• Sections
  • G - Physique
  • G11C - Mémoires statiques
  • G11C 11/412 - Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments électriques utilisant des dispositifs à semi-conducteurs utilisant des transistors formant des cellules avec réaction positive, c. à d. des cellules ne nécessitant pas de rafraîchissement ou de régénération de la charge, p.ex. multivibrateur bistable, déclencheur de Schmitt utilisant uniquement des transistors à effet de champ

Détention brevets de la classe G11C 11/412

Brevets de cette classe: 1503

Historique des publications depuis 10 ans

104
122
119
118
174
175
157
129
132
94
2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023 2024

Propriétaires principaux

Proprétaire
Total
Cette classe
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
38446
381
Qualcomm Incorporated
79947
90
Renesas Electronics Corporation
6189
61
Samsung Electronics Co., Ltd.
136984
56
Intel Corporation
46096
36
ARM Limited
4465
33
International Business Machines Corporation
59655
29
United Microelectronics Corp.
4041
28
GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc.
6449
27
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
10954
25
Socionext Inc.
1562
24
Texas Instruments Incorporated
19459
22
Zeno Semiconductor, Inc.
243
21
Tahoe Research, Ltd.
2076
20
Advanced Micro Devices, Inc.
5502
18
Micron Technology, Inc.
25561
17
iCometrue Company Limited
67
15
Commissariat à l'énergie atomique et aux energies alternatives
10646
14
Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation
1774
14
Synopsys, Inc.
2834
12
Autres propriétaires 560