A semiconductor device includes: a semiconductor region of a first conductivity type having a main surface; a capacitor region of a second conductivity type formed in a surface layer portion of the main surface; and at least one trench structure including a trench formed in the main surface to penetrate the capacitor region, an insulating film covering a wall surface of the trench, and embedded electrodes embedded in the trench so as to form capacitive coupling with the capacitor region through the insulating film.
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
Provided is an igniter capable of reducing occurrence of malfunction due to noise. An igniter (100) includes a switch element (111) having a first end, a temperature sensor (112) including at least one diode and having a cathode end (112B), a switch element control device (12) configured to control the switch element, and a switch element electrode (Pe) connected to the first end of the switch element and to the cathode end, and the switch element control device has a ground electrode (Pgnd) electrically isolated from the cathode end.
F02P 7/02 - Aménagement des distributeurs, contacteurs, rupteurs ou capteurs de l'allumage par étincelle électrique des distributeurs
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
3.
NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
A nitride semiconductor device includes an electron transit layer composed of a nitride semiconductor, an electron supply layer formed on the electron transit layer and composed of a nitride semiconductor having a band gap that is larger than that of the electron transit layer, a gate layer formed on the electron supply layer and composed of a nitride semiconductor including an acceptor impurity, a gate electrode formed on the gate layer, and a source electrode and a drain electrode that are formed on the electron supply layer. The gate layer includes an upper surface in contact with the gate electrode. The upper surface is a Ga-polar surface.
H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
The semiconductor device includes a semiconductor layer having an active portion and a gate finger portion, an MIS transistor formed at the active portion including a gate trench and a source region, a channel region and a drain region sequentially along a side surface of the gate trench, a plurality of first gate finger trenches arranged by an extended portion of the gate trench, a gate electrode embedded each in the gate trench and the first gate finger trench, a second conductive-type first bottom-portion impurity region formed at least at a bottom portion of the first gate finger trench, a gate finger which crosses the plurality of first gate finger trenches and is electrically connected to the gate electrode, and a second conductive-type electric field relaxation region formed more deeply than the bottom portion of the first gate finger trench between the mutually adjacent first gate finger trenches.
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H01L 29/12 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/49 - Electrodes du type métal-isolant-semi-conducteur
A semiconductor device is provided with: a plurality of gate trenches; a plurality of gate electrodes; a plurality of field plate electrodes; gate wiring that is connected to each gate electrode and forms a loop in plan view; first source wiring that is connected to a first end of each field plate electrode and is disposed within the loop of the gate wiring in plan view; second source wiring that is connected to a second end of each field plate electrode and is disposed outside the loop of the gate wiring in plan view; and, a connection structure. The connection structure includes a connection trench that intersects the gate wiring in plan view, and inter-source wiring embedded in the connection trench. The inter-source wiring electrically connects the first source wiring and the second source wiring.
H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
6.
SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE
A semiconductor device includes: two conductive members; a semiconductor element bonded to one of the two conductive members; and a relay terminal bonded to the two conductive members. The relay terminal has a first strip portion and a second strip portion that are bonded to the two conductive members, and a connecting portion that connects the first strip portion and the second strip portion. The first strip portion has a first side. The connecting portion has a first intermediate side, and a first connecting side connecting the first side and the first intermediate side. As viewed in the thickness direction, the first connecting side is located away from a first virtual intersection that is an intersection of a first virtual line overlapping with the first side and a second virtual line overlapping with the first intermediate side.
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
A semiconductor device includes a conductive substrate, first semiconductor elements and a first conductive member. The substrate includes an obverse surface facing in thickness direction. The first semiconductor elements, bonded to the obverse surface, have a switching function. The conductive member includes a first wiring extending in x direction orthogonal to thickness direction; a second wiring spaced from the first wiring in y direction orthogonal to thickness and x directions, extending in x direction; a third wiring connected to the first wiring and the second wiring, extending in y direction, and connected to the first semiconductor elements; a fourth wiring spaced from the third wiring in x direction, connected to the first wiring and the second wiring, and extending in y direction; and a fifth wiring between the first wiring and the second wiring in y direction and connected to the third wiring and the fourth wiring.
H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
8.
SOUND WAVE PROCESSING DEVICE AND ULTRASONIC SYSTEM
A burst drive signal has a sensor drive period for transmitting a first drive signal, and an interval period provided between the sensor drive periods adjacent to each other, for transmitting a second drive signal. The first drive signal has a frequency within a frequency band of a band pass filter. The second drive signal has a frequency that is different from a resonant frequency of a sensor element and is outside the frequency band of the band pass filter.
A semiconductor device includes: an oscillator including external terminals disposed on a first face with a specific distance along a first direction; an integrated circuit including a first region formed with first electrode pads along one side, and a second region formed with second electrode pads on two opposing sides of the first region; a lead frame that includes terminals at a peripheral portion, and on which the oscillator and the integrated circuit are mounted such that the external terminals, the first and second electrode pads face in a substantially same direction and such that one side of the integrated circuit is substantially parallel to the first direction; a first bonding wire that connects one external terminal to one first electrode pad; a second bonding wire that connects one terminal of one lead frame to one second electrode pad; and a sealing member that seals all of the components.
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
A semiconductor light emitting device includes a light emitting module, a stem, and a surrounding member. The stem includes a conductive base and a conductive heat sink extending upright from the base. The light emitting module is mounted on the heat sink. The surrounding member is arranged on the base and surrounds the light emitting module and the heat sink. The light emitting module includes a substrate mounted on the heat sink, a light emitting element mounted on the substrate, and a light emitting element drive circuit mounted on the substrate. The light emitting element drive circuit includes a transistor configured to drive the light emitting element. The transistor is a vertical MOSFET mounted on the substrate.
A semiconductor device includes: a chip including a main surface; a first conductivity type first semiconductor region formed at least in a surface layer portion of the main surface; a trench structure including a trench formed in the main surface to be located within the first semiconductor region, and a second conductivity type polysilicon mechanically and electrically connected to the chip and located within the trench; and a second conductivity type second semiconductor region formed within the first semiconductor region along a wall surface of the trench structure and forming a pn junction, as a photodiode, with the first semiconductor region.
H01L 31/0352 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur forme ou par les formes, les dimensions relatives ou la disposition des régions semi-conductrices
H01L 31/103 - Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface la barrière de potentiel étant du type PN à homojonction
H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
12.
BUCK DC/DC CONVERTER AND CONTROLLER CIRCUIT OF BUCK DC/DC CONVERTER
Provided is a controller circuit of a buck DC/DC converter. The controller circuit includes a feedback pin to be connected to an output line of the buck DC/DC converter, a voltage divider circuit including a first resistor and a second resistor connected in series between the feedback pin and a ground, a feedback circuit that generates a pulse modulation signal to bring a feedback voltage as an output of the voltage divider circuit close to a reference voltage, and a current source that is connected to the feedback pin and supplies a constant current.
H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
A semiconductor device includes a terminal, a signal substrate, a supporting conductor and a bonding layer. The terminal includes an electrically conductive tubular holder and a metal pin inserted into the holder. The signal substrate includes a wiring layer and an insulating substrate. The supporting conductor supports the wiring layer via the insulating substrate. The bonding layer is interposed between the supporting substrate and the signal substrate. The insulating substrate includes an obverse surface and a reverse surface spaced apart in a thickness direction of the signal substrate. The wiring layer is disposed on the obverse surface, and the terminal is secured to the wiring layer. The holder is bonded to the wiring layer. The metal pin extends in the thickness direction. The bonding layer electrically insulates the signal substrate and the supporting conductor.
H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
14.
LIQUID LEAKAGE DETECTION SYSTEM AND LIQUID LEAKAGE SENSOR
A liquid leakage detection system that detects a liquid includes: a liquid leakage sensor including a first detector that detects adhesion of the liquid based on a change in impedance between a first electrode and a second electrode; and a control device that acquires information including the impedance between the first electrode and the second electrode, wherein the liquid leakage sensor includes a heater that heats the first electrode and the second electrode, and wherein the control device determines whether or not liquid leakage or dew condensation has occurred based on the impedance between the first electrode and the second electrode that are in a state of being heated by the heater, and notifies the determination result.
G01M 3/16 - Examen de l'étanchéité des structures ou ouvrages vis-à-vis d'un fluide par utilisation d'un fluide ou en faisant le vide par détection de la présence du fluide à l'emplacement de la fuite en utilisant des moyens de détection électrique
A power control device includes: an output voltage controller configured to control an output voltage based on a feedback voltage corresponding to the output voltage; and an overvoltage protector configured to continue or stop the operation of the output voltage controller based on a first detection result of whether the output voltage has exceeded an output voltage threshold value and a second detection result of whether the feedback voltage has fallen to or below a feedback voltage threshold value.
H02H 7/12 - Circuits de protection de sécurité spécialement adaptés pour des machines ou appareils électriques de types particuliers ou pour la protection sectionnelle de systèmes de câble ou ligne, et effectuant une commutation automatique dans le cas d'un chan pour redresseurs pour convertisseurs ou redresseurs statiques
G05F 1/571 - Régulation de la tension ou de l'intensité là où la variable effectivement régulée par le dispositif de réglage final est du type continu utilisant des dispositifs à semi-conducteurs en série avec la charge comme dispositifs de réglage final sensible à une condition du système ou de sa charge en plus des moyens sensibles aux écarts de la sortie du système, p.ex. courant, tension, facteur de puissance à des fins de protection avec détecteur de surtension
G05F 1/575 - Régulation de la tension ou de l'intensité là où la variable effectivement régulée par le dispositif de réglage final est du type continu utilisant des dispositifs à semi-conducteurs en série avec la charge comme dispositifs de réglage final caractérisé par le circuit de rétroaction
G05F 1/595 - Dispositifs à semi-conducteurs connectés en série
H02H 1/00 - CIRCUITS DE PROTECTION DE SÉCURITÉ - Détails de circuits de protection de sécurité
H02H 3/20 - Circuits de protection de sécurité pour déconnexion automatique due directement à un changement indésirable des conditions électriques normales de travail avec ou sans reconnexion sensibles à un excès de tension
H02M 1/088 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques pour la commande simultanée de dispositifs à semi-conducteurs connectés en série ou en parallèle
H02M 1/36 - Moyens pour mettre en marche ou arrêter les convertisseurs
H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
A signal transmission device is constituted by a transformer chip having, for example, a first wiring layer, a second wiring layer different from the first wiring layer, a primary winding formed in the first wiring layer, a secondary winding formed in the second wiring layer to be magnetically coupled with the primary winding, and a shield electrode formed to be interposed between the primary and secondary windings.
The present disclosure provides a MEMS sensor. The MEMS sensor includes a first substrate having a cavity and a second substrate bonded to the first substrate. The first substrate is provided with an electrode movably disposed in the cavity and a sealed member coupling to the second substrate. The second substrate is provided with a stop member for restricting a movement of the electrode toward the second substrate and a sealing member coupling to the sealed member. The sealed member is formed by a first metal layer on the first substrate. The sealing member is formed by a second metal layer on the second substrate. A polycrystalline layer is formed on the stop member. The polycrystalline layer is disposed between the second substrate and the second metal layer.
A reverse conduction loss reduction circuit operates, when an enhancement-mode switching element having reverse conduction characteristics corresponding to a gate-source voltage is reverse-conducting, to raise the gate-source voltage of the switching element to a predetermined bias voltage.
H03K 17/567 - Circuits caractérisés par l'utilisation d'au moins deux types de dispositifs à semi-conducteurs, p.ex. BIMOS, dispositifs composites tels que IGBT
H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
Provided is an analog switch circuit including an intermediate node, a first PMOS transistor including a source connected to the input node and a back gate and a drain connected to the intermediate node, a second PMOS transistor including a source connected to the output node, a back gate and a drain connected to the intermediate node, and a gate connected to a gate of the first PMOS transistor, a first NMOS transistor including a source grounded and a drain connected to the gates of the first PMOS transistor and the second PMOS transistor, a third PMOS transistor connected between the intermediate node and the drain of the first NMOS transistor, a first resistor connected between the gate of the first NMOS transistor and a ground, and a driver including an input that receives the control signal and an output connected to the gate of the first NMOS transistor.
H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
H03K 17/06 - Modifications pour assurer un état complètement conducteur
H03K 17/22 - Modifications pour assurer un état initial prédéterminé quand la tension d'alimentation a été appliquée
20.
STABILIZED VOLTAGE GENERATION CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR DEVICE
The stabilized voltage generation circuit includes: a first voltage generation circuit configured to generate a first voltage with positive temperature characteristics; and a second voltage generation circuit including a first MOSFET having a gate of a first conductivity type and a second MOSFET having a gate of a second conductivity type different from the first conductivity type and configured to generate a second voltage with negative temperature characteristics based on the difference in gate threshold voltage between the first and second MOSFETs. The output voltage is generated based on the sum voltage of the first and second voltages.
A switching device, for example, includes a P-type semiconductor substrate configured to be fed with a ground voltage, a switching element connected between an application terminal for a supply voltage and an application terminal for an output voltage, a driver configured to turn on and off the switching element, and an active clamp circuit configured to control the switching element so as to keep the output voltage at an off transition of the switching element equal to or higher than a lower limit voltage lower than the ground voltage by an active clamp voltage.
H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
B60R 16/03 - Circuits électriques ou circuits de fluides spécialement adaptés aux véhicules et non prévus ailleurs; Agencement des éléments des circuits électriques ou des circuits de fluides spécialement adapté aux véhicules et non prévu ailleurs électriques pour l'alimentation des sous-systèmes du véhicule en énergie électrique
The present disclosure provides a successive comparison type A/D converter. The successive comparison type A/D converter includes a D/A converter, configured to generate an analog output voltage according to a digital input; a comparator, configured to compare a voltage according to an analog input signal with an output voltage of the D/A converter; and a control circuit, configured to input the digital input to the D/A converter. The D/A converter includes: a capacitive D/A conversion circuit, including an output line connected to the comparator and a plurality of capacitors respectively connected to the output line; an isolation capacitor, connected to the output line; and a current source. The current source is configured to output a current signal to the output line through the isolation capacitor in synchronization with an input of the digital input to the D/A converter by the control circuit.
H03M 1/46 - Valeur analogique comparée à des valeurs de référence uniquement séquentiellement, p.ex. du type à approximations successives avec convertisseur numérique/analogique pour fournir des valeurs de référence au convertisseur
23.
PROCESSING DEVICE FOR PIEZOELECRIC ELEMENT AND ULTRASONIC SENSOR
According to the present invention, a reflection wave signal obtained by the reflection, by an object, of a transmission wave signal from a piezoelectric element is received and a reception intensity signal is generated. A signal for comparison is generated of which the signal value changes over time from a transmission start time point of the transmission wave signal. A signal output circuit operates in any among a plurality of output modes. The plurality of output modes include: a first output mode in which a signal based on a comparison result of the reception intensity signal and the signal for comparison is output from a communication terminal; and a second output mode in which a plurality of output target signals are output from the communication terminal while being switched. The plurality of output target signals include, as two output target signals, a signal indicating the waveform of the reception intensity signal, and a signal indicating the waveform of the signal for comparison.
This overcurrent protection circuit comprises: first and second transistors that are configured to form an amplifier input stage for receiving the input of a detection signal responsive to a monitored current; a third transistor that is configured to generate a current output signal responsive to the difference between the detection signal and a reference signal, while forming an amplifier output stage for negative-feedback inputting the current output signal to the amplifier input stage; and a fourth transistor that is configured to output the comparison result between the detection signal and the reference signal. The values of the reference signal are configured to be switched on the basis of the comparison result. The overcurrent protection circuit is configured to limit the monitored current on the basis of the current output signal outputted from the third transistor.
H03K 17/08 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension
H03K 17/082 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension par réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande
G05F 1/10 - Régulation de la tension ou de l'intensité
G05F 1/56 - Régulation de la tension ou de l'intensité là où la variable effectivement régulée par le dispositif de réglage final est du type continu utilisant des dispositifs à semi-conducteurs en série avec la charge comme dispositifs de réglage final
25.
SEMICONDUCTOR DEVICE, ELECTRONIC APPARATUS, AND VEHICLE
A semiconductor device 1 comprises: an output switch 9; an overcurrent protection circuit 34 that detects an output current IOUT flowing to the output switch 9 and applies overcurrent protection; an overheat protection circuit 36 that detects a temperature to be monitored and applies overheat protection; and a mode control circuit 53 that switches between setting each of the overcurrent protection circuit 34 and the overheat protection circuit 36 to a normal mode or to a capacitive load drive mode. In the capacitive load drive mode, the overcurrent protection circuit 34 limits the output current IOUT to an overcurrent protection threshold value or less. The overheat protection circuit 36 repeats forcibly turning off and restarting the output switch 9 each time the temperature to be monitored rises to a second overheat protection threshold value, which is lower than a first overheat protection threshold value set in the normal mode.
H03K 17/08 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension
H02H 3/087 - Circuits de protection de sécurité pour déconnexion automatique due directement à un changement indésirable des conditions électriques normales de travail avec ou sans reconnexion sensibles à une surcharge pour des systèmes à courant continu
H02J 1/00 - Circuits pour réseaux principaux ou de distribution, à courant continu
26.
I/O CIRCUIT, SEMICONDUCTOR DEVICE, CELL LIBRARY, AND METHOD FOR DESIGNING CIRCUIT OF SEMICONDUCTOR DEVICE
This I/O circuit 10 is formed by discretionarily combining a plurality of types of standard cells included in a cell library 100. A standard cell 150 included in the plurality of types of standard cells includes: a first element formation region 151 configured such that a first protection element P11 connected between a signal line and a power supply line and a second protection element N11 connected between the signal line and a ground line are formed; and a second element formation region 152 configured such that a third protection element N12 connected between the power supply line and the ground line is formed. Both the second protection element N11 and the third protection element N12 are formed in a common well.
H01L 27/04 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur
H01L 21/822 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
27.
SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
A semiconductor device according to the present invention is provided with: a support body; a first semiconductor element and a second semiconductor element disposed on a first side, of the support body, in the thickness direction; and a sealing body which covers part of the support body and the first semiconductor element and the second semiconductor element. The support body has a first surface that faces a second side in the thickness direction and is exposed from the sealing body, and the first surface has an uneven region constituted of a plurality of dot-like recesses overlapping each other.
This semiconductor device is provided with: a main substrate which has a first main metal layer; a first semiconductor element supported by the main substrate; a first sub-substrate supported by the main substrate; and a sealing resin which covers the first semiconductor element. The first sub-substrate has: a sub insulating layer; and a first sub metal layer and a second sub metal layer with the sub insulating layer interposed therebetween in the thickness direction. The second sub metal layer is conductively bonded to the first main metal layer. The first sub metal layer includes a region. The first sub-substrate further has a connection conductive part which electrically connects the region and the second sub metal layer to each other.
H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
This semiconductor device is provided with a plurality of leads, a semiconductor element, and a sealing resin. A first lead includes: a first main part; and a plurality of first branch parts which are arranged along a first direction and which extend in a second direction from the first main part. The first branch parts each have: a first root section which connects to the first main part; and a first connection section conductively bonded to a first electrode. A first width, which is the width in the first direction of an end of the first connection section, is narrower than a second width, which is the width in the first direction of a boundary between the first root section and the first main part.
H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
TXinin. An active termination circuit 310 is connected with a secondary winding Ws for a transformer T1 and includes a first transistor and a second transistor that are cross-coupled. A common voltage change suppression circuit 330 is configured from a combinational circuit. When a first input node in1 and a second input node in2 have changed with the same polarity, the common voltage change suppression circuit 330 does not change the state of a first output node out1 and a second output node out2. A latch circuit 340 latches output from the common voltage change suppression circuit 330.
This semiconductor light-emitting device comprises: a substrate having a substrate surface; a lateral surface light-emitting element that is provided on the substrate surface and has a first light-emitting lateral surface which emits light; and an upper surface light-emitting element that is provided on the substrate surface and has a light-emitting upper surface which emits light. The lateral surface light-emitting element is positioned so that the first light-emitting lateral surface is oriented in a direction intersecting the thickness direction of the substrate. The upper surface light-emitting element is positioned so that the light-emitting upper surface is oriented in the thickness direction of the substrate.
A semiconductor device includes an n-type semiconductor layer, a p-type drift region formed in a surface layer portion of the semiconductor layer, an n-type body region formed in the surface layer portion of the semiconductor layer, a p-type drain region formed in a surface layer portion of the drift region, a p-type source region formed in a surface layer portion of the body region, a gate insulating film formed on a surface of the semiconductor layer, and a polysilicon gate formed on the gate insulating film, wherein a region extending from the source region to a side edge of the drift region is a channel region, and wherein the polysilicon gate includes a p-type first portion facing at least a portion of the channel region, and an n-type second portion facing at least a portion of the drift region.
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 29/08 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
A semiconductor device includes: a chip having a main surface; a trench insulation structure that defines an active region in the main surface; a first conductivity type well region formed in the active region; a second conductivity type first impurity region formed in the well region; a second impurity region formed in the well region and surrounding the first impurity region in a plan view; a gate electrode formed on the well region between the first impurity region and the second impurity region, and surrounding the first impurity region in a plan view; a gate insulating film formed between the gate electrode and the well region; a gate contact portion formed on the trench insulation structure; and a gate connection portion that crosses the second impurity region from a boundary between the trench insulation structure and the active region and connects the gate contact portion and the gate electrode.
H01L 27/092 - Transistors à effet de champ métal-isolant-semi-conducteur complémentaires
H01L 29/08 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
A drive device includes a power supply circuit that includes a switch element, and a drive circuit that is configured to use a voltage supplied from the power supply circuit as a power supply voltage and that is configured to perform pulse driving of a drive-target element. The power supply circuit is configured to operate such that a switching frequency of the switch element differs from a frequency of the pulse driving.
G01S 15/10 - Systèmes pour mesurer la distance uniquement utilisant la transmission de trains discontinus d'ondes modulées par impulsions
H02M 3/07 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des résistances ou des capacités, p.ex. diviseur de tension utilisant des capacités chargées et déchargées alternativement par des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
35.
SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
A semiconductor device includes: an n-type semiconductor layer; a p-type drift region formed in a surface layer of the n-type semiconductor layer; an n-type body region formed in the surface layer of the n-type semiconductor layer so as to be spaced apart from or adjacent to the p-type drift region; a p-type drain region formed in a surface layer of the p-type drift region; a p-type source region formed in a surface layer of the n-type body region; a gate insulating film formed over a surface of the n-type semiconductor layer so as to straddle the p-type drift region and the n-type body region; a gate electrode formed over the gate insulating film; and an n-type region formed in the surface layer of the p-type drift region and arranged between a side edge of the p-type drift region near the n-type body region and the p-type drain region.
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
H01L 29/08 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
The present disclosure provides a MEMS device. The MEMS device includes: a substrate; a recess, disposed in the substrate; a movable portion, hollowly supported in the recess; and an isolation joint, inserted into a predetermined position of the movable portion and electrically insulating both sides of the movable portion. A shortest distance between a bottom of the recess and the movable portion is less than a distance between the bottom of the recess and the isolation joint.
This semiconductor device comprises: a semiconductor element; a first lead that includes a die pad part having a first lead main surface which faces a first side in the thickness direction and on which the semiconductor element is mounted, a first lead back surface which faces the second side in the thickness direction, and a first lead lateral surface which faces a first side in a first direction perpendicular to the thickness direction; a second lead that is provided apart on the first side in the first direction of the die pad; and a wire conductively joined to the semiconductor element and the second lead. The die pad part is further provided with a contact avoidance surface connected to the first lead main surface and the first lead lateral surface. The contact avoidance surface overlaps the wire as viewed in the thickness direction, and is positioned closer to the second side in the thickness direction than the first lead main surface.
H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
H01L 23/28 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
A semiconductor device equipped with a first switching element and a first main connection member. The first switching element has a first electrode, which has been disposed on one thickness-direction side and in which a main electric current flows. The first main connection member is connected to the first electrode. The semiconductor device is further equipped with a first minor connection member connected to the first main connection member and with a second minor connection member. The first main connection member comprises a first main metal as a main component. The first minor connection member comprises a first minor metal as a main component. The second minor connection member comprises a second minor metal as a main component. The first minor metal and the second minor metal differ in thermoelectric power from each other.
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
This semiconductor laser device comprises a substrate that has a substrate surface, a semiconductor laser element that is provided on the substrate surface, and a translucent sealing resin that seals the semiconductor laser element. The sealing resin has a sealing surface that faces the same side as the substrate surface, and a first sealing end surface that intersects the sealing surface. The sealing resin includes a diffusion material that diffuses light. The semiconductor laser element includes a first light emitting surface that emits laser light toward the first sealing end surface.
A semiconductor device 1 includes: a split-gate transistor 9 connected between a drain electrode 11 (output electrode OUT) and a ground electrode and having a plurality of individually controllable channel regions; an active clamp circuit 26 configured to limit the output voltage VOUT appearing at the output electrode 11 to a clamp voltage or below; and a gate control circuit 25 configured to raise the ON resistance of the split-gate transistor 9 gently (or stepwise) after the split-gate transistor is switched from the ON state to the OFF state before the active clamp circuit 26 limits the output voltage VOUT.
H03K 17/0814 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension sans réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande par des dispositions prises dans le circuit de sortie
H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
The present disclosure provides a MEMS device having a movable portion. The MEMS device includes: a substrate; a recess, disposed in the substrate; the movable portion, hollowly supported in the recess; and a bump stop, hollowly supported in the recess and configured to restrict a movement of the movable portion by contacting the movable portion. The bump stop includes: a protruding portion, configured to contact the movable portion; and a shock absorbing portion, disposed between the protruding portion and the substrate and configured to absorb at least a part of an impact force applied to the protruding portion by elastic deformation.
A semiconductor device includes: a first output transistor and a second output transistor configured to be connected between a first terminal and second terminal; an active clamp circuit configured to be connected to a first control terminal of the first output transistor to limit a terminal-to-terminal voltage appearing between the first and second terminals to a clamp voltage or less; a first variable resistive element provided between a node configured to be fed with a control signal and the first control terminal; a second variable resistive element provided between the node and a second control terminal of the second output transistor; and a turn-off circuit configured to be connected to a connection node between the second variable resistive element and the second control terminal so as to be able to turn the second output transistor off.
H03K 17/081 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension sans réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande
B60L 50/50 - Propulsion électrique par source d'énergie intérieure au véhicule utilisant de la puissance de propulsion fournie par des batteries ou des piles à combustible
H03K 17/06 - Modifications pour assurer un état complètement conducteur
H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
A non-volatile memory device (100) comprises a memory cell (11A, 11B) that is, in an initial state, in a state of having storage data of a first logical value stored therein, and that is, after execution of a program operation, in a state of having storage data of a second logical value stored therein, and an error correction circuit (14) that corrects only an error caused by a change in logical value of the storage data stored in the memory cell from the second logical value to the first logical value.
G06F 11/10 - Détection ou correction d'erreur par introduction de redondance dans la représentation des données, p.ex. en utilisant des codes de contrôle en ajoutant des chiffres binaires ou des symboles particuliers aux données exprimées suivant un code, p.ex. contrôle de parité, exclusion des 9 ou des 11
A semiconductor device includes a semiconductor element and a first connection member. The semiconductor element includes a substrate and an electrode pad. The substrate includes a transistor formation region, in which a transistor is formed and which is shaped to be non-quadrangular. The electrode pad is located on the transistor formation region. The first connection member is connected to the electrode pad at one location. The electrode pad is arranged to cover a center of gravity of the transistor formation region in a plan view of the electrode pad. In the plan view, a connection region in which the first connection member is connected to the electrode pad includes a center of gravity position of the transistor formation region.
H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes
H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
H01L 21/765 - Réalisation de régions isolantes entre les composants par effet de champ
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H01L 23/34 - Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température
A method for processing a semiconductor wafer comprises: preparing a semiconductor wafer including a main body and a rim, the rim having a greater thickness than the main body and including a projection projecting; supporting the semiconductor wafer with a holding tape; preparing a base including a stage and an outer portion; setting the semiconductor wafer on the base so that the main body is supported by a support surface of the stage; and separating the main body and the rim by cutting an edge portion of the main body in a state in which the main body is supported by the stage. The setting the semiconductor wafer on the base includes setting the semiconductor wafer on the base so that the main body is supported by the stage in a state in which the projection is separated from a head surface of the outer portion of the base.
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p.ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
In the present invention, an output terminal is connected to a power supply voltage application end through a pull-up resistor. An output transistor is provided between the output terminal and ground. A capacitor is connected between the gate of the output transistor and the output terminal. A charge-discharge circuit charges or discharges the gate of the output transistor in accordance with an input signal, turns on or off the output transistor accordingly, to thereby generate an output signal, corresponding to the input signal, at the output terminal. When switching on and off the output transistor, the charge-discharge circuit variably sets the values of charging current and discharging current for the gate of the output transistor.
In the present invention, an output terminal is connected to a power supply voltage application end through a pull-up resistor and a backflow prevention diode. An output transistor is provided between the output terminal and ground. A capacitor is connected between the gate of the output transistor and the output terminal. A charge-discharge circuit charges or discharges the gate of the output transistor in accordance with an input signal, turns on or off the output transistor accordingly, to thereby generate an output signal, corresponding to the input signal, at the output terminal. The charge-discharge circuit sets charging current and discharging current, which are to be applied to the gate of the output transistor, to adjustment target current, and changes the adjustment target current non-linearly in accordance with the power supply voltage.
In the present invention, an output terminal is connected, through a pull-up resistor and a backward flow prevention diode, to an end to which power supply voltage is applied. An output transistor is provided between the output terminal and a ground. A capacitor is connected between a gate of the output transistor and the output terminal. A charging and discharging circuit causes the output transistor to be turned on and off by charging and discharging the gate of the output transistor in a first level period and a second level period for a control input signal, to thus generate, in the output terminal, an output signal corresponding to the input signal. A signal generation circuit causes a level change to occur for the control input signal upon a level change in the original input signal. When doing so, the width in which the control input signal has a second level is adjusted in accordance with the power supply voltage.
This abnormality detection circuit is configured so as to detect abnormality of a first half bridge including a first switching element and a second switching element. The abnormality detection circuit includes: a series circuit of a first switch and a first resistor provided between a first node which is a connection node for the first switching element and the second switching element and a second node configured so as to have a first constant voltage applied thereto; and a first comparator configured so as to compare a first reference voltage and a voltage corresponding to the voltage of the first node.
This DC/DC converter comprises: a pair of first terminals; a pair of second terminals; a primary side circuit; a secondary side circuit; a first capacitor; and a second capacitor. The primary side circuit comprises a first semiconductor switching element and a first reactor. The secondary side circuit comprises: at least one of a diode and a second semiconductor switching element; and a second reactor. The primary side circuit is provided between: the pair of first terminals; and the first capacitor and the second capacitor. The secondary side circuit is provided between: the first capacitor and the second capacitor; and the pair of second terminals.
H02M 3/28 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
This semiconductor device (10) is provided with: a semiconductor layer (12); a cell trench (14) which is formed in the shape of a mesh in the semiconductor layer (12), while comprising a plurality of first trenches (24) that extend in a first direction when viewed in plan and a plurality of second trenches (26) that extend in a second direction that intersects with the first direction when viewed in plan so that the plurality of first trenches (24) and the plurality of second trenches (26) intersect with and in communication with each other; an insulating layer (16) which is formed on the semiconductor layer (12); a plurality of gate electrodes (28) which are respectively buried in the plurality of first trenches (24) by the intermediary of the insulating layer (16), while extending in the first direction; and a plurality of field plate electrodes (30) which are respectively buried in the plurality of second trenches (26) by the intermediary of the insulating layer (16), while extending in the second direction.
Provided is a semiconductor device including: a gate electrode embedded in a gate trench; a surface insulating layer that is formed on a first principal surface and that has a contact hole; a covering insulating layer that covers the gate electrode in the gate trench and that insulates the gate electrode from a contact electrode; and an embedded body that is embedded in a region on the covering insulating layer in the gate trench and that has etching selectivity with respect to the surface insulating layer.
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 29/12 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
This semiconductor device comprises: a chip having a first main surface on one side and a second main surface on the other side; a first terminal that is disposed on the first main surface; a second terminal that is disposed on the second main surface; and a protection circuit that includes a protection transistor formed on the first main surface so as to be electrically interposed between the first terminal and the second terminal, and that forms a discharge path for overvoltage generated between the first terminal and the second terminal. The protection transistor includes a plurality of trench gate structures each having an upper electrode and a lower electrode buried in the vertical direction sandwiching an insulator inside a trench formed in the first main surface.
A gate drive circuit for a switching circuit including high-side and low-side transistors which are GaN-HEMTs (High Electron Mobility Transistors), includes: a high-side driver driving the high-side transistor; and a low-side driver driving the low-side transistor, wherein the low-side driver is configured to be capable of applying 0 V, a high-level voltage higher than a gate threshold voltage of the low-side transistor, and a bias voltage lower than the gate threshold voltage between a gate and a source of the low-side transistor, and the low-side driver is configured to apply the bias voltage between the gate and the source of the low-side transistor during a dead time inserted during transition from a high-level output state where the high-side transistor is turned on and the low-side transistor is turned off to a low-level output state where the high-side transistor is turned off and the low-side transistor is turned on.
H03K 17/10 - Modifications pour augmenter la tension commutée maximale admissible
H03K 17/06 - Modifications pour assurer un état complètement conducteur
H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
A semiconductor device includes a semiconductor substrate, a transistor formed on the semiconductor substrate, an insulation layer arranged on the semiconductor substrate, a source pad formed on a head surface of the insulation layer and electrically connected to the source electrode, a drain pad formed on the head surface of the insulation layer and electrically connected to the drain electrode, a gate pad formed on the head surface of the insulation layer and connected to the gate electrode, a specified pad formed on the head surface of the insulation layer, and a capacitor. The capacitor includes a source-side electrode, electrically connected to the source electrode, and a specified electrode, electrically connected to the specified pad and arranged facing the source-side electrode.
H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
H01L 23/29 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par le matériau
H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/94 - Dispositifs à métal-isolant-semi-conducteur, p.ex. MOS
56.
VARIABLE RESISTOR CIRCUIT, RESISTOR VOLTAGE DIVIDER CIRCUIT, DIFFERENTIAL AMPLIFIER, AND MOTOR DRIVER
A variable resistor circuit is configured to change its resistance value based on the resistance value change ratio given by (Δ/RA)×100% in each resistor unit circuit, where A represents the resistance value change in each resistor unit circuit between a first combined resistance value of that resistor unit circuit including at least the resistance value of the resistor unit circuit with a MOS switch off and a second combined resistance value of the resistor unit circuit including at least the resistance value of the resistor unit circuit with the MOS switch on, and RA represents the sum of the total combined resistance values of the plurality of resistor unit circuits with the MOS switches in all the resistor unit circuits off and the resistance value of the third resistor.
H03F 1/02 - Modifications des amplificateurs pour augmenter leur rendement, p.ex. étages classe A à pente glissante, utilisation d'une oscillation auxiliaire
H03F 1/34 - Circuits à contre-réaction avec ou sans réaction
57.
LED DRIVING DEVICE, LED LIGHT SOURCE DEVICE, AND VEHICLE ONBOARD DISPLAY DEVICE
An LED driving device (30) includes: a plurality of LED terminals (LED1 to LED6 terminals) to have connected to them the cathodes of LEDs (41 to 46) in a plurality of channels; a lowest voltage input terminal (MINSELIN); a lowest voltage output terminal (MINSELOUT); and a selector (10). When the lowest voltage input terminal is used, the selector selects the lowest among the voltages at the plurality of LED terminals and the voltage at the lowest voltage input terminal, to output the lowest voltage from the lowest voltage output terminal; when the lowest voltage input terminal is not used, the selector selects the lowest among the voltages at the plurality of LED terminals, to output the lowest voltage from the lowest voltage output terminal.
A driving device includes an output terminal to output a first control signal, and input terminals configured to be connected respectively with a corresponding terminal of light emitting elements driven by a voltage generated based on the first control signal. A constant-current driver is connected to each of the input terminals, and a control portion is configured to generate a pulse signal based on a signal which is input from the input terminals. An open detection portion is connected with each of the input terminals and configured to determine a connection state of the light emitting elements based on a signal that is input into the input terminals. A current set terminal is configured to be connected to a first resistor, and an over voltage protection circuit is configured to be coupled to a potential between a second resistor and a third resistor. The driving device is configured such that a second control signal is provided based on a resistance of the first resistor, and current of the constant-current driver is decided based on the second control signal, and an output signal from the over voltage protection circuit is provided to the control portion.
H02M 3/156 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation
G05F 3/08 - Régulation de la tension ou du courant là où la tension ou le courant sont continus
A transducer includes: a substrate including a main surface and a back surface facing the main surface; a plurality of vibrating films formed in the substrate at a predetermined thickness between the main surface and a plurality of recesses formed in the back surface of the substrate such that the main surface can vibrate in the thickness direction of the substrate; and a plurality of driving layers laminated on the plurality of vibrating films, each being constituted by a pair of electrode layers of a lower electrode layer and an upper electrode layer with a piezoelectric layer therebetween and being disposed on the main surface, in which the plurality of vibrating films include vibrating films arranged at predetermined intervals in each of at least two directions in a plane of the main surface, and the transducer generate sufficient sound volume because the transducer is used as a speaker.
H10N 39/00 - Dispositifs intégrés, ou ensembles de plusieurs dispositifs, comportant au moins un élément piézo-électrique, électrostrictif ou magnétostrictif couvert par les groupes
A semiconductor device includes a semiconductor element, a first lead electrically connected to the semiconductor element, a sealing resin that covers the semiconductor element and a part of the first lead, and a recess formed in a surface flush with a back surface of the sealing resin. The sealing resin also has a front surface opposite to the back surface in a thickness direction, and a side surface connecting the front surface and the back surface to each other. The recess is formed, in part, by a part of the first lead that is exposed from the back surface of the sealing resin. The recess has an outer edge that forms a closed shape, as viewed in the thickness direction, within a region that includes the back surface of the sealing resin and the first lead.
A color sensing device (8) includes: a light source (6) that shines white light to a measurement target object (3); a color sensor (5) that receives the light reflected from the measurement target object to output an R (red) component sensed value, a G (green) component sensed value, and a B (blue) component sensed value each with a first predetermined number of bits; and a converter (7) that converts the R, G, and B component sensed values output from the color sensor respectively into sensed values each with a second predetermined number of bits smaller than the first predetermined number of bits based on the respective maximum values of R, G, and B component measured values measured in advance by a color sensor with respect to a plurality of kinds of measurement target objects.
G01N 21/25 - Couleur; Propriétés spectrales, c. à d. comparaison de l'effet du matériau sur la lumière pour plusieurs longueurs d'ondes ou plusieurs bandes de longueurs d'ondes différentes
62.
AMPLIFIER CIRCUIT, SWITCHING POWER SUPPLY CIRCUIT, AND SWITCHING POWER SUPPLY DEVICE
An amplifier circuit configured to generate an error voltage corresponding the difference between a target voltage and a reference voltage includes: a first differential input pair having a first transistor configured to receive the target voltage at its gate and a second transistor configured to receive the reference voltage at its gate; and a second differential input pair having a third transistor configured to receive the target voltage at its gate and a fourth transistor configured to receive the reference voltage at its gate. The amplifier circuit generates the error voltage based on the reference voltage by using the first or second differential input pair. The first and second transistors are formed as P-channel MOSFETs and the third and fourth transistors are formed as N-channel MOSFETs.
H02M 3/155 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
This device comprises a first semiconductor element, a second semiconductor element, a first conductive member, and a second conductive member. The first semiconductor element has a first drain electrode and a first source electrode that are positioned on one side in a first direction. The second semiconductor element has a second drain electrode and a second source electrode that are positioned on the one side in the first direction, the second semiconductor element being positioned adjacent to the first semiconductor element in a second direction that is orthogonal to the first direction. The first conductive member is joined to the first drain electrode and the second drain electrode in an electrically conductive manner. The second conductive member is joined to the first source electrode and the second source electrode in an electrically conductive manner. As seen in the first direction, each of the first conductive member and the second conductive member intersects a gap between the first semiconductor element and the second semiconductor element.
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 23/50 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes pour des dispositifs à circuit intégré
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
Provided is a semiconductor device comprising: a gate electrode layer embedded in a gate trench; a contact trench including a first intersecting region intersecting the gate trench; and an emitter contact electrode layer embedded in the contact trench. A gate electrode recess is formed in the first intersecting region and a peripheral portion to the first intersecting region of the gate trench. A gate-coating insulation layer is embedded in the gate electrode recess. The emitter region is formed deeper than the upper surface of the gate electrode layer in the peripheral portion to the first intersecting region.
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
H01L 29/41 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative
H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/49 - Electrodes du type métal-isolant-semi-conducteur
H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
This semiconductor device includes: a chip having a main surface; an output region provided on the main surface; a protective region provided on the main surface; an output transistor having a plurality of first trench gate structures formed on the main surface with a first interval in the output region; and a protective circuit that has a protective transistor including a plurality of second trench gate structures formed on the main surface with a second interval bigger than the first interval in the protective region, and forms an overvoltage discharge path.
A power supply semiconductor device includes: first and second external terminals connected to positive and negative electrodes of input capacitor via first and second external current paths, respectively; third and fourth external terminals connected to the positive and negative electrodes of the input capacitor via third and fourth external current paths, respectively; first and second transistors provided between the first and second external terminals; third and fourth transistors provided between the third external terminal and the fourth external terminal; switch terminal commonly connected to connection node between the first and second transistors and connection node between the third and fourth transistors; and drive control circuit performing switching control to alternately turn on and off a set of the first and third transistors and a set of the second and fourth transistors, thereby generating a switching voltage at the switch terminal based on voltage across the input capacitor.
H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
H02M 1/44 - Circuits ou dispositions pour corriger les interférences électromagnétiques dans les convertisseurs ou les onduleurs
An acceleration sensor system, includes: an acceleration sensor including an acceleration detection part and an offset detection part; and a processing part configured to process respective outputs of the acceleration detection part and the offset detection part, wherein the acceleration detection part includes a first electrode, a second electrode, and a third electrode provided between the first electrode and the second electrode, wherein one of each of the first and second electrodes and the third electrode is a fixed electrode while the other of each of the first and second electrodes and the third electrode is a movable electrode, wherein the offset detection part includes a fourth electrode, a fifth electrode, and a sixth electrode provided between the fourth electrode and the fifth electrode, and wherein the fourth electrode, the fifth electrode, and the sixth electrode are fixed electrodes.
G01P 15/125 - Mesure de l'accélération; Mesure de la décélération; Mesure des chocs, c. à d. d'une variation brusque de l'accélération en ayant recours aux forces d'inertie avec conversion en valeurs électriques ou magnétiques au moyen de capteurs à capacité
68.
SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
A semiconductor device includes a semiconductor layer, a Schottky electrode that is formed at a first surface of the semiconductor layer and that forms a Schottky junction Sj between the semiconductor layer and the Schottky electrode, and the Schottky electrode has a first portion that is selectively formed near the first surface of the semiconductor layer in a thickness direction of the Schottky electrode and that is made of Ti containing oxygen. The Schottky electrode may have a second portion that is formed on the first portion and that is made of Ti and N.
A semiconductor light emitting device includes a semiconductor laser element including a light emitting surface from which a laser beam is emitted and a light-transmissive resin member covering the light emitting surface of the semiconductor laser element. The semiconductor light emitting device further includes a diffusing agent mixed into the resin member.
A support stage includes a base portion, a support portion that is erected at a peripheral edge portion of the base portion and with which one surface of a wafer is to be come into contact, a suction groove that is provided at the support portion and to which a suction force with respect to the one surface is to be given, an ejecting hole that is provided in an inward portion of the base portion and by which a gas is to be ejected toward the one surface, and an exhaust hole that is provided in at least either one of the base portion and the support portion and by which a gas is to be discharged from a space between the base portion, the support portion, and the one surface.
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
H01L 21/04 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
H01L 21/304 - Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
Connection terminals, corresponding to a plurality of channels, are configured to be connectable to light-emitting units so that driving currents can be supplied to the light-emitting units via the connection terminals individually for each channel. During a non-supply period of the driving currents to the light-emitting units, a sensing process is executed to sense a particular fault. The sensing process includes a first comparison process whereby, with a pull-up current fed toward one of two connection terminals, the voltage at the other connection terminal is compared with a judgment voltage and a second comparison process whereby, with a pull-up current fed toward the other of the two connection terminals, the voltage at the one connection terminal is compared with the judgment voltage.
G09G 3/32 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED]
G09G 3/00 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques
A semiconductor device includes a first conductive plate, a second conductive plate, first switching elements, second switching elements, a first supply terminal and a second supply terminal. The first and second conductive plates are spaced apart from each other in a first direction. The first switching elements are bonded to the first conductive plate, and are electrically connected to the second conductive plate. The second switching elements are bonded to the second conductive plate. The first supply terminal is bonded to the first conductive plate. The second supply terminal has a region that overlaps with the first supply terminal as viewed in a plan view. The second supply terminal is spaced apart from the first conductive plate and the first supply terminal in a thickness direction perpendicular to the first direction. The second supply terminal is electrically connected to the second switching elements.
A power module apparatus includes a power module having a package configured to seal a perimeter of a semiconductor device, and a heat radiator bonded to one surface of the package; a cooling device having a coolant passage through which coolant water flows, in which the heat radiator is attached to an opening provided on a way of the coolant passage, wherein the heat radiator of the power module is attached to the opening of the cooling device so that a height (ha) and a height (hb) are substantially identical to each other. The power module in which the heat radiator is attached to the opening formed at the upper surface portion of the cooling device can also be efficiently cooled, and thereby it becomes possible to reduce degradation due to overheating.
H01L 23/473 - Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température impliquant le transfert de chaleur par des fluides en circulation par une circulation de liquides
B60K 1/00 - Agencement ou montage des ensembles de propulsion électriques
B60K 11/02 - Dispositions des ensembles de propulsion relatives au refroidissement avec liquide de refroidissement
F28F 3/02 - Eléments ou leurs ensembles avec moyens pour augmenter la surface de transfert de chaleur, p.ex. avec des ailettes, avec des évidements, avec des ondulations
F28F 3/04 - Eléments ou leurs ensembles avec moyens pour augmenter la surface de transfert de chaleur, p.ex. avec des ailettes, avec des évidements, avec des ondulations les moyens faisant partie intégrante de l'élément
H01L 23/10 - Conteneurs; Scellements caractérisés par le matériau ou par la disposition des scellements entre les parties, p.ex. entre le couvercle et la base ou entre les connexions et les parois du conteneur
H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
H02M 7/00 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu; Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif
H05K 7/20 - Modifications en vue de faciliter la réfrigération, l'aération ou le chauffage
A switch drive device 100 comprises: an upper driver 110H that switches an upper switch of a power circuit 200 on/off by receiving input of an upper control signal HS and outputting a upper drive signal HG; a lower driver 110L that switches a lower switch of the power circuit 200 on/off by receiving input of a lower control signal LS and outputting a lower drive signal LG; a first detection circuit 120L that detects falling of a switch voltage which appears at a connection node between the upper switch and the lower switch after the upper control signal HS has been switched to an off logic level (for example, a low level) and that generates a first detection signal S16; and a first control circuit 130L that switches the lower control signal LS to an on logic level (for example, a high level) after at least a first delay time has elapsed, using the first detection signal S16 as a trigger.
H02M 1/38 - Moyens pour empêcher la conduction simultanée de commutateurs
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
H02M 7/48 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
H03K 17/16 - Modifications pour éliminer les tensions ou courants parasites
H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
75.
SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
This semiconductor device comprises a semiconductor element, a conductive member, a conductive joining layer, and a first positioning member. The semiconductor element has a first primary surface electrode. The conductive joining layer conductively joins the first primary surface electrode and the conductive member. The first positioning member is disposed between the first primary surface electrode and the conductive member and is in contact with the first primary surface electrode and the conductive member. In one example, the first positioning member is in contact with the conductive joining layer. In one example, the first positioning member contains a metal as a main component.
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
09 - Appareils et instruments scientifiques et électriques
Produits et services
semiconductor testing apparatus; semiconductor inspection apparatus; semiconductor memory inspection apparatus; electronic publications; semiconductors; semiconductor elements; electronic circuits; integrated circuits; large scale integrated circuits; integrated circuit chips; semiconductor devices; semiconductor chips; semiconductor modules; recorded media with integrated circuits and semiconductor memory programs; integrated circuit substrates with microcontrollers for the design and development of integrated circuits; computer programs for the design and development of integrated circuits; emulators for the design and development of integrated circuits; microcontrollers for the design and development of integrated circuits; software drivers for integrated circuits; computer software; computer programs; computer programs, recorded; computer programs, downloadable; computer operating programs, recorded; personal digital assistants; telecommunication machines and apparatus; sensors; semiconductor sensors.
09 - Appareils et instruments scientifiques et électriques
Produits et services
Semiconductor testing apparatus; semiconductor inspection devices; semiconductor memory inspection devices; downloadable electronic publications in the nature of books, magazines and brochures in the field of electronics including electronic components, semiconductor elements, integrated circuits; semiconductors; semiconductor elements; electronic circuits; integrated circuits; large scale integrated circuits; integrated circuit chips; semiconductor devices; semiconductor chips; semiconductor modules; recorded magnetic and optical media with integrated circuits and semiconductor memory programs; integrated circuit substrates with microcontrollers and computer programs, emulators and microcontrollers for use with designing and development of integrated circuits; downloadable computer operating software for integrated circuits; computer software; computer software, recorded; computer software applications, downloadable; computer programs; computer programs, recorded; computer programs, downloadable; computer operating programs, recorded; personal digital assistants; telecommunication machines and apparatus; semiconductor sensors
09 - Appareils et instruments scientifiques et électriques
Produits et services
semiconductor testing apparatus; semiconductor inspection apparatus; semiconductor memory inspection apparatus; electronic publications; semiconductors; semiconductor elements; electronic circuits; integrated circuits; large scale integrated circuits; integrated circuit chips; semiconductor devices; semiconductor chips; semiconductor modules; recorded media with integrated circuits and semiconductor memory programs; integrated circuit substrates with microcontrollers for the design and development of integrated circuits; computer programs for the design and development of integrated circuits; emulators for the design and development of integrated circuits; microcontrollers for the design and development of integrated circuits; software drivers for integrated circuits; computer software; computer programs; computer programs, recorded; computer programs, downloadable; computer operating programs, recorded; personal digital assistants; telecommunication machines and apparatus; sensors; semiconductor sensors.
09 - Appareils et instruments scientifiques et électriques
Produits et services
Semiconductor testing apparatus; semiconductor inspection devices; semiconductor memory inspection devices; downloadable electronic publications in the nature of books, magazines and brochures in the field of electronics including electronic components, semiconductor elements, integrated circuits; semiconductors; semiconductor elements; electronic circuits; integrated circuits; large scale integrated circuits; integrated circuit chips; semiconductor devices; semiconductor chips; semiconductor modules; recorded magnetic and optical media with integrated circuits and semiconductor memory programs; integrated circuit substrates with microcontrollers and computer programs, emulators and microcontrollers for use with designing and development of integrated circuits; downloadable computer operating software for integrated circuits; computer software; computer software, recorded; computer software applications, downloadable; computer programs; computer programs, recorded; computer programs, downloadable; computer operating programs, recorded; personal digital assistants; telecommunication machines and apparatus; semiconductor sensors
The present disclosure provides a driving circuit. The driving circuit includes a first transistor, a second transistor and a controller. The first transistor and the second transistor are configured to be connected in parallel between a control end of a transistor to be driven (i.e., an application end of an upper gate signal) and an application end of an on-voltage. The controller is configured to turn on the first transistor at the beginning of an on-transition period of the transistor to be driven and turn on the second transistor in the middle of the period.
H02M 1/088 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques pour la commande simultanée de dispositifs à semi-conducteurs connectés en série ou en parallèle
H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
84.
SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
A semiconductor device includes an interlayer insulating film, and a wiring of an uppermost layer arranged on the interlayer insulating film, wherein the wiring includes a seed layer arranged on the interlayer insulating film and a wiring body portion arranged on the seed layer, wherein a constituent material of the wiring body portion is copper or a copper alloy, and wherein a trench is formed in an upper surface of the interlayer insulating film along an outer edge of the interlayer insulating film in a plan view.
H01L 23/522 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
H01L 21/784 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs qui consistent chacun en un seul élément de circuit le substrat étant un corps semi-conducteur
H01L 23/528 - Configuration de la structure d'interconnexion
H01L 23/532 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées caractérisées par les matériaux
A signal transmission device provided with an insulated chip. The insulated chip includes: an element insulating layer; and a first insulated element and a second insulated element which are provided in the element insulating layer. The first insulated element includes a first front-surface-side electrically conductive portion and a first back-surface-side electrically conductive portion. The second insulated element includes a second front-surface-side electrically conductive portion and a second back-surface-side electrically conductive portion. The first back-surface-side electrically conductive portion and the second back-surface-side electrically conductive portion are electrically connected to each other. The first front-surface-side electrically conductive portion is electrically connected to a primary-side circuit via the first pad. The second front-surface-side electrically conductive portion is electrically connected to a secondary-side circuit via the second pad.
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
H01L 27/01 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant uniquement des éléments à film mince ou à film épais formés sur un substrat isolant commun
A semiconductor device includes a first semiconductor element, a first object, a sealing resin and a covering part. The first semiconductor element includes a first electrode. The first object includes a first surface facing the first electrode. The sealing resin covers the first semiconductor element and the first object. The covering part is interposed between the first electrode and the first surface and contains a material having a higher thermal conductivity than the sealing resin.
H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes
H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
A package includes: a first portion having defined therein a mounting region in which an electronic component is mounted; and a second portion connected to the first portion. An area of the second portion is larger than an area of the first portion in plain view viewed from the direction normal to a surface through which the first portion and the second portion are connected.
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 23/367 - Refroidissement facilité par la forme du dispositif
H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des groupes principaux , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. circuit hybrides
This semiconductor device comprises: a first switching element having a first main surface facing one side in a thickness direction; a wiring layer disposed on the one side in the thickness direction with respect to the first switching element; and a second switching element disposed on the one side in the thickness direction with respect to the wiring layer. The first switching element includes a first electrode, a second electrode, and a third electrode that are each formed on the first main surface. The second switching element overlaps the first switching element when viewed in the thickness direction. The second switching element is in electrical communication with the first switching element via the wiring layer.
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
An SiC semiconductor device includes an SiC semiconductor chip that has a main surface, an n-type drift region that is formed in a surface layer portion of the main surface and has an impurity concentration adjusted by at least two types of pentavalent elements, and a p-type impurity region that is formed inside the drift region such as to form a pn-junction portion with the drift region.
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 21/04 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
A semiconductor device, includes: a substrate having an obverse surface facing in a thickness direction; a first lead having a loading surface facing a side same as a side the obverse surface faces as to the thickness direction and being fixed on the obverse surface; and a first semiconductor element arranged on the loading surface. A dimension of the substrate in a first direction orthogonal to the thickness direction is larger than a dimension of the substrate in a second direction orthogonal to the thickness direction and the first direction. The first lead includes a first region overlapped with the first semiconductor element as viewed in the thickness direction and a second region separated from the first semiconductor element as viewed in the thickness direction, and at least a part of the second region extends along the second direction.
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
An output voltage is stabilized at a predetermined target voltage by using a charge pump circuit. A first voltage divider that is arranged between an output line to which the output voltage is applied and a feedback line and that generates a first division voltage commensurate with the output voltage and a second voltage divider arranged between the feedback line and the ground and that generates a second division voltage commensurate with the output voltage are provided to generate on the feedback line, as a feedback voltage, a voltage lower than the output voltage by the first division voltage. The second voltage divider includes an N-type particular transistor whose gate receives a reference voltage and whose drain is connected to the feedback line.
H02M 3/07 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des résistances ou des capacités, p.ex. diviseur de tension utilisant des capacités chargées et déchargées alternativement par des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
A semiconductor device includes: a substrate including a main surface; a semiconductor element; a connection material; a first bonding wire; and a second bonding wire, wherein the substrate includes a conductor layer on the main surface, the main surface includes a first and second regions, the conductor layer includes a first pattern in the first region and a second pattern in the second region, one and the other ends of the second bonding wire are respectively connected to the semiconductor element and the second pattern, a recess is formed in the first region and includes a first end and a second end which is opposite the first end and is closer to the second region than the first end in the first direction, and the first end is between the semiconductor element and the other end of the first bonding wire in the first direction.
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
A level shift circuit includes a low voltage side circuit arranged to receive an input signal, and a high voltage side circuit arranged to output an output signal obtained by level shifting the input signal. The low voltage side circuit includes a switching transistor arranged to switch between on state and off state according to level of the input signal, and a capacitor connected in a path where current flows from the high voltage side circuit via the switching transistor. When the switching transistor switches to on state, rush current is generated, which is a transitional large current flowing through the path by the capacitor, so that level of the output signal is switched.
The present disclosure provides a differential input circuit. The differential input circuit includes: a P-channel FET differential input pair; an N-channel FET differential input pair; a first power line configured to receive a first voltage; a second power line configured to receive a second voltage lower than the first voltage; a first P-channel FET; a constant current source (CS1) disposed between the first power supply line and the P-channel FET differential input pair as well as the first P-channel FET; a current mirror circuit disposed between the first P-channel FET as well as the N-channel FET differential input pair and the second power supply line; and a logic circuit configured to supply a binarized logic signal to a gate of the first P-channel FET.
The present disclosure provides a semiconductor device, including an encapsulation body, a first transistor and a second transistor. The first transistor includes a control electrode, a first terminal and a second terminal, and the first transistor is configured to allow a current to flow from the first terminal to the second terminal under the control of a potential at the control electrode of the first transistor. A first electrode of the second transistor is electrically coupled to the control electrode of the first transistor, and a second electrode of the second transistor is electrically coupled to the second terminal of the first transistor. The first transistor and the second transistor are encapsulated by the same encapsulation body, the control electrode of the first transistor is electrically coupled to a first control electrode pin, and the control electrode of the second transistor is electrically coupled to a second control electrode pin. According to the present disclosure, it is able to ensure a better clamping effect and simplify the wiring.
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
A detection device including: a laser sensor provided between a supply unit that supplies an inspection object and an inspection unit that inspects the inspection object; and a measurement unit that measures a state of the inspection object by using the laser sensor with respect to the inspection object moving along a transport direction from the supply unit toward the inspection unit.
G01B 11/27 - Dispositions pour la mesure caractérisées par l'utilisation de techniques optiques pour tester l'alignement des axes pour tester l'alignement des axes
In the present invention, a transformer chip includes: an insulating body that is provided on a substrate; an isolation transformer; a first connection electrode and a second connection electrode; a first capacitor; a second capacitor; and a connection portion. The isolation transformer has a first transformer that includes a first coil and a second coil that are arranged with a first insulating layer of the insulating body interposed therebetween, and a second transformer that includes a third coil and a fourth coil that are arranged with the first insulating layer interposed therebetween. The first connection electrode and the second connection electrode are electrically connected to the isolation transformer. The first capacitor is electrically connected to the first connection electrode. The second capacitor is electrically connected to the second connection electrode. The connection portion electrically connects the first capacitor and the second capacitor to the substrate.
H01F 19/04 - Transformateurs ou inductances mutuelles appropriés au maniement des fréquences situées bien au-delà de la bande acoustique
H01F 17/00 - Inductances fixes du type pour signaux
H01F 27/00 - AIMANTS; INDUCTANCES; TRANSFORMATEURS; EMPLOI DE MATÉRIAUX SPÉCIFIÉS POUR LEURS PROPRIÉTÉS MAGNÉTIQUES - Détails de transformateurs ou d'inductances, en général
H01L 21/822 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
H01L 25/04 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
H01L 27/04 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur
98.
SUCCESSIVE-APPROXIMATION TYPE A/D CONVERSION CIRCUIT
A successive-approximation type A/D conversion circuit includes: a selection signal input terminal that receives a selection signal; a clock input terminal that receives a clock signal; a main circuit that generates digital data in synchronization with the clock signal during an active period; a data output terminal; a data output circuit that outputs the digital data as a serial signal from the data output terminal during the active period; and a level adjustment circuit. The data output circuit outputs the serial signal by setting a signal level of the data output terminal to a first level and setting the signal level to the first level or a second level during the active period. When the signal level has the second level at the time of switching from the active period to a non-active period, the level adjustment circuit changes the signal level from the second level to the first level.
An acceleration detecting portion that detects an acceleration in a predetermined direction and an offset detecting portion that detects an offset amount with respect to the acceleration detecting portion are included. The offset detecting portion includes a second semiconductor substrate with a second cavity formed in its interior, a second fixed structure including a second fixed electrode that is supported, in a state of floating with respect to the second cavity, by the second semiconductor substrate, a second movable structure including a second movable electrode that is supported, in a state of floating with respect to the second cavity, by the second semiconductor substrate, and a disabling structure that disables a function of the second movable electrode displacing with respect to the second fixed electrode.
G01P 15/125 - Mesure de l'accélération; Mesure de la décélération; Mesure des chocs, c. à d. d'une variation brusque de l'accélération en ayant recours aux forces d'inertie avec conversion en valeurs électriques ou magnétiques au moyen de capteurs à capacité
G01P 15/18 - Mesure de l'accélération; Mesure de la décélération; Mesure des chocs, c. à d. d'une variation brusque de l'accélération dans plusieurs dimensions
A sensor element has a first and a second variable capacitor whose respective capacitance values vary in mutually opposite directions according to acceleration. A drive circuit modulates a first drive signal, to be fed to the sensor element to sense the acceleration, with a second drive signal having a predetermined modulation frequency and feeds the sensor element with a signal containing components corresponding to the first and second drive signals respectively. A sense signal generation circuit generates a sense signal according to the difference between the capacitance values of the first and second variable capacitors. An acceleration signal generation circuit generates an acceleration signal by subjecting the sense signal to low-pass filtering. A modulated component extraction circuit generates a modulated component extraction signal by extracting a signal component of the modulation frequency from the sense signal.
G01P 15/125 - Mesure de l'accélération; Mesure de la décélération; Mesure des chocs, c. à d. d'une variation brusque de l'accélération en ayant recours aux forces d'inertie avec conversion en valeurs électriques ou magnétiques au moyen de capteurs à capacité
G01P 15/08 - Mesure de l'accélération; Mesure de la décélération; Mesure des chocs, c. à d. d'une variation brusque de l'accélération en ayant recours aux forces d'inertie avec conversion en valeurs électriques ou magnétiques