For example, a semiconductor device disclosed in the present description is configured to function as a component of a switching power supply, and includes: a current sense signal generator configured to generate a current sense signal by amplifying a sense voltage corresponding to the output current of the switching power supply; a voltage sense signal generator configured to generate a voltage sense signal corresponding to the output voltage of the switching power supply; a selector configured to output as a selected sense signal one of the current sense signal and the voltage sense signal according to a mode switch signal; and an output feedback controller configured to control the driving of the switching power supply based on the selected sense signal.
A switching power supply device includes a switching element and a controller. The controller includes a current source circuit, a voltage source circuit, a PWM signal generation circuit, a capacitor of which the first terminal is connected to the current source circuit and of which the second terminal is connected to the PWM signal generation circuit, a one-way conduction element provided between the first terminal of the capacitor and the voltage source circuit and configured to pass only a current flowing from the capacitor toward the voltage source circuit, and a comparison circuit configured to compare the voltage appearing at the first terminal of the capacitor with a voltage based on the output voltage of the switching power supply device and to control the switching device based on the result of the comparison.
H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
A current sensor includes: a first and a second input terminal configured to be capable of having a sense resistor connected therebetween; a square wave generation circuit connected to the first and second input terminals and configured to be capable of generating a square-wave signal with an amplitude proportional to the voltage across the sense resistor; and a current sense signal output circuit configured to be capable of outputting based on the square-wave signal a current sense signal corresponding to the current passing through the sense resistor.
A slave circuit that is connected to a master circuit via a bus, receives a power supply voltage via the bus, and receives a communication signal superimposed on the power supply voltage includes a diode bridge circuit configured to rectify a voltage of the bus, a capacitor connection pin to which a capacitor is connected, a P-type transistor connected between an output of the diode bridge circuit and the capacitor connection pin, an operational amplifier having a first input configured to receive a feedback voltage, having a second input configured to receive a reference voltage, and having an output connected to a gate of the P-type transistor, a receiving circuit configured to receive the communication signal, a first switch connected between the gate and source of the P-type transistor, and a control unit configured to control the first switch by generating a control signal synchronous with the communication signal.
G05F 1/56 - Régulation de la tension ou de l'intensité là où la variable effectivement régulée par le dispositif de réglage final est du type continu utilisant des dispositifs à semi-conducteurs en série avec la charge comme dispositifs de réglage final
H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
A nitride semiconductor device includes: a first nitride semiconductor layer made of a nitride semiconductor; a second nitride semiconductor layer made of a nitride semiconductor having a bandgap larger than that of the first nitride semiconductor layer; a gate electrode located above the second nitride semiconductor layer; and a source electrode and a drain electrode formed on the second nitride semiconductor layer, wherein the first nitride semiconductor layer includes one or more stacked bodies, each of which includes a doped layer as a carbon-doped gallium nitride layer, and a non-doped layer as a non-doped gallium nitride layer formed on the doped layer, and wherein in a region below at least one of the gate electrode or the drain electrode, the number of dislocation lines passing through a top surface of the non-doped layer is smaller than the number of dislocation lines passing through a bottom surface of the non-doped layer.
H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
H01L 29/43 - Electrodes caractérisées par les matériaux dont elles sont constituées
A semiconductor device is configured to increase energy absorbed by an active clamp. The semiconductor device comprises a semiconductor element, a sealing resin, and a coating member. The semiconductor element includes a first electrode. The sealing resin covers the semiconductor element. The coating member is interposed between the first electrode and the sealing resin. The coating member contains a material with higher thermal conductivity than the sealing resin.
The present disclosure provides a semiconductor element, which is a switching element. The switching element includes an element front surface on which a gate pad, a plurality of drain pads, and a plurality of source pads are disposed. A source area which is the total area of the plurality of source pads, is larger than a drain area, which is the total area of the plurality of drain pads.
H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
The semiconductor device includes a chip which has a main surface, a first conductivity type channel region which is formed in a surface layer portion of the main surface, a second conductivity type drift region which is formed in the surface layer portion of the main surface so as to be adjacent to the channel region, a gate insulating film which covers the channel region and the drift region on the main surface, and a polysilicon gate which has a second conductivity type first portion which faces the channel region across the gate insulating film and a first conductivity type second portion which faces the drift region across the gate insulating film and forms a pn-junction portion with the first portion.
A transducer includes: a film support portion; a vibration film that is connected to the film support portion and capable of displacing in a thickness direction; a base material having an opposed surface that is opposed to the vibration film; and a first piezoelectric element that is provided with a pair of electrodes and a piezoelectric film sandwiched between the pair of electrodes, and is arranged on the vibration film, in which the transducer maintains a pressure in a space between the base material and the vibration film so as to keep displacement of the vibration film within a certain range.
H04R 1/28 - Supports de transducteurs ou enceintes conçus pour réponse de fréquence spécifique; Enceintes de transducteurs modifiées au moyen d'impédances mécaniques ou acoustiques, p.ex. résonateur, moyen d'amortissement
A power-on reset circuit supplies a reset pulse to a sequential circuit to be initialized. A latch circuit includes a first inversion circuit and a second inversion circuit structured to invert and amplify a signal input thereto, with an output node of the first inversion circuit connected to an input node of the second inversion circuit, and with an output node of the second inversion circuit connected to an input node of the first inversion circuit. A decision circuit receives the first signal from the output node of the first inversion circuit and the second signal from the output node of the second inversion circuit and generates a reset pulse on the basis of the first signal and the second signal.
H03K 19/20 - Circuits logiques, c. à d. ayant au moins deux entrées agissant sur une sortie; Circuits d'inversion caractérisés par la fonction logique, p.ex. circuits ET, OU, NI, NON
11.
SEMICONDUCTOR DEVICE WITH VOLTAGE RESISTANT STRUCTURE
A semiconductor device of the present invention includes a semiconductor layer of a first conductivity type having a cell portion and an outer peripheral portion disposed around the cell portion, formed with a gate trench at a surface side of the cell portion, and a gate electrode buried in the gate trench via a gate insulating film, forming a channel at a portion lateral to the gate trench at ON-time, the outer peripheral portion has a semiconductor surface disposed at a depth position equal to or deeper than a depth of the gate trench, and the semiconductor device further includes a voltage resistant structure having a semiconductor region of a second conductivity type formed in the semiconductor surface of the outer peripheral portion.
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
H01L 29/36 - Corps semi-conducteurs caractérisés par la concentration ou la distribution des impuretés
H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/49 - Electrodes du type métal-isolant-semi-conducteur
H01L 29/51 - Matériaux isolants associés à ces électrodes
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
The present invention provides a nitride semiconductor device, including: a silicon substrate; a first lateral transistor over a first region of the silicon substrate and including: a first nitride semiconductor layer formed over the silicon substrate; and a first gate electrode, a first source electrode and a first drain electrode formed over the first nitride semiconductor layer; a second lateral transistor over a second region of the silicon substrate and including: a second nitride semiconductor layer formed over the silicon substrate; and a second gate electrode, a second source electrode and a second drain electrode formed over the second nitride semiconductor layer; a first separation trench formed over a third region; a source/substrate connecting via hole formed over the third region; a first interlayer insulating layer formed over the first source electrode and the second source electrode; and a second interlayer insulating layer formed in the first separation trench.
H01L 27/085 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ
H01L 21/76 - Réalisation de régions isolantes entre les composants
H01L 21/8252 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie III-V
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
H01L 29/205 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV comprenant plusieurs composés dans différentes régions semi-conductrices
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
13.
SEMICONDUCTOR DEVICE, SENSOR, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
A semiconductor device includes: a substrate; and a semiconductor element, wherein the substrate includes a base and a conductor pattern arranged on the base, the conductor pattern includes a die pad portion and first and second connection portions, the die pad portion includes first and second ends in a first direction, and third and fourth ends in a second direction, outer periphery of the die pad portion includes first and second sides in the second direction, and third and fourth sides in the first direction, a recess is formed on one of the first and second sides, the first and second connection portions are respectively connected to a first corner of the outer periphery where the second and third sides are joined, and a second corner of the outer periphery where the second and fourth sides are joined.
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
H01L 33/20 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
An SiC semiconductor device includes an SiC chip that has a main surface, and an n-type drift region that is formed in a surface layer portion of the main surface and has an impurity concentration adjusted by at least two types of pentavalent elements.
H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
H01L 29/36 - Corps semi-conducteurs caractérisés par la concentration ou la distribution des impuretés
Provided is a RAM including a first read bit line, a first write bit line, a second read bit line, a second write bit line, a charge circuit configured to charge one of the first and second read bit lines and the first and second write bit lines at a time of short-circuit detection, and a discharge circuit configured to discharge the other of the first and second read bit lines and the first and second write bit lines at the time of the short-circuit detection.
G11C 29/50 - Test marginal, p.ex. test de vitesse, de tension ou de courant
G01R 31/52 - Test pour déceler la présence de courts-circuits, de fuites de courant ou de défauts à la terre
G11C 7/12 - Circuits de commande de lignes de bits, p.ex. circuits d'attaque, de puissance, de tirage vers le haut, d'abaissement, circuits de précharge, circuits d'égalisation, pour lignes de bits
The present disclosure provides a semiconductor integrated circuit (IC) capable of suppressing influence of disturbance noise. The semiconductor IC includes an input terminal, an amplifier circuit, a first element and a second element. The input terminal is configured to allow inputting a signal of abrupt voltage change. The amplifier circuit is configured to amplify a difference between two input signals. The first element is connected to a first input end of the amplifier circuit. The second element is connected to a second input end of the amplifier circuit. In a plan view, a distance between a first position included in an arrangement region of the first element and a third position included in the input terminal is equal to a distance between a second position included in an arrangement region of the second element and the third position.
The present disclosure provides a differential amplifier circuit for actuating a speaker. The differential amplifier circuit includes: a first amplifier configured to amplify a positive signal of a differential signal; a second amplifier configured to amplify a negative signal of the differential signal; and a determination circuit configured to monitor the positive signal and the negative signal. The determination circuit includes: a comparator; a selection circuit configured to selectively supply a first detection signal corresponding to the positive signal and a second detection signal corresponding to the negative signal to a first input of the comparator by time division; a voltage source configured to supply a plurality of threshold voltages to a second input of the comparator by time division; and a determination unit configured to determine a state of the differential signal based on an output of the comparator.
A semiconductor device capable of suppressing separation of a sealing resin at an internal reverse surface is provided. The semiconductor device includes a semiconductor element, a first lead on which the semiconductor element is mounted, and a sealing resin covering the semiconductor element and a part of the lead. The lead includes an obverse surface to which the semiconductor element is bonded, a reverse surface facing away from the obverse surface in a thickness direction of the first lead and exposed from the sealing resin, and an internal reverse surface facing the same side as a side that the reverse surface faces in the thickness direction and covered with the sealing resin. The internal reverse surface includes an irregular portion.
For example, an I/O circuit is formed by freely combining a plurality of kinds of standard cells included in a cell library. The plurality of kinds of standard cells include at least first standard cells and a second standard cell. The first standard cells include first protection elements and a first power line formed in a region over the first protection elements to conduct to the first protection elements. The second standard cell includes a second protection element formed in a layout identical with that of the first protection elements, and a second power line formed in a region over the second protection element to conduct to the second protection element while being isolated from the first power line.
A MEMS module includes: a substrate; a semiconductor chip in which a MEMS including a mechanical movable portion is formed; and a soft member that is interposed between the substrate and the semiconductor chip and has a lower hardness than the substrate, wherein the soft member is disposed in a partial region of a first main surface of the semiconductor chip facing the substrate.
A nitride semiconductor device includes a passivation layer which has a first opening and a second opening, and which covers an electron supply layer, a gate layer, and a gate electrode. The passivation layer includes: a first insulation layer formed on at least a portion of the electron supply layer positioned, in plan view, between the first opening and gate layer; and a second insulation layer which covers the gate layer and gate electrode, and which is formed on the electron supply layer positioned, in plan view, between the second opening and gate layer. The second insulation layer is formed from a material having a Young's modulus lower than that of the first insulation layer.
H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
23.
SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING PN JUNCTION DIODE AND SCHOTTKY BARRIER DIODE
A semiconductor device includes a MOSFET including a PN junction diode. A unipolar device is connected in parallel to the MOSFET and has two terminals. A first wire connects the PN junction diode to one of the two terminals of the unipolar device. A second wire connects the one of the two terminals of the unipolar device to an output line, so that the output line is connected to the MOSFET and the unipolar device via the first wire and the second wire. In one embodiment the connection of the first wire to the diode is with its anode, and in another the connection is with the cathode.
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
H01L 29/24 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des matériaux semi-conducteurs inorganiques non couverts par les groupes , , ou
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H02M 7/00 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu; Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif
A semiconductor device includes a plurality of die pad sections, a plurality of semiconductor chips, each of which is arranged in each of the die pad sections, a resin encapsulation portion having a recess portion for exposing at least a portion of the die pad sections, the resin encapsulation portion configured to cover the die pad sections and the semiconductor chips, and a heat radiation layer arranged in the recess portion. The heat radiation layer includes an elastic layer exposed toward a direction in which the recess portion is opened. The heat radiation layer directly faces at least a portion of the die pad sections. The elastic layer overlaps with at least a portion of the die pad sections when seen in a thickness direction of the heat radiation layer.
H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes
H01L 23/433 - Pièces auxiliaires caractérisées par leur forme, p.ex. pistons
H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 23/29 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par le matériau
H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H01L 23/373 - Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif
H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
A semiconductor device includes a first die pad with a first obverse surface facing in z direction, a second die pad spaced from the first die pad and including a second obverse surface facing in z direction, a first semiconductor element on the first obverse surface, a second semiconductor element on the second obverse surface, an insulating element on the first or second obverse surface and located between the first and second semiconductor elements in x direction to relay signals between the first and second semiconductor elements while electrically insulating these semiconductor elements, and a wire bonded to the first semiconductor element and the first obverse surface. The first die pad includes a first bond portion bonded to the wire, and a first opening located between the first bond portion and the first semiconductor element in y direction and including an opening end in the first obverse surface.
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
29.
CONTROLLER CIRCUIT OF STEP-DOWN DC/DC CONVERTER AND IN-VEHICLE POWER SUPPLY SYSTEM
Provided is a controller circuit of a step-down DC/DC converter, the controller circuit including a ramp voltage generating circuit that generates a periodic ramp voltage, a clamp voltage generating circuit that generates a clamp voltage, an error amplifier that generates an error signal that depends on an error between an electrical state of the step-down DC/DC converter and a target state of the electrical state, a clamp circuit that clamps the error signal by using the clamp voltage, and a pulse width modulation comparator that compares the error signal resulting from the clamping by the clamp circuit with the ramp voltage. The ramp voltage generating circuit includes a first capacitor, a first current source, a switch, a second capacitor, and a driver circuit. The clamp voltage generating circuit includes a third capacitor, a fourth capacitor, a first resistor, and a second current source.
H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
B60R 16/03 - Circuits électriques ou circuits de fluides spécialement adaptés aux véhicules et non prévus ailleurs; Agencement des éléments des circuits électriques ou des circuits de fluides spécialement adapté aux véhicules et non prévu ailleurs électriques pour l'alimentation des sous-systèmes du véhicule en énergie électrique
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
The present disclosure provides a driving circuit of a high-side transistor. The driving circuit drives the high-side transistor based on an input signal. A level shift circuit is configured to level-shift the input signal. A high-side driver drives the high-side transistor based on an output of the level shift circuit. A first transistor and a second transistor constitute a latch circuit. A third transistor and a fourth transistor are P-channel DMOS transistors. A seventh transistor and an eighth transistor are N-channel DMOS transistors and are connected in parallel with the third transistor and the fourth transistor.
H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
H03F 3/217 - Amplificateurs de puissance de classe D; Amplificateurs à commutation
H03K 17/10 - Modifications pour augmenter la tension commutée maximale admissible
H03K 19/0185 - Dispositions pour le couplage; Dispositions pour l'interface utilisant uniquement des transistors à effet de champ
An output node of a high-side driver circuit is coupled to the gate of a high-side transistor. The high-side driver circuit is structured to operate in a first mode in which the high-side driver circuit outputs a driving current with a first current amount during a first period from the transition of a high-side control signal HGCTL from the off level to the on level, and outputs the driving current with a second current amount that is smaller than the first current amount during a second period subsequent to the first period.
H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
An example switch device includes a switching element to connect/disconnect a current path from a power supply terminal to a ground terminal via a load, and an overcurrent protection circuit to limit output current flowing in the switching element to be an overcurrent limit value or less. When an output short circuit of the load is detected, the overcurrent protection circuit decreases the overcurrent limit value to be lower as a power supply voltage is higher. The overcurrent protection circuit includes a reference current generation portion that includes: a differential amplifier portion, an upper side current generation portion arranged to generate a predetermined an upper side current, a lower side current generation portion arranged to generate a lower side current, and a difference current generation portion arranged to output a difference current based on the lower side current and the upper side current, as the reference current.
H03K 17/082 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension par réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande
B60R 16/03 - Circuits électriques ou circuits de fluides spécialement adaptés aux véhicules et non prévus ailleurs; Agencement des éléments des circuits électriques ou des circuits de fluides spécialement adapté aux véhicules et non prévu ailleurs électriques pour l'alimentation des sous-systèmes du véhicule en énergie électrique
G01K 7/01 - Mesure de la température basée sur l'utilisation d'éléments électriques ou magnétiques directement sensibles à la chaleur utilisant des éléments semi-conducteurs à jonctions PN
G01K 7/16 - Mesure de la température basée sur l'utilisation d'éléments électriques ou magnétiques directement sensibles à la chaleur utilisant des éléments résistifs
H02H 3/08 - Circuits de protection de sécurité pour déconnexion automatique due directement à un changement indésirable des conditions électriques normales de travail avec ou sans reconnexion sensibles à une surcharge
H02H 5/04 - Circuits de protection de sécurité pour déconnexion automatique due directement à un changement indésirable des conditions non électriques normales de travail avec ou sans reconnexion sensibles à une température anormale
H02H 6/00 - Circuits de protection de sécurité sensibles à des changements indésirables des conditions non électriques normales de travail et utilisant des dispositifs simulateurs de l'appareil protégé, p.ex. utilisant des images thermiques
H02M 3/156 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation
H03K 17/16 - Modifications pour éliminer les tensions ou courants parasites
An insulation module includes: a light-emitting element; a light-receiving element that receives light from the light-emitting element; a first die pad on which the light-emitting element is mounted; a second die pad that is provided in alignment with the first die pad and on which the light-receiving element is mounted; a transparent resin that at least covers both the light-emitting element and the light-receiving element; a reflection member that covers at least the transparent resin and is formed from a material that reflects light from the light-emitting element; and an encapsulation resin that encapsulates the reflection member as well as the transparent resin and is formed from a material having a light-blocking effect. At least one of the reflection member and the transparent resin includes inorganic particles that absorb or reflect light from the light-emitting element.
H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des groupes principaux , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. circuit hybrides
H01L 31/0232 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails - Détails Éléments ou dispositions optiques associés au dispositif
H01L 31/167 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails structurellement associés, p.ex. formés dans ou sur un substrat commun, avec une ou plusieurs sources lumineuses électriques, p.ex. avec des sources lumineuses électroluminescentes, et en outre électriquement ou optiquement couplés avec lesdites sour le dispositif à semi-conducteur sensible au rayonnement étant commandé par la ou les sources lumineuses les sources lumineuses et les dispositifs sensibles au rayonnement étant tous des dispositifs semi-conducteurs caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou de surface
This insulation module includes: a first light-emitting element and a first light-receiving element that constitute a photocoupler; a first plate-shaped member that has light-transmitting properties and is provided between the first light-receiving element and the first light-emitting element; an encapsulation resin that at least encapsulates the light-emitting element and the light-receiving element; and a plurality of terminals that are provided to a first plastic side surface of the encapsulation resin. The first plate-shaped member is layered on the light-receiving surface of the first light-receiving element, and the first light-emitting element is layered on the first plate-shaped member. Recessed-projecting portions are provided to sections between adjacent terminals among the plurality of terminals on the first plastic side surface.
H01L 31/167 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails structurellement associés, p.ex. formés dans ou sur un substrat commun, avec une ou plusieurs sources lumineuses électriques, p.ex. avec des sources lumineuses électroluminescentes, et en outre électriquement ou optiquement couplés avec lesdites sour le dispositif à semi-conducteur sensible au rayonnement étant commandé par la ou les sources lumineuses les sources lumineuses et les dispositifs sensibles au rayonnement étant tous des dispositifs semi-conducteurs caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou de surface
This insulation module comprises: a light-emitting element that has a light-emitting surface and a pad formed on the light-emitting surface; a light-receiving element that has a light-receiving surface facing the light-emitting surface with a space therebetween, and that constitutes a photocoupler together with the light-emitting element; a plate-shaped member that is provided between the light-emitting surface and the light-receiving surface, has light-transmitting and insulating properties, and is inclined with respect to both the light-emitting surface and the light-receiving surface; and a wire that is connected to the pad. The pad is disposed offset from the center toward a section among the light-emitting surface where the distance to the plate-shaped member increases.
H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des groupes principaux , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. circuit hybrides
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
A semiconductor device includes a semiconductor element, a first lead electrically connected to the semiconductor element, and a connecting member connected to the semiconductor element and the first lead. The connecting member includes a core containing a first material, and a surface layer. The surface layer contains a first metal and covers the core. The first material includes an alloy in which at least a third metal is added to a second metal and has a higher corrosion resistance than the second metal. The third metal has the highest proportion among the metals added and has an atomic number greater than the second metal.
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
37.
METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR APPARATUS AND SEMICONDUCTOR APPARATUS
A semiconductor device manufacturing method includes a first preparation step, a second preparation step, a mounting step, a third preparation step, a placing step and a curing step. In the first preparation step, a first leadframe including an island part is prepared. In the second preparation step, a semiconductor element including an element obverse surface, an element reverse surface, a first electrode and a second electrode is prepared. In the mounting step, the semiconductor element is mounted on the island part with a first conductive paste interposed between the element reverse surface and the island part. In the third preparation step, a second leadframe including a first part, a second part, a frame part, a first connecting part and a second connecting part is prepared. In the placing step, the second leadframe is placed with a second conductive paste interposed between the first part and the first electrode and with a third conductive paste interposed between the second part and the second electrode. In the curing step, the first conductive paste, the second conductive paste and the third conductive paste are hardened.
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
38.
POWER SUPPLY CONTROL APPARATUS AND SWITCHING POWER SUPPLY INCLUDING THE SAME
A power supply control apparatus, includes: a driver configured to respectively drive an output transistor and a synchronous rectification transistor configured to generate an output voltage from an input voltage and supply the output voltage to a load; and a controller configured to, in a light load mode in which output feedback control is performed such that a switching frequency of the output transistor becomes lower as the load becomes lighter, during an off period from a time at which both the output transistor and the synchronous rectification transistor are turned off to an on timing of the output transistor based on the output feedback control, periodically turn on the synchronous rectification transistor within a range in which the switching frequency does not fall below a predetermined lower limit value.
H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
39.
STATE DETECTION DEVICE, SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND VEHICLE
The present disclosure provides a state detection device, which is designed in a power supply circuit including a feedback control unit configured to perform feedback control based on a difference between a feedback voltage corresponding to an output voltage and a reference voltage; and an output capacitor configured to smooth the output voltage. The state detection device is configured to detect a state of the output capacitor. The state detection device includes target value varying unit and a detector. The target value varying unit is configured to increase a target value of the output voltage. The detector is configured to detect the state of the output capacitor based on a change in the output voltage while the output capacitor is being charged as the target value of the output voltage rises or while the output capacitor is being discharged after the target value of the output voltage rises.
H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
G05F 1/565 - Régulation de la tension ou de l'intensité là où la variable effectivement régulée par le dispositif de réglage final est du type continu utilisant des dispositifs à semi-conducteurs en série avec la charge comme dispositifs de réglage final sensible à une condition du système ou de sa charge en plus des moyens sensibles aux écarts de la sortie du système, p.ex. courant, tension, facteur de puissance
G05F 1/575 - Régulation de la tension ou de l'intensité là où la variable effectivement régulée par le dispositif de réglage final est du type continu utilisant des dispositifs à semi-conducteurs en série avec la charge comme dispositifs de réglage final caractérisé par le circuit de rétroaction
H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
40.
SOUND WAVE PROCESSING DEVICE AND ULTRASONIC SYSTEM
A sound wave processing device includes a transmission signal generation unit that generates a transmission signal for transmitting a sound wave, a received wave signal output unit that outputs a received wave signal based on receiving the sound wave, a correlation-convolution integral processing unit that performs correlation-convolution integral processing in parallel for each reference wave data, on the basis of the received wave signal and a plurality of reference wave data, and an own wave identification unit that determines whether or not the received sound wave is own wave, which is a reflected wave of the sound wave transmitted by the transmission signal generation unit, on the basis of a correlation-convolution integral value output from the correlation-convolution integral processing unit.
G01S 15/931 - Systèmes sonar, spécialement adaptés à des applications spécifiques pour prévenir les collisions de véhicules terrestres
G01S 7/534 - DÉTERMINATION DE LA DIRECTION PAR RADIO; RADIO-NAVIGATION; DÉTERMINATION DE LA DISTANCE OU DE LA VITESSE EN UTILISANT DES ONDES RADIO; LOCALISATION OU DÉTECTION DE LA PRÉSENCE EN UTILISANT LA RÉFLEXION OU LA RERADIATION D'ONDES RADIO; DISPOSITIONS ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES - Détails des systèmes correspondant aux groupes , , de systèmes selon le groupe - Détails de systèmes non impulsionnels
41.
SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
A semiconductor device includes a first resin layer having a first obverse surface facing in a thickness direction, a first wiring layer facing the first obverse surface, a semiconductor layer, and a semiconductor element. The semiconductor element includes an electrode electrically connected to the semiconductor layer and facing the first obverse surface and is electrically bonded at the electrode to the first wiring layer. The semiconductor device further includes a second resin layer having a second obverse surface facing the same side as the first obverse surface in the thickness direction, and a second wiring layer facing the second obverse surface and electrically connected to the semiconductor layer. The second wiring layer is in contact with the semiconductor layer. The second wiring layer extends across an outer edge of the semiconductor layer as viewed in the thickness direction.
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
A semiconductor device includes: a substrate having an obverse and a reverse face; wirings on the obverse face such as a first and a second drive wiring; a semiconductor element connected to the first and second drive wirings; a first drive conductor on the same side as the semiconductor element with respect to the substrate outside of the semiconductor element as viewed in a thickness direction and connected to the first drive wiring; a second drive conductor on the same side as the semiconductor element with respect to the substrate outside of the semiconductor element as viewed in the thickness direction and connected to the second drive wiring; and a sealing resin covering the wirings and the semiconductor element, while also covering the first and second drive conductor such that their faces opposite to the substrate in the thickness direction are exposed. The first and the second drive conductor are separated in a direction parallel to the obverse face. The first drive conductor is smaller in volume than the second drive conductor.
H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des groupes principaux , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. circuit hybrides
A semiconductor device includes: a semiconductor region of a first conductivity type having a main surface; a capacitor region of a second conductivity type formed in a surface layer portion of the main surface; and at least one trench structure including a trench formed in the main surface to penetrate the capacitor region, an insulating film covering a wall surface of the trench, and embedded electrodes embedded in the trench so as to form capacitive coupling with the capacitor region through the insulating film.
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
44.
NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
A nitride semiconductor device includes an electron transit layer composed of a nitride semiconductor, an electron supply layer formed on the electron transit layer and composed of a nitride semiconductor having a band gap that is larger than that of the electron transit layer, a gate layer formed on the electron supply layer and composed of a nitride semiconductor including an acceptor impurity, a gate electrode formed on the gate layer, and a source electrode and a drain electrode that are formed on the electron supply layer. The gate layer includes an upper surface in contact with the gate electrode. The upper surface is a Ga-polar surface.
H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
Provided is an igniter capable of reducing occurrence of malfunction due to noise. An igniter (100) includes a switch element (111) having a first end, a temperature sensor (112) including at least one diode and having a cathode end (112B), a switch element control device (12) configured to control the switch element, and a switch element electrode (Pe) connected to the first end of the switch element and to the cathode end, and the switch element control device has a ground electrode (Pgnd) electrically isolated from the cathode end.
F02P 7/02 - Aménagement des distributeurs, contacteurs, rupteurs ou capteurs de l'allumage par étincelle électrique des distributeurs
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
46.
SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE
A semiconductor device includes: two conductive members; a semiconductor element bonded to one of the two conductive members; and a relay terminal bonded to the two conductive members. The relay terminal has a first strip portion and a second strip portion that are bonded to the two conductive members, and a connecting portion that connects the first strip portion and the second strip portion. The first strip portion has a first side. The connecting portion has a first intermediate side, and a first connecting side connecting the first side and the first intermediate side. As viewed in the thickness direction, the first connecting side is located away from a first virtual intersection that is an intersection of a first virtual line overlapping with the first side and a second virtual line overlapping with the first intermediate side.
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
A semiconductor device includes a conductive substrate, first semiconductor elements and a first conductive member. The substrate includes an obverse surface facing in thickness direction. The first semiconductor elements, bonded to the obverse surface, have a switching function. The conductive member includes a first wiring extending in x direction orthogonal to thickness direction; a second wiring spaced from the first wiring in y direction orthogonal to thickness and x directions, extending in x direction; a third wiring connected to the first wiring and the second wiring, extending in y direction, and connected to the first semiconductor elements; a fourth wiring spaced from the third wiring in x direction, connected to the first wiring and the second wiring, and extending in y direction; and a fifth wiring between the first wiring and the second wiring in y direction and connected to the third wiring and the fourth wiring.
H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
48.
SOUND WAVE PROCESSING DEVICE AND ULTRASONIC SYSTEM
A burst drive signal has a sensor drive period for transmitting a first drive signal, and an interval period provided between the sensor drive periods adjacent to each other, for transmitting a second drive signal. The first drive signal has a frequency within a frequency band of a band pass filter. The second drive signal has a frequency that is different from a resonant frequency of a sensor element and is outside the frequency band of the band pass filter.
A semiconductor device is provided with: a plurality of gate trenches; a plurality of gate electrodes; a plurality of field plate electrodes; gate wiring that is connected to each gate electrode and forms a loop in plan view; first source wiring that is connected to a first end of each field plate electrode and is disposed within the loop of the gate wiring in plan view; second source wiring that is connected to a second end of each field plate electrode and is disposed outside the loop of the gate wiring in plan view; and, a connection structure. The connection structure includes a connection trench that intersects the gate wiring in plan view, and inter-source wiring embedded in the connection trench. The inter-source wiring electrically connects the first source wiring and the second source wiring.
H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
The semiconductor device includes a semiconductor layer having an active portion and a gate finger portion, an MIS transistor formed at the active portion including a gate trench and a source region, a channel region and a drain region sequentially along a side surface of the gate trench, a plurality of first gate finger trenches arranged by an extended portion of the gate trench, a gate electrode embedded each in the gate trench and the first gate finger trench, a second conductive-type first bottom-portion impurity region formed at least at a bottom portion of the first gate finger trench, a gate finger which crosses the plurality of first gate finger trenches and is electrically connected to the gate electrode, and a second conductive-type electric field relaxation region formed more deeply than the bottom portion of the first gate finger trench between the mutually adjacent first gate finger trenches.
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H01L 29/12 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/49 - Electrodes du type métal-isolant-semi-conducteur
51.
LIQUID LEAKAGE DETECTION SYSTEM AND LIQUID LEAKAGE SENSOR
A liquid leakage detection system that detects a liquid includes: a liquid leakage sensor including a first detector that detects adhesion of the liquid based on a change in impedance between a first electrode and a second electrode; and a control device that acquires information including the impedance between the first electrode and the second electrode, wherein the liquid leakage sensor includes a heater that heats the first electrode and the second electrode, and wherein the control device determines whether or not liquid leakage or dew condensation has occurred based on the impedance between the first electrode and the second electrode that are in a state of being heated by the heater, and notifies the determination result.
G01M 3/16 - Examen de l'étanchéité des structures ou ouvrages vis-à-vis d'un fluide par utilisation d'un fluide ou en faisant le vide par détection de la présence du fluide à l'emplacement de la fuite en utilisant des moyens de détection électrique
52.
SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
A semiconductor device includes: a chip including a main surface; a first conductivity type first semiconductor region formed at least in a surface layer portion of the main surface; a trench structure including a trench formed in the main surface to be located within the first semiconductor region, and a second conductivity type polysilicon mechanically and electrically connected to the chip and located within the trench; and a second conductivity type second semiconductor region formed within the first semiconductor region along a wall surface of the trench structure and forming a pn junction, as a photodiode, with the first semiconductor region.
H01L 31/0352 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur forme ou par les formes, les dimensions relatives ou la disposition des régions semi-conductrices
H01L 31/103 - Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface la barrière de potentiel étant du type PN à homojonction
H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
53.
BUCK DC/DC CONVERTER AND CONTROLLER CIRCUIT OF BUCK DC/DC CONVERTER
Provided is a controller circuit of a buck DC/DC converter. The controller circuit includes a feedback pin to be connected to an output line of the buck DC/DC converter, a voltage divider circuit including a first resistor and a second resistor connected in series between the feedback pin and a ground, a feedback circuit that generates a pulse modulation signal to bring a feedback voltage as an output of the voltage divider circuit close to a reference voltage, and a current source that is connected to the feedback pin and supplies a constant current.
H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
A semiconductor device includes a terminal, a signal substrate, a supporting conductor and a bonding layer. The terminal includes an electrically conductive tubular holder and a metal pin inserted into the holder. The signal substrate includes a wiring layer and an insulating substrate. The supporting conductor supports the wiring layer via the insulating substrate. The bonding layer is interposed between the supporting substrate and the signal substrate. The insulating substrate includes an obverse surface and a reverse surface spaced apart in a thickness direction of the signal substrate. The wiring layer is disposed on the obverse surface, and the terminal is secured to the wiring layer. The holder is bonded to the wiring layer. The metal pin extends in the thickness direction. The bonding layer electrically insulates the signal substrate and the supporting conductor.
H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
A semiconductor light emitting device includes a light emitting module, a stem, and a surrounding member. The stem includes a conductive base and a conductive heat sink extending upright from the base. The light emitting module is mounted on the heat sink. The surrounding member is arranged on the base and surrounds the light emitting module and the heat sink. The light emitting module includes a substrate mounted on the heat sink, a light emitting element mounted on the substrate, and a light emitting element drive circuit mounted on the substrate. The light emitting element drive circuit includes a transistor configured to drive the light emitting element. The transistor is a vertical MOSFET mounted on the substrate.
A power control device includes: an output voltage controller configured to control an output voltage based on a feedback voltage corresponding to the output voltage; and an overvoltage protector configured to continue or stop the operation of the output voltage controller based on a first detection result of whether the output voltage has exceeded an output voltage threshold value and a second detection result of whether the feedback voltage has fallen to or below a feedback voltage threshold value.
H02H 7/12 - Circuits de protection de sécurité spécialement adaptés pour des machines ou appareils électriques de types particuliers ou pour la protection sectionnelle de systèmes de câble ou ligne, et effectuant une commutation automatique dans le cas d'un chan pour redresseurs pour convertisseurs ou redresseurs statiques
G05F 1/571 - Régulation de la tension ou de l'intensité là où la variable effectivement régulée par le dispositif de réglage final est du type continu utilisant des dispositifs à semi-conducteurs en série avec la charge comme dispositifs de réglage final sensible à une condition du système ou de sa charge en plus des moyens sensibles aux écarts de la sortie du système, p.ex. courant, tension, facteur de puissance à des fins de protection avec détecteur de surtension
G05F 1/575 - Régulation de la tension ou de l'intensité là où la variable effectivement régulée par le dispositif de réglage final est du type continu utilisant des dispositifs à semi-conducteurs en série avec la charge comme dispositifs de réglage final caractérisé par le circuit de rétroaction
G05F 1/595 - Dispositifs à semi-conducteurs connectés en série
H02H 1/00 - CIRCUITS DE PROTECTION DE SÉCURITÉ - Détails de circuits de protection de sécurité
H02H 3/20 - Circuits de protection de sécurité pour déconnexion automatique due directement à un changement indésirable des conditions électriques normales de travail avec ou sans reconnexion sensibles à un excès de tension
H02M 1/088 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques pour la commande simultanée de dispositifs à semi-conducteurs connectés en série ou en parallèle
H02M 1/36 - Moyens pour mettre en marche ou arrêter les convertisseurs
H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
A signal transmission device is constituted by a transformer chip having, for example, a first wiring layer, a second wiring layer different from the first wiring layer, a primary winding formed in the first wiring layer, a secondary winding formed in the second wiring layer to be magnetically coupled with the primary winding, and a shield electrode formed to be interposed between the primary and secondary windings.
A switching device, for example, includes a P-type semiconductor substrate configured to be fed with a ground voltage, a switching element connected between an application terminal for a supply voltage and an application terminal for an output voltage, a driver configured to turn on and off the switching element, and an active clamp circuit configured to control the switching element so as to keep the output voltage at an off transition of the switching element equal to or higher than a lower limit voltage lower than the ground voltage by an active clamp voltage.
H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
B60R 16/03 - Circuits électriques ou circuits de fluides spécialement adaptés aux véhicules et non prévus ailleurs; Agencement des éléments des circuits électriques ou des circuits de fluides spécialement adapté aux véhicules et non prévu ailleurs électriques pour l'alimentation des sous-systèmes du véhicule en énergie électrique
The present disclosure provides a MEMS sensor. The MEMS sensor includes a first substrate having a cavity and a second substrate bonded to the first substrate. The first substrate is provided with an electrode movably disposed in the cavity and a sealed member coupling to the second substrate. The second substrate is provided with a stop member for restricting a movement of the electrode toward the second substrate and a sealing member coupling to the sealed member. The sealed member is formed by a first metal layer on the first substrate. The sealing member is formed by a second metal layer on the second substrate. A polycrystalline layer is formed on the stop member. The polycrystalline layer is disposed between the second substrate and the second metal layer.
Provided is an analog switch circuit including an intermediate node, a first PMOS transistor including a source connected to the input node and a back gate and a drain connected to the intermediate node, a second PMOS transistor including a source connected to the output node, a back gate and a drain connected to the intermediate node, and a gate connected to a gate of the first PMOS transistor, a first NMOS transistor including a source grounded and a drain connected to the gates of the first PMOS transistor and the second PMOS transistor, a third PMOS transistor connected between the intermediate node and the drain of the first NMOS transistor, a first resistor connected between the gate of the first NMOS transistor and a ground, and a driver including an input that receives the control signal and an output connected to the gate of the first NMOS transistor.
H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
H03K 17/06 - Modifications pour assurer un état complètement conducteur
H03K 17/22 - Modifications pour assurer un état initial prédéterminé quand la tension d'alimentation a été appliquée
61.
REVERSE CONDUCTION LOSS REDUCTION CIRCUIT, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SWITCHING POWER SUPPLY
A reverse conduction loss reduction circuit operates, when an enhancement-mode switching element having reverse conduction characteristics corresponding to a gate-source voltage is reverse-conducting, to raise the gate-source voltage of the switching element to a predetermined bias voltage.
H03K 17/567 - Circuits caractérisés par l'utilisation d'au moins deux types de dispositifs à semi-conducteurs, p.ex. BIMOS, dispositifs composites tels que IGBT
H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
The present disclosure provides a successive comparison type A/D converter. The successive comparison type A/D converter includes a D/A converter, configured to generate an analog output voltage according to a digital input; a comparator, configured to compare a voltage according to an analog input signal with an output voltage of the D/A converter; and a control circuit, configured to input the digital input to the D/A converter. The D/A converter includes: a capacitive D/A conversion circuit, including an output line connected to the comparator and a plurality of capacitors respectively connected to the output line; an isolation capacitor, connected to the output line; and a current source. The current source is configured to output a current signal to the output line through the isolation capacitor in synchronization with an input of the digital input to the D/A converter by the control circuit.
H03M 1/46 - Valeur analogique comparée à des valeurs de référence uniquement séquentiellement, p.ex. du type à approximations successives avec convertisseur numérique/analogique pour fournir des valeurs de référence au convertisseur
63.
STABILIZED VOLTAGE GENERATION CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR DEVICE
The stabilized voltage generation circuit includes: a first voltage generation circuit configured to generate a first voltage with positive temperature characteristics; and a second voltage generation circuit including a first MOSFET having a gate of a first conductivity type and a second MOSFET having a gate of a second conductivity type different from the first conductivity type and configured to generate a second voltage with negative temperature characteristics based on the difference in gate threshold voltage between the first and second MOSFETs. The output voltage is generated based on the sum voltage of the first and second voltages.
A semiconductor device includes an n-type semiconductor layer, a p-type drift region formed in a surface layer portion of the semiconductor layer, an n-type body region formed in the surface layer portion of the semiconductor layer, a p-type drain region formed in a surface layer portion of the drift region, a p-type source region formed in a surface layer portion of the body region, a gate insulating film formed on a surface of the semiconductor layer, and a polysilicon gate formed on the gate insulating film, wherein a region extending from the source region to a side edge of the drift region is a channel region, and wherein the polysilicon gate includes a p-type first portion facing at least a portion of the channel region, and an n-type second portion facing at least a portion of the drift region.
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 29/08 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
A semiconductor device includes: a chip having a main surface; a trench insulation structure that defines an active region in the main surface; a first conductivity type well region formed in the active region; a second conductivity type first impurity region formed in the well region; a second impurity region formed in the well region and surrounding the first impurity region in a plan view; a gate electrode formed on the well region between the first impurity region and the second impurity region, and surrounding the first impurity region in a plan view; a gate insulating film formed between the gate electrode and the well region; a gate contact portion formed on the trench insulation structure; and a gate connection portion that crosses the second impurity region from a boundary between the trench insulation structure and the active region and connects the gate contact portion and the gate electrode.
H01L 27/092 - Transistors à effet de champ métal-isolant-semi-conducteur complémentaires
H01L 29/08 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
66.
SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
A semiconductor device includes: an n-type semiconductor layer; a p-type drift region formed in a surface layer of the n-type semiconductor layer; an n-type body region formed in the surface layer of the n-type semiconductor layer so as to be spaced apart from or adjacent to the p-type drift region; a p-type drain region formed in a surface layer of the p-type drift region; a p-type source region formed in a surface layer of the n-type body region; a gate insulating film formed over a surface of the n-type semiconductor layer so as to straddle the p-type drift region and the n-type body region; a gate electrode formed over the gate insulating film; and an n-type region formed in the surface layer of the p-type drift region and arranged between a side edge of the p-type drift region near the n-type body region and the p-type drain region.
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
H01L 29/08 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
The present disclosure provides a MEMS device. The MEMS device includes: a substrate; a recess, disposed in the substrate; a movable portion, hollowly supported in the recess; and an isolation joint, inserted into a predetermined position of the movable portion and electrically insulating both sides of the movable portion. A shortest distance between a bottom of the recess and the movable portion is less than a distance between the bottom of the recess and the isolation joint.
A drive device includes a power supply circuit that includes a switch element, and a drive circuit that is configured to use a voltage supplied from the power supply circuit as a power supply voltage and that is configured to perform pulse driving of a drive-target element. The power supply circuit is configured to operate such that a switching frequency of the switch element differs from a frequency of the pulse driving.
G01S 15/10 - Systèmes pour mesurer la distance uniquement utilisant la transmission de trains discontinus d'ondes modulées par impulsions
H02M 3/07 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des résistances ou des capacités, p.ex. diviseur de tension utilisant des capacités chargées et déchargées alternativement par des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
A semiconductor device 1 includes: a split-gate transistor 9 connected between a drain electrode 11 (output electrode OUT) and a ground electrode and having a plurality of individually controllable channel regions; an active clamp circuit 26 configured to limit the output voltage VOUT appearing at the output electrode 11 to a clamp voltage or below; and a gate control circuit 25 configured to raise the ON resistance of the split-gate transistor 9 gently (or stepwise) after the split-gate transistor is switched from the ON state to the OFF state before the active clamp circuit 26 limits the output voltage VOUT.
H03K 17/0814 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension sans réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande par des dispositions prises dans le circuit de sortie
H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
The present disclosure provides a MEMS device having a movable portion. The MEMS device includes: a substrate; a recess, disposed in the substrate; the movable portion, hollowly supported in the recess; and a bump stop, hollowly supported in the recess and configured to restrict a movement of the movable portion by contacting the movable portion. The bump stop includes: a protruding portion, configured to contact the movable portion; and a shock absorbing portion, disposed between the protruding portion and the substrate and configured to absorb at least a part of an impact force applied to the protruding portion by elastic deformation.
A semiconductor device includes: a first output transistor and a second output transistor configured to be connected between a first terminal and second terminal; an active clamp circuit configured to be connected to a first control terminal of the first output transistor to limit a terminal-to-terminal voltage appearing between the first and second terminals to a clamp voltage or less; a first variable resistive element provided between a node configured to be fed with a control signal and the first control terminal; a second variable resistive element provided between the node and a second control terminal of the second output transistor; and a turn-off circuit configured to be connected to a connection node between the second variable resistive element and the second control terminal so as to be able to turn the second output transistor off.
H03K 17/081 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension sans réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande
B60L 50/50 - Propulsion électrique par source d'énergie intérieure au véhicule utilisant de la puissance de propulsion fournie par des batteries ou des piles à combustible
H03K 17/06 - Modifications pour assurer un état complètement conducteur
H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
A non-volatile memory device (100) comprises a memory cell (11A, 11B) that is, in an initial state, in a state of having storage data of a first logical value stored therein, and that is, after execution of a program operation, in a state of having storage data of a second logical value stored therein, and an error correction circuit (14) that corrects only an error caused by a change in logical value of the storage data stored in the memory cell from the second logical value to the first logical value.
G06F 11/10 - Détection ou correction d'erreur par introduction de redondance dans la représentation des données, p.ex. en utilisant des codes de contrôle en ajoutant des chiffres binaires ou des symboles particuliers aux données exprimées suivant un code, p.ex. contrôle de parité, exclusion des 9 ou des 11
A semiconductor device includes a semiconductor element and a first connection member. The semiconductor element includes a substrate and an electrode pad. The substrate includes a transistor formation region, in which a transistor is formed and which is shaped to be non-quadrangular. The electrode pad is located on the transistor formation region. The first connection member is connected to the electrode pad at one location. The electrode pad is arranged to cover a center of gravity of the transistor formation region in a plan view of the electrode pad. In the plan view, a connection region in which the first connection member is connected to the electrode pad includes a center of gravity position of the transistor formation region.
H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes
H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
H01L 21/765 - Réalisation de régions isolantes entre les composants par effet de champ
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H01L 23/34 - Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température
A method for processing a semiconductor wafer comprises: preparing a semiconductor wafer including a main body and a rim, the rim having a greater thickness than the main body and including a projection projecting; supporting the semiconductor wafer with a holding tape; preparing a base including a stage and an outer portion; setting the semiconductor wafer on the base so that the main body is supported by a support surface of the stage; and separating the main body and the rim by cutting an edge portion of the main body in a state in which the main body is supported by the stage. The setting the semiconductor wafer on the base includes setting the semiconductor wafer on the base so that the main body is supported by the stage in a state in which the projection is separated from a head surface of the outer portion of the base.
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p.ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
75.
GATE DRIVE CIRCUIT FOR SWITCHING CIRCUIT, MODULE INCLUDING THE SAME, AND SWITCHING POWER SUPPLY
A gate drive circuit for a switching circuit including high-side and low-side transistors which are GaN-HEMTs (High Electron Mobility Transistors), includes: a high-side driver driving the high-side transistor; and a low-side driver driving the low-side transistor, wherein the low-side driver is configured to be capable of applying 0 V, a high-level voltage higher than a gate threshold voltage of the low-side transistor, and a bias voltage lower than the gate threshold voltage between a gate and a source of the low-side transistor, and the low-side driver is configured to apply the bias voltage between the gate and the source of the low-side transistor during a dead time inserted during transition from a high-level output state where the high-side transistor is turned on and the low-side transistor is turned off to a low-level output state where the high-side transistor is turned off and the low-side transistor is turned on.
H03K 17/10 - Modifications pour augmenter la tension commutée maximale admissible
H03K 17/06 - Modifications pour assurer un état complètement conducteur
H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
A semiconductor device includes a semiconductor substrate, a transistor formed on the semiconductor substrate, an insulation layer arranged on the semiconductor substrate, a source pad formed on a head surface of the insulation layer and electrically connected to the source electrode, a drain pad formed on the head surface of the insulation layer and electrically connected to the drain electrode, a gate pad formed on the head surface of the insulation layer and connected to the gate electrode, a specified pad formed on the head surface of the insulation layer, and a capacitor. The capacitor includes a source-side electrode, electrically connected to the source electrode, and a specified electrode, electrically connected to the specified pad and arranged facing the source-side electrode.
H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
H01L 23/29 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par le matériau
H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/94 - Dispositifs à métal-isolant-semi-conducteur, p.ex. MOS
77.
VARIABLE RESISTOR CIRCUIT, RESISTOR VOLTAGE DIVIDER CIRCUIT, DIFFERENTIAL AMPLIFIER, AND MOTOR DRIVER
A variable resistor circuit is configured to change its resistance value based on the resistance value change ratio given by (Δ/RA)×100% in each resistor unit circuit, where A represents the resistance value change in each resistor unit circuit between a first combined resistance value of that resistor unit circuit including at least the resistance value of the resistor unit circuit with a MOS switch off and a second combined resistance value of the resistor unit circuit including at least the resistance value of the resistor unit circuit with the MOS switch on, and RA represents the sum of the total combined resistance values of the plurality of resistor unit circuits with the MOS switches in all the resistor unit circuits off and the resistance value of the third resistor.
H03F 1/02 - Modifications des amplificateurs pour augmenter leur rendement, p.ex. étages classe A à pente glissante, utilisation d'une oscillation auxiliaire
H03F 1/34 - Circuits à contre-réaction avec ou sans réaction
78.
LED DRIVING DEVICE, LED LIGHT SOURCE DEVICE, AND VEHICLE ONBOARD DISPLAY DEVICE
An LED driving device (30) includes: a plurality of LED terminals (LED1 to LED6 terminals) to have connected to them the cathodes of LEDs (41 to 46) in a plurality of channels; a lowest voltage input terminal (MINSELIN); a lowest voltage output terminal (MINSELOUT); and a selector (10). When the lowest voltage input terminal is used, the selector selects the lowest among the voltages at the plurality of LED terminals and the voltage at the lowest voltage input terminal, to output the lowest voltage from the lowest voltage output terminal; when the lowest voltage input terminal is not used, the selector selects the lowest among the voltages at the plurality of LED terminals, to output the lowest voltage from the lowest voltage output terminal.
A driving device includes an output terminal to output a first control signal, and input terminals configured to be connected respectively with a corresponding terminal of light emitting elements driven by a voltage generated based on the first control signal. A constant-current driver is connected to each of the input terminals, and a control portion is configured to generate a pulse signal based on a signal which is input from the input terminals. An open detection portion is connected with each of the input terminals and configured to determine a connection state of the light emitting elements based on a signal that is input into the input terminals. A current set terminal is configured to be connected to a first resistor, and an over voltage protection circuit is configured to be coupled to a potential between a second resistor and a third resistor. The driving device is configured such that a second control signal is provided based on a resistance of the first resistor, and current of the constant-current driver is decided based on the second control signal, and an output signal from the over voltage protection circuit is provided to the control portion.
H02M 3/156 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation
G05F 3/08 - Régulation de la tension ou du courant là où la tension ou le courant sont continus
A transducer includes: a substrate including a main surface and a back surface facing the main surface; a plurality of vibrating films formed in the substrate at a predetermined thickness between the main surface and a plurality of recesses formed in the back surface of the substrate such that the main surface can vibrate in the thickness direction of the substrate; and a plurality of driving layers laminated on the plurality of vibrating films, each being constituted by a pair of electrode layers of a lower electrode layer and an upper electrode layer with a piezoelectric layer therebetween and being disposed on the main surface, in which the plurality of vibrating films include vibrating films arranged at predetermined intervals in each of at least two directions in a plane of the main surface, and the transducer generate sufficient sound volume because the transducer is used as a speaker.
H10N 39/00 - Dispositifs intégrés, ou ensembles de plusieurs dispositifs, comportant au moins un élément piézo-électrique, électrostrictif ou magnétostrictif couvert par les groupes
A semiconductor device includes a semiconductor element, a first lead electrically connected to the semiconductor element, a sealing resin that covers the semiconductor element and a part of the first lead, and a recess formed in a surface flush with a back surface of the sealing resin. The sealing resin also has a front surface opposite to the back surface in a thickness direction, and a side surface connecting the front surface and the back surface to each other. The recess is formed, in part, by a part of the first lead that is exposed from the back surface of the sealing resin. The recess has an outer edge that forms a closed shape, as viewed in the thickness direction, within a region that includes the back surface of the sealing resin and the first lead.
A color sensing device (8) includes: a light source (6) that shines white light to a measurement target object (3); a color sensor (5) that receives the light reflected from the measurement target object to output an R (red) component sensed value, a G (green) component sensed value, and a B (blue) component sensed value each with a first predetermined number of bits; and a converter (7) that converts the R, G, and B component sensed values output from the color sensor respectively into sensed values each with a second predetermined number of bits smaller than the first predetermined number of bits based on the respective maximum values of R, G, and B component measured values measured in advance by a color sensor with respect to a plurality of kinds of measurement target objects.
G01N 21/25 - Couleur; Propriétés spectrales, c. à d. comparaison de l'effet du matériau sur la lumière pour plusieurs longueurs d'ondes ou plusieurs bandes de longueurs d'ondes différentes
83.
AMPLIFIER CIRCUIT, SWITCHING POWER SUPPLY CIRCUIT, AND SWITCHING POWER SUPPLY DEVICE
An amplifier circuit configured to generate an error voltage corresponding the difference between a target voltage and a reference voltage includes: a first differential input pair having a first transistor configured to receive the target voltage at its gate and a second transistor configured to receive the reference voltage at its gate; and a second differential input pair having a third transistor configured to receive the target voltage at its gate and a fourth transistor configured to receive the reference voltage at its gate. The amplifier circuit generates the error voltage based on the reference voltage by using the first or second differential input pair. The first and second transistors are formed as P-channel MOSFETs and the third and fourth transistors are formed as N-channel MOSFETs.
H02M 3/155 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
84.
POWER SUPPLY SEMICONDUCTOR DEVICE AND DC/DC CONVERTER
A power supply semiconductor device includes: first and second external terminals connected to positive and negative electrodes of input capacitor via first and second external current paths, respectively; third and fourth external terminals connected to the positive and negative electrodes of the input capacitor via third and fourth external current paths, respectively; first and second transistors provided between the first and second external terminals; third and fourth transistors provided between the third external terminal and the fourth external terminal; switch terminal commonly connected to connection node between the first and second transistors and connection node between the third and fourth transistors; and drive control circuit performing switching control to alternately turn on and off a set of the first and third transistors and a set of the second and fourth transistors, thereby generating a switching voltage at the switch terminal based on voltage across the input capacitor.
H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
H02M 1/44 - Circuits ou dispositions pour corriger les interférences électromagnétiques dans les convertisseurs ou les onduleurs
An acceleration sensor system, includes: an acceleration sensor including an acceleration detection part and an offset detection part; and a processing part configured to process respective outputs of the acceleration detection part and the offset detection part, wherein the acceleration detection part includes a first electrode, a second electrode, and a third electrode provided between the first electrode and the second electrode, wherein one of each of the first and second electrodes and the third electrode is a fixed electrode while the other of each of the first and second electrodes and the third electrode is a movable electrode, wherein the offset detection part includes a fourth electrode, a fifth electrode, and a sixth electrode provided between the fourth electrode and the fifth electrode, and wherein the fourth electrode, the fifth electrode, and the sixth electrode are fixed electrodes.
G01P 15/125 - Mesure de l'accélération; Mesure de la décélération; Mesure des chocs, c. à d. d'une variation brusque de l'accélération en ayant recours aux forces d'inertie avec conversion en valeurs électriques ou magnétiques au moyen de capteurs à capacité
86.
SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
A semiconductor device includes a semiconductor layer, a Schottky electrode that is formed at a first surface of the semiconductor layer and that forms a Schottky junction Sj between the semiconductor layer and the Schottky electrode, and the Schottky electrode has a first portion that is selectively formed near the first surface of the semiconductor layer in a thickness direction of the Schottky electrode and that is made of Ti containing oxygen. The Schottky electrode may have a second portion that is formed on the first portion and that is made of Ti and N.
A semiconductor light emitting device includes a semiconductor laser element including a light emitting surface from which a laser beam is emitted and a light-transmissive resin member covering the light emitting surface of the semiconductor laser element. The semiconductor light emitting device further includes a diffusing agent mixed into the resin member.
A support stage includes a base portion, a support portion that is erected at a peripheral edge portion of the base portion and with which one surface of a wafer is to be come into contact, a suction groove that is provided at the support portion and to which a suction force with respect to the one surface is to be given, an ejecting hole that is provided in an inward portion of the base portion and by which a gas is to be ejected toward the one surface, and an exhaust hole that is provided in at least either one of the base portion and the support portion and by which a gas is to be discharged from a space between the base portion, the support portion, and the one surface.
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
H01L 21/04 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
H01L 21/304 - Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
Connection terminals, corresponding to a plurality of channels, are configured to be connectable to light-emitting units so that driving currents can be supplied to the light-emitting units via the connection terminals individually for each channel. During a non-supply period of the driving currents to the light-emitting units, a sensing process is executed to sense a particular fault. The sensing process includes a first comparison process whereby, with a pull-up current fed toward one of two connection terminals, the voltage at the other connection terminal is compared with a judgment voltage and a second comparison process whereby, with a pull-up current fed toward the other of the two connection terminals, the voltage at the one connection terminal is compared with the judgment voltage.
G09G 3/32 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED]
G09G 3/00 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques
A semiconductor device includes a first conductive plate, a second conductive plate, first switching elements, second switching elements, a first supply terminal and a second supply terminal. The first and second conductive plates are spaced apart from each other in a first direction. The first switching elements are bonded to the first conductive plate, and are electrically connected to the second conductive plate. The second switching elements are bonded to the second conductive plate. The first supply terminal is bonded to the first conductive plate. The second supply terminal has a region that overlaps with the first supply terminal as viewed in a plan view. The second supply terminal is spaced apart from the first conductive plate and the first supply terminal in a thickness direction perpendicular to the first direction. The second supply terminal is electrically connected to the second switching elements.
A power module apparatus includes a power module having a package configured to seal a perimeter of a semiconductor device, and a heat radiator bonded to one surface of the package; a cooling device having a coolant passage through which coolant water flows, in which the heat radiator is attached to an opening provided on a way of the coolant passage, wherein the heat radiator of the power module is attached to the opening of the cooling device so that a height (ha) and a height (hb) are substantially identical to each other. The power module in which the heat radiator is attached to the opening formed at the upper surface portion of the cooling device can also be efficiently cooled, and thereby it becomes possible to reduce degradation due to overheating.
H01L 23/473 - Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température impliquant le transfert de chaleur par des fluides en circulation par une circulation de liquides
B60K 1/00 - Agencement ou montage des ensembles de propulsion électriques
B60K 11/02 - Dispositions des ensembles de propulsion relatives au refroidissement avec liquide de refroidissement
F28F 3/02 - Eléments ou leurs ensembles avec moyens pour augmenter la surface de transfert de chaleur, p.ex. avec des ailettes, avec des évidements, avec des ondulations
F28F 3/04 - Eléments ou leurs ensembles avec moyens pour augmenter la surface de transfert de chaleur, p.ex. avec des ailettes, avec des évidements, avec des ondulations les moyens faisant partie intégrante de l'élément
H01L 23/10 - Conteneurs; Scellements caractérisés par le matériau ou par la disposition des scellements entre les parties, p.ex. entre le couvercle et la base ou entre les connexions et les parois du conteneur
H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
H02M 7/00 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu; Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif
H05K 7/20 - Modifications en vue de faciliter la réfrigération, l'aération ou le chauffage
The present disclosure provides a driving circuit. The driving circuit includes a first transistor, a second transistor and a controller. The first transistor and the second transistor are configured to be connected in parallel between a control end of a transistor to be driven (i.e., an application end of an upper gate signal) and an application end of an on-voltage. The controller is configured to turn on the first transistor at the beginning of an on-transition period of the transistor to be driven and turn on the second transistor in the middle of the period.
H02M 1/088 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques pour la commande simultanée de dispositifs à semi-conducteurs connectés en série ou en parallèle
H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
93.
SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
A semiconductor device includes an interlayer insulating film, and a wiring of an uppermost layer arranged on the interlayer insulating film, wherein the wiring includes a seed layer arranged on the interlayer insulating film and a wiring body portion arranged on the seed layer, wherein a constituent material of the wiring body portion is copper or a copper alloy, and wherein a trench is formed in an upper surface of the interlayer insulating film along an outer edge of the interlayer insulating film in a plan view.
H01L 23/522 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
H01L 21/784 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs qui consistent chacun en un seul élément de circuit le substrat étant un corps semi-conducteur
H01L 23/528 - Configuration de la structure d'interconnexion
H01L 23/532 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées caractérisées par les matériaux
A signal transmission device provided with an insulated chip. The insulated chip includes: an element insulating layer; and a first insulated element and a second insulated element which are provided in the element insulating layer. The first insulated element includes a first front-surface-side electrically conductive portion and a first back-surface-side electrically conductive portion. The second insulated element includes a second front-surface-side electrically conductive portion and a second back-surface-side electrically conductive portion. The first back-surface-side electrically conductive portion and the second back-surface-side electrically conductive portion are electrically connected to each other. The first front-surface-side electrically conductive portion is electrically connected to a primary-side circuit via the first pad. The second front-surface-side electrically conductive portion is electrically connected to a secondary-side circuit via the second pad.
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
H01L 27/01 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant uniquement des éléments à film mince ou à film épais formés sur un substrat isolant commun
A semiconductor device includes a first semiconductor element, a first object, a sealing resin and a covering part. The first semiconductor element includes a first electrode. The first object includes a first surface facing the first electrode. The sealing resin covers the first semiconductor element and the first object. The covering part is interposed between the first electrode and the first surface and contains a material having a higher thermal conductivity than the sealing resin.
H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes
H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
A package includes: a first portion having defined therein a mounting region in which an electronic component is mounted; and a second portion connected to the first portion. An area of the second portion is larger than an area of the first portion in plain view viewed from the direction normal to a surface through which the first portion and the second portion are connected.
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 23/367 - Refroidissement facilité par la forme du dispositif
H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des groupes principaux , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. circuit hybrides
An SiC semiconductor device includes an SiC semiconductor chip that has a main surface, an n-type drift region that is formed in a surface layer portion of the main surface and has an impurity concentration adjusted by at least two types of pentavalent elements, and a p-type impurity region that is formed inside the drift region such as to form a pn-junction portion with the drift region.
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 21/04 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
A semiconductor device, includes: a substrate having an obverse surface facing in a thickness direction; a first lead having a loading surface facing a side same as a side the obverse surface faces as to the thickness direction and being fixed on the obverse surface; and a first semiconductor element arranged on the loading surface. A dimension of the substrate in a first direction orthogonal to the thickness direction is larger than a dimension of the substrate in a second direction orthogonal to the thickness direction and the first direction. The first lead includes a first region overlapped with the first semiconductor element as viewed in the thickness direction and a second region separated from the first semiconductor element as viewed in the thickness direction, and at least a part of the second region extends along the second direction.
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
An output voltage is stabilized at a predetermined target voltage by using a charge pump circuit. A first voltage divider that is arranged between an output line to which the output voltage is applied and a feedback line and that generates a first division voltage commensurate with the output voltage and a second voltage divider arranged between the feedback line and the ground and that generates a second division voltage commensurate with the output voltage are provided to generate on the feedback line, as a feedback voltage, a voltage lower than the output voltage by the first division voltage. The second voltage divider includes an N-type particular transistor whose gate receives a reference voltage and whose drain is connected to the feedback line.
H02M 3/07 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des résistances ou des capacités, p.ex. diviseur de tension utilisant des capacités chargées et déchargées alternativement par des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
A semiconductor device includes: a substrate including a main surface; a semiconductor element; a connection material; a first bonding wire; and a second bonding wire, wherein the substrate includes a conductor layer on the main surface, the main surface includes a first and second regions, the conductor layer includes a first pattern in the first region and a second pattern in the second region, one and the other ends of the second bonding wire are respectively connected to the semiconductor element and the second pattern, a recess is formed in the first region and includes a first end and a second end which is opposite the first end and is closer to the second region than the first end in the first direction, and the first end is between the semiconductor element and the other end of the first bonding wire in the first direction.
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
brevets
