A non-volatile memory has: a first and a second transistor having their gates connected together; a resistor having a first and a second terminal, with the first terminal connected to the source of the first transistor; a read voltage feed circuit configured to feed a read voltage for turning on at least one of the first and second transistors to between the gate of the first transistor and the second terminal of the resistor and to between the gate and the source of the second transistor; and a signal output circuit configured to output, in a read operation in which the read voltage feed circuit feeds the read voltage, a signal associated with a first or second value based on the drain currents of the first and second transistors.
A semiconductor device is provided with: a first switching element; a driver positioned so as to be displaced with respect to the first switching element in the z-direction, the driver driving the first switching element; a first resin layer for encapsulating the first switching element; and a first control via conductor extending through the first resin layer in the z-direction and electrically connecting the first switching element and the driver.
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
H01L 23/29 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par le matériau
A semiconductor module includes: a first conductive portion; a second conductive portion spaced from the first conductive portion in a first direction; first semiconductor elements electrically bonded to the first conductive portion and mutually spaced in a second direction perpendicular to the first direction; and second semiconductor elements electrically bonded to the second conductive portion and mutually spaced in the second direction. The semiconductor module further includes: a first input terminal electrically connected to the first conductive portion; a second input terminal of opposite polarity to the first input terminal; and an output terminal opposite from the two input terminals in the first direction and electrically connected to the second conductive portion. The semiconductor module further includes: a first conducting member connected to the first semiconductor elements and second conductive portion; and a second conducting member connected to the second semiconductor elements and second input terminal.
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
A semiconductor device includes a semiconductor element circuit, a conductive support and a sealing resin. The conductive support includes a die pad, first terminals spaced in a first direction, second terminals spaced in the first direction and opposite to the first terminals in a second direction perpendicular to the first direction, and a support terminal connected to the die pad. The sealing resin encapsulates portions of the first and second terminals, a portion of the support terminal, the semiconductor element circuit and the die pad. The sealing resin has two first side surfaces spaced apart in the second direction and two second side surfaces spaced apart in the first direction. The first terminals and second terminals are exposed from the first side surfaces, while none of the elements of the conductive support is exposed from the second side surfaces.
H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes
A semiconductor device A1 includes a semiconductor element 10A having an element obverse face 101 and an element reverse face 102, the element obverse face 101 having an obverse face electrode 11 formed thereon and the element reverse face 102 having a reverse face electrode 12 formed thereon, a conductive substrate 22A including an obverse face 221A opposed to the element reverse face 102, and to which the reverse face electrode 12 is conductively bonded, a conductive substrate 22B including an obverse face 221B and spaced from the conductive substrate 22A in a width direction x, and a lead member 51 extending in the width direction x, and electrically connecting the obverse face electrode 11 and the conductive substrate 22B. The lead member 51 is located ahead of the obverse face 221B in the direction in which the obverse face 221B is oriented, and bonded to the obverse face electrode 11 via a lead bonding layer 32. The conductive substrate 22A, the semiconductor element 10A, and the lead bonding layer 32 overlap with the conductive substrate 22B, as viewed in the width direction x.
H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
A semiconductor device includes a lead, a semiconductor element, and a sealing resin. The lead includes an island portion having an obverse surface and a reverse surface facing opposite sides in a thickness direction. The semiconductor element is mounted on the obverse surface of the island portion. The sealing resin covers the semiconductor element and the island portion. The sealing resin has a first portion and a second portion that overlaps with the island portion as viewed in the thickness direction. The sealing resin is configured such that the infrared transmittance of the second portion is higher than that of the first portion.
H01L 23/367 - Refroidissement facilité par la forme du dispositif
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des groupes principaux , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. circuit hybrides
The semiconductor device of the present invention includes an insulating layer, a high voltage coil and a low voltage coil which are disposed in the insulating layer at an interval in the vertical direction, a low potential portion which is provided in a low voltage region disposed around a high voltage region for the high voltage coil in planar view and is connected with potential lower than the high voltage coil, and an electric field shield portion which is disposed between the high voltage coil and the low voltage region and includes an electrically floated metal member.
H01L 23/522 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
H01L 23/58 - Dispositions électriques structurelles non prévues ailleurs pour dispositifs semi-conducteurs
A driving circuit controls driving of a switching element by outputting a driving signal to the switching element. The driving circuit includes an air-core transformer having a plurality of primary windings and a secondary winding magnetically coupled to each of the plurality of primary windings. An AC signal is input to each of the plurality of primary windings of the air-core transformer. The plurality of primary windings includes a first primary winding and a second primary winding. There is a phase difference between an AC signal input to the first primary winding and an AC signal input the second primary winding.
H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
A transducer includes a substrate containing silicon and a piezoelectric element disposed on the substrate. The substrate includes a film body including a first surface and a second surface facing in mutually opposite directions in a thickness direction of the substrate and a frame body surrounding the film body when the film body is viewed from the thickness direction. The piezoelectric element is disposed on the first surface of the film body. A part of an outer edge of the film body when viewed from the thickness direction forms a connection portion connected to the frame body, and a remaining part of the outer edge excluding the connection portion is separated from the frame body. The substrate includes a protrusion protruding in the thickness direction from a region including at least a part of the remaining part of the outer edge of the second surface.
A semiconductor device includes a semiconductor substrate having a principal surface, a semiconductor layer formed on the principal surface of the semiconductor substrate, the semiconductor layer including a first-conductivity-type low concentration layer in contact with the principal surface of the semiconductor substrate and a first-conductivity-type high concentration layer that is formed at a surface layer portion of a surface, which is on a side opposite to the principal surface, of the semiconductor layer and that has a higher impurity concentration than the low concentration layer, and a Schottky electrode that is formed on the surface of the semiconductor layer and that forms a Schottky junction portion between the high concentration layer and the Schottky electrode.
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
A nitride semiconductor device includes a channel layer, a barrier layer made of AlxInyGa1-x-yN(x>0, x+y≤1), an active region that has a layered structure including the channel layer and the barrier layer, an inactive region that is formed at the layered structure around the active region and that is a concave portion having a bottom portion that reaches the channel layer, a gate layer made of a nitride semiconductor selectively formed on the barrier layer in the active region, a gate electrode formed on the gate layer, a first insulating film that covers the gate electrode and that is in contact with the barrier layer in the active region, and a second insulating film that covers the first insulating film and that is in contact with the inactive region.
H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
A semiconductor device includes a first and a second semiconductor elements and a wiring board. The first semiconductor element has a first electrode, a second electrode and a third electrode, and current flow between the first electrode and the second electrode is on-off controlled. The second semiconductor element has a fourth electrode, a fifth electrode and a sixth electrode, and current flow between the fourth electrode and the fifth electrode is on-off controlled. The wiring board includes a base, an obverse surface wiring layer, a reverse surface wiring layer, and a metal member inserted in the base to electrically connect the obverse surface wiring layer and the reverse surface wiring layer. The first semiconductor element and the second semiconductor element are connected in series by connecting the second electrode and the fourth electrode. The metal member is in a conduction path between the second electrode and the fourth electrode.
H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
For example, a signal transmission device includes a transmitter provided in a primary circuit system and configured to generate a transmission signal according to an input signal; at least one first isolating element configured to constitute a first signal transmission path for transmission of the transmission signal from the primary circuit system to the secondary circuit system; at least one second isolating element configured to constitute a second signal transmission path, different from the first signal transmission path, for transmission of the transmission signal from the primary circuit system to the secondary circuit system; and a receiver provided in the secondary circuit system and configured to feed a first reception signal and a second reception signal output respectively from the first and second isolating elements to a logic circuit to generate a single output signal.
A semiconductor light emitting device includes a board including a first principal surface facing a first side in a thickness direction thereof, a first electrode provided on the board, a semiconductor light emitting element, and a light-transmitting resin that covers the element. The first electrode includes a first bonding portion and first, second, and third portions. The first bonding portion is formed on the first principal surface and is joined and electrically connected to the element. The first and second portions are each formed on the first principal surface and disposed on a first side in a first direction. The first portion is connected to the first bonding portion. The second portion is apart from the first bonding portion, and from the first portion in a second direction. The third portion is formed on a place different from the first principal surface, electrically connecting the first and second portions to each other.
H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
H01L 33/38 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes ayant une forme particulière
H01L 33/56 - Matériaux, p.ex. résine époxy ou silicone
Provided is a substrate including a first substrate including a first surface, and a second substrate including a second surface with an area smaller than the first surface and including a third surface with an area smaller than the first surface, the third surface facing the second surface, as viewed in a thickness direction of the first substrate, in which the first substrate includes a first signal line and a second signal line formed on the first surface, and the second substrate includes a first conductive portion formed on the second surface and able to come into contact with the first signal line, a second conductive portion formed on the second surface and able to come into contact with the second signal line, a third conductive portion and a fourth conductive portion formed on the third surface, a first conduction portion, and a second conduction portion.
A semiconductor device includes a semiconductor layer of a first conductivity type having a device forming region and an outside region, an impurity region of a second conductivity type formed in a surface layer portion of a first main surface in the device forming region, a field limiting region of a second conductivity type formed in the surface layer portion in the outside region and having a impurity concentration higher than that of the impurity region, and a well region of a second conductivity type formed in a region between the device forming region and the field limiting region in the surface layer portion in the outside region, having a bottom portion positioned at a second main surface side with respect to bottom portions of the impurity region and the field limiting region, and having a impurity concentration higher than that of the impurity region.
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
A semiconductor device includes a semiconductor element, first and second leads, and a sealing resin. The semiconductor element includes first and second electrodes. The first lead includes a mounting base having a main face to which the first electrode is bonded and a back face, and includes a first terminal connected to the first electrode. The second lead includes a second terminal connected to the second electrode. The sealing resin includes a main face and a back face opposite to each other, and includes an end face oriented in the protruding direction of the terminals. The back face of the mounting base is exposed from the back face of the resin. The sealing resin includes a groove formed in its back face and disposed between the back face of the mounting base and a boundary between the second terminal and the end face of the resin.
A chip resistor with a reduced thickness is provided. The chip resistor includes an insulating substrate, a resistor embedded in the substrate, a first electrode electrically connected to the resistor, and a second electrode electrically connected to the resistor. The first electrode and the second electrode are spaced apart from each other in a lateral direction that is perpendicular to the thickness direction of the substrate.
H01C 1/012 - Montage; Support l'élément de base s'étendant le long de la résistance pour la rendre rigide ou la renforcer
H01C 1/028 - Boîtiers; Enveloppes; Enrobage; Remplissage de boîtier ou d'enveloppe l'élément résistif étant enrobé dans un matériau isolant pourvu d'une gaine extérieure
H01C 1/142 - Bornes ou points de prise spécialement adaptés aux résistances; Dispositions de bornes ou points de prise sur les résistances les bornes ou points de prise étant constitués par un revêtement appliqué sur l'élément résistif
H01C 3/12 - Résistances métalliques fixes en fil ou en ruban, p.ex. bobinées, tressées ou en forme de grille l'élément résistif ayant une forme en zigzag ou sinueuse situé dans un plan
H01C 1/014 - Montage; Support la résistance étant maintenue et supportée entre deux éléments de support
H01C 1/14 - Bornes ou points de prise spécialement adaptés aux résistances; Dispositions de bornes ou points de prise sur les résistances
A semiconductor device includes a semiconductor element, a conductive member and a connecting member. The semiconductor element has a reverse surface formed with a first electrode and an obverse surface formed with a second electrode and a third electrode. The reverse surface and the obverse surface are spaced apart from each other in a z direction. Current flow between the first electrode and the second electrode is on-off controlled according to a first drive signal inputted to the third electrode. The conductive member has a first bond surface and a second bond surface each facing in the same direction as the reverse surface. The third electrode is bonded to the first bond surface. The connecting member is bonded to the second bond surface, and the second bond surface does not overlap with the semiconductor element as viewed in the z direction.
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
A semiconductor module includes a semiconductor device and bus bar. The device includes an insulating substrate, conductive member, switching elements, and first/second input terminals. The substrate has main/back surfaces opposite in a thickness direction, with the conductive member disposed on the main surface. The switching elements are connected to the conductive member. The first input terminal, including a first terminal portion, is connected to the conductive member. The second input terminal, including a second terminal portion overlapping with the first terminal portion in the thickness direction, is connected to the switching elements. The second input terminal is separate from the first input terminal and conductive member in the thickness direction. The bus bar includes first/second terminals. The second terminal, separate from the first terminal in the thickness direction, partially overlaps with the first terminal in the thickness direction. The first/second terminals are connected to the first/second terminal portions, respectively.
H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H01L 23/50 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes pour des dispositifs à circuit intégré
22.
SEMICONDUCTOR DEVICE WITH CURRENT SENSING CAPABILITY
A SiC semiconductor device is provided that is capable of improving the detection accuracy of the current value of a principal current detected by a current sensing portion by restraining heat from escaping from the current sensing portion to a wiring member joined to a sensing-side surface electrode. The semiconductor device 1 includes a SiC semiconductor substrate, a source portion 27 including a principal-current-side unit cell 34, a current sensing portion 26 including a sensing-side unit cell 40, a source-side surface electrode 5 disposed above the source portion 27, and a sensing-side surface electrode 6 that is disposed above the current sensing portion 26 and that has a sensing-side pad 15 to which a sensing-side wire is joined, and, in the semiconductor device 1, the sensing-side unit cell 40 is disposed so as to avoid being positioned directly under the sensing-side pad 15.
G01R 19/00 - Dispositions pour procéder aux mesures de courant ou de tension ou pour en indiquer l'existence ou le signe
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
23.
Control Circuit of Power Factor Improvement Circuit and Semiconductor Integrated Circuit Device
The present disclosure provides a power factor improvement circuit with a DC/DC converter including an arithmetic circuit. A first voltage having a full-wave rectified waveform is received by an input voltage detection terminal of the power factor improvement circuit. A second voltage is generated by amplifying an error between a first detection voltage and a reference voltage according to an output voltage of the DC/DC converter. A third voltage is generated by multiplying the first voltage by the second voltage. The arithmetic circuit adds an offset voltage to a third voltage to generate a fourth voltage. A comparator is configured to compare a second detection voltage with the fourth voltage. A drive circuit is configured to turn on/off drive of the switching transistor according to an output of the comparator. When the second detection voltage is higher than the fourth voltage, the switching transistor is turned off.
H02M 1/42 - Circuits ou dispositions pour corriger ou ajuster le facteur de puissance dans les convertisseurs ou les onduleurs
H05B 45/355 - Correction du facteur de puissance [PFC]; Compensation réactive de la puissance
H02M 1/32 - Moyens pour protéger les convertisseurs autrement que par mise hors circuit automatique
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
H05B 45/345 - Stabilisation du courant; Maintien d'un courant constant
H05B 45/3725 - Alimentation du circuit à découpage [SMPS]
A chip resistor includes a substrate, two top electrodes, a resistor element, two back electrodes, and two side electrodes. The substrate has a top surface, a back surface and two side surface. The top and back surfaces face away in the thickness direction of the substrate. The side surfaces, spaced apart in a predetermined direction orthogonal to the thickness direction, are connected to the top and back surfaces. The top electrodes, spaced apart in the predetermined direction, are in contact with the top surface. The resistor element, disposed on the top surface, is connected to the top electrodes. The back electrodes, spaced apart in the predetermined direction, are in contact with the back surface. The side electrodes, held in contact with the side surfaces, are connected to the top and back electrodes. Each back electrode has a first and a second layer. The first layer is in contact with the back surface. The second layer, covering a part of the first layer, is made of a material containing metal particles and synthetic resin.
H01C 1/14 - Bornes ou points de prise spécialement adaptés aux résistances; Dispositions de bornes ou points de prise sur les résistances
H01C 7/00 - Résistances fixes constituées par une ou plusieurs couches ou revêtements; Résistances fixes constituées de matériau conducteur en poudre ou de matériau semi-conducteur en poudre avec ou sans matériau isolant
H01C 17/00 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de résistances
H01C 17/28 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de résistances adaptés pour appliquer les bornes
25.
SEMICONDUCTOR DEVICE, AND PRODUCTION METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
A semiconductor device includes a die pad, a semiconductor element, a joining layer, a first conductive member, and a second conductive member. The semiconductor element has a first electrode opposing an obverse surface of the die pad, and a second electrode and a third electrode that are opposite to the first electrode in a thickness direction. The first electrode is electrically joined to the obverse surface. The joining layer electrically joins the first electrode and the obverse surface to each other. The first conductive member is electrically joined to the second electrode. The second conductive member is electrically joined to the third electrode. The area of the third electrode is smaller than the area of the second electrode as viewed along the thickness direction. The Young's modulus of the second conductive member is smaller than the Young's modulus of the first conductive member.
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
An abnormality detection circuit includes: a first current source configured to generate a first current flowing from an external terminal toward a reference potential terminal; a second current source configured to generate a second current flowing from a power supply potential terminal toward the external terminal; a comparator configured to generate an abnormality detection signal by comparing a detection voltage corresponding to an application voltage of the external terminal with a predetermined threshold voltage; and a controller configured to switch between a first abnormality detection mode in which an operation of generating the first current is performed and a second abnormality detection mode in which an operation of generating the second current is performed.
G06F 1/3206 - Surveillance d’événements, de dispositifs ou de paramètres initiant un changement de mode d’alimentation
G06F 1/3296 - Gestion de l’alimentation, c. à d. passage en mode d’économie d’énergie amorcé par événements Économie d’énergie caractérisée par l'action entreprise par diminution de la tension d’alimentation ou de la tension de fonctionnement
A linear regulator adjusts an intermediate voltage VREGOUT at an output node such that an output voltage VOUT at an output terminal approaches a first target voltage VOUT(REF1). A Dixon-type charge pump circuit enters a disable state when the output voltage VOUT is higher than a threshold voltage VTH(CP) determined to be lower than the first target voltage VOUT(REF1), outputs the intermediate voltage VREGOUT at a first input node to the output node in the disable state, enters an enable state when the output voltage VOUT is lower than the threshold voltage VTH(CP), and stabilizes the output voltage VOUT at the output terminal to a second target voltage VOUT(REF2) determined to be lower than the first target voltage VOUT(REF1) in the enable state.
H02M 3/07 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des résistances ou des capacités, p.ex. diviseur de tension utilisant des capacités chargées et déchargées alternativement par des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
G05F 1/575 - Régulation de la tension ou de l'intensité là où la variable effectivement régulée par le dispositif de réglage final est du type continu utilisant des dispositifs à semi-conducteurs en série avec la charge comme dispositifs de réglage final caractérisé par le circuit de rétroaction
G05F 1/565 - Régulation de la tension ou de l'intensité là où la variable effectivement régulée par le dispositif de réglage final est du type continu utilisant des dispositifs à semi-conducteurs en série avec la charge comme dispositifs de réglage final sensible à une condition du système ou de sa charge en plus des moyens sensibles aux écarts de la sortie du système, p.ex. courant, tension, facteur de puissance
G05F 1/46 - Régulation de la tension ou de l'intensité là où la variable effectivement régulée par le dispositif de réglage final est du type continu
H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
A switching device 1 includes a SiC semiconductor chip 11 which has a gate pad 14, a source pad 13 and a drain pad 12 and in which on-off control is performed between the source and the drain by applying a drive voltage between the gate and the source in a state where a potential difference is applied between the source and the drain, a sense source terminal 4 electrically connected to the source pad 13 for applying the drive voltage, and an external resistance (source wire 16) that is interposed in a current path between the sense source terminal 4 and the source pad 13, is separated from sense source terminal 4, and has a predetermined size.
H03K 17/081 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension sans réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande
H03K 17/082 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension par réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande
H03K 17/12 - Modifications pour augmenter le courant commuté maximal admissible
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
H02H 3/20 - Circuits de protection de sécurité pour déconnexion automatique due directement à un changement indésirable des conditions électriques normales de travail avec ou sans reconnexion sensibles à un excès de tension
H02H 9/04 - Circuits de protection de sécurité pour limiter l'excès de courant ou de tension sans déconnexion sensibles à un excès de tension
H02M 7/5387 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs, p.ex. onduleurs à impulsions à un seul commutateur dans une configuration en pont
H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H01L 23/373 - Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif
G01R 19/00 - Dispositions pour procéder aux mesures de courant ou de tension ou pour en indiquer l'existence ou le signe
A switching device 1 includes a SiC semiconductor chip 11 which has a gate pad 14, a source pad 13 and a drain pad 12 and in which on-off control is performed between the source and the drain by applying a drive voltage between the gate and the source in a state where a potential difference is applied between the source and the drain, a sense source terminal 4 electrically connected to the source pad 13 for applying the drive voltage, and an external resistance (source wire 16) that is interposed in a current path between the sense source terminal 4 and the source pad 13, is separated from sense source terminal 4, and has a predetermined size.
H03K 17/081 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension sans réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande
H03K 17/082 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension par réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande
H03K 17/12 - Modifications pour augmenter le courant commuté maximal admissible
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
H02H 3/20 - Circuits de protection de sécurité pour déconnexion automatique due directement à un changement indésirable des conditions électriques normales de travail avec ou sans reconnexion sensibles à un excès de tension
H02H 9/04 - Circuits de protection de sécurité pour limiter l'excès de courant ou de tension sans déconnexion sensibles à un excès de tension
H02M 7/5387 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs, p.ex. onduleurs à impulsions à un seul commutateur dans une configuration en pont
H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H01L 23/373 - Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif
G01R 19/00 - Dispositions pour procéder aux mesures de courant ou de tension ou pour en indiquer l'existence ou le signe
30.
INKJET PRINT HEAD AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
An inkjet printing head includes a piezoelectric element that includes a lower electrode disposed on a movable film, a piezoelectric film formed on the lower electrode, and an upper electrode formed on the piezoelectric film, a hydrogen barrier film that covers, in a front surface of the piezoelectric element, at least, entireties of side surfaces of the upper electrode, the piezoelectric film, and the lower electrode, at least a part of an upper surface of the upper electrode, and an upper surface of the lower electrode, a first interlayer insulating film formed on a front surface other than an end surface of the hydrogen barrier film, a second interlayer insulating film formed so as to cover the end surface of the hydrogen barrier film and the first interlayer insulating film, and a wiring that is formed on the second interlayer insulating film and that is connected to the piezoelectric element.
H10N 30/20 - Dispositifs piézo-électriques ou électrostrictifs à entrée électrique et sortie mécanique, p.ex. fonctionnant comme actionneurs ou comme vibrateurs
H10N 30/87 - Dispositifs piézo-électriques ou électrostrictifs - Détails de structure Électrodes ou interconnexions, p.ex. connexions électriques ou bornes
A terahertz module includes: a terahertz chip which includes an active device which emits a terahertz wave; and a dielectric substrate coupled to the terahertz chip. The terahertz chip includes a semiconductor substrate. The active device is disposed on an upper surface of the semiconductor substrate. A cutout is formed in a portion of a first side surface, among a plurality of side surfaces of the dielectric substrate, the cutout extending from an upper side of the first side surface to a lower side of the first side surface. The terahertz chip is fit into the cutout in such a direction that the upper surface of the semiconductor substrate is parallel to the first side surface and the semiconductor substrate is arranged in a bottom side of the cutout.
H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
H01P 3/16 - Guides d'ondes diélectriques, c. à d. sans conducteur longitudinal
A MEMS sensor includes: a pair of movable electrodes arranged to be parallel to each other with a space portion interposed between the pair of movable electrodes above a cavity portion provided in a substrate; and a fixed electrode arranged to be parallel to the pair of movable electrodes with a groove portion interposed between the fixed electrode and the pair of movable electrodes on an opposite side of the space portion with respect to the pair of movable electrodes, wherein the space portion includes a central portion having a first space width and end portions having a second space width, and wherein the first space width is shorter than the second space width.
G01P 15/125 - Mesure de l'accélération; Mesure de la décélération; Mesure des chocs, c. à d. d'une variation brusque de l'accélération en ayant recours aux forces d'inertie avec conversion en valeurs électriques ou magnétiques au moyen de capteurs à capacité
G01P 15/18 - Mesure de l'accélération; Mesure de la décélération; Mesure des chocs, c. à d. d'une variation brusque de l'accélération dans plusieurs dimensions
B81B 7/02 - Systèmes à microstructure comportant des dispositifs électriques ou optiques distincts dont la fonction a une importance particulière, p.ex. systèmes micro-électromécaniques (SMEM, MEMS)
33.
SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE FOR DRIVING MOTOR, MOTOR SYSTEM AND FAN
The present disclosure provides a motor driving semiconductor integrated circuit (IC) device. The motor driving semiconductor IC device includes a receiver and a control unit. The receiver is configured to receive a first rotational frequency information transmitted by another motor driving semiconductor IC device. The control unit is configured to variably control a rotational frequency of a self-driven motor according to the first rotational frequency information.
A semiconductor device includes a semiconductor layer, a first conductor disposed on the semiconductor layer, a second conductor disposed on the semiconductor layer so as to be separated from the first conductor, a relay portion that is formed on the semiconductor layer so as to straddle the first conductor and the second conductor and that is made of a semiconductor having a first conductivity type region and a second conductivity type region, a first contact by which the first conductivity type region and the second conductivity type region are electrically connected to the first conductor, and a second contact that electrically connects the first conductivity type region of the relay portion and the second conductor together and that is insulated from the second conductivity type region.
H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H03K 17/042 - Modifications pour accélérer la commutation par réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande
H03K 17/16 - Modifications pour éliminer les tensions ou courants parasites
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
A semiconductor device includes a first conductivity type semiconductor layer having a first surface and a second surface opposite to the first surface and having an element portion formed in the first surface and an outer peripheral portion surrounding the element portion, a semiconductor element structure formed in the element portion, multiple guard ring trenches formed in the outer peripheral portion and each formed in the first surface of the semiconductor layer, and a second conductivity type outer peripheral portion impurity region formed in the outer peripheral portion, in which the multiple guard ring trenches include a first unit consisting of multiple guard ring trenches and a second unit consisting of multiple guard ring trenches arranged on the outside of the semiconductor layer relative to the multiple guard ring trenches belonging to the first unit, and in which the outer peripheral portion impurity region includes a first portion arranged below the multiple guard ring trenches belonging to the first unit and having a first depth with respect to the first surface of the semiconductor layer and a second portion arranged below the multiple guard ring trenches belonging to the second unit and having a second depth smaller than the first depth with respect to the first surface of the semiconductor layer.
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
H01L 21/265 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions
H01L 21/225 - Diffusion des impuretés, p.ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, à l'intérieur ou hors du corps semi-conducteur, ou entre les régions semi-conductrices; Redistribution des impuretés, p.ex. sans introduction ou sans élimination de matériau dopant supplémentaire en utilisant la diffusion dans ou hors d'un solide, à partir d'une ou en phase solide, p.ex. une couche d'oxyde dopée
36.
SWITCHING POWER SUPPLY, SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE, AND DIFFERENTIAL INPUT CIRCUIT
This switching power source 100 has: a switching output circuit 110 which drives an inductor current IL by turning on and off an upper switch 111 and a lower switch 112 and generates an output voltage VOUT from an input voltage PVDD; a lower current detection unit 210 which detects the inductor current IL flowing through the lower switch 112 during an ON-period of the lower switch 112 and acquires lower current feedback information Iinfo; an error amplifier 140 which outputs voltage feedback information Vinfo including information on an error between the output voltage VOUT (feedback voltage FB) and a reference voltage REF; an information synthesis unit 220 that generates synthesis feedback information VIinfo by synthesizing Iinfo with Vinfo; and an information holding unit 230 which samples Vinfo during the ON-period of the lower switch 112.
H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
H03F 1/52 - Circuits pour la protection de ces amplificateurs
H03F 3/217 - Amplificateurs de puissance de classe D; Amplificateurs à commutation
A switching device 1 includes a SiC semiconductor chip 11 which has a gate pad 14, a source pad 13 and a drain pad 12 and in which on-off control is performed between the source and the drain by applying a drive voltage between the gate and the source in a state where a potential difference is applied between the source and the drain, a sense source terminal 4 electrically connected to the source pad 13 for applying the drive voltage, and an external resistance (source wire 16) that is interposed in a current path between the sense source terminal 4 and the source pad 13, is separated from sense source terminal 4, and has a predetermined size.
H03K 17/081 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension sans réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande
H03K 17/082 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension par réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande
H03K 17/12 - Modifications pour augmenter le courant commuté maximal admissible
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
H02H 3/20 - Circuits de protection de sécurité pour déconnexion automatique due directement à un changement indésirable des conditions électriques normales de travail avec ou sans reconnexion sensibles à un excès de tension
H02H 9/04 - Circuits de protection de sécurité pour limiter l'excès de courant ou de tension sans déconnexion sensibles à un excès de tension
H02M 7/5387 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs, p.ex. onduleurs à impulsions à un seul commutateur dans une configuration en pont
H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H01L 23/373 - Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif
G01R 19/00 - Dispositions pour procéder aux mesures de courant ou de tension ou pour en indiquer l'existence ou le signe
38.
ELECTRODE STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE
An electrode structure includes: an indium tin oxide (ITO) electrode that includes ITO; an Al electrode that includes Al and covers the ITO electrode; and a barrier electrode that includes at least one of TiN and Cr and is interposed in a region between the ITO electrode and the Al electrode.
A semiconductor device includes a sensor structure body, a gas conduit that extends from a surface of the sensor structure body toward a hollow space in the sensor structure body to introduce a gas into the hollow space from outside, a pressure sensor that is formed inside the sensor structure body and has a membrane which is able to vibrate by actions of the gas, an acceleration sensor that is formed inside the sensor structure body to detect an acceleration that has acted on the sensor structure body, and a sealing resin that covers the sensor structure body, in which the gas conduit includes an inner end portion on the hollow space side and an outer end portion on the end surface side of the sensor structure body, and the outer end portion of the gas conduit is opened on an end surface of the sealing resin.
B81B 7/02 - Systèmes à microstructure comportant des dispositifs électriques ou optiques distincts dont la fonction a une importance particulière, p.ex. systèmes micro-électromécaniques (SMEM, MEMS)
G01L 9/00 - Mesure de la pression permanente, ou quasi permanente d’un fluide ou d’un matériau solide fluent par des éléments électriques ou magnétiques sensibles à la pression; Transmission ou indication par des moyens électriques ou magnétiques du déplacement des éléments mécaniques sensibles à la pression, utilisés pour mesurer la pression permanente ou quasi permanente d’un fluide ou d’un matériau solide fluent
G01L 17/00 - Dispositifs ou appareils pour mesurer la pression des pneumatiques ou la pression dans d'autres corps gonflés
G01P 15/125 - Mesure de l'accélération; Mesure de la décélération; Mesure des chocs, c. à d. d'une variation brusque de l'accélération en ayant recours aux forces d'inertie avec conversion en valeurs électriques ou magnétiques au moyen de capteurs à capacité
G01L 19/00 - MESURE DES FORCES, DES CONTRAINTES, DES COUPLES, DU TRAVAIL, DE LA PUISSANCE MÉCANIQUE, DU RENDEMENT MÉCANIQUE OU DE LA PRESSION DES FLUIDES - Détails ou accessoires des appareils pour la mesure de la pression permanente ou quasi permanente d'un milieu fluent dans la mesure où ces détails ou accessoires ne sont pas particuliers à des types particuliers de manomètres
B60C 23/04 - Dispositifs avertisseurs actionnés par la pression du pneumatique montés sur la roue ou le pneumatique
40.
CONTROLLER OF POWER TRANSISOR AND CONTROL METHOD THEREOF
A controller controls multiple parallel-coupled power transistors. A correction amount calculation unit generates a reference value based on multiple detection values, each of which has a correlation with the switching loss of corresponding one of the multiple power transistors, and generates multiple correction amounts such that the multiple detection values approach the reference value. A gate signal generating unit generates multiple gate signals based on a control instruction and the multiple correction amounts.
H03K 17/042 - Modifications pour accélérer la commutation par réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande
H03K 17/10 - Modifications pour augmenter la tension commutée maximale admissible
H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
41.
SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
A semiconductor device A1 disclosed includes: a semiconductor element 10 having an element obverse face and element reverse face that face oppositely in a thickness direction z, with an obverse-face electrode 11 (first electrode 111) and a reverse-face electrode 12 respectively formed on the element obverse face and the element reverse face; a conductive member 22A opposing the element reverse face and conductively bonded to the reverse-face electrode 12; a conductive member 22B spaced apart from the conductive member 22A and electrically connected to the obverse-face electrode 11; and a lead member 51 having a lead obverse face 51a facing in the same direction as the element obverse face and connecting the obverse-face electrode 11 and the conductive member 22B. The lead member 51, bonded to the obverse-face electrode 11 via a lead bonding layer 321, includes a protrusion 521 protruding in the thickness direction z from the lead obverse face 51a. The protrusion 521 overlaps with the obverse-face electrode 11 as viewed in the thickness direction z. This configuration suppresses deformation of the connecting member to be pressed during sintering treatment.
H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
A semiconductor device includes a semiconductor chip on which a semiconductor integrated circuit is formed, a plurality of leads disposed around the semiconductor chip, chip-directed wires connecting leads to the semiconductor chip, and a package sealing those. The semiconductor integrated circuit senses a sensing target current flowing through a sense resistor based on the voltage drop across the sense resistor, and performs predetermined operation based on the sensing result. The plurality of leads include a first and a second lead connected to one end and the other end of the sense resistor. The sense resistor is formed using a sensing metal member connecting between the first and second leads within the package without passing via the semiconductor chip.
H02P 21/22 - Commande du courant, p.ex. en utilisant une boucle de commande
H02P 27/06 - Dispositions ou procédés pour la commande de moteurs à courant alternatif caractérisés par le type de tension d'alimentation utilisant une tension d’alimentation à fréquence variable, p.ex. tension d’alimentation d’onduleurs ou de convertisseurs utilisant des convertisseurs de courant continu en courant alternatif ou des onduleurs
A semiconductor module includes a supporting substrate, a conductive substrate supported by the supporting substrate, a conductive bonding member provided between the supporting substrate and the conductive substrate, and a semiconductor element electrically bonded to an obverse surface of the conductive substrate and having a switching function. The conductive bonding member includes a metal base layer, a first layer, and a second layer. The first layer is provided between the base layer and the conductive substrate, and is in direct contact with the conductive substrate. The second layer is provided between the base layer and the supporting substrate, and is in direct contact with the supporting substrate.
A method of manufacturing a semiconductor device having a super junction structure, includes: forming a first-conductivity-type semiconductor layer having a first surface and a second surface opposite to the first surface; forming a second-conductivity-type pillar region in the semiconductor layer; forming an insulating layer which covers the second surface of the semiconductor layer; forming a metal layer on the insulating layer; forming a gate electrode including a first opening passing through the metal layer by selectively removing the metal layer; and etching the insulating layer via the first opening, wherein the etching the insulating layer includes partially exposing the semiconductor layer by forming a second opening having a curved sidewall in the insulating layer by isotropic etching, and wherein an exposed surface of the semiconductor layer forms a flat surface continuous with the second surface of the semiconductor layer covered with the insulating layer.
The present disclosure provides a motor drive device. The motor drive device includes a terminal, a logic unit, a drive unit and a determination unit. The terminal is configured to receive a Hall signal output from a Hall sensor. The logic unit is configured to generate a control signal based on the Hall signal. The drive unit is configured to generate a driving signal based on the control signal. The determination unit is configured to determine a level of a voltage applied to the terminal. The logic unit is configured to switch a function setting based on a determination result of the determination unit.
H02K 11/215 - Dispositifs utilisant un effet magnétique, p.ex. des éléments à effet Hall ou magnéto-résistifs
H02K 11/33 - Circuits d’entraînement, p.ex. circuits électroniques de puissance
H02K 29/08 - Moteurs ou génératrices à dispositifs de commutation non mécaniques, p.ex. tubes à décharge ou dispositifs à semi-conducteurs avec des dispositifs détecteurs de la position utilisant des dispositifs à effet magnétique, p.ex. dispositifs à effet Hall ou magnéto-résistances
A semiconductor light-emitting element includes a substrate having a first surface, a plurality of protrusions disposed, with spacing opened between one another, on the first surface, a buffer layer disposed to cover the plurality of protrusions and the first surface positioned between the plurality of protrusions, a dimension of the buffer layer in a first direction orthogonal to the first surface being smaller than a dimension in the first direction of each of the plurality of protrusions, an n-type semiconductor layer that is disposed on the buffer layer and is doped with an n-type impurity, an active layer disposed on the n-type semiconductor layer, and a p-type semiconductor layer that is disposed on the active layer and is doped with a p-type impurity.
H01L 33/12 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure de relaxation des contraintes, p.ex. couche tampon
H01L 33/20 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
47.
MOTOR DRIVER CIRCUIT, POSITIONING DEVICE AND HARD DISK APPARATUS USING SAME, AND MOTOR DRIVING METHOD
Disclosed herein is a motor driver circuit including a first output terminal to be connected to a first end of a to-be-driven motor via a sense resistor, a second output terminal to be connected to a second end of the motor, an error detector that generates an error signal, an A/D converter that obtains a digital signal, a compensator that generates a voltage command value, a D/A converter that converts the voltage command value to an analog control signal, a pulse width modulator that generates a first pulse and a second pulse, and an output stage that generates a first driving voltage and a second driving voltage. During a first mode, the compensator uses the error signal obtained by the A/D converter at a negative edge timing of the first pulse, for the error signal at a positive edge timing of the second pulse.
H02P 7/025 - Dispositions pour réguler ou commander la vitesse ou le couple de moteurs électriques à courant continu les moteurs à courant continu étant du type linéaire les moteurs à courant continu étant du type à bobine mobile, p.ex. moteurs de bobine acoustique
G11B 20/10 - Enregistrement ou reproduction numériques
G11B 5/55 - Changement, sélection ou acquisition de la piste par déplacement de la tête
48.
SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE
A semiconductor device includes: a semiconductor chip; and an Ag fired cap formed so as to cover a source pad electrode formed on the semiconductor chip. The semiconductor chip is disposed on a first substrate electrode, and one end of a Cu wire is bonded onto the Ag fired cap by means of an ultrasonic wave. There is provided a semiconductor device capable of improving a power cycle capability, and a fabrication method of such a semiconductor device.
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 23/373 - Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif
H01L 29/12 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
H01L 29/161 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée comprenant plusieurs des éléments prévus en
H01L 29/41 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative
A semiconductor device includes a plurality of leads, a semiconductor element electrically connected to the leads and supported by one of the leads, and a sealing resin covering the semiconductor element and a part of each lead. The sealing resin includes a first edge, a second edge perpendicular to the first edge, and a center line parallel to the first edge. The reverse surfaces of the respective leads include parts exposed from the sealing resin, and the exposed parts include an outer reverse-surface mount portion and an inner reverse-surface mount portion that are disposed along the second edge of the sealing resin. The inner reverse-surface mount portion is closer to the center line of the sealing resin than is the outer reverse-surface mount portion. The outer reverse-surface mount portion is greater in area than the inner reverse-surface mount portion.
H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
The semiconductor device of the present invention includes a first conductivity type semiconductor layer made of a wide bandgap semiconductor and a Schottky electrode formed to come into contact with a surface of the semiconductor layer, and has a threshold voltage Vth of 0.3 V to 0.7 V and a leakage current Jr of 1×10−9 A/cm2 to 1×10−4 A/cm2 in a rated voltage VR.
H01L 29/08 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
H01L 23/535 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions internes, p.ex. structures d'interconnexions enterrées
H01L 29/36 - Corps semi-conducteurs caractérisés par la concentration ou la distribution des impuretés
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
The semiconductor device includes a supporting member, a conductive member, and a semiconductor element. The supporting member has a supporting surface facing in a thickness direction. The conductive member has an obverse surface facing the same side as the supporting surface faces in the thickness direction, and a reverse surface opposite to the obverse surface. The conductive member is bonded to the supporting member such that the reverse surface faces the supporting surface. The semiconductor element is bonded to the obverse surface. The semiconductor device further includes a first metal layer and a second metal layer. The first metal layer covers at least a part of the supporting surface. The second metal layer covers the reverse surface. The first metal layer and the second layer are bonded to each other by solid phase diffusion.
H01L 23/36 - Emploi de matériaux spécifiés ou mise en forme, en vue de faciliter le refroidissement ou le chauffage, p.ex. dissipateurs de chaleur
H01L 23/29 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par le matériau
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
52.
SEMICONDUCTOR MODULE AND SEMICONDUCTOR MODULE MANUFACTURING METHOD
A semiconductor module includes: a supporting substrate; a conductive substrate bonded to the supporting substrate; a switching semiconductor element electrically bonded to the conductive substrate; and a conducting member that forms a path of a main circuit current switched by the semiconductor element. The conducting member is arranged to overlap with the obverse surface of the conductive substrate as viewed in a thickness direction of the supporting substrate. The conducting member is formed with an opening that overlaps with the obverse surface of the conductive substrate and does not overlap with the semiconductor element as viewed in the thickness direction.
H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
53.
NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
A nitride semiconductor device includes: an electron transit layer composed of a nitride semiconductor; an electron supply layer formed on the electron transit layer and composed of a nitride semiconductor having a bandgap larger than that of the electron transit layer; a gate layer formed on a portion of the electron supply layer and composed of a nitride semiconductor containing acceptor-type impurities; a gate electrode formed on the gate layer; a passivation layer having first and second openings; a source electrode in contact with the electron supply layer via the first opening; and a drain electrode in contact with the electron supply layer via the second opening, wherein the gate layer is located between the first opening and the second opening, and wherein the gate layer includes a first gate layer of Ga-polar GaN and a second gate layer of N-polar GaN formed on the first gate layer.
H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
H01L 29/205 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV comprenant plusieurs composés dans différentes régions semi-conductrices
H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
A video input interface receives input video data in a normal state. A control input interface receives character data for On Screen Display (OSD) in a setup state. An encoder encodes the character data and stores encoded compressed data in a memory in the setup state. A decoder receives an instruction signal designating the character data to be displayed, reads, and decodes one piece of compressed data corresponding to the instruction signal from the memory, and reproduces the original character data in the normal state. A multiplexer superimposes character data on frame data and outputs the data.
G09G 5/377 - Dispositions ou circuits de commande de l'affichage communs à l'affichage utilisant des tubes à rayons cathodiques et à l'affichage utilisant d'autres moyens de visualisation caractérisés par l'affichage de dessins graphiques individuels en utilisant une mémoire à mappage binaire - Détails concernant le traitement de dessins graphiques pour mélanger ou superposer plusieurs dessins graphiques
G09G 5/00 - Dispositions ou circuits de commande de l'affichage communs à l'affichage utilisant des tubes à rayons cathodiques et à l'affichage utilisant d'autres moyens de visualisation
G09G 5/36 - Dispositions ou circuits de commande de l'affichage communs à l'affichage utilisant des tubes à rayons cathodiques et à l'affichage utilisant d'autres moyens de visualisation caractérisés par l'affichage de dessins graphiques individuels en utilisant une mémoire à mappage binaire
G09G 5/02 - Dispositions ou circuits de commande de l'affichage communs à l'affichage utilisant des tubes à rayons cathodiques et à l'affichage utilisant d'autres moyens de visualisation caractérisés par la manière dont la couleur est visualisée
G09G 3/20 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice
H04N 19/44 - Décodeurs spécialement adaptés à cet effet, p.ex. décodeurs vidéo asymétriques par rapport à l’encodeur
G09G 5/12 - Synchronisation entre l'unité d'affichage et d'autres unités, p.ex. d'autres unités d'affichage, des lecteurs de disques vidéo
G09G 5/18 - Circuits de synchronisation pour l'affichage à balayage par trame
55.
SIGNAL TRANSMISSION CIRCUIT DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD AND APPARATUS FOR INSPECTING SEMICONDUCTOR DEVICE, SIGNAL TRANSMISSION DEVICE, AND MOTOR DRIVE APPARATUS USING SIGNAL TRANSMISSION DEVICE
Disclosed is a signal transmission circuit device (200) including a feedback signal transmission unit (210) that feeds back a control output signal (Sout) as a feedback signal (Sf) to an input side circuit (200A). A logical comparison circuit (212) detects “mismatch” between input and output by performing logical comparison between a control input signal (Sin) and the feedback signal (Sf). When a state of “mismatch” between input and output occurs, a first pulse generating circuit (202) or a second pulse generating circuit (204) outputs a first correction signal (Sa1) or a second correction signal (Sa2) corresponding to a potential (high level or low level) of the control input signal (Sin), and corrects the control output signal (Sout) to the same potential (high level or low level) as the control input signal (Sin). With such configuration, the mismatch
H03K 17/691 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ avec une isolation galvanique entre le circuit de commande et le circuit de sortie utilisant un couplage par transformateur
H03K 17/61 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors bipolaires avec une isolation galvanique entre le circuit de commande et le circuit de sortie utilisant un couplage par transformateur
G01R 31/27 - Test de dispositifs sans les extraire physiquement du circuit dont ils font partie, p.ex. compensation des effets dus aux éléments environnants
G01R 31/28 - Test de circuits électroniques, p.ex. à l'aide d'un traceur de signaux
H02P 31/00 - Dispositions pour la régulation ou la commande de moteurs électriques non prévues dans les groupes , ou
56.
LED DRIVING DEVICE, LIGHTING DEVICE, AND VEHICLE-MOUNTED DISPLAY DEVICE
This LED driving device comprises: a DC/DC controller which controls an output stage for supplying an output voltage to an LED; and a current driver which generates an output current of the LED, wherein the current driver performs PWM dimming by turning on the output current in accordance with an LED-current-on period of a PWM dimming signal and turning off the output current in accordance with an LED-current-off period of the PWM dimming signal, and the DC/DC controller includes a feedback control unit which performs feedback control for outputting a switching pulse to the output stage so as to make a cathode voltage of the LED equal to a reference voltage, and a pulse addition control unit which performs pulse addition control for adding a predetermined pulse number of additional switching pulses at a time of switching between the LED-current-on period and the LED-current-off period.
H05B 45/3725 - Alimentation du circuit à découpage [SMPS]
B60Q 3/18 - Circuits; Agencements de commande pour faire varier l’intensité de la lumière
H05B 45/345 - Stabilisation du courant; Maintien d'un courant constant
H05B 45/56 - Circuits pour faire fonctionner des diodes électroluminescentes [LED] sensibles à la vie des LED; Circuits de protection impliquant des mesures pour empêcher une température anormale des LED
H05B 45/325 - Modulation de la largeur des impulsions [PWM]
H05B 45/10 - Commande de l'intensité de la lumière
The semiconductor device of the present invention includes a semiconductor substrate, a switching element which is defined on the semiconductor substrate, and a temperature sense element which is provided on the surface of the semiconductor substrate independently from the switching element and characterized by being dependent on a temperature.
H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
H01L 23/34 - Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
A semiconductor device includes a first die pad having a main surface, a second die pad having a second main surface, a first switching element connected to the first main surface, a second switching element connected to the second main surface, a first connecting member connecting the first main surface electrode of the first switching element to the second die pad, an encapsulation resin encapsulating the first switching element, the second switching element, the first die pad, the second die pad, and the first connecting member, and leads projecting out of one of the resin side surfaces of the encapsulation resin.
H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
A semiconductor module includes: a conductive substrate having an obverse surface and a reverse surface spaced apart in a thickness direction; a semiconductor element electrically bonded to the obverse surface and having a switching function; and a conducting member that forms a path of a main circuit current switched by the semiconductor element. The semiconductor element has a rectangular shape with four corners as viewed in the thickness direction. The conducting member includes a portion overlapping with the semiconductor element as viewed in the thickness direction. The conducting member do not overlap with at least three of the four corners of the semiconductor element.
H01L 23/373 - Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
61.
SEMICONDUCTOR DEVICE, AND PRODUCTION METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
A semiconductor device including a die pad, a semiconductor element, a first joining layer, a first conductive member, and a second joining layer. The die pad has an obverse surface facing in a thickness direction. The semiconductor element has a first electrode provided opposing the obverse surface, and a second electrode provided on the opposite side to the first electrode in the thickness direction. The first electrode is electrically joined to the obverse surface. The first joining layer electrically joins the first electrode and the obverse surface to each other. The first conductive member is electrically joined to the second electrode. The second joining layer electrically joins the first conductive member and the second electrode to each other. The melting point of the first joining layer is higher than the melting point of the second joining layer.
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
A semiconductor module includes a conductive substrate, a plurality of first semiconductor elements, and a plurality of second semiconductor elements. The conductive substrate includes a first conductive portion to which the plurality of first semiconductor elements are electrically bonded, and a second conductive portion to which the plurality of second semiconductor elements are electrically bonded. The semiconductor module further includes a first input terminal, a second input terminal, and a third input terminal that are provided near the first conductive portion. The second input terminal and the third input terminal are spaced apart from each other with the first input terminal therebetween. The first input terminal is electrically connected to the first conductive portion. A polarity of the first input terminal is set to be opposite to a polarity of each of the second input terminal and the third input terminal.
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
A semiconductor device includes: a semiconductor substrate including a main surface and a back surface opposite to the main surface; a semiconductor layer including a first surface in contact with the main surface of the semiconductor substrate and a second surface opposite to the first surface, and including a gate trench recessed in the second surface; a split gate structure provided in the gate trench; an insulating layer filling the gate trench and covering the second surface of the semiconductor layer; and a trap level region formed in any one of the semiconductor layer and the semiconductor substrate to trap carriers moving from the semiconductor layer.
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
A semiconductor device includes a semiconductor layer that has a first main surface at one side and a second main surface at another side, a plurality of gate electrodes that are arranged at intervals on the first main surface of the semiconductor layer, an interlayer insulating film that is formed on the first main surface of the semiconductor layer such as to cover the gate electrodes, an electrode film that is formed on the interlayer insulating film, and a plurality of tungsten plugs that, between a pair of the gate electrodes that are mutually adjacent, are respectively embedded in a plurality of contact openings formed in the interlayer insulating film at intervals in a direction in which the pair of mutually adjacent gate electrodes face each other and each have a bottom portion contacting the semiconductor layer and a top portion contacting the electrode film.
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
An audio circuit is configured to allow an analog voltage to be input via its volume setting pin. A power supply pin receives a power supply voltage. A bias circuit generates a first reference voltage that corresponds to the analog voltage. A D/A converter converts a digital audio signal into an analog audio signal. AD/A converter has a variable voltage range with a full scale that can be changed according to the first reference voltage. A class D amplifier outputs an output pulse signal having a duty cycle that corresponds to the analog audio signal output from the D/A converter and having an amplitude that corresponds to the power supply voltage.
A semiconductor device provided with first and second semiconductor element each having an obverse and a reverse surface with a drain electrode, source electrode and gate electrode provided on the obverse surface. The semiconductor device is also provided with a control element electrically connected to the gate electrodes of the respective semiconductor elements, and with a plurality of leads, which include a first lead carrying the first semiconductor element, a second lead carrying the second semiconductor element, and a third lead carrying the control element. The first and second leads overlap with each other as viewed in a first direction perpendicular to the thickness direction of the semiconductor device, and the third lead overlaps with the first and second leads as viewed in a second direction perpendicular to the thickness direction and the first direction.
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
A semiconductor device includes: a first semiconductor element to switch between an electrical communication state and a blocked state in accordance with a first driving signal; a first control element to generate the first driving signal based on a first input signal; a second semiconductor element to switch between an electrical communication state and a blocked state in accordance with a second driving signal; and a second control element to generate the second driving signal based on a second input signal. The second input signal is input to the first control element, and thus the first control element determines whether or not the second semiconductor element is in the electrical communication state based on the second input signal. When the second semiconductor element is in the electrical communication state, the first control element delays switching of the first semiconductor element from the blocked state to the electrical communication state.
H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
A semiconductor device includes: a plurality of semiconductor elements connected in parallel; a rectifier element connected in anti-parallel to the plurality of semiconductor elements; a power terminal electrically connected to the plurality of semiconductor elements; and an electrical conductor electrically connected to the power terminal and the plurality of semiconductor elements and including a pad portion to which the plurality of semiconductor elements are bonded. The plurality of first semiconductor elements include a first element and a second element. The minimum conduction path of the first element to the power terminal is shorter than the minimum conduction path of the second element to the power terminal. The pad portion includes a first section to which the first element is bonded and a second section to which the second element is bonded. The rectifier element is located in the first section of the pad portion.
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 21/52 - Montage des corps semi-conducteurs dans les conteneurs
H01L 23/051 - Conteneurs; Scellements caractérisés par la forme le conteneur étant une structure creuse ayant une base conductrice qui sert de support et en même temps de connexion électrique pour le corps semi-conducteur une autre connexion étant constituée par le couvercle parallèle à la base, p.ex. du type "sandwich"
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
A semiconductor module includes a conductive substrate, a semiconductor element, a control terminal, and a sealing resin. The conductive substrate has an obverse surface and a reverse surface that are spaced apart from each other in a thickness direction. The semiconductor element is electrically bonded to the obverse surface and has a switching function. The control terminal is configured to control the semiconductor element. The sealing resin has a resin obverse surface and a resin reverse surface, and covers the conductive substrate, the semiconductor element, and a part of the control terminal. The control terminal protrudes from the resin obverse surface, and extends along the thickness direction.
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
This semiconductor device includes a first switching element, a second switching element, and a resin layer that seals each switching element. The semiconductor device includes: a power supply electrode which is formed on the surface of the resin layer and of which at least a part overlaps the first switching element when viewed from a z direction; and a power supply via conductor that electrically connects the first switching element and the power supply electrode through the resin layer in the z direction.
H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
71.
LAMINATED STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING LAMINATED STRUCTURE
A laminated structure includes a frame body having a first surface and a second surface facing in mutually opposite directions in a thickness direction, the frame body including a film body supported by the frame body and a hollow portion opening at the second surface and being located between the film body and the second surface; and a lid body attached to the frame body, including cavity located on the film body and an opening which communicates with the cavity and being formed at a positon at which at least a part of the film body is exposed to an external space of the laminated structure. The lid body includes a groove portion formed in a surface (a back surface) of the lid body facing the frame body, and the cavity and the external space of the laminated structure communicate with each other through the groove portion.
A primary transmitter drives a primary-side input of an isolation barrier in response to a transition of an input signal. A secondary receiver generates an output signal having a logical value that corresponds to a signal that occurs at a secondary-side output of the isolation barrier. A secondary transmitter drives a secondary-side input of the isolation barrier based on the output signal. A primary receiver generates a return signal having a logical value that corresponds to a signal that occurs at a primary-side output of the isolation barrier. The primary transmitter repeatedly drives the primary-side input of the isolation barrier until the logical value of the input signal matches that of the return signal.
H03K 19/0175 - Dispositions pour le couplage; Dispositions pour l'interface
H03K 17/691 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ avec une isolation galvanique entre le circuit de commande et le circuit de sortie utilisant un couplage par transformateur
A transformer includes a primary winding and a secondary winding. A transmitting circuit is coupled to a primary winding of a transformer and supplies a current signal to the primary winding with a polarity that changes in response to a change of the input signal level. A latch circuit is arranged such that its set terminal is coupled to one end of the secondary winding of the transformer, and its reset terminal is coupled to the other end of the secondary winding of the transformer. A first switch is arranged between a common voltage node at which a common voltage occurs and the set terminal. When the output of the latch circuit is high, the first switch is turned on. A second switch is arranged between the common voltage node and the reset terminal. When the output of the latch circuit is low, the second switch is turned on.
H03K 19/0175 - Dispositions pour le couplage; Dispositions pour l'interface
H03K 17/691 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ avec une isolation galvanique entre le circuit de commande et le circuit de sortie utilisant un couplage par transformateur
The present disclosure is related to a transducer. The transducer includes a substrate. A plurality of vibrating membranes, in a configuration of cantilevers, are disposed on a main surface of the substrate. A plurality of piezoelectric elements are stacked on the plurality of vibrating membranes for generating a voltage to excite each vibrating membrane. The cantilevers of the plurality of vibrating membranes extend in a direction from a reference point on the main surface toward the cantilevers, or in a direction from the cantilevers toward the reference point.
H04R 1/40 - Dispositions pour obtenir la fréquence désirée ou les caractéristiques directionnelles pour obtenir la caractéristique directionnelle désirée uniquement en combinant plusieurs transducteurs identiques
H04R 7/10 - Membranes planes comportant plusieurs sections ou couches comportant des couches superposées en contact
H04R 3/12 - Circuits pour transducteurs pour distribuer des signaux à plusieurs haut-parleurs
A class D amplifier circuit receives an analog audio signal with a first reference voltage as its center level, and outputs an output pulse signal having a duty cycle that corresponds to the analog audio signal. A bias circuit generates a second reference voltage having a voltage level obtained as a division of the first reference voltage and the power supply voltage. A periodic voltage generating circuit of the class D amplifier circuit generates a periodic voltage having a triangle waveform or otherwise a sawtooth waveform having an amplitude that corresponds to the second reference voltage.
H03K 5/26 - Circuits présentant plusieurs entrées et une sortie pour comparer des impulsions ou des trains d'impulsions entre eux en ce qui concerne certaines caractéristiques du signal d'entrée, p.ex. la pente, l'intégrale la caractéristique étant la durée, l'intervalle, la position, la fréquence ou la séquence
H03K 4/06 - Génération d'impulsions ayant comme caractéristique essentielle une pente définie ou des parties en gradins à forme triangulaire
H03K 19/0175 - Dispositions pour le couplage; Dispositions pour l'interface
H04R 3/04 - Circuits pour transducteurs pour corriger la fréquence de réponse
76.
SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MODULE
There is provided a semiconductor device including: a lead frame including a first opening portion; a resin filled in the first opening portion; and a semiconductor element electrically connected to the lead frame, wherein a side wall surface of the lead frame in the first opening portion has a larger average surface roughness than an upper surface of the lead frame.
H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes
H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
The semiconductor device includes a semiconductor element, a first lead, and a second lead. The semiconductor element has an element obverse surface and an element reverse surface spaced apart from each other in a thickness direction. The semiconductor element includes an electron transit layer disposed between the element obverse surface and the element reverse surface and formed of a nitride semiconductor, a first electrode disposed on the element obverse surface, and a second electrode disposed on the element reverse surface and electrically connected to the first electrode. The semiconductor element is mounted on the first lead, and the second electrode is joined to the first lead. The second lead is electrically connected to the first electrode. The semiconductor element is a transistor. The second lead is spaced apart from the first lead and is configured such that a main current to be subjected to switching flows therethrough.
H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
A semiconductor has a layer of a first conductivity type with a main surface, a trench separation structure which includes a separation trench formed in the main surface, a separation insulating film that covers a wall surface of the separation trench and a separation electrode that is embedded in the separation trench across the separation insulating film, the trench separation structure demarcating an outer region and an active region in the main surface, a floating region of a second conductivity type which is formed in an electrically floating state at a surface layer portion of the main surface along the trench separation structure in the outer region, and a Schottky electrode which is electrically connected to the separation electrode such as to retain the floating region in the electrically floating state in the outer region and which forms a Schottky junction with the main surface in the active region.
Disclosed herein is a clamper including a current source that is connected between an external electrode and an internal node and generates a predetermined constant current, a diode having an anode connected to the internal node, and a current mirror that generates a second current corresponding to a first current flowing via the diode and draws the second current from the internal node to a reference voltage node.
H02H 3/08 - Circuits de protection de sécurité pour déconnexion automatique due directement à un changement indésirable des conditions électriques normales de travail avec ou sans reconnexion sensibles à une surcharge
H02H 7/20 - Circuits de protection de sécurité spécialement adaptés pour des machines ou appareils électriques de types particuliers ou pour la protection sectionnelle de systèmes de câble ou ligne, et effectuant une commutation automatique dans le cas d'un chan pour équipement électronique
An SiC semiconductor device includes an SiC semiconductor layer including an SiC monocrystal and having a first main surface as an element forming surface, a second main surface at a side opposite to the first main surface, and a plurality of side surfaces connecting the first main surface and the second main surface, and a plurality of modified lines formed one layer each at the respective side surfaces of the SiC semiconductor layer and each extending in a band shape along a tangential direction to the first main surface of the SiC semiconductor layer and modified to be of a property differing from the SiC monocrystal.
H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
H01L 29/04 - Corps semi-conducteurs caractérisés par leur structure cristalline, p.ex. polycristalline, cubique ou à orientation particulière des plans cristallins
83.
SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
A semiconductor device includes: a semiconductor layer having a partitioned region partitioned by a trench; a field insulating layer which is formed on a main surface of the semiconductor layer at an interval from the trench toward an inner side of the partitioned region and covers the partitioned region; a trench insulating layer formed at least in the trench; an intermediate region annularly formed between the field insulating layer on the main surface of the semiconductor layer and the trench insulating layer; and a bridge insulating layer which is formed in the intermediate region and connects the field insulating layer and the trench insulating layer, wherein the bridge insulating layer has a bridge buried portion buried in the main surface of the semiconductor layer.
An SiC semiconductor device includes an SiC semiconductor layer including an SiC monocrystal that is constituted of a hexagonal crystal and having a first main surface as a device surface facing a c-plane of the SiC monocrystal and has an off angle inclined with respect to the c-plane, a second main surface at a side opposite to the first main surface, and a side surface facing an a-plane of the SiC monocrystal and has an angle less than the off angle with respect to a normal to the first main surface when the normal is 0°.
H01L 29/04 - Corps semi-conducteurs caractérisés par leur structure cristalline, p.ex. polycristalline, cubique ou à orientation particulière des plans cristallins
H01L 21/04 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
H01L 21/78 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
For example, a semiconductor device includes one or more first subcontacts electrically conducted to a substrate. At least one of the one or more first subcontacts is formed in an element arrangement region, and has a lower impedance than the substrate. Preferably, at least one of the one or more first subcontacts is adjacent to a circuit element formed in the element arrangement region. Preferably, on the substrate, which is of a first conductivity type, an epilayer of a second conductivity type is formed, and the one or more first subcontacts include a first line having a lower impedance than the substrate, and a semiconductor region of the first conductivity type penetrating through the epilayer to electrically conduct the first line and the substrate to each other.
H01L 27/082 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants bipolaires
H01L 23/528 - Configuration de la structure d'interconnexion
A terahertz device includes an antenna base including reflective films, wherein: the reflective films are curved to be recessed; the reflective film and the reflective film are arranged to be adjacent to each other in a y direction; and when viewed from a z direction, the sizes of the reflective film and the reflective film along an x direction are smaller than the sizes of the reflective film and the reflective film along the y direction.
G01N 21/3586 - Couleur; Propriétés spectrales, c. à d. comparaison de l'effet du matériau sur la lumière pour plusieurs longueurs d'ondes ou plusieurs bandes de longueurs d'ondes différentes en recherchant l'effet relatif du matériau pour les longueurs d'ondes caractéristiques d'éléments ou de molécules spécifiques, p.ex. spectrométrie d'absorption atomique en utilisant la lumière infrarouge en utilisant un rayonnement térahertz par spectroscopie térahertz dans le domaine temporel [THz-TDS]
G01R 31/28 - Test de circuits électroniques, p.ex. à l'aide d'un traceur de signaux
A semiconductor device includes a semiconductor chip having a device forming surface on which a device structure is formed, a first conductive layer formed on the device forming surface of the semiconductor chip, a second conductive layer formed on the first conductive layer, a first wire that is connected to the second conductive layer and that is made of a material composed mainly of copper, and a third conductive layer that is formed between the first conductive layer and the second conductive layer and that includes a material harder than copper.
H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H10B 80/00 - Ensembles de plusieurs dispositifs comprenant au moins un dispositif de mémoire couvert par la présente sous-classe
A semiconductor element includes first/second electrodes on an element obverse surface, an insulating layer on the element obverse surface, and first/second electrode terminals in contact with the first/second electrodes, respectively. The insulating layer includes first/second openings, and first/second overlapping portions adjoining the first/second openings, respectively. The first/second openings expose the first/second electrodes, respectively. The first/second overlapping portions overlap with the first/second electrodes, respectively, as viewed in a thickness direction. The first/second electrode terminals are in contact with the first/second electrodes, respectively, through the first/second openings, while also overlapping with the first/second overlapping portions as viewed in the thickness direction. The first electrode terminals are in a region with a high arrangement density of electrode terminals, whereas the second electrode terminals are in a region with a low arrangement density of electrode terminals. Each first overlapping portion has a greater dimension in the thickness direction than each second overlapping portion.
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
The present disclosure provides a main device, a sub-device and a communication system. The sub-device includes a receiver, a status signal transmitter, a read memory, and a status setting unit. The receiver is configured to receive a read command from the main device. The status signal transmitter is configured to transmit a status signal to the main device. The status setting unit is configured to determine whether a read data has been prepared in the read memory. When the read data has been prepared in the read memory, the status signal is set to a first state. When the read data has not been prepared in the read memory, the status signal is set to a second state.
G06K 7/10 - Méthodes ou dispositions pour la lecture de supports d'enregistrement par radiation corpusculaire
H04L 1/1607 - Dispositions pour détecter ou empêcher les erreurs dans l'information reçue en utilisant un canal de retour dans lesquelles le canal de retour transporte des signaux de contrôle, p.ex. répétition de signaux de demande - Détails du signal de contrôle
A semiconductor device includes: a semiconductor layer; a gate trench formed in the semiconductor layer; an insulating layer formed on the semiconductor layer; a gate electrode buried in the gate trench via the insulating layer; a gate wiring formed on the insulating layer and electrically connected to the gate electrode; and a protection trench formed in the semiconductor layer, wherein the semiconductor layer includes an outer peripheral region including outer edges of the semiconductor layer in a plan view and an inner region surrounded by the outer peripheral region, wherein the gate trench includes an outer peripheral gate trench portion arranged in the outer peripheral region and surrounded by the protection trench in a plan view, and wherein the outer peripheral gate trench portion and the protection trench are formed in a closed annular shape along the outer edges of the semiconductor layer in the outer peripheral region.
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
91.
CLOCK SIGNAL GENERATION CIRCUIT, DC/DC CONVERTER, PWM SIGNAL GENERATOR, AND VEHICLE
A clock signal generation circuit includes: a triangular wave generation circuit configured to generate a triangular wave signal; a pseudo-random number generation circuit configured to generate a pseudo-random number signal; a limiter circuit configured to perform a limitation process of limiting an amount of change per unit time in the pseudo-random number signal and generate the pseudo-random number signal subjected to the limitation process as a limiter signal; a linear arithmetic circuit configured to generate a frequency control signal by performing a linear arithmetic operation on the triangular wave signal and the limiter signal; and an oscillator configured to generate a clock signal having a frequency corresponding to the frequency control signal.
In order both to accommodate instantaneous current as well as overcurrent protection in accordance with the load, an overcurrent protection circuit has: a threshold value generation unit that, in accordance with a threshold value control signal, switches between setting an overcurrent detection threshold value to a first set value (∝ Iref) and a second set value (∝ Iset) lower than the first set value; an overcurrent detection unit that compares a sense signal in accordance with the current being monitored and the overcurrent detection value and generates an overcurrent protection signal; a reference value generation unit that generates a reference value (∝ Iset) in accordance with the seconds set value; a comparison unit that compares the sense signal and the reference value, and generates a comparison signal; and a threshold value control unit that monitors the comparison signal, and generates a threshold value control signal.
H02H 1/00 - CIRCUITS DE PROTECTION DE SÉCURITÉ - Détails de circuits de protection de sécurité
H02H 3/093 - Circuits de protection de sécurité pour déconnexion automatique due directement à un changement indésirable des conditions électriques normales de travail avec ou sans reconnexion sensibles à une surcharge avec des moyens de temporisation
B60R 16/02 - Circuits électriques ou circuits de fluides spécialement adaptés aux véhicules et non prévus ailleurs; Agencement des éléments des circuits électriques ou des circuits de fluides spécialement adapté aux véhicules et non prévu ailleurs électriques
H02H 3/087 - Circuits de protection de sécurité pour déconnexion automatique due directement à un changement indésirable des conditions électriques normales de travail avec ou sans reconnexion sensibles à une surcharge pour des systèmes à courant continu
H02H 7/20 - Circuits de protection de sécurité spécialement adaptés pour des machines ou appareils électriques de types particuliers ou pour la protection sectionnelle de systèmes de câble ou ligne, et effectuant une commutation automatique dans le cas d'un chan pour équipement électronique
B60R 16/03 - Circuits électriques ou circuits de fluides spécialement adaptés aux véhicules et non prévus ailleurs; Agencement des éléments des circuits électriques ou des circuits de fluides spécialement adapté aux véhicules et non prévu ailleurs électriques pour l'alimentation des sous-systèmes du véhicule en énergie électrique
A comparator circuit includes a first comparator configured to compare a voltage based on an input voltage with a first reference voltage, a charge/discharge portion configured to switch between charging and discharging of a capacitor based on an output of the first comparator, a second comparator configured to compare a voltage of the capacitor with a second reference voltage, and a control portion. The control portion is configured to, in a case where the voltage of the capacitor is larger than a predetermined value when the charge/discharge portion performs switching from the charging of the capacitor to the discharging thereof, supply a predetermined voltage instead of the voltage based on the input voltage to the first comparator until the voltage of the capacitor becomes smaller than the predetermined value so that the discharging of the capacitor is maintained by the charge/discharge portion.
H03K 5/24 - Circuits présentant plusieurs entrées et une sortie pour comparer des impulsions ou des trains d'impulsions entre eux en ce qui concerne certaines caractéristiques du signal d'entrée, p.ex. la pente, l'intégrale la caractéristique étant l'amplitude
H03K 5/13 - Dispositions ayant une sortie unique et transformant les signaux d'entrée en impulsions délivrées à des intervalles de temps désirés
94.
METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE
A method for manufacturing a semiconductor device includes a step of preparing a semiconductor substrate that has a first main surface on one side and a second main surface on the other side, the semiconductor substrate on which a plurality of device forming regions and an intended cutting line that demarcates the plurality of device forming regions are set, a step of forming a first electrode that covers the first main surface in each of the device forming regions, a step of forming a second electrode that covers the second main surface, a step of partially removing the second electrode along the intended cutting line such that the semiconductor substrate is exposed, and forming a removed portion that extends along the intended cutting line, and a step of cutting the semiconductor substrate along the removed portion.
H01L 21/784 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs qui consistent chacun en un seul élément de circuit le substrat étant un corps semi-conducteur
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
A semiconductor device includes a substrate, a conductive part formed on a front surface of the substrate, a semiconductor chip disposed on the front surface of the substrate, a control unit that controls the semiconductor chip, a sealing resin that covers the semiconductor chip, the control unit and the conductive part, and a first lead bonded to the conductive part and partially exposed from the sealing resin. The conductive part includes a first pad and a second pad disposed apart from each other. The first lead is bonded to the first pad and the second pad.
H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des groupes principaux , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. circuit hybrides
H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes
An operational amplifier includes a differential input stage that amplifies a differential input signal to generate an intermediate signal; an amplification stage including an output transistor that is connected between an output terminal and a fixed voltage line, and is driven according to the intermediate signal; and an assist circuit, wherein the assist circuit includes: a first transistor connected in parallel with the output transistor; and a drive circuit that drives the first transistor according to a gate voltage of the output transistor.
H03F 1/02 - Modifications des amplificateurs pour augmenter leur rendement, p.ex. étages classe A à pente glissante, utilisation d'une oscillation auxiliaire
A semiconductor integrated circuit includes a current mirror circuit, wherein the current mirror circuit includes: an input node and an output node; a plurality of transistors; a switch circuit configured to be capable of selectively connecting each of the plurality of transistors to the input node or the output node; and a controller configured to control the switch circuit such that M (where M is an integer) transistors among the plurality of transistors are connected to the input node and N (where N is an integer) transistors among the plurality of transistors are connected to the output node, wherein the controller switches a combination of the M transistors and a combination of the N transistors in a time division manner.
A semiconductor device includes a semiconductor element, an internal electrode connected to the semiconductor element, a sealing resin covering the semiconductor element and a portion of the internal electrode, and an external electrode exposed from the sealing resin and connected to the internal electrode. The internal electrode includes a wiring layer and a columnar portion, where the wiring layer has a wiring layer front surface facing the back surface of the semiconductor element and a wiring layer back surface facing opposite from the wiring layer front surface in the thickness direction. The columnar portion protrudes in the thickness direction from the wiring layer front surface. The columnar portion has an exposed side surface facing in a direction perpendicular to the thickness direction. The external electrode includes a first cover portion covering the exposed side surface.
H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes
H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
99.
SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
A semiconductor device includes a semiconductor element, a mount portion, and a sintered metal bond. The semiconductor element includes a body and an electrode pad. The body has an obverse surface facing forward in a first direction and a reverse surface facing rearward in the first direction. The electrode pad covers the element reverse surface. The mount portion supports the semiconductor element. The sintered metal bond electrically bonds the electrode pad and the mount portion. The sintered metal bond includes a first rear edge and a first front edge spaced forward in the first direction from the first rear edge. The electrode pad includes a second rear edge and a second front edge spaced forward in the first direction from the second rear edge. The first front edge of the metal bond is spaced rearward in the first direction from the second front edge of the pad.
H01L 23/532 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées caractérisées par les matériaux
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
100.
SEMICONDUCTOR DEVICE WITH EQUIPOTENTIAL RING ELECTRODE
A semiconductor device includes a semiconductor substrate, an element region including an active element formed at the semiconductor substrate, a channel stopper formed in an outer peripheral region of the semiconductor substrate, and an insulating film that covers a surface of the semiconductor substrate and that has a first contact hole by which the channel stopper is exposed. The semiconductor device further includes a first field plate, a second field plate, and an equipotential ring electrode. The first field plate is formed on the insulating film, and faces the semiconductor substrate between the channel stopper and the element region through the insulating film. The second field plate is embedded in the insulating film, and faces the semiconductor substrate between the first field plate and the channel stopper through the insulating film. The equipotential ring electrode is formed along an outer peripheral region of the semiconductor substrate. The equipotential ring electrode is connected to the channel stopper through the first contact hole, and is connected to the first field plate, and is connected to the second field plate through a second contact hole formed in the insulating film.
H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
brevets
