A semiconductor device includes a semiconductor element circuit, a conductive support and a sealing resin. The conductive support includes a die pad, first terminals spaced in a first direction, second terminals spaced in the first direction and opposite to the first terminals in a second direction perpendicular to the first direction, and a support terminal connected to the die pad. The sealing resin encapsulates portions of the first and second terminals, a portion of the support terminal, the semiconductor element circuit and the die pad. The sealing resin has two first side surfaces spaced apart in the second direction and two second side surfaces spaced apart in the first direction. The first terminals and second terminals are exposed from the first side surfaces, while none of the elements of the conductive support is exposed from the second side surfaces.
H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes
A semiconductor device A1 includes a semiconductor element 10A having an element obverse face 101 and an element reverse face 102, the element obverse face 101 having an obverse face electrode 11 formed thereon and the element reverse face 102 having a reverse face electrode 12 formed thereon, a conductive substrate 22A including an obverse face 221A opposed to the element reverse face 102, and to which the reverse face electrode 12 is conductively bonded, a conductive substrate 22B including an obverse face 221B and spaced from the conductive substrate 22A in a width direction x, and a lead member 51 extending in the width direction x, and electrically connecting the obverse face electrode 11 and the conductive substrate 22B. The lead member 51 is located ahead of the obverse face 221B in the direction in which the obverse face 221B is oriented, and bonded to the obverse face electrode 11 via a lead bonding layer 32. The conductive substrate 22A, the semiconductor element 10A, and the lead bonding layer 32 overlap with the conductive substrate 22B, as viewed in the width direction x.
H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
A semiconductor device includes a lead, a semiconductor element, and a sealing resin. The lead includes an island portion having an obverse surface and a reverse surface facing opposite sides in a thickness direction. The semiconductor element is mounted on the obverse surface of the island portion. The sealing resin covers the semiconductor element and the island portion. The sealing resin has a first portion and a second portion that overlaps with the island portion as viewed in the thickness direction. The sealing resin is configured such that the infrared transmittance of the second portion is higher than that of the first portion.
H01L 23/367 - Refroidissement facilité par la forme du dispositif
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des groupes principaux , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. circuit hybrides
A non-volatile memory device (1) comprises: a memory element (82) that can carry out a program operation by trapping an electric charge in a sidewall; and a switch (12) that is for expanding a voltage between a drain and a source of the memory element during the program operation with the same polarity as that during a reading operation.
A non-volatile memory device (1) comprises: a first current mirror (8) which has a reference element (81) that is configured as a memory element capable of executing a program operation and a data element (82) that is configured as the memory element and is subject to a program operation; a reference current generation unit (61) that is connected to the data element and is configured to be capable of generating a reference current (I4); and a storage circuit (15) that has the data element and the reference current generation unit. In the storage circuit, data is readable on the basis of the relationship between the level of the current (I3) that flows through the data element and the level of the reference current.
This semiconductor device comprises a semiconductor substrate of a first conductivity type, a semiconductor layer of the first conductivity type, a first electrode, a second electrode, a first trench, a second trench, an insulating layer, a third electrode, and a well region of a second conductivity type. The well region includes a first region that is adjacent to the first trench, a second region that is adjacent to the second trench, and a third region that is located between the first region and the second region in a second direction. The impurity concentration of the first region and the impurity concentration of the second region are both lower than the impurity concentration of the third region.
This semiconductor device comprises: a semiconductor element having a plurality of electrodes; a first lead having a first pad portion and a first terminal portion, a second lead having a second pad portion and a second terminal; a plurality of wires; and a sealing resin. The plurality of wires are individually conductively joined to the plurality of electrodes, the first pad portion and the first terminal portion. The length of a straight line connecting the center of the first pad portion and the center of the second pad portion when viewed in a third direction is defined as a first section length. The length of a straight line connecting the center of the first terminal portion and the center of the second terminal portion 322 when viewed in the third direction is defined as a second section length. The second section length is different than the first section length.
H01L 23/50 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes pour des dispositifs à circuit intégré
H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
8.
SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND MOUNTING STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE
This semiconductor light-emitting device comprises a substrate and a semiconductor light-emitting element. The substrate has a base and a wiring part. The base has a first surface and a second surface facing opposite each other in the thickness direction, and a third surface positioned between the first surface and the second surface and facing one side in a first direction orthogonal to the thickness direction. The semiconductor light-emitting element is supported on the first surface. The wiring part includes a first mounting part that is disposed on the first surface and is used for mounting, a second mounting part that is disposed on the second surface and is used for mounting, and a third mounting part that is exposed from the third surface and is used for mounting.
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
This semiconductor light-emitting device comprises: a semiconductor light-emitting element; an electrical-connection support member supporting the semiconductor light-emitting element; and a first resin section covering the semiconductor light-emitting element. The first resin section includes, for example, a light transmissive resin material and a light absorbent powder. The electrical-connection member has, for example, a base material and a wiring section. The base material has a base material main surface that faces one way in a thickness direction. The semiconductor light-emitting element is mounted on the base material main surface. The wiring section is electrically connected to the semiconductor light-emitting element.
H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique
This semiconductor device (10) includes first and second gate portions (24A, 24B) formed of a semiconductor layer containing acceptor-type impurities. First and second gate electrodes (26A, 26B) are disposed on portions of the first and second gate portions (24A, 24B), respectively. The upper surface (24AS1) of the first gate portion (24A) includes a first side space portion (24AL1) having a length L1 near a source electrode (22) and a second side space portion (24AL2) having a length L2 near a first drain electrode (28A). The upper surface (24BS1) of the second gate portion (24B) includes a third side space portion (24BL1) having a length L3 near the source electrode (22) and a fourth side space portion (24BL2) having a length L4 near a second drain electrode (28B). The lengths L1 and L2 satisfy the relationship L1 > L2, and the lengths L3 and L4 satisfy the relationship L3 > L4.
H01L 29/812 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une jonction PN ou une autre jonction redresseuse à grille Schottky
H01L 21/28 - Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes
H01L 21/337 - Transistors à effet de champ à jonction PN
H01L 21/338 - Transistors à effet de champ à grille Schottky
H01L 29/41 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative
H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
H01L 29/808 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une jonction PN ou une autre jonction redresseuse à jonction PN
11.
SWITCHING POWER SUPPLY, AND CONTROL CIRCUIT AND CONTROL METHOD THEREFOR
A control circuit 200 controls a switching power supply 100 that includes a switching transistor M1. A first switching detection pin TD1N is connected to a first node N1 in the switching power supply 100, and a second switching detection pin TD1P is connected to a second node N2 in the switching power supply 100. A time digital converter 210 generates a digital value Dtd indicating a time interval td between an observed edge of a first switching voltage Vs1 generated in the first switching detection pin TD1N and an observed edge of a second switching voltage Vs2 generated in the second switching detection pin TD1P. A DSP 220 generates a control pulse PWM instructing ON and OFF of the switching transistor M1 on the basis of at least the digital value Dtd.
H02M 3/28 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire
12.
AUDIO AMPLIFIER CIRCUIT AND IN-VEHICLE ELECTRONIC DEVICE
This semiconductor device comprises a substrate, a first semiconductor element, and wiring. The substrate has a main surface and a reverse surface facing mutually opposite sides in a first direction. The first semiconductor element has a first electrode and a second electrode. The wiring includes a portion positioned between the substrate and the first and second electrodes. The first and second electrodes are electroconductively joined to the wiring. A recess that is recessed from the main surface is provided on the substrate, and the wiring is accommodated in the recess. The wiring has an exposed surface that is flush with the main surface. The surface roughness of the exposed surface is lower than the surface roughness of the reverse surface.
A control circuit provided in this semiconductor device receives an input data signal synchronously with a clock signal, in a selection period in which a selection signal has a predetermined level, and performs a corresponding operation in accordance with the input data signal during the selection period or after the selection period. The control circuit holds an error flag indicating whether a specific error has occurred, outputs a response signal corresponding to the input data signal from a data output terminal in a portion of the selection period, and outputs an error flag signal corresponding to a value of the error flag from the data output terminal in another portion of the selection period.
G06F 13/38 - Transfert d'informations, p.ex. sur un bus
H03K 17/695 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ à charges inductives
A semiconductor device (10) is provided with: a semiconductor layer (12); a gate trench (14) that is formed in the semiconductor layer (12) and arranged in a mesh shape in plan view; a field plate trench (42) that is formed in the semiconductor layer (12) and that is surrounded by the gate trench (14) and separated from the gate trench (14) in plan view; an insulating layer formed on the semiconductor layer (12); a gate electrode disposed in the gate trench (14); a first field plate electrode disposed below a bottom surface of the gate electrode in the gate trench (14); a second field plate electrode disposed in the field plate trench (42); and a source electrode formed on the insulating layer. The first field plate electrode and the second field plate electrode are electrically connected to the source electrode.
A cantilever is formed that includes: a vibrating membrane, a connection part connected to a support body being present in part of the outer circumferential edge of the vibrating membrane; and a portion of a piezoelectric element that is located on the vibrating membrane, the cantilever having a fixed end and a free end. Further included are: internal wiring that is electrically connected at one end to the piezoelectric element and has a pad part for external wiring connection at the other end; and a protective substrate that has a wall part formed so as to enclose the cantilever and is fixed to the support body, the wall part having a cut at a position corresponding to an intermediate point in the length of the connection part, the pad part being located to the connection part on the cut side.
H10N 30/057 - Fabrication de dispositifs piézo-électriques ou électrostrictifs multicouches ou de leurs parties constitutives, p.ex. en empilant des corps piézo-électriques et des électrodes par empilement de corps massifs piézo-électriques ou électrostrictifs et d’électrodes
H10N 30/063 - Formation d’interconnexions, p.ex. d’électrodes de connexion de parties piézo-électriques ou électrostrictives multicouches
H10N 30/20 - Dispositifs piézo-électriques ou électrostrictifs à entrée électrique et sortie mécanique, p.ex. fonctionnant comme actionneurs ou comme vibrateurs
H10N 30/50 - Dispositifs piézo-électriques ou électrostrictifs avec une structure empilée ou multicouche
H10N 30/85 - Matériaux actifs piézo-électriques ou électrostrictifs
This blood vessel determination device is provided with: an image acquisition unit which acquires an image captured upon the irradiation of a part of a body with near infrared light; a luminance value acquisition unit which acquires luminance values of a plurality of pixels constituting the image acquired by the image acquisition unit from the image; a calculation unit which calculates a corrected luminance value of one pixel among the plurality of pixels on the basis of a luminance value of a predetermined pixel in the vicinity of the one pixel which is acquired by the luminance value acquisition unit; and a determination unit which determines that a predetermined number of pixels selected in ascending order with respect to the corrected luminance values among the plurality of pixels constituting the image are blood vessels.
The semiconductor device of the present invention includes an insulating layer, a high voltage coil and a low voltage coil which are disposed in the insulating layer at an interval in the vertical direction, a low potential portion which is provided in a low voltage region disposed around a high voltage region for the high voltage coil in planar view and is connected with potential lower than the high voltage coil, and an electric field shield portion which is disposed between the high voltage coil and the low voltage region and includes an electrically floated metal member.
H01L 23/522 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
H01L 23/58 - Dispositions électriques structurelles non prévues ailleurs pour dispositifs semi-conducteurs
Provided is a MEMS sensor comprising a semiconductor substrate, a sensor portion formed on the semiconductor substrate, a pad portion formed on the semiconductor substrate, and a connection wire which is formed on the semiconductor substrate and connects the sensor portion and the pad portion to each other. The connection wire is a semiconductor wire formed of a semiconductor material.
G01L 9/00 - Mesure de la pression permanente, ou quasi permanente d’un fluide ou d’un matériau solide fluent par des éléments électriques ou magnétiques sensibles à la pression; Transmission ou indication par des moyens électriques ou magnétiques du déplacement des éléments mécaniques sensibles à la pression, utilisés pour mesurer la pression permanente ou quasi permanente d’un fluide ou d’un matériau solide fluent
B81B 3/00 - Dispositifs comportant des éléments flexibles ou déformables, p.ex. comportant des membranes ou des lamelles élastiques
H01L 29/84 - Types de dispositifs semi-conducteurs commandés par la variation d'une force mécanique appliquée, p.ex. d'une pression
This electronic device comprises: an electronic component; a sealing resin that covers the electronic component; a first lead that includes a first inner portion and a first outer portion; a second lead that includes a second inner portion and a second outer portion; and a wire that includes a bonding portion fixed to the first inner portion and a bonding portion fixed to the second inner portion. The first inner portion, except for a first boundary thereof with the first outer portion, is positioned inside the peripheral edge of the sealing resin when viewed in a thickness direction z. The second inner portion, except for a second boundary thereof with the second outer portion, is positioned inside the peripheral edge of the sealing resin when viewed in the thickness direction z. When viewed in the thickness direction z, the length of the wire is more than or equal to 25% of an average value of the distance from the first boundary to the bonding portion fixed to the first inner portion and the distance from the second boundary to the bonding portion fixed to the second inner portion.
H01L 23/50 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes pour des dispositifs à circuit intégré
A semiconductor device (1A) according to the present invention comprises: a chip (2) which has a main surface (3); a first inorganic film (27) which contains an insulator and covers the main surface; a second inorganic film (41) which contains an insulator and covers the first inorganic film; at least one through hole (55) which is formed in the second inorganic film; and an organic film (60) which covers the second inorganic film, while filling up the through hole.
H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
This semiconductor element comprises: a body having a main surface and a reverse surface facing mutually opposite sides in a first direction z; and a plurality of electrodes that are arranged on the main surface and conduct electricity to the body. The body has a first side surface facing a second direction x. The first side surface includes a first edge furthest from the reverse surface. The body has a second side surface that is connected to the first edge and positioned between the first side surface and the main surface in the first direction z. As viewed in the first direction z, the second side surface overlaps the reverse surface. The surface roughness of the first side surface is different from the surface roughness of the second side surface.
H01L 21/301 - Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour subdiviser un corps semi-conducteur en parties distinctes, p.ex. cloisonnement en zones séparées
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
This insulating chip comprises: a first unit; and a second unit disposed on the first unit. The first unit includes: a first element insulating layer having a first element rear surface and a first element front surface; a first insulating element embedded in the first element insulating layer; and a first connection electrode exposed from the first element rear surface. The second unit includes: a second element insulating layer having a second element rear surface and a second element front surface; a second insulating element disposed so as to face the first insulating element; and a second connection electrode exposed from the second element rear surface. The first unit and the second unit are arranged so that the first element rear surface and the second element rear surface are in contact with each other. The first connection electrode and the second connection electrode are electrically connected together.
H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01F 17/00 - Inductances fixes du type pour signaux
H01L 21/822 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
H01L 25/04 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
H01L 27/04 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur
A driving circuit controls driving of a switching element by outputting a driving signal to the switching element. The driving circuit includes an air-core transformer having a plurality of primary windings and a secondary winding magnetically coupled to each of the plurality of primary windings. An AC signal is input to each of the plurality of primary windings of the air-core transformer. The plurality of primary windings includes a first primary winding and a second primary winding. There is a phase difference between an AC signal input to the first primary winding and an AC signal input the second primary winding.
H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
A transducer includes a substrate containing silicon and a piezoelectric element disposed on the substrate. The substrate includes a film body including a first surface and a second surface facing in mutually opposite directions in a thickness direction of the substrate and a frame body surrounding the film body when the film body is viewed from the thickness direction. The piezoelectric element is disposed on the first surface of the film body. A part of an outer edge of the film body when viewed from the thickness direction forms a connection portion connected to the frame body, and a remaining part of the outer edge excluding the connection portion is separated from the frame body. The substrate includes a protrusion protruding in the thickness direction from a region including at least a part of the remaining part of the outer edge of the second surface.
This semiconductor device comprises: a semiconductor layer having a first surface and a second surface on the opposite side from the first surface; a bottom gate region of a first conductivity type formed in the semiconductor layer; and a top gate region formed in the surface portion of the first surface of the semiconductor region, the top gate region being opposed to the bottom gate region in the thickness direction of the semiconductor layer. The bottom gate region includes a first bottom gate region on a source region side, and a second bottom gate region on a drain region side. The gap between the second bottom gate region and the top gate region in the thickness direction is greater than the gap between the first bottom gate region and the top gate region in the thickness direction.
This transformer chip includes an element insulating layer and a high-voltage coil and a low-voltage coil embedded in the element insulating layer. The high-voltage coil includes a first end face facing the low-voltage coil side in the z-direction, a second end face opposite the first end face, and a first side face. The element insulating layer includes a third insulating layer, a second insulating layer laminated on the third insulating layer and having a higher relative dielectric constant than the third insulating layer, and a first insulating layer laminated on the second insulating layer and having a lower relative dielectric constant than the second insulating layer. The high-voltage coil is provided within the first insulating layer with the first end face in contact with the second insulating layer.
H01L 27/04 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur
H01F 17/00 - Inductances fixes du type pour signaux
H01F 19/04 - Transformateurs ou inductances mutuelles appropriés au maniement des fréquences situées bien au-delà de la bande acoustique
H01F 27/32 - Isolation des bobines, des enroulements, ou de leurs éléments
H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
H01L 21/822 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
H01L 23/532 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées caractérisées par les matériaux
H01L 25/04 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
This nitride semiconductor device comprises: an electron supply layer; a gate layer; a gate electrode; a passivation layer; a source electrode; a drain electrode; an active region; and an inactive region that is adjacent to the active region in a second direction orthogonal to a first direction in plan view. The gate layer includes a main gate part extending in the second direction in the active region, a subgate part extending in the second direction to be continuous with the main gate part in the inactive region, and a protruding part protruding from the subgate part toward a drain opening in the first direction.
H01L 29/808 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une jonction PN ou une autre jonction redresseuse à jonction PN
H01L 21/337 - Transistors à effet de champ à jonction PN
H01L 21/338 - Transistors à effet de champ à grille Schottky
H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
H01L 29/812 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une jonction PN ou une autre jonction redresseuse à grille Schottky
This semiconductor device includes: a semiconductor layer that has a surface; a source region and a drain region that are positioned on the surface, separated in a first direction, as viewed from the thickness direction which is perpendicular to the surface; a channel region that is formed on the surface, between the source region and the drain region, and is neighboring the source region; and a gate electrode that positioned on the channel region with a gate insulating film interposed therebetween. The semiconductor device further includes: a trench that is formed between the source region and the drain region; an insulating film that is provided to an inner wall of the trench; and an embedded electrode that is provided in the interior of the trench and is surrounded by the insulating film.
H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
Corrosion resistance, oxidation resistance, and high-temperature strength are secured for a semiconductor substrate of SiC, while also achieving a reduction in production costs, by: forming a molding 20 by layering a paste comprising SiC aggregate 21 and Si and C powders on an SiC epitaxial layer 12 that is itself formed on a support substrate 11 of SiC; carrying out reactive sintering to provide an intermediate sintered body 30 in which polycrystalline SiC has been produced from the Si and C powders; providing a sintered layer 40 in which the free Si has been carbonized to SiC; and detaching the support substrate 11 from the epitaxial layer 12 to provide a semiconductor substrate 100 in which the epitaxial and the sintered layer 40 are stacked.
H01L 21/329 - Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type bipolaire, p.ex. diodes, transistors, thyristors les dispositifs comportant une ou deux électrodes, p.ex. diodes
H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
H01L 29/12 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
A semiconductor device includes a semiconductor substrate having a principal surface, a semiconductor layer formed on the principal surface of the semiconductor substrate, the semiconductor layer including a first-conductivity-type low concentration layer in contact with the principal surface of the semiconductor substrate and a first-conductivity-type high concentration layer that is formed at a surface layer portion of a surface, which is on a side opposite to the principal surface, of the semiconductor layer and that has a higher impurity concentration than the low concentration layer, and a Schottky electrode that is formed on the surface of the semiconductor layer and that forms a Schottky junction portion between the high concentration layer and the Schottky electrode.
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
A nitride semiconductor device includes a channel layer, a barrier layer made of AlxInyGa1-x-yN(x>0, x+y≤1), an active region that has a layered structure including the channel layer and the barrier layer, an inactive region that is formed at the layered structure around the active region and that is a concave portion having a bottom portion that reaches the channel layer, a gate layer made of a nitride semiconductor selectively formed on the barrier layer in the active region, a gate electrode formed on the gate layer, a first insulating film that covers the gate electrode and that is in contact with the barrier layer in the active region, and a second insulating film that covers the first insulating film and that is in contact with the inactive region.
H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
33.
SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE, IN-VEHICLE DEVICE, AND VEHICLE
This semiconductor integrated circuit device comprises a logic circuit, a hold circuit, and a test circuit. The hold circuit is configured to hold setting information output from the logic circuit by being triggered by an event after the activation of the semiconductor integrated circuit device. The test circuit is configured to execute a BIST on the logic circuit after the holding is completed.
This semiconductor device is provided with a first lead, a second lead, a semiconductor element, and a plurality of conductive members. The first lead comprises a base having a first surface, and the semiconductor element is mounted onto the first surface. Each of the conductive members has a first end and a second end. The semiconductor element has a first principal surface electrode and a second principal surface electrode that are formed on an element principal surface. The first end of each of the conductive member is bonded to either the first principal surface electrode or the second principal surface electrode. The second lead comprises a first part and a second part, each of which has a long shape. In plan view, the first part is located to one side in a first direction with respect to the base. The second part is located to one side in a second direction with respect to the base, and extends along the first direction. The plurality of conductive members include a first conductive member, of which the second end is bonded to the second part.
H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
A semiconductor device includes a first and a second semiconductor elements and a wiring board. The first semiconductor element has a first electrode, a second electrode and a third electrode, and current flow between the first electrode and the second electrode is on-off controlled. The second semiconductor element has a fourth electrode, a fifth electrode and a sixth electrode, and current flow between the fourth electrode and the fifth electrode is on-off controlled. The wiring board includes a base, an obverse surface wiring layer, a reverse surface wiring layer, and a metal member inserted in the base to electrically connect the obverse surface wiring layer and the reverse surface wiring layer. The first semiconductor element and the second semiconductor element are connected in series by connecting the second electrode and the fourth electrode. The metal member is in a conduction path between the second electrode and the fourth electrode.
H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
For example, a signal transmission device includes a transmitter provided in a primary circuit system and configured to generate a transmission signal according to an input signal; at least one first isolating element configured to constitute a first signal transmission path for transmission of the transmission signal from the primary circuit system to the secondary circuit system; at least one second isolating element configured to constitute a second signal transmission path, different from the first signal transmission path, for transmission of the transmission signal from the primary circuit system to the secondary circuit system; and a receiver provided in the secondary circuit system and configured to feed a first reception signal and a second reception signal output respectively from the first and second isolating elements to a logic circuit to generate a single output signal.
A semiconductor device includes a semiconductor element, first and second leads, and a sealing resin. The semiconductor element includes first and second electrodes. The first lead includes a mounting base having a main face to which the first electrode is bonded and a back face, and includes a first terminal connected to the first electrode. The second lead includes a second terminal connected to the second electrode. The sealing resin includes a main face and a back face opposite to each other, and includes an end face oriented in the protruding direction of the terminals. The back face of the mounting base is exposed from the back face of the resin. The sealing resin includes a groove formed in its back face and disposed between the back face of the mounting base and a boundary between the second terminal and the end face of the resin.
A semiconductor light emitting device includes a board including a first principal surface facing a first side in a thickness direction thereof, a first electrode provided on the board, a semiconductor light emitting element, and a light-transmitting resin that covers the element. The first electrode includes a first bonding portion and first, second, and third portions. The first bonding portion is formed on the first principal surface and is joined and electrically connected to the element. The first and second portions are each formed on the first principal surface and disposed on a first side in a first direction. The first portion is connected to the first bonding portion. The second portion is apart from the first bonding portion, and from the first portion in a second direction. The third portion is formed on a place different from the first principal surface, electrically connecting the first and second portions to each other.
H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
H01L 33/38 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes ayant une forme particulière
H01L 33/56 - Matériaux, p.ex. résine époxy ou silicone
Provided is a substrate including a first substrate including a first surface, and a second substrate including a second surface with an area smaller than the first surface and including a third surface with an area smaller than the first surface, the third surface facing the second surface, as viewed in a thickness direction of the first substrate, in which the first substrate includes a first signal line and a second signal line formed on the first surface, and the second substrate includes a first conductive portion formed on the second surface and able to come into contact with the first signal line, a second conductive portion formed on the second surface and able to come into contact with the second signal line, a third conductive portion and a fourth conductive portion formed on the third surface, a first conduction portion, and a second conduction portion.
A semiconductor device includes a semiconductor layer of a first conductivity type having a device forming region and an outside region, an impurity region of a second conductivity type formed in a surface layer portion of a first main surface in the device forming region, a field limiting region of a second conductivity type formed in the surface layer portion in the outside region and having a impurity concentration higher than that of the impurity region, and a well region of a second conductivity type formed in a region between the device forming region and the field limiting region in the surface layer portion in the outside region, having a bottom portion positioned at a second main surface side with respect to bottom portions of the impurity region and the field limiting region, and having a impurity concentration higher than that of the impurity region.
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
This monitoring circuit comprises first and second oscillators, first and second frequency dividers, first and second counters, a determination unit, and a specification unit. The first and second frequency dividers perform frequency division on first and second clock signals outputted from the first and second oscillators. The first and second counters count the number of clocks of the first and second clock signals in the first and second periods of first and second frequency dividing signals outputted from the first and second frequency dividers. The determination unit determines whether one of the first and second clock signals is abnormal on the basis of the counting results of the first and second counters. The specification unit specifies which one of the first and second clock signals is abnormal when one of the first and second clock signals is found to be abnormal.
G06F 1/04 - Génération ou distribution de signaux d'horloge ou de signaux dérivés directement de ceux-ci
G06F 1/06 - Générateurs d'horloge produisant plusieurs signaux d'horloge
H03K 5/26 - Circuits présentant plusieurs entrées et une sortie pour comparer des impulsions ou des trains d'impulsions entre eux en ce qui concerne certaines caractéristiques du signal d'entrée, p.ex. la pente, l'intégrale la caractéristique étant la durée, l'intervalle, la position, la fréquence ou la séquence
This semiconductor device comprises: a first lead; a second lead; a third lead; a semiconductor element mounted to the third lead; a first wire; and a second wire. The first lead includes a first pad part and a first terminal part that is for temperature measurement. The second lead includes a second pad part and a second terminal part that is for temperature measurement. The semiconductor element has an element main surface and a first electrode disposed on the element main surface. The first wire and the second wire are configured from metals that have differing respective thermoelectric powers. The first wire is connected to the first electrode and the first pad part. The second wire is connected to the first electrode and the second pad part.
H01L 23/34 - Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température
H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
H01L 23/58 - Dispositions électriques structurelles non prévues ailleurs pour dispositifs semi-conducteurs
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
H10N 10/00 - Dispositifs thermoélectriques comportant une jonction de matériaux différents, c. à d. dispositifs présentant l'effet Seebeck ou l'effet Peltier
A chip resistor with a reduced thickness is provided. The chip resistor includes an insulating substrate, a resistor embedded in the substrate, a first electrode electrically connected to the resistor, and a second electrode electrically connected to the resistor. The first electrode and the second electrode are spaced apart from each other in a lateral direction that is perpendicular to the thickness direction of the substrate.
H01C 1/012 - Montage; Support l'élément de base s'étendant le long de la résistance pour la rendre rigide ou la renforcer
H01C 1/028 - Boîtiers; Enveloppes; Enrobage; Remplissage de boîtier ou d'enveloppe l'élément résistif étant enrobé dans un matériau isolant pourvu d'une gaine extérieure
H01C 1/142 - Bornes ou points de prise spécialement adaptés aux résistances; Dispositions de bornes ou points de prise sur les résistances les bornes ou points de prise étant constitués par un revêtement appliqué sur l'élément résistif
H01C 3/12 - Résistances métalliques fixes en fil ou en ruban, p.ex. bobinées, tressées ou en forme de grille l'élément résistif ayant une forme en zigzag ou sinueuse situé dans un plan
H01C 1/014 - Montage; Support la résistance étant maintenue et supportée entre deux éléments de support
H01C 1/14 - Bornes ou points de prise spécialement adaptés aux résistances; Dispositions de bornes ou points de prise sur les résistances
A semiconductor device according to the present invention comprises: a semiconductor chip that has a first main surface; a withstand voltage holding structure that is formed in the peripheral region in the periphery of an element formation region on the first main surface of the semiconductor chip, and holds the withstand voltage of the element structure; an interlayer insulation layer that is formed on the first main surface of the semiconductor chip; a plurality of first conductive layers that are formed on the first main surface so as to be spaced apart from each other, and that are connected to the withstand voltage holding structure through the interlayer insulation layer; a second conductive layer that is insulated from the semiconductor chip by the interlayer insulation layer and overlaps the spaces between the plurality of first conductive layers which are adjacent in plan view; and a protection layer that is formed on the interlayer insulation layer so as to cover the plurality of first conductive layers and the second conductive layer.
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
H01L 21/329 - Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type bipolaire, p.ex. diodes, transistors, thyristors les dispositifs comportant une ou deux électrodes, p.ex. diodes
An overcurrent protection circuit 34, for example, comprises: an overcurrent detection unit 341 configured to compare monitoring target current IOUT and an overcurrent detection threshold value IOCD; a current interruption unit 342 configured to interrupt the monitoring target current IOUT when the monitoring target current IOUT reaches the overcurrent detection threshold value IOCD; an interruption cancellation unit 343 configured to cancel the interruption of the monitoring target current IOUT at the elapse of a first time T1 after the monitoring target current IOUT has reached the overcurrent detection threshold value IOCD; and a threshold control unit 344 configured to lower the overcurrent detection threshold value IOCD at the elapse of the first time T1 after the monitoring target current IOUT has reached the overcurrent detection threshold value IOCD.
H02H 7/00 - Circuits de protection de sécurité spécialement adaptés pour des machines ou appareils électriques de types particuliers ou pour la protection sectionnelle de systèmes de câble ou ligne, et effectuant une commutation automatique dans le cas d'un chan
H02H 3/08 - Circuits de protection de sécurité pour déconnexion automatique due directement à un changement indésirable des conditions électriques normales de travail avec ou sans reconnexion sensibles à une surcharge
H02H 3/087 - Circuits de protection de sécurité pour déconnexion automatique due directement à un changement indésirable des conditions électriques normales de travail avec ou sans reconnexion sensibles à une surcharge pour des systèmes à courant continu
H02H 3/093 - Circuits de protection de sécurité pour déconnexion automatique due directement à un changement indésirable des conditions électriques normales de travail avec ou sans reconnexion sensibles à une surcharge avec des moyens de temporisation
This level-shifting circuit includes: a level information output unit configured to output level information of an input signal; a latch circuit configured to latch the output of the level information output unit by driving between a first voltage and a reference voltage lower than the first voltage; and a voltage control unit configured to increase the first voltage to a first setpoint after the latch of the latch circuit is completed, to increase the reference voltage to a second setpoint when the first voltage reaches the first setpoint, and to increase the first voltage to a third setpoint after the reference voltage has increased to the second setpoint.
This sensor system comprises multiple sensors based on yttria-stabilized zirconia, a driving device, and a controller. The driving device drives each of the sensors. The controller switches the sensors sequentially using a designated condition.
G01N 27/26 - Recherche ou analyse des matériaux par l'emploi de moyens électriques, électrochimiques ou magnétiques en utilisant l'électrolyse ou l'électrophorèse
G01N 27/27 - Association de plusieurs systèmes ou cellules de mesure, chacun mesurant un paramètre différent, dans laquelle les résultats des mesures peuvent être, soit utilisès indépendamment, les systèmes ou les cellules étant physiquement associés, soit combin
In the present invention, a second MOSFET comprises: a body region; a drain region extending in the y direction; a first well region formed away from the drain region in the x direction; a gate electrode formed on a gate insulating film and a field oxide film; a source region formed on the surface of a first well region; an exposed region formed at a position different from the source region in the first well region as viewed from the z direction; a first contact part joined to the source region; a second contact part Schottky-joined to the exposed region; a third contact part joined to the gate electrode; and source wiring that electrically interconnects the first contact part, the second contact part, and the third contact part.
H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
H01L 21/822 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
H01L 27/04 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
A semiconductor device includes a semiconductor element, a conductive member and a connecting member. The semiconductor element has a reverse surface formed with a first electrode and an obverse surface formed with a second electrode and a third electrode. The reverse surface and the obverse surface are spaced apart from each other in a z direction. Current flow between the first electrode and the second electrode is on-off controlled according to a first drive signal inputted to the third electrode. The conductive member has a first bond surface and a second bond surface each facing in the same direction as the reverse surface. The third electrode is bonded to the first bond surface. The connecting member is bonded to the second bond surface, and the second bond surface does not overlap with the semiconductor element as viewed in the z direction.
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
50.
PULSE TRANSMISSION CIRCUIT, SIGNAL TRANSMISSION DEVICE, ELECTRONIC DEVICE, AND VEHICLE
As an example, a pulse transmission circuit 214 comprises: a constant current source CC configured so as to generate a constant current Iref; a capacitor Cs configured so as to be charged using the constant current lref (e.g., a charging current Ic produced by mirroring the constant current Iref); and a discharge switch SW1 or SW2 configured so as to pulse drive a transformer 231 or 232 by means of a discharge current Id flowing to the transformer 231 or 232 from the capacitor Cs in response to the pulse edge of an input pulse signal.
H03K 17/691 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ avec une isolation galvanique entre le circuit de commande et le circuit de sortie utilisant un couplage par transformateur
H01L 21/822 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
H01L 27/04 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur
H03K 17/04 - Modifications pour accélérer la commutation
H03K 19/0175 - Dispositions pour le couplage; Dispositions pour l'interface
A driving circuit (1) comprises: a driving voltage generation unit (14) configured to, in a driving circuit that can drive a first semiconductor switching element (QL) including a first terminal, a second terminal, and a control terminal, supply a driving voltage (Vgl) to the control terminal to switch between on and off of the first semiconductor switching element; a comparator (12) configured to compare a voltage (Vql) between the first terminal and the second terminal with a threshold voltage (Vth1); and a control signal generation unit (13) that generates a driving signal (Gsl') to be input to the driving voltage generation unit on the basis of an output from the comparator and a first control signal (Gsl) that is generated by a control device (3) and controls switching of the first semiconductor switching element.
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
H03K 17/16 - Modifications pour éliminer les tensions ou courants parasites
H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
A switch circuit 100 is provided with: an output inverter 110 that switches an output signal OUT to one of a high-level voltage VA and a low-level voltage VL; a first inverter 120 that generates the high-level voltage VA from a first power supply voltage V1 in accordance with a first input signal IN1; a second inverter 130 that generates the low-level voltage VB from a second power supply voltage V2 in accordance with a second input signal IN2; a first bias unit 140 that applies, to a lower power supply terminal of the first inverter 120, a voltage obtained by lowering a voltage applied to an upper power supply terminal of the first inverter 120 by a first bias voltage VX; and a second bias unit 150 that applies, to an upper power supply terminal of the second inverter 130, a voltage obtained by raising a voltage applied to a lower power supply terminal of the second inverter 130 by a second bias voltage VY.
H03K 19/0948 - Circuits logiques, c. à d. ayant au moins deux entrées agissant sur une sortie; Circuits d'inversion utilisant des éléments spécifiés utilisant des dispositifs à semi-conducteurs utilisant des transistors à effet de champ utilisant des transistors MOSFET utilisant des dispositifs CMOS
H03K 19/0175 - Dispositions pour le couplage; Dispositions pour l'interface
A semiconductor device according to the present invention comprises: a first semiconductor element that has a first gate electrode; a second semiconductor element that has a second gate electrode; a sealing resin; a first signal terminal that has a third center; and first signal wiring. The length of the straight line connecting a first center of the first gate electrode and the third center is designated as first linear length L1. The length of the straight line connecting a second center of the second gate electrode and the third center is designated as second linear length L2. The length of the route from the first center to the third center via the first signal wiring is designated as first route length R1. The length of the route from the second center to the third center via the first signal wiring is designated as second route length R2. In the semiconductor device, the relationship R2/R1 is closer to 1 than the relationship L2/L1.
H01L 25/04 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
54.
AMPLIFIER, AMPLIFICATION CIRCUIT, AND CURRENT DETECTION DEVICE
An amplifier (1) comprises: a first transistor (M1); a second transistor (M2) disposed adjacent to the first transistor in a plan view; first wiring (31) disposed around the first and second transistors in a plan view; and second wiring (41) disposed in a direction away from the first and second transistors than is the first wiring. The thickness of the second wiring is greater than that of the first wiring.
H03F 1/30 - Modifications des amplificateurs pour réduire l'influence des variations de la température ou de la tension d'alimentation
H01L 21/3205 - Dépôt de couches non isolantes, p.ex. conductrices ou résistives, sur des couches isolantes; Post-traitement de ces couches
H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
H01L 23/522 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
H03F 3/34 - Amplificateurs de courant continu dans lesquels tous les étages sont couplés en courant continu
FILAFILACCCCFILAFILA generated at the capacitor connection terminal FILA and the voltage at the control terminal of the charging transistor Q1 so as not to exceed a limit voltage.
G05F 3/22 - Régulation de la tension ou du courant là où la tension ou le courant sont continus utilisant des dispositifs non commandés à caractéristiques non linéaires consistant en des dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des combinaisons diode-transistor dans lesquelles les transistors sont uniquement du type bipolaire
H03F 3/347 - Amplificateurs de courant continu dans lesquels tous les étages sont couplés en courant continu comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs dans des circuits intégrés
Provided is a computation device comprising a memory, a selector, a first computation unit configured to perform computation on first data read out from the memory and output of the selector, and a second computation unit configured to perform computation using output of the first computation unit. The selector is configured to output either second data read out from the memory or the previous computation result of the first computation unit.
The present invention comprises: a semiconductor substrate which has a groove formed in one principal surface thereof; a plurality of fuse wires which are formed in the groove; metal wiring which is placed in a position at a distance from the groove and is exposed within the one principal surface; a first insulating film which covers the one principal surface and has a first opening through which the plurality of fuse wires are exposed and a second opening through which the metal wiring is exposed; a polymer insulating film in which a plurality of fuses are embedded in the groove in the first opening; a first metal part which covers the polymer insulating film; a second metal part which extends so as to cover the surface of the metal wiring exposed in the second opening and the surface of the first insulating film at the edges of the second opening; a second insulating film which forms a cover such that the first metal part is embedded on the polymer insulating film and the top surface of the second metal part is partially exposed; and a third metal part which reaches from the top surface of the second metal part exposed by the second insulating film to the top surface of the second insulating film.
H01L 21/3205 - Dépôt de couches non isolantes, p.ex. conductrices ou résistives, sur des couches isolantes; Post-traitement de ces couches
H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
H01L 23/522 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
H01L 23/532 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées caractérisées par les matériaux
H01L 21/822 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
H01L 27/04 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur
A semiconductor module includes a semiconductor device and bus bar. The device includes an insulating substrate, conductive member, switching elements, and first/second input terminals. The substrate has main/back surfaces opposite in a thickness direction, with the conductive member disposed on the main surface. The switching elements are connected to the conductive member. The first input terminal, including a first terminal portion, is connected to the conductive member. The second input terminal, including a second terminal portion overlapping with the first terminal portion in the thickness direction, is connected to the switching elements. The second input terminal is separate from the first input terminal and conductive member in the thickness direction. The bus bar includes first/second terminals. The second terminal, separate from the first terminal in the thickness direction, partially overlaps with the first terminal in the thickness direction. The first/second terminals are connected to the first/second terminal portions, respectively.
H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H01L 23/50 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes pour des dispositifs à circuit intégré
59.
SEMICONDUCTOR DEVICE WITH CURRENT SENSING CAPABILITY
A SiC semiconductor device is provided that is capable of improving the detection accuracy of the current value of a principal current detected by a current sensing portion by restraining heat from escaping from the current sensing portion to a wiring member joined to a sensing-side surface electrode. The semiconductor device 1 includes a SiC semiconductor substrate, a source portion 27 including a principal-current-side unit cell 34, a current sensing portion 26 including a sensing-side unit cell 40, a source-side surface electrode 5 disposed above the source portion 27, and a sensing-side surface electrode 6 that is disposed above the current sensing portion 26 and that has a sensing-side pad 15 to which a sensing-side wire is joined, and, in the semiconductor device 1, the sensing-side unit cell 40 is disposed so as to avoid being positioned directly under the sensing-side pad 15.
G01R 19/00 - Dispositions pour procéder aux mesures de courant ou de tension ou pour en indiquer l'existence ou le signe
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
60.
Control Circuit of Power Factor Improvement Circuit and Semiconductor Integrated Circuit Device
The present disclosure provides a power factor improvement circuit with a DC/DC converter including an arithmetic circuit. A first voltage having a full-wave rectified waveform is received by an input voltage detection terminal of the power factor improvement circuit. A second voltage is generated by amplifying an error between a first detection voltage and a reference voltage according to an output voltage of the DC/DC converter. A third voltage is generated by multiplying the first voltage by the second voltage. The arithmetic circuit adds an offset voltage to a third voltage to generate a fourth voltage. A comparator is configured to compare a second detection voltage with the fourth voltage. A drive circuit is configured to turn on/off drive of the switching transistor according to an output of the comparator. When the second detection voltage is higher than the fourth voltage, the switching transistor is turned off.
H02M 1/42 - Circuits ou dispositions pour corriger ou ajuster le facteur de puissance dans les convertisseurs ou les onduleurs
H05B 45/355 - Correction du facteur de puissance [PFC]; Compensation réactive de la puissance
H02M 1/32 - Moyens pour protéger les convertisseurs autrement que par mise hors circuit automatique
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
H05B 45/345 - Stabilisation du courant; Maintien d'un courant constant
H05B 45/3725 - Alimentation du circuit à découpage [SMPS]
A chip resistor includes a substrate, two top electrodes, a resistor element, two back electrodes, and two side electrodes. The substrate has a top surface, a back surface and two side surface. The top and back surfaces face away in the thickness direction of the substrate. The side surfaces, spaced apart in a predetermined direction orthogonal to the thickness direction, are connected to the top and back surfaces. The top electrodes, spaced apart in the predetermined direction, are in contact with the top surface. The resistor element, disposed on the top surface, is connected to the top electrodes. The back electrodes, spaced apart in the predetermined direction, are in contact with the back surface. The side electrodes, held in contact with the side surfaces, are connected to the top and back electrodes. Each back electrode has a first and a second layer. The first layer is in contact with the back surface. The second layer, covering a part of the first layer, is made of a material containing metal particles and synthetic resin.
H01C 1/14 - Bornes ou points de prise spécialement adaptés aux résistances; Dispositions de bornes ou points de prise sur les résistances
H01C 7/00 - Résistances fixes constituées par une ou plusieurs couches ou revêtements; Résistances fixes constituées de matériau conducteur en poudre ou de matériau semi-conducteur en poudre avec ou sans matériau isolant
H01C 17/00 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de résistances
H01C 17/28 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de résistances adaptés pour appliquer les bornes
62.
BLOOD VESSEL DETERMINATION DEVICE, BLOOD VESSEL DETERMINATION METHOD AND NON-TRANSITORY STORAGE MEDIUM
A blood vessel judgment device acquires an image captured while near-infrared light is illuminated at a part of a body. Based on brightness values of a plurality of pixels configuring the acquired image, the blood vessel determination device determines that a predetermined number of pixels counted in order of brightness value from a pixel with a lowest brightness value represent blood vessels.
G06V 10/60 - Extraction de caractéristiques d’images ou de vidéos relative aux propriétés luminescentes, p.ex. utilisant un modèle de réflectance ou d’éclairage
G06V 10/145 - Caractéristiques optiques de l’appareil qui effectue l’acquisition ou des dispositifs d’éclairage Éclairage spécialement adapté à la reconnaissance de formes, p.ex. utilisant des réseaux
63.
NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
A nitride semiconductor device 1 comprises: a SiC substrate 2 having a first main surface 2a and a second main surface 2b opposite thereto; a low-resistance SiC layer 3 formed on the first main surface 2a and having a lower resistivity than the SiC substrate 2; a high-resistance SiC layer 4 formed on the low-resistance SiC layer 3 and having a higher resistivity than the low-resistance SiC layer 3; and a nitride epitaxial layer 20 disposed on the high-resistance SiC layer 4.
H01L 29/812 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une jonction PN ou une autre jonction redresseuse à grille Schottky
H01L 21/20 - Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
H01L 21/263 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée
H01L 21/265 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions
H01L 21/338 - Transistors à effet de champ à grille Schottky
H01L 29/41 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative
H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
64.
PULSE RECEPTION CIRCUIT, SIGNAL TRANSMISSION DEVICE, ELECTRONIC DEVICE, AND VEHICLE
A pulse reception circuit 227 comprises: a first constant current source CC1r that generates a first reference current I1r; a second constant current source CC1f that generates a second reference current I1f; a first receiver RXr that adds together a first reception current Ir induced by a secondary-side coil 231s of a first transformer 231 and the first reference current I1r to generate a first current signal I3r; a second receiver RXf that adds together a second reception current If induced by a secondary-side coil 232s of a second transformer 232 and the second reference current I2f to generate a second current signal I3f; a first signal conversion unit R2r that converts the first current signal I3r to a first voltage signal Vr; a second signal conversion unit R2f that converts the second current signal I3f to a second voltage signal Vf; and a comparator HC that compares the first voltage signal Vr with the second voltage signal Vf and generates an output pulse signal OUT.
H03K 19/0175 - Dispositions pour le couplage; Dispositions pour l'interface
H01L 21/822 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
H01L 27/04 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
H02M 7/48 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
H03K 17/691 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ avec une isolation galvanique entre le circuit de commande et le circuit de sortie utilisant un couplage par transformateur
This semiconductor device comprises a first semiconductor element, a sealing resin, and a heat dissipation layer. The first semiconductor element has a first main surface facing in a first direction, and a first electrode and second electrode positioned on the reverse side from the side the first main surface faces along the first direction. The sealing resin covers the first semiconductor element. The heat dissipation layer is bonded to the first main surface. The heat dissipation layer has a heat dissipation surface facing the same side as the first main surface along the first direction. The heat dissipation surface is exposed to the outside from the sealing resin. The peripheral edges of the heat dissipation surface surround the first main surface when viewed in the first direction.
H01L 23/29 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par le matériau
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
One aspect of the present embodiment provides a distributed constant circuit comprising: a dielectric body having a first main surface and a second main surface that faces the first main surface; a transmission line disposed on the first main surface; and a grounding electrode disposed on the second main surface, wherein the transmission line has a first line, a second line, and a third line respectively having different line widths, and has a periodic structure in which the first line, the second line, the third line, the second line, and the first line are arranged in series in this order, and the distributed constant circuit can be reduced in size or height.
The present invention includes: a first semiconductor chip having a plurality of first metal terminals formed in one region of one surface, a plurality of external metal terminals formed in another region, and a joining layer made of an oxide film provided so as to fill the gaps therebetween; a second semiconductor chip which has a plurality of second metal terminals formed on an opposing surface opposing the one surface of the first semiconductor chip, and a joining layer made of an oxide film provided on the opposing surface so as to fill the gaps therebetween, and which is mounted on the first semiconductor chip by joining the joining layers together such that the respective metal terminals contact each other; a post electrode formed above the one surface of the first semiconductor chip and provided on the external metal terminal of the first semiconductor chip with a metal film therebetween; and an embedding layer that embeds the second semiconductor chip and the post electrode on the one surface of the first semiconductor chip.
H01L 21/301 - Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour subdiviser un corps semi-conducteur en parties distinctes, p.ex. cloisonnement en zones séparées
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
68.
SEMICONDUCTOR DEVICE, AND PRODUCTION METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
A semiconductor device includes a die pad, a semiconductor element, a joining layer, a first conductive member, and a second conductive member. The semiconductor element has a first electrode opposing an obverse surface of the die pad, and a second electrode and a third electrode that are opposite to the first electrode in a thickness direction. The first electrode is electrically joined to the obverse surface. The joining layer electrically joins the first electrode and the obverse surface to each other. The first conductive member is electrically joined to the second electrode. The second conductive member is electrically joined to the third electrode. The area of the third electrode is smaller than the area of the second electrode as viewed along the thickness direction. The Young's modulus of the second conductive member is smaller than the Young's modulus of the first conductive member.
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
An abnormality detection circuit includes: a first current source configured to generate a first current flowing from an external terminal toward a reference potential terminal; a second current source configured to generate a second current flowing from a power supply potential terminal toward the external terminal; a comparator configured to generate an abnormality detection signal by comparing a detection voltage corresponding to an application voltage of the external terminal with a predetermined threshold voltage; and a controller configured to switch between a first abnormality detection mode in which an operation of generating the first current is performed and a second abnormality detection mode in which an operation of generating the second current is performed.
G06F 1/3206 - Surveillance d’événements, de dispositifs ou de paramètres initiant un changement de mode d’alimentation
G06F 1/3296 - Gestion de l’alimentation, c. à d. passage en mode d’économie d’énergie amorcé par événements Économie d’énergie caractérisée par l'action entreprise par diminution de la tension d’alimentation ou de la tension de fonctionnement
A linear regulator adjusts an intermediate voltage VREGOUT at an output node such that an output voltage VOUT at an output terminal approaches a first target voltage VOUT(REF1). A Dixon-type charge pump circuit enters a disable state when the output voltage VOUT is higher than a threshold voltage VTH(CP) determined to be lower than the first target voltage VOUT(REF1), outputs the intermediate voltage VREGOUT at a first input node to the output node in the disable state, enters an enable state when the output voltage VOUT is lower than the threshold voltage VTH(CP), and stabilizes the output voltage VOUT at the output terminal to a second target voltage VOUT(REF2) determined to be lower than the first target voltage VOUT(REF1) in the enable state.
H02M 3/07 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des résistances ou des capacités, p.ex. diviseur de tension utilisant des capacités chargées et déchargées alternativement par des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
G05F 1/575 - Régulation de la tension ou de l'intensité là où la variable effectivement régulée par le dispositif de réglage final est du type continu utilisant des dispositifs à semi-conducteurs en série avec la charge comme dispositifs de réglage final caractérisé par le circuit de rétroaction
G05F 1/565 - Régulation de la tension ou de l'intensité là où la variable effectivement régulée par le dispositif de réglage final est du type continu utilisant des dispositifs à semi-conducteurs en série avec la charge comme dispositifs de réglage final sensible à une condition du système ou de sa charge en plus des moyens sensibles aux écarts de la sortie du système, p.ex. courant, tension, facteur de puissance
G05F 1/46 - Régulation de la tension ou de l'intensité là où la variable effectivement régulée par le dispositif de réglage final est du type continu
H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
A switching device 1 includes a SiC semiconductor chip 11 which has a gate pad 14, a source pad 13 and a drain pad 12 and in which on-off control is performed between the source and the drain by applying a drive voltage between the gate and the source in a state where a potential difference is applied between the source and the drain, a sense source terminal 4 electrically connected to the source pad 13 for applying the drive voltage, and an external resistance (source wire 16) that is interposed in a current path between the sense source terminal 4 and the source pad 13, is separated from sense source terminal 4, and has a predetermined size.
H03K 17/081 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension sans réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande
H03K 17/082 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension par réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande
H03K 17/12 - Modifications pour augmenter le courant commuté maximal admissible
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
H02H 3/20 - Circuits de protection de sécurité pour déconnexion automatique due directement à un changement indésirable des conditions électriques normales de travail avec ou sans reconnexion sensibles à un excès de tension
H02H 9/04 - Circuits de protection de sécurité pour limiter l'excès de courant ou de tension sans déconnexion sensibles à un excès de tension
H02M 7/5387 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs, p.ex. onduleurs à impulsions à un seul commutateur dans une configuration en pont
H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H01L 23/373 - Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif
G01R 19/00 - Dispositions pour procéder aux mesures de courant ou de tension ou pour en indiquer l'existence ou le signe
A switching device 1 includes a SiC semiconductor chip 11 which has a gate pad 14, a source pad 13 and a drain pad 12 and in which on-off control is performed between the source and the drain by applying a drive voltage between the gate and the source in a state where a potential difference is applied between the source and the drain, a sense source terminal 4 electrically connected to the source pad 13 for applying the drive voltage, and an external resistance (source wire 16) that is interposed in a current path between the sense source terminal 4 and the source pad 13, is separated from sense source terminal 4, and has a predetermined size.
H03K 17/081 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension sans réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande
H03K 17/082 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension par réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande
H03K 17/12 - Modifications pour augmenter le courant commuté maximal admissible
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
H02H 3/20 - Circuits de protection de sécurité pour déconnexion automatique due directement à un changement indésirable des conditions électriques normales de travail avec ou sans reconnexion sensibles à un excès de tension
H02H 9/04 - Circuits de protection de sécurité pour limiter l'excès de courant ou de tension sans déconnexion sensibles à un excès de tension
H02M 7/5387 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs, p.ex. onduleurs à impulsions à un seul commutateur dans une configuration en pont
H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H01L 23/373 - Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif
G01R 19/00 - Dispositions pour procéder aux mesures de courant ou de tension ou pour en indiquer l'existence ou le signe
This semiconductor device comprises: a chip having a main surface; a first conductivity-type base region formed on the surface layer part of the main surface; a trench gate structure formed on the main surface so as to penetrate through the base region; a second conductivity-type emitter region formed in a region along the trench gate structure in the surface layer part of the base region; a first conductivity-type in-base region formed in a region between the bottom part of the base region and the bottom part of the emitter region in the base region, and having an impurity concentration higher than that of the base region; an insulating film which covers the main surface and has a connecting hole for exposing a part of the emitter region at a distance from the in-base region in a direction along the main surface; and a connecting electrode which is disposed in the connecting hole so as to be electrically connected to the base region and the emitter region.
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
H01L 21/329 - Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type bipolaire, p.ex. diodes, transistors, thyristors les dispositifs comportant une ou deux électrodes, p.ex. diodes
A drive circuit (Dr1) capable of driving a plurality of driven transistors (QH1-QH3) that are connected in parallel, the drive circuit provided with a plurality of gate drive units (21-23) that are provided in a one-to-one manner with respect to each of the driven transistors and are capable of driving the gates of the driven transistors.
H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
75.
DRIVING CONTROL DEVICE, IN-VEHICLE POWER SUPPLY SYSTEM, AND VEHICLE
This driving control device (6) is for driving and controlling a gate of a blocking NMOS transistor (5) disposed to be connectable between a first power supply circuit (2) and a second power supply circuit (3), the driving control device comprising: a voltage boosting circuit (61) which is configured to apply a gate control voltage (Vgc) to the gate; and a control unit (65) which is configured to, in a start control for the blocking NMOS transistor, control the current capability of the voltage boosting circuit by using a first current capability, and then to switch the current capability of the voltage boosting circuit to a second current capability that is higher than the first current capability.
H02M 1/36 - Moyens pour mettre en marche ou arrêter les convertisseurs
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
H02M 3/00 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu
H03K 17/06 - Modifications pour assurer un état complètement conducteur
H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
76.
GATE DRIVE CIRCUIT, ELECTRIC POWER CONVERSION DEVICE
For example, a gate drive circuit 10 comprises a gate driving circuit 11 configured to generate a gate driving signal VG for a power element Q (power module 20), and a driving capability switching circuit 12 configured to raise the gate driving capability of the gate driving circuit 11 in a stepwise manner during at least either of an off-transition period and an on-transition period of the power element Q.
H03K 17/16 - Modifications pour éliminer les tensions ou courants parasites
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
77.
SWITCHING POWER SUPPLY DEVICE, CALIBRATION METHOD THEREFOR, AND DIGITAL PROCESSOR
H02M 3/28 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire
78.
INKJET PRINT HEAD AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
An inkjet printing head includes a piezoelectric element that includes a lower electrode disposed on a movable film, a piezoelectric film formed on the lower electrode, and an upper electrode formed on the piezoelectric film, a hydrogen barrier film that covers, in a front surface of the piezoelectric element, at least, entireties of side surfaces of the upper electrode, the piezoelectric film, and the lower electrode, at least a part of an upper surface of the upper electrode, and an upper surface of the lower electrode, a first interlayer insulating film formed on a front surface other than an end surface of the hydrogen barrier film, a second interlayer insulating film formed so as to cover the end surface of the hydrogen barrier film and the first interlayer insulating film, and a wiring that is formed on the second interlayer insulating film and that is connected to the piezoelectric element.
H10N 30/20 - Dispositifs piézo-électriques ou électrostrictifs à entrée électrique et sortie mécanique, p.ex. fonctionnant comme actionneurs ou comme vibrateurs
H10N 30/87 - Dispositifs piézo-électriques ou électrostrictifs - Détails de structure Électrodes ou interconnexions, p.ex. connexions électriques ou bornes
A semiconductor device according to the present invention comprises: a chip which has a main surface; an IGBT region which is formed in the main surface; a diode region which is formed in the main surface; an insulating film which is formed on the main surface so as to cover the IGBT region, while having the diode region exposed therefrom; a plug electrode which is embedded in a portion of the insulating film so as to be partially exposed from the insulating film, the portion covering the IGBT region; and a main surface electrode which comprises a first electrode film that covers the plug electrode so as to have the diode region exposed therefrom, and a second electrode film that covers the first electrode film and the diode region.
H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H01L 29/12 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
This semiconductor integrated circuit evaluation method comprises an initial setting flow F100 of acquiring a difference correction value from a measurement value and calculation value of unwanted electromagnetic radiation by a semiconductor integrated circuit before receiving an electromagnetic compatibility measure, and a calculation and prediction flow F200 of acquiring a calculation value of unwanted electromagnetic radiation by the semiconductor integrated circuit after receiving the electromagnetic compatibility measure, correcting the calculation value by the difference correction value, and evaluating whether or not the corrected calculation value fits the standard. The initial setting flow F100 and the calculation and prediction flow F200 respectively comprise steps S102 and S107 and a step S203 of subjecting the measurement value and calculation value of unwanted electromagnetic radiation to noise removal processing.
G06F 30/367 - Vérification de la conception, p.ex. par simulation, programme de simulation avec emphase de circuit intégré [SPICE], méthodes directes ou de relaxation
G01R 29/08 - Mesure des caractéristiques du champ électromagnétique
G06F 119/10 - Analyse du bruit ou optimisation du bruit
A nitride semiconductor device (10) includes an electron transit layer (16), an electron supply layer (18), a gate layer (22) containing acceptor impurities, a gate electrode (24), a passivation layer (26), a source electrode, a drain electrode (34), and a field plate electrode (36). The field plate electrode (36) is formed on the passivation layer (26) between the gate layer (22) and the drain electrode (34). The gate layer (22) includes: a ridge portion (40) on which the gate electrode (24) is located; a source-side extension portion (42) that extends from the ridge portion (40); and a drain-side extension portion (44) that extends from the ridge portion (40) to the opposite side from the source-side extension portion (42). The passivation layer (26) includes a field plate non-overlapping region (26RA) that is located directly over the drain-side extension portion (44) and that does not overlap the field plate electrode (36).
H01L 21/28 - Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes
H01L 29/41 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative
H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 21/337 - Transistors à effet de champ à jonction PN
H01L 29/808 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une jonction PN ou une autre jonction redresseuse à jonction PN
H01L 21/338 - Transistors à effet de champ à grille Schottky
H01L 29/812 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une jonction PN ou une autre jonction redresseuse à grille Schottky
H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
82.
SEMICONDUCTOR DEVICE AND PACKAGE STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE
A semiconductor device according to the present invention is provided with a semiconductor element which has a first electrode, a second electrode and a third electrode, wherein the conduction states of the first electrode and the third electrode are controlled by means of the voltage application state of the second electrode. This semiconductor device is additionally provided with a first lead that is electrically connected to the first electrode, a second lead that is electrically connected to the second electrode, a third lead that is electrically connected to the third electrode, a fourth lead, and a sealing resin that covers at least the semiconductor element. The third lead is exposed from the sealing resin to the opposite side in the thickness direction. The fourth lead is bonded to the semiconductor element, while being exposed from the sealing resin to the opposite side in the thickness direction. The semiconductor element has a switching function part. The impedance of the path from the switching function part to the fourth lead is higher than the impedance of the path from the switching function part to the third lead.
H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
A semiconductor device according to the present invention comprises: a semiconductor layer; a first wiring line and a second wiring line, which are formed on the semiconductor layer; an insulating layer that has a first opening from which a part of the first wiring line is exposed and a second opening from which a part of the second wiring line is exposed; a first electrode; and a second electrode. The first electrode is formed so as to extend across the first wiring line and the insulating layer, and has a first edge that is arranged on the insulating layer. The second electrode is formed so as to extend across the second wiring line and the insulating layer, and has a second edge that is arranged on the insulating layer. The insulating layer comprises an intervening part that intervenes between the first edge and the second edge, which face each other. The intervening part is provided with a groove that is recessed from the upper surface of the intervening part toward the semiconductor layer. The groove extends along at least one of the first edge and the second edge.
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 21/3205 - Dépôt de couches non isolantes, p.ex. conductrices ou résistives, sur des couches isolantes; Post-traitement de ces couches
H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
H01L 23/522 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
H01L 23/532 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées caractérisées par les matériaux
A terahertz module includes: a terahertz chip which includes an active device which emits a terahertz wave; and a dielectric substrate coupled to the terahertz chip. The terahertz chip includes a semiconductor substrate. The active device is disposed on an upper surface of the semiconductor substrate. A cutout is formed in a portion of a first side surface, among a plurality of side surfaces of the dielectric substrate, the cutout extending from an upper side of the first side surface to a lower side of the first side surface. The terahertz chip is fit into the cutout in such a direction that the upper surface of the semiconductor substrate is parallel to the first side surface and the semiconductor substrate is arranged in a bottom side of the cutout.
H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
H01P 3/16 - Guides d'ondes diélectriques, c. à d. sans conducteur longitudinal
A MEMS sensor includes: a pair of movable electrodes arranged to be parallel to each other with a space portion interposed between the pair of movable electrodes above a cavity portion provided in a substrate; and a fixed electrode arranged to be parallel to the pair of movable electrodes with a groove portion interposed between the fixed electrode and the pair of movable electrodes on an opposite side of the space portion with respect to the pair of movable electrodes, wherein the space portion includes a central portion having a first space width and end portions having a second space width, and wherein the first space width is shorter than the second space width.
G01P 15/125 - Mesure de l'accélération; Mesure de la décélération; Mesure des chocs, c. à d. d'une variation brusque de l'accélération en ayant recours aux forces d'inertie avec conversion en valeurs électriques ou magnétiques au moyen de capteurs à capacité
G01P 15/18 - Mesure de l'accélération; Mesure de la décélération; Mesure des chocs, c. à d. d'une variation brusque de l'accélération dans plusieurs dimensions
B81B 7/02 - Systèmes à microstructure comportant des dispositifs électriques ou optiques distincts dont la fonction a une importance particulière, p.ex. systèmes micro-électromécaniques (SMEM, MEMS)
86.
SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE FOR DRIVING MOTOR, MOTOR SYSTEM AND FAN
The present disclosure provides a motor driving semiconductor integrated circuit (IC) device. The motor driving semiconductor IC device includes a receiver and a control unit. The receiver is configured to receive a first rotational frequency information transmitted by another motor driving semiconductor IC device. The control unit is configured to variably control a rotational frequency of a self-driven motor according to the first rotational frequency information.
A semiconductor device includes a semiconductor layer, a first conductor disposed on the semiconductor layer, a second conductor disposed on the semiconductor layer so as to be separated from the first conductor, a relay portion that is formed on the semiconductor layer so as to straddle the first conductor and the second conductor and that is made of a semiconductor having a first conductivity type region and a second conductivity type region, a first contact by which the first conductivity type region and the second conductivity type region are electrically connected to the first conductor, and a second contact that electrically connects the first conductivity type region of the relay portion and the second conductor together and that is insulated from the second conductivity type region.
H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H03K 17/042 - Modifications pour accélérer la commutation par réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande
H03K 17/16 - Modifications pour éliminer les tensions ou courants parasites
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
A semiconductor device includes a first conductivity type semiconductor layer having a first surface and a second surface opposite to the first surface and having an element portion formed in the first surface and an outer peripheral portion surrounding the element portion, a semiconductor element structure formed in the element portion, multiple guard ring trenches formed in the outer peripheral portion and each formed in the first surface of the semiconductor layer, and a second conductivity type outer peripheral portion impurity region formed in the outer peripheral portion, in which the multiple guard ring trenches include a first unit consisting of multiple guard ring trenches and a second unit consisting of multiple guard ring trenches arranged on the outside of the semiconductor layer relative to the multiple guard ring trenches belonging to the first unit, and in which the outer peripheral portion impurity region includes a first portion arranged below the multiple guard ring trenches belonging to the first unit and having a first depth with respect to the first surface of the semiconductor layer and a second portion arranged below the multiple guard ring trenches belonging to the second unit and having a second depth smaller than the first depth with respect to the first surface of the semiconductor layer.
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
H01L 21/265 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions
H01L 21/225 - Diffusion des impuretés, p.ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, à l'intérieur ou hors du corps semi-conducteur, ou entre les régions semi-conductrices; Redistribution des impuretés, p.ex. sans introduction ou sans élimination de matériau dopant supplémentaire en utilisant la diffusion dans ou hors d'un solide, à partir d'une ou en phase solide, p.ex. une couche d'oxyde dopée
89.
SWITCHING POWER SUPPLY, SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE, AND DIFFERENTIAL INPUT CIRCUIT
This switching power source 100 has: a switching output circuit 110 which drives an inductor current IL by turning on and off an upper switch 111 and a lower switch 112 and generates an output voltage VOUT from an input voltage PVDD; a lower current detection unit 210 which detects the inductor current IL flowing through the lower switch 112 during an ON-period of the lower switch 112 and acquires lower current feedback information Iinfo; an error amplifier 140 which outputs voltage feedback information Vinfo including information on an error between the output voltage VOUT (feedback voltage FB) and a reference voltage REF; an information synthesis unit 220 that generates synthesis feedback information VIinfo by synthesizing Iinfo with Vinfo; and an information holding unit 230 which samples Vinfo during the ON-period of the lower switch 112.
H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
H03F 1/52 - Circuits pour la protection de ces amplificateurs
H03F 3/217 - Amplificateurs de puissance de classe D; Amplificateurs à commutation
A switching device 1 includes a SiC semiconductor chip 11 which has a gate pad 14, a source pad 13 and a drain pad 12 and in which on-off control is performed between the source and the drain by applying a drive voltage between the gate and the source in a state where a potential difference is applied between the source and the drain, a sense source terminal 4 electrically connected to the source pad 13 for applying the drive voltage, and an external resistance (source wire 16) that is interposed in a current path between the sense source terminal 4 and the source pad 13, is separated from sense source terminal 4, and has a predetermined size.
H03K 17/081 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension sans réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande
H03K 17/082 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension par réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande
H03K 17/12 - Modifications pour augmenter le courant commuté maximal admissible
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
H02H 3/20 - Circuits de protection de sécurité pour déconnexion automatique due directement à un changement indésirable des conditions électriques normales de travail avec ou sans reconnexion sensibles à un excès de tension
H02H 9/04 - Circuits de protection de sécurité pour limiter l'excès de courant ou de tension sans déconnexion sensibles à un excès de tension
H02M 7/5387 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs, p.ex. onduleurs à impulsions à un seul commutateur dans une configuration en pont
H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H01L 23/373 - Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif
G01R 19/00 - Dispositions pour procéder aux mesures de courant ou de tension ou pour en indiquer l'existence ou le signe
91.
ELECTRODE STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE
An electrode structure includes: an indium tin oxide (ITO) electrode that includes ITO; an Al electrode that includes Al and covers the ITO electrode; and a barrier electrode that includes at least one of TiN and Cr and is interposed in a region between the ITO electrode and the Al electrode.
As an example, a detection circuit 12 comprises: integrators (121 to 125) configured to generate an analog output signal AOUT by integrating analog input signals AIN; an analog-to-digital converter 128 configured to convert the analog output signal AOUT to a digital output signal DOUT; and a control unit 129 configured to discharge the analog output signal AOUT when the digital output signal DOUT reaches a first threshold d1 during the integration period of the integrators (121 to 125).
A semiconductor device according to the present invention is provided with: a first semiconductor element; a first terminal that is electrically connected to the first semiconductor element; a second terminal that is electrically connected to the first semiconductor element, while being at a distance from the first terminal in a first direction; and a sealing resin that covers a part of the first terminal, a part of the second terminal, and the first semiconductor element. The sealing resin has a first lateral surface that faces in a second direction that is perpendicular to the first direction, while being positioned closest to the first terminal and the second terminal in the second direction. The first terminal and the second terminal are each positioned at a distance from the first lateral surface.
H01L 23/50 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes pour des dispositifs à circuit intégré
H01L 23/28 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
H01L 25/04 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
A semiconductor device includes a sensor structure body, a gas conduit that extends from a surface of the sensor structure body toward a hollow space in the sensor structure body to introduce a gas into the hollow space from outside, a pressure sensor that is formed inside the sensor structure body and has a membrane which is able to vibrate by actions of the gas, an acceleration sensor that is formed inside the sensor structure body to detect an acceleration that has acted on the sensor structure body, and a sealing resin that covers the sensor structure body, in which the gas conduit includes an inner end portion on the hollow space side and an outer end portion on the end surface side of the sensor structure body, and the outer end portion of the gas conduit is opened on an end surface of the sealing resin.
B81B 7/02 - Systèmes à microstructure comportant des dispositifs électriques ou optiques distincts dont la fonction a une importance particulière, p.ex. systèmes micro-électromécaniques (SMEM, MEMS)
G01L 9/00 - Mesure de la pression permanente, ou quasi permanente d’un fluide ou d’un matériau solide fluent par des éléments électriques ou magnétiques sensibles à la pression; Transmission ou indication par des moyens électriques ou magnétiques du déplacement des éléments mécaniques sensibles à la pression, utilisés pour mesurer la pression permanente ou quasi permanente d’un fluide ou d’un matériau solide fluent
G01L 17/00 - Dispositifs ou appareils pour mesurer la pression des pneumatiques ou la pression dans d'autres corps gonflés
G01P 15/125 - Mesure de l'accélération; Mesure de la décélération; Mesure des chocs, c. à d. d'une variation brusque de l'accélération en ayant recours aux forces d'inertie avec conversion en valeurs électriques ou magnétiques au moyen de capteurs à capacité
G01L 19/00 - MESURE DES FORCES, DES CONTRAINTES, DES COUPLES, DU TRAVAIL, DE LA PUISSANCE MÉCANIQUE, DU RENDEMENT MÉCANIQUE OU DE LA PRESSION DES FLUIDES - Détails ou accessoires des appareils pour la mesure de la pression permanente ou quasi permanente d'un milieu fluent dans la mesure où ces détails ou accessoires ne sont pas particuliers à des types particuliers de manomètres
B60C 23/04 - Dispositifs avertisseurs actionnés par la pression du pneumatique montés sur la roue ou le pneumatique
95.
CONTROLLER OF POWER TRANSISOR AND CONTROL METHOD THEREOF
A controller controls multiple parallel-coupled power transistors. A correction amount calculation unit generates a reference value based on multiple detection values, each of which has a correlation with the switching loss of corresponding one of the multiple power transistors, and generates multiple correction amounts such that the multiple detection values approach the reference value. A gate signal generating unit generates multiple gate signals based on a control instruction and the multiple correction amounts.
H03K 17/042 - Modifications pour accélérer la commutation par réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande
H03K 17/10 - Modifications pour augmenter la tension commutée maximale admissible
H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
96.
SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
A semiconductor device A1 disclosed includes: a semiconductor element 10 having an element obverse face and element reverse face that face oppositely in a thickness direction z, with an obverse-face electrode 11 (first electrode 111) and a reverse-face electrode 12 respectively formed on the element obverse face and the element reverse face; a conductive member 22A opposing the element reverse face and conductively bonded to the reverse-face electrode 12; a conductive member 22B spaced apart from the conductive member 22A and electrically connected to the obverse-face electrode 11; and a lead member 51 having a lead obverse face 51a facing in the same direction as the element obverse face and connecting the obverse-face electrode 11 and the conductive member 22B. The lead member 51, bonded to the obverse-face electrode 11 via a lead bonding layer 321, includes a protrusion 521 protruding in the thickness direction z from the lead obverse face 51a. The protrusion 521 overlaps with the obverse-face electrode 11 as viewed in the thickness direction z. This configuration suppresses deformation of the connecting member to be pressed during sintering treatment.
H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
An inductor L1 has one end connected to an input line 102. A switching transistor M1 and a shunt resistance Rs are serially connected between the other end of the inductor L1 and a grounding line 106. A rectifying diode D1 is connected between the other end of the inductor L1 and an output line 104. A converter controller 200 controls the switching transistor M1 in response to at least a voltage drop of the shunt resistance Rs. A first output capacitor Co1 has one end connected to the output line 104, and another end connected to a connection node of the switching transistor M1 and the shunt resistance Rs.
H02M 3/155 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
A semiconductor device includes a semiconductor chip on which a semiconductor integrated circuit is formed, a plurality of leads disposed around the semiconductor chip, chip-directed wires connecting leads to the semiconductor chip, and a package sealing those. The semiconductor integrated circuit senses a sensing target current flowing through a sense resistor based on the voltage drop across the sense resistor, and performs predetermined operation based on the sensing result. The plurality of leads include a first and a second lead connected to one end and the other end of the sense resistor. The sense resistor is formed using a sensing metal member connecting between the first and second leads within the package without passing via the semiconductor chip.
H02P 21/22 - Commande du courant, p.ex. en utilisant une boucle de commande
H02P 27/06 - Dispositions ou procédés pour la commande de moteurs à courant alternatif caractérisés par le type de tension d'alimentation utilisant une tension d’alimentation à fréquence variable, p.ex. tension d’alimentation d’onduleurs ou de convertisseurs utilisant des convertisseurs de courant continu en courant alternatif ou des onduleurs
A semiconductor module includes a supporting substrate, a conductive substrate supported by the supporting substrate, a conductive bonding member provided between the supporting substrate and the conductive substrate, and a semiconductor element electrically bonded to an obverse surface of the conductive substrate and having a switching function. The conductive bonding member includes a metal base layer, a first layer, and a second layer. The first layer is provided between the base layer and the conductive substrate, and is in direct contact with the conductive substrate. The second layer is provided between the base layer and the supporting substrate, and is in direct contact with the supporting substrate.
A method of manufacturing a semiconductor device having a super junction structure, includes: forming a first-conductivity-type semiconductor layer having a first surface and a second surface opposite to the first surface; forming a second-conductivity-type pillar region in the semiconductor layer; forming an insulating layer which covers the second surface of the semiconductor layer; forming a metal layer on the insulating layer; forming a gate electrode including a first opening passing through the metal layer by selectively removing the metal layer; and etching the insulating layer via the first opening, wherein the etching the insulating layer includes partially exposing the semiconductor layer by forming a second opening having a curved sidewall in the insulating layer by isotropic etching, and wherein an exposed surface of the semiconductor layer forms a flat surface continuous with the second surface of the semiconductor layer covered with the insulating layer.
