- Sections
- G - Physique
- G11C - Mémoires statiques
- G11C 17/16 - Mémoires mortes programmables une seule fois; Mémoires semi-permanentes, p.ex. cartes d'information pouvant être replacées à la main dans lesquelles le contenu est déterminé en établissant, en rompant ou en modifiant sélectivement les liaisons de connexion par une modification définitive de l'état des éléments de couplage, p.ex. mémoires PROM utilisant des liaisons électriquement fusibles
Détention brevets de la classe G11C 17/16
Brevets de cette classe: 1212
Historique des publications depuis 10 ans
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89
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154
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161
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122
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100
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83
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111
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98
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109
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| 2014 | 2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| SK Hynix Inc. | 10679 |
148 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 34962 |
115 |
| Micron Technology, Inc. | 24334 |
94 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 127295 |
72 |
| eMemory Technology Inc. | 354 |
66 |
| Attopsemi Technology Co., Ltd | 71 |
44 |
| Qualcomm Incorporated | 73312 |
43 |
| Changxin Memory Technologies, Inc. | 4016 |
36 |
| Synopsys, Inc. | 2920 |
30 |
| VIA Alliance Semiconductor Co., Ltd. | 287 |
27 |
| Texas Instruments Incorporated | 19281 |
22 |
| MagnaChip Semiconductor, Ltd. | 285 |
18 |
| SanDisk 3D LLC | 310 |
17 |
| International Business Machines Corporation | 61980 |
16 |
| Canon Inc. | 36613 |
15 |
| Nanya Technology Corporation | 1783 |
15 |
| Intel Corporation | 45765 |
14 |
| Toshiba Corporation | 11940 |
11 |
| NXP USA, Inc. | 4143 |
11 |
| Sandisk Technologies LLC | 5723 |
10 |
| Autres propriétaires | 388 |