Abrégé

A control circuit 30 of the present invention comprises: a zero current detection threshold calculation unit 31 which calculates zero current detection thresholds Vth1, Vth2 on the basis of a first divided voltage VFB obtained by dividing an output voltage of a DC conversion circuit 20; a zero current detection unit 32 which detects timing, at which a current flowing through an inductor L becomes zero, by comparing the zero current detection thresholds Vth1, Vth2 calculated by the zero current detection threshold calculation unit 31 and the voltage VFB based on a voltage applied to a switching element Q; and a switching element driving control unit 34 which controls turn-on of the switching element Q on the basis of the timing at which the current flowing through the inductor L, which is detected by the zero current detection unit 32, becomes zero.　According to the control circuit 30 of the present invention, the timing at which the inductor current becomes zero can be detected even in a case, such as immediately after startup, where the output voltage has not increased completely.

Classes IPC  ?

• H02M 3/155 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
• H02M 7/12 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande

Abrégé

This battery charging device comprises: an electric power generator that generates electric power in accordance with rotation of a rotor and outputs an AC signal that corresponds to the generated electric power; a switching element that rectifies the AC signal outputted by the electric power generator and supplies the rectified AC signal to the battery as charging electric power; a diode that supplies movement electric power to a load unit, the diode being connected between the load unit and an output line of the switching element; a capacitor that is connected to an output line of the diode and is connected in parallel to the load unit; a voltage control unit that controls conduction to the switching element such that the voltage supplied to the load unit becomes an output-target set voltage; and a switching control unit that reduces the set voltage when the battery enters an abnormal state in which the battery cannot be used.

Classes IPC  ?

• H02J 7/34 - Fonctionnement en parallèle, dans des réseaux, de batteries avec d'autres sources à courant continu, p.ex. batterie tampon
• H02H 7/20 - Circuits de protection de sécurité spécialement adaptés pour des machines ou appareils électriques de types particuliers ou pour la protection sectionnelle de systèmes de câble ou ligne, et effectuant une commutation automatique dans le cas d'un chan pour équipement électronique
• H02J 7/00 - Circuits pour la charge ou la dépolarisation des batteries ou pour alimenter des charges par des batteries

Abrégé

This battery charging device comprises: a rectifying unit which outputs, as charging power for a battery, direct-current power obtained by rectifying three-phase alternating-current power by means of conduction of switch elements connected to respective output signal lines of the three-phase alternating-current power, the three-phase alternating-current power being output by an electric power generator in accordance with the rotation of a rotor; a power source maintaining switch capable of maintaining a state in which control power for the switch elements, from the battery, can be supplied when a main switch is in an interrupting state stopping the supply of the control power to a power source supply line; and a control unit which controls the conduction of the switch elements and which, if the main switch is turned to the interrupting state, maintains the power source maintaining switch in a state in which the control power for the switch elements can be supplied, and if the rotor is rotating, controls negative electrode side switch elements connected to a negative electrode of the battery to a conducting state.

Classes IPC  ?

• H02J 7/14 - Circuits pour la charge ou la dépolarisation des batteries ou pour alimenter des charges par des batteries pour la charge de batteries par des générateurs dynamo-électriques entraînés à vitesse variable, p.ex. sur véhicule

Abrégé

There is provided a thyristor with desensitized gate sensitivity. In accordance with this, the third P-type semiconductor layer, which is connected to a gate electrode, has an impurity concentration higher than that of a second P-type semiconductor layer. A fourth P-type semiconductor layer, which is in contact with each of the second P-type semiconductor layer and the second N-type semiconductor layer, is disposed below the cathode electrode, and has an impurity concentration higher than that of the second P-type semiconductor layer.

Classes IPC  ?

• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
• H01L 29/74 - Dispositifs du type thyristor, p.ex. avec un fonctionnement par régénération à quatre zones
• H01L 29/36 - Corps semi-conducteurs caractérisés par la concentration ou la distribution des impuretés

Abrégé

This motor control device includes a control circuit that, in a first period, controls a high-side switching element of a first arm to be on, controls a low-side switching element of the first arm to be off, controls high-side and low-side switching elements of a second arm to be off, controls a high-side switching element of a third arm to be off, and controls a low-side switching element of the third arm to be on, and, in a second period following the first period, controls the high-side switching element of the first arm to be off, controls the low-side switching element of the first arm to be on, controls the high-side switching element of the second arm to be on, controls the low-side switching element of the second arm to be off, controls the high-side switching element of the third arm to be off, and controls the low-side switching element of the third arm to be on.

Classes IPC  ?

• H02P 6/10 - Dispositions pour commander l'ondulation du couple, p.ex. en assurant une ondulation réduite du couple
• H02P 27/08 - Dispositions ou procédés pour la commande de moteurs à courant alternatif caractérisés par le type de tension d'alimentation utilisant une tension d’alimentation à fréquence variable, p.ex. tension d’alimentation d’onduleurs ou de convertisseurs utilisant des convertisseurs de courant continu en courant alternatif ou des onduleurs avec modulation de largeur d'impulsions

Abrégé

This electric current detection device comprises: a plurality of first Rogowski coils that detect electric current flowing to first switching elements; a plurality of second Rogowski coils that detect electric current flowing to second switching elements; a plurality of first integral circuits that have a reset function, integrate an output of the first Rogowski coils, and output a first detection signal; a plurality of second integral circuits that have a reset function, integrate an output of the second Rogowski coils, and output a second detection signal; a detection processing unit that detects, on the basis of the first detection signal and the second detection signal, electric current flowing to an inverter part; a first reset output unit that outputs a first reset signal for resetting the plurality of first integral circuits in a first period in which all of the first switching elements are in a non-conducting state; and a second reset output unit that outputs a second reset signal for resetting the plurality of second integral circuits in a second period in which all of the second switching elements are in a non-conducting state.

Classes IPC  ?

• G01R 15/18 - Adaptations fournissant une isolation en tension ou en courant, p.ex. adaptations pour les réseaux à haute tension ou à courant fort utilisant des dispositifs inductifs, p.ex. des transformateurs

Abrégé

A semiconductor device 1 according to the present invention comprises a semiconductor substrate 10, a first electrode 20, and an insulating layer 30, wherein the semiconductor substrate 10 has: a first semiconductor region 12 of a first conductivity type (n-type); a second semiconductor region 16 of a second conductivity type (p-type) and formed at a position in contact with the first electrode 20 and the insulating layer 30; and a third semiconductor region 18 of a first conductivity type (n-type) formed in contact with the second semiconductor region 16 so as to surround the second semiconductor region 16 in a plan view. In the semiconductor device 1, when the sum of impurities of the second semiconductor region 16 is S1 and the sum of impurities of the third semiconductor region 18 is S2, the relationship S1

Classes IPC  ?

• H01L 29/872 - Diodes Schottky
• H01L 21/329 - Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type bipolaire, p.ex. diodes, transistors, thyristors les dispositifs comportant une ou deux électrodes, p.ex. diodes
• H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
• H01L 29/861 - Diodes
• H01L 29/866 - Diodes Zener
• H01L 29/868 - Diodes PIN

Abrégé

The present invention is an electronic module comprising: a first semiconductor element that has a plurality of first electrodes; a second semiconductor element that has a plurality of second electrodes; a capacitor; a substrate that has a first wiring pattern on which the first semiconductor element is mounted, a second wiring pattern on which the second semiconductor element is mounted, and a third wiring pattern; and a plurality of electrical connection members. The first wiring pattern has one part of the first electrodes and another part of the second electrodes connected thereto. The second wiring pattern has one part of the second electrodes and one part of the capacitor connected thereto. The third wiring pattern has another part of the first electrodes and another part of the capacitor connected thereto. The plane of the first electrodes and the plane of the second electrodes are at mutually different height positions. The one part of the first electrodes, the another part of the second electrodes, and the first wiring pattern are connected by one electrical connection member among the plurality of electrical connection members. According to the present invention, an electronic module can be provided that satisfies the requirements of operation stability and reliability even during a high-speed switching operation.

Classes IPC  ?

• H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 23/12 - Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles
• H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
• H02M 7/48 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande

Abrégé

The present invention provides a plate-like electrical connecting member 110 used to connect an electrode of an electrode-including semiconductor element to a wiring pattern, the electrical connecting member including a semiconductor connection area 118 connected to an electrode of a semiconductor element via a conductive bonding material, a non–semiconductor-connection area 120 not connected to an electrode of a semiconductor element, and a wiring pattern connection area 122 connected to a wiring pattern, wherein a plurality of protrusions 112 are formed in the semiconductor connection area 118 and first through-hole 114 is formed between two adjacent protrusions 112 among the plurality of protrusions 112.　According to the electrical connecting member according to the present invention, the thickness of the conductive bonding material is less likely to be non-uniform.

Classes IPC  ?

• H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
• H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
• H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,

Abrégé

Disclosed is a drive device for winding-field-type rotary electrical machines, said drive device comprising: a first switching element between one end of a rotor winding and a high-potential-side line of a power source; a second switching element between the other end of the rotor winding and a low-potential-side line of the power source; and a control device. The control device performs driving in a first mode, in which the states of both the first switching element and the second switching element are switched between an on state and an off state, when the current applied to the rotor winding is to be decreased, and performs driving in a second mode, in which the state of one of the first switching element and the second switching element is maintained in an on state while the state of the other of the first switching element and the second switching element is switched between an on state and an off state, when the current applied to the rotor winding is to be increased.

Classes IPC  ?

• H02P 25/024 - Moteurs synchrones commandés par la fréquence d’alimentation
• H02P 27/06 - Dispositions ou procédés pour la commande de moteurs à courant alternatif caractérisés par le type de tension d'alimentation utilisant une tension d’alimentation à fréquence variable, p.ex. tension d’alimentation d’onduleurs ou de convertisseurs utilisant des convertisseurs de courant continu en courant alternatif ou des onduleurs

Abrégé

This semiconductor device 100 comprises a semiconductor substrate 110, a plurality of trenches 120, a gate insulation film 122, a gate electrode 124, an interlayer insulation film 130, and a surface electrode 140. The semiconductor substrate 110 has a second-electroconductivity-type projecting region 115 that is formed so as to project from the bottom of a second-electroconductivity-type semiconductor region 113 and is set apart from the trenches 120. The peak position of the impurity concentration in the projecting region 115 is deeper than the bottom of the second-electroconductivity-type semiconductor region 113. The total amount of impurities in a depth-direction cross-section of the projecting region 115 is equal to or less than the total amount of impurities in a depth-direction cross-section of the second-electroconductivity-type semiconductor region 113.　According to this semiconductor device 100, switching loss and gate drive loss are low and parasitic bipolar activity does not readily occur even when the impurity concentration in a first-electroconductivity-type semiconductor layer is high.

Classes IPC  ?

• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
• H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
• H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
• H01L 29/41 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative
• H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ

Abrégé

A wide gap semiconductor device has a wide gap semiconductor layer 10; and a metal electrode 20 disposed on the wide gap semiconductor layer 10. The metal electrode 20 has a monocrystalline layer 21 having a hexagonal close-packed (HCP) structure in an interface region between the metal electrode 20 and the wide gap semiconductor layer 10. The monocrystalline layer 21 has a specific element-containing region 22 containing O, S, P or Se.

Classes IPC  ?

• H01L 29/872 - Diodes Schottky
• H01L 29/47 - Electrodes à barrière de Schottky

Abrégé

[Problem] To provide a semiconductor device capable of suppressing channel current without increasing manufacturing processes and accurately forming a channel current suppression structure. [Solution] A semiconductor device 1 according to the present invention comprises: a substrate 10; an epitaxial layer 20 formed on the substrate 10; and an insulating film 35 provided to one surface 20a side of the epitaxial layer 20. An active part 40 provided with a prescribed element and a channel current suppression part 50 of a terminal end part 70 side provided outside the active part 40 are provided on the one surface 20a side of the epitaxial layer 20 with the insulating layer 35 therebetween. The channel current suppression part 50 is provided with a trench 51 for suppressing channel current flowing from the active part 40 to the terminal end part 70.

Classes IPC  ?

• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
• H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
• H01L 29/872 - Diodes Schottky

Abrégé

[Problem] To provide a thyristor having a desensitized gate sensitivity. [Solution] The present invention is a thyristor comprising: a first P-type semiconductor layer 11; a first N-type semiconductor layer 12 located in contact with the first P-type semiconductor layer; a second P-type semiconductor layer 13 located in contact with the first N-type semiconductor layer; a second N-type semiconductor layer 14 located in contact with the second P-type semiconductor layer; a third P-type semiconductor layer 15a located in contact with the second P-type semiconductor layer, and having a higher impurity concentration than the second P-type semiconductor layer; a gate electrode G; a cathode electrode K; and a fourth P-type semiconductor layer 15b in contact with each of the second P-type semiconductor layer and the second N-type semiconductor layer, and having a higher impurity concentration than the second P-type semiconductor layer. The third P-type semiconductor layer and the fourth P-type semiconductor layer are separated by the second P-type semiconductor layer, and the third P-type semiconductor layer and the second N-type semiconductor layer are separated by the second P-type semiconductor layer.

Classes IPC  ?

• H01L 29/74 - Dispositifs du type thyristor, p.ex. avec un fonctionnement par régénération à quatre zones

Abrégé

The semiconductor device includes a mesa diode structure(20) and a protective layer(17b). The mesa diode structure includes, from bottom to top, a P-type semiconductor layer(11), a first N-type semiconductor layer(12), and a second N-type semiconductor layer(13) having a higher impurity concentration than the first N-type semiconductor layer. The protective layer is arranged on a side wall around the mesa diode structure seen in a plane. Specifically, the protective layer is arranged on an upper side surface(11c) of the P-type semiconductor layer and on side surfaces(12a,13a) of the first N-type semiconductor layer and the second N-type semiconductor layer, but is not arranged on a lower side surface of the P-type semiconductor layer. A bevel angle(30) of a PN junction plane between the P-type semiconductor layer and the first N-type semiconductor layer to the upper side surface of the P-type semiconductor layer is set to 85 to 120 degrees.

Classes IPC  ?

• H01L 29/861 - Diodes
• H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 29/45 - Electrodes à contact ohmique
• H01L 21/285 - Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p.ex. condensation
• H01L 21/304 - Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
• H01L 21/311 - Gravure des couches isolantes
• H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
• H01L 21/78 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

Abrégé

[Problem] To provide a bidirectional thyristor with which (dv/dt)c tolerance can be improved. [Solution] The present invention provides a bidirectional thyristor comprising first and second first conduction type semiconductor layers 11, 21, first and second second conduction type semiconductor layers 13, 12, a plurality of carrier discharge portions 11a disposed in a third second conduction type semiconductor layer, a fourth second conduction type semiconductor layer 15, first and second electrodes 31, 32, a gate electrode 16, and a passivation film 17, wherein: in relation to the plurality of carrier discharge portions 11a, openings are formed in the third second conduction type semiconductor layer 14, the first first conduction type semiconductor layer 11 is positioned in the holes, and the carrier discharge portions 11a are arranged in an interval between a position separated a predetermined distance from the gate electrode and an outer edge of the first electrode, in a plan view; the plurality of carrier discharge portions are disposed so as to be in contact with the outer edge of the first electrode; the outer edge of the first electrode in contact with two or more of the plurality of carrier discharge portions is in contact with the passivation film; and an area of a triangle 33 is less than an area of a rectangle 22 in a plan view.

Classes IPC  ?

• H01L 29/747 - Dispositifs bidirectionnels, p.ex. triacs
• H01L 29/74 - Dispositifs du type thyristor, p.ex. avec un fonctionnement par régénération à quatre zones

Abrégé

To arrange an auxiliary member (2) having a greater absorption rate of laser light (LL) than a plurality of members (1) to be joined to each other so as to face a boundary exposed surface (12) of the plurality of members to be joined where a boundary (11) of the plurality of members to be joined is exposed, to melt the auxiliary member by applying laser light to the auxiliary member, to shift a boundary portion (13) in a state where laser light is easily absorbed by increasing a temperature of the boundary portion of the plurality of members to be joined by a melted portion (23) of the auxiliary member, and to weld a plurality of members to be joined by applying laser light to the boundary portion and melting the boundary portion.

Classes IPC  ?

• B23K 26/18 - Travail par rayon laser, p.ex. soudage, découpage ou perçage  utilisant des couches absorbantes sur la pièce à travailler, p.ex. afin de marquer ou de protéger
• B23K 26/21 - Assemblage par soudage

Abrégé

A wide gap semiconductor device has: a wide gap semiconductor layer; and a metal layer 20 provided on the wide gap semiconductor layer. The metal layer 20 has a single crystal layer 21 in an interface region at an interface with the wide gap semiconductor layer. When it is assumed that a lattice constant, in an equilibrium state, of a metal constituting the metal layer 20 is L, the single crystal layer 21 in the interface region includes a first region in which a lattice constant L1 is smaller than L by 1.5% to 8%.

Classes IPC  ?

• H01L 29/47 - Electrodes à barrière de Schottky
• H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
• H01L 29/04 - Corps semi-conducteurs caractérisés par leur structure cristalline, p.ex. polycristalline, cubique ou à orientation particulière des plans cristallins
• H01L 29/872 - Diodes Schottky
• H01L 21/04 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

Abrégé

A semiconductor device includes: an insulating substrate; a first conductor portion and a second conductor portion that are formed on the insulating substrate; a semiconductor element disposed on the first conductor portion; a first terminal having a flat plate-shape that is connected to a first electrode of the semiconductor element; a second terminal having a flat plate-shape that is connected to the first conductor portion; and a sealing resin that seals the insulating substrate, the first conductor portion, the second conductor portion, and the semiconductor element. Each of the first terminal and the second terminal includes: an inner terminal portion disposed inside the sealing resin; and an outer terminal portion disposed in a state of being exposed to an exterior of the sealing resin, and a female thread portion is provided in the outer terminal portion of each of the first terminal and the second terminal.

Classes IPC  ?

• H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 23/495 - Cadres conducteurs
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 23/18 - Matériaux de remplissage caractérisés par le matériau ou par ses propriétes physiques ou chimiques, ou par sa disposition à l'intérieur du dispositif complet

Abrégé

A semiconductor device includes: an insulating substrate; a first conductor portion and a second conductor portion that are formed on the insulating substrate; a semiconductor element disposed on the first conductor portion; a first terminal that is connected to a first electrode of the semiconductor element; a second terminal that is connected to the first conductor portion; a connection member electrically connecting a control electrode of the semiconductor element and the second conductor portion to each other; a support member that is disposed at a predetermined distance from the second conductor portion; a pin terminal having that is supported in a state of being inserted through the support member and connected to the second conductor portion; and a sealing resin that seals the insulating substrate, the first conductor portion, the second conductor portion, the semiconductor element, the connection member, and the support member.

Classes IPC  ?

• H01L 23/495 - Cadres conducteurs
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition

Abrégé

A semiconductor device includes: plural conductor portions formed on an insulating substrate; a semiconductor element disposed on one of the plural conductor portions on the insulating substrate; a support member that is disposed at a predetermined distance from one of the plural conductor portions on the insulating substrate; a columnar pin terminal that is supported by the support member and is connected to the one of the plural conductor portions on the insulating substrate from which the support member is disposed at the predetermined distance; and a sealing resin that seals the insulating substrate, the plural conductor portions, the semiconductor element, and the support member. The support member has a through-hole having a polygonal shape and penetrating in a plate thickness direction of the support member, and the pin terminal is supported by the support member in a state in which the pin terminal is inserted through the through-hole.

Classes IPC  ?

• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 23/495 - Cadres conducteurs
• H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition

Abrégé

A battery charging device comprising: an electric generator that outputs an alternating-current signal corresponding to generated electric power; a switching element that rectifies the alternating-current signal output from the electric generator and supplies resultant charging power to a battery; a positive/negative switch determination unit that determines switching of positive and negative voltages of the alternating-current signal; a trigger output unit that, on the basis of a result of the determination by the positive/negative switch determination unit, outputs a trigger signal indicating a switching element conduction timing; a positive/negative determination control unit that detects the voltage of the alternating-current signal to detect the rotational speed of a rotor, and that, if the detected rotational speed is greater than or equal to a predetermined threshold value, causes the positive/negative switch determination unit to additionally maintain the determination of a negative voltage of the alternating-current signal for a predetermined period; and an invalidation control unit that invalidates the function of the positive/negative determination control unit if a load unit that consumes the power generated by the electric generator is connected in the negative voltage period of the alternating-current signal.

Classes IPC  ?

• H02J 7/16 - Régulation du courant ou de la tension de charge par variation de champ

Abrégé

A terminal member connected to a connection target portion includes: a bent portion bent toward the connection target portion; and a tip connection portion provided at a tip part of the bent portion, in which the tip connection portion is connected to the connection target portion via a conductive bonding material.

Classes IPC  ?

• H01L 23/495 - Cadres conducteurs
• H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 23/492 - Embases ou plaques

Abrégé

A battery charging device according to one aspect of the present invention comprises: a power generator that generates power in accordance with the rotation of a rotor to output an AC signal corresponding to the generated power; a switching element that rectifies the AC signal outputted from the power generator to supply the rectified signal to a battery as charge power; a positive/negative change determination unit that determines a change of the positive/negative voltages of the AC signal; a trigger output unit that, on the basis of the determination result by the positive/negative change determination unit, outputs a trigger signal indicating the conduction timing of the switching element; and a positive/negative determination control unit that, by detecting the voltage of the AC signal, detects the rotational speed of the rotor, and, when the detected rotational speed has reached a predetermined threshold value or higher, causes the positive/negative change determination unit to additionally maintain the determination of the negative voltage of the AC signal for a predetermined period.

Classes IPC  ?

• H02J 7/14 - Circuits pour la charge ou la dépolarisation des batteries ou pour alimenter des charges par des batteries pour la charge de batteries par des générateurs dynamo-électriques entraînés à vitesse variable, p.ex. sur véhicule

Abrégé

Provided is a control circuit which can discharge a charge stored in an X capacitor with certainty even when an alternating current input voltage largely fluctuates. The control circuit for controlling a discharge of an X capacitor C100 connected between power source lines AC1 and AC2 having different polarities of an alternating current of an AC-DC convertor which receives inputting of the alternating current, converts the alternating current into a direct current, and outputs the direct current wherein the control circuit detects a change state of a voltage of the X capacitor C100, and controls the discharge such that a charge stored in the X capacitor C100 is discharged based on the change state.

Classes IPC  ?

• H02J 7/00 - Circuits pour la charge ou la dépolarisation des batteries ou pour alimenter des charges par des batteries
• H02J 7/34 - Fonctionnement en parallèle, dans des réseaux, de batteries avec d'autres sources à courant continu, p.ex. batterie tampon

Abrégé

An electronic device includes: a substrate at which an electronic component is mounted; and a resin case configured to accommodate the substrate internally, in which: the case has an attachment portion configured to attach the case to a flat plate-shaped fixing portion of a fixture target by the fixing portion being inserted into the attachment portion and the attachment portion engaging with the fixing portion; the attachment portion has a first pressing portion having a convex portion that is inserted into a concave portion of the inserted fixing portion, and a pair of second pressing portions that hold between them respective side faces of the inserted fixing portion; and leading end sides of the pair of second pressing portions abut on the inserted fixing portion and are resiliently deformed in directions away from each other, holding between them the respective side faces of the fixing portion in a state in which the leading end sides have been resiliently deformed.

Classes IPC  ?

• H05K 7/00 - CIRCUITS IMPRIMÉS; ENVELOPPES OU DÉTAILS DE RÉALISATION D'APPAREILS ÉLECTRIQUES; FABRICATION D'ENSEMBLES DE COMPOSANTS ÉLECTRIQUES - Détails de construction communs à différents types d'appareils électriques
• H05K 7/14 - Montage de la structure de support dans l'enveloppe, sur cadre ou sur bâti
• H05K 5/02 - Enveloppes, coffrets ou tiroirs pour appareils électriques - Détails

Abrégé

A semiconductor device includes: a semiconductor base body including: a p-type substrate; and an n-type first semiconductor layer; a first electrode; a second electrode; an isolation film; an insulation film; and a third electrode disposed over the insulation film. The first electrode is electrically connected to a first circuit C1 that is connected to a first power source Vin. The second electrode is electrically connected to a second circuit C2 that is connected to a second power source Vcc. The semiconductor base body further includes a p-type back gate region that is formed in at least a region of the semiconductor base body that faces the third electrode by way of the insulation film with a depth that allows the back gate region to reach the substrate. A dopant concentration of the back gate region falls within a range of 1×1010 cm−3 to 1×1015 cm−3.

Classes IPC  ?

• H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
• H03K 17/30 - Modifications pour fournir un seuil prédéterminé avant commutation

Abrégé

A MOSFET includes: a semiconductor base substrate having an n-type column region and a p-type column region, the n-type column region and the p-type column region forming a super junction structure; and a gate electrode formed by way of a gate insulation film. Assuming a region of the semiconductor base substrate which provides a main operation of the MOSFET as an active region, a region of the semiconductor base substrate maintaining a withstand voltage of the MOSFET as an outer peripheral region, and a region of the semiconductor base substrate disposed between the active region and the outer peripheral region as an active connecting region, out of the active region, the active connecting region, and the outer peripheral region of the semiconductor base substrate, the crystal defects are formed only in the active region and the active connecting region.

Classes IPC  ?

• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
• H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
• H01L 29/32 - Corps semi-conducteurs ayant des surfaces polies ou rugueuses les défectuosités étant à l'intérieur du corps semi-conducteur
• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

Abrégé

A semiconductor device according to the present invention includes: a circuit board; a semiconductor element having a main electrode; a metal frame; and a metal plate having a flat plate shape, the metal plate being disposed between the metal frame and the main electrode, wherein the metal plate and a conductive bonding material, form a stress relaxation structure which relaxes a stress applied to metal plate and the conductive bonding material, disposed between the metal frame and the semiconductor element, and the stress relaxation structure is configured such that a thickness of the metal plate is smaller than a thickness of the metal frame, and at least one convex portion is formed on the metal plate at a position which corresponds to the main electrode. The semiconductor device according to the present invention can relax a stress applied to a conductive bonding material between a semiconductor element and a metal frame even when a relatively thick metal frame is used.

Classes IPC  ?

• H01L 23/495 - Cadres conducteurs
• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

Abrégé

A semiconductor apparatus according to the present invention is a semiconductor apparatus on which a plurality of external terminals are disposed. The semiconductor apparatus includes: a first lead portions having die pads, first outer leads and first inner leads; chips; second lead portions having second outer leads and second inner lead; and a resin. On at least one of the first inner leads, the second inner leads and the die pads, a terminal temperature equalizing structure which restricts a heat transfer amount of heat transferred from the chips to predetermined external terminals, and equalizes respective terminal temperatures of a plurality of external terminals is formed. A semiconductor apparatus according to the present invention is a semiconductor apparatus on which a plurality of external terminals are disposed. The semiconductor apparatus includes: a first lead portions having die pads, first outer leads and first inner leads; chips; second lead portions having second outer leads and second inner lead; and a resin. On at least one of the first inner leads, the second inner leads and the die pads, a terminal temperature equalizing structure which restricts a heat transfer amount of heat transferred from the chips to predetermined external terminals, and equalizes respective terminal temperatures of a plurality of external terminals is formed. According to the semiconductor apparatus of the present invention, it is possible to prevent specific external terminals from becoming extremely high temperature when the semiconductor apparatus is mounted.

Classes IPC  ?

• H01L 23/495 - Cadres conducteurs

Abrégé

This wide gap semiconductor device has a wide gap semiconductor layer 10, and a metal electrode 20 provided in the wide gap semiconductor layer 10. The metal electrode 20 has a single crystal layer 21 having a hexagonal close-packed structure (HCP) in an interface region on the metal electrode 20 side with the wide gap semiconductor layer 10. The single crystal layer 21 has a designated element content range 22 containing O, S, P or Se.

Classes IPC  ?

• H01L 29/47 - Electrodes à barrière de Schottky
• H01L 29/872 - Diodes Schottky

Abrégé

Provided is a semiconductor device in which a snubber-circuit is incorporated and can realize downsizing of a power conversion circuit into which the semiconductor device is assembled, and is flexibly applicable to various electric equipment. A semiconductor device includes a semiconductor substrate, a source electrode, a drain electrode, a plurality of trenches, a plurality of first electrodes disposed in a plurality of trenches by way of gate insulation films formed on side walls of the plurality of respective trenches, a plurality of second electrodes disposed above the plurality of first electrodes in a state where the second electrodes are spaced apart from the first electrodes, a plurality of first insulation regions, and a plurality of second insulation regions. The trenches, the first electrodes and the second electrodes are formed in stripes as viewed in a plan view. At least one of the plurality of second electrodes is connected to the drain electrode.

Classes IPC  ?

• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
• H02M 1/34 - Circuits d'amortissement
• H01L 29/40 - Electrodes
• H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
• H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices

Abrégé

A wide gap semiconductor device has: a drift layer using wide gap semiconductor material being a first conductivity type; a well region being a second conductivity type and provided in the drift layer; a source region provided in the well region; a gate contact region provided in the well region and electrically connected to a gate pad; and a Zener diode region provided in the well region and provided between the source region and the gate contact region.

Classes IPC  ?

• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
• H01L 29/08 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus

Abrégé

This power control device comprises: a switching substrate comprising a wiring pattern that electrically connects a battery and a three-phase AC motor and a plurality of switching elements connected to the wiring pattern; a control substrate that comprises a first through hole that passes therethrough in the thickness direction thereof and a Rogowski coil formed around the first through hole; and a power-supply-side terminal member that electrically connects the battery and the wiring pattern of the switching substrate. The control substrate is disposed at a prescribed interval from the switching substrate, and the power-supply-side terminal member is inserted into the first through hole.

Classes IPC  ?

• G01R 15/18 - Adaptations fournissant une isolation en tension ou en courant, p.ex. adaptations pour les réseaux à haute tension ou à courant fort utilisant des dispositifs inductifs, p.ex. des transformateurs
• H05K 7/14 - Montage de la structure de support dans l'enveloppe, sur cadre ou sur bâti
• H02M 7/48 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande

Abrégé

This wide gap semiconductor device has a wide gap semiconductor layer, and a metal electrode 20 provided in the wide gap semiconductor layer. The metal electrode 20 has a single crystal layer 21 in an interface region at the interface with the wide gap semiconductor layer. The single crystal layer 21 of the interface region contains a first region for which a lattice constant L1 of the C axis is smaller than L by 1.5-8%, where L is the lattice constant in the equilibrium state of the C axis of the metal constituting the metal electrode 20.

Classes IPC  ?

• H01L 21/28 - Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes
• H01L 29/47 - Electrodes à barrière de Schottky
• H01L 29/872 - Diodes Schottky
• H01L 21/329 - Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type bipolaire, p.ex. diodes, transistors, thyristors les dispositifs comportant une ou deux électrodes, p.ex. diodes

Abrégé

b is provided and passes through a space of the secondary coil 20.

Classes IPC  ?

• H01F 27/30 - Fixation ou serrage de bobines, d'enroulements ou de parties de ceux-ci entre eux; Fixation ou montage des bobines ou enroulements sur le noyau, dans l'enveloppe ou sur un autre support
• H01F 30/06 - Transformateurs fixes non couverts par le groupe caractérisés par la structure

Abrégé

An electronic device has a primary coil 10; a secondary coil 20 disposed to face the primary coil 10; a coil sealing part 50 sealing the primary coil 10 and the secondary coil 20 and being made of sealing resin; a primary-side electronic element 110 electrically connected to the primary coil 10; and a secondary-side electronic element 210 electrically connected to the secondary coil 20. The primary-side electronic element 110 is provided on a primary-side extension part 60 extending from the primary coil 10 to an outside of the coil sealing part 50, or the secondary-side electronic element 210 is provided on a secondary-side extension part 70 extending from the secondary coil 20 to an outside of the coil sealing part 50.

Classes IPC  ?

• H01F 27/32 - Isolation des bobines, des enroulements, ou de leurs éléments

Abrégé

An electronic device has a primary coil 10; a secondary coil 20 disposed to face the primary coil 10; a coil sealing part 50 sealing the primary coil 10 and the secondary coil 20 and being made of sealing resin; a primary-side sealing part 150 sealing a primary-side electronic element 110 electrically connected to the primary coil 10; and a secondary-side sealing part 250 sealing a secondary-side electronic element 210 electrically connected to the secondary coil 20.

Classes IPC  ?

• H01F 27/32 - Isolation des bobines, des enroulements, ou de leurs éléments
• H01F 27/29 - Bornes; Aménagements de prises
• H01F 27/22 - Refroidissement par conduction de chaleur à travers des éléments de remplissage solides ou en poudre

Abrégé

A magnetic component has a primary coil 10; a secondary coil 20 disposed to face the primary coil 10; a core 500 which passes through the primary coil 10 and the secondary coil 20; and a coil sealing part 50 which seals at least the primary coil 10 and the secondary coil 20, and a part or whole of region between the primary coil 10 and the secondary coil 20 and the core 500.

Classes IPC  ?

• H01F 27/28 - Bobines; Enroulements; Connexions conductrices
• H01F 27/32 - Isolation des bobines, des enroulements, ou de leurs éléments
• H01F 30/10 - Transformateurs monophasés

Abrégé

A semiconductor switch control circuit includes: a pulse signal generating part configured to generate a pulse signal which becomes a time reference for performing an ON/OFF control of a semiconductor switch; a drive current generating part configured to generate a drive current based on the pulse signal which the pulse signal generating part generates and to supply the drive current to a gate electrode of the semiconductor switch; a current detecting part configured to detect a drain current or a source current of the semiconductor switch; and a drive current control part configured to have a function of controlling a drive current which the drive current generating part generates based on the pulse signal which the pulse signal generating part generates and the current which the current detecting part detects.

Classes IPC  ?

• H03K 17/08 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension
• H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
• H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
• H03K 17/041 - Modifications pour accélérer la commutation sans réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande
• H03K 17/082 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension par réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande
• H03K 17/16 - Modifications pour éliminer les tensions ou courants parasites
• H03K 19/01 - Modifications pour accélérer la commutation

Abrégé

A semiconductor device includes: an inner substrate on which a semiconductor chip is mounted, and has a surface on which terminals including electric path terminals are formed; a lead frame which has a chip connecting electrode portion which is electrically connected to a surface of the semiconductor chip via a conductive bonding member, substrate connecting electrode portions which are electrically connected to the electric path terminals of the inner substrate, and horizontal surface support portions which bulge to the outside from the chip connecting electrode portion or the substrate connecting electrode portions; and pin terminals which are mounted upright over the inner substrate in a direction perpendicular to flat surfaces of the substrate connecting electrode portions of the lead frame, wherein the horizontal surface support portions bulge to the outside of the inner substrate.

Classes IPC  ?

• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/053 - Conteneurs; Scellements caractérisés par la forme le conteneur étant une structure creuse ayant une base isolante qui sert de support pour le corps semi-conducteur
• H01L 23/495 - Cadres conducteurs

Abrégé

A semiconductor device including a substrate; a chip on which a surface electrode is formed; and a lead. The lead includes a first electrode connecting portion disposed on the surface electrode and electrically connected to the surface electrode of the chip via a conductive bonding material; a second electrode connecting portion electrically connected to an electrode portion of a wiring pattern. A lead connected to the first electrode connecting portion and the second electrode connecting portion. The lead further has a thermal shrinking stress equalizing structure on a portion of an outer periphery of the first electrode connecting portion. The lead is configured to make a thermal shrinking stress applied to a conductive bonding material between the first electrode connecting portion and the surface electrode equal.

Classes IPC  ?

• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

Abrégé

An electronic module has a first substrate 11, a first electronic element 13, a second electronic element 23, a second substrate 21, a first terminal part 110 provided on a side of the first substrate 11 and a second terminal part 120 provided on a side of the second substrate 21. The first terminal part 110 has a first surface direction extending part 114 and a first normal direction extending part 113 extending toward one side or the other side. The second terminal part 120 has a second surface direction extending part 124 and a second normal direction extending part 123 extending toward one side or the other side. The second surface direction extending part 124 is provided on one side of the first surface direction extending part 114, and the first surface direction extending part 114 and the second surface direction extending part 124 overlap one another in a surface direction.

Classes IPC  ?

• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 23/495 - Cadres conducteurs
• H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe

Abrégé

An electronic module has a sealing part 90; a rear surface-exposed conductor 10, 20, 30 having a rear surface-exposed part 12, 22, 32 whose rear surface is exposed; a rear surface-unexposed conductor 40, 50 whose rear surface is not exposed; an electronic element 15, 25, which is provided in the sealing part 90 and provided on a front surface of the rear surface-exposed conductor 40, 50; a first connector 60 for electrically connecting the electronic element 15, 25 with the rear surface-exposed conductor 10, 20, 30; and a second connector 70 for electrically connecting the electronic element 15, 25 with the rear surface-unexposed conductor 40, 50. A thickness T1 of the first connector 60 is thicker than a thickness T2 of the second connector 70.

Classes IPC  ?

• H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/495 - Cadres conducteurs
• H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe

Abrégé

An electronic module has a first electronic unit having a first substrate 11, a first conductor layer 12 provided on one side of the first substrate 11, and a first electronic element 13 provided on one side of the first conductor layer 12, a first connection body 60 provided on one side of the first electronic element 13, and a second electronic unit having a second electronic element 23 provided on one side of the first connection body 60. The first connection body 60 has a first head part 61 and a plurality of support parts 65 extending from the first head part 61. The electronic module is characterized by that the support part 65 abuts on the first substrate 11 or the first conductor layer 12.

Classes IPC  ?

• H01L 23/495 - Cadres conducteurs
• H01L 21/44 - Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes
• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,

Abrégé

An auxiliary member (2) having a higher absorption rate for laser light (LL) than do a plurality of joined members (1) that are joined to each other is positioned so as to face a boundary exposure surface (12) of the plurality of joined members, the boundary exposure surface being a surface at which a boundary (11) between the plurality of joined members is visible; the auxiliary member is irradiated with laser light and melted; the temperature of a boundary portion (13) of the plurality of joined members is raised by a molten portion (23) of the auxiliary member, and the boundary portion is caused to transition to a state where laser light is readily absorbed; and the boundary portion is irradiated with laser light and melted, whereby the plurality of joined members are welded.

Classes IPC  ?

• B23K 26/18 - Travail par rayon laser, p.ex. soudage, découpage ou perçage  utilisant des couches absorbantes sur la pièce à travailler, p.ex. afin de marquer ou de protéger
• B23K 26/21 - Assemblage par soudage

Abrégé

A control unit repeats the series of processing of comparing a first phase representing a phase of the first reference sine wave and being a phase included in the first synchronization signal, with a second phase that is the phase of the second reference sine wave when the first synchronization signal is received when the communication unit receives the first synchronization signal from the other inverter generator, changing a phase change amount per unit time of the second reference sine wave in accordance with the comparison result, continuing to update the phase of the second reference sine wave so that the phase of the second reference sine wave changes with a phase change amount per unit time after the change with reference to the first phase until the next first synchronizing signal is received from the other inverter generator.

Classes IPC  ?

• H02J 3/46 - Dispositions pour l’alimentation en parallèle d’un seul réseau, par plusieurs générateurs, convertisseurs ou transformateurs contrôlant la répartition de puissance entre les générateurs, convertisseurs ou transformateurs
• H02J 3/40 - Synchronisation d'un générateur pour sa connexion à un réseau ou à un autre générateur
• H02J 3/42 - Synchronisation d'un générateur pour sa connexion à un réseau ou à un autre générateur avec connexion automatique en parallèle quand le synchronisme est obtenu
• H02M 7/493 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande les convertisseurs statiques étant agencés pour le fonctionnement en parallèle

Abrégé

A method of manufacturing a chip module comprises a step of disposing a first electronic element 13 on a first jig 500, a step of disposing a first connector 60 on the first electronic element 13 via a conductive adhesive 5, a step of disposing a second electronic element 23 on the first connector 60 via a conductive adhesive 5, a step of disposing a second connector 70 on a second jig 550, a step of reversing the second jig in a state where the second connector 70 is fixed to the second jig 550 and disposing the second connector 70 on the second electronic element 23 via a conductive adhesive 5, and a step of curing the conductive adhesives 5.

Classes IPC  ?

• H01L 21/44 - Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes
• H01L 23/495 - Cadres conducteurs
• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe

Abrégé

An electronic module has a first substrate 11, a first electronic element 13 provided on one side of the first substrate 11, a first connection body 60 provided on one side of the first electronic element 13, a second electronic element 23 provided on one side of the first connection body 60, a second substrate 21 provided on one side of the second electronic element 23, and an abutment body 250 that abuts on a face on one side of the second electronic element 23 and is capable of imparting a force toward one side with respect to the second substrate 21.

Classes IPC  ?

• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/495 - Cadres conducteurs
• H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe

Abrégé

An electronic device includes a board having a mounting surface for an electronic component, a case having an opening for insertion of the board into the case and configured to house the board inserted through the opening, and a cover fixed to the case so as to close the opening. The board also has at least one deformable device formed on an end side of the board and configured to be elastically deformable in a direction orthogonal to the mounting surface. The deformable device comes into contact with the case or the cover in a state of being elastically deformed to hold the board in a fixed state in a storage space formed through fixation of the cover to the case when the board is housed in the storage space.

Classes IPC  ?

• H05K 1/14 - Association structurale de plusieurs circuits imprimés
• H05K 7/14 - Montage de la structure de support dans l'enveloppe, sur cadre ou sur bâti
• B60R 16/02 - Circuits électriques ou circuits de fluides spécialement adaptés aux véhicules et non prévus ailleurs; Agencement des éléments des circuits électriques ou des circuits de fluides spécialement adapté aux véhicules et non prévu ailleurs électriques

Abrégé

A semiconductor module is configured to convert a direct current to a three-phase alternating current, and to supply the three-phase alternating current to a three-phase motor to drive the three-phase motor, wherein a first gap M1 between side surfaces of the first and the second central wiring lines, which side surfaces are close to each other and face each other, and a second gap M2 between side surfaces of the second and the third central wiring lines, which side surfaces are close to each other and face each other, are bent on the top surface of the substrate.

Classes IPC  ?

• H05K 7/20 - Modifications en vue de faciliter la réfrigération, l'aération ou le chauffage
• H02M 7/00 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu; Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif
• H02M 7/5387 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs, p.ex. onduleurs à impulsions à un seul commutateur dans une configuration en pont
• H02P 27/06 - Dispositions ou procédés pour la commande de moteurs à courant alternatif caractérisés par le type de tension d'alimentation utilisant une tension d’alimentation à fréquence variable, p.ex. tension d’alimentation d’onduleurs ou de convertisseurs utilisant des convertisseurs de courant continu en courant alternatif ou des onduleurs

Abrégé

A semiconductor module is configured to convert a direct current to a three-phase alternating current, and to supply the three-phase alternating current to a three-phase motor to drive the three-phase motor, wherein the first ground terminal GND1, the second ground terminal GND2, and the third ground terminal GND3 are arranged along the second side B2 to be separated from one another and electrically isolated from one another.

Classes IPC  ?

• H02K 11/40 - Association structurelle à des dispositifs de mise à la terre
• H02K 11/25 - Dispositifs pour détecter la température ou actionnés par des valeurs de cette variable
• H02K 11/33 - Circuits d’entraînement, p.ex. circuits électroniques de puissance
• H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 23/34 - Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température
• H01L 23/495 - Cadres conducteurs
• H02M 7/00 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu; Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif
• H02M 7/48 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande

Abrégé

A semiconductor module is configured to convert a direct current to a three-phase alternating current, and to supply the three-phase alternating current to a three-phase motor to drive the three-phase motor, wherein the first to the third control signal terminals Q1, Q2, and Q3 are arranged in a direction along which the first side B1 extends in a manner that one ends of the first to the third control signal terminals are in the vicinity of the first side B1 of the substrate B, and wherein the fourth to the sixth control signal terminals Q4, Q5, and Q6 are arranged in a direction along which the second side B2 extends in a manner that one ends of the fourth to the sixth control signal terminals are in the vicinity of the second side B2 of the substrate B.

Classes IPC  ?

• H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H02M 7/00 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu; Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif
• H02M 7/5387 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs, p.ex. onduleurs à impulsions à un seul commutateur dans une configuration en pont
• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H02P 27/06 - Dispositions ou procédés pour la commande de moteurs à courant alternatif caractérisés par le type de tension d'alimentation utilisant une tension d’alimentation à fréquence variable, p.ex. tension d’alimentation d’onduleurs ou de convertisseurs utilisant des convertisseurs de courant continu en courant alternatif ou des onduleurs
• H01L 23/528 - Configuration de la structure d'interconnexion

Abrégé

A semiconductor module includes: a semiconductor substrate; a switching element having a first electrode, a second electrode, and a gate electrode, and the switching element configured to perform turning on/off between the first electrode and the second electrode in response to applying of a predetermined gate voltage to the gate electrode; a control circuit part configured to control the gate voltage; and a current detection element configured to detect a current which flows between the first electrode and the second electrode of the switching element, wherein the switching element, the control circuit part, and the current detection element are mounted on the semiconductor substrate, and the current detection element is formed of a Rogowski coil.

Classes IPC  ?

• H03K 17/16 - Modifications pour éliminer les tensions ou courants parasites
• H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des groupes principaux , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. circuit hybrides
• G01R 15/18 - Adaptations fournissant une isolation en tension ou en courant, p.ex. adaptations pour les réseaux à haute tension ou à courant fort utilisant des dispositifs inductifs, p.ex. des transformateurs
• H01F 38/28 - Transformateurs d'intensité
• H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV

Abrégé

A switching element control circuit includes: a third electrode voltage control part which controls a third electrode voltage; a first electrode current detection part which detects a first electrode current which flows through the switching element; a memory part which stores information including an initial threshold voltage and an initial first electrode current, and a drain current characteristic of a threshold voltage; and a threshold voltage calculation part which calculates a threshold voltage at a time of operating the switching element based on information including the first electrode current, the initial threshold voltage, and an initial first electrode current, and information relating to the first electrode current characteristic of the threshold voltage, wherein the third electrode voltage control part controls the third electrode voltage based on a threshold voltage at the time of operating the switching element calculated by the threshold voltage calculation part.

Classes IPC  ?

• H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
• H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
• H03K 17/0812 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension sans réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande par des dispositions prises dans le circuit de commande
• H03K 17/567 - Circuits caractérisés par l'utilisation d'au moins deux types de dispositifs à semi-conducteurs, p.ex. BIMOS, dispositifs composites tels que IGBT
• H03K 17/16 - Modifications pour éliminer les tensions ou courants parasites

Abrégé

A switching element control circuit: a third electrode voltage control part; a temperature detection part; a first electrode current detection part; a memory part which stores information including an initial threshold voltage and an operation temperature/first electrode current characteristic of the threshold voltage; and a threshold voltage calculation part which calculates a threshold voltage at the time of operating the switching element based on information including the initial threshold voltage, the operation temperature of the switching element, and a first electrode current, and information relating to an operation temperature/first electrode current characteristic of a threshold voltage, wherein the third electrode voltage control part controls the third electrode voltage based on a threshold voltage at the time of operating the switching element calculated by the threshold voltage calculation part.

Classes IPC  ?

• H03K 17/14 - Modifications pour compenser les variations de valeurs physiques, p.ex. de la température
• H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
• H03K 17/16 - Modifications pour éliminer les tensions ou courants parasites

Abrégé

An electronic module has a first substrate 11; a first electronic element 13 provided on one side of the first substrate 11; a first connection body 60 provided on the one side of the first electronic element 13; a second electronic element 23 provided on the one side of the first connection body 60; and a second connection body 70 provided on the one side of the second electronic element 23. The first electronic element 13 and the second electronic element 23 do not overlap in a plane direction.

Classes IPC  ?

• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 23/16 - Matériaux de remplissage ou pièces auxiliaires dans le conteneur, p.ex. anneaux de centrage
• H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition

Abrégé

A semiconductor module includes a die pad frame; a semiconductor chip disposed in a chip region on an upper surface of the die pad frame, the semiconductor chip having an upper surface on which a first electrode is disposed and a lower surface on which a second electrode is disposed; a conductive connection member for die pad disposed between the second electrode of the semiconductor chip and the upper surface of the die pad frame, the conductive connection member for die pad electrically connecting the second electrode of the semiconductor chip and the upper surface of the die pad frame; and a sealing resin for sealing the semiconductor chip, the die pad frame, and the conductive connection member for die pad.

Classes IPC  ?

• H01L 23/495 - Cadres conducteurs
• H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition

Abrégé

A semiconductor device has a first electrode 61; a second electrode 62; and a semiconductor layer 1 having a winding wire part 10 provided so as to surround a current flowing between the first electrode 61 and the second electrode 62, a winding return wire part, which is provided so as to surround the current, is connected to a terminal end part of the winding wire part 10 and returns toward a starting end part side from the terminal end part, and an integration circuit configuration part connected to the winding wire part 10 or the winding return wire part. The integration circuit configuration part has one or more of a resistance part 115, a capacitor part 125 and an operational amplifier part 135.

Classes IPC  ?

• G01R 15/18 - Adaptations fournissant une isolation en tension ou en courant, p.ex. adaptations pour les réseaux à haute tension ou à courant fort utilisant des dispositifs inductifs, p.ex. des transformateurs
• G01R 19/00 - Dispositions pour procéder aux mesures de courant ou de tension ou pour en indiquer l'existence ou le signe
• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
• H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive

Abrégé

An electronic module has an electronic element 210; a connection body 250 provided on a front face of the electronic element 210; and a detection part 100 having a winding wire part 10 provided so as to surround the connection body 250, and a winding return wire part 50 connected to a terminal end part of the winding wire part 10 and returns from the terminal end part toward a starting end part.

Classes IPC  ?

• G01R 15/18 - Adaptations fournissant une isolation en tension ou en courant, p.ex. adaptations pour les réseaux à haute tension ou à courant fort utilisant des dispositifs inductifs, p.ex. des transformateurs

Abrégé

A semiconductor device has: a semiconductor substrate; a drift layer of a first conductivity type; a well region of a second conductivity type; a high-concentration region of the second conductivity type, a source region of the first conductivity type; an insulating film provided on the drift layer; a first contact metal film in contact with the source region and the high-concentration region through a first opening provided in the insulating film; and a second contact metal film formed on a surface of the first contact metal film and contacting the high-concentration region through a second opening provided in the first contact metal film; a source electrode film formed on a surface of a contact metal layer including the first contact metal film and the second contact metal film. The first contact metal film includes titanium nitride, and the second contact metal film includes titanium.

Classes IPC  ?

• H01L 29/45 - Electrodes à contact ohmique
• H01L 21/04 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
• H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
• H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée

Abrégé

A control circuit includes: a transistor controller that controls a voltage at a gate terminal of a field effect transistor in accordance with a difference in voltage between a source terminal and a drain terminal of the field effect transistor connected so that a body diode is in a forward direction; and a current controller that reduces an operating current for operating the transistor controller when a load connected via the source terminal of the field effect transistor is light, and increases the operating current when the load is heavy.

Classes IPC  ?

• H03K 17/16 - Modifications pour éliminer les tensions ou courants parasites
• H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
• H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
• H02M 7/219 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs dans une configuration en pont
• H03K 17/30 - Modifications pour fournir un seuil prédéterminé avant commutation
• G05F 1/56 - Régulation de la tension ou de l'intensité là où la variable effectivement régulée par le dispositif de réglage final est du type continu utilisant des dispositifs à semi-conducteurs en série avec la charge comme dispositifs de réglage final
• H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
• H02M 7/21 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande

Abrégé

This electric current detection device detects an electric current flowing through an inverter unit which includes a first switching element and a second switching element connected in series and which generates an alternating-current signal. The electric current detection device comprises: a first Rogowski coil for detecting an electric current flowing through the first switching element; a second Rogowski coil for detecting an electric current flowing through the second switching element; and a detection processing unit which generates a composite signal by adding a first detection signal obtained by integrating an output of the first Rogowski coil and a second detection signal obtained by integrating an output of the second Rogowski coil, and detects an output electric current of the alternating-current signal on the basis of the composite signal.

Classes IPC  ?

• G01R 19/00 - Dispositions pour procéder aux mesures de courant ou de tension ou pour en indiquer l'existence ou le signe
• G01R 19/165 - Indication de ce qu'un courant ou une tension est, soit supérieur ou inférieur à une valeur prédéterminée, soit à l'intérieur ou à l'extérieur d'une plage de valeurs prédéterminée
• G01R 15/18 - Adaptations fournissant une isolation en tension ou en courant, p.ex. adaptations pour les réseaux à haute tension ou à courant fort utilisant des dispositifs inductifs, p.ex. des transformateurs
• H02P 27/06 - Dispositions ou procédés pour la commande de moteurs à courant alternatif caractérisés par le type de tension d'alimentation utilisant une tension d’alimentation à fréquence variable, p.ex. tension d’alimentation d’onduleurs ou de convertisseurs utilisant des convertisseurs de courant continu en courant alternatif ou des onduleurs
• H02M 7/48 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande

Abrégé

This electronic device is provided with: a wiring board having wiring; at least one semiconductor chip having a first electrode and a second electrode on one surface thereof, and a third electrode on another surface thereof; and an electrically conductive planar connecting plate. The first electrode and the second electrode of the semiconductor chip are joined to the wiring board, the third electrode is joined to the connecting plate, and the connecting plate is connected to the wiring board. The wiring board, the semiconductor chip, and the connecting plate are arranged in this order.

Classes IPC  ?

• H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 23/36 - Emploi de matériaux spécifiés ou mise en forme, en vue de faciliter le refroidissement ou le chauffage, p.ex. dissipateurs de chaleur
• H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
• H02M 7/155 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type thyratron ou thyristor exigeant des moyens d'extinction utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs

Abrégé

An electronic module has a first substrate 11; an electronic element 13, 23 provided on one side of the first substrate 11; a sealing part 90 that seals at least the electronic element 13, 23; a connection terminal 110 electrically connected to the electronic element 13, 23 and exposed from a side surface of the sealing part 90; and a stress relaxation terminal 150, which is not electrically connected to the electronic element 13, 23, exposed from the side surface of the sealing part 90.

Classes IPC  ?

• H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
• H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

Abrégé

A control circuit 11 of the present invention controls the discharge of an X capacitor C100 connected between power supply lines AC1, AC2 of an AC-DC converter 51, the power supply lines being lines of alternating current of opposite polarities, and the AC-DC converter being a converter to which alternating current is inputted and which converts the alternating current into direct current and outputs the direct current. The control circuit 11 detects a change state of the voltage across the X capacitor C100 and controls the discharge so as to discharge the charge accumulated in the X capacitor C100 on the basis of the change state.　This control circuit 11 makes it possible to reliably discharge the charge accumulated in the X capacitor C100 even if the alternating-current input voltage fluctuates significantly.

Classes IPC  ?

• H02M 7/06 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge sans électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs sans éléctrode de commande

Abrégé

A power module includes a switching element, a temperature detection part which detects an operation temperature T of the switching element, a control electrode voltage control part which controls a control electrode voltage based on a threshold voltage Vth during an operation of the switching element which is calculated based on information including the operation temperature T of the switching element detected by the temperature detection part, and a switching speed control part which controls a switching speed of the switching element based on the operation temperature T of the switching element detected by the temperature detection part.

Classes IPC  ?

• H03K 17/14 - Modifications pour compenser les variations de valeurs physiques, p.ex. de la température
• H03K 17/30 - Modifications pour fournir un seuil prédéterminé avant commutation

Abrégé

A drive device includes a first gate driver circuit that controls operations of the first transistor by outputting a first control signal to a control terminal of the first transistor; a second gate driver circuit that controls operations of the second transistor so that the first transistor and the second transistor are turned on/off in a complementary manner, by outputting a second control signal to the control terminal of the second transistor; and a first charge pump circuit that applies the first negative power supply voltage to the first negative power supply wiring, by generating the first negative power supply voltage having a polarity opposite to that of the first positive power supply voltage with reference to a potential of the output terminal, based on the first control signal.

Classes IPC  ?

• H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
• H02M 1/38 - Moyens pour empêcher la conduction simultanée de commutateurs
• H02M 3/07 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des résistances ou des capacités, p.ex. diviseur de tension utilisant des capacités chargées et déchargées alternativement par des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande

Abrégé

[Problem] An object is to provide an inverter circuit that can improve the efficiency and stabilize the operation, the inverter circuit executes normal control when the output voltage rises, even when the output frequency is low, and the inverter circuit divides the normal control and regenerative control operations so that the regenerative control is executed when the output voltage drops. [Solution] When the error value is greater than or equal to the first threshold value, the control unit of the inverter circuit executes a normal control of the capacitive load, by operating the primary side switch with the secondary side switch turned off, and on the other hand, when the error value is less than the first threshold value, the control unit executes a regenerative control to the direct current power supply, by operating the secondary side switch with the primary side switch turned off.

Classes IPC  ?

• H02M 7/539 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs, p.ex. onduleurs à impulsions à un seul commutateur avec commande automatique de la forme d'onde ou de la fréquence de sortie
• H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
• H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs

Abrégé

A wide gap semiconductor device has: a drift layer 12 using a first conductivity type wide gap semiconductor material; a well region 20, being a second conductivity type and provided in the drift layer 12; a polysilicon layer 150 provided on the well region 20; an interlayer insulating film 65 provided on the polysilicon layer 150; a gate pad 120 provided on the interlayer insulating film 65; and a source pad 110 electrically connected to the polysilicon layer 150.

Classes IPC  ?

• H01L 29/49 - Electrodes du type métal-isolant-semi-conducteur
• H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée

Abrégé

An electronic module includes a shunt resistor having one end that is connected to one end of a first ground wiring line and another end that is connected to another end of a second ground wiring line. Signal terminals are disposed to be close to the shunt resistor, the signal terminals including a first current detection terminal electrically connected to the one end of the shunt resistor, and a second current detection terminal disposed to be close to the shunt resistor and electrically connected to the other end of the shunt resistor. The shunt resistor is disposed to be close to a first side of a substrate along which the signal terminals are arranged.

Classes IPC  ?

• H05K 1/18 - Circuits imprimés associés structurellement à des composants électriques non imprimés
• H05K 7/20 - Modifications en vue de faciliter la réfrigération, l'aération ou le chauffage
• H05K 11/00 - Combinaisons d'un récepteur de radio ou de télévision avec un appareil remplissant une fonction principale différente
• H02M 7/00 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu; Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif
• H02M 7/483 - Convertisseurs munis de sorties pouvant chacune avoir plus de deux niveaux de tension
• H02M 7/537 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs, p.ex. onduleurs à impulsions à un seul commutateur
• H02M 7/5387 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs, p.ex. onduleurs à impulsions à un seul commutateur dans une configuration en pont
• H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
• H01L 23/50 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes pour des dispositifs à circuit intégré
• H01L 23/495 - Cadres conducteurs
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 23/522 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
• H01L 23/528 - Configuration de la structure d'interconnexion
• B62D 5/04 - Direction assistée ou à relais de puissance électrique, p.ex. au moyen d'un servomoteur relié au boîtier de direction ou faisant partie de celui-ci
• H02K 11/33 - Circuits d’entraînement, p.ex. circuits électroniques de puissance
• H02K 5/22 - Parties auxiliaires des enveloppes non couvertes par les groupes , p.ex. façonnées pour former des boîtes à connexions ou à bornes
• H02P 27/06 - Dispositions ou procédés pour la commande de moteurs à courant alternatif caractérisés par le type de tension d'alimentation utilisant une tension d’alimentation à fréquence variable, p.ex. tension d’alimentation d’onduleurs ou de convertisseurs utilisant des convertisseurs de courant continu en courant alternatif ou des onduleurs
• H05K 1/02 - Circuits imprimés - Détails
• H02K 11/27 - Dispositifs pour détecter le courant ou actionnés par des valeurs de cette variable

Abrégé

An electronic module has a first substrate 11, a first electronic element 13, a second electronic element 23, a second substrate 21, a first terminal part 110 and a second terminal part 120. The first terminal part 110 has a first terminal base end part 111, a first terminal outer part 113, and a first bending part 112 that is provided between the first terminal base end part 111 and the first terminal outer part 113 and that is bent toward the other side on a side of the first terminal base end part 111. The second terminal part 120 has a second terminal base end part 121, a second terminal outer part 123, and a second bending part 122 that is provided between the second terminal base end part 121 and the second terminal outer part 123 and that is bent toward one side on a side of the second terminal base end part 121.

Classes IPC  ?

• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes
• H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 23/367 - Refroidissement facilité par la forme du dispositif
• H01L 23/495 - Cadres conducteurs
• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
• H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

Abrégé

A semiconductor device includes: a seal portion; a first electronic element; a first lead terminal; a second lead terminal having one end that is disposed to be close to the one end of the first lead terminal within the seal portion, and another end that is exposed from another end of the seal portion, the other end of the seal portion being along the longitudinal direction; a first connecting element disposed within the seal portion, and having one end that is electrically connected to the first electrode disposed on the first electronic element, and another end that is electrically connected to the one end of the second lead terminal; and a conductive bonding agent.

Classes IPC  ?

• H01L 23/495 - Cadres conducteurs
• H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes

Abrégé

A semiconductor device is provided, including a seal portion; an electronic element within the seal portion; first, second, and third lead terminals; first and second connecting elements; and first and second conductive bonding agents, one end of the first connecting element having a protrusion downward and electrically connected to a control electrode of the electronic element with the first conductive bonding agent, a first side surface extending from the one end to the other end of the first connecting element is parallel to an extending direction along which the one end of the second connecting element extends, a wall portion being disposed on a top surface of the one end of the second lead terminal, and the wall portion being in contact with the other end of the first connecting element.

Classes IPC  ?

• H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
• H01L 23/522 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 23/495 - Cadres conducteurs

Abrégé

This control circuit comprises: a voltage output circuit control unit that, when a first control signal is at a first level, controls a voltage output circuit such that a voltage based on a second control signal is applied across both ends of an electrostatic transducer, and when the first control signal is at a second level, stops the voltage output circuit; a voltage clamp unit that outputs a clamp voltage obtained by clamping the voltage across both terminals of the electrostatic transducer to a first threshold voltage or lower; a control signal output unit that, when the clamp voltage is equal to or lower than a second threshold voltage, outputs the first control signal of the second level, and when the second control signal is higher than a third threshold voltage, outputs the first control signal of the first level; and a degradation detection unit that, when the clamp voltage did not reach a fourth threshold voltage or higher for a consecutive prescribed number of times, outputs a detection signal which indicates that the electrostatic transducer has degraded .

Classes IPC  ?

• H04R 3/00 - Circuits pour transducteurs
• H04R 29/00 - Dispositifs de contrôle; Dispositifs de tests
• H02M 7/48 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande

Abrégé

This control circuit is provided with: a voltage output circuit control unit which controls a voltage output circuit so as to apply a voltage corresponding to a second control signal across an electrostatic transducer when a first control signal is at a first level, and so as to stop the voltage output circuit when the first control signal is at a second level; a voltage clamp unit which outputs a clamp voltage obtained by clamping a voltage across the terminals of the electrostatic transducer to a first threshold voltage or lower; and a control signal output unit which, when the clamp voltage is lower than or equal to a second threshold voltage, outputs the first control signal of the second level and which, when the second control signal is higher than a third threshold voltage, outputs the first control signal of the first level.

Classes IPC  ?

• H04R 3/00 - Circuits pour transducteurs
• H04R 29/00 - Dispositifs de contrôle; Dispositifs de tests
• H02M 7/48 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande

Abrégé

A wide gap semiconductor device has: a first MOSFET region (M0) having a first gate electrode 10 and a first source region 30 provided in a first well region 20 made of a second conductivity type; a second MOSFET region (M1) provided below a gate pad 100 and having a second gate electrode 110 and a second source region 130 provided in a second well region 120 made of the second conductivity type; and a built-in diode region electrically connected to the second gate electrode 110. The second source region 130 of the second MOSFET region (M1) is electrically connected to the gate pad 100.

Classes IPC  ?

• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
• H01L 23/522 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
• H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
• H01L 27/08 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type

Abrégé

A semiconductor device includes: a substrate; a semiconductor element that disposed on the upper surface of the substrate; a sealing portion that seals the substrate and the semiconductor element; a first lead frame that has one end in contact with a upper surface of the first conductive layer at an end extending in the side direction of the upper surface of the substrate in the sealing portion, and has the other end exposed from the sealing portion; a first conductive bonding material that bonds between the upper surface of the first conductive layer and the lower surface side of the one end portion of the first lead frame at the end portion of the substrate, and has electrical conductivity.

Classes IPC  ?

• H01L 23/495 - Cadres conducteurs
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

Abrégé

A semiconductor device includes: a lead frame that has one end in contact with the upper surface of the second terminal of the semiconductor element in the sealing portion, and that has the other end exposed from the sealing portion; and a control conductive bonding material that bonds between the upper surface of the second terminal of the semiconductor element and the one end of the lead frame, and the control conductive bonding material having electric conductivity.

Classes IPC  ?

• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes
• H01L 21/8234 - Technologie MIS

Abrégé

A semiconductor component 150 has a semiconductor layer 1 including a winding wire part 10 and a winding return wire part 50 connected at a terminal end part of the winding wire part 10 and returning from the terminal end part toward a starting end part side, wherein the semiconductor component is disposed so as to surround an object to be measured.

Classes IPC  ?

• G01R 19/00 - Dispositions pour procéder aux mesures de courant ou de tension ou pour en indiquer l'existence ou le signe
• G01R 15/12 - Circuits pour appareils de test à usage multiple, p.ex. pour mesurer, au choix, tension, courant ou impédance
• G01R 15/18 - Adaptations fournissant une isolation en tension ou en courant, p.ex. adaptations pour les réseaux à haute tension ou à courant fort utilisant des dispositifs inductifs, p.ex. des transformateurs

Abrégé

A semiconductor device includes: a semiconductor base substrate including a semiconductor layer; a first main electrode; a second main electrode; a plurality of peripheral trenches formed on a surface of the semiconductor layer and having bottom portions covered by the semiconductor layer in a peripheral region; and a plurality of in-trench electrodes each embedded in each of the plurality of peripheral trenches byway of an insulation layer formed on an inner surface of the each peripheral trench, wherein the semiconductor base substrate further includes, in the peripheral region, a plurality of second conductive type floating regions disposed in the semiconductor layer at a depth position deeper than the bottom portions of the peripheral trenches in a spaced apart manner from the peripheral trenches and having a potential in a floating state.

Classes IPC  ?

• H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
• H01L 29/40 - Electrodes

Abrégé

m′| is satisfied.

Classes IPC  ?

• H01L 29/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
• H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
• H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
• H02M 3/156 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation
• H02M 7/537 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs, p.ex. onduleurs à impulsions à un seul commutateur
• H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée

Abrégé

A semiconductor device according to an embodiment is attached to a radiator and includes a heat-generating electronic component, a sealing part sealing the electronic component, a lead member that includes an inner lead part sealed with the sealing part and an outer lead part exposed from the sealing part, and a lead member that includes an inner lead part sealed with the sealing part and an outer lead part exposed from the sealing part. The inner lead part has a heat-dissipating end part that releases heat propagating from the outer lead part to the radiator and an electrical connecting part that is positioned between the heat-dissipating end part and the outer lead part and is electrically connected to the main electrode of the electronic component.

Classes IPC  ?

• H01L 23/367 - Refroidissement facilité par la forme du dispositif
• H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants

Abrégé

An electronic component has a base 10; an electronic element 20 provided on one side of the base 10; a connecting body 30 provided on one side of the electronic element 20; a heat dissipating block 40 provided on one side of the connecting body 30; an insulating part 50 provided between the connecting body 30 and the heat dissipating block 40; and a sealing part 90 in which the electronic element 20, the connecting body 30 and the insulating part 50 are sealed. At least a part of a surface on another side of the base 10 is exposed from the sealing part 90. At least a part of a surface on one side of the heat dissipating block 40 is exposed from the sealing part 90.

Classes IPC  ?

• H01L 23/42 - Choix ou disposition de matériaux de remplissage ou de pièces auxiliaires dans le conteneur pour faciliter le chauffage ou le refroidissement
• H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

Abrégé

A power conversion device according to the present invention is provided with two or more sets of power modules each of which includes a switching element and a switching element control circuit having a third electrode voltage control part and a temperature detection part. The power modules PM1, PM2 are connected in parallel to each other. The switching element control circuit includes a temperature comparison part which calculates an average operation temperature of the switching element, and compares an operation temperature of the corresponding switching element and the average operation temperature. The third electrode voltage control part controls a third electrode voltage based on information including an average operation temperature, an operation temperature of the switching element, and a threshold voltage during operation.

Classes IPC  ?

• H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
• H02M 1/32 - Moyens pour protéger les convertisseurs autrement que par mise hors circuit automatique
• H02M 1/088 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques pour la commande simultanée de dispositifs à semi-conducteurs connectés en série ou en parallèle
• H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques

Abrégé

a, connected at a terminal end part of the winding wire part 10 and returning from the terminal end part toward a starting end part side.

Classes IPC  ?

• G01R 15/18 - Adaptations fournissant une isolation en tension ou en courant, p.ex. adaptations pour les réseaux à haute tension ou à courant fort utilisant des dispositifs inductifs, p.ex. des transformateurs
• G01R 19/00 - Dispositions pour procéder aux mesures de courant ou de tension ou pour en indiquer l'existence ou le signe

Abrégé

A semiconductor switch control circuit configured to perform an ON/OFF control of a semiconductor switch and includes: a pulse signal generating part configured to generate a pulse signal; a drive current generating part configured to generate a drive current based on the pulse signal which the pulse signal generating part generates and supplies the drive current to a gate electrode of the semiconductor switch; a gate voltage detecting part configured to detect a gate voltage VGS of the semiconductor switch; and a drive current control part configured to control the drive current which the drive current generating part generates based on the pulse signal which the pulse signal generating part generates and the gate voltage VGS which the gate voltage detecting part detects.

Classes IPC  ?

• H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
• H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
• H02M 1/42 - Circuits ou dispositions pour corriger ou ajuster le facteur de puissance dans les convertisseurs ou les onduleurs
• H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ

Abrégé

A vehicle lighting control device that controls lighting of a plurality of LED units mounted on a vehicle including an electronic device, the vehicle lighting control device including: a plurality of converters that are connected to a power supply and transform a power supply voltage supplied from the power supply; an output circuit that is connected to an output of the converter and outputs a drive signal to the LED unit with a voltage transformed by the converter; and a processor that generates a plurality of switching signals and outputs the generated switching signals to the corresponding converters, wherein at least one of a rising timing and a falling timing differs between the plurality of switching signals output to the plurality of converters.

Classes IPC  ?

• H05B 45/32 - Circuits de commande par impulsion
• H05B 47/10 - Commande de la source lumineuse
• H05B 45/325 - Modulation de la largeur des impulsions [PWM]
• H05B 47/16 - Commande de la source lumineuse par des moyens de minutage

Abrégé

A semiconductor device includes: a drift layer of a first conductivity type which is made of silicon carbide; a junction region formed on one main surface of the drift layer; a junction termination extended region of the drift layer, the junction termination extended region being formed outside the junction region when the one main surface is viewed in plan view, and the junction termination extended region containing an impurity of a second conductivity type opposite to the first conductivity type; and a guard ring region of the drift layer, the guard ring region being formed at a position overlapping the junction termination extended region when the one main surface is viewed in plan view, and the guard ring region containing the impurity of the second conductivity type with a concentration that is higher than that of the junction termination extended region, wherein in the junction termination extended region, the concentration of the impurity of the second conductivity type in a depth direction from the one main surface increases from the one main surface down to a first depth, and the concentration of the impurity of the second conductivity type at the one main surface is one tenth or less the concentration of the impurity of the second conductivity type at the first depth and is higher than a concentration of an impurity of the first conductivity type of the drift layer.

Classes IPC  ?

• H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
• H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
• H01L 29/872 - Diodes Schottky

Abrégé

A semiconductor device includes: a circuit unit including a semiconductor chip; a plurality of pin terminals formed in a rod shape extending in a same direction from the circuit unit and electrically connected to the circuit unit; a sealing resin portion sealing the circuit unit and first portions of the plurality of pin terminals positioned on a side of the circuit unit; and a plurality of covering resin portions integrally extending from an outer surface of the sealing resin portion from which second portions of the plurality of pin terminals protrude, the plurality of covering resin portions being formed in a cylindrical shape respectively covering base end portions of the second portions of the plurality of pin terminals, which are positioned on a side of the sealing resin portion.

Classes IPC  ?

• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/49 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes formées de structures soudées du type fils de connexion
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes
• H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
• H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 23/373 - Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif

Abrégé

A power module according to the present invention switches an operation mode between a control mode where an ON/OFF operation of a switching element having a first electrode, a second electrode, and a third electrode is controlled, and a deterioration determination mode where the deterioration is determined based on information including ΔVgs based on information including a threshold voltage detected before a stress current is supplied to the switching element and a threshold voltage detected after the stress current is supplied to the switching element. According to the power module of the present invention, the deterioration can be determined during an operation time and hence, breaking of the device can be prevented, and operation efficiency of the power module can be increased, and a manufacturing cost of the power module can be lowered.

Classes IPC  ?

• G01R 31/26 - Test de dispositifs individuels à semi-conducteurs
• H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
• H03K 17/08 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension
• H03K 17/16 - Modifications pour éliminer les tensions ou courants parasites
• H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ

Abrégé

An electronic module has a first substrate 11; a second substrate 21 provided in one side of the first substrate 11; and a chip module 100 provided between the first substrate 11 and the second substrate 21. The chip module 100 has an electronic element 13, 23 and a connecting body 60, 70, 80 electrically connected to the electronic element 13, 23. The electronic element 13, 23 extends along a first direction that is a thickness direction of the electronic module.

Classes IPC  ?

• H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe

Abrégé

An electronic module has a rear surface-exposed conductor 10, 20, 30 having a rear surface-exposed part 12, 22, 32 whose rear surface is exposed; an electronic element 15, 25 provided on a front surface of the rear surface-exposed conductor 10, 20, 30; and a connector 60 configure to connect the rear surface-exposed conductor 10, 20, 30 and the electronic element 15, 25 or two rear surface-exposed conductors 10, 20, 30 each other. A groove 150 is provided on the front surface of the rear surface-exposed conductor 10, 20, 30. The sealing part 90 is provided with a press hole or a press impression 110, 120, 130 used to press the rear surface-exposed conductor 10, 20, 30. In an in-plane direction, a center portion of the press hole or the press impression 110, 120, 130 is provided on the side opposite to the connector 60 or the electronic element 15, 25 with respect to the groove 150.

Classes IPC  ?

• H01L 23/495 - Cadres conducteurs
• H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
• H01L 21/00 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
• H05K 7/18 - Structure des bâtis ou des cadres
• H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
• H02P 27/06 - Dispositions ou procédés pour la commande de moteurs à courant alternatif caractérisés par le type de tension d'alimentation utilisant une tension d’alimentation à fréquence variable, p.ex. tension d’alimentation d’onduleurs ou de convertisseurs utilisant des convertisseurs de courant continu en courant alternatif ou des onduleurs

Abrégé

A wide gap semiconductor device has: a drift layer 12 being a first conductivity type; a well region 20 being a second conductivity type and provided in the drift layer 12; a source region 31 provided in the well region 20; a gate insulating film 60 provided on the drift layer 12 and the well region 20; a field insulating film 62 provided between a gate insulating film 60 and the well region 20; a gate electrode 125 provided on the gate insulating film 60; and a gate pad 120 electrically connected to the gate electrode 125. The field insulating film 62 has a recessed part extending in a plane direction. The well region 20 has a well contact region 21 electrically connected to a source pad 110 provided in the recessed part.

Classes IPC  ?

• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
• H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée

Abrégé

A battery charger includes a plurality of rectifier, a plurality of switches respectively for the plurality of rectifier elements, a zero-crossing detector, a switch controller, and a detection reference changer. The plurality of rectifier elements rectify AC voltages of three phases output from a power generator. The plurality of rectifier elements, in an off-state, causes the plurality of rectifier elements to rectify the AC voltages to charge a battery. The plurality of rectifier elements, in an on-state, causes the AC voltages to be short-circuited to a negative side of the battery. The zero-crossing detector detects zero-crossings of the AC voltages. The switch controller outputs, based on the zero crossings, a gate signal for turning on and off the plurality of switches. The detection reference changer changes a reference for the zero-crossing detector to detect the zero crossings.

Classes IPC  ?

• H02J 7/00 - Circuits pour la charge ou la dépolarisation des batteries ou pour alimenter des charges par des batteries
• H02M 3/337 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs en configuration push-pull
• H02J 9/06 - Circuits pour alimentation de puissance de secours ou de réserve, p.ex. pour éclairage de secours dans lesquels le système de distribution est déconnecté de la source normale et connecté à une source de réserve avec commutation automatique

Abrégé

This semiconductor device 1 is provided with: a substrate 10; a chip 20 on which a surface electrode 22 is formed; and a lead 30 having a first electrode connection portion 32 that is disposed above the surface electrode 22 and electrically connected to the surface electrode 22 on the chip 20 with a conductive bonding material 50 therebetween, a second electrode connection portion 34 that is connected to an electrode portion 15 of a wiring pattern 11, and a current conduction portion 36 that is connected to the first electrode connection portion 32 and the second electrode connection portion 34 and serves as a current conduction path between the first electrode connection portion 32 and the second electrode connection portion 34. The lead 30 further includes a thermal shrinkage stress equalizing structure 40 that is provided to a section, as seen in a planar view, among the outer periphery of the first electrode connection portion 32 where the current conduction portion 36 is not connected, and equalizes the thermal shrinkage stress applied to the conductive bonding material 50 provided between the first electrode connection portion 32 and the surface electrode 22.　The semiconductor device 1 has high reliability and makes it possible for the conductive bonding material to maintain a constant thickness.

Classes IPC  ?

• H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
• H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes