|
H10B 10/00
|
Mémoires statiques à accès aléatoire [SRAM] |
|
H10B 10/10
|
Dispositifs SRAM comprenant des composants bipolaires |
|
H10B 12/00
|
Mémoires dynamiques à accès aléatoire [DRAM] |
|
H10B 12/10
|
Dispositifs DRAM comprenant des composants bipolaires |
|
H10B 20/00
|
Dispositifs de mémoire morte [ROM] |
|
H10B 20/10
|
Dispositifs ROM comprenant des composants bipolaires |
|
H10B 20/20
|
Dispositifs ROM programmable électriquement [PROM] comprenant des composants à effet de champ |
|
H10B 20/25
|
Dispositifs ROM programmable une seule fois, p.ex. utilisant des jonctions électriquement fusibles |
|
H10B 41/00
|
Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes |
|
H10B 41/10
|
Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes caractérisés par la configuration vue du dessus |
|
H10B 41/20
|
Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes caractérisés par les agencements tridimensionnels, p ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur |
|
H10B 41/23
|
Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes caractérisés par les agencements tridimensionnels, p ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p.ex. avec des canaux inclinés |
|
H10B 41/27
|
Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes caractérisés par les agencements tridimensionnels, p ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p.ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p.ex. des canaux en forme de U |
|
H10B 41/30
|
Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes caractérisés par la région noyau de mémoire |
|
H10B 41/35
|
Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes caractérisés par la région noyau de mémoire avec un transistor de sélection de cellules, p.ex. NON-ET |
|
H10B 41/40
|
Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes caractérisés par la région de circuit périphérique |
|
H10B 41/41
|
Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes caractérisés par la région de circuit périphérique de régions de mémoire comprenant un transistor de sélection de cellules, p.ex. NON-ET |
|
H10B 41/42
|
Fabrication simultanée de périphérie et de cellules de mémoire |
|
H10B 41/43
|
Fabrication simultanée de périphérie et de cellules de mémoire ne comprenant qu’un type de transistor de périphérie |
|
H10B 41/44
|
Fabrication simultanée de périphérie et de cellules de mémoire ne comprenant qu’un type de transistor de périphérie avec une couche de grille de commande également utilisée en tant que partie du transistor périphérique |
|
H10B 41/46
|
Fabrication simultanée de périphérie et de cellules de mémoire ne comprenant qu’un type de transistor de périphérie avec une couche de diélectrique inter-grille également utilisée en tant que partie du transistor périphérique |
|
H10B 41/47
|
Fabrication simultanée de périphérie et de cellules de mémoire ne comprenant qu’un type de transistor de périphérie avec une couche de grille flottante également utilisée en tant que partie du transistor périphérique |
|
H10B 41/48
|
Fabrication simultanée de périphérie et de cellules de mémoire ne comprenant qu’un type de transistor de périphérie avec une couche diélectrique tunnel également utilisée en tant que partie du transistor périphérique |
|
H10B 41/49
|
Fabrication simultanée de périphérie et de cellules de mémoire comprenant différents types de transistors périphériques |
|
H10B 41/50
|
Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes caractérisés par la région limite entre la région noyau et la région de circuit périphérique |
|
H10B 41/60
|
Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes la grille de commande étant une région dopée, p.ex. cellules de mémoire en couche unique de polysilicium |
|
H10B 41/70
|
Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes la grille flottante étant une électrode partagée par plusieurs éléments |
|
H10B 43/00
|
Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge |
|
H10B 43/10
|
Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par la configuration vue du dessus |
|
H10B 43/20
|
Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par les agencements tridimensionnels, p ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur |
|
H10B 43/23
|
Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par les agencements tridimensionnels, p ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p.ex. avec des canaux inclinés |
|
H10B 43/27
|
Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par les agencements tridimensionnels, p ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p.ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p.ex. des canaux en forme de U |
|
H10B 43/30
|
Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par la région noyau de mémoire |
|
H10B 43/35
|
Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par la région noyau de mémoire avec transistors de sélection de cellules, p.ex. NON-ET |
|
H10B 43/40
|
Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par la région de circuit périphérique |
|
H10B 43/50
|
Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par la région limite entre la région noyau et la région de circuit périphérique |
|
H10B 51/00
|
Dispositifs de RAM ferro-électrique [FeRAM] comprenant des transistors ferro-électriques de mémoire |
|
H10B 51/10
|
Dispositifs de RAM ferro-électrique [FeRAM] comprenant des transistors ferro-électriques de mémoire caractérisés par la configuration vue du dessus |
|
H10B 51/20
|
Dispositifs de RAM ferro-électrique [FeRAM] comprenant des transistors ferro-électriques de mémoire caractérisés par les agencements tridimensionnels, p ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur |
|
H10B 51/30
|
Dispositifs de RAM ferro-électrique [FeRAM] comprenant des transistors ferro-électriques de mémoire caractérisés par la région noyau de mémoire |
|
H10B 51/40
|
Dispositifs de RAM ferro-électrique [FeRAM] comprenant des transistors ferro-électriques de mémoire caractérisés par la région de circuit périphérique |
|
H10B 51/50
|
Dispositifs de RAM ferro-électrique [FeRAM] comprenant des transistors ferro-électriques de mémoire caractérisés par la région limite entre la région noyau et la région de circuit périphérique |
|
H10B 53/00
|
Dispositifs RAM ferro-électrique [FeRAM] comprenant des condensateurs ferro-électriques de mémoire |
|
H10B 53/10
|
Dispositifs RAM ferro-électrique [FeRAM] comprenant des condensateurs ferro-électriques de mémoire caractérisés par la configuration vue du dessus |
|
H10B 53/20
|
Dispositifs RAM ferro-électrique [FeRAM] comprenant des condensateurs ferro-électriques de mémoire caractérisés par les agencements tridimensionnels, p ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur |
|
H10B 53/30
|
Dispositifs RAM ferro-électrique [FeRAM] comprenant des condensateurs ferro-électriques de mémoire caractérisés par la région noyau de mémoire |
|
H10B 53/40
|
Dispositifs RAM ferro-électrique [FeRAM] comprenant des condensateurs ferro-électriques de mémoire caractérisés par la région de circuit périphérique |
|
H10B 53/50
|
Dispositifs RAM ferro-électrique [FeRAM] comprenant des condensateurs ferro-électriques de mémoire caractérisés par la région limite entre la région noyau et la région de circuit périphérique |
|
H10B 61/00
|
Dispositifs de mémoire magnétique, p.ex. dispositifs RAM magnéto-résistifs [MRAM] |
|
H10B 63/00
|
Dispositifs de mémoire par changement de résistance, p.ex. dispositifs RAM résistifs [ReRAM] |
|
H10B 63/10
|
Dispositifs RAM à changement de phase [PCRAM, PRAM] |
|
H10B 69/00
|
Dispositifs de mémoire morte reprogrammable [EPROM] non couverts par les groupes , p.ex. dispositifs de mémoire morte reprogrammable aux ultraviolets [UVEPROM] |
|
H10B 80/00
|
Ensembles de plusieurs dispositifs comprenant au moins un dispositif de mémoire couvert par la présente sous-classe |
|
H10B 99/00
|
Matière non prévue dans les autres groupes de la présente sous-classe |