|
H01L 21/00
|
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives |
|
H01L 21/02
|
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives |
|
H01L 21/04
|
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges |
|
H01L 21/06
|
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant du sélénium ou du tellure, sous forme non combinée, et ne constituant pas des impuretés pour les corps semi-conducteurs d'autres matériaux |
|
H01L 21/08
|
Préparation de la plaque de support |
|
H01L 21/10
|
Traitement préliminaire du sélénium ou du tellure, application sur la plaque de support, ou traitement subséquent de l'ensemble |
|
H01L 21/12
|
Application d'une électrode à la surface libre du sélénium ou du tellure, après l'apposition du sélénium ou du tellure à la plaque de support |
|
H01L 21/14
|
Traitement du dispositif complet, p.ex. par électroformage pour former une barrière |
|
H01L 21/16
|
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant de l'oxyde cuivreux ou de l'iodure cuivreux |
|
H01L 21/18
|
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage |
|
H01L 21/20
|
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale |
|
H01L 21/22
|
Diffusion des impuretés, p.ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, à l'intérieur ou hors du corps semi-conducteur, ou entre les régions semi-conductrices; Redistribution des impuretés, p.ex. sans introduction ou sans élimination de matériau dopant supplémentaire |
|
H01L 21/24
|
Formation d'alliages d'impuretés, p.ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, avec un corps semi-conducteur |
|
H01L 21/26
|
Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires |
|
H01L 21/027
|
Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe ou |
|
H01L 21/28
|
Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes |
|
H01L 21/30
|
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes |
|
H01L 21/31
|
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches |
|
H01L 21/32
|
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches en utilisant des masques |
|
H01L 21/33
|
Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type bipolaire, p.ex. diodes, transistors, thyristors les dispositifs comportant trois électrodes ou plus |
|
H01L 21/34
|
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs non couverts par , et avec ou sans impuretés, p.ex. matériaux de dopage |
|
H01L 21/36
|
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale |
|
H01L 21/38
|
Diffusion des impuretés, p.ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, dans ou hors du corps semi-conducteur, ou entre les régions semi-conductrices |
|
H01L 21/40
|
Formation d'alliages des impuretés, p.ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, avec un corps semi-conducteur |
|
H01L 21/42
|
Bombardement par des radiations |
|
H01L 21/44
|
Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes |
|
H01L 21/46
|
Traitement de corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes |
|
H01L 21/47
|
Couches organiques, p.ex. couche photosensible |
|
H01L 21/48
|
Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes |
|
H01L 21/50
|
Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes |
|
H01L 21/52
|
Montage des corps semi-conducteurs dans les conteneurs |
|
H01L 21/54
|
Remplissage des conteneurs, p.ex. remplissage en gaz |
|
H01L 21/56
|
Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements |
|
H01L 21/58
|
Montage des dispositifs à semi-conducteurs sur des supports |
|
H01L 21/60
|
Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement |
|
H01L 21/62
|
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives les dispositifs n'ayant ni barrière de potentiel ni barrière de surface |
|
H01L 21/64
|
Fabrication ou traitement de dispositifs à l'état solide autres que des dispositifs à semi-conducteurs, ou de leurs parties constitutives, par des méthodes non spécialement adaptées à un seul type de dispositifs couverts par les groupes ou par les s |
|
H01L 21/66
|
Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement |
|
H01L 21/67
|
Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants |
|
H01L 21/68
|
Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le positionnement, l'orientation ou l'alignement |
|
H01L 21/70
|
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci |
|
H01L 21/71
|
Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en |
|
H01L 21/74
|
Réalisation de régions profondes à haute concentration en impuretés, p.ex. couches collectrices profondes, connexions internes |
|
H01L 21/76
|
Réalisation de régions isolantes entre les composants |
|
H01L 21/77
|
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun |
|
H01L 21/78
|
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels |
|
H01L 21/82
|
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants |
|
H01L 21/84
|
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant autre chose qu'un corps semi-conducteur, p.ex. étant un corps isolant |
|
H01L 21/86
|
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant autre chose qu'un corps semi-conducteur, p.ex. étant un corps isolant le corps isolant étant du saphir, p.ex. silicium sur une structure en saphir, c. à d. S.O.S. |
|
H01L 21/98
|
Assemblage de dispositifs consistant en composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun; Assemblage de dispositifs à circuit intégré |
|
H01L 21/103
|
Conversion du sélénium ou du tellure à l'état conducteur |
|
H01L 21/105
|
Traitement de la surface de la couche de sélénium ou de tellure après conversion à l'état conducteur |
|
H01L 21/108
|
Production de couches isolantes discrètes, c. à d. de barrières de surface non actives |
|
H01L 21/145
|
Vieillissement |
|
H01L 21/203
|
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale en utilisant un dépôt physique, p.ex. dépôt sous vide, pulvérisation |
|
H01L 21/205
|
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c. à d. un dépôt chimique |
|
H01L 21/208
|
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale en utilisant un dépôt liquide |
|
H01L 21/223
|
Diffusion des impuretés, p.ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, à l'intérieur ou hors du corps semi-conducteur, ou entre les régions semi-conductrices; Redistribution des impuretés, p.ex. sans introduction ou sans élimination de matériau dopant supplémentaire en utilisant la diffusion dans ou hors d'un solide, à partir d'une ou en phase gazeuse |
|
H01L 21/225
|
Diffusion des impuretés, p.ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, à l'intérieur ou hors du corps semi-conducteur, ou entre les régions semi-conductrices; Redistribution des impuretés, p.ex. sans introduction ou sans élimination de matériau dopant supplémentaire en utilisant la diffusion dans ou hors d'un solide, à partir d'une ou en phase solide, p.ex. une couche d'oxyde dopée |
|
H01L 21/228
|
Diffusion des impuretés, p.ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, à l'intérieur ou hors du corps semi-conducteur, ou entre les régions semi-conductrices; Redistribution des impuretés, p.ex. sans introduction ou sans élimination de matériau dopant supplémentaire en utilisant la diffusion dans ou hors d'un solide, à partir d'une ou en phase liquide, p.ex. procédés de diffusion d'alliage |
|
H01L 21/261
|
Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires pour produire une réaction nucléaire donnant des éléments chimiques par transmutation |
|
H01L 21/263
|
Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée |
|
H01L 21/265
|
Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions |
|
H01L 21/266
|
Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions en utilisant des masques |
|
H01L 21/268
|
Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée les radiations étant électromagnétiques, p.ex. des rayons laser |
|
H01L 21/283
|
Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes |
|
H01L 21/285
|
Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p.ex. condensation |
|
H01L 21/288
|
Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes à partir d'un liquide, p.ex. dépôt électrolytique |
|
H01L 21/301
|
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour subdiviser un corps semi-conducteur en parties distinctes, p.ex. cloisonnement en zones séparées |
|
H01L 21/302
|
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage |
|
H01L 21/304
|
Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe |
|
H01L 21/306
|
Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique |
|
H01L 21/308
|
Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique en utilisant des masques |
|
H01L 21/311
|
Gravure des couches isolantes |
|
H01L 21/312
|
Couches organiques, p.ex. couche photosensible |
|
H01L 21/314
|
Couches inorganiques |
|
H01L 21/316
|
Couches inorganiques composées d'oxydes, ou d'oxydes vitreux, ou de verres à base d'oxyde |
|
H01L 21/318
|
Couches inorganiques composées de nitrures |
|
H01L 21/321
|
Post-traitement |
|
H01L 21/322
|
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour modifier leurs propriétés internes, p.ex. pour produire des défectuosités internes |
|
H01L 21/324
|
Traitement thermique pour modifier les propriétés des corps semi-conducteurs, p.ex. recuit, frittage |
|
H01L 21/326
|
Application de courants ou de champs électriques, p.ex. pour l'électroformage |
|
H01L 21/328
|
Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type bipolaire, p.ex. diodes, transistors, thyristors |
|
H01L 21/329
|
Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type bipolaire, p.ex. diodes, transistors, thyristors les dispositifs comportant une ou deux électrodes, p.ex. diodes |
|
H01L 21/331
|
Transistors |
|
H01L 21/332
|
Thyristors |
|
H01L 21/334
|
Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire |
|
H01L 21/335
|
Transistors à effet de champ |
|
H01L 21/336
|
Transistors à effet de champ à grille isolée |
|
H01L 21/337
|
Transistors à effet de champ à jonction PN |
|
H01L 21/338
|
Transistors à effet de champ à grille Schottky |
|
H01L 21/339
|
Dispositifs à transfert de charge |
|
H01L 21/363
|
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale en utilisant un dépôt physique, p.ex. dépôt sous vide, pulvérisation |
|
H01L 21/365
|
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c. à d. un dépôt chimique |
|
H01L 21/368
|
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale en utilisant un dépôt liquide |
|
H01L 21/383
|
Diffusion des impuretés, p.ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, dans ou hors du corps semi-conducteur, ou entre les régions semi-conductrices en utilisant la diffusion dans ou hors d'un solide, à partir d'une ou en phase gazeuse |
|
H01L 21/385
|
Diffusion des impuretés, p.ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, dans ou hors du corps semi-conducteur, ou entre les régions semi-conductrices en utilisant la diffusion dans ou hors d'un solide, à partir d'une ou en phase solide, p.ex. une couche d'oxyde dopée |
|
H01L 21/388
|
Diffusion des impuretés, p.ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, dans ou hors du corps semi-conducteur, ou entre les régions semi-conductrices en utilisant la diffusion dans ou hors d'un solide, à partir d'une ou en phase liquide, p.ex. procédés de diffusion d'alliage |
|
H01L 21/423
|
Bombardement par des radiations par des radiations d'énergie élevée |
|
H01L 21/425
|
Bombardement par des radiations par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions |
|
H01L 21/426
|
Bombardement par des radiations par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions en utilisant des masques |
|
H01L 21/428
|
Bombardement par des radiations par des radiations d'énergie élevée les radiations étant électromagnétiques, p.ex. des rayons laser |
|
H01L 21/441
|
Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes |
|
H01L 21/443
|
Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p.ex. condensation |
|
H01L 21/445
|
Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes à partir d'un liquide, p.ex. dépôt électrolytique |
|
H01L 21/447
|
Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes impliquant l'application d'une pression, p.ex. soudage par thermo-compression |
|
H01L 21/449
|
Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes impliquant l'application de vibrations mécaniques, p.ex. vibrations ultrasoniques |
|
H01L 21/461
|
Traitement de corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour changer les caractéristiques physiques ou la forme de leur surface, p.ex. gravure, polissage, découpage |
|
H01L 21/463
|
Traitement mécanique, p.ex. meulage, traitement par ultrasons |
|
H01L 21/465
|
Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique |
|
H01L 21/467
|
Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique en utilisant des masques |
|
H01L 21/469
|
Traitement de corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour changer les caractéristiques physiques ou la forme de leur surface, p.ex. gravure, polissage, découpage pour y former des couches isolantes, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches |
|
H01L 21/471
|
Couches inorganiques |
|
H01L 21/473
|
Couches inorganiques composées d'oxydes, ou d'oxydes vitreux, ou de verres à base d'oxyde |
|
H01L 21/475
|
Traitement de corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour changer les caractéristiques physiques ou la forme de leur surface, p.ex. gravure, polissage, découpage pour y former des couches isolantes, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches en utilisant des masques |
|
H01L 21/477
|
Traitement thermique pour modifier les propriétés des corps semi-conducteurs, p.ex. recuit, frittage |
|
H01L 21/479
|
Application de courants ou de champs électriques, p.ex. pour l'électroformage |
|
H01L 21/603
|
Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement impliquant l'application d'une pression, p.ex. soudage par thermo-compression |
|
H01L 21/607
|
Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement impliquant l'application de vibrations mécaniques, p.ex. vibrations ultrasonores |
|
H01L 21/673
|
Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants utilisant des supports spécialement adaptés |
|
H01L 21/677
|
Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le transport, p.ex. entre différents postes de travail |
|
H01L 21/683
|
Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension |
|
H01L 21/687
|
Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p.ex. mandrins, pièces de serrage, pinces |
|
H01L 21/761
|
Jonctions PN |
|
H01L 21/762
|
Régions diélectriques |
|
H01L 21/763
|
Régions polycristallines semi-conductrices |
|
H01L 21/764
|
Espaces d'air |
|
H01L 21/765
|
Réalisation de régions isolantes entre les composants par effet de champ |
|
H01L 21/768
|
Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif |
|
H01L 21/782
|
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs qui consistent chacun en un seul élément de circuit |
|
H01L 21/784
|
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs qui consistent chacun en un seul élément de circuit le substrat étant un corps semi-conducteur |
|
H01L 21/786
|
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs qui consistent chacun en un seul élément de circuit le substrat étant autre chose qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant |
|
H01L 21/822
|
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium |
|
H01L 21/3063
|
Gravure électrolytique |
|
H01L 21/3065
|
Gravure par plasma; Gravure au moyen d'ions réactifs |
|
H01L 21/3105
|
Post-traitement |
|
H01L 21/3115
|
Dopage des couches isolantes |
|
H01L 21/3205
|
Dépôt de couches non isolantes, p.ex. conductrices ou résistives, sur des couches isolantes; Post-traitement de ces couches |
|
H01L 21/3213
|
Gravure physique ou chimique des couches, p.ex. pour produire une couche avec une configuration donnée à partir d'une couche étendue déposée au préalable |
|
H01L 21/3215
|
Dopage des couches |
|
H01L 21/4757
|
Post-traitement |
|
H01L 21/4763
|
Dépôt de couches non isolantes, p.ex. conductrices, résistives sur des couches isolantes; Post-traitement de ces couches |
|
H01L 21/8222
|
Technologie bipolaire |
|
H01L 21/8224
|
Technologie bipolaire les dispositifs comprenant une combinaison de transistors verticaux et de transistors latéraux |
|
H01L 21/8226
|
Technologie bipolaire les dispositifs comprenant une logique à transistors fusionnés ou une logique à injection intégrée |
|
H01L 21/8228
|
Dispositifs complémentaires, p.ex. transistors complémentaires |
|
H01L 21/8229
|
Structures de mémoires |
|
H01L 21/8232
|
Technologie à effet de champ |
|
H01L 21/8234
|
Technologie MIS |
|
H01L 21/8236
|
Combinaison de transistors à enrichissement et de transistors à appauvrissement |
|
H01L 21/8238
|
Transistors à effet de champ complémentaires, p.ex. CMOS |
|
H01L 21/8239
|
Structures de mémoires |
|
H01L 21/8242
|
Structures de mémoires dynamiques à accès aléatoire (DRAM) |
|
H01L 21/8244
|
Structures de mémoires statiques à accès aléatoire (SRAM) |
|
H01L 21/8246
|
Structures de mémoires mortes (ROM) |
|
H01L 21/8247
|
Structures de mémoires mortes (ROM) programmables électriquement (EPROM) |
|
H01L 21/8248
|
Combinaison de technologie bipolaire et de technologie à effet de champ |
|
H01L 21/8249
|
Technologie bipolaire et MOS |
|
H01L 21/8252
|
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie III-V |
|
H01L 21/8254
|
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie II-VI |
|
H01L 21/8256
|
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant des technologies non couvertes par l'un des groupes , ou |
|
H01L 21/8258
|
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une combinaison de technologies couvertes par les groupes , , ou |
|
H01L 23/00
|
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide |
|
H01L 23/02
|
Conteneurs; Scellements |
|
H01L 23/04
|
Conteneurs; Scellements caractérisés par la forme |
|
H01L 23/06
|
Conteneurs; Scellements caractérisés par le matériau du conteneur ou par ses propriétés électriques |
|
H01L 23/08
|
Conteneurs; Scellements caractérisés par le matériau du conteneur ou par ses propriétés électriques le matériau étant un isolant électrique, p.ex. du verre |
|
H01L 23/10
|
Conteneurs; Scellements caractérisés par le matériau ou par la disposition des scellements entre les parties, p.ex. entre le couvercle et la base ou entre les connexions et les parois du conteneur |
|
H01L 23/12
|
Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles |
|
H01L 23/13
|
Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles caractérisés par leur forme |
|
H01L 23/14
|
Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles caractérisés par le matériau ou par ses propriétés électriques |
|
H01L 23/15
|
Substrats en céramique ou en verre |
|
H01L 23/16
|
Matériaux de remplissage ou pièces auxiliaires dans le conteneur, p.ex. anneaux de centrage |
|
H01L 23/18
|
Matériaux de remplissage caractérisés par le matériau ou par ses propriétes physiques ou chimiques, ou par sa disposition à l'intérieur du dispositif complet |
|
H01L 23/20
|
Matériaux de remplissage caractérisés par le matériau ou par ses propriétes physiques ou chimiques, ou par sa disposition à l'intérieur du dispositif complet gazeux à la température normale de fonctionnement du dispositif |
|
H01L 23/22
|
Matériaux de remplissage caractérisés par le matériau ou par ses propriétes physiques ou chimiques, ou par sa disposition à l'intérieur du dispositif complet liquide à la température normale de fonctionnement du dispositif |
|
H01L 23/24
|
Matériaux de remplissage caractérisés par le matériau ou par ses propriétes physiques ou chimiques, ou par sa disposition à l'intérieur du dispositif complet solide ou à l'état de gel, à la température normale de fonctionnement du dispositif |
|
H01L 23/26
|
Matériaux de remplissage caractérisés par le matériau ou par ses propriétes physiques ou chimiques, ou par sa disposition à l'intérieur du dispositif complet incluant des matériaux destinés à absorber ou à réagir avec l'humidité ou d'autres substances indésirables |
|
H01L 23/28
|
Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements |
|
H01L 23/29
|
Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par le matériau |
|
H01L 23/31
|
Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition |
|
H01L 23/32
|
Supports pour maintenir le dispositif complet pendant son fonctionnement, c. à d. éléments porteurs amovibles |
|
H01L 23/34
|
Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température |
|
H01L 23/36
|
Emploi de matériaux spécifiés ou mise en forme, en vue de faciliter le refroidissement ou le chauffage, p.ex. dissipateurs de chaleur |
|
H01L 23/38
|
Dispositifs de refroidissement utilisant l'effet Peltier |
|
H01L 23/40
|
Supports ou moyens de fixation pour les dispositifs de refroidissement ou de chauffage amovibles |
|
H01L 23/42
|
Choix ou disposition de matériaux de remplissage ou de pièces auxiliaires dans le conteneur pour faciliter le chauffage ou le refroidissement |
|
H01L 23/043
|
Conteneurs; Scellements caractérisés par la forme le conteneur étant une structure creuse ayant une base conductrice qui sert de support et en même temps de connexion électrique pour le corps semi-conducteur |
|
H01L 23/44
|
Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température le dispositif complet étant totalement immergé dans un fluide autre que l'air |
|
H01L 23/045
|
Conteneurs; Scellements caractérisés par la forme le conteneur étant une structure creuse ayant une base conductrice qui sert de support et en même temps de connexion électrique pour le corps semi-conducteur les autres connexions ayant un passage isolé à travers la base |
|
H01L 23/46
|
Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température impliquant le transfert de chaleur par des fluides en circulation |
|
H01L 23/047
|
Conteneurs; Scellements caractérisés par la forme le conteneur étant une structure creuse ayant une base conductrice qui sert de support et en même temps de connexion électrique pour le corps semi-conducteur les autres connexions étant parallèles à la base |
|
H01L 23/48
|
Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes |
|
H01L 23/049
|
Conteneurs; Scellements caractérisés par la forme le conteneur étant une structure creuse ayant une base conductrice qui sert de support et en même temps de connexion électrique pour le corps semi-conducteur les autres connexions étant perpendiculaires à la base |
|
H01L 23/50
|
Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes pour des dispositifs à circuit intégré |
|
H01L 23/051
|
Conteneurs; Scellements caractérisés par la forme le conteneur étant une structure creuse ayant une base conductrice qui sert de support et en même temps de connexion électrique pour le corps semi-conducteur une autre connexion étant constituée par le couvercle parallèle à la base, p.ex. du type "sandwich" |
|
H01L 23/52
|
Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre |
|
H01L 23/053
|
Conteneurs; Scellements caractérisés par la forme le conteneur étant une structure creuse ayant une base isolante qui sert de support pour le corps semi-conducteur |
|
H01L 23/055
|
Conteneurs; Scellements caractérisés par la forme le conteneur étant une structure creuse ayant une base isolante qui sert de support pour le corps semi-conducteur les connexions ayant un passage à travers la base |
|
H01L 23/057
|
Conteneurs; Scellements caractérisés par la forme le conteneur étant une structure creuse ayant une base isolante qui sert de support pour le corps semi-conducteur les connexions étant parallèles à la base |
|
H01L 23/58
|
Dispositions électriques structurelles non prévues ailleurs pour dispositifs semi-conducteurs |
|
H01L 23/60
|
Protection contre les charges ou les décharges électrostatiques, p.ex. écrans Faraday |
|
H01L 23/62
|
Protection contre l'excès de courant ou la surcharge, p.ex. fusibles, shunts |
|
H01L 23/64
|
Dispositions relatives à l'impédance |
|
H01L 23/66
|
Adaptations pour la haute fréquence |
|
H01L 23/367
|
Refroidissement facilité par la forme du dispositif |
|
H01L 23/373
|
Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif |
|
H01L 23/427
|
Refroidissement par changement d'état, p.ex. caloducs |
|
H01L 23/433
|
Pièces auxiliaires caractérisées par leur forme, p.ex. pistons |
|
H01L 23/467
|
Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température impliquant le transfert de chaleur par des fluides en circulation par une circulation de gaz, p.ex. d'air |
|
H01L 23/473
|
Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température impliquant le transfert de chaleur par des fluides en circulation par une circulation de liquides |
|
H01L 23/482
|
Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes formées de couches conductrices inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées |
|
H01L 23/485
|
Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes formées de couches conductrices inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées formées de structures en couches comprenant des couches conductrices et isolantes, p.ex. contacts planaires |
|
H01L 23/488
|
Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes formées de structures soudées |
|
H01L 23/492
|
Embases ou plaques |
|
H01L 23/495
|
Cadres conducteurs |
|
H01L 23/498
|
Connexions électriques sur des substrats isolants |
|
H01L 23/522
|
Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées |
|
H01L 23/525
|
Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées avec des interconnexions modifiables |
|
H01L 23/528
|
Configuration de la structure d'interconnexion |
|
H01L 23/532
|
Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées caractérisées par les matériaux |
|
H01L 23/535
|
Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions internes, p.ex. structures d'interconnexions enterrées |
|
H01L 23/538
|
Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants |
|
H01L 23/544
|
Marques appliquées sur le dispositif semi-conducteur, p.ex. marques de repérage, schémas de test |
|
H01L 23/552
|
Protection contre les radiations, p.ex. la lumière |
|
H01L 23/556
|
Protection contre les radiations, p.ex. la lumière contre les rayons alpha |
|
H01L 25/00
|
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide |
|
H01L 25/03
|
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses |
|
H01L 25/04
|
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés |
|
H01L 25/07
|
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe |
|
H01L 25/10
|
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs ayant des conteneurs séparés |
|
H01L 25/11
|
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs ayant des conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe |
|
H01L 25/13
|
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs ayant des conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe |
|
H01L 25/16
|
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des groupes principaux , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. circuit hybrides |
|
H01L 25/18
|
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de , |
|
H01L 25/065
|
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe |
|
H01L 25/075
|
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe |
|
H01L 27/00
|
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun |
|
H01L 27/01
|
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant uniquement des éléments à film mince ou à film épais formés sur un substrat isolant commun |
|
H01L 27/02
|
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface |
|
H01L 27/04
|
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur |
|
H01L 27/06
|
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive |
|
H01L 27/07
|
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive les composants ayant une région active en commun |
|
H01L 27/08
|
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type |
|
H01L 27/10
|
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive |
|
H01L 27/11
|
Structures de mémoires statiques à accès aléatoire |
|
H01L 27/12
|
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant |
|
H01L 27/13
|
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant combiné avec des composants passifs à film mince ou à film épais |
|
H01L 27/14
|
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit ra |
|
H01L 27/15
|
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière |
|
H01L 27/16
|
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants thermomagnétiques |
|
H01L 27/18
|
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants présentant un effet de supraconductivité |
|
H01L 27/20
|
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants magnétostrictifs |
|
H01L 27/22
|
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun utilisant des effets de champ magnétique analogues |
|
H01L 27/24
|
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants à l'état solide pour le redressement, l'amplification ou la commutation, sans barrière de potentiel ni barrière de surface |
|
H01L 27/26
|
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants à résistance négative à effet de volume |
|
H01L 27/28
|
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux |
|
H01L 27/30
|
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux avec des composants spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement |
|
H01L 27/32
|
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux avec des composants spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. panneaux d'affichage plats utilisant des diodes émettrices de lumière organiques |
|
H01L 27/082
|
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants bipolaires |
|
H01L 27/085
|
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ |
|
H01L 27/088
|
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée |
|
H01L 27/092
|
Transistors à effet de champ métal-isolant-semi-conducteur complémentaires |
|
H01L 27/095
|
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte à barrière Schottky |
|
H01L 27/098
|
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte à jonction PN |
|
H01L 27/102
|
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive comprenant des composants bipolaires |
|
H01L 27/105
|
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive comprenant des composants à effet de champ |
|
H01L 27/108
|
Structures de mémoires dynamiques à accès aléatoire |
|
H01L 27/112
|
Structures de mémoires mortes |
|
H01L 27/115
|
Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs |
|
H01L 27/118
|
Circuits intégrés à tranche maîtresse |
|
H01L 27/142
|
Dispositifs de conversion d'énergie |
|
H01L 27/144
|
Dispositifs commandés par rayonnement |
|
H01L 27/146
|
Structures de capteurs d'images |
|
H01L 27/148
|
Capteurs d'images à couplage de charge |
|
H01L 27/1156
|
Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec grilles flottantes la grille flottante étant une électrode partagée par plusieurs éléments |
|
H01L 27/1157
|
Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec isolateurs de grille à piégeage de charge, p.ex. MNOS ou NROM caractérisées par la région noyau de mémoire avec transistors de sélection de cellules, p.ex. NON-ET |
|
H01L 27/1158
|
Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec isolateurs de grille à piégeage de charge, p.ex. MNOS ou NROM caractérisées par des agencements tridimensionnels, p.ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p.ex. avec des canaux inclinés |
|
H01L 27/1159
|
Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs les électrodes de grille comprenant une couche utilisée pour ses propriétés de mémoire ferro-électrique, p.ex. semi-conducteur métal-ferro-électrique [MFS] ou semi-conducteur d’isolation métal-ferro-électrique-métal [MFMIS] caractérisées par la région noyau de mémoire |
|
H01L 27/11502
|
Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec condensateurs ferro-électriques de mémoire |
|
H01L 27/11504
|
Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec condensateurs ferro-électriques de mémoire caractérisées par la configuration vue du dessus |
|
H01L 27/11507
|
Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec condensateurs ferro-électriques de mémoire caractérisées par la région noyau de mémoire |
|
H01L 27/11509
|
Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec condensateurs ferro-électriques de mémoire caractérisées par la région de circuit périphérique |
|
H01L 27/11512
|
Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec condensateurs ferro-électriques de mémoire caractérisées par la région limite entre la région noyau et la région de circuit périphérique |
|
H01L 27/11514
|
Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec condensateurs ferro-électriques de mémoire caractérisées par les agencements tridimensionnels, p ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur |
|
H01L 27/11517
|
Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec grilles flottantes |
|
H01L 27/11519
|
Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec grilles flottantes caractérisées par la configuration vue du dessus |
|
H01L 27/11521
|
Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec grilles flottantes caractérisées par la région noyau de mémoire |
|
H01L 27/11524
|
Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec grilles flottantes caractérisées par la région noyau de mémoire avec transistors de sélection de cellules, p.ex. NON-ET |
|
H01L 27/11526
|
Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec grilles flottantes caractérisées par la région de circuit périphérique |
|
H01L 27/11529
|
Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec grilles flottantes caractérisées par la région de circuit périphérique de régions de mémoire comprenant des transistors de sélection de cellules, p.ex. NON-ET |
|
H01L 27/11531
|
Fabrication simultanée de périphérie et de cellules de mémoire |
|
H01L 27/11534
|
Fabrication simultanée de périphérie et de cellules de mémoire ne comprenant qu’un type de transistor de périphérie |
|
H01L 27/11536
|
Fabrication simultanée de périphérie et de cellules de mémoire ne comprenant qu’un type de transistor de périphérie avec une couche de grille de commande également utilisée en tant que partie du transistor périphérique |
|
H01L 27/11539
|
Fabrication simultanée de périphérie et de cellules de mémoire ne comprenant qu’un type de transistor de périphérie avec une couche de diélectrique inter-grille également utilisée en tant que partie du transistor périphérique |
|
H01L 27/11541
|
Fabrication simultanée de périphérie et de cellules de mémoire ne comprenant qu’un type de transistor de périphérie avec une couche de grille flottante également utilisée en tant que partie du transistor périphérique |
|
H01L 27/11543
|
Fabrication simultanée de périphérie et de cellules de mémoire ne comprenant qu’un type de transistor de périphérie avec une couche de diélectrique tunnel également utilisée en tant que partie du transistor périphérique |
|
H01L 27/11546
|
Fabrication simultanée de périphérie et de cellules de mémoire incluant différents types de transistors périphériques |
|
H01L 27/11548
|
Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec grilles flottantes caractérisées par la région limite entre la région noyau et la région de circuit périphérique |
|
H01L 27/11551
|
Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec grilles flottantes caractérisées par des agencements tridimensionnels, p.ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur |
|
H01L 27/11553
|
Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec grilles flottantes caractérisées par des agencements tridimensionnels, p.ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p.ex. avec des canaux inclinés |
|
H01L 27/11556
|
Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec grilles flottantes caractérisées par des agencements tridimensionnels, p.ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p.ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p.ex. des canaux en forme de U |
|
H01L 27/11558
|
Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec grilles flottantes la grille de commande étant une région dopée, p.ex. cellules de mémoire en couche unique de polysilicium |
|
H01L 27/11563
|
Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec isolateurs de grille à piégeage de charge, p.ex. MNOS ou NROM |
|
H01L 27/11565
|
Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec isolateurs de grille à piégeage de charge, p.ex. MNOS ou NROM caractérisées par la configuration vue du dessus |
|
H01L 27/11568
|
Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec isolateurs de grille à piégeage de charge, p.ex. MNOS ou NROM caractérisées par la région noyau de mémoire |
|
H01L 27/11573
|
Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec isolateurs de grille à piégeage de charge, p.ex. MNOS ou NROM caractérisées par la région de circuit périphérique |
|
H01L 27/11575
|
Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec isolateurs de grille à piégeage de charge, p.ex. MNOS ou NROM caractérisées par la région limite entre la région noyau et la région de circuit périphérique |
|
H01L 27/11578
|
Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec isolateurs de grille à piégeage de charge, p.ex. MNOS ou NROM caractérisées par des agencements tridimensionnels, p.ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur |
|
H01L 27/11582
|
Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec isolateurs de grille à piégeage de charge, p.ex. MNOS ou NROM caractérisées par des agencements tridimensionnels, p.ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p.ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p.ex. canaux en forme de U |
|
H01L 27/11585
|
Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs les électrodes de grille comprenant une couche utilisée pour ses propriétés de mémoire ferro-électrique, p.ex. semi-conducteur métal-ferro-électrique [MFS] ou semi-conducteur d’isolation métal-ferro-électrique-métal [MFMIS] |
|
H01L 27/11587
|
Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs les électrodes de grille comprenant une couche utilisée pour ses propriétés de mémoire ferro-électrique, p.ex. semi-conducteur métal-ferro-électrique [MFS] ou semi-conducteur d’isolation métal-ferro-électrique-métal [MFMIS] caractérisées par la configuration vue du dessus |
|
H01L 27/11592
|
Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs les électrodes de grille comprenant une couche utilisée pour ses propriétés de mémoire ferro-électrique, p.ex. semi-conducteur métal-ferro-électrique [MFS] ou semi-conducteur d’isolation métal-ferro-électrique-métal [MFMIS] caractérisées par la région de circuit périphérique |
|
H01L 27/11595
|
Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs les électrodes de grille comprenant une couche utilisée pour ses propriétés de mémoire ferro-électrique, p.ex. semi-conducteur métal-ferro-électrique [MFS] ou semi-conducteur d’isolation métal-ferro-électrique-métal [MFMIS] caractérisées par la région limite entre la région noyau et la région de circuit périphérique |
|
H01L 27/11597
|
Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs les électrodes de grille comprenant une couche utilisée pour ses propriétés de mémoire ferro-électrique, p.ex. semi-conducteur métal-ferro-électrique [MFS] ou semi-conducteur d’isolation métal-ferro-électrique-métal [MFMIS] caractérisées par des agencements tridimensionnels, p.ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur |
|
H01L 29/00
|
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes |
|
H01L 29/02
|
Corps semi-conducteurs |
|
H01L 29/04
|
Corps semi-conducteurs caractérisés par leur structure cristalline, p.ex. polycristalline, cubique ou à orientation particulière des plans cristallins |
|
H01L 29/06
|
Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices |
|
H01L 29/08
|
Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus |
|
H01L 29/10
|
Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus |
|
H01L 29/12
|
Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués |
|
H01L 29/15
|
Structures avec une variation de potentiel périodique ou quasi périodique, p.ex. puits quantiques multiples, superréseaux |
|
H01L 29/16
|
Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée |
|
H01L 29/18
|
Sélénium ou tellure uniquement, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés |
|
H01L 29/20
|
Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV |
|
H01L 29/22
|
Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIBVI |
|
H01L 29/24
|
Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des matériaux semi-conducteurs inorganiques non couverts par les groupes , , ou |
|
H01L 29/26
|
Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, des éléments couverts par plusieurs des groupes , , , , |
|
H01L 29/30
|
Corps semi-conducteurs ayant des surfaces polies ou rugueuses |
|
H01L 29/32
|
Corps semi-conducteurs ayant des surfaces polies ou rugueuses les défectuosités étant à l'intérieur du corps semi-conducteur |
|
H01L 29/34
|
Corps semi-conducteurs ayant des surfaces polies ou rugueuses les défectuosités étant sur la surface |
|
H01L 29/36
|
Corps semi-conducteurs caractérisés par la concentration ou la distribution des impuretés |
|
H01L 29/38
|
Corps semi-conducteurs caractérisés par les combinaisons de caractéristiques couvertes par plusieurs des groupes , , , , |
|
H01L 29/40
|
Electrodes |
|
H01L 29/41
|
Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative |
|
H01L 29/43
|
Electrodes caractérisées par les matériaux dont elles sont constituées |
|
H01L 29/45
|
Electrodes à contact ohmique |
|
H01L 29/47
|
Electrodes à barrière de Schottky |
|
H01L 29/49
|
Electrodes du type métal-isolant-semi-conducteur |
|
H01L 29/51
|
Matériaux isolants associés à ces électrodes |
|
H01L 29/66
|
Types de dispositifs semi-conducteurs |
|
H01L 29/68
|
Types de dispositifs semi-conducteurs commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter |
|
H01L 29/70
|
Dispositifs bipolaires |
|
H01L 29/72
|
Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués |
|
H01L 29/73
|
Transistors bipolaires à jonction |
|
H01L 29/74
|
Dispositifs du type thyristor, p.ex. avec un fonctionnement par régénération à quatre zones |
|
H01L 29/76
|
Dispositifs unipolaires |
|
H01L 29/78
|
Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée |
|
H01L 29/80
|
Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une jonction PN ou une autre jonction redresseuse |
|
H01L 29/82
|
Types de dispositifs semi-conducteurs commandés par la variation du champ magnétique appliqué au dispositif |
|
H01L 29/84
|
Types de dispositifs semi-conducteurs commandés par la variation d'une force mécanique appliquée, p.ex. d'une pression |
|
H01L 29/86
|
Types de dispositifs semi-conducteurs commandés uniquement par la variation du courant électrique fourni, ou uniquement par la tension électrique appliquée, à l'une ou plusieurs des électrodes transportant le courant à redresser, amplifier, faire osciller, ou commuter |
|
H01L 29/87
|
Diodes thyristor, p.ex. diodes Shockley, diodes à retournement |
|
H01L 29/88
|
Diodes à effet tunnel |
|
H01L 29/92
|
Condensateurs avec barrière de potentiel ou barrière de surface |
|
H01L 29/93
|
Diodes à capacité variable, p.ex. varactors |
|
H01L 29/94
|
Dispositifs à métal-isolant-semi-conducteur, p.ex. MOS |
|
H01L 29/96
|
Types de dispositifs semi-conducteurs d'un type couvert par plus d'un des groupes , , ou |
|
H01L 29/161
|
Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée comprenant plusieurs des éléments prévus en |
|
H01L 29/165
|
Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée comprenant plusieurs des éléments prévus en dans différentes régions semi-conductrices |
|
H01L 29/167
|
Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée caractérisés en outre par le matériau de dopage |
|
H01L 29/201
|
Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV comprenant plusieurs composés |
|
H01L 29/205
|
Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV comprenant plusieurs composés dans différentes régions semi-conductrices |
|
H01L 29/207
|
Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV caractérisés en outre par le matériau de dopage |
|
H01L 29/221
|
Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIBVI comprenant plusieurs composés |
|
H01L 29/225
|
Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIBVI comprenant plusieurs composés dans différentes régions semi-conductrices |
|
H01L 29/227
|
Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIBVI caractérisés en outre par le matériau de dopage |
|
H01L 29/267
|
Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, des éléments couverts par plusieurs des groupes , , , , dans différentes régions semi-conductrices |
|
H01L 29/417
|
Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter |
|
H01L 29/423
|
Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter |
|
H01L 29/732
|
Transistors verticaux |
|
H01L 29/735
|
Transistors latéraux |
|
H01L 29/737
|
Transistors à hétérojonction |
|
H01L 29/739
|
Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ |
|
H01L 29/744
|
Dispositifs désamorçables par la gâchette |
|
H01L 29/745
|
Dispositifs désamorçables par la gâchette désamorcés par effet de champ |
|
H01L 29/747
|
Dispositifs bidirectionnels, p.ex. triacs |
|
H01L 29/749
|
Dispositifs du type thyristor, p.ex. avec un fonctionnement par régénération à quatre zones amorcés par effet de champ |
|
H01L 29/762
|
Dispositifs à transfert de charge |
|
H01L 29/765
|
Dispositifs à couplage de charge |
|
H01L 29/768
|
Dispositifs à couplage de charge l'effet de champ étant produit par une porte isolée |
|
H01L 29/772
|
Transistors à effet de champ |
|
H01L 29/775
|
Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à une dimension, p.ex. FET à fil quantique |
|
H01L 29/778
|
Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT |
|
H01L 29/786
|
Transistors à couche mince |
|
H01L 29/788
|
Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée à grille flottante |
|
H01L 29/792
|
Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée à isolant de grille à emmagasinage de charges, p.ex. transistor de mémoire MNOS |
|
H01L 29/808
|
Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une jonction PN ou une autre jonction redresseuse à jonction PN |
|
H01L 29/812
|
Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une jonction PN ou une autre jonction redresseuse à grille Schottky |
|
H01L 29/861
|
Diodes |
|
H01L 29/862
|
Diodes à contact à pointe |
|
H01L 29/864
|
Diodes à temps de transit, p.ex. diodes IMPATT, TRAPATT |
|
H01L 29/866
|
Diodes Zener |
|
H01L 29/868
|
Diodes PIN |
|
H01L 29/872
|
Diodes Schottky |
|
H01L 29/885
|
Diodes Esaki |
|
H01L 29/8605
|
Résistances à jonction PN |
|
H01L 31/00
|
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails |
|
H01L 31/02
|
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails - Détails |
|
H01L 31/04
|
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] |
|
H01L 31/05
|
Moyens d’interconnexion électrique entre les cellules PV à l’intérieur du module PV, p.ex. connexion en série de cellules PV |
|
H01L 31/06
|
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface |
|
H01L 31/07
|
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type Schottky |
|
H01L 31/08
|
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances |
|
H01L 31/09
|
Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet |
|
H01L 31/10
|
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. photo-transistors |
|
H01L 31/11
|
Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet caractérisés par deux barrières de potentiel ou de surface, p.ex. phototransistor bipolaire |
|
H01L 31/12
|
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails structurellement associés, p.ex. formés dans ou sur un substrat commun, avec une ou plusieurs sources lumineuses électriques, p.ex. avec des sources lumineuses électroluminescentes, et en outre électriquement ou optiquement couplés avec lesdites sour |
|
H01L 31/14
|
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails structurellement associés, p.ex. formés dans ou sur un substrat commun, avec une ou plusieurs sources lumineuses électriques, p.ex. avec des sources lumineuses électroluminescentes, et en outre électriquement ou optiquement couplés avec lesdites sour la ou les sources lumineuses étant commandées par le dispositif à semi-conducteur sensible au rayonnement, p.ex. convertisseurs d'images, amplificateurs d'images ou dispositifs de stockage d'image |
|
H01L 31/16
|
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails structurellement associés, p.ex. formés dans ou sur un substrat commun, avec une ou plusieurs sources lumineuses électriques, p.ex. avec des sources lumineuses électroluminescentes, et en outre électriquement ou optiquement couplés avec lesdites sour le dispositif à semi-conducteur sensible au rayonnement étant commandé par la ou les sources lumineuses |
|
H01L 31/18
|
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives |
|
H01L 31/20
|
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives - les dispositifs ou leurs parties constitutives comprenant un matériau semi-conducteur amorphe |
|
H01L 31/024
|
Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de température |
|
H01L 31/028
|
Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des éléments du groupe IV de la classification périodique |
|
H01L 31/032
|
Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés non couverts par les groupes |
|
H01L 31/036
|
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur structure cristalline ou par l'orientation particulière des plans cristallins |
|
H01L 31/041
|
Dispositions pour prévenir les dommages causés par des radiations corpusculaires, p.ex. pour les applications spatiales |
|
H01L 31/042
|
Modules PV ou matrices de cellules PV individuelles |
|
H01L 31/043
|
Cellules photovoltaïques empilées mécaniquement |
|
H01L 31/044
|
Modules PV ou matrices de cellules PV individuelles comprenant des diodes de dérivation |
|
H01L 31/045
|
escamotables ou pliables |
|
H01L 31/046
|
Modules PV composés d'une pluralité de cellules solaires en couches minces déposées sur un même substrat |
|
H01L 31/047
|
Matrices de cellules PV incluant des cellules PV comportant plusieurs jonctions verticales ou plusieurs jonctions en forme de tranchées en V formées dans un substrat semi-conducteur |
|
H01L 31/048
|
Encapsulation de modules |
|
H01L 31/049
|
Faces arrières protectrices |
|
H01L 31/052
|
Moyens de refroidissement directement associés ou intégrés à la cellule PV, p.ex. éléments Peltier intégrés pour refroidissement actif ou puits thermiques directement associés aux cellules PV |
|
H01L 31/053
|
Moyens de stockage d’énergie directement associés ou intégrés à la cellule PV, p.ex. condensateur intégré avec une cellule PV |
|
H01L 31/054
|
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] Éléments optiques directement associés ou intégrés à la cellule PV, p.ex. moyens réflecteurs ou concentrateurs de lumière |
|
H01L 31/055
|
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] Éléments optiques directement associés ou intégrés à la cellule PV, p.ex. moyens réflecteurs ou concentrateurs de lumière où la lumière est absorbée et réémise avec une longueur d’onde différente par l’élément optique directement associé ou intégré à la cellule PV, p.ex. en utilisant un matériau luminescent, des concentrateurs fluorescents ou des dispositions de convers |
|
H01L 31/056
|
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] Éléments optiques directement associés ou intégrés à la cellule PV, p.ex. moyens réflecteurs ou concentrateurs de lumière les moyens réflecteurs de lumière étant du type réflecteur en face arrière |
|
H01L 31/058
|
comprenant des moyens pour utiliser l'énergie thermique, p.ex. systèmes hybrides, ou une source additionnelle d'énergie électrique |
|
H01L 31/061
|
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type à points de contact |
|
H01L 31/062
|
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type métal-isolant-semi-conducteur |
|
H01L 31/065
|
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type à bande interdite graduelle |
|
H01L 31/068
|
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type homojonction PN, p.ex. cellules solaires à homojonction PN en silicium massif ou cellules solaires à homojonction PN en couches minces de silicium polycristallin |
|
H01L 31/072
|
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction |
|
H01L 31/073
|
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction comprenant uniquement des composés semiconducteurs AIIBVI, p.ex. cellules solaires en CdS/CdTe |
|
H01L 31/074
|
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction comprenant une hétérojonction avec un élément du groupe IV de la classification périodique, p.ex. cellules solaires en ITO/Si, GaAs/Si ou CdTe/Si |
|
H01L 31/075
|
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type PIN, p.ex. cellules solaires PIN en silicium amorphe |
|
H01L 31/076
|
Cellules solaires à jonctions multiples ou dites "tandem" |
|
H01L 31/077
|
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type PIN, p.ex. cellules solaires PIN en silicium amorphe les dispositifs comprenant des matériaux monocristallins ou polycristallins |
|
H01L 31/078
|
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface comprenant des barrières de potentiel de type différent couvertes par plusieurs des groupes |
|
H01L 31/101
|
Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet |
|
H01L 31/102
|
Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface |
|
H01L 31/103
|
Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface la barrière de potentiel étant du type PN à homojonction |
|
H01L 31/105
|
Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface la barrière de potentiel étant du type PIN |
|
H01L 31/107
|
Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface la barrière de potentiel fonctionnant en régime d'avalanche, p.ex. photodiode à avalanche |
|
H01L 31/108
|
Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface la barrière de potentiel étant du type Schottky |
|
H01L 31/109
|
Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface la barrière de potentiel étant du type PN à hétérojonction |
|
H01L 31/111
|
Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet caractérisés par au moins trois barrières de potentiel, p.ex. photothyristor |
|
H01L 31/112
|
Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet caractérisés par un fonctionnement par effet de champ, p.ex. phototransistor à effet de champ à jonction |
|
H01L 31/113
|
Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet caractérisés par un fonctionnement par effet de champ, p.ex. phototransistor à effet de champ à jonction du type conducteur-isolant-semi-conducteur, p.ex. transistor à effet de champ métal-isolant-semi-conducteur |
|
H01L 31/115
|
Dispositifs sensibles au rayonnement d'ondes très courtes, p.ex. rayons X, rayons gamma ou rayonnement corpusculaire |
|
H01L 31/117
|
Dispositifs sensibles au rayonnement d'ondes très courtes, p.ex. rayons X, rayons gamma ou rayonnement corpusculaire du type détecteurs de rayonnement à effet de volume, p.ex. détecteurs PIN en Ge compensés au Li pour rayons gamma |
|
H01L 31/118
|
Dispositifs sensibles au rayonnement d'ondes très courtes, p.ex. rayons X, rayons gamma ou rayonnement corpusculaire du type détecteurs à barrière de surface ou à jonction PN superficielle, p.ex. détecteurs de particules alpha à barrière de surface |
|
H01L 31/119
|
Dispositifs sensibles au rayonnement d'ondes très courtes, p.ex. rayons X, rayons gamma ou rayonnement corpusculaire caractérisés par un fonctionnement par effet de champ, p.ex. détecteurs du type MIS |
|
H01L 31/147
|
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails structurellement associés, p.ex. formés dans ou sur un substrat commun, avec une ou plusieurs sources lumineuses électriques, p.ex. avec des sources lumineuses électroluminescentes, et en outre électriquement ou optiquement couplés avec lesdites sour la ou les sources lumineuses étant commandées par le dispositif à semi-conducteur sensible au rayonnement, p.ex. convertisseurs d'images, amplificateurs d'images ou dispositifs de stockage d'image les sources lumineuses et les dispositifs sensibles au rayonnement étant tous des dispositifs semi-conducteurs caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou de surface |
|
H01L 31/153
|
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails structurellement associés, p.ex. formés dans ou sur un substrat commun, avec une ou plusieurs sources lumineuses électriques, p.ex. avec des sources lumineuses électroluminescentes, et en outre électriquement ou optiquement couplés avec lesdites sour la ou les sources lumineuses étant commandées par le dispositif à semi-conducteur sensible au rayonnement, p.ex. convertisseurs d'images, amplificateurs d'images ou dispositifs de stockage d'image les sources lumineuses et les dispositifs sensibles au rayonnement étant tous des dispositifs semi-conducteurs caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou de surface formés dans, ou sur un substrat commun |
|
H01L 31/167
|
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails structurellement associés, p.ex. formés dans ou sur un substrat commun, avec une ou plusieurs sources lumineuses électriques, p.ex. avec des sources lumineuses électroluminescentes, et en outre électriquement ou optiquement couplés avec lesdites sour le dispositif à semi-conducteur sensible au rayonnement étant commandé par la ou les sources lumineuses les sources lumineuses et les dispositifs sensibles au rayonnement étant tous des dispositifs semi-conducteurs caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou de surface |
|
H01L 31/173
|
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails structurellement associés, p.ex. formés dans ou sur un substrat commun, avec une ou plusieurs sources lumineuses électriques, p.ex. avec des sources lumineuses électroluminescentes, et en outre électriquement ou optiquement couplés avec lesdites sour le dispositif à semi-conducteur sensible au rayonnement étant commandé par la ou les sources lumineuses les sources lumineuses et les dispositifs sensibles au rayonnement étant tous des dispositifs semi-conducteurs caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou de surface formés dans, ou sur un substrat commun |
|
H01L 31/0203
|
Conteneurs; Encapsulations |
|
H01L 31/0216
|
Revêtements |
|
H01L 31/0224
|
Electrodes |
|
H01L 31/0232
|
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails - Détails Éléments ou dispositions optiques associés au dispositif |
|
H01L 31/0236
|
Textures de surface particulières |
|
H01L 31/0248
|
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs |
|
H01L 31/0256
|
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux |
|
H01L 31/0264
|
Matériaux inorganiques |
|
H01L 31/0272
|
Sélénium ou tellure |
|
H01L 31/0288
|
Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des éléments du groupe IV de la classification périodique caractérisés par le matériau de dopage |
|
H01L 31/0296
|
Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIBVI, p.ex. CdS, ZnS, HgCdTe |
|
H01L 31/0304
|
Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV |
|
H01L 31/0312
|
Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIVBIV, p.ex. SiC |
|
H01L 31/0328
|
Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, des matériaux semi-conducteurs couverts par plusieurs des groupes |
|
H01L 31/0336
|
Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, des matériaux semi-conducteurs couverts par plusieurs des groupes dans des régions semi-conductrices différentes, p.ex. des hétéro-jonctions Cu2X/CdX, X étant un élément du groupe VI de la classification périodique |
|
H01L 31/0352
|
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur forme ou par les formes, les dimensions relatives ou la disposition des régions semi-conductrices |
|
H01L 31/0368
|
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur structure cristalline ou par l'orientation particulière des plans cristallins comprenant des semi-conducteurs polycristallins |
|
H01L 31/0376
|
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur structure cristalline ou par l'orientation particulière des plans cristallins comprenant des semi-conducteurs amorphes |
|
H01L 31/0384
|
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur structure cristalline ou par l'orientation particulière des plans cristallins comprenant d'autres matériaux non cristallins, p.ex. des particules semi-conductrices incorporées dans un matériau isolant |
|
H01L 31/0392
|
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur structure cristalline ou par l'orientation particulière des plans cristallins comprenant des films minces déposés sur des substrats métalliques ou isolants |
|
H01L 31/0443
|
Modules PV ou matrices de cellules PV individuelles comprenant des diodes de dérivation comportant des diodes de dérivation intégrées ou directement associées aux dispositifs, p.ex. diodes de dérivation intégrées ou formées dans ou sur le même substrat que les cellules PV |
|
H01L 31/0445
|
Modules PV ou matrices de cellules PV individuelles comportant des cellules solaires en couches minces, p.ex. cellules solaires en a-Si, CIS ou CdTe |
|
H01L 31/0463
|
Modules PV composés d'une pluralité de cellules solaires en couches minces déposées sur un même substrat caractérisés par des méthodes spéciales de structuration pour connecter les cellules PV dans un module, p.ex. gravure par laser des couches conductrices ou des couches actives |
|
H01L 31/0465
|
Modules PV composés d'une pluralité de cellules solaires en couches minces déposées sur un même substrat comportant des structures particulières pour la connexion électrique de cellules PV adjacentes dans un module |
|
H01L 31/0468
|
Modules PV composés d'une pluralité de cellules solaires en couches minces déposées sur un même substrat comportant des moyens spécifiques pour obtenir une transmission partielle de la lumière à travers le module, p.ex. modules solaires en couches minces partiellement transparentes pour fenêtres |
|
H01L 31/0475
|
Matrices de cellules PV formées par des cellules à configuration planaire, p.ex. répétitives, sur un substrat semi-conducteur unique; Micro-matrices de cellules PV |
|
H01L 31/0525
|
Moyens de refroidissement directement associés ou intégrés à la cellule PV, p.ex. éléments Peltier intégrés pour refroidissement actif ou puits thermiques directement associés aux cellules PV comprenant des moyens d’utilisation de l’énergie thermique directement associés à la cellule PV, p.ex. éléments Seebeck intégrés |
|
H01L 31/0687
|
Cellules solaires à jonctions multiples ou dites "tandem" |
|
H01L 31/0693
|
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type homojonction PN, p.ex. cellules solaires à homojonction PN en silicium massif ou cellules solaires à homojonction PN en couches minces de silicium polycristallin le dispositif incluant, hormis les éléments dopants ou autres impuretés, uniquement des composés semiconducteurs AIIIBV, p.ex. cellules solaires en GaAs ou en InP |
|
H01L 31/0725
|
Cellules solaires à jonctions multiples ou dites "tandem" |
|
H01L 31/0735
|
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction comprenant uniquement des composés semiconducteurs AIIIBV, p.ex. cellules solaires en GaAs/AlGaAs ou InP/GaInAs |
|
H01L 31/0745
|
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction comprenant uniquement une hétérojonction AIVBIV, p.ex. cellules solaires Si/Ge, SiGe/Si ou Si/SiC |
|
H01L 31/0747
|
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction comprenant uniquement une hétérojonction AIVBIV, p.ex. cellules solaires Si/Ge, SiGe/Si ou Si/SiC comprenant une hétérojonction avec des matériaux cristallins et amorphes, p.ex. cellules solaires avec une couche mince intrinsèque ou HIT®
|
|
H01L 31/0749
|
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction incluant un composé AIBIIICVI, p.ex. cellules solaires à hétérojonctions CdS/CuInSe2 [CIS] |
|
H01L 33/00
|
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails |
|
H01L 33/02
|
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs |
|
H01L 33/04
|
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel |
|
H01L 33/06
|
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel |
|
H01L 33/08
|
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une pluralité de régions électroluminescentes, p.ex. couche électroluminescente discontinue latéralement ou région photoluminescente intégrée au sein du corps semi-conducteur |
|
H01L 33/10
|
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure réfléchissante, p.ex. réflecteur de Bragg en semi-conducteur |
|
H01L 33/12
|
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure de relaxation des contraintes, p.ex. couche tampon |
|
H01L 33/14
|
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure contrôlant le transport des charges, p.ex. couche semi-conductrice fortement dopée ou structure bloquant le courant |
|
H01L 33/16
|
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure cristalline ou une orientation particulière, p.ex. polycristalline, amorphe ou poreuse |
|
H01L 33/18
|
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure cristalline ou une orientation particulière, p.ex. polycristalline, amorphe ou poreuse au sein de la région électroluminescente |
|
H01L 33/20
|
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué |
|
H01L 33/22
|
Surfaces irrégulières ou rugueuses, p.ex. à l'interface entre les couches épitaxiales |
|
H01L 33/24
|
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué de la région électroluminescente, p.ex. jonction du type non planaire |
|
H01L 33/26
|
Matériaux de la région électroluminescente |
|
H01L 33/28
|
Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe II et du groupe VI de la classification périodique |
|
H01L 33/30
|
Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique |
|
H01L 33/32
|
Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote |
|
H01L 33/34
|
Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe IV de la classification périodique |
|
H01L 33/36
|
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes |
|
H01L 33/38
|
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes ayant une forme particulière |
|
H01L 33/40
|
Matériaux |
|
H01L 33/42
|
Matériaux transparents |
|
H01L 33/44
|
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet |
|
H01L 33/46
|
Revêtement réfléchissant, p.ex. réflecteur de Bragg en diélectriques |
|
H01L 33/48
|
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs |
|
H01L 33/50
|
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde |
|
H01L 33/52
|
Encapsulations |
|
H01L 33/54
|
Encapsulations ayant une forme particulière |
|
H01L 33/56
|
Matériaux, p.ex. résine époxy ou silicone |
|
H01L 33/58
|
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique |
|
H01L 33/60
|
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants |
|
H01L 33/62
|
Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure |
|
H01L 33/64
|
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments d'extraction de la chaleur ou de refroidissement |
|
H01L 35/00
|
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS - Détails |
|
H01L 35/02
|
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS - Détails - Détails |
|
H01L 35/04
|
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS - Détails - Détails - Détails structurels de la jonction; Connexions des fils |
|
H01L 35/06
|
Jonctions amovibles, p.ex. utilisant un ressort |
|
H01L 35/08
|
Jonctions non amovibles, p.ex. obtenues par cémentation, frittage, soudage |
|
H01L 35/10
|
Connexions des fils |
|
H01L 35/12
|
Emploi d'un matériau spécifié pour les bras de la jonction |
|
H01L 35/14
|
Emploi d'un matériau spécifié pour les bras de la jonction utilisant des compositions inorganiques |
|
H01L 35/16
|
Emploi d'un matériau spécifié pour les bras de la jonction utilisant des compositions inorganiques comprenant du tellure, du sélénium, ou du soufre |
|
H01L 35/18
|
Emploi d'un matériau spécifié pour les bras de la jonction utilisant des compositions inorganiques comprenant de l'arsenic, de l'antimoine, ou du bismuth |
|
H01L 35/20
|
Emploi d'un matériau spécifié pour les bras de la jonction utilisant des compositions inorganiques comprenant des métaux uniquement |
|
H01L 35/22
|
Emploi d'un matériau spécifié pour les bras de la jonction utilisant des compositions inorganiques comprenant des composés contenant du bore, du carbone, de l'oxygène ou de l'azote |
|
H01L 35/24
|
Emploi d'un matériau spécifié pour les bras de la jonction utilisant des compositions organiques |
|
H01L 35/26
|
Emploi d'un matériau spécifié pour les bras de la jonction utilisant des compositions changeant de façon continue ou discontinue à l'intérieur du matériau |
|
H01L 35/28
|
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS - Détails fonctionnant exclusivement par effet Peltier ou effet Seebeck |
|
H01L 35/30
|
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS - Détails fonctionnant exclusivement par effet Peltier ou effet Seebeck caractérisés par les moyens d'échange de chaleur à la jonction |
|
H01L 35/32
|
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS - Détails fonctionnant exclusivement par effet Peltier ou effet Seebeck caractérisés par la structure ou la configuration de la cellule ou du thermocouple constituant le dispositif |
|
H01L 35/34
|
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives |
|
H01L 37/00
|
Dispositifs thermoélectriques sans jonction de matériaux différents; Dispositifs thermomagnétiques, p.ex. utilisant l'effet Nernst-Ettinghausen; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives |
|
H01L 37/02
|
Dispositifs thermoélectriques sans jonction de matériaux différents; Dispositifs thermomagnétiques, p.ex. utilisant l'effet Nernst-Ettinghausen; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives utilisant le changement thermique de la constante diélectrique, p.ex. en opérant au-dessus et en-dessous du point de Curie |
|
H01L 37/04
|
Dispositifs thermoélectriques sans jonction de matériaux différents; Dispositifs thermomagnétiques, p.ex. utilisant l'effet Nernst-Ettinghausen; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives utilisant le changement thermique de la perméabilité magnétique, p.ex. en opérant au-dessus et en-dessous du point de Curie |
|
H01L 39/00
|
Dispositifs utilisant la supraconductivité ou l'hyperconductivité; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives |
|
H01L 39/02
|
Dispositifs utilisant la supraconductivité ou l'hyperconductivité; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives - Détails |
|
H01L 39/04
|
Conteneurs; Supports |
|
H01L 39/06
|
Dispositifs utilisant la supraconductivité ou l'hyperconductivité; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives - Détails caractérisés par le parcours du courant |
|
H01L 39/08
|
Dispositifs utilisant la supraconductivité ou l'hyperconductivité; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives - Détails caractérisés par la forme de l'élément |
|
H01L 39/10
|
Dispositifs utilisant la supraconductivité ou l'hyperconductivité; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives - Détails caractérisés par les moyens de commutation |
|
H01L 39/12
|
Dispositifs utilisant la supraconductivité ou l'hyperconductivité; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives - Détails caractérisés par le matériau |
|
H01L 39/14
|
Dispositifs à supraconductivité permanente |
|
H01L 39/16
|
Dispositifs commutables entre les états normal et supraconducteur |
|
H01L 39/18
|
Cryotrons |
|
H01L 39/20
|
Cryotrons de puissance |
|
H01L 39/22
|
Dispositifs comportant une jonction de matériaux différents, p.ex. dispositifs à effet Josephson |
|
H01L 39/24
|
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement des dispositifs couverts par ou de leurs parties constitutives |
|
H01L 41/00
|
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS - Détails |
|
H01L 41/02
|
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS - Détails - Détails |
|
H01L 41/04
|
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS - Détails - Détails d'éléments piézo-électriques ou électrostrictifs |
|
H01L 41/06
|
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS - Détails - Détails d'éléments magnétostrictifs |
|
H01L 41/08
|
Eléments piézo-électriques ou électrostrictifs |
|
H01L 41/09
|
Eléments piézo-électriques ou électrostrictifs à entrée électrique et sortie mécanique |
|
H01L 41/12
|
Eléments magnétostrictifs |
|
H01L 41/16
|
Emploi de matériaux spécifiés |
|
H01L 41/18
|
Emploi de matériaux spécifiés pour des éléments piézo-électriques ou électrostrictifs |
|
H01L 41/20
|
Emploi de matériaux spécifiés pour des éléments magnétostrictifs |
|
H01L 41/22
|
Procédés ou appareils spécialement adaptés à l'assemblage, la fabrication ou au traitement de dispositifs piézo-électriques ou électrostrictifs, ou de leurs parties constitutives |
|
H01L 41/23
|
Formation d'enceintes ou d'enveloppes |
|
H01L 41/24
|
d'éléments à composition céramique |
|
H01L 41/25
|
Assemblage de dispositifs incluant des parties piézo-électriques ou électrostrictives |
|
H01L 41/26
|
d'éléments à composition macromoléculaire |
|
H01L 41/27
|
Fabrication de dispositifs piézo-électriques ou électrostrictifs multicouches ou de leurs parties constitutives, p.ex. en empilant des corps piézo-électriques et des électrodes |
|
H01L 41/29
|
Formation d’électrodes, de connexions électriques ou de dispositions de bornes |
|
H01L 41/31
|
Application de parties ou de corps piézo-électriques ou électrostrictifs sur un élément électrique ou sur un autre support |
|
H01L 41/33
|
Mise en forme ou usinage de corps piézo-électriques ou électrostrictifs |
|
H01L 41/35
|
Formation de matériaux piézo-électriques ou électrostrictifs |
|
H01L 41/37
|
Matériaux composites |
|
H01L 41/39
|
Matériaux inorganiques |
|
H01L 41/41
|
Matériaux inorganiques par fusion |
|
H01L 41/43
|
Matériaux inorganiques par frittage |
|
H01L 41/45
|
Matériaux organiques |
|
H01L 41/047
|
Electrodes |
|
H01L 41/053
|
Montures, supports, enveloppes ou boîtiers |
|
H01L 41/083
|
Eléments piézo-électriques ou électrostrictifs avec une structure empilée ou multicouche |
|
H01L 41/087
|
Eléments piézo-électriques ou électrostrictifs réalisés sous forme de câbles coaxiaux |
|
H01L 41/107
|
Eléments piézo-électriques ou électrostrictifs à entrée électrique et sortie électrique |
|
H01L 41/113
|
Eléments piézo-électriques ou électrostrictifs à entrée mécanique et sortie électrique |
|
H01L 41/187
|
Compositions céramiques |
|
H01L 41/193
|
Compositions macromoléculaires |
|
H01L 41/253
|
Traitement de dispositifs ou de leurs parties constitutives afin de modifier une propriété piézo-électrique ou électrostrictive, p.ex. les caractéristiques de polarisation, de vibration ou par réglage du mode |
|
H01L 41/257
|
Traitement de dispositifs ou de leurs parties constitutives afin de modifier une propriété piézo-électrique ou électrostrictive, p.ex. les caractéristiques de polarisation, de vibration ou par réglage du mode par polarisation |
|
H01L 41/273
|
Fabrication de dispositifs piézo-électriques ou électrostrictifs multicouches ou de leurs parties constitutives, p.ex. en empilant des corps piézo-électriques et des électrodes par frittage intégral de corps piézo-électriques ou électrostrictifs et d’électrodes |
|
H01L 41/277
|
Fabrication de dispositifs piézo-électriques ou électrostrictifs multicouches ou de leurs parties constitutives, p.ex. en empilant des corps piézo-électriques et des électrodes par empilement de corps massifs piézo-électriques ou électrostrictifs et d’électrodes |
|
H01L 41/293
|
Formation d’électrodes, de connexions électriques ou de dispositions de bornes Électrodes de connexion de parties piézo-électriques ou électrostrictives multicouches |
|
H01L 41/297
|
Formation d’électrodes, de connexions électriques ou de dispositions de bornes Électrodes à couche individuelle de parties piézo-électriques ou électrostrictives multicouches |
|
H01L 41/311
|
Montage de parties piézo-électriques ou électrostrictives avec des éléments semi-conducteurs ou avec d’autres éléments de circuit sur un substrat commun |
|
H01L 41/312
|
Application de parties ou de corps piézo-électriques ou électrostrictifs sur un élément électrique ou sur un autre support par laminage ou collage de corps piézo-électriques ou électrostrictifs |
|
H01L 41/313
|
Application de parties ou de corps piézo-électriques ou électrostrictifs sur un élément électrique ou sur un autre support par laminage ou collage de corps piézo-électriques ou électrostrictifs par fusion de métal ou avec des adhésifs |
|
H01L 41/314
|
Application de parties ou de corps piézo-électriques ou électrostrictifs sur un élément électrique ou sur un autre support par dépôt de couches piézo-électriques ou électrostrictives, p.ex. par impression par aérosol ou par sérigraphie |
|
H01L 41/316
|
Application de parties ou de corps piézo-électriques ou électrostrictifs sur un élément électrique ou sur un autre support par dépôt de couches piézo-électriques ou électrostrictives, p.ex. par impression par aérosol ou par sérigraphie par dépôt en phase vapeur |
|
H01L 41/317
|
Application de parties ou de corps piézo-électriques ou électrostrictifs sur un élément électrique ou sur un autre support par dépôt de couches piézo-électriques ou électrostrictives, p.ex. par impression par aérosol ou par sérigraphie par dépôt en phase liquide |
|
H01L 41/318
|
Application de parties ou de corps piézo-électriques ou électrostrictifs sur un élément électrique ou sur un autre support par dépôt de couches piézo-électriques ou électrostrictives, p.ex. par impression par aérosol ou par sérigraphie par dépôt en phase liquide par dépôt sol-gel |
|
H01L 41/319
|
Application de parties ou de corps piézo-électriques ou électrostrictifs sur un élément électrique ou sur un autre support par dépôt de couches piézo-électriques ou électrostrictives, p.ex. par impression par aérosol ou par sérigraphie à l’aide de couches intermédiaires, p.ex. pour contrôler la croissance |
|
H01L 41/331
|
Mise en forme ou usinage de corps piézo-électriques ou électrostrictifs par revêtement ou dépôt à l’aide de masques, p.ex. par "lift-off" |
|
H01L 41/332
|
Mise en forme ou usinage de corps piézo-électriques ou électrostrictifs par gravure, p.ex. par lithographie |
|
H01L 41/333
|
Mise en forme ou usinage de corps piézo-électriques ou électrostrictifs par moulage ou extrusion |
|
H01L 41/335
|
Mise en forme ou usinage de corps piézo-électriques ou électrostrictifs par usinage |
|
H01L 41/337
|
Mise en forme ou usinage de corps piézo-électriques ou électrostrictifs par usinage par polissage ou meulage |
|
H01L 41/338
|
Mise en forme ou usinage de corps piézo-électriques ou électrostrictifs par usinage par coupe ou découpage en dés |
|
H01L 41/339
|
Mise en forme ou usinage de corps piézo-électriques ou électrostrictifs par usinage par poinçonnage |
|
H01L 43/00
|
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives |
|
H01L 43/02
|
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives - Détails |
|
H01L 43/04
|
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives - Détails de dispositifs à effet Hall |
|
H01L 43/06
|
Dispositifs à effet Hall |
|
H01L 43/08
|
Résistances commandées par un champ magnétique |
|
H01L 43/10
|
Emploi de matériaux spécifiés |
|
H01L 43/12
|
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou le traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives |
|
H01L 43/14
|
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou le traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives pour dispositifs à effet Hall |
|
H01L 45/00
|
Dispositifs à l'état solide spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la production d'oscillations ou la commutation, sans barrière de potentiel ni barrière de surface, p.ex. triodes diélectriques; Dispositifs à effet Ovshinsky; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives |
|
H01L 45/02
|
Dispositifs à l'état solide utilisés comme dispositifs à ondes progressives |
|
H01L 47/00
|
Dispositifs à résistance négative à effet de volume, p.ex. dispositifs à effet Gunn; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives |
|
H01L 47/02
|
Dispositifs à effet Gunn |
|
H01L 49/00
|
Dispositifs à l'état solide non couverts par les groupes et et non couverts par une autre sous-classe; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives |
|
H01L 49/02
|
Dispositifs à film mince ou à film épais |
|
H01L 51/00
|
Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives |
|
H01L 51/05
|
Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances à l'état solide, ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface |
|
H01L 51/10
|
Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances à l'état solide, ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface - Détails des dispositifs |
|
H01L 51/30
|
Emploi de matériaux spécifiés |
|
H01L 51/40
|
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives |
|
H01L 51/42
|
Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement |
|
H01L 51/44
|
Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement - Détails des dispositifs |
|
H01L 51/46
|
Emploi de matériaux spécifiés |
|
H01L 51/48
|
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives |
|
H01L 51/50
|
Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED) |
|
H01L 51/52
|
Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED) - Détails des dispositifs |
|
H01L 51/54
|
Emploi de matériaux spécifiés |
|
H01L 51/56
|
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives |