-Haeff |
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G11C 11/24
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Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments électriques utilisant des condensateurs |
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G11C 11/26
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Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments électriques utilisant des tubes à décharge |
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G11C 11/28
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Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments électriques utilisant des tubes à décharge utilisant des tubes à atmosphère gazeuse |
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G11C 11/30
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Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments électriques utilisant des tubes à décharge utilisant des tubes à vide |
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G11C 11/34
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Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments électriques utilisant des dispositifs à semi-conducteurs |
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G11C 11/35
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Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments électriques utilisant des dispositifs à semi-conducteurs avec stockage de charges dans une région d'appauvrissement, p.ex. dispositifs à couplage de charge |
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G11C 11/36
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Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments électriques utilisant des dispositifs à semi-conducteurs utilisant des diodes, p.ex. comme éléments à seuil |
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G11C 11/38
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Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments électriques utilisant des dispositifs à semi-conducteurs utilisant des diodes, p.ex. comme éléments à seuil utilisant des diodes tunnels |
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G11C 11/39
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Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments électriques utilisant des dispositifs à semi-conducteurs utilisant des thyristors |
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G11C 11/40
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Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments électriques utilisant des dispositifs à semi-conducteurs utilisant des transistors |
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G11C 11/41
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Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments électriques utilisant des dispositifs à semi-conducteurs utilisant des transistors formant des cellules avec réaction positive, c. à d. des cellules ne nécessitant pas de rafraîchissement ou de régénération de la charge, p.ex. multivibrateur bistable, déclencheur de Schmitt |
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G11C 11/42
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Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments électriques utilisant des dispositifs opto-électroniques, c. à d. des dispositifs émetteurs de lumière et des dispositifs photo-électriques couplés électriquement ou optiquement |
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G11C 11/44
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Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments électriques utilisant des éléments supraconducteurs, p.ex. des cryotrons |
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G11C 11/46
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Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments thermoplastiques |
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G11C 11/48
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Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments à couplage déplaçable, p.ex. des noyaux ferromagnétiques, pour produire un changement entre différents états d'induction mutuelle ou de self-induction |
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G11C 11/50
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Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants utilisant l'actionnement de contacts électriques pour emmagasiner l'information |
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G11C 11/52
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Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants utilisant l'actionnement de contacts électriques pour emmagasiner l'information utilisant des relais électromagnétiques |
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G11C 11/54
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Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments simulateurs de cellules biologiques, p.ex. neurone |
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G11C 11/56
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Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments d'emmagasinage comportant plus de deux états stables représentés par des échelons, p.ex. de tension, de courant, de phase, de fréquence |
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G11C 11/061
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Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments magnétiques utilisant des plaques à plusieurs ouvertures dans lesquelles chaque ouverture constitue un élément d'emmagasinage utilisant des éléments à une seule ouverture ou à boucle magnétique unique, à raison d'un élément par bit, et pour la lecture destructive |
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G11C 11/063
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Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments magnétiques utilisant des plaques à plusieurs ouvertures dans lesquelles chaque ouverture constitue un élément d'emmagasinage utilisant des éléments à une seule ouverture ou à boucle magnétique unique, à raison d'un élément par bit, et pour la lecture destructive organisées par bit, p.ex. organisation 2 L/2 D, 3 D, c. à d. pour la sélection d'un élément au moyen d'au moins deux courants partiels coïncidents, tant pour la lecture que pour l'écriture |
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G11C 11/065
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Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments magnétiques utilisant des plaques à plusieurs ouvertures dans lesquelles chaque ouverture constitue un élément d'emmagasinage utilisant des éléments à une seule ouverture ou à boucle magnétique unique, à raison d'un élément par bit, et pour la lecture destructive organisées par mots, p.ex. organisation 2 D ou sélection linéaire, c. à d. pour la sélection de tous les éléments d'un mot au moyen d'un courant complet pour la lecture |
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G11C 11/067
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Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments magnétiques utilisant des plaques à plusieurs ouvertures dans lesquelles chaque ouverture constitue un élément d'emmagasinage utilisant des éléments à une seule ouverture ou à boucle magnétique unique, à raison d'un élément par bit, et pour la lecture non destructive |
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G11C 11/155
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Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments magnétiques utilisant des éléments à pellicules minces avec une configuration cylindrique |
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G11C 11/401
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Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments électriques utilisant des dispositifs à semi-conducteurs utilisant des transistors formant des cellules nécessitant un rafraîchissement ou une régénération de la charge, c. à d. cellules dynamiques |
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G11C 11/402
|
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments électriques utilisant des dispositifs à semi-conducteurs utilisant des transistors formant des cellules nécessitant un rafraîchissement ou une régénération de la charge, c. à d. cellules dynamiques avec régénération de la charge propre à chaque cellule de mémoire, c. à d. rafraîchissement interne |
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G11C 11/403
|
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments électriques utilisant des dispositifs à semi-conducteurs utilisant des transistors formant des cellules nécessitant un rafraîchissement ou une régénération de la charge, c. à d. cellules dynamiques avec régénération de la charge commune à plusieurs cellules de mémoire, c. à d. rafraîchissement externe |
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G11C 11/404
|
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments électriques utilisant des dispositifs à semi-conducteurs utilisant des transistors formant des cellules nécessitant un rafraîchissement ou une régénération de la charge, c. à d. cellules dynamiques avec régénération de la charge commune à plusieurs cellules de mémoire, c. à d. rafraîchissement externe avec une porte à transfert de charges, p.ex. un transistor MOS, par cellule |
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G11C 11/405
|
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments électriques utilisant des dispositifs à semi-conducteurs utilisant des transistors formant des cellules nécessitant un rafraîchissement ou une régénération de la charge, c. à d. cellules dynamiques avec régénération de la charge commune à plusieurs cellules de mémoire, c. à d. rafraîchissement externe avec trois portes à transfert de charges, p.ex. transistors MOS, par cellule |
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G11C 11/406
|
Organisation ou commande des cycles de rafraîchissement ou de régénération de la charge |
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G11C 11/407
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Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'adressage, le décodage, la commande, l'écriture, la lecture ou la synchronisation pour des cellules de mémoire du type à effet de champ |
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G11C 11/408
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Circuits d'adressage |
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G11C 11/409
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Circuits de lecture-écriture [R-W] |
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G11C 11/411
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Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments électriques utilisant des dispositifs à semi-conducteurs utilisant des transistors formant des cellules avec réaction positive, c. à d. des cellules ne nécessitant pas de rafraîchissement ou de régénération de la charge, p.ex. multivibrateur bistable, déclencheur de Schmitt utilisant uniquement des transistors bipolaires |
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G11C 11/412
|
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments électriques utilisant des dispositifs à semi-conducteurs utilisant des transistors formant des cellules avec réaction positive, c. à d. des cellules ne nécessitant pas de rafraîchissement ou de régénération de la charge, p.ex. multivibrateur bistable, déclencheur de Schmitt utilisant uniquement des transistors à effet de champ |
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G11C 11/413
|
Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'adressage, le décodage, la commande, l'écriture, la lecture, la synchronisation ou la réduction de la consommation |
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G11C 11/414
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Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'adressage, le décodage, la commande, l'écriture, la lecture, la synchronisation ou la réduction de la consommation pour des cellules de mémoire du type bipolaire |
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G11C 11/415
|
Circuits d'adressage |
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G11C 11/416
|
Circuits de lecture-écriture [R-W] |
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G11C 11/417
|
Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'adressage, le décodage, la commande, l'écriture, la lecture, la synchronisation ou la réduction de la consommation pour des cellules de mémoire du type à effet de champ |
|
G11C 11/418
|
Circuits d'adressage |
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G11C 11/419
|
Circuits de lecture-écriture [R-W] |
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G11C 11/4063
|
Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'adressage, le décodage, la commande, l'écriture, la lecture ou la synchronisation |
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G11C 11/4067
|
Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'adressage, le décodage, la commande, l'écriture, la lecture ou la synchronisation pour des cellules de mémoire du type bipolaire |
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G11C 11/4072
|
Circuits pour l'initialisation, pour la mise sous ou hors tension, pour l'effacement de la mémoire ou pour le préréglage |
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G11C 11/4074
|
Circuits d'alimentation ou de génération de tension, p.ex. générateurs de tension de polarisation, générateurs de tension de substrat, alimentation de secours, circuits de commande d'alimentation |
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G11C 11/4076
|
Circuits de synchronisation |
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G11C 11/4078
|
Circuits de sécurité ou de protection, p.ex. afin d'empêcher la lecture ou l'écriture intempestives ou non autorisées; Cellules d'état; Cellules de test |
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G11C 11/4091
|
Amplificateurs de lecture ou de lecture/rafraîchissement, ou circuits de lecture associés, p.ex. pour la précharge, la compensation ou l'isolation des lignes de bits couplées |
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G11C 11/4093
|
Dispositions d'interface d'entrée/sortie [E/S, I/O] de données, p.ex. mémoires tampon de données |
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G11C 11/4094
|
Circuits de commande ou de gestion de lignes de bits |
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G11C 11/4096
|
Circuits de commande ou de gestion d'entrée/sortie [E/S, I/O] de données, p.ex. circuits pour la lecture ou l'écriture, circuits d'attaque d'entrée/sortie ou commutateurs de lignes de bits |
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G11C 11/4097
|
Organisation de lignes de bits, p.ex. configuration de lignes de bits, lignes de bits repliées |
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G11C 11/4099
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Traitement de cellules factices; Générateurs de tension de référence |
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G11C 11/4193
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Circuits auxiliaires spécifiques aux types particuliers de dispositifs de stockage à semi-conducteurs, p.ex. pour l'adressage, la commande, la lecture, la synchronisation, l'alimentation, la propagation du signal |
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G11C 11/4195
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Circuits d'adressage |
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G11C 11/4197
|
Circuits de lecture-écriture [R-W] |
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G11C 13/00
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Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage non couverts par les groupes , ou |
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G11C 13/02
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Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage non couverts par les groupes , ou utilisant des éléments dont le fonctionnement dépend d'un changement chimique |
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G11C 13/04
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Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage non couverts par les groupes , ou utilisant des éléments optiques |
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G11C 13/06
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Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage non couverts par les groupes , ou utilisant des éléments optiques utilisant des éléments magnéto-optiques |
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G11C 14/00
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Mémoires numériques caractérisées par des dispositions de cellules ayant des propriétés de mémoire volatile et non volatile pour sauvegarder l'information en cas de défaillance de l'alimentation |
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G11C 15/00
|
Mémoires numériques dans lesquelles l'information, comportant une ou plusieurs parties caractéristiques, est écrite dans la mémoire et dans lesquelles l'information est lue au moyen de la recherche de l'une ou plusieurs de ces parties caractéristique |
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G11C 15/02
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Mémoires numériques dans lesquelles l'information, comportant une ou plusieurs parties caractéristiques, est écrite dans la mémoire et dans lesquelles l'information est lue au moyen de la recherche de l'une ou plusieurs de ces parties caractéristique utilisant des éléments magnétiques |
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G11C 15/04
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Mémoires numériques dans lesquelles l'information, comportant une ou plusieurs parties caractéristiques, est écrite dans la mémoire et dans lesquelles l'information est lue au moyen de la recherche de l'une ou plusieurs de ces parties caractéristique utilisant des éléments semi-conducteurs |
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G11C 15/06
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Mémoires numériques dans lesquelles l'information, comportant une ou plusieurs parties caractéristiques, est écrite dans la mémoire et dans lesquelles l'information est lue au moyen de la recherche de l'une ou plusieurs de ces parties caractéristique utilisant des éléments cryogéniques |
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G11C 16/00
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Mémoires mortes programmables effaçables |
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G11C 16/02
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Mémoires mortes programmables effaçables programmables électriquement |
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G11C 16/04
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Mémoires mortes programmables effaçables programmables électriquement utilisant des transistors à seuil variable, p.ex. FAMOS |
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G11C 16/06
|
Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'écriture dans la mémoire |
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G11C 16/08
|
Circuits d'adressage; Décodeurs; Circuits de commande de lignes de mots |
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G11C 16/10
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Circuits de programmation ou d'entrée de données |
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G11C 16/12
|
Circuits de commutation de la tension de programmation |
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G11C 16/14
|
Circuits pour effacer électriquement, p.ex. circuits de commutation de la tension d'effacement |
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G11C 16/16
|
Circuits pour effacer électriquement, p.ex. circuits de commutation de la tension d'effacement pour effacer des blocs, p.ex. des réseaux, des mots, des groupes |
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G11C 16/18
|
Circuits pour effacer optiquement |
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G11C 16/20
|
Initialisation; Présélection de données; Identification de puces |
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G11C 16/22
|
Circuits de sécurité ou de protection pour empêcher l'accès non autorisé ou accidentel aux cellules de mémoire |
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G11C 16/24
|
Circuits de commande de lignes de bits |
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G11C 16/26
|
Circuits de détection ou de lecture; Circuits de sortie de données |
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G11C 16/28
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Circuits de détection ou de lecture; Circuits de sortie de données utilisant des cellules de détection différentielle ou des cellules de référence, p.ex. des cellules factices |
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G11C 16/30
|
Circuits d'alimentation |
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G11C 16/32
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Circuits de synchronisation |
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G11C 16/34
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Détermination de l'état de programmation, p.ex. de la tension de seuil, de la surprogrammation ou de la sousprogrammation, de la rétention |
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G11C 17/00
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Mémoires mortes programmables une seule fois; Mémoires semi-permanentes, p.ex. cartes d'information pouvant être replacées à la main |
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G11C 17/02
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Mémoires mortes programmables une seule fois; Mémoires semi-permanentes, p.ex. cartes d'information pouvant être replacées à la main utilisant des éléments magnétiques ou inductifs |
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G11C 17/04
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Mémoires mortes programmables une seule fois; Mémoires semi-permanentes, p.ex. cartes d'information pouvant être replacées à la main utilisant des éléments capacitifs |
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G11C 17/06
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Mémoires mortes programmables une seule fois; Mémoires semi-permanentes, p.ex. cartes d'information pouvant être replacées à la main utilisant des éléments comprenant des diodes |
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G11C 17/08
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Mémoires mortes programmables une seule fois; Mémoires semi-permanentes, p.ex. cartes d'information pouvant être replacées à la main utilisant des dispositifs à semi-conducteurs, p.ex. des éléments bipolaires |
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G11C 17/10
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Mémoires mortes programmables une seule fois; Mémoires semi-permanentes, p.ex. cartes d'information pouvant être replacées à la main utilisant des dispositifs à semi-conducteurs, p.ex. des éléments bipolaires dans lesquelles le contenu est déterminé lors de la fabrication par une disposition prédéterminée des éléments de couplage, p.ex. mémoires ROM programmables par masque |
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G11C 17/12
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Mémoires mortes programmables une seule fois; Mémoires semi-permanentes, p.ex. cartes d'information pouvant être replacées à la main utilisant des dispositifs à semi-conducteurs, p.ex. des éléments bipolaires dans lesquelles le contenu est déterminé lors de la fabrication par une disposition prédéterminée des éléments de couplage, p.ex. mémoires ROM programmables par masque utilisant des dispositifs à effet de champ |
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G11C 17/14
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Mémoires mortes programmables une seule fois; Mémoires semi-permanentes, p.ex. cartes d'information pouvant être replacées à la main dans lesquelles le contenu est déterminé en établissant, en rompant ou en modifiant sélectivement les liaisons de connexion par une modification définitive de l'état des éléments de couplage, p.ex. mémoires PROM |
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G11C 17/16
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Mémoires mortes programmables une seule fois; Mémoires semi-permanentes, p.ex. cartes d'information pouvant être replacées à la main dans lesquelles le contenu est déterminé en établissant, en rompant ou en modifiant sélectivement les liaisons de connexion par une modification définitive de l'état des éléments de couplage, p.ex. mémoires PROM utilisant des liaisons électriquement fusibles |
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G11C 17/18
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Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'écriture dans la mémoire |
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G11C 19/00
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Mémoires numériques dans lesquelles l'information est déplacée par échelons, p.ex. registres à décalage |
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G11C 19/02
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Mémoires numériques dans lesquelles l'information est déplacée par échelons, p.ex. registres à décalage utilisant des éléments magnétiques |
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G11C 19/04
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Mémoires numériques dans lesquelles l'information est déplacée par échelons, p.ex. registres à décalage utilisant des éléments magnétiques utilisant des noyaux avec une ouverture ou une boucle magnétique |
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G11C 19/06
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Mémoires numériques dans lesquelles l'information est déplacée par échelons, p.ex. registres à décalage utilisant des éléments magnétiques utilisant des structures avec une pluralité d'ouvertures ou de boucles magnétiques, p.ex. des transfluxors |
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G11C 19/08
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Mémoires numériques dans lesquelles l'information est déplacée par échelons, p.ex. registres à décalage utilisant des éléments magnétiques utilisant des couches minces dans une structure plane |
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G11C 19/10
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Mémoires numériques dans lesquelles l'information est déplacée par échelons, p.ex. registres à décalage utilisant des éléments magnétiques avec des twistors |
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G11C 19/12
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Mémoires numériques dans lesquelles l'information est déplacée par échelons, p.ex. registres à décalage utilisant des dispositifs réactifs non linéaires dans des circuits résonnants |
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G11C 19/14
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Mémoires numériques dans lesquelles l'information est déplacée par échelons, p.ex. registres à décalage utilisant des éléments magnétiques combinés à des éléments actifs, p.ex. à des tubes à décharge, à des éléments à semi-conducteurs |
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G11C 19/18
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Mémoires numériques dans lesquelles l'information est déplacée par échelons, p.ex. registres à décalage utilisant des capacités comme éléments principaux des étages |
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G11C 19/20
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Mémoires numériques dans lesquelles l'information est déplacée par échelons, p.ex. registres à décalage utilisant des tubes à décharge |
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G11C 19/28
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Mémoires numériques dans lesquelles l'information est déplacée par échelons, p.ex. registres à décalage utilisant des éléments semi-conducteurs |
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G11C 19/30
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Mémoires numériques dans lesquelles l'information est déplacée par échelons, p.ex. registres à décalage utilisant des éléments opto-électroniques, c. à d. des dispositifs émetteurs de lumière et des dispositifs photo-électriques couplés électriquement ou optiquement |
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G11C 19/32
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Mémoires numériques dans lesquelles l'information est déplacée par échelons, p.ex. registres à décalage utilisant des éléments supraconducteurs |
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G11C 19/34
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Mémoires numériques dans lesquelles l'information est déplacée par échelons, p.ex. registres à décalage utilisant des éléments de mémoire comportant plus de deux états stables représentés par des échelons, p.ex. de tension, de courant, de phase, de fréquence |
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G11C 19/36
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Mémoires numériques dans lesquelles l'information est déplacée par échelons, p.ex. registres à décalage utilisant des éléments de mémoire comportant plus de deux états stables représentés par des échelons, p.ex. de tension, de courant, de phase, de fréquence utilisant des éléments à semi-conducteurs |
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G11C 19/38
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Mémoires numériques dans lesquelles l'information est déplacée par échelons, p.ex. registres à décalage à deux dimensions, p.ex. registres à décalage horizontal et vertical |
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G11C 21/00
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Mémoires numériques dans lesquelles l'information circule |
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G11C 21/02
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Mémoires numériques dans lesquelles l'information circule utilisant des lignes à retard électromécaniques, p.ex. utilisant un réservoir à mercure |
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G11C 23/00
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MÉMOIRES STATIQUES Éléments d'emmagasinage correspondants |
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G11C 25/00
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Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation de milieux fluides; Eléments d'emmagasinage correspondants |
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G11C 27/00
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Mémoires analogiques électriques, p.ex. pour emmagasiner des valeurs instantanées |
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G11C 27/02
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Moyens d'échantillonnage et de mémorisation |
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G11C 27/04
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Registres à décalage |
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G11C 29/00
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Vérification du fonctionnement correct des mémoires; Test de mémoires lors d'opération en mode de veille ou hors-ligne |
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G11C 29/02
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Détection ou localisation de circuits auxiliaires défectueux, p.ex. compteurs de rafraîchissement défectueux |
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G11C 29/04
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Détection ou localisation d'éléments d'emmagasinage défectueux |
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G11C 29/06
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Test de prévieillissement |
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G11C 29/08
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Test fonctionnel, p.ex. test lors d'un rafraîchissement, auto-test à la mise sous tension [POST] ou test réparti |
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G11C 29/10
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Algorithmes de test, p.ex. algorithmes par balayage de mémoire [MScan]; Configurations de test, p.ex. configurations en damier |
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G11C 29/12
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Dispositions intégrées pour les tests, p.ex. auto-test intégré [BIST] |
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G11C 29/14
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Mise en œuvre d'une logique de commande, p.ex. décodeurs de mode de test |
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G11C 29/16
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Mise en œuvre d'une logique de commande, p.ex. décodeurs de mode de test utilisant des unités microprogrammées, p.ex. machines à états logiques |
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G11C 29/18
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Dispositifs pour la génération d'adresses; Dispositifs pour l'accès aux mémoires, p.ex. détails de circuits d'adressage |
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G11C 29/20
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Dispositifs pour la génération d'adresses; Dispositifs pour l'accès aux mémoires, p.ex. détails de circuits d'adressage utilisant des compteurs ou des registres à décalage à rétroaction linéaire [LFSR] |
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G11C 29/22
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Accès à des mémoires série |
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G11C 29/24
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Accès à des cellules additionnelles, p.ex. cellules factices ou cellules redondantes |
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G11C 29/26
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Accès à des réseaux multiples |
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G11C 29/28
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Réseaux multiples dépendants, p.ex. réseaux multi-bits |
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G11C 29/30
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Accès à des réseaux uniques |
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G11C 29/32
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Accès séquentiel; Test par balayage |
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G11C 29/34
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Accès simultané à plusieurs bits |
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G11C 29/36
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Dispositifs de génération de données, p.ex. inverseurs de données |
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G11C 29/38
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Dispositifs de vérification de réponse |
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G11C 29/40
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Dispositifs de vérification de réponse utilisant des techniques de compression |
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G11C 29/42
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Dispositifs de vérification de réponse utilisant des codes correcteurs d'erreurs [ECC] ou un contrôle de parité |
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G11C 29/44
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Indication ou identification d'erreurs, p.ex. pour la réparation |
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G11C 29/46
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Logique de déclenchement de test |
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G11C 29/48
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Dispositions dans les mémoires statiques spécialement adaptées au test par des moyens externes à la mémoire, p.ex. utilisant un accès direct à la mémoire [DMA] ou utilisant des chemins d'accès auxiliaires |
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G11C 29/50
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Test marginal, p.ex. test de vitesse, de tension ou de courant |
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G11C 29/52
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Protection du contenu des mémoires; Détection d'erreurs dans le contenu des mémoires |
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G11C 29/54
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Dispositions pour concevoir les circuits de test, p.ex. outils de conception pour le test [DFT] |
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G11C 29/56
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Vérification du fonctionnement correct des mémoires; Test de mémoires lors d'opération en mode de veille ou hors-ligne Équipements externes pour test de mémoires statiques, p.ex. équipement de test automatique [ATE]; Interfaces correspondantes |
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G11C 99/00
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Matière non prévue dans les autres groupes de la présente sous-classe |