- Sections
- H - électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 41/35 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes caractérisés par la région noyau de mémoire avec un transistor de sélection de cellules, p.ex. NON-ET
Détention brevets de la classe H10B 41/35
Brevets de cette classe: 813
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
Proprétaire |
Total
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Cette classe
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---|---|---|
Samsung Electronics Co., Ltd. | 137084 |
149 |
Micron Technology, Inc. | 25597 |
122 |
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 2211 |
95 |
Kioxia Corporation | 10080 |
94 |
Sandisk Technologies LLC | 5691 |
79 |
SK Hynix Inc. | 10588 |
55 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 38739 |
43 |
Lodestar Licensing Group LLC | 817 |
35 |
Macronix International Co., Ltd. | 2568 |
15 |
Applied Materials, Inc. | 17450 |
13 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 10962 |
11 |
STMicroelectronics (Rousset) SAS | 947 |
11 |
eMemory Technology Inc. | 369 |
7 |
Zeno Semiconductor, Inc. | 243 |
7 |
United Microelectronics Corp. | 4050 |
5 |
Monolithic 3D Inc. | 288 |
5 |
Intel NDTM US LLC | 424 |
5 |
iCometrue Company Limited | 67 |
4 |
SK Keyfoundry Inc. | 244 |
4 |
Lam Research Corporation | 4928 |
3 |
Autres propriétaires | 51 |