- Sections
- H - électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 23/522 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
Détention brevets de la classe H01L 23/522
Brevets de cette classe: 11950
Historique des publications depuis 10 ans
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1338
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345
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| 2014 | 2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 32827 |
2634 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 121140 |
911 |
| Intel Corporation | 45922 |
630 |
| International Business Machines Corporation | 63296 |
611 |
| Micron Technology, Inc. | 24158 |
358 |
| Qualcomm Incorporated | 69014 |
314 |
| Kioxia Corporation | 9234 |
290 |
| GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc. | 6522 |
277 |
| Sandisk Technologies LLC | 5737 |
263 |
| Renesas Electronics Corporation | 6603 |
245 |
| SK Hynix Inc. | 10196 |
237 |
| Sony Semiconductor Solutions Corporation | 7232 |
220 |
| Texas Instruments Incorporated | 19191 |
176 |
| United Microelectronics Corp. | 3634 |
140 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 1615 |
120 |
| Nanya Technology Corporation | 1538 |
112 |
| Infineon Technologies AG | 8681 |
109 |
| Sony Corporation | 36721 |
93 |
| Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation | 1734 |
87 |
| Tokyo Electron Limited | 11063 |
86 |
| Autres propriétaires | 4037 |