Rohm Co., Ltd.

Japon

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Type PI
        Brevet 5 887
        Marque 88
Juridiction
        États-Unis 3 913
        International 2 027
        Europe 31
        Canada 4
Propriétaire / Filiale
[Owner] Rohm Co., Ltd. 5 975
Lapis Semiconductor Co., Ltd. 5
Kionix, Inc. 1
Date
Nouveautés (dernières 4 semaines) 113
2024 juillet (MACJ) 45
2024 juin 88
2024 mai 74
2024 avril 73
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Classe IPC
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée 670
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide 635
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices 490
H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition 480
H01L 23/495 - Cadres conducteurs 433
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Classe NICE
09 - Appareils et instruments scientifiques et électriques 87
42 - Services scientifiques, technologiques et industriels, recherche et conception 7
10 - Appareils et instruments médicaux 5
11 - Appareils de contrôle de l'environnement 5
05 - Produits pharmaceutiques, vétérinaires et hygièniques 2
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Statut
En Instance 925
Enregistré / En vigueur 5 050
  1     2     3     ...     60        Prochaine page

1.

FUSE MEMORY CIRCUIT

      
Numéro d'application 18396118
Statut En instance
Date de dépôt 2023-12-26
Date de la première publication 2024-07-11
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Tsuji, Masanobu

Abrégé

A first fuse unit and a second fuse unit each have the same configuration. A rectification element is coupled in parallel with a fuse element. A first transistor has its drain coupled to a second end of the fuse element, its source coupled to a second line, and its gate coupled to a program terminal. A second transistor has its source coupled to the second end of the fuse element, its drain coupled to the output terminal, and its gate coupled to the test terminal. A third transistor has its drain coupled to the output terminal, and its source coupled to the second line.

Classes IPC  ?

  • G11C 17/16 - Mémoires mortes programmables une seule fois; Mémoires semi-permanentes, p.ex. cartes d'information pouvant être replacées à la main dans lesquelles le contenu est déterminé en établissant, en rompant ou en modifiant sélectivement les liaisons de connexion par une modification définitive de l'état des éléments de couplage, p.ex. mémoires PROM utilisant des liaisons électriquement fusibles

2.

POWER SUPPLY DEVICE

      
Numéro d'application 18403427
Statut En instance
Date de dépôt 2024-01-03
Date de la première publication 2024-07-11
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Tanaka, Kunimasa

Abrégé

A power supply device includes a power supply circuit that permits an output voltage to be supplied to a succeeding-stage circuit, an external terminal configured to be connectable to the succeeding-stage circuit and to a pull-up resistor to which a supply voltage is applied, a transistor having a first terminal connected to the external terminal, a controller that turns the transistor from on to off when, during start-up of the output voltage, the output voltage enters a normal range and a fault detection circuit that can detect at least one of an open fault, in which the external terminal remains open, and a short fault, in which the external terminal is short-circuited to an application terminal for the supply voltage.

Classes IPC  ?

  • H02M 1/32 - Moyens pour protéger les convertisseurs autrement que par mise hors circuit automatique
  • H02M 1/36 - Moyens pour mettre en marche ou arrêter les convertisseurs
  • H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique

3.

DETECTION DEVICE AND DETECTION METHOD

      
Numéro d'application 18403241
Statut En instance
Date de dépôt 2024-01-03
Date de la première publication 2024-07-11
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Tsuruda, Kazuisao

Abrégé

This detection device is provided with a transmission unit that generates electromagnetic waves, a compartment bottom portion by which electromagnetic waves are reflected, and a reception unit that receives electromagnetic waves. The transmission unit emits electromagnetic waves to a detection target region through a partition member for partitioning the detection target region from the transmission unit and the reception unit. The compartment bottom portion is provided on the optical path of the electromagnetic waves emitted from the transmission unit and reflects electromagnetic waves having passed through at least a portion of the detection target region. The reception unit receives electromagnetic waves that have been reflected by the compartment bottom portion and are inputted from the detection target region through the partition member.

Classes IPC  ?

4.

WIDE BAND GAP SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SURFACE INSULATING FILM

      
Numéro d'application 18611143
Statut En instance
Date de dépôt 2024-03-20
Date de la première publication 2024-07-11
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Nakano, Yuki
  • Nakamura, Ryota

Abrégé

A semiconductor device of the present invention includes a semiconductor layer of a first conductivity type having a cell portion and an outer peripheral portion disposed around the cell portion, and a surface insulating film disposed in a manner extending across the cell portion and the outer peripheral portion, and in the cell portion, formed to be thinner than a part in the outer peripheral portion.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
  • H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
  • H01L 29/36 - Corps semi-conducteurs caractérisés par la concentration ou la distribution des impuretés
  • H01L 29/40 - Electrodes
  • H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
  • H01L 29/49 - Electrodes du type métal-isolant-semi-conducteur
  • H01L 29/51 - Matériaux isolants associés à ces électrodes
  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée

5.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING ELECTRODE PADS ARRANGED BETWEEN GROUPS OF EXTERNAL ELECTRODES

      
Numéro d'application 18398680
Statut En instance
Date de dépôt 2023-12-28
Date de la première publication 2024-07-11
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Komiya, Kunihiro

Abrégé

The semiconductor device has the CSP structure and may include a plurality of electrode pads formed on a semiconductor integrated circuit in order to input/output signals from/to exterior; solder bumps for making external lead electrodes; and rewiring. The solder bumps may be arranged in two rows along the periphery of the semiconductor device. The electrode pads may be arranged inside the outermost solder bumps so as to be interposed between the two rows of solder bumps. Each trace of the rewiring may be extended from an electrode pad and may be connected to any one of the outermost solder bumps or any one of the inner solder bumps.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
  • H01L 23/50 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes pour des dispositifs à circuit intégré
  • H01L 23/528 - Configuration de la structure d'interconnexion
  • H01L 23/532 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées caractérisées par les matériaux

6.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2023044791
Numéro de publication 2024/147269
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-12-14
Date de publication 2024-07-11
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Kono Hiromasa

Abrégé

This semiconductor device comprises: a semiconductor chip having a main surface facing one side in a thickness direction, and a main surface electrode disposed on the main surface; a lead (conducting object) that is separated from the semiconductor chip and conductive with the main surface electrode; a plate-shaped conduction member including a joined part joined to the main surface electrode, a joined part joined to the lead (conducting object), and a suspension part connecting the joined part and the other joined part; a conductive joining layer joining the joined part and the main surface electrode; and a sealing resin covering the semiconductor chip, a portion of the lead (conducting object), the plate-shaped conduction member, and the joining layer. The plate-shaped conduction member includes an eaves part different from the suspension part. The eaves part does not contact the joining layer, and overlaps the outer periphery of the semiconductor chip as viewed in the thickness direction.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
  • H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement

7.

POWER SUPPLY CONTROL DEVICE

      
Numéro d'application 18395075
Statut En instance
Date de dépôt 2023-12-22
Date de la première publication 2024-07-11
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Guan, Shidong

Abrégé

The present disclosure provides a power supply control device. An output voltage is generated from an input voltage by switching driving an output stage based on a feedback voltage corresponding to the output voltage. An overcurrent protection signal is output when a value of a current flowing through the output stage exceeds a predetermined overcurrent threshold. An overcurrent protection operation is performed in response to the overcurrent protection signal, and the overcurrent protection operation limits an increase in the current flowing through the output stage exceeding the overcurrent threshold. The overcurrent threshold is set according to an elapsed time from a start of switching driving of the output stage.

Classes IPC  ?

  • H02M 1/32 - Moyens pour protéger les convertisseurs autrement que par mise hors circuit automatique
  • H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
  • H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique

8.

OPTICAL ELEMENT DEVICE

      
Numéro d'application 18405192
Statut En instance
Date de dépôt 2024-01-05
Date de la première publication 2024-07-11
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Kuwahara, Eiji
  • Higuchi, Toru

Abrégé

The present disclosure provides an optical element device. The optical element device includes: a semiconductor substrate, having a light receiving unit or a light emitting unit; a transparent sealing resin, sealing the semiconductor substrate; and a convex portion, directly or indirectly connected to the semiconductor substrate. The convex portion is covered by the transparent sealing resin.

Classes IPC  ?

  • H01L 31/0203 - Conteneurs; Encapsulations
  • H01L 31/0216 - Revêtements
  • H01L 33/56 - Matériaux, p.ex. résine époxy ou silicone
  • H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure

9.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18616773
Statut En instance
Date de dépôt 2024-03-26
Date de la première publication 2024-07-11
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Sano, Naoyuki
  • Shinkai, Hiroyuki

Abrégé

A semiconductor device according to the present invention is provided with: a semiconductor element which has an element front surface, an element back surface, and an element lateral surface; a conductive part that is arranged in a position where the conductive part faces the element back surface, and has a wiring part on which the semiconductor element is mounted; and a sealing resin which seals the semiconductor element and the conductive part. The wiring part has a wiring front surface that faces the element back surface, and a wiring back surface. The conductive part has a terminal part which extends from the wiring back surface in a direction that is opposite to the semiconductor element. The sealing resin covers the element back surface, the element lateral surface and the wiring front surface. The element front surface is exposed without being covered by the sealing resin.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
  • H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
  • H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants

10.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

      
Numéro d'application 18487248
Statut En instance
Date de dépôt 2023-10-16
Date de la première publication 2024-07-11
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Imai, Takeharu

Abrégé

A semiconductor integrated circuit device includes: a terminal; an internal resistor that is any one of a pull-up resistor configured so that a first end of the pull-up resistor is connected to the terminal and a first constant voltage is applied to a second end of the pull-up resistor, or a pull-down resistor configured so that a first end of the pull-down resistor is connected to the terminal and a ground voltage is applied to a second end of the pull-down resistor; and an AD converter configured so that a voltage of the terminal is converted into digital data having a number of bits of 2 or more.

Classes IPC  ?

  • H10B 99/00 - Matière non prévue dans les autres groupes de la présente sous-classe
  • H10B 69/00 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable [EPROM] non couverts par les groupes , p.ex. dispositifs de mémoire morte reprogrammable aux ultraviolets [UVEPROM]

11.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18404516
Statut En instance
Date de dépôt 2024-01-04
Date de la première publication 2024-07-11
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Nishimura, Isamu

Abrégé

A semiconductor device includes: a first semiconductor element; a second semiconductor element; an insulating element including a first coil; a second coil magnetically coupled to the first coil; and a support substrate on which the first semiconductor element and the second semiconductor element are mounted. The support substrate includes an insulating base member, and a substrate wiring formed on the base member. The substrate wiring includes a first wiring member electrically interposed between the first semiconductor element and the first coil, and a second wiring member electrically interposed between the second semiconductor element and the second coil. The second coil is arranged between the first coil and the base member. The insulating element is supported by the support substrate.

Classes IPC  ?

  • H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
  • H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants

12.

SEMICONDUCTOR MODULE

      
Numéro d'application 18430414
Statut En instance
Date de dépôt 2024-02-01
Date de la première publication 2024-07-11
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Tanikawa, Kohei
  • Hayashi, Kenji
  • Fukuda, Ryosuke

Abrégé

A semiconductor module includes a conductive substrate, a semiconductor element, a control terminal, and a sealing resin. The conductive substrate has an obverse surface and a reverse surface that are spaced apart from each other in a thickness direction. The semiconductor element is electrically bonded to the obverse surface and has a switching function. The control terminal is configured to control the semiconductor element. The sealing resin has a resin obverse surface and a resin reverse surface, and covers the conductive substrate, the semiconductor element, and a part of the control terminal. The control terminal protrudes from the resin obverse surface, and extends along the thickness direction.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/495 - Cadres conducteurs
  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
  • H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition

13.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND VOLTAGE APPLICATION METHOD

      
Numéro d'application 18534498
Statut En instance
Date de dépôt 2023-12-08
Date de la première publication 2024-07-11
Propriétaire Rohm Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s) Onishi, Katsuhiko

Abrégé

A semiconductor device includes, for example: an internal power supply that generates VREG from VIN; a circuit block that operates from VREG; a circuit block that operates from a node voltage Vn appearing at an internal node n1; and a switcher that switches the connection destination of the internal node n1. The switcher includes: a switch SW1 connected between an application terminal for VREG and the internal node n1; and a switch SW2 connected between an external terminal PAD and the internal node n1. The circuit block includes a switch controller configured to control the switches SW1 and SW2. The switch controller controls the switcher such that switching between a first state (SW1 on, SW2 off) and a second state (SW1 off, SW2 on) proceeds via a third state (SW1 on, SW2 on).

Classes IPC  ?

  • G11C 17/18 - Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'écriture dans la mémoire
  • G11C 5/14 - Dispositions pour l'alimentation

14.

SEMICONDUCTOR DEVICE, ELECTRONIC DEVICE, AND VEHICLE

      
Numéro d'application 18614483
Statut En instance
Date de dépôt 2024-03-22
Date de la première publication 2024-07-11
Propriétaire Rohm Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s) Takahashi, Naoki

Abrégé

A semiconductor device includes: an output transistor of a split-gate type configured to have a plurality of channel regions controlled individually according to a plurality of gate control signals; an active clamp circuit configured to limit the terminal-to-terminal voltage across the output transistor to or below a predetermined clamp voltage after a control signal turns to a logic level requesting the output transistor to be off; a delay circuit configured to generate a delayed internal signal by giving a predetermined delay to an internal signal indicating whether the terminal-to-terminal voltage across the output transistor is higher than a predetermined threshold voltage lower than the clamp voltage; and a gate control circuit configured to control the plurality of gate control signals individually so as to raise the on resistance of the output transistor according to the delayed internal signal.

Classes IPC  ?

  • H02H 9/04 - Circuits de protection de sécurité pour limiter l'excès de courant ou de tension sans déconnexion sensibles à un excès de tension
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/40 - Electrodes
  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H03K 5/00 - Transformation d'impulsions non couvertes par l'un des autres groupes principaux de la présente sous-classe

15.

SEMICONDUCTOR POWER MODULE

      
Numéro d'application 18399105
Statut En instance
Date de dépôt 2023-12-28
Date de la première publication 2024-07-11
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Hayashi, Kenji
  • Hayashiguchi, Masashi

Abrégé

A semiconductor power module including an insulating substrate having one surface and another surface, an output side terminal arranged at a one surface side of the insulating substrate, a first power supply terminal arranged at the one surface side of the insulating substrate, a second power supply terminal to which a voltage of a magnitude different from a voltage applied to the first power supply terminal is to be applied, and arranged at an other surface side of the insulating substrate so as to face the first power supply terminal across the insulating substrate, a first switching device arranged at the one surface side of the insulating substrate and electrically connected to the output side terminal and the first power supply terminal, and a second switching device arranged at the one surface side of the insulating substrate and electrically connected to the output side terminal and the second power supply terminal.

Classes IPC  ?

  • H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
  • H01L 23/36 - Emploi de matériaux spécifiés ou mise en forme, en vue de faciliter le refroidissement ou le chauffage, p.ex. dissipateurs de chaleur
  • H01L 23/488 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes formées de structures soudées
  • H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
  • H02M 7/48 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande

16.

LEVEL SHIFTER, SEMICONDUCTOR DEVICE, SWITCHING POWER SUPPLY, AND LIGHT EMITTING DEVICE

      
Numéro d'application 18400443
Statut En instance
Date de dépôt 2023-12-29
Date de la première publication 2024-07-11
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Aoki, Akira
  • Takagi, Ryo

Abrégé

A level shifter includes a current output amplifier configured to output a first output current and a second output current through first and second output terminals thereof, respectively, a first resistor configured to be connected between each of an inverted input terminal and the first output terminal of the current output amplifier and an application terminal of a ground potential, and a second resistor configured to be connected between the second output terminal of the current output amplifier and an application terminal of a negative potential lower than the ground potential. A first analog signal referenced to the ground potential is accepted at a non-inverted input terminal of the current output amplifier, and a second analog signal referenced to the negative potential is outputted through one terminal of the second resistor.

Classes IPC  ?

  • H05B 45/14 - Commande de l'intensité de la lumière à l'aide d'une rétroaction électrique provenant de LED ou de modules de LED
  • H05B 45/345 - Stabilisation du courant; Maintien d'un courant constant
  • H05B 45/3725 - Alimentation du circuit à découpage [SMPS]

17.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18610280
Statut En instance
Date de dépôt 2024-03-20
Date de la première publication 2024-07-11
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Umeki, Shinya
  • Kawamoto, Yuta
  • Fukuda, Ryosuke

Abrégé

A semiconductor device comprises: a first semiconductor chip including a first obverse surface and a first reverse surface spaced apart from each other in a thickness direction; a second semiconductor chip including a second obverse surface and a second reverse surface spaced apart from each other in the thickness direction, and electrically connected in series to the first semiconductor chip; and a conductive member including a first conductive plate electrically connected to the first semiconductor chip and the second semiconductor chip. At least one of the first semiconductor chip and the second semiconductor chip is an IGBT including a collector electrode, an emitter electrode, and a gate electrode. The first conductive plate is provided between the first semiconductor chip and the second semiconductor chip in the thickness direction.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/495 - Cadres conducteurs
  • H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition

18.

NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT AND NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18488085
Statut En instance
Date de dépôt 2023-10-17
Date de la première publication 2024-07-11
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Fang, Taojun

Abrégé

The present disclosure provides a nitride semiconductor element. The nitride semiconductor element includes a semiconductor substrate having a substrate upper surface and a substrate lower surface facing opposite to the substrate upper surface, and having an active region and a peripheral region. A nitride semiconductor layer is selectively formed in the active region at the substrate upper surface to form a transistor. A source electrode and a drain electrode are in contact with the nitride semiconductor layer. A gate electrode is disposed between the source electrode and the drain electrode. A first electrode is formed on the substrate lower surface and used to electrically connect to the source electrode. The nitride semiconductor element includes a bidirectional Zener diode formed in the peripheral region and electrically connected to the first electrode.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
  • H01L 23/495 - Cadres conducteurs
  • H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
  • H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
  • H01L 29/866 - Diodes Zener

19.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18532726
Statut En instance
Date de dépôt 2023-12-07
Date de la première publication 2024-07-11
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Tanikawa, Kohei

Abrégé

A semiconductor device includes a conductive substrate including an obverse surface facing a first side in thickness direction and a reverse surface opposite from the obverse surface, a first switching semiconductor element bonded to the obverse surface, a first conductive member for passing main circuit current switched by the semiconductor element, and a sealing resin covering the semiconductor element, the conductive member and a part of the substrate. The substrate includes first and second conductive portions mutually spaced in first direction orthogonal to thickness direction. The semiconductor element is electrically bonded to the first conductive portion. The conductive member includes a first part overlapping with the first and the second conductive portions as viewed in thickness direction and being spaced from the obverse surface toward the first side in thickness direction. The first part includes a first opening.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
  • H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
  • H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe

20.

LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

      
Numéro d'application 18513948
Statut En instance
Date de dépôt 2023-11-20
Date de la première publication 2024-07-11
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Hashimoto, Kenya

Abrégé

A light emitting device comprising: a base material including a first main surface and a second main surface, and a first end portion and a second end portion; a light emitting element mounted on the first main surface of the base material and including a first electrode and a second electrode; a first electrode terminal and a second electrode terminal; a covering material; and a sealing material that seals the light emitting element, wherein the first electrode terminal is formed to extend in a first direction, wherein the second electrode terminal is formed to be separated from the first electrode terminal by a distance, wherein the covering material includes: a first covering material that partially covers the first electrode terminal; and a second covering material that partially covers the second electrode terminal, and wherein the first covering material and the second covering material are formed to be separated.

Classes IPC  ?

  • H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure

21.

ELECTRONIC DEVICE

      
Numéro d'application 18617040
Statut En instance
Date de dépôt 2024-03-26
Date de la première publication 2024-07-11
Propriétaire Rohm Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Sakamoto, Natsuki
  • Shinkai, Hiroyuki

Abrégé

An electronic device includes an electronic component, a resin member covering the electronic component, and a conductive member supported by the resin member. The resin member includes a first resin side surface and a second resin side surface that intersect with each other. The conductive member includes a first corner terminal including a first exposed surface exposed from the first resin side surface and a second exposed surface exposed from the second resin side surface. The first corner terminal includes a first surface connected to the first exposed surface and the second exposed surface as viewed in a thickness direction of the resin member. The first surface is covered with the resin member.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
  • H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants

22.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2023046128
Numéro de publication 2024/147302
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-12-22
Date de publication 2024-07-11
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Sakai Hiroto
  • Okawauchi Yuta

Abrégé

In the present invention, a semiconductor device comprises a plurality of parallel-connected semiconductor elements, a second terminal, a third terminal, a second continuity path, a third continuity path, and a capacitor element. Each semiconductor element has a first electrode, a second electrode, and a third electrode into which is inputted a drive signal that controls the state of continuity of the first electrode and the second electrode. The second electrode and second terminal of each of the semiconductor elements are caused to have continuity with each other on the second continuity path. The third electrode and third terminal of each of the semiconductor elements are caused to have continuity with each other on the third continuity path. The second continuity path and the third continuity path are interconnected by the capacitor element.

Classes IPC  ?

  • H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
  • H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
  • H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
  • H01L 29/12 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée

23.

Semiconductor device

      
Numéro d'application 29912887
Numéro de brevet D1034494
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-09-25
Date de la première publication 2024-07-09
Date d'octroi 2024-07-09
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Tanikawa, Kohei
  • Hayashi, Kenji

24.

TRANSFORMER CHIP AND SIGNAL TRANSMISSION DEVICE

      
Numéro d'application 18610509
Statut En instance
Date de dépôt 2024-03-20
Date de la première publication 2024-07-04
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Kitada, Yusuke

Abrégé

A transformer chip constituting a signal transmission device includes, for example, a primary winding formed in a first wiring layer, a secondary winding formed in a second wiring layer so as to be magnetically coupled with the primary winding, a pad to which a signal terminal of the secondary winding is connected, a substrate at the same potential as a ground terminal of the primary winding, and shield electrodes formed so as to be interposed between the substrate and the pad.

Classes IPC  ?

25.

ELECTRONIC COMPONENTS, DETECTION METHOD OF PRESSURE VALUE AND MANUFACTURING METHOD OF ELECTRONIC COMPONENTS

      
Numéro d'application 18396498
Statut En instance
Date de dépôt 2023-12-26
Date de la première publication 2024-07-04
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Yamashiro, Kosuke

Abrégé

The present disclosure provides an electronic component. The electronic component includes a cavity, a membrane, deformable in accordance with a difference between a pressure inside the cavity and a pressure outside the cavity and an arithmetic circuit. The membrane includes an opposing portion facing the cavity. One of a peripheral part and a central part of the opposing portion is a thin portion, and another one is a thick portion thicker than the thin portion. The arithmetic circuit is configured to detect a pressure value in a first zone based on a first output value in the thin portion, and detect a pressure value in a second zone higher than the first zone based on a second output value in the thick portion.

Classes IPC  ?

  • G01L 13/02 - Dispositifs ou appareils pour la mesure des différences entre plusieurs valeurs de la pression des fluides en utilisant des organes ou des pistons élastiquement déformables comme éléments sensibles
  • G01L 13/06 - Dispositifs ou appareils pour la mesure des différences entre plusieurs valeurs de la pression des fluides en utilisant des éléments électriques ou magnétiques sensibles à la pression

26.

SWITCH CONTROL DEVICE, SWITCH DEVICE, ENGINE IGNITION DEVICE, AND VEHICLE

      
Numéro d'application JP2023039257
Numéro de publication 2024/142591
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-10-31
Date de publication 2024-07-04
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Tanigawa Hiroyuki
  • Taguchi Atsushi

Abrégé

This switch control device is provided with: a signal generation circuit configured to generate a second control signal corresponding to a first control signal; a switch element driving control circuit configured to drive and control a switch element according to the second control signal; a first ground electrode configured to be connected to a first end of the switch element; and a second ground electrode separated from the first ground electrode. The signal generation circuit includes a conversion circuit configured to convert a first voltage representing the difference between a reference voltage and the potential of the first ground electrode into a second voltage representing the difference between a voltage corresponding to the reference voltage and the potential of the second ground electrode.

Classes IPC  ?

  • F02P 3/04 - Schéma de montage des circuits
  • F02P 15/00 - Allumage par étincelle électrique ayant des caractéristiques non couvertes dans les groupes ou présentant un intérêt autre que celui visé par ces groupes

27.

SWITCH DEVICE, ENGINE IGNITION DEVICE, AND VEHICLE

      
Numéro d'application JP2023042196
Numéro de publication 2024/142696
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-11-24
Date de publication 2024-07-04
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Tanigawa Hiroyuki

Abrégé

A switch device (101) includes a first semiconductor chip (11) and a second semiconductor chip (12). A first region (A1) in which a temperature sensor (112) is formed and a second region (A2) in which a switch element (111) is formed are physically separated. The first semiconductor ship includes a first electrode (Pe) connected to a second end of the switch element, and a second electrode (Pcd1) connected to one end of the temperature sensor. The first electrode and the second electrode are not connected by wiring. Ground electrodes (Pgnd1, Pgnd2) of the second semiconductor chip and the second electrode are electrically connected to a ground potential application end.

Classes IPC  ?

  • F02P 3/055 - Schéma de montage des circuits avec des moyens de protection pour prévenir des dégâts dans le circuit ou la bobine d'induction

28.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2023042372
Numéro de publication 2024/142707
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-11-27
Date de publication 2024-07-04
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Enomoto, Yu

Abrégé

This semiconductor device comprises: a diode connection electrode that is disposed on a first main surface of a chip, that is spaced apart from a diode connection straight portion in a second direction parallel to the first main surface and orthogonal to a first direction, and that is electrically connected to a collector electrode; and a diode forming body including a Zener diode electrically connected at one end to the diode connection straight portion through a first contact and electrically connected at the other end to the diode connection electrode through a second contact. When a diode arrangement length L represents the length from one end to the other end of the Zener diode in the second direction, and a diode arrangement width W represents the length of the Zener diode in the first direction, the ratio W/L of the diode arrangement width to the diode arrangement length is 1.3 or more.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 21/329 - Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type bipolaire, p.ex. diodes, transistors, thyristors les dispositifs comportant une ou deux électrodes, p.ex. diodes
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/12 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
  • H01L 29/866 - Diodes Zener

29.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2023044442
Numéro de publication 2024/142915
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-12-12
Date de publication 2024-07-04
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Miyazaki Hiroki

Abrégé

This semiconductor device comprises a conductive layer, a semiconductor element having an electrode positioned on one side in a first direction, and a junction layer conductively joining the conductive layer and the semiconductor element. The conductive layer has a main surface facing the side opposite the semiconductor element in the first direction, and includes a pedestal portion protruding from the main surface. The junction layer includes a portion sandwiched between the pedestal portion and the electrode. The pedestal portion has a first surface which is an interface with the main surface, and a second surface which faces the same side as the main surface in the first direction and with which the junction layer is in contact. The area of the second surface is greater than the area of the first surface. When viewed in the first direction, the periphery of the second surface surrounds the first surface.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/50 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes pour des dispositifs à circuit intégré

30.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2023046698
Numéro de publication 2024/143377
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-12-26
Date de publication 2024-07-04
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Mori, Seigo
  • Nakano, Yuki

Abrégé

This semiconductor device includes: a chip having lateral surfaces; and decorative patterns which are formed on the lateral surfaces.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/12 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ

31.

SiC SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2023046699
Numéro de publication 2024/143378
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-12-26
Date de publication 2024-07-04
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Mori, Seigo
  • Nakano, Yuki

Abrégé

This SiC semiconductor device comprises: an SiC chip having a main surface; a channel region formed in a surface layer section of the main surface; a drift region adjacent to the channel region in the surface layer section of the main surface; a gate insulation film having a channel covering section that is formed above the main surface and covers the channel region, and a drift covering section that covers the drift region; a planar gate electrode that is disposed above the channel covering section and faces the channel region via the channel covering section in the vertical direction; and a planar source electrode that is disposed above the drift covering section at an interval from the planar gate electrode so as to face the planar gate electrode in the horizontal direction, and that faces the drift region via the drift covering section in the vertical direction.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/12 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ

32.

SIC SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2023046702
Numéro de publication 2024/143381
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-12-26
Date de publication 2024-07-04
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Mori, Seigo
  • Nakano, Yuki

Abrégé

This SiC semiconductor device includes: a SiC layer including a main surface; a trench structure formed in the main surface and extending in a first extending direction in a plan view; and a planar electrode-type gate structure disposed on the main surface and extending in a second extending direction, which is different from the first extending direction, in a plan view.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 21/265 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions
  • H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices

33.

SiC SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2023046705
Numéro de publication 2024/143384
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-12-26
Date de publication 2024-07-04
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Mori, Seigo
  • Nakano, Yuki

Abrégé

This SiC semiconductor device comprises: a SiC layer including a main surface and having an axial channel in the lamination direction; a p-type impurity region formed in the SiC layer; a trench formed shallower than the impurity region in the main surface and defining a lower region including a portion of the impurity region between the trench and the bottom of the SiC layer; and an n-type inversion column that is formed in the lower region so as to extend along the axial channel and that inverts the conductivity type of the impurity region.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 21/66 - Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
  • H01L 21/265 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions
  • H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/12 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
  • H01L 29/41 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative

34.

SIC SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2023046707
Numéro de publication 2024/143386
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-12-26
Date de publication 2024-07-04
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Mori, Seigo
  • Nakano, Yuki

Abrégé

This SiC semiconductor device comprises: a SiC layer having a first conductivity type that contains a main surface and has an axis channel along the thickness direction; an impurity region having a second conductivity type that extends in the SiC layer along the axis channel; a body region having a second conductivity type that is formed in a region on the main surface side relative to the impurity region; and a gate structure that has a trench penetrating the body region in the main surface, an embedded electrode provided further to the bottom wall side of the trench in comparison to the main surface, and an embedded insulating material provided further to the bottom wall side of the trench in comparison to the main surface and covering the embedded electrode.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 21/265 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions
  • H01L 21/266 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions en utilisant des masques
  • H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/12 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
  • H01L 29/41 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative
  • H01L 29/47 - Electrodes à barrière de Schottky
  • H01L 29/861 - Diodes
  • H01L 29/868 - Diodes PIN
  • H01L 29/872 - Diodes Schottky

35.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18604939
Statut En instance
Date de dépôt 2024-03-14
Date de la première publication 2024-07-04
Propriétaire Rohm Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s) Kimura, Akihiro

Abrégé

A semiconductor device includes a substrate, a lead, and a semiconductor element. The substrate has an obverse surface facing in a thickness direction. The lead includes a die pad bonded to the substrate and a terminal connected to the pad. The semiconductor element is bonded to the pad. The bonding layer is disposed between the obverse surface and the pad. The obverse surface includes a first edge extending in a first direction crossing the thickness direction and a second edge extending in a second direction crossing the thickness direction and the first direction. As viewed in the thickness direction, the terminal protrudes outward from the obverse surface relative to the first edge. The distance from the first edge to the bonding layer in the second direction is shorter than the distance from the second edge to the bonding layer in the first direction.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/495 - Cadres conducteurs
  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
  • H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des groupes principaux , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. circuit hybrides

36.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18389990
Statut En instance
Date de dépôt 2023-12-20
Date de la première publication 2024-07-04
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Ishida, Takeshi

Abrégé

A semiconductor device includes: a first conductivity type substrate; a second conductivity type semiconductor layer formed over the substrate; a second conductivity type drift region formed at a surface portion of the semiconductor layer; a second conductivity type drain region formed at the drift region; a first conductivity type body region formed adjacent to the drift region at the surface portion of the semiconductor layer; a second conductivity type source region formed at the body region; and a first conductivity type resurf layer that expands from a center of the drain region to both sides in a lateral direction along a main surface of the semiconductor device to entirely cover the drift region.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/08 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

37.

MAGNETIC DETECTION DEVICE

      
Numéro d'application 18396476
Statut En instance
Date de dépôt 2023-12-26
Date de la première publication 2024-07-04
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Kuwahara, Eiji
  • Higuchi, Toru

Abrégé

The present disclosure provides a magnetic detection device. The magnetic detection device includes: a magnetic detection element; and a magnetic flux converging member, disposed opposite to the magnetic detection element and configured to guide magnetic flux to the magnetic detection element. The magnetic flux converging member includes: a first magnetic flux converging portion, extending in a direction and facing the magnetic flux converging member with respect to the magnetic detection element, and a second magnetic flux converging portion, in a plan view seen from an opposing direction, protruding more laterally than the first magnetic flux converging portion. The magnetic flux converging member guides magnetic flux passing through the second magnetic flux converging portion to the magnetic detection element via the first magnetic flux converging portion.

Classes IPC  ?

  • G01R 33/07 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs à effet Hall
  • G01R 33/00 - Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques

38.

TRANSFORMER CHIP

      
Numéro d'application 18606316
Statut En instance
Date de dépôt 2024-03-15
Date de la première publication 2024-07-04
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Higuchi, Toru
  • Kuwahara, Eiji

Abrégé

This transformer chip includes a first coil and a second coil provided on a substrate major surface of a substrate. The first coil and the second coil are arranged along a first direction on the substrate major surface of the substrate. The first coil includes first substrate wires and first connection wires arrayed in an X-direction. The first substrate wires extend along a direction transverse to the X-direction. The first connection wires are each connected between two first substrate wires adjacent to each other in the X-direction. The second coil includes second substrate wires and second connection wires arrayed in the X-direction. The second substrate wires extend along the direction transverse to the X-direction. The second connection wires are each connected between two second substrate wires adjacent to each other in the X-direction.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/01 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant uniquement des éléments à film mince ou à film épais formés sur un substrat isolant commun
  • H01F 27/28 - Bobines; Enroulements; Connexions conductrices
  • H01F 27/32 - Isolation des bobines, des enroulements, ou de leurs éléments

39.

ELECTRONIC DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE

      
Numéro d'application JP2023044243
Numéro de publication 2024/142884
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-12-11
Date de publication 2024-07-04
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Shinkai Hiroyuki

Abrégé

This electronic device comprises a support member, a wiring layer, a barrier metal, a bonding layer, and an electronic component. The support member has a main surface directed toward one side in the thickness-direction. The wiring layer is formed on the main surface. The barrier metal is formed on the wiring layer. The bonding layer is formed on the barrier metal. The electronic component is bonded to the wiring layer via the bonding layer and the barrier metal, and is electrically conductive with the wiring layer. The barrier metal and the wiring layer each contain mutually different metals. The barrier metal is smaller than the wiring layer when viewed in the thickness direction.

Classes IPC  ?

  • H05K 3/34 - Connexions soudées
  • H01L 23/12 - Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles

40.

SiC SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2023046700
Numéro de publication 2024/143379
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-12-26
Date de publication 2024-07-04
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Mori, Seigo
  • Nakano, Yuki

Abrégé

This SiC semiconductor device comprises: a first conductivity-type SiC layer including a main surface and having an axial channel in the stacking direction; a trench formed in the main surface and defining a lower region between the trench and the bottom of the SiC layer; and a second conductivity-type column region formed in the lower region in the SiC layer and extending along the axial channel.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 21/66 - Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
  • H01L 21/265 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions
  • H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/12 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
  • H01L 29/41 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative
  • H01L 29/47 - Electrodes à barrière de Schottky
  • H01L 29/861 - Diodes
  • H01L 29/868 - Diodes PIN
  • H01L 29/872 - Diodes Schottky

41.

SIC SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2023046701
Numéro de publication 2024/143380
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-12-26
Date de publication 2024-07-04
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Mori, Seigo
  • Nakano, Yuki

Abrégé

This SiC semiconductor device comprises: a first-electroconductivity-type SiC layer having a main surface; an active region set in the inside part of the main surface; an outer peripheral region set on the periphery of the main surface; and a second-electroconductivity-type column region that is formed inside the SiC layer at intervals in a horizontal direction following the main surface, the second-electroconductivity-type column region including a plurality of impurity regions positioned at both the active region and the outer peripheral region.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 21/66 - Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
  • H01L 21/265 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions
  • H01L 21/266 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions en utilisant des masques
  • H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/12 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
  • H01L 29/41 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative
  • H01L 29/47 - Electrodes à barrière de Schottky
  • H01L 29/861 - Diodes
  • H01L 29/868 - Diodes PIN
  • H01L 29/872 - Diodes Schottky

42.

SIC SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2023046703
Numéro de publication 2024/143382
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-12-26
Date de publication 2024-07-04
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Mori, Seigo
  • Nakano, Yuki

Abrégé

This SiC semiconductor device comprises: a first SiC layer; a second SiC layer stacked on the Sic first SiC layer; a p-type first impurity region formed in the first SiC layer; a p-type second impurity region formed in the second SiC layer; a plurality of n-type first inversion columns formed at intervals in the first SiC layer so as to invert the conductivity type of the first impurity region; and a plurality of n-type second inversion columns formed at intervals in the second SiC layer so as to invert the conductivity type of the second impurity region.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 21/265 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions
  • H01L 21/266 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions en utilisant des masques
  • H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/12 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
  • H01L 29/41 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative
  • H01L 29/47 - Electrodes à barrière de Schottky
  • H01L 29/861 - Diodes
  • H01L 29/868 - Diodes PIN
  • H01L 29/872 - Diodes Schottky

43.

SiC SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2023046704
Numéro de publication 2024/143383
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-12-26
Date de publication 2024-07-04
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Mori, Seigo
  • Nakano, Yuki

Abrégé

This SiC semiconductor device comprises: a first SiC layer of a first conductivity type having a first axial channel along a stacking direction; a second SiC layer of the first conductivity type having a second axial channel along the stacking direction and stacked on the first SiC layer; a first region of a second conductivity type extending along the first axial channel in the first SiC layer; and a second region of the second conductivity type extending along the second axial channel in the second SiC layer and overlapping the first region in the stacking direction.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 21/66 - Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
  • H01L 21/265 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions
  • H01L 21/266 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions en utilisant des masques
  • H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/12 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
  • H01L 29/41 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative
  • H01L 29/47 - Electrodes à barrière de Schottky
  • H01L 29/861 - Diodes
  • H01L 29/868 - Diodes PIN
  • H01L 29/872 - Diodes Schottky

44.

SiC SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2023046706
Numéro de publication 2024/143385
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-12-26
Date de publication 2024-07-04
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Mori, Seigo
  • Nakano, Yuki

Abrégé

This SiC semiconductor device comprises: a first SiC layer of a first conductivity type having a first axial channel along a stacking direction; a second SiC layer of the first conductivity type having a second axial channel along the stacking direction and stacked on the first SiC layer; a first region of a second conductivity type extending along the first axial channel in the first SiC layer in a cross-sectional view and extending in a first extending direction in a plan view; and a second region of the second conductivity type extending along the second axial channel in the second SiC layer in the cross-sectional view and extending in a second extending direction intersecting the first extending direction so as to intersect the first region in the plan view.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 21/66 - Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
  • H01L 21/265 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions
  • H01L 21/266 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions en utilisant des masques
  • H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/12 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
  • H01L 29/41 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative
  • H01L 29/47 - Electrodes à barrière de Schottky
  • H01L 29/861 - Diodes
  • H01L 29/868 - Diodes PIN
  • H01L 29/872 - Diodes Schottky

45.

Semiconductor module

      
Numéro d'application 29823892
Numéro de brevet D1033355
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-01-20
Date de la première publication 2024-07-02
Date d'octroi 2024-07-02
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Hara, Hideo

46.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18394415
Statut En instance
Date de dépôt 2023-12-22
Date de la première publication 2024-06-27
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Seike, Takeshi

Abrégé

A semiconductor device includes: a capacitor connection terminal configured to enable an external connection of a capacitor; a charger configured to charge the capacitor; an ESD protector connected to the capacitor connection terminal; and a current injector including a same component which is the same as the ESD protector and is configured to inject a current based on a leakage current flowing through the same component into a charging path where charging is performed by the charger.

Classes IPC  ?

  • H02J 7/34 - Fonctionnement en parallèle, dans des réseaux, de batteries avec d'autres sources à courant continu, p.ex. batterie tampon
  • H02H 9/04 - Circuits de protection de sécurité pour limiter l'excès de courant ou de tension sans déconnexion sensibles à un excès de tension
  • H03K 5/22 - Circuits présentant plusieurs entrées et une sortie pour comparer des impulsions ou des trains d'impulsions entre eux en ce qui concerne certaines caractéristiques du signal d'entrée, p.ex. la pente, l'intégrale

47.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18544458
Statut En instance
Date de dépôt 2023-12-19
Date de la première publication 2024-06-27
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Fukuda, Yoshinori
  • Okuda, Hajime
  • Yamamoto, Keiji

Abrégé

The present disclosure provides a semiconductor device. The semiconductor device includes a semiconductor chip having an element main surface; a first element disposed on the element main surface; a second element disposed on the element main surface and separated from the first element; and a third element disposed on the element main surface and separated from the first element and the second element. The first element includes a DTI structure as a part of an element structure. The second element includes an STI structure. The third element includes a LOCOS structure.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/092 - Transistors à effet de champ métal-isolant-semi-conducteur complémentaires
  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée

48.

MAGNETIC DETECTION DEVICE

      
Numéro d'application 18545805
Statut En instance
Date de dépôt 2023-12-19
Date de la première publication 2024-06-27
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Kuwahara, Eiji
  • Higuchi, Toru

Abrégé

The present disclosure provides a magnetic detection device. The magnetic detection device includes: a magnetic detection element; a substrate, having an opposing surface facing the magnetic detection element; and a magnetic collector, disposed between the magnetic detection element and the substrate and configured to induce a magnetic flux to the magnetic detection element. The substrate has a recess recessed from the opposing surface in a direction opposite to the magnetic detection element. At least a portion of the magnetic collector is disposed within the recess. The magnetic collector includes a first magnetic collecting unit that stands up from a bottom surface of the recess toward the magnetic detection element.

Classes IPC  ?

  • G01R 33/00 - Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques

49.

CHIP RESISTOR

      
Numéro d'application 18594657
Statut En instance
Date de dépôt 2024-03-04
Date de la première publication 2024-06-27
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Shinoura, Takanori

Abrégé

A chip resistor includes an insulating substrate, a first electrode, a second electrode, a resistor, a first heat transfer layer, a second heat transfer layer, and an insulating protective layer. The first heat transfer layer has a thermal conductivity greater than that of the insulating protective layer, and is in contact with the resistor and a first front electrode. The second heat transfer layer is separated from the first heat transfer layer. The second heat transfer layer has a thermal conductivity greater than that of the insulating protective layer, and is in contact with the resistor and a second front electrode.

Classes IPC  ?

  • H01C 7/00 - Résistances fixes constituées par une ou plusieurs couches ou revêtements; Résistances fixes constituées de matériau conducteur en poudre ou de matériau semi-conducteur en poudre avec ou sans matériau isolant
  • H01C 1/08 - Dispositions de réfrigération, de chauffage ou de ventilation
  • H01C 1/14 - Bornes ou points de prise spécialement adaptés aux résistances; Dispositions de bornes ou points de prise sur les résistances

50.

MACHINE LEARNING DEVICE

      
Numéro d'application 18598564
Statut En instance
Date de dépôt 2024-03-07
Date de la première publication 2024-06-27
Propriétaire Rohm Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Tamano, Koji
  • Kurotsuchi, Yuji

Abrégé

A machine learning device includes a data conversion unit configured to convert time series data inputted thereto into frequency feature quantity data, a machine learning inference unit configured to perform machine learning inference based on the frequency feature quantity data, and a computation circuit unit configured to be commonly used by the data conversion unit and the machine learning inference unit.

Classes IPC  ?

  • G06N 20/00 - Apprentissage automatique
  • G06N 5/04 - Modèles d’inférence ou de raisonnement

51.

SIGNAL TRANSMISSION DEVICE, ELECTRONIC EQUIPMENT, AND VEHICLE

      
Numéro d'application JP2023041490
Numéro de publication 2024/135189
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-11-17
Date de publication 2024-06-27
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Saegusa Yuji
  • Arimura Masahiko

Abrégé

A signal transmission device, comprising: a signal transmission circuit that transmits a pulse signal from a primary circuit system to a secondary circuit system while insulating between the primary circuit system and the secondary circuit system; a power supply circuit that generates an output voltage of the secondary circuit system from the input voltage of the primary circuit system while insulating between the primary circuit system and the secondary circuit system; a first and a second abnormality detection circuit that detect abnormalities of the primary circuit system and the secondary circuit system; a signal transmission route that transmits the detection result of the second abnormality detection circuit of the primary circuit system from the secondary circuit system while insulating between the primary circuit system and the secondary circuit system; and a self-diagnosis circuit that performs self-diagnosis of the first and the second abnormality detection circuits and the signal transmission route. The first abnormality detection circuit includes a power supply abnormality detection unit that detects abnormalities of the power supply circuit as the diagnostic subject of the self-diagnosis circuit. The self-diagnosis circuit implements self-diagnosis of the power supply abnormality detection unit first (steps #1-3).

Classes IPC  ?

  • H03K 19/0175 - Dispositions pour le couplage; Dispositions pour l'interface
  • H01F 41/00 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication ou à l'assemblage des aimants, des inductances ou des transformateurs; Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des matériaux caractérisés par leurs propriétés magnétiques
  • H01L 21/822 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
  • H01L 23/58 - Dispositions électriques structurelles non prévues ailleurs pour dispositifs semi-conducteurs
  • H01L 27/04 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur
  • H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
  • H03K 17/00 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts
  • H03K 17/691 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ avec une isolation galvanique entre le circuit de commande et le circuit de sortie utilisant un couplage par transformateur
  • H03K 19/00 - Circuits logiques, c. à d. ayant au moins deux entrées agissant sur une sortie; Circuits d'inversion

52.

OPERATIONAL AMPLIFIER

      
Numéro d'application JP2023042171
Numéro de publication 2024/135224
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-11-24
Date de publication 2024-06-27
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Satomi Shimpei

Abrégé

An operational amplifier 100 is provided with an input stage 110, a gain stage 120, an output stage 130, and a feedforward path 140. The zero of a front stage 104 including the input stage 110 and the gain stage 120 is lower than the pole of the output stage 130.

Classes IPC  ?

  • H03F 3/45 - Amplificateurs différentiels
  • H03F 1/32 - Modifications des amplificateurs pour réduire la distorsion non linéaire

53.

MOTOR DRIVE DEVICE, MOTOR SYSTEM, AND VEHICLE

      
Numéro d'application JP2023043486
Numéro de publication 2024/135346
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-12-05
Date de publication 2024-06-27
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Takihara Hirotaka

Abrégé

A motor drive device (1) comprises: a check execution unit (3) configured to execute an abnormality check with respect to at least any one of an upper transistor (M1, M3, M7), a lower transistor (M2, M4, M8), and a configuration pertaining to a motor (10), in a state where, by setting either a second main electrode pull-down switch (61, 62, 63) or a second main electrode pull-up switch (51, 52, 53) to an ON state, the second main electrode is pulled up or pulled down; and a control circuit (3) configured to control combinations of ON/OFF states of the upper transistor, the lower transistor, and a motor relay (M9, M10, M11) connected to the motor.

Classes IPC  ?

  • H02M 7/48 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
  • H02P 27/06 - Dispositions ou procédés pour la commande de moteurs à courant alternatif caractérisés par le type de tension d'alimentation utilisant une tension d’alimentation à fréquence variable, p.ex. tension d’alimentation d’onduleurs ou de convertisseurs utilisant des convertisseurs de courant continu en courant alternatif ou des onduleurs

54.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2023043583
Numéro de publication 2024/135356
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-12-06
Date de publication 2024-06-27
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Matsubara Hiroaki

Abrégé

This semiconductor device comprises a second die pad, a first suspension lead, a second suspension lead, a first die pad, and a sealing resin. The first suspension lead and the second suspension lead are each separated from one pair of first side surfaces of the sealing resin, and exposed to the outside from a second side surface of the sealing resin. The first suspension lead has: a first inner section covered by the sealing resin; and a first outer section connected to the first inner section. When viewed in a third direction, the first inner section includes a first section which extends from a boundary with an extension line of a first edge of the first die pad up to the first die pad. The cross-sectional area of the first section in the direction in which the first section extends is greater than any cross-sectional area of the first outer section in the direction in which the first outer section extends.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/50 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes pour des dispositifs à circuit intégré
  • H01L 23/12 - Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles
  • H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
  • H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,

55.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR PACKAGE INCLUDING SAME

      
Numéro d'application 18391351
Statut En instance
Date de dépôt 2023-12-20
Date de la première publication 2024-06-27
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Takeoka, Reona

Abrégé

A semiconductor device includes: a semiconductor device main body; and an electrode terminal provided at a side of a main surface of the semiconductor device main body and partially protruding outward from the main surface, wherein the electrode terminal includes: a pillar layer made of copper and electrically connected to a wiring layer disposed within the semiconductor device main body; and a bonding layer formed over a surface of the pillar layer on an opposite side of the pillar layer from the wiring layer, and wherein the pillar layer includes: a disc-shaped first portion; and a columnar second portion formed over a central portion of a surface of the first portion on an opposite side of the first portion from the wiring layer.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
  • H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition

56.

LOAD DRIVING DEVICE, ELECTRONIC APPARATUS AND VEHICLE

      
Numéro d'application 18393494
Statut En instance
Date de dépôt 2023-12-21
Date de la première publication 2024-06-27
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Yamato, Tetsuo

Abrégé

The present disclosure provides a load driving device. The load driving device includes a load, a resistor configured to be connected in parallel to the load, and a switch device. The switch device includes an output terminal, a ground terminal, a first switch element and an abnormality detection circuit. The output terminal is configured to connect the load and the resistor. The ground terminal is configured to connect to a ground potential. The first switch element is configured to be connected between the output terminal and the ground terminal. The abnormality detection circuit is configured to distinguish between a load open at the output terminal and a ground fault at the output terminal based on a magnitude relationship between an output current flowing through the first switch element, a first threshold value and a second threshold value greater than the first threshold value.

Classes IPC  ?

  • H03K 17/0812 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension sans réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande par des dispositions prises dans le circuit de commande
  • H03K 17/18 - Modifications pour indiquer l'état d'un commutateur

57.

MEMS SENSOR AND METHOD OF MANUFACTURING MEMS SENSOR

      
Numéro d'application 18538105
Statut En instance
Date de dépôt 2023-12-13
Date de la première publication 2024-06-27
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Heller, Martin Wilfried
  • Fujita, Toma

Abrégé

A MEMS sensor includes: a first substrate; and a second substrate bonded to the first substrate, wherein at least one space, in which at least one sensor element is arranged, is formed inside at least one bonding portion where the first substrate and the second substrate are bonded, wherein at least one communication path communicating the space with outside of the bonding portion is formed in the first substrate, wherein the communication path includes an inner opening opened toward inside of the bonding portion, an outer opening opened toward outside of the bonding portion, and a tubular portion connecting the inner opening and the outer opening, and wherein the outer opening is closed by a sealing layer sealing the outer opening.

Classes IPC  ?

  • B81B 7/00 - Systèmes à microstructure
  • B81C 1/00 - Fabrication ou traitement de dispositifs ou de systèmes dans ou sur un substrat

58.

IN-VEHICLE DISPLAY APPARATUS AND AUTOMOBILE

      
Numéro d'application 18594224
Statut En instance
Date de dépôt 2024-03-04
Date de la première publication 2024-06-27
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Usui, Hirotoshi
  • Sumi, Tomohiko

Abrégé

An in-vehicle display apparatus includes a liquid crystal display panel and a backlight apparatus. An edge-type backlight apparatus is provided on the back surface of the liquid crystal display panel. In the liquid crystal display panel, each of the plurality of areas emits light with predefined relative luminance.

Classes IPC  ?

  • B60K 35/22 - Écrans d’affichage
  • G02F 1/1335 - Association structurelle de cellules avec des dispositifs optiques, p.ex. des polariseurs ou des réflecteurs
  • G02F 1/13357 - Dispositifs d'éclairage

59.

CHIP RESISTOR

      
Numéro d'application 18598952
Statut En instance
Date de dépôt 2024-03-07
Date de la première publication 2024-06-27
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Shinoura, Takanori

Abrégé

A chip resistor includes an insulating substrate, a first electrode, a second electrode, a first resistive element, a second resistive element, and an intermediate electrode. A first length of the first resistive element in a first direction in which the first resistive element and the second resistive element are separated from each other is longer than a second length of the second resistive element in the first direction. The first resistive element is provided with a first trimming groove. The second resistive element is provided with a second trimming groove.

Classes IPC  ?

  • H01C 1/148 - Bornes ou points de prise spécialement adaptés aux résistances; Dispositions de bornes ou points de prise sur les résistances les bornes enveloppant ou entourant l'élément résistif
  • H01C 17/22 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de résistances adaptés pour ajuster la valeur de la résistance

60.

CHIP RESISTOR MODULE

      
Numéro d'application 18598969
Statut En instance
Date de dépôt 2024-03-07
Date de la première publication 2024-06-27
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Uchida, Masahiro

Abrégé

A chip resistor module includes a wiring board, a plurality of chip resistors, and a pair of terminal electrodes. The wiring board includes an insulating substrate and an electrical wire provided on the insulating substrate. The plurality of chip resistors are bonded to the electrical wire. The pair of terminal electrodes is electrically connected to the electrical wire.

Classes IPC  ?

  • H01C 1/142 - Bornes ou points de prise spécialement adaptés aux résistances; Dispositions de bornes ou points de prise sur les résistances les bornes ou points de prise étant constitués par un revêtement appliqué sur l'élément résistif
  • H01C 1/028 - Boîtiers; Enveloppes; Enrobage; Remplissage de boîtier ou d'enveloppe l'élément résistif étant enrobé dans un matériau isolant pourvu d'une gaine extérieure
  • H01C 17/00 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de résistances

61.

SEMICONDUCTOR DEVICE, ELECTRONIC APPARATUS, AND VEHICLE

      
Numéro d'application JP2023037162
Numéro de publication 2024/135061
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-10-13
Date de publication 2024-06-27
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Adrian Joita
  • Muraoka Kenji
  • Takuma Toru

Abrégé

A semiconductor device 1 which is equipped with a power source terminal T1 and an output terminal T2, an output transistor 10 which is connected between the power source terminal T1 and the output terminal T2, a driver 31 for driving the output transistor 10 in response to a control signal, an active clamp circuit 100 for limiting the drain-source voltage Vds of the output transistor 10 to no more than an active clamp voltage Vclp when turning the output transistor 10 off, and a forced-off circuit 130 for forcing the output transistor 10 off at a second gate discharge capacity which is higher than a first gate discharge capacity of the driver 31, in response to an abnormal detection signal DET.

Classes IPC  ?

  • H02H 3/087 - Circuits de protection de sécurité pour déconnexion automatique due directement à un changement indésirable des conditions électriques normales de travail avec ou sans reconnexion sensibles à une surcharge pour des systèmes à courant continu
  • H03K 17/08 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension
  • H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
  • H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques

62.

POWER-SUPPLY CONTROL DEVICE

      
Numéro d'application JP2023040059
Numéro de publication 2024/135130
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-11-07
Date de publication 2024-06-27
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Fukuyama Tokuya

Abrégé

This power-supply control device generates output voltages on the basis of input voltages. The power-supply control device drives an i-th output stage on the basis of: an i-th comparison voltage proportional to a first reference voltage; and an i-th feedback voltage in accordance with an i-th output voltage. The power-supply control device detects a first abnormality on the basis of: a first monitoring voltage proportional to a first output voltage; and a first determination voltage proportional to a second reference voltage. The power-supply control device generates a second comparison voltage from the first reference voltage while variably setting the ratio between the first reference voltage and the second comparison voltage. The power-supply control device detects a second abnormality on the basis of: a second monitoring voltage proportional to a second output voltage; and a second determination voltage proportional to the first reference voltage. The power-supply control device generates the second determination voltage from the first reference voltage while variably setting the ratio between the first reference voltage and the second determination voltage.

Classes IPC  ?

  • H02M 3/155 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs

63.

POWER SUPPLY CIRCUIT, SIGNAL TRANSMISSION DEVICE, ELECTRONIC APPARATUS, AND VEHICLE

      
Numéro d'application JP2023041492
Numéro de publication 2024/135190
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-11-17
Date de publication 2024-06-27
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Saegusa Yuji
  • Arimura Masahiko

Abrégé

This power supply circuit comprises: a feedback control circuit that provides insulation between a primary circuit system and a secondary circuit system, and that controls a switch output stage for generating an output voltage (= power supply voltage VCC2) of the secondary circuit system from an input voltage of the primary circuit system; and an overcurrent protection circuit that limits a sense voltage Vsns corresponding to a primary current of the switch output stage to a prescribed overcurrent detection value Vocp or below. At startup or restartup of the second power supply voltage VCC2, the overcurrent protection circuit raises the overcurrent detection value Vocp in a stepwise manner over a soft start period Tss (Vocp1 → Vocp2 → … → Vocp5).

Classes IPC  ?

  • H02M 3/28 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire
  • H01L 21/822 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
  • H01L 27/04 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur
  • H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
  • H03K 17/691 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ avec une isolation galvanique entre le circuit de commande et le circuit de sortie utilisant un couplage par transformateur

64.

POWER SUPPLY DEVICE AND POWER SYSTEM

      
Numéro d'application JP2023045428
Numéro de publication 2024/135656
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-12-19
Date de publication 2024-06-27
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Yasusaka Makoto

Abrégé

A power supply device (1) comprises: an input terminal (Tin) configured as an external terminal to which an input voltage (Vin) can be applied; a power supply circuit (2); a first constant current source (3) that is connected between a power supply voltage application terminal (NA) and the input terminal and is configured to supply a power supply voltage (VA) to a predetermined circuit (2A) in the power supply circuit; a first capacitor (C1) and a first transistor (4) which are connected in series to the power supply voltage application terminal; and a transistor control unit (101) that is configured to switch the first transistor from an off state to an on state at a second timing (t3) after a first timing (t2) when the input voltage starts and reaches the operating voltage (V1) of the first constant current source.

Classes IPC  ?

  • G05F 1/56 - Régulation de la tension ou de l'intensité là où la variable effectivement régulée par le dispositif de réglage final est du type continu utilisant des dispositifs à semi-conducteurs en série avec la charge comme dispositifs de réglage final
  • H02M 3/155 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs

65.

Semiconductor module

      
Numéro d'application 29823888
Numéro de brevet D1032517
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-01-20
Date de la première publication 2024-06-25
Date d'octroi 2024-06-25
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Hara, Hideo

66.

CURRENT DRIVER

      
Numéro d'application 18218260
Statut En instance
Date de dépôt 2023-07-05
Date de la première publication 2024-06-20
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Kitahara, Takahiro
  • Saito, Koji

Abrégé

The present disclosure provides a current driver, configured to supply a drive current to a load disposed between a terminal to which a drive voltage is applied and an output terminal. The current driver includes a first transistor and a second transistor, connected in series between the output terminal and a ground; and a control circuit, configured to control states of the first transistor and the second transistor. The first transistor is arranged at a potential side lower than the second transistor. The drive current is supplied to the load through the first transistor and the second transistor by turning on the first transistor and the second transistor. A first voltage and a second voltage are obtained by dividing an output terminal voltage applied to the output terminal using a plurality of resistors.

Classes IPC  ?

  • H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
  • H03K 17/06 - Modifications pour assurer un état complètement conducteur
  • H03K 17/0814 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension sans réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande par des dispositions prises dans le circuit de sortie

67.

SEMICONDUCTOR DEVICE, DRIVE DEVICE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18420253
Statut En instance
Date de dépôt 2024-01-23
Date de la première publication 2024-06-20
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Umegami, Hirokatsu

Abrégé

A semiconductor device includes a semiconductor element, a first wire, a second wire, and a metal portion. The semiconductor element includes an element obverse surface and an element reverse surface facing away from each other in a thickness direction, and an electrode disposed on the element obverse surface. The first wire contains a first metal. The second wire contains a second metal having a thermoelectric power different from that of the first metal. The metal portion contains a third metal and is disposed such that heat from the semiconductor element is conducted thereto. The first wire and the second wire are bonded to the metal portion. At least one of the first wire and the second wire is directly bonded to the metal portion.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
  • H01L 23/34 - Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température
  • H01L 23/373 - Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif

68.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MOUNTING STRUCTURE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18420305
Statut En instance
Date de dépôt 2024-01-23
Date de la première publication 2024-06-20
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Fukuda, Ryosuke
  • Tanikawa, Kohei

Abrégé

A semiconductor device includes a semiconductor element, a sealing resin, and a first signal terminal. The sealing resin includes a first surface facing in a thickness direction and covers the semiconductor element. The first signal terminal protrudes from the first surface and is electrically connected to the semiconductor element. The sealing resin includes a second surface facing the same side as the first surface in the thickness direction. The first surface includes a first region which is located opposite to the first signal terminal the with second surface interposed therebetween in a first direction orthogonal to the thickness direction and on which a mounting member can be disposed. The position of the second surface differs from the position of the first region in the thickness direction.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
  • H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
  • H01L 23/367 - Refroidissement facilité par la forme du dispositif

69.

SEMICONDUCTOR APPARATUS

      
Numéro d'application 18438967
Statut En instance
Date de dépôt 2024-02-12
Date de la première publication 2024-06-20
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Shimizu, Tatsuro

Abrégé

A first circuit has a predetermined function with an output that has a small dependence on a certain operation condition. A second circuit has the same function as that of the first circuit with an output that has a large dependence on the certain operation condition. When the first circuit is operating normally, the main circuit operates according to the output of the first circuit. The main circuit is capable of generating a detection signal that indicates the certain operation condition based on a relative relation between the output of the first circuit and the output of the second circuit.

Classes IPC  ?

  • H02P 29/024 - Détection d’un défaut, p.ex. court circuit, rotor bloqué, circuit ouvert ou perte de charge
  • H03K 19/007 - Circuits assurant la sécurité en cas de défaut

70.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND VEHICLE

      
Numéro d'application 18524331
Statut En instance
Date de dépôt 2023-11-30
Date de la première publication 2024-06-20
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Kaneda, Yuji

Abrégé

A semiconductor integrated circuit device with a signal processing circuit configured to process a received signal, includes: a failure detection circuit configured to detect a failure within the semiconductor integrated circuit device; and an output terminal, wherein if the failure is not detected by the failure detection circuit, an output signal of the signal processing circuit is output externally from the output terminal, and wherein if the failure is detected by the failure detection circuit, a command notifying details of the failure is output externally from the output terminal.

Classes IPC  ?

  • G01R 31/28 - Test de circuits électroniques, p.ex. à l'aide d'un traceur de signaux

71.

SIGNAL PROCESSING DEVICE, ULTRASONIC SENSOR AND VEHICLE

      
Numéro d'application 18537109
Statut En instance
Date de dépôt 2023-12-12
Date de la première publication 2024-06-20
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Saito, Koji

Abrégé

The present disclosure provides a signal processing device. The signal processing device includes a receiving circuit, an envelope detection circuit, a differential amplifier circuit and a selection circuit. The receiving circuit is configured to generate a reflected wave signal based on a reflected wave from an object. The envelope detection circuit is configured to generate an envelope detection signal of the reflected wave signal. The differential amplifier circuit is configured to generate a differentially amplified signal of the envelope detection signal. The selection circuit is configured to select one of a first signal and a second signal. The first signal is the envelope detection signal or a delayed signal of the envelope detection signal. The second signal is the differentially amplified signal or a signal obtained using a difference between the envelope detection signal and the differentially amplified signal.

Classes IPC  ?

  • G01S 7/52 - DÉTERMINATION DE LA DIRECTION PAR RADIO; RADIO-NAVIGATION; DÉTERMINATION DE LA DISTANCE OU DE LA VITESSE EN UTILISANT DES ONDES RADIO; LOCALISATION OU DÉTECTION DE LA PRÉSENCE EN UTILISANT LA RÉFLEXION OU LA RERADIATION D'ONDES RADIO; DISPOSITIONS ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES - Détails des systèmes correspondant aux groupes , , de systèmes selon le groupe
  • B06B 1/06 - Procédés ou appareils pour produire des vibrations mécaniques de fréquence infrasonore, sonore ou ultrasonore utilisant l'énergie électrique fonctionnant par effet piézo-électrique ou par électrostriction
  • G01S 15/931 - Systèmes sonar, spécialement adaptés à des applications spécifiques pour prévenir les collisions de véhicules terrestres

72.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18537850
Statut En instance
Date de dépôt 2023-12-13
Date de la première publication 2024-06-20
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Yutani, Masatsugu
  • Kataoka, Hajime

Abrégé

There is provided a semiconductor device including a semiconductor chip including a first main surface and a second main surface opposite to the first main surface, an element region formed on the first main surface and including an element part, and a non-element region outside the element region, an insulating layer covering the element region and the non-element region, a first pad formed on the insulating layer and electrically connected to the element part, a second pad formed on the insulating layer and electrically connected to the element part via a path electrically separated from the first pad, a first uneven structure formed by a buried body, which has conductivity and is buried in the insulating layer, below the first pad of the insulating layer, and a second uneven structure formed by deposits deposited on a surface of the insulating layer, below the second pad of the insulating layer.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/495 - Cadres conducteurs
  • H01L 21/66 - Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
  • H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe

73.

A/D CONVERTER AND SENSOR APPARATUS

      
Numéro d'application 18540341
Statut En instance
Date de dépôt 2023-12-14
Date de la première publication 2024-06-20
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Miyake, Takashi

Abrégé

An A/D converter includes: an integrating circuit including: an amplifier including a first input end and a second input end connected to an application end of first reference voltage, a capacitor connecting the first input end and an output end of the amplifier, a first resistor connected between an application end of input voltage and the first input end, a first switch connected between the application end of the input voltage and the first input end, a second resistor connected between an application end of second reference voltage and the first input end, and a second switch connected between the application end of the second reference voltage and the first input end; a first comparator including a first input end connected to the output end and a second input end connected to the application end of the first reference voltage; and a switch controller controlling the first and second switches.

Classes IPC  ?

  • H03M 1/34 - Valeur analogique comparée à des valeurs de référence
  • G01L 9/00 - Mesure de la pression permanente, ou quasi permanente d’un fluide ou d’un matériau solide fluent par des éléments électriques ou magnétiques sensibles à la pression; Transmission ou indication par des moyens électriques ou magnétiques du déplacement des éléments mécaniques sensibles à la pression, utilisés pour mesurer la pression permanente ou quasi permanente d’un fluide ou d’un matériau solide fluent
  • G01R 19/00 - Dispositions pour procéder aux mesures de courant ou de tension ou pour en indiquer l'existence ou le signe

74.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18590556
Statut En instance
Date de dépôt 2024-02-28
Date de la première publication 2024-06-20
Propriétaire Rohm Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s) Hara, Hideo

Abrégé

A semiconductor device includes a first and a second output transistor on a high and a low side respectively, a first terminal connected to the connection node between the first and second output transistors, and a second terminal configured to be connected via a bootstrap capacitor to the first terminal. The first output transistor is driven based on a voltage between the first and second terminals. A switching circuit is provided between a terminal fed with a predetermined control supply voltage and the second terminal. The switching circuit includes a first and a second switching element, which are N-channel MOSFETs connected in series. According to the voltage at the first terminal, the first and second switching elements are turned on or off.

Classes IPC  ?

  • H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
  • H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
  • H02M 3/07 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des résistances ou des capacités, p.ex. diviseur de tension utilisant des capacités chargées et déchargées alternativement par des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande

75.

SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

      
Numéro d'application 18590999
Statut En instance
Date de dépôt 2024-02-29
Date de la première publication 2024-06-20
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Nakano, Yuki

Abrégé

A semiconductor device includes a semiconductor layer having a first face with a trench formed thereon and a second face opposite to the first face, a gate electrode, and a gate insulating layer. The semiconductor layer includes a first n-type semiconductor layer, a second n-type semiconductor layer, a p-type semiconductor layer, and an n-type semiconductor region. The trench is formed to penetrate through the p-type semiconductor layer and to reach the second n-type semiconductor layer. The p-type semiconductor layer includes an extended portion extending to a position closer to the second face of the semiconductor layer than the trench is. Such structure allows suppressing dielectric breakdown in the gate insulating layer.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 21/04 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
  • H01L 29/36 - Corps semi-conducteurs caractérisés par la concentration ou la distribution des impuretés
  • H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
  • H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

76.

MEMORY DEVICE

      
Numéro d'application 18591319
Statut En instance
Date de dépôt 2024-02-29
Date de la première publication 2024-06-20
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Imai, Takeharu
  • Kubo, Tengai

Abrégé

Upper bit lines extend along Y direction in an upper memory array and a Y decoder. Lower bit lines extend along Y direction in a lower memory array and the Y decoder. The Y decoder includes an upper Y line selection switch connected to the upper bit lines and a lower Y line selection switch connected to the lower bit lines and disposed at the other side of the upper Y line selection switch along Y direction. A switch circuit is configured to be capable of switching to permit either conduction between a sense amplifier and the upper Y line selection switch or conduction between the sense amplifier and the lower Y line selection switch.

Classes IPC  ?

  • G11C 7/10 - Dispositions d'interface d'entrée/sortie [E/S, I/O] de données, p.ex. circuits de commande E/S de données, mémoires tampon de données E/S
  • G11C 7/12 - Circuits de commande de lignes de bits, p.ex. circuits d'attaque, de puissance, de tirage vers le haut, d'abaissement, circuits de précharge, circuits d'égalisation, pour lignes de bits

77.

SEMICONDUCTOR APPARATUS, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

      
Numéro d'application 18591744
Statut En instance
Date de dépôt 2024-02-29
Date de la première publication 2024-06-20
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Yoshida, Natsuya

Abrégé

A semiconductor apparatus includes a semiconductor chip, a supporting body that has an upper surface and a lower surface and with which the semiconductor chip is fixed to the upper surface, a sealing resin that is arranged to seal the semiconductor chip and the supporting body, and a heat sink that is bonded to the lower surface of the supporting body, a recess portion is formed in an upper surface of the heat sink, the lower surface of the supporting body is bonded to a bottom surface of the recess portion via a bonding structure, and the sealing resin infiltrates a gap between at least the bonding structure among the supporting body and the bonding structure and a side surface of the recess portion.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/367 - Refroidissement facilité par la forme du dispositif
  • H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
  • H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
  • H01L 23/373 - Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif
  • H01L 23/42 - Choix ou disposition de matériaux de remplissage ou de pièces auxiliaires dans le conteneur pour faciliter le chauffage ou le refroidissement
  • H01L 23/467 - Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température impliquant le transfert de chaleur par des fluides en circulation par une circulation de gaz, p.ex. d'air
  • H01L 23/473 - Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température impliquant le transfert de chaleur par des fluides en circulation par une circulation de liquides

78.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18592203
Statut En instance
Date de dépôt 2024-02-29
Date de la première publication 2024-06-20
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Terada, Chikara
  • Fujie, Shusaku

Abrégé

A semiconductor device includes a chip having a main surface, a first conductivity type drain region formed in a surficial portion of the main surface, a first conductivity type source region formed in a region differing from the drain region in the surficial portion of the main surface, a second conductivity type back gate region formed in a region differing from the drain region and from the source region in the surficial portion of the main surface so as to be electrically separated from the drain region and from the source region, a gate insulation film covering the source region on the main surface, and a gate electrode formed on the gate insulation film.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/40 - Electrodes
  • H01L 29/08 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée

79.

GATE DRIVER

      
Numéro d'application 18593692
Statut En instance
Date de dépôt 2024-03-01
Date de la première publication 2024-06-20
Propriétaire Rohm Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s) Yanagishima, Daiki

Abrégé

A gate driver includes: a gate driving circuit configured to generate a gate driving signal for a power device according to a gate control signal; and a driving capacity switch circuit configured to raise the gate driving capacity of the gate driving circuit when a time-variation signal obtained by passing the gate driving signal in the on-transition period of the power device through a high-pass filter becomes lower than a threshold value.

Classes IPC  ?

  • H03K 17/56 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs
  • H03H 7/06 - Réseaux à deux accès sélecteurs de fréquence comprenant des résistances

80.

SEMICONDUCTOR DEVICE, ELECTRONIC APPARATUS, AND VEHICLE

      
Numéro d'application JP2023034276
Numéro de publication 2024/127760
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-09-21
Date de publication 2024-06-20
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Adrian Joita
  • Takuma Toru
  • Muraoka Kenji
  • Takahashi Shuntaro

Abrégé

A semiconductor device 1 comprises: a power supply terminal T1; an output terminal T2; a ground terminal T4; an output transistor 10 connected between the power supply terminal T1 and the output terminal T2; a gate driver 31 that drives the output transistor 10; and a reverse connection protection circuit 110 that turns on the output transistor 10, without depending on the gate driver 31, when the ground terminal T4 has a higher potential than the power supply terminal T1. The reverse connection protection circuit 110 includes: a first transistor M1 connected between the power supply terminal T1 and the output terminal T2; a voltage comparator CMP that detects whether the ground terminal T4 has a higher potential than the power supply terminal T1, and generates a reverse connection detection signal DET; and drive units DRV1 and DRV2 that drive the first transistor M1 and the output transistor 10, respectively, according to the reverse connection detection signal DET.

Classes IPC  ?

  • H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
  • H02H 3/087 - Circuits de protection de sécurité pour déconnexion automatique due directement à un changement indésirable des conditions électriques normales de travail avec ou sans reconnexion sensibles à une surcharge pour des systèmes à courant continu
  • H02J 1/00 - Circuits pour réseaux principaux ou de distribution, à courant continu
  • H02J 7/00 - Circuits pour la charge ou la dépolarisation des batteries ou pour alimenter des charges par des batteries
  • H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques

81.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2023034277
Numéro de publication 2024/127761
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-09-21
Date de publication 2024-06-20
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Okada Tomokazu

Abrégé

A semiconductor device 1C is a semiconductor device in which at least a first chip 30 is packaged. A first chip 30 comprises: a microcomputer 31; a first non-volatile memory 32b; and an interface 34 to which a rewritable second non-volatile memory 41 physically separated from the first chip 30 can be connected. The microcomputer 31 reads a program from the first non-volatile memory 32b or from the second non-volatile memory 41 via the interface 34 and executes the program.

Classes IPC  ?

  • G06F 15/78 - Architectures de calculateurs universels à programmes enregistrés comprenant une seule unité centrale
  • G11C 5/04 - Supports pour éléments d'emmagasinage; Montage ou fixation d'éléments d'emmagasinage sur de tels supports
  • G06F 12/06 - Adressage d'un bloc physique de transfert, p.ex. par adresse de base, adressage de modules, extension de l'espace d'adresse, spécialisation de mémoire

82.

SWITCHING CONTROL DEVICE AND MOTOR SYSTEM

      
Numéro d'application JP2023037163
Numéro de publication 2024/127793
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-10-13
Date de publication 2024-06-20
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Esumi Takashi

Abrégé

This switching control device comprises: a PWM duty conversion unit that converts voltage instruction signals of three phases into respective PWM duties; a PWM duty adjustment unit that simultaneously adjusts the PWM duties of the three phases at the same time by the same adjustment value; a pulse generation unit that generates pulse signals from the PWM duties adjusted by the duty adjustment unit; and an inverter circuit that has a plurality of switching elements driven by the pulse signals generated by the pulse generation unit.

Classes IPC  ?

  • H02M 7/48 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande

83.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MODULE, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2023042037
Numéro de publication 2024/127935
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-11-22
Date de publication 2024-06-20
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Nishimura Isamu

Abrégé

This semiconductor device is equipped with a plurality of GaN units which are provided so as to be separate from one another in the Y-direction inside a first sealing resin. The GaN units include a substrate, a GaN transistor provided on the surface side of the substrate, and posts which are exposed from the first sealing resin and are provided on the source pad, the drain pad and the gate pad of each GaN transistor. The posts include a source post formed on the source pad of one of two GaN units which are adjacent in the Y-direction, and a drain post formed on the drain pad of the other of the two GaN units which are adjacent in the Y-direction. The semiconductor device is equipped with a connecting wiring layer which is provided to the sealing surface and electrically connects said source post and drain post to one another.

Classes IPC  ?

  • H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
  • H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
  • H01L 21/338 - Transistors à effet de champ à grille Schottky
  • H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
  • H01L 23/12 - Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles
  • H01L 23/522 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
  • H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
  • H01L 29/812 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une jonction PN ou une autre jonction redresseuse à grille Schottky

84.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2023042179
Numéro de publication 2024/127945
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-11-24
Date de publication 2024-06-20
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Hasegawa Ryohei

Abrégé

The semiconductor device comprises: a semiconductor element; a sealing resin; and a wiring part electrically connected to the semiconductor element. The sealing resin has a first resin surface and a second resin surface which face sides opposite from each other in a thickness direction. The wiring part includes a first metal layer and a second metal layer. The first metal layer includes a penetration wiring part exposed from the second resin surface. The second metal layer includes a connecting wiring part electrically connected to the penetration wiring part and the semiconductor element. At least a portion of the connecting wiring part is formed into an uneven shape as seen in the thickness direction.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/12 - Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles
  • H01L 23/28 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements

85.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SHEET MATERIAL REMOVING DEVICE

      
Numéro d'application JP2023042944
Numéro de publication 2024/128015
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-11-30
Date de publication 2024-06-20
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Ota, Shingo

Abrégé

This method for manufacturing a semiconductor device comprises: a sticking step for sticking a sheet material to a first main surface of a wafer which has a hexagonal closest-packing structure and which has formed therein an element structure; a machining step for machining a second main surface opposite to the first main surface; and a removing step for, after the machining step, removing the sheet material from the first main surface in a direction avoiding prescribed crystal directions. The prescribed crystal directions include a [11-20] direction and a [1-100] direction of the wafer, and a crystal direction equivalent to said directions.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
  • H01L 21/304 - Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe

86.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2023043391
Numéro de publication 2024/128062
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-12-05
Date de publication 2024-06-20
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Sugimoto Ataru
  • Yasutake Ippei

Abrégé

This semiconductor device comprises a semiconductor element, a wire, a sealing resin, and a heat storage member. The semiconductor element has a first electrode. The wire is electrically connected to the first electrode. The sealing resin covers the semiconductor element and the wire. The heat storage member is disposed between the first electrode and the sealing resin. The heat storage member has a higher thermal conductivity than the sealing resin. In an embodiment, the semiconductor device further comprises a first lead. The first lead has a die pad portion on which the semiconductor element is mounted.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/29 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par le matériau
  • H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
  • H01L 29/12 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ

87.

DISPLAY CONTROL DEVICE, AUTOMOBILE USING SAME, AND DISPLAY SYSTEM

      
Numéro d'application JP2023043658
Numéro de publication 2024/128094
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-12-06
Date de publication 2024-06-20
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Matsubayashi Masato

Abrégé

This display control device comprises: an output interface that outputs, to a display device, video data and on screen display (OSD) image data superimposed on the video data; and an acquisition unit that acquires mask data for masking the display of the display device. When switching the video data to be output to the display device, the output interface outputs mask data to the display device such that the display on the display device is masked when the display transitions on the display device in accordance with the switching of video data.

Classes IPC  ?

  • G09G 5/00 - Dispositions ou circuits de commande de l'affichage communs à l'affichage utilisant des tubes à rayons cathodiques et à l'affichage utilisant d'autres moyens de visualisation
  • B60K 35/00 - Agencement ou adaptations des instruments
  • G09G 5/37 - Dispositions ou circuits de commande de l'affichage communs à l'affichage utilisant des tubes à rayons cathodiques et à l'affichage utilisant d'autres moyens de visualisation caractérisés par l'affichage de dessins graphiques individuels en utilisant une mémoire à mappage binaire - Détails concernant le traitement de dessins graphiques
  • G09G 5/377 - Dispositions ou circuits de commande de l'affichage communs à l'affichage utilisant des tubes à rayons cathodiques et à l'affichage utilisant d'autres moyens de visualisation caractérisés par l'affichage de dessins graphiques individuels en utilisant une mémoire à mappage binaire - Détails concernant le traitement de dessins graphiques pour mélanger ou superposer plusieurs dessins graphiques
  • H04N 5/66 - Transformation de l'information électrique en information lumineuse

88.

STORAGE DEVICE, SENSOR DEVICE, AND SENSOR SYSTEM

      
Numéro d'application JP2023043812
Numéro de publication 2024/128120
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-12-07
Date de publication 2024-06-20
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Yamashiro Yo

Abrégé

This storage device comprises: a first storage unit and a second storage unit configured to store data with mutually opposite polarities; and an error detecting unit configured to detect an error if an output of the first storage unit and an output of the second storage unit have the same polarity.

Classes IPC  ?

  • G06F 11/16 - Détection ou correction d'erreur dans une donnée par redondance dans le matériel
  • G01P 15/18 - Mesure de l'accélération; Mesure de la décélération; Mesure des chocs, c. à d. d'une variation brusque de l'accélération dans plusieurs dimensions
  • G01P 15/125 - Mesure de l'accélération; Mesure de la décélération; Mesure des chocs, c. à d. d'une variation brusque de l'accélération en ayant recours aux forces d'inertie avec conversion en valeurs électriques ou magnétiques au moyen de capteurs à capacité
  • G06F 11/10 - Détection ou correction d'erreur par introduction de redondance dans la représentation des données, p.ex. en utilisant des codes de contrôle en ajoutant des chiffres binaires ou des symboles particuliers aux données exprimées suivant un code, p.ex. contrôle de parité, exclusion des 9 ou des 11

89.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

      
Numéro d'application 17909813
Statut En instance
Date de dépôt 2021-03-03
Date de la première publication 2024-06-20
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Ishida, Takeshi
  • Hamazawa, Yasushi

Abrégé

A semiconductor device 1 includes a p type substrate 4, an n type semiconductor layer 5 that is formed on the p type substrate, and a transistor 40 with the n type semiconductor layer as a drain, the transistor includes a p type well region 15 that is formed in a surface layer portion of the n type semiconductor layer and has an n type source contact region in a surface layer portion thereof and an n type drain contact region 14 that is formed in the surface layer portion of the n type semiconductor layer and is disposed at an interval from the p type well region 15, and, inside the n type semiconductor layer, a p type embedded layer 10 is formed below the p type well region.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

90.

COMMUNICATION SYSTEM

      
Numéro d'application 18418562
Statut En instance
Date de dépôt 2024-01-22
Date de la première publication 2024-06-20
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Matsubara, Hideki

Abrégé

A communication system is configured to be capable of executing an address assignment process including: a first process for detecting presence/absence of an identification current input by means of an identification current detection unit when a constant current supply has generated an identification current output with a switch and a second transistor in an off state; and a second process for repeatedly executing the first process while, with respect to a slave among the slaves that has had the identification current input detected therein, stopping generation of the identification current output thereafter, and assigning an address to a single slave among the slaves that has not had the identification current input detected therein, and is also configured to be capable of executing the address assignment process while excluding a slave among the slaves that has had the address assigned thereto.

Classes IPC  ?

  • H04L 61/5038 - Allocation d'adresse pour une utilisation locale, p.ex. dans des réseaux LAN ou USB, ou dans un réseau de contrôle [CAN]
  • H04L 12/40 - Réseaux à ligne bus
  • H04L 61/5046 - Résolution des conflits d'allocation d'adresses; Test des adresses

91.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18420385
Statut En instance
Date de dépôt 2024-01-23
Date de la première publication 2024-06-20
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Kitaguro, Koichi

Abrégé

A semiconductor device includes a semiconductor element, a conductive member connected to the semiconductor element and a sealing resin covering the semiconductor element. The conductive member includes: a first lead including a mounting portion with the semiconductor element mounted thereon and a first terminal connected to the mounting portion; and a second lead including a second terminal. The first terminal and the second terminal include a portion protruding from the sealing resin in x direction. The sealing resin includes a resin obverse surface and a resin reverse surface facing away from each other in z direction. The sealing resin includes a resin end surface connected to the resin obverse surface and the resin reverse surface and facing in the direction in which the first and second terminals protrude. At the resin end surface, the first terminal and the second terminal are spaced apart in y direction and z direction.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
  • H01L 23/495 - Cadres conducteurs

92.

SIGNAL PROCESSING DEVICE, ULTRASONIC SYSTEM, AND VEHICLE

      
Numéro d'application 18431611
Statut En instance
Date de dépôt 2024-02-02
Date de la première publication 2024-06-20
Propriétaire Rohm Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s) Tsuboi, Takahiro

Abrégé

A signal processing device includes a wave-transmission signal generator configured to generate a wave-transmission signal for wave transmission of an ultrasonic wave, a wave-reception signal output unit configured to output a wave-reception signal based on wave reception of an ultrasonic wave, and an own-wave recognition unit configured to recognize an own wave which is a reflected wave of the wave transmission that may be included in the wave reception. The wave-transmission signal generator is configured to generate the wave-transmission signal with a modulation pattern based on a true random number or a pseudo random number. The number of sections of the wave-transmission signal for each of which a frequency modulation pattern is individually settable in a time series is smaller than the number of bits of the true random number or the pseudo random number.

Classes IPC  ?

  • G01S 7/536 - Extraction des signaux d'écho désirés
  • G01S 15/32 - Systèmes pour mesurer la distance uniquement utilisant la transmission d'ondes continues, soit modulées en amplitude, en fréquence ou en phase, soit non modulées
  • G01S 15/931 - Systèmes sonar, spécialement adaptés à des applications spécifiques pour prévenir les collisions de véhicules terrestres

93.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18538771
Statut En instance
Date de dépôt 2023-12-13
Date de la première publication 2024-06-20
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Sakamoto, Tadayuki

Abrégé

The present disclosure provides a semiconductor device. The semiconductor device includes: a semiconductor element having multiple electrodes; and a support body, in which the electrodes are bonded by multiple conductive bonding materials. The support body includes a first conductive portion and a second conductive portion. The electrodes include first to fourth electrodes, a first detection electrode and a second detection electrode. The semiconductor element further includes first to third wirings. A conduction path is configured to sequentially include the first wiring, the first electrode, the first conductive portion, the second electrode, the second wiring, the third electrode, the second conductive portion, the fourth electrode and the third wiring between the first detection electrode and the second detection electrode.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

94.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18588034
Statut En instance
Date de dépôt 2024-02-27
Date de la première publication 2024-06-20
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Yoshida, Kazuki
  • Kataoka, Hajime

Abrégé

A semiconductor device includes a semiconductor element and a conductive member. The semiconductor element includes a first wiring line connected to the conductive member, a second wiring line separated from the first wiring line and at least partially surrounding the first wiring line, and a passivation layer covering the first wiring line and the second wiring line. The passivation layer includes a first opening partially exposing the first wiring line as a connection region for the conductive member, a first slit located between the first opening and the second wiring line and partially exposing the first wiring line, and a second slit partially exposing the second wiring line.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
  • H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter

95.

POWER CONVERSION DEVICE

      
Numéro d'application 18588578
Statut En instance
Date de dépôt 2024-02-27
Date de la première publication 2024-06-20
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Hayashiguchi, Masashi

Abrégé

The power conversion device includes a first semiconductor module, a second semiconductor module, a third semiconductor module, and a capacitor module. As viewed in a z direction, the first center line of the first semiconductor module, the second center line of the second semiconductor module, and the third center line of the third semiconductor module intersect the capacitor body. The first angle formed by the first center line and the second center line and the second angle formed by the second center line and the third center line are equal to each other. The lengths of the first busbar, the second busbar and the third busbar are equal to each other.

Classes IPC  ?

  • H02M 7/537 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs, p.ex. onduleurs à impulsions à un seul commutateur
  • H01L 23/495 - Cadres conducteurs
  • H02M 7/00 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu; Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif

96.

RESISTOR

      
Numéro d'application JP2023030891
Numéro de publication 2024/127730
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-08-28
Date de publication 2024-06-20
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Moriya, Kohsuke

Abrégé

This resistor comprises an insulating substrate, a first electrode and a second electrode, and a resistive body. The first electrode and the second electrode are disposed on the insulating substrate in a first direction facing each other across a gap. The resistive body is electrically connected to the first electrode and the second electrode and has a first resistance layer and a second resistance layer and a first heat dissipation layer. The first resistance layer is disposed on the insulating substrate between the first electrode and the second electrode. The first resistance layer has, in a second direction that is orthogonal to the first direction, a first end part and a second end part that is an end part on an opposite side from the first end part. The second resistance layer has, in the second direction, a third end part that is electrically connected to the first end part, and a fourth end part that is an end part on an opposite side from the third end part. The second resistance layer is disposed on the first resistance layer with the first heat dissipation layer interposed therebetween.

Classes IPC  ?

  • H01C 7/00 - Résistances fixes constituées par une ou plusieurs couches ou revêtements; Résistances fixes constituées de matériau conducteur en poudre ou de matériau semi-conducteur en poudre avec ou sans matériau isolant
  • H01C 1/084 - Dispositions de réfrigération, de chauffage ou de ventilation par refroidissement naturel, p.ex. ailettes, dissipateurs thermiques

97.

ELECTRONIC DEVICE

      
Numéro d'application JP2023042664
Numéro de publication 2024/127985
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-11-29
Date de publication 2024-06-20
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Takeda Hirofumi

Abrégé

This electronic device comprises: a wiring layer; an electronic element conductively joined to the wiring layer; and a sealing resin that covers the electronic element. The sealing resin has a top surface that faces a first direction and is located on the opposite side from the wiring layer in the first direction relative to the electronic component. The electronic device further comprises: a pillar that extends in the first direction and is electrically conductive with the wiring layer; and a shield that covers at least part of the top surface and is electrically conductive with the pillar. The pillar has a peripheral surface that faces a direction perpendicular to the first direction and a connection surface that faces the same direction as the top surface in the first direction. The peripheral surface is covered by the sealing resin. The connection surface is in contact with the shield.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
  • H01L 23/12 - Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles
  • H01L 23/28 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
  • H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

98.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2023042902
Numéro de publication 2024/128011
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-11-30
Date de publication 2024-06-20
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Aoyama Hiroaki

Abrégé

This semiconductor device comprises: multiple leads; a semiconductor element that is supported by the multiple leads and that is conductive with respect to at least any one of the multiple leads; and a sealing resin that covers a portion of each of the multiple leads and that also covers the semiconductor element. When viewed in the thickness direction, the center of the semiconductor element is offset with respect to the center of the sealing resin on one side in a first direction. The multiple leads include a first lead that is at a position closest to a first corner located on the one side in the first direction and that is conductive with respect to the semiconductor element. An end surface of the first lead is exposed from a first side surface of the sealing resin. A back surface of the first lead is exposed from the bottom surface of the sealing resin. The area of that back surface is greater than the area of the back surface of a lead that is adjacent to the first lead and that is conductive with respect to the semiconductor element.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/50 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes pour des dispositifs à circuit intégré
  • H01L 23/28 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements

99.

Semiconductor module

      
Numéro d'application 29823890
Numéro de brevet D1031652
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-01-20
Date de la première publication 2024-06-18
Date d'octroi 2024-06-18
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Hara, Hideo

100.

MACRO MODEL OF A SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE, CIRCUIT DESIGN SIMULATION PROGRAM, AND CIRCUIT DESIGN SIMULATOR

      
Numéro d'application 18584264
Statut En instance
Date de dépôt 2024-02-22
Date de la première publication 2024-06-13
Propriétaire ROHM CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Marumoto, Kyoji
  • Katayama, Takuya

Abrégé

According to one aspect of what is disclosed herein, a macro model of a semiconductor integrated circuit device is for use on a circuit design simulator and includes: an input node configured to accept input of a second temperature condition which is set specifically and separately from a first temperature condition which is set for the entire system of the circuit design simulator; functional blocks configured to approximately or equivalently represent characteristics of the semiconductor integrated circuit device on the circuit design simulator; and a characteristics setting block configured to set internal parameters of the functional blocks so as to reflect the second temperature condition when the input node is fed with the second temperature condition.

Classes IPC  ?

  • G06F 30/3308 - Vérification de la conception, p.ex. simulation fonctionnelle ou vérification du modèle par simulation
  • G06F 1/20 - Moyens de refroidissement
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