A non-volatile memory device (1) comprises: a memory element (82) that can carry out a program operation by trapping an electric charge in a sidewall; and a switch (12) that is for expanding a voltage between a drain and a source of the memory element during the program operation with the same polarity as that during a reading operation.
A non-volatile memory device (1) comprises: a first current mirror (8) which has a reference element (81) that is configured as a memory element capable of executing a program operation and a data element (82) that is configured as the memory element and is subject to a program operation; a reference current generation unit (61) that is connected to the data element and is configured to be capable of generating a reference current (I4); and a storage circuit (15) that has the data element and the reference current generation unit. In the storage circuit, data is readable on the basis of the relationship between the level of the current (I3) that flows through the data element and the level of the reference current.
This semiconductor device comprises a semiconductor substrate of a first conductivity type, a semiconductor layer of the first conductivity type, a first electrode, a second electrode, a first trench, a second trench, an insulating layer, a third electrode, and a well region of a second conductivity type. The well region includes a first region that is adjacent to the first trench, a second region that is adjacent to the second trench, and a third region that is located between the first region and the second region in a second direction. The impurity concentration of the first region and the impurity concentration of the second region are both lower than the impurity concentration of the third region.
This semiconductor device comprises: a semiconductor element having a plurality of electrodes; a first lead having a first pad portion and a first terminal portion, a second lead having a second pad portion and a second terminal; a plurality of wires; and a sealing resin. The plurality of wires are individually conductively joined to the plurality of electrodes, the first pad portion and the first terminal portion. The length of a straight line connecting the center of the first pad portion and the center of the second pad portion when viewed in a third direction is defined as a first section length. The length of a straight line connecting the center of the first terminal portion and the center of the second terminal portion 322 when viewed in the third direction is defined as a second section length. The second section length is different than the first section length.
H01L 23/50 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes pour des dispositifs à circuit intégré
H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
5.
SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND MOUNTING STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE
This semiconductor light-emitting device comprises a substrate and a semiconductor light-emitting element. The substrate has a base and a wiring part. The base has a first surface and a second surface facing opposite each other in the thickness direction, and a third surface positioned between the first surface and the second surface and facing one side in a first direction orthogonal to the thickness direction. The semiconductor light-emitting element is supported on the first surface. The wiring part includes a first mounting part that is disposed on the first surface and is used for mounting, a second mounting part that is disposed on the second surface and is used for mounting, and a third mounting part that is exposed from the third surface and is used for mounting.
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
This semiconductor light-emitting device comprises: a semiconductor light-emitting element; an electrical-connection support member supporting the semiconductor light-emitting element; and a first resin section covering the semiconductor light-emitting element. The first resin section includes, for example, a light transmissive resin material and a light absorbent powder. The electrical-connection member has, for example, a base material and a wiring section. The base material has a base material main surface that faces one way in a thickness direction. The semiconductor light-emitting element is mounted on the base material main surface. The wiring section is electrically connected to the semiconductor light-emitting element.
H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique
This semiconductor device (10) includes first and second gate portions (24A, 24B) formed of a semiconductor layer containing acceptor-type impurities. First and second gate electrodes (26A, 26B) are disposed on portions of the first and second gate portions (24A, 24B), respectively. The upper surface (24AS1) of the first gate portion (24A) includes a first side space portion (24AL1) having a length L1 near a source electrode (22) and a second side space portion (24AL2) having a length L2 near a first drain electrode (28A). The upper surface (24BS1) of the second gate portion (24B) includes a third side space portion (24BL1) having a length L3 near the source electrode (22) and a fourth side space portion (24BL2) having a length L4 near a second drain electrode (28B). The lengths L1 and L2 satisfy the relationship L1 > L2, and the lengths L3 and L4 satisfy the relationship L3 > L4.
H01L 29/812 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une jonction PN ou une autre jonction redresseuse à grille Schottky
H01L 21/28 - Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes
H01L 21/337 - Transistors à effet de champ à jonction PN
H01L 21/338 - Transistors à effet de champ à grille Schottky
H01L 29/41 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative
H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
H01L 29/808 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une jonction PN ou une autre jonction redresseuse à jonction PN
8.
SWITCHING POWER SUPPLY, AND CONTROL CIRCUIT AND CONTROL METHOD THEREFOR
A control circuit 200 controls a switching power supply 100 that includes a switching transistor M1. A first switching detection pin TD1N is connected to a first node N1 in the switching power supply 100, and a second switching detection pin TD1P is connected to a second node N2 in the switching power supply 100. A time digital converter 210 generates a digital value Dtd indicating a time interval td between an observed edge of a first switching voltage Vs1 generated in the first switching detection pin TD1N and an observed edge of a second switching voltage Vs2 generated in the second switching detection pin TD1P. A DSP 220 generates a control pulse PWM instructing ON and OFF of the switching transistor M1 on the basis of at least the digital value Dtd.
H02M 3/28 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire
9.
AUDIO AMPLIFIER CIRCUIT AND IN-VEHICLE ELECTRONIC DEVICE
This semiconductor device comprises a substrate, a first semiconductor element, and wiring. The substrate has a main surface and a reverse surface facing mutually opposite sides in a first direction. The first semiconductor element has a first electrode and a second electrode. The wiring includes a portion positioned between the substrate and the first and second electrodes. The first and second electrodes are electroconductively joined to the wiring. A recess that is recessed from the main surface is provided on the substrate, and the wiring is accommodated in the recess. The wiring has an exposed surface that is flush with the main surface. The surface roughness of the exposed surface is lower than the surface roughness of the reverse surface.
A control circuit provided in this semiconductor device receives an input data signal synchronously with a clock signal, in a selection period in which a selection signal has a predetermined level, and performs a corresponding operation in accordance with the input data signal during the selection period or after the selection period. The control circuit holds an error flag indicating whether a specific error has occurred, outputs a response signal corresponding to the input data signal from a data output terminal in a portion of the selection period, and outputs an error flag signal corresponding to a value of the error flag from the data output terminal in another portion of the selection period.
G06F 13/38 - Transfert d'informations, p.ex. sur un bus
H03K 17/695 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ à charges inductives
A semiconductor device (10) is provided with: a semiconductor layer (12); a gate trench (14) that is formed in the semiconductor layer (12) and arranged in a mesh shape in plan view; a field plate trench (42) that is formed in the semiconductor layer (12) and that is surrounded by the gate trench (14) and separated from the gate trench (14) in plan view; an insulating layer formed on the semiconductor layer (12); a gate electrode disposed in the gate trench (14); a first field plate electrode disposed below a bottom surface of the gate electrode in the gate trench (14); a second field plate electrode disposed in the field plate trench (42); and a source electrode formed on the insulating layer. The first field plate electrode and the second field plate electrode are electrically connected to the source electrode.
A cantilever is formed that includes: a vibrating membrane, a connection part connected to a support body being present in part of the outer circumferential edge of the vibrating membrane; and a portion of a piezoelectric element that is located on the vibrating membrane, the cantilever having a fixed end and a free end. Further included are: internal wiring that is electrically connected at one end to the piezoelectric element and has a pad part for external wiring connection at the other end; and a protective substrate that has a wall part formed so as to enclose the cantilever and is fixed to the support body, the wall part having a cut at a position corresponding to an intermediate point in the length of the connection part, the pad part being located to the connection part on the cut side.
H10N 30/057 - Fabrication de dispositifs piézo-électriques ou électrostrictifs multicouches ou de leurs parties constitutives, p.ex. en empilant des corps piézo-électriques et des électrodes par empilement de corps massifs piézo-électriques ou électrostrictifs et d’électrodes
H10N 30/063 - Formation d’interconnexions, p.ex. d’électrodes de connexion de parties piézo-électriques ou électrostrictives multicouches
H10N 30/20 - Dispositifs piézo-électriques ou électrostrictifs à entrée électrique et sortie mécanique, p.ex. fonctionnant comme actionneurs ou comme vibrateurs
H10N 30/50 - Dispositifs piézo-électriques ou électrostrictifs avec une structure empilée ou multicouche
H10N 30/85 - Matériaux actifs piézo-électriques ou électrostrictifs
Provided is a MEMS sensor comprising a semiconductor substrate, a sensor portion formed on the semiconductor substrate, a pad portion formed on the semiconductor substrate, and a connection wire which is formed on the semiconductor substrate and connects the sensor portion and the pad portion to each other. The connection wire is a semiconductor wire formed of a semiconductor material.
G01L 9/00 - Mesure de la pression permanente, ou quasi permanente d’un fluide ou d’un matériau solide fluent par des éléments électriques ou magnétiques sensibles à la pression; Transmission ou indication par des moyens électriques ou magnétiques du déplacement des éléments mécaniques sensibles à la pression, utilisés pour mesurer la pression permanente ou quasi permanente d’un fluide ou d’un matériau solide fluent
B81B 3/00 - Dispositifs comportant des éléments flexibles ou déformables, p.ex. comportant des membranes ou des lamelles élastiques
H01L 29/84 - Types de dispositifs semi-conducteurs commandés par la variation d'une force mécanique appliquée, p.ex. d'une pression
This electronic device comprises: an electronic component; a sealing resin that covers the electronic component; a first lead that includes a first inner portion and a first outer portion; a second lead that includes a second inner portion and a second outer portion; and a wire that includes a bonding portion fixed to the first inner portion and a bonding portion fixed to the second inner portion. The first inner portion, except for a first boundary thereof with the first outer portion, is positioned inside the peripheral edge of the sealing resin when viewed in a thickness direction z. The second inner portion, except for a second boundary thereof with the second outer portion, is positioned inside the peripheral edge of the sealing resin when viewed in the thickness direction z. When viewed in the thickness direction z, the length of the wire is more than or equal to 25% of an average value of the distance from the first boundary to the bonding portion fixed to the first inner portion and the distance from the second boundary to the bonding portion fixed to the second inner portion.
H01L 23/50 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes pour des dispositifs à circuit intégré
A semiconductor device (1A) according to the present invention comprises: a chip (2) which has a main surface (3); a first inorganic film (27) which contains an insulator and covers the main surface; a second inorganic film (41) which contains an insulator and covers the first inorganic film; at least one through hole (55) which is formed in the second inorganic film; and an organic film (60) which covers the second inorganic film, while filling up the through hole.
H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
This semiconductor element comprises: a body having a main surface and a reverse surface facing mutually opposite sides in a first direction z; and a plurality of electrodes that are arranged on the main surface and conduct electricity to the body. The body has a first side surface facing a second direction x. The first side surface includes a first edge furthest from the reverse surface. The body has a second side surface that is connected to the first edge and positioned between the first side surface and the main surface in the first direction z. As viewed in the first direction z, the second side surface overlaps the reverse surface. The surface roughness of the first side surface is different from the surface roughness of the second side surface.
H01L 21/301 - Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour subdiviser un corps semi-conducteur en parties distinctes, p.ex. cloisonnement en zones séparées
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
This insulating chip comprises: a first unit; and a second unit disposed on the first unit. The first unit includes: a first element insulating layer having a first element rear surface and a first element front surface; a first insulating element embedded in the first element insulating layer; and a first connection electrode exposed from the first element rear surface. The second unit includes: a second element insulating layer having a second element rear surface and a second element front surface; a second insulating element disposed so as to face the first insulating element; and a second connection electrode exposed from the second element rear surface. The first unit and the second unit are arranged so that the first element rear surface and the second element rear surface are in contact with each other. The first connection electrode and the second connection electrode are electrically connected together.
H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01F 17/00 - Inductances fixes du type pour signaux
H01L 21/822 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
H01L 25/04 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
H01L 27/04 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur
This semiconductor device comprises: a semiconductor layer having a first surface and a second surface on the opposite side from the first surface; a bottom gate region of a first conductivity type formed in the semiconductor layer; and a top gate region formed in the surface portion of the first surface of the semiconductor region, the top gate region being opposed to the bottom gate region in the thickness direction of the semiconductor layer. The bottom gate region includes a first bottom gate region on a source region side, and a second bottom gate region on a drain region side. The gap between the second bottom gate region and the top gate region in the thickness direction is greater than the gap between the first bottom gate region and the top gate region in the thickness direction.
This transformer chip includes an element insulating layer and a high-voltage coil and a low-voltage coil embedded in the element insulating layer. The high-voltage coil includes a first end face facing the low-voltage coil side in the z-direction, a second end face opposite the first end face, and a first side face. The element insulating layer includes a third insulating layer, a second insulating layer laminated on the third insulating layer and having a higher relative dielectric constant than the third insulating layer, and a first insulating layer laminated on the second insulating layer and having a lower relative dielectric constant than the second insulating layer. The high-voltage coil is provided within the first insulating layer with the first end face in contact with the second insulating layer.
H01L 27/04 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur
H01F 17/00 - Inductances fixes du type pour signaux
H01F 19/04 - Transformateurs ou inductances mutuelles appropriés au maniement des fréquences situées bien au-delà de la bande acoustique
H01F 27/32 - Isolation des bobines, des enroulements, ou de leurs éléments
H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
H01L 21/822 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
H01L 23/532 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées caractérisées par les matériaux
H01L 25/04 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
This nitride semiconductor device comprises: an electron supply layer; a gate layer; a gate electrode; a passivation layer; a source electrode; a drain electrode; an active region; and an inactive region that is adjacent to the active region in a second direction orthogonal to a first direction in plan view. The gate layer includes a main gate part extending in the second direction in the active region, a subgate part extending in the second direction to be continuous with the main gate part in the inactive region, and a protruding part protruding from the subgate part toward a drain opening in the first direction.
H01L 29/808 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une jonction PN ou une autre jonction redresseuse à jonction PN
H01L 21/337 - Transistors à effet de champ à jonction PN
H01L 21/338 - Transistors à effet de champ à grille Schottky
H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
H01L 29/812 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une jonction PN ou une autre jonction redresseuse à grille Schottky
This semiconductor device includes: a semiconductor layer that has a surface; a source region and a drain region that are positioned on the surface, separated in a first direction, as viewed from the thickness direction which is perpendicular to the surface; a channel region that is formed on the surface, between the source region and the drain region, and is neighboring the source region; and a gate electrode that positioned on the channel region with a gate insulating film interposed therebetween. The semiconductor device further includes: a trench that is formed between the source region and the drain region; an insulating film that is provided to an inner wall of the trench; and an embedded electrode that is provided in the interior of the trench and is surrounded by the insulating film.
H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
Corrosion resistance, oxidation resistance, and high-temperature strength are secured for a semiconductor substrate of SiC, while also achieving a reduction in production costs, by: forming a molding 20 by layering a paste comprising SiC aggregate 21 and Si and C powders on an SiC epitaxial layer 12 that is itself formed on a support substrate 11 of SiC; carrying out reactive sintering to provide an intermediate sintered body 30 in which polycrystalline SiC has been produced from the Si and C powders; providing a sintered layer 40 in which the free Si has been carbonized to SiC; and detaching the support substrate 11 from the epitaxial layer 12 to provide a semiconductor substrate 100 in which the epitaxial and the sintered layer 40 are stacked.
H01L 21/329 - Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type bipolaire, p.ex. diodes, transistors, thyristors les dispositifs comportant une ou deux électrodes, p.ex. diodes
H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
H01L 29/12 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
This semiconductor integrated circuit device comprises a logic circuit, a hold circuit, and a test circuit. The hold circuit is configured to hold setting information output from the logic circuit by being triggered by an event after the activation of the semiconductor integrated circuit device. The test circuit is configured to execute a BIST on the logic circuit after the holding is completed.
This semiconductor device is provided with a first lead, a second lead, a semiconductor element, and a plurality of conductive members. The first lead comprises a base having a first surface, and the semiconductor element is mounted onto the first surface. Each of the conductive members has a first end and a second end. The semiconductor element has a first principal surface electrode and a second principal surface electrode that are formed on an element principal surface. The first end of each of the conductive member is bonded to either the first principal surface electrode or the second principal surface electrode. The second lead comprises a first part and a second part, each of which has a long shape. In plan view, the first part is located to one side in a first direction with respect to the base. The second part is located to one side in a second direction with respect to the base, and extends along the first direction. The plurality of conductive members include a first conductive member, of which the second end is bonded to the second part.
H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
26.
MONITORING CIRCUIT, SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE, AND VEHICLE
This monitoring circuit comprises first and second oscillators, first and second frequency dividers, first and second counters, a determination unit, and a specification unit. The first and second frequency dividers perform frequency division on first and second clock signals outputted from the first and second oscillators. The first and second counters count the number of clocks of the first and second clock signals in the first and second periods of first and second frequency dividing signals outputted from the first and second frequency dividers. The determination unit determines whether one of the first and second clock signals is abnormal on the basis of the counting results of the first and second counters. The specification unit specifies which one of the first and second clock signals is abnormal when one of the first and second clock signals is found to be abnormal.
G06F 1/04 - Génération ou distribution de signaux d'horloge ou de signaux dérivés directement de ceux-ci
G06F 1/06 - Générateurs d'horloge produisant plusieurs signaux d'horloge
H03K 5/26 - Circuits présentant plusieurs entrées et une sortie pour comparer des impulsions ou des trains d'impulsions entre eux en ce qui concerne certaines caractéristiques du signal d'entrée, p.ex. la pente, l'intégrale la caractéristique étant la durée, l'intervalle, la position, la fréquence ou la séquence
This semiconductor device comprises: a first lead; a second lead; a third lead; a semiconductor element mounted to the third lead; a first wire; and a second wire. The first lead includes a first pad part and a first terminal part that is for temperature measurement. The second lead includes a second pad part and a second terminal part that is for temperature measurement. The semiconductor element has an element main surface and a first electrode disposed on the element main surface. The first wire and the second wire are configured from metals that have differing respective thermoelectric powers. The first wire is connected to the first electrode and the first pad part. The second wire is connected to the first electrode and the second pad part.
H01L 23/34 - Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température
H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
H01L 23/58 - Dispositions électriques structurelles non prévues ailleurs pour dispositifs semi-conducteurs
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
H10N 10/00 - Dispositifs thermoélectriques comportant une jonction de matériaux différents, c. à d. dispositifs présentant l'effet Seebeck ou l'effet Peltier
A semiconductor device according to the present invention comprises: a semiconductor chip that has a first main surface; a withstand voltage holding structure that is formed in the peripheral region in the periphery of an element formation region on the first main surface of the semiconductor chip, and holds the withstand voltage of the element structure; an interlayer insulation layer that is formed on the first main surface of the semiconductor chip; a plurality of first conductive layers that are formed on the first main surface so as to be spaced apart from each other, and that are connected to the withstand voltage holding structure through the interlayer insulation layer; a second conductive layer that is insulated from the semiconductor chip by the interlayer insulation layer and overlaps the spaces between the plurality of first conductive layers which are adjacent in plan view; and a protection layer that is formed on the interlayer insulation layer so as to cover the plurality of first conductive layers and the second conductive layer.
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
H01L 21/329 - Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type bipolaire, p.ex. diodes, transistors, thyristors les dispositifs comportant une ou deux électrodes, p.ex. diodes
An overcurrent protection circuit 34, for example, comprises: an overcurrent detection unit 341 configured to compare monitoring target current IOUT and an overcurrent detection threshold value IOCD; a current interruption unit 342 configured to interrupt the monitoring target current IOUT when the monitoring target current IOUT reaches the overcurrent detection threshold value IOCD; an interruption cancellation unit 343 configured to cancel the interruption of the monitoring target current IOUT at the elapse of a first time T1 after the monitoring target current IOUT has reached the overcurrent detection threshold value IOCD; and a threshold control unit 344 configured to lower the overcurrent detection threshold value IOCD at the elapse of the first time T1 after the monitoring target current IOUT has reached the overcurrent detection threshold value IOCD.
H02H 7/00 - Circuits de protection de sécurité spécialement adaptés pour des machines ou appareils électriques de types particuliers ou pour la protection sectionnelle de systèmes de câble ou ligne, et effectuant une commutation automatique dans le cas d'un chan
H02H 3/08 - Circuits de protection de sécurité pour déconnexion automatique due directement à un changement indésirable des conditions électriques normales de travail avec ou sans reconnexion sensibles à une surcharge
H02H 3/087 - Circuits de protection de sécurité pour déconnexion automatique due directement à un changement indésirable des conditions électriques normales de travail avec ou sans reconnexion sensibles à une surcharge pour des systèmes à courant continu
H02H 3/093 - Circuits de protection de sécurité pour déconnexion automatique due directement à un changement indésirable des conditions électriques normales de travail avec ou sans reconnexion sensibles à une surcharge avec des moyens de temporisation
This level-shifting circuit includes: a level information output unit configured to output level information of an input signal; a latch circuit configured to latch the output of the level information output unit by driving between a first voltage and a reference voltage lower than the first voltage; and a voltage control unit configured to increase the first voltage to a first setpoint after the latch of the latch circuit is completed, to increase the reference voltage to a second setpoint when the first voltage reaches the first setpoint, and to increase the first voltage to a third setpoint after the reference voltage has increased to the second setpoint.
This sensor system comprises multiple sensors based on yttria-stabilized zirconia, a driving device, and a controller. The driving device drives each of the sensors. The controller switches the sensors sequentially using a designated condition.
G01N 27/26 - Recherche ou analyse des matériaux par l'emploi de moyens électriques, électrochimiques ou magnétiques en utilisant l'électrolyse ou l'électrophorèse
G01N 27/27 - Association de plusieurs systèmes ou cellules de mesure, chacun mesurant un paramètre différent, dans laquelle les résultats des mesures peuvent être, soit utilisès indépendamment, les systèmes ou les cellules étant physiquement associés, soit combin
In the present invention, a second MOSFET comprises: a body region; a drain region extending in the y direction; a first well region formed away from the drain region in the x direction; a gate electrode formed on a gate insulating film and a field oxide film; a source region formed on the surface of a first well region; an exposed region formed at a position different from the source region in the first well region as viewed from the z direction; a first contact part joined to the source region; a second contact part Schottky-joined to the exposed region; a third contact part joined to the gate electrode; and source wiring that electrically interconnects the first contact part, the second contact part, and the third contact part.
H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
H01L 21/822 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
H01L 27/04 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
33.
PULSE TRANSMISSION CIRCUIT, SIGNAL TRANSMISSION DEVICE, ELECTRONIC DEVICE, AND VEHICLE
As an example, a pulse transmission circuit 214 comprises: a constant current source CC configured so as to generate a constant current Iref; a capacitor Cs configured so as to be charged using the constant current lref (e.g., a charging current Ic produced by mirroring the constant current Iref); and a discharge switch SW1 or SW2 configured so as to pulse drive a transformer 231 or 232 by means of a discharge current Id flowing to the transformer 231 or 232 from the capacitor Cs in response to the pulse edge of an input pulse signal.
H03K 17/691 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ avec une isolation galvanique entre le circuit de commande et le circuit de sortie utilisant un couplage par transformateur
H01L 21/822 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
H01L 27/04 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur
H03K 17/04 - Modifications pour accélérer la commutation
H03K 19/0175 - Dispositions pour le couplage; Dispositions pour l'interface
A driving circuit (1) comprises: a driving voltage generation unit (14) configured to, in a driving circuit that can drive a first semiconductor switching element (QL) including a first terminal, a second terminal, and a control terminal, supply a driving voltage (Vgl) to the control terminal to switch between on and off of the first semiconductor switching element; a comparator (12) configured to compare a voltage (Vql) between the first terminal and the second terminal with a threshold voltage (Vth1); and a control signal generation unit (13) that generates a driving signal (Gsl') to be input to the driving voltage generation unit on the basis of an output from the comparator and a first control signal (Gsl) that is generated by a control device (3) and controls switching of the first semiconductor switching element.
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
H03K 17/16 - Modifications pour éliminer les tensions ou courants parasites
H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
A switch circuit 100 is provided with: an output inverter 110 that switches an output signal OUT to one of a high-level voltage VA and a low-level voltage VL; a first inverter 120 that generates the high-level voltage VA from a first power supply voltage V1 in accordance with a first input signal IN1; a second inverter 130 that generates the low-level voltage VB from a second power supply voltage V2 in accordance with a second input signal IN2; a first bias unit 140 that applies, to a lower power supply terminal of the first inverter 120, a voltage obtained by lowering a voltage applied to an upper power supply terminal of the first inverter 120 by a first bias voltage VX; and a second bias unit 150 that applies, to an upper power supply terminal of the second inverter 130, a voltage obtained by raising a voltage applied to a lower power supply terminal of the second inverter 130 by a second bias voltage VY.
H03K 19/0948 - Circuits logiques, c. à d. ayant au moins deux entrées agissant sur une sortie; Circuits d'inversion utilisant des éléments spécifiés utilisant des dispositifs à semi-conducteurs utilisant des transistors à effet de champ utilisant des transistors MOSFET utilisant des dispositifs CMOS
H03K 19/0175 - Dispositions pour le couplage; Dispositions pour l'interface
A semiconductor device according to the present invention comprises: a first semiconductor element that has a first gate electrode; a second semiconductor element that has a second gate electrode; a sealing resin; a first signal terminal that has a third center; and first signal wiring. The length of the straight line connecting a first center of the first gate electrode and the third center is designated as first linear length L1. The length of the straight line connecting a second center of the second gate electrode and the third center is designated as second linear length L2. The length of the route from the first center to the third center via the first signal wiring is designated as first route length R1. The length of the route from the second center to the third center via the first signal wiring is designated as second route length R2. In the semiconductor device, the relationship R2/R1 is closer to 1 than the relationship L2/L1.
H01L 25/04 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
37.
AMPLIFIER, AMPLIFICATION CIRCUIT, AND CURRENT DETECTION DEVICE
An amplifier (1) comprises: a first transistor (M1); a second transistor (M2) disposed adjacent to the first transistor in a plan view; first wiring (31) disposed around the first and second transistors in a plan view; and second wiring (41) disposed in a direction away from the first and second transistors than is the first wiring. The thickness of the second wiring is greater than that of the first wiring.
H03F 1/30 - Modifications des amplificateurs pour réduire l'influence des variations de la température ou de la tension d'alimentation
H01L 21/3205 - Dépôt de couches non isolantes, p.ex. conductrices ou résistives, sur des couches isolantes; Post-traitement de ces couches
H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
H01L 23/522 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
H03F 3/34 - Amplificateurs de courant continu dans lesquels tous les étages sont couplés en courant continu
FILAFILACCCCFILAFILA generated at the capacitor connection terminal FILA and the voltage at the control terminal of the charging transistor Q1 so as not to exceed a limit voltage.
G05F 3/22 - Régulation de la tension ou du courant là où la tension ou le courant sont continus utilisant des dispositifs non commandés à caractéristiques non linéaires consistant en des dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des combinaisons diode-transistor dans lesquelles les transistors sont uniquement du type bipolaire
H03F 3/347 - Amplificateurs de courant continu dans lesquels tous les étages sont couplés en courant continu comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs dans des circuits intégrés
Provided is a computation device comprising a memory, a selector, a first computation unit configured to perform computation on first data read out from the memory and output of the selector, and a second computation unit configured to perform computation using output of the first computation unit. The selector is configured to output either second data read out from the memory or the previous computation result of the first computation unit.
A nitride semiconductor device 1 comprises: a SiC substrate 2 having a first main surface 2a and a second main surface 2b opposite thereto; a low-resistance SiC layer 3 formed on the first main surface 2a and having a lower resistivity than the SiC substrate 2; a high-resistance SiC layer 4 formed on the low-resistance SiC layer 3 and having a higher resistivity than the low-resistance SiC layer 3; and a nitride epitaxial layer 20 disposed on the high-resistance SiC layer 4.
H01L 29/812 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une jonction PN ou une autre jonction redresseuse à grille Schottky
H01L 21/20 - Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
H01L 21/263 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée
H01L 21/265 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions
H01L 21/338 - Transistors à effet de champ à grille Schottky
H01L 29/41 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative
H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
41.
PULSE RECEPTION CIRCUIT, SIGNAL TRANSMISSION DEVICE, ELECTRONIC DEVICE, AND VEHICLE
A pulse reception circuit 227 comprises: a first constant current source CC1r that generates a first reference current I1r; a second constant current source CC1f that generates a second reference current I1f; a first receiver RXr that adds together a first reception current Ir induced by a secondary-side coil 231s of a first transformer 231 and the first reference current I1r to generate a first current signal I3r; a second receiver RXf that adds together a second reception current If induced by a secondary-side coil 232s of a second transformer 232 and the second reference current I2f to generate a second current signal I3f; a first signal conversion unit R2r that converts the first current signal I3r to a first voltage signal Vr; a second signal conversion unit R2f that converts the second current signal I3f to a second voltage signal Vf; and a comparator HC that compares the first voltage signal Vr with the second voltage signal Vf and generates an output pulse signal OUT.
H03K 19/0175 - Dispositions pour le couplage; Dispositions pour l'interface
H01L 21/822 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
H01L 27/04 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
H02M 7/48 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
H03K 17/691 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ avec une isolation galvanique entre le circuit de commande et le circuit de sortie utilisant un couplage par transformateur
This semiconductor device comprises a first semiconductor element, a sealing resin, and a heat dissipation layer. The first semiconductor element has a first main surface facing in a first direction, and a first electrode and second electrode positioned on the reverse side from the side the first main surface faces along the first direction. The sealing resin covers the first semiconductor element. The heat dissipation layer is bonded to the first main surface. The heat dissipation layer has a heat dissipation surface facing the same side as the first main surface along the first direction. The heat dissipation surface is exposed to the outside from the sealing resin. The peripheral edges of the heat dissipation surface surround the first main surface when viewed in the first direction.
H01L 23/29 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par le matériau
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
One aspect of the present embodiment provides a distributed constant circuit comprising: a dielectric body having a first main surface and a second main surface that faces the first main surface; a transmission line disposed on the first main surface; and a grounding electrode disposed on the second main surface, wherein the transmission line has a first line, a second line, and a third line respectively having different line widths, and has a periodic structure in which the first line, the second line, the third line, the second line, and the first line are arranged in series in this order, and the distributed constant circuit can be reduced in size or height.
This semiconductor device comprises: a chip having a main surface; a first conductivity-type base region formed on the surface layer part of the main surface; a trench gate structure formed on the main surface so as to penetrate through the base region; a second conductivity-type emitter region formed in a region along the trench gate structure in the surface layer part of the base region; a first conductivity-type in-base region formed in a region between the bottom part of the base region and the bottom part of the emitter region in the base region, and having an impurity concentration higher than that of the base region; an insulating film which covers the main surface and has a connecting hole for exposing a part of the emitter region at a distance from the in-base region in a direction along the main surface; and a connecting electrode which is disposed in the connecting hole so as to be electrically connected to the base region and the emitter region.
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
H01L 21/329 - Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type bipolaire, p.ex. diodes, transistors, thyristors les dispositifs comportant une ou deux électrodes, p.ex. diodes
A drive circuit (Dr1) capable of driving a plurality of driven transistors (QH1-QH3) that are connected in parallel, the drive circuit provided with a plurality of gate drive units (21-23) that are provided in a one-to-one manner with respect to each of the driven transistors and are capable of driving the gates of the driven transistors.
H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
46.
DRIVING CONTROL DEVICE, IN-VEHICLE POWER SUPPLY SYSTEM, AND VEHICLE
This driving control device (6) is for driving and controlling a gate of a blocking NMOS transistor (5) disposed to be connectable between a first power supply circuit (2) and a second power supply circuit (3), the driving control device comprising: a voltage boosting circuit (61) which is configured to apply a gate control voltage (Vgc) to the gate; and a control unit (65) which is configured to, in a start control for the blocking NMOS transistor, control the current capability of the voltage boosting circuit by using a first current capability, and then to switch the current capability of the voltage boosting circuit to a second current capability that is higher than the first current capability.
H02M 1/36 - Moyens pour mettre en marche ou arrêter les convertisseurs
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
H02M 3/00 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu
H03K 17/06 - Modifications pour assurer un état complètement conducteur
H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
47.
GATE DRIVE CIRCUIT, ELECTRIC POWER CONVERSION DEVICE
For example, a gate drive circuit 10 comprises a gate driving circuit 11 configured to generate a gate driving signal VG for a power element Q (power module 20), and a driving capability switching circuit 12 configured to raise the gate driving capability of the gate driving circuit 11 in a stepwise manner during at least either of an off-transition period and an on-transition period of the power element Q.
H03K 17/16 - Modifications pour éliminer les tensions ou courants parasites
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
48.
SWITCHING POWER SUPPLY DEVICE, CALIBRATION METHOD THEREFOR, AND DIGITAL PROCESSOR
H02M 3/28 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire
49.
SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SAME
A semiconductor device according to the present invention comprises: a chip which has a main surface; an IGBT region which is formed in the main surface; a diode region which is formed in the main surface; an insulating film which is formed on the main surface so as to cover the IGBT region, while having the diode region exposed therefrom; a plug electrode which is embedded in a portion of the insulating film so as to be partially exposed from the insulating film, the portion covering the IGBT region; and a main surface electrode which comprises a first electrode film that covers the plug electrode so as to have the diode region exposed therefrom, and a second electrode film that covers the first electrode film and the diode region.
H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H01L 29/12 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
This semiconductor integrated circuit evaluation method comprises an initial setting flow F100 of acquiring a difference correction value from a measurement value and calculation value of unwanted electromagnetic radiation by a semiconductor integrated circuit before receiving an electromagnetic compatibility measure, and a calculation and prediction flow F200 of acquiring a calculation value of unwanted electromagnetic radiation by the semiconductor integrated circuit after receiving the electromagnetic compatibility measure, correcting the calculation value by the difference correction value, and evaluating whether or not the corrected calculation value fits the standard. The initial setting flow F100 and the calculation and prediction flow F200 respectively comprise steps S102 and S107 and a step S203 of subjecting the measurement value and calculation value of unwanted electromagnetic radiation to noise removal processing.
G06F 30/367 - Vérification de la conception, p.ex. par simulation, programme de simulation avec emphase de circuit intégré [SPICE], méthodes directes ou de relaxation
G01R 29/08 - Mesure des caractéristiques du champ électromagnétique
G06F 119/10 - Analyse du bruit ou optimisation du bruit
A nitride semiconductor device (10) includes an electron transit layer (16), an electron supply layer (18), a gate layer (22) containing acceptor impurities, a gate electrode (24), a passivation layer (26), a source electrode, a drain electrode (34), and a field plate electrode (36). The field plate electrode (36) is formed on the passivation layer (26) between the gate layer (22) and the drain electrode (34). The gate layer (22) includes: a ridge portion (40) on which the gate electrode (24) is located; a source-side extension portion (42) that extends from the ridge portion (40); and a drain-side extension portion (44) that extends from the ridge portion (40) to the opposite side from the source-side extension portion (42). The passivation layer (26) includes a field plate non-overlapping region (26RA) that is located directly over the drain-side extension portion (44) and that does not overlap the field plate electrode (36).
H01L 21/28 - Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes
H01L 29/41 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative
H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 21/337 - Transistors à effet de champ à jonction PN
H01L 29/808 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une jonction PN ou une autre jonction redresseuse à jonction PN
H01L 21/338 - Transistors à effet de champ à grille Schottky
H01L 29/812 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une jonction PN ou une autre jonction redresseuse à grille Schottky
H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
52.
SEMICONDUCTOR DEVICE AND PACKAGE STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE
A semiconductor device according to the present invention is provided with a semiconductor element which has a first electrode, a second electrode and a third electrode, wherein the conduction states of the first electrode and the third electrode are controlled by means of the voltage application state of the second electrode. This semiconductor device is additionally provided with a first lead that is electrically connected to the first electrode, a second lead that is electrically connected to the second electrode, a third lead that is electrically connected to the third electrode, a fourth lead, and a sealing resin that covers at least the semiconductor element. The third lead is exposed from the sealing resin to the opposite side in the thickness direction. The fourth lead is bonded to the semiconductor element, while being exposed from the sealing resin to the opposite side in the thickness direction. The semiconductor element has a switching function part. The impedance of the path from the switching function part to the fourth lead is higher than the impedance of the path from the switching function part to the third lead.
H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
A semiconductor device according to the present invention comprises: a semiconductor layer; a first wiring line and a second wiring line, which are formed on the semiconductor layer; an insulating layer that has a first opening from which a part of the first wiring line is exposed and a second opening from which a part of the second wiring line is exposed; a first electrode; and a second electrode. The first electrode is formed so as to extend across the first wiring line and the insulating layer, and has a first edge that is arranged on the insulating layer. The second electrode is formed so as to extend across the second wiring line and the insulating layer, and has a second edge that is arranged on the insulating layer. The insulating layer comprises an intervening part that intervenes between the first edge and the second edge, which face each other. The intervening part is provided with a groove that is recessed from the upper surface of the intervening part toward the semiconductor layer. The groove extends along at least one of the first edge and the second edge.
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 21/3205 - Dépôt de couches non isolantes, p.ex. conductrices ou résistives, sur des couches isolantes; Post-traitement de ces couches
H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
H01L 23/522 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
H01L 23/532 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées caractérisées par les matériaux
As an example, a detection circuit 12 comprises: integrators (121 to 125) configured to generate an analog output signal AOUT by integrating analog input signals AIN; an analog-to-digital converter 128 configured to convert the analog output signal AOUT to a digital output signal DOUT; and a control unit 129 configured to discharge the analog output signal AOUT when the digital output signal DOUT reaches a first threshold d1 during the integration period of the integrators (121 to 125).
A semiconductor device according to the present invention is provided with: a first semiconductor element; a first terminal that is electrically connected to the first semiconductor element; a second terminal that is electrically connected to the first semiconductor element, while being at a distance from the first terminal in a first direction; and a sealing resin that covers a part of the first terminal, a part of the second terminal, and the first semiconductor element. The sealing resin has a first lateral surface that faces in a second direction that is perpendicular to the first direction, while being positioned closest to the first terminal and the second terminal in the second direction. The first terminal and the second terminal are each positioned at a distance from the first lateral surface.
H01L 23/50 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes pour des dispositifs à circuit intégré
H01L 23/28 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
H01L 25/04 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
An inductor L1 has one end connected to an input line 102. A switching transistor M1 and a shunt resistance Rs are serially connected between the other end of the inductor L1 and a grounding line 106. A rectifying diode D1 is connected between the other end of the inductor L1 and an output line 104. A converter controller 200 controls the switching transistor M1 in response to at least a voltage drop of the shunt resistance Rs. A first output capacitor Co1 has one end connected to the output line 104, and another end connected to a connection node of the switching transistor M1 and the shunt resistance Rs.
H02M 3/155 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
A semiconductor device according to the present invention is provided with: a first conductive member; a second conductive member that is at a distance from the first conductive member in a first direction; a first semiconductor element that is bonded to the first conductive member; a second semiconductor element that is bonded to the second conductive member; a third conductive member; a forth conductive member that connects the first semiconductor element to the second conductive member; and a fifth conductive member that connects the second semiconductor element to the third conductive member. The third conductive member comprises a first part that is positioned between the first semiconductor element and the second semiconductor element in the first direction; and the first part faces the first conductive member in the thickness direction. One end of the fifth conductive member is bonded to the first part. The fourth conductive member straddles the first part.
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
A non-volatile memory device (1) comprises: a memory element (4) capable of executing a program operation; a switch (9) including a first end to which an application end of a first power-supply voltage (VDD) is connected; an even number of inverters (5, 6) that are connected, on an input side thereof, to a first node (N1) to which a second end of the switch and the memory element are connected; and a current restriction unit (8) which restricts, when a high-side transistor (61) included in a rear-stage inverter (6) arranged in the rearmost stage of the even number of inverters is in an on-state, a current which flows through a path via the application end of the first power-supply voltage, the transistor, and the memory element.
This serial data transmission circuit is provided with a first output terminal, a second output terminal, a plurality of third output terminals, and a fourth output terminal. The first output terminal is configured so as to output a serial clock. The second output terminal is configured so as to output serial data. The plurality of third output terminals are configured so as to output a selection signal for selecting one of a plurality of serial data receiving circuits. The fourth output terminal is configured so as to output a synchronization signal for synchronizing the timing at which the setting parameters of the plurality of serial data receiving circuits are updated on the basis of the serial data.
This switching device comprises: a reference terminal; a power supply terminal that receives the supply of a power supply voltage; a first transistor inserted between the power supply terminal and a first end of a primary side winding of a transformer; a second transistor inserted between the reference terminal and the first end of the primary side winding; a third transistor inserted between the power supply terminal and a second end of the primary side winding; a fourth transistor inserted between the reference terminal and the second end of the primary side winding; a first diode connected in parallel with the first transistor; and a second diode connected in parallel with the second transistor. The first and second diodes have a forward direction from the reference terminal toward the power supply terminal.
H02M 3/28 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire
H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
61.
CIRCUIT COMPONENT, ELECTRONIC DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING CIRCUIT COMPONENT
A circuit component according to the present invention is provided with a magnetic material layer, a first insulating layer, a second insulating layer and a wiring line. The first insulating layer is arranged on one side in the thickness direction with respect to the magnetic material layer, and the second insulating layer is arranged on the other side in the thickness direction with respect to the magnetic material layer. The wiring line comprises: a first wiring layer that is positioned between the magnetic material layer and the first insulating layer; a second wiring layer that is positioned on the other side in the thickness direction with respect to the second insulating layer; and a first penetrating wiring part that penetrates through the magnetic material layer and the second insulating layer, while being connected to the first wiring layer and the second wiring layer. The first wiring layer, the second wiring layer and the first penetrating wiring part constitute a winding wire part.
H01F 17/00 - Inductances fixes du type pour signaux
H01F 17/04 - Inductances fixes du type pour signaux avec noyau magnétique
H01F 41/04 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication ou à l'assemblage des aimants, des inductances ou des transformateurs; Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des matériaux caractérisés par leurs propriétés magnétiques pour la fabrication de noyaux, bobines ou aimants pour la fabrication de bobines
H05K 1/16 - Circuits imprimés comprenant des composants électriques imprimés incorporés, p.ex. une résistance, un condensateur, une inductance imprimés
This semiconductor device comprises two semiconductor elements, the switching operations of which are controlled in accordance with a drive signal input into a third electrode. A first conductor and a second conductor are interposed electrically between the third electrodes of the two semiconductor elements. A signal terminal is electrically connected to the first conductor. Electrical connection between the third electrodes of the two semiconductor elements includes a first conduction path that passes through the first conductor and a second conduction path that passes through the second conductor. The inductance value of the second conduction path is smaller than the inductance value of the first conduction path. The resistance value of the second conduction path is greater than the resistance value of the first conduction path.
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 23/12 - Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
H02M 7/48 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
63.
ELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC COMPONENT
An electronic component according to the present invention includes a functional part, a first insulating layer, an external electrode, and a wiring part. The first insulating layer has a first main surface facing in one thickness direction and a first side surface facing one first direction intersecting the thickness direction. The external electrode is electrically continuous with the functional part. The wiring part electrically connects the functional part and the external electrode. The external electrode includes a main surface-covering part that covers the first main surface, and a side surface-covering part that covers the first side surface. The functional part includes, for example, an inductor part or a capacitor part.
H01F 17/00 - Inductances fixes du type pour signaux
H01F 27/00 - AIMANTS; INDUCTANCES; TRANSFORMATEURS; EMPLOI DE MATÉRIAUX SPÉCIFIÉS POUR LEURS PROPRIÉTÉS MAGNÉTIQUES - Détails de transformateurs ou d'inductances, en général
H01F 27/30 - Fixation ou serrage de bobines, d'enroulements ou de parties de ceux-ci entre eux; Fixation ou montage des bobines ou enroulements sur le noyau, dans l'enveloppe ou sur un autre support
H01G 4/40 - Combinaisons structurales de condensateurs fixes avec d'autres éléments électriques non couverts par la présente sous-classe, la structure étant principalement constituée par un condensateur, p.ex. combinaisons RC
A capacitor device according to the present invention is provided with: a capacitor element; an insulating cover member that covers the capacitor element; a first external electrode that is exposed from the insulating cover member; a second external electrode that is exposed from the insulating cover member; a first conductive member that is electrically connected to the first external electrode and the capacitor element; and a second conductive member that is electrically connected to the second external electrode and the capacitor element. The capacitor element comprises a multilayer body wherein a plurality of dielectric layers and a plurality of conductor layers are alternately stacked in a first direction. The insulating cover member covers the entirety of the capacitor element excluding the connected portion of the capacitor element and the first conductive member and the connected portion of the capacitor element and the second conductive member. The first external electrode and the second external electrode are formed to be opposite to each other in the first direction.
H01G 17/00 - Combinaisons structurales de condensateurs ou d'autres dispositifs couverts par au moins deux groupes principaux différents de la présente sous-classe avec d'autres éléments électriques non couverts par la présente sous-classe, p.ex. combinaisons RC
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
A semiconductor device according to the present invention comprises: a semiconductor substrate; a GaN transistor that is formed upon the semiconductor substrate and includes a drain electrode, a source electrode, and a gate electrode; an active clamp circuit that is formed upon the semiconductor substrate, is electrically connected to the GaN transistor, and includes a clamp transistor which operates on the basis of an increase in the drain-source voltage of the GaN transistor; a drain pad that is electrically connected to the drain electrode of the GaN transistor; a main source pad that is electrically connected to the source electrode of the GaN transistor; and a gate pad that is electrically connected to the gate electrode of the GaN transistor.
H01L 29/812 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une jonction PN ou une autre jonction redresseuse à grille Schottky
H01L 21/28 - Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes
H01L 21/337 - Transistors à effet de champ à jonction PN
H01L 21/338 - Transistors à effet de champ à grille Schottky
H01L 21/822 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
H01L 27/04 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur
H01L 29/41 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative
H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
H01L 29/808 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une jonction PN ou une autre jonction redresseuse à jonction PN
A semiconductor module (10) comprises: a first chip (20) that includes a main transistor (21) including an electron transit layer which serves as a main drift layer (24); a second chip (30) that includes at least a part of an active clamp circuit (40) including a clamp transistor (41) which operates on the basis of an increase in the drain-source voltage of the main transistor; a connection member (50) that electrically connects the main transistor and the active clamp circuit; and a sealing resin (60) that seals the first chip, the second chip, and the connection member. The clamp transistor includes a sub-drift layer (45) composed of a material different from that of the main drift layer.
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 21/337 - Transistors à effet de champ à jonction PN
H01L 21/338 - Transistors à effet de champ à grille Schottky
H01L 21/822 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
H01L 27/04 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur
H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
H01L 29/808 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une jonction PN ou une autre jonction redresseuse à jonction PN
H01L 29/812 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une jonction PN ou une autre jonction redresseuse à grille Schottky
This semiconductor device 1 is used as one of a plurality of slaves that are connected in multiple stages to a master, the semiconductor device 1 successively transferring a frame signal outputted from the master from a prior stage to a subsequent stage. The frame signal includes a synchronization bit SYNC and a message string MSG (e.g., a command bit CMD, an address bit ADR, and a guard bit GB) that follows the synchronization bit SYNC. The semiconductor device 1 comprises: a logic 10 configured so as to carry out a process for sampling the frame signal at a baud rate that corresponds to the synchronization bit SYNC; and an output stage 20 configured so as to through-output the synchronization bit SYNC before the sampling process, without the synchronization bit SYNC being passed through the logic 10.
A semiconductor device according to the present invention is configured so as to suppress the occurrence of a dielectric breakdown in the semiconductor device. This semiconductor device is provided with: an insulating element; a conductive member on which the insulating element is mounted; and a sealing resin which covers the insulating element. The conductive member is provided with an uneven part that is covered by the sealing resin. With respect to one example of this semiconductor device, the conductive member comprises a first die pad on which the insulating element is mounted; and the uneven part comprises a first region that is arranged on the first die pad.
H01L 23/50 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes pour des dispositifs à circuit intégré
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
This semiconductor device comprises a support substrate, a plurality of first semiconductor elements, a plurality of second semiconductor elements, a first terminal, a first conductive member, and a second conductive member. The support substrate includes a first conductive portion and a second conductive portion. The plurality of first semiconductor elements are mounted in the first conductive portion, and each have a switching function. The plurality of second semiconductor elements are mounted in the second conductive portion, and each have a switching function. The first terminal protrudes on one side in the first direction with respect to the first conductive portion. The first conductive member provides electrical continuity between the plurality of first semiconductor elements and the second conductive portion. The second conductive member provides electrical continuity between the plurality of second semiconductor elements and the first terminal. The second conductive member is connected to the support substrate.
H01L 23/12 - Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
This semiconductor device comprises a lead, a semiconductor element, a sealing resin, and a first electrically conductive portion. The lead has a main surface oriented in the thickness direction. The semiconductor element has a circuit portion, an element first surface, and a plurality of first electrodes provided on the element first surface. The plurality of first electrodes are connected to the main surface. The sealing resin covers part of the lead, and the semiconductor element. The lead includes a plurality of first terminal portions and second terminal portions arranged in a first direction that is orthogonal to the thickness direction. Each of the plurality of first electrodes is continuous with the circuit portion. Each of the plurality of first terminal portions is continuous with the circuit portion, with one of the first electrodes interposed therebetween. The first electrically conductive portion is interposed between the second terminal portions and the element first surface, and is connected to both of the second terminal portions and the element first surface. The first electrically conductive portion is insulated from the circuit portion.
H01L 23/50 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes pour des dispositifs à circuit intégré
H01L 23/28 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
71.
LINEAR POWER SOURCE DEVICE AND POWER SOURCE SYSTEM
A linear power source device (1A) comprises: a first mirror transistor (M2A) configured to be able to generate first mirror current (Im2A); a second mirror transistor (M3A) configured to be able to generate second mirror current (Im3A); a switch circuit (SWA) that switches, on the basis of a switching signal (ENA), between outputting of the first mirror current from a current transmission/reception terminal (TiA) to the outside and receiving of external mirror current from the outside through the current transmission/reception terminal (TiA); and a comparison unit (CMA) that compares the external mirror current with the second mirror current, and, on the basis of the comparison result, draws out current from a second node (N2A), through which a first feedback resistor (R1A) and a second feedback resistor (R2A) are connected, or injects current into the second node.
G05F 1/56 - Régulation de la tension ou de l'intensité là où la variable effectivement régulée par le dispositif de réglage final est du type continu utilisant des dispositifs à semi-conducteurs en série avec la charge comme dispositifs de réglage final
72.
GATE DRIVE CIRCUIT, SWITCHING CIRCUIT, SWITCHING POWER SUPPLY, AND CONTROL CIRCUIT FOR SAME
BSTHTH, the high-side power supply voltage being the potential difference between the bootstrap line VB and a switching line VS. A driver 212 for a clamp drives the first switch SW1 and the second switch SW2 in a complementary manner in accordance with the detection signal OVDET.
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
A semiconductor device (1) equipped with a planar gate structure which includes a gate insulating film (31) and a gate electrode (32), and a sidewall structure positioned so as to be adjacent laterally to the planar gate structure. The sidewall structure includes a first insulating film (41) and a second insulating film (43), and a charge storage film (42) positioned between the first insulating film (41) and the second insulating film (43). The first insulating film (41) is adjacent to the planar gate structure. The ratio of the gate length L of the planar gate structure to the width WS of the sidewall structure is 300/75 or less. As a result, it is possible to provide a semiconductor device in which the reliability of data writing and reading in a memory structure thereof is improved.
H01L 29/792 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée à isolant de grille à emmagasinage de charges, p.ex. transistor de mémoire MNOS
H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 29/788 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée à grille flottante
H10B 20/25 - Dispositifs ROM programmable une seule fois, p.ex. utilisant des jonctions électriquement fusibles
H10B 43/35 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par la région noyau de mémoire avec transistors de sélection de cellules, p.ex. NON-ET
This semiconductor device comprises a semiconductor element, a conductive member electrically connected with the semiconductor element, a first metal layer, and a second metal layer. The semiconductor element has an element main surface and an element rear surface facing opposite sides of each other in the thickness direction, and a first electrode terminal and a second electrode terminal disposed on the element main surface. The first metal layer is formed on the conductive member, and the first electrode terminal is joined to the first metal layer. The second metal layer is formed on the conductive member, and the second electrode terminal is joined to the second metal layer. The first electrode terminal includes a first joining surface facing the first metal layer, and the second electrode terminal includes a second joining surface facing the second metal layer. The first area of the first joining surface is smaller than the second area of the second joining surface. The difference between a representative length of the first metal layer and a corresponding representative length of the first joining layer is less than the difference between a representative length of the second metal layer and a corresponding representative length of the second joining layer.
H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
A semiconductor device (10) comprises: a semiconductor layer (12); a gate trench (14) formed in the semiconductor layer (12) and extending in a first direction in plan view; an insulation layer (16) formed on the semiconductor layer (12); a field plate electrode (50) disposed in the gate trench (14); and a gate electrode (52) disposed in the gate trench (14) and spaced apart from the field plate electrode (50) by the insulation layer (16). The gate trench (14) includes a first region (R1) in which the gate electrode (52) is disposed over the field plate electrode (50) in the depth direction of the gate trench (14), and a second region (R2) including one end (14E) of the gate trench (14) in the first direction. The field plate electrode (50) in the second region (R2) includes a wider portion (501) having a width greater than the width of the field plate electrode (50) in the first region (R1).
This semiconductor device comprises an insulation element, an electrically conductive member, a sealing resin, and a discharge path. The electrically conductive member includes a first terminal and a second terminal that are in electrical communication with the insulation element. The sealing resin has a resin first surface and a resin second surface. The first terminal protrudes from the resin first surface. The resin second surface faces away from the resin first surface in a first direction orthogonal to the thickness direction of the insulation element. The second terminal protrudes from the resin second surface. The discharge path is a conduction path between the first terminal and the second terminal, and conducts at a voltage lower than a dielectric withstand voltage of the insulation element.
H01L 23/50 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes pour des dispositifs à circuit intégré
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
This semiconductor device is provided with a semiconductor element, a conductive member in electrical communication with the semiconductor element, and a sealing resin covering the semiconductor element. The conductive member comprises a mounting portion on which the semiconductor element is mounted, and a first terminal and a second terminal. The sealing resin comprises: a resin first surface that faces a first direction orthogonal to the thickness direction of the mounting portion, and from which the first terminal protrudes; and a resin second surface that faces a direction different from the resin first surface, and from which the second terminal protrudes. The first terminal extends in the first direction. The second terminal comprises a protrusion portion protruding from the resin second surface, a straight portion extending in the first direction, and a coupling portion connected to the protrusion portion and the straight portion.
H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
This linear power supply circuit comprises: an output stage including a first output transistor and a second output transistor that are connected in parallel to each other and are provided between an input end to which an input voltage is applied and an output end to which an output voltage is applied; a driver configured to drive the first and second output transistors on the basis of the difference between a reference voltage and a voltage based on the output voltage; and a potential difference suppression unit configured to suppress the difference in potential between a control terminal of the first output transistor and a control terminal of the second output transistor The potential difference suppression unit includes an operation amplifier. A noninverting input terminal of the operation amplifier is connected to the control terminal of the first output transistor, and an inverting input terminal and an output terminal of the operation amplifier are connected to the control terminal of the second output transistor. The operation amplifier includes a phase compensation element.
G05F 1/56 - Régulation de la tension ou de l'intensité là où la variable effectivement régulée par le dispositif de réglage final est du type continu utilisant des dispositifs à semi-conducteurs en série avec la charge comme dispositifs de réglage final
79.
NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
A nitride semiconductor device 1 includes: a low-resistance Si substrate 2 having a first main surface 2a and a second main surface 2b opposite thereto; a high-resistance Si layer 3 that is formed on the first main surface 2a and that has a higher resistivity than the low-resistance Si substrate 2; and a nitride epitaxial layer 20 disposed on the high-resistance Si layer 3.
H01L 21/338 - Transistors à effet de champ à grille Schottky
H01L 21/28 - Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes
H01L 29/41 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative
H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
H01L 29/812 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une jonction PN ou une autre jonction redresseuse à grille Schottky
The present invention comprises: an input terminal configured to receive an input voltage; an output terminal configured to apply an output voltage; a power supply terminal configured to receive a power supply voltage; an output transistor provided between the power supply terminal and the output terminal; a level shifter configured to generate two comparison voltages by level shifting the input voltage and the output voltage to the low-potential side; and an amplifier circuit configured to control the state of the output transistor on the basis of the high-low relationship of the two comparison voltages.
G05F 1/56 - Régulation de la tension ou de l'intensité là où la variable effectivement régulée par le dispositif de réglage final est du type continu utilisant des dispositifs à semi-conducteurs en série avec la charge comme dispositifs de réglage final
This semiconductor device comprises a conductive member, a semiconductor element, and a sealing resin. The conductive member has a main surface and a back surface that face opposite sides from each other in the thickness direction. The semiconductor element is grafted to the main surface. The sealing resin covers the conductive member and the semiconductor element. When viewed in the thickness direction, the main surface is surrounded by the back surface. The conductive member has a first end face that is located between the main surface and the back surface in the thickness direction. The first end face is inclined with respect to the back surface. When viewed in the thickness direction, the first end face overlaps the back surface.
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 23/36 - Emploi de matériaux spécifiés ou mise en forme, en vue de faciliter le refroidissement ou le chauffage, p.ex. dissipateurs de chaleur
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
This semiconductor device comprises: a semiconductor element having an element surface, and an element rear surface on the opposite side from the element surface; an electrically conducting portion extending outward of the element rear surface from a position facing the element rear surface, and being electrically connected to the semiconductor element; and a sealing resin having a first sealing portion to which the electrically conducting portion is provided, and a second sealing portion that cooperates with the first sealing portion to seal the semiconductor element including the electrically conductive portion. The first sealing portion is constituted by a first material, and the second sealing portion is constituted by a second material. The Young's modulus of the second material is less than the Young's modulus of the first material.
This current generation circuit 200 comprises a plurality of current cells 210 and a synthesizing circuit 220. The temperature-dependent current generated by each current cell 210 is zero in the temperature range specific to that of the current cell and varies linearly with temperature outside the temperature range. The synthesizing circuit 220 synthesizes a plurality of temperature-dependent currents generated by the plurality of current cells 210 and outputs a correction current Icomp.
This non-volatile memory device (1) comprises: a first current mirror (CM1), a second current mirror (CM2), a first resistor unit (R10) which is connected to a first MOS transistor (M1) included in the first current mirror; a second resistor unit (R2) which is connected to a second MOS transistor (M2) included in the second current mirror; and a detection unit (SA) which detects a magnitude relationship between a first current (I1) that flows through the first MOS transistor and a second current (I2) that flows through the second MOS transistor, wherein the first resistor unit includes a first programmable memory element (NM1), and has a resistance value that varies according to whether the first memory element is programmed.
G11C 17/14 - Mémoires mortes programmables une seule fois; Mémoires semi-permanentes, p.ex. cartes d'information pouvant être replacées à la main dans lesquelles le contenu est déterminé en établissant, en rompant ou en modifiant sélectivement les liaisons de connexion par une modification définitive de l'état des éléments de couplage, p.ex. mémoires PROM
A laser diode device (100) comprises: a substrate (10); a pedestal (16); a laser diode chip (20); and a cover (30). The substrate has a base material (11) that includes a first main surface (11a) and a second main surface (11b) opposite to the first main surface, and a first conductor pattern (12) disposed on the first main surface. The first main surface includes an annular outer circumferential region (11aa). The first conductor pattern includes a terminal (12a) located inside the outer circumferential region in a plan view. The pedestal is disposed on the terminal and formed by a conductor. The laser diode chip is disposed on the pedestal. The laser diode chip has a light-emitting surface (20d) that emits a laser beam toward the outside of the substrate in the plan view. The cover has a side wall (31) and is fitted at the lower end of the side wall to the outer circumferential region.
H01S 5/02325 - Composants intégrés mécaniquement aux éléments de montage ou aux micro-bancs optiques
H01S 5/02208 - Supports; Boîtiers caractérisés par la forme des boîtiers
H01S 5/02257 - Découplage de lumière utilisant des fenêtres optiques, p.ex. spécialement adaptées pour réfléchir de la lumière sur un détecteur à l’intérieur du boîtier
H01S 5/02315 - Supports; Boîtiers Éléments de montage, p.ex. embases Éléments de support, p.ex. bases ou montures
H01S 5/02355 - Fixation des puces laser sur des supports
H03M 1/46 - Valeur analogique comparée à des valeurs de référence uniquement séquentiellement, p.ex. du type à approximations successives avec convertisseur numérique/analogique pour fournir des valeurs de référence au convertisseur
A semiconductor device according to the present invention is provided with: a support member; a semiconductor element; a buffer layer; and a conducting member. The semiconductor element has a first electrode and a gate electrode that are located on an opposite side from the side facing the support member in a first direction. The semiconductor element is joined to the support member. The buffer layer is conductively joined to the first electrode. The conducting member is conductively joined to the buffer layer. A first solid phase diffusion joining layer is located between the first electrode and the buffer layer. The semiconductor element has a gate finger that is located on the same side as the side on which the gate electrode is located in the first direction and that is connected to the gate electrode. The gate finger includes a protruding section that protrudes towards the buffer layer beyond the first electrode. A recessed section that is recessed in the first direction from the side facing the semiconductor element is formed in the buffer layer. At least a portion of the protruding section is accommodated in the recessed section.
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
H01L 29/12 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
A signal transfer device 200 comprises: a logic 214 of a primary circuit system 200p; a logic 225 and a driver 226 of a secondary circuit system 200s; and transformer circuits TR1 and TR2 that provide an electrical insulation between the primary circuit system 200p and the secondary circuit system 200s and that transfer driving pulse signals (ON, OFF1, OFF2) and feedback pulse signals (OSFBH, OSFBL) between the logics 214 and 225. The second logic 225 has a function of determining a logic level of a gate signal VG by driving the driver 226 in response to the driving pulse signals (ON, OFF1, OFF2), a function of driving, in the form of pulses in a first pulse quantity at a prescribed period, the feedback pulse signals (OSFBH, OSFBL) when the secondary circuit system 200s is in a normal state, and a function of performing switching of the first pulse quantity in accordance with the driving performance of the driver 226.
H03K 19/0175 - Dispositions pour le couplage; Dispositions pour l'interface
H01L 21/822 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
H01L 27/04 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
H03K 17/691 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ avec une isolation galvanique entre le circuit de commande et le circuit de sortie utilisant un couplage par transformateur
A semiconductor device (5) includes: a substrate (21); a lower insulation film (22) formed on the substrate; a resistor (23) formed on the lower insulation film; and an upper insulation film (24) formed on the lower insulation film so as to cover the resistor. The lower insulation film includes: a first nitride film (33); and a first SiO-based insulation film (34) formed on the first nitride film. The upper insulation film includes a second nitride film (42). The resistor is formed on the first SiO-based insulation film. The lower surface of a marginal portion of the second nitride film is joined to the upper surface of the first nitride film.
H01L 27/04 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur
H01C 1/034 - Boîtiers; Enveloppes; Enrobage; Remplissage de boîtier ou d'enveloppe le boîtier ou l'enveloppe étant constitué par un revêtement ou un moulage sans gaine extérieure
H01C 7/00 - Résistances fixes constituées par une ou plusieurs couches ou revêtements; Résistances fixes constituées de matériau conducteur en poudre ou de matériau semi-conducteur en poudre avec ou sans matériau isolant
H01C 17/075 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de résistances adaptés pour déposer en couche le matériau résistif sur un élément de base par des techniques de film mince
H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
H01L 21/822 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
H01L 23/532 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées caractérisées par les matériaux
This semiconductor module is provided with a first electroconductive member, a first semiconductor element, and a heat transfer layer. The first electroconductive member has a first main surface that faces in the thickness direction. The first semiconductor element has: a first electrode and a first gate electrode that oppose the first main surface; and, a second electrode positioned on the side opposite to the side that opposes the first main surface. The first electrode is electrically connected to the first electroconductive member. The heat transfer layer is positioned between the first main surface and the first semiconductor element, is electroconductively bonded to the first main surface, and is electrically connected to the first electrode. The heat transfer layer has a first surface that opposes the first main surface and a second surface that opposes the first semiconductor element. When viewed in the thickness direction, the second surface is positioned away from the first gate electrode. When viewed in the thickness direction, the second surface is surrounded by the peripheral edge of the first surface.
H01L 23/36 - Emploi de matériaux spécifiés ou mise en forme, en vue de faciliter le refroidissement ou le chauffage, p.ex. dissipateurs de chaleur
H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
This electronic device comprises an electronic component, a sealing resin covering the electronic component, a first terminal part protruding from the sealing resin toward one side in a first direction that is orthogonal to the thickness direction of the sealing resin, a second terminal part protruding from the sealing resin toward the one side in the first direction, and a plurality of third terminal parts each protruding from the sealing resin toward the other side in the first direction. The first terminal part and the second terminal part are adjacent to each other in a second direction that is orthogonal to the thickness direction and the first direction, with a first gap therebetween. The plurality of third terminal parts are arranged in the second direction with second gaps therebetween. The first gap is bigger than the second gap. The first terminal part includes a plurality of first mounting parts each positioned at an end part on the opposite side from the sealing resin in the first direction.
H01L 23/50 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes pour des dispositifs à circuit intégré
H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 25/04 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
This electronic device comprises an electronic component, a sealing resin covering the electronic component, a first terminal part and a second terminal part each protruding from the sealing resin toward one side in a first direction, and a plurality of third terminal parts each protruding from the sealing resin toward the other side in the first direction. The first terminal part and the second terminal part are adjacent to each other in a second direction with a first gap therebetween. The plurality of third terminal parts are arranged in the second direction with second gaps therebetween. The first gap is bigger than the second gap. A first mounting part of the first terminal part has a first dimension along the second direction, a second mounting part of the second terminal part has a second dimension along the second direction, and a third mounting part of the third terminal part has a third dimension along the second direction. Each of the first dimension and the second dimension is bigger than the third dimension.
H01L 23/50 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes pour des dispositifs à circuit intégré
H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
93.
SEMICONDUCTOR DEVICE AND ELECTROMAGNETIC WAVE DEVICE
This semiconductor device comprises: a semiconductor element that oscillates and radiates electromagnetic waves; a base having a housing space in which the semiconductor element is housed; and a first wave tube including a first waveguide in communication with the housing space. The first waveguide is configured such that the electromagnetic waves are transmitted in a fundamental mode. The housing space is a resonant space in which the electromagnetic waves resonate in a high-order mode.
H01P 5/08 - Dispositifs de couplage du type guide d'ondes destinés au couplage de lignes ou de dispositifs de différentes sortes
H01P 1/20 - Sélecteurs de fréquence, p.ex. filtres
H01P 5/12 - Dispositifs de couplage présentant au moins trois accès
H03B 7/14 - Production d'oscillations au moyen d'un élément actif ayant une résistance négative entre deux de ses électrodes avec un élément déterminant la fréquence comportant des inductances et des capacités réparties l'élément actif étant un dispositif à semi-conducteurs
A memory circuit (11) is a memory circuit provided in an IC chip (100). The memory circuit (11) comprises a complementary cell (CL) provided with a first memory cell (MC1) including a first memory transistor (MT1) and a second memory cell (MC2) including a second memory transistor (MT2), a reference cell (2) including a reference transistor (22), a first terminal (7) that is connectable to the gate of the first memory transistor and the gate of the second memory transistor and allows the application of a first power supply voltage (Vcc), a second terminal (8) that is connectable to the gate of the reference transistor and allows the application of a second power supply voltage (Vcc), and a detecting unit (3) that detects the magnitude relationship between a current passing through the first memory cell or the second memory cell and a current passing through the reference cell.
A semiconductor device according to the present invention is provided with: a lead which comprises a main part having a main surface that faces one side of the thickness direction z; a semiconductor element which is supported by the main surface; and a sealing resin which covers a part of the lead and the semiconductor element. The lead is configured so as to comprise a base material and a metal layer that covers a part of the base material. The lead comprises a plurality of first terminal parts which are arranged in a first direction that is perpendicular to the thickness direction z; the plurality of first terminal parts each have a first mounting surface that faces the other side of the thickness direction z, and a first lateral surface that faces a second direction y that is perpendicular to both the thickness direction z and the first direction. The first mounting surface and the first lateral surface are exposed from the sealing resin; and the entirety of the first mounting surface and the entirety of the first lateral surface are formed of the metal layer.
H01L 23/50 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes pour des dispositifs à circuit intégré
H01L 21/301 - Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour subdiviser un corps semi-conducteur en parties distinctes, p.ex. cloisonnement en zones séparées
96.
SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MOUNTING BODY
In the present invention, a semiconductor device comprises a semiconductor element and a first terminal that is conductive with the semiconductor element. The first terminal has a first part in which at least one portion extends in a first direction, and a second part extending in the first direction. Viewed in a second direction orthogonal to the first direction, the second part overlaps the first part. The first terminal may also have a third part that links the first part and the second part. Viewed in the first direction, the third part may also bulge from the first part and the second part. The second part may also be positioned away from the first part.
H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
H01L 23/36 - Emploi de matériaux spécifiés ou mise en forme, en vue de faciliter le refroidissement ou le chauffage, p.ex. dissipateurs de chaleur
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
97.
SIGNAL TRANSFERRING DEVICE, ELECTRONIC EQUIPMENT, AND VEHICLE
This signal transferring device 200, which is to transfer a pulse signal for driving a switching element Q1, comprises: a first external terminal T1 that is configured to receive a first input pulse signal IN used for an ordinary driving; a second external terminal T2 that is configured to receive a second input pulse signal ASC used for forced driving; and a first logic 214 that is configured to generate a driving pulse signal (for example, an on-signal ON and an off-signal OFF) in response to the first input pulse signal IN and the second input pulse signal ASC. The first logic 214 gives a higher priority to the second input pulse signal ASC than to the first input pulse signal IN.
H03K 17/567 - Circuits caractérisés par l'utilisation d'au moins deux types de dispositifs à semi-conducteurs, p.ex. BIMOS, dispositifs composites tels que IGBT
H01L 21/822 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
H01L 25/04 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
H01L 27/04 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur
H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H03K 17/691 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ avec une isolation galvanique entre le circuit de commande et le circuit de sortie utilisant un couplage par transformateur
H03K 19/0175 - Dispositions pour le couplage; Dispositions pour l'interface
An autonomous movement device (100) moves autonomously towards a preset target object, the autonomous movement device comprising: a plurality of radio wave reception units (110) that receive radio waves transmitted from said autonomous movement device (100) or an external device (200); a radio wave prevention section (111) that blocks or absorbs radio waves from a prescribed direction as viewed from the radio wave reception units (110); a movement direction setting unit (134) that sets a movement direction of said autonomous movement device (100) in accordance with measurement results by the plurality of radio wave reception units (110); and an operation control unit (135) that controls said autonomous movement device (100) so as to travel in the movement direction set by the movement direction setting unit (134).
G05D 1/02 - Commande de la position ou du cap par référence à un système à deux dimensions
G01S 3/46 - Systèmes pour déterminer une direction ou une déviation par rapport à une direction prédéterminée en utilisant des antennes espacées et en mesurant la différence de phase ou de temps entre les signaux venant de ces antennes, c. à d. systèmes à différence de parcours
This semiconductor device comprises a lead, a semiconductor element, a sealing resin, and an insulating substrate. The lead includes a die pad portion having a first main surface and a first back surface facing away from each other in a thickness direction. The semiconductor element is fixed to the first main surface. The sealing resin covers the die pad portion and the semiconductor element. In the insulating substrate, a first substrate metal layer, an insulating layer, and a second substrate metal layer are stacked in this order. The insulating substrate has a second main surface facing the same side as the first main surface, and a second back surface facing the same side as the first back surface in the thickness direction. The first back surface and the second main surface are fixed to each other. The sealing resin has a resin main surface facing the same side as the first main surface, and a resin back surface facing the same side as the first back surface in the thickness direction. The second back surface is exposed from the resin back surface.
The present invention provides a semiconductor device which comprises: a semiconductor layer having a first main surface and a second main surface that is on the reverse side of the first main surface; an IGBT region that is formed in the semiconductor layer; a diode region that is formed in the semiconductor layer so as to be adjacent to the IGBT region; a first impurity region of a first conductivity type, the first impurity region being formed within the semiconductor layer; a plurality of first trenches that are formed in the first main surface in the diode region; a diode cell region that is divided by being sandwiched between the first trenches adjacent to each other; a second impurity region that extends in the diode cell region from the first main surface along the side walls of the first trenches beyond the bottom walls of the first trenches, while forming a pn junction with the first impurity region in such a manner that the pn junction covers at least a part of the bottom walls of the first trenches adjacent to each other; a first electrode that is connected to the first impurity region; and a second electrode that is connected to the second impurity region.
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
H01L 21/822 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
H01L 27/04 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur
H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
brevets
