STMicroelectronics (Research & Development) Limited

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2024 mai 4
2024 avril 2
2024 mars 2
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Classe IPC
H01L 27/146 - Structures de capteurs d'images 48
H01L 31/107 - Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface la barrière de potentiel fonctionnant en régime d'avalanche, p.ex. photodiode à avalanche 41
G01J 1/44 - Circuits électriques 40
G01S 17/10 - Systèmes déterminant les données relatives à la position d'une cible pour mesurer la distance uniquement utilisant la transmission d'ondes à modulation d'impulsion interrompues 40
G01S 7/481 - Caractéristiques de structure, p.ex. agencements d'éléments optiques 36
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Statut
En Instance 47
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1.

DISTANCE MEASUREMENT DEVICE AND METHOD

      
Numéro d'application 18538800
Statut En instance
Date de dépôt 2023-12-13
Date de la première publication 2024-06-20
Propriétaire
  • STMICROELECTRONICS FRANCE (France)
  • STMicroelectronics (Research & Development) Limited (Royaume‑Uni)
Inventeur(s)
  • Hearn, Brent Edward
  • Lebihen, Thierry
  • Pothier, Olivier

Abrégé

A method includes estimating first distance values associated with a plurality of first pixels, based on light pulses of a first light pulse train having a first period, estimating second distance values associated with a plurality of second pixels, the second distance values being estimated for each second pixel based on a second light pulse train having a second period different from the first period, for each of the first pixels being adjacent to one of the second pixels, validating or invalidating the first distance values, based on a comparison between the estimations of the first distance value and at least one of the second distance values of at least one second adjacent pixel, and storing an indication of the first pixels having been validated and/or invalidated.

Classes IPC  ?

  • G01S 17/894 - Imagerie 3D avec mesure simultanée du temps de vol sur une matrice 2D de pixels récepteurs, p.ex. caméras à temps de vol ou lidar flash
  • G01B 11/22 - Dispositions pour la mesure caractérisées par l'utilisation de techniques optiques pour mesurer la profondeur
  • G01S 7/481 - Caractéristiques de structure, p.ex. agencements d'éléments optiques
  • G01S 7/4865 - Mesure du temps de retard, p.ex. mesure du temps de vol ou de l'heure d'arrivée ou détermination de la position exacte d'un pic

2.

INTEGRATED CIRCUIT COMPRISING A SINGLE PHOTON AVALANCHE DIODE AND CORRESPONDING MANUFACTURING METHOD

      
Numéro d'application 18588656
Statut En instance
Date de dépôt 2024-02-27
Date de la première publication 2024-06-13
Propriétaire
  • STMicroelectronics (Crolles 2) SAS (France)
  • STMicroelectronics (Research & Development) Limited (Royaume‑Uni)
Inventeur(s)
  • Rideau, Denis
  • Golanski, Dominique
  • Lopez, Alexandre
  • Mugny, Gabriel

Abrégé

A single photon avalanche diode (SPAD) includes a PN junction in a semiconductor well doped with a first type of dopant. The PN junction is formed between a first region doped with the first type of dopant and a second region doped with a second type of dopant opposite to the first type of dopant. The first doped region is shaped so as to incorporate local variations in concentration of dopants that are configured, in response to a voltage between the second doped region and the semiconductor well that is greater than or equal to a level of a breakdown voltage of the PN junction, to generate a monotonic variation in the electrostatic potential between the first doped region and the semiconductor well.

Classes IPC  ?

  • H01L 31/107 - Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface la barrière de potentiel fonctionnant en régime d'avalanche, p.ex. photodiode à avalanche
  • H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives

3.

AMBIENT LIGHT SENSOR

      
Numéro d'application 18492903
Statut En instance
Date de dépôt 2023-10-24
Date de la première publication 2024-05-09
Propriétaire STMicroelectronics (Research & Development) Limited (Royaume‑Uni)
Inventeur(s) Raynor, Jeffrey M.

Abrégé

A common centroid ambient light sensor includes a matrix of photodiodes having exactly a first row and a second row, at least three color channels, a readout circuit of the first color channel connected to exactly one photodiode in the first row and exactly one photodiode in the second row, and a readout circuit of the second color channel connected to exactly one photodiode in the first row and exactly one photodiode in the second row.

Classes IPC  ?

  • G01J 1/42 - Photométrie, p.ex. posemètres photographiques en utilisant des détecteurs électriques de radiations
  • G01J 1/44 - Circuits électriques

4.

FAST ENABLE AND DISABLE SCHEMES FOR SPAD PIXELS

      
Numéro d'application 17980101
Statut En instance
Date de dépôt 2022-11-03
Date de la première publication 2024-05-09
Propriétaire STMicroelectronics (Research & Development) Limited (Royaume‑Uni)
Inventeur(s)
  • Al-Rawhani, Mohammed
  • Rae, Bruce

Abrégé

A pixel includes a SPAD having a cathode connected to a first node and an anode coupled to a first negative voltage, and a transistor circuit coupled between a supply voltage and a third node, that turns on in response to an enable signal. A cascode transistor connected between the third node and the first node is controlled by a cascode control signal. A cathode setting capacitor is connected between the first node and ground. A readout inverter is coupled between the intermediate node and an output node and generates an output signal. Turn-on of the transistor circuit sources current from the supply voltage node to the cathode setting capacitor, setting a reverse bias voltage across the SPAD to greater than its breakdown voltage. A photon impinging upon the SPAD cause avalanche of the SPAD which, when occurring after turn off of the transistor circuit, discharges the cathode setting capacitor.

Classes IPC  ?

  • G01S 7/4863 - Réseaux des détecteurs, p.ex. portes de transfert de charge

5.

HIGH COUNT RATE PASSIVE QUENCHING SPAD

      
Numéro d'application 17975093
Statut En instance
Date de dépôt 2022-10-27
Date de la première publication 2024-05-02
Propriétaire STMicroelectronics (Research & Development) Limited (Royaume‑Uni)
Inventeur(s)
  • Al-Rawhani, Mohammed
  • Rae, Bruce

Abrégé

An array of single photon avalanche diodes (SPADs) includes a plurality of pixels. Each pixel includes a SPAD having a cathode connected to a first intermediate node and an anode coupled to first negative voltage, a quench circuit connected between the first intermediate node and the low voltage supply node, an AC coupling element connected between the first intermediate node and a second intermediate node, a filter component connected between the high voltage node and the second intermediate node, and an inverter having its input connected to the second intermediate node and its output providing an output signal. A resistance associated with the quench circuit, a capacitance associated with the SPAD, a capacitance associated with the AC coupling element, and a resistance associated with the filter component form a variable second order filter.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/146 - Structures de capteurs d'images
  • H01L 31/107 - Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface la barrière de potentiel fonctionnant en régime d'avalanche, p.ex. photodiode à avalanche

6.

ACTIVE RECHARGE QUENCHING CIRCUIT FOR NEGATIVE BIAS SPAD

      
Numéro d'application 17975178
Statut En instance
Date de dépôt 2022-10-27
Date de la première publication 2024-05-02
Propriétaire STMicroelectronics (Research & Development) Limited (Royaume‑Uni)
Inventeur(s)
  • Al-Rawhani, Mohammed
  • Rae, Bruce

Abrégé

Disclosed herein is a single photon avalanche diode (SPAD) pixel for use in time-of-flight imaging. This pixel includes a SPAD having a cathode connected to a first node and an anode coupled to first negative voltage. A transistor circuit in the pixel includes a quench transistor connected between a supply voltage node and a second node, the quench transistor controlled by a quench control signal to operate in a high-impedance mode, and a recharge transistor connected in parallel with the quench transistor between the supply voltage node and the second node, the recharge transistor controlled by a feedback signal. The pixel also includes a readout inverter generating an output signal based upon a voltage at the first node and an adjustable delay circuit generating the feedback signal based upon the output signal, the feedback signal being delayed with respect to the output signal.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/146 - Structures de capteurs d'images
  • H01L 31/107 - Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface la barrière de potentiel fonctionnant en régime d'avalanche, p.ex. photodiode à avalanche

7.

TIME TO DIGITAL CONVERTER

      
Numéro d'application 18390534
Statut En instance
Date de dépôt 2023-12-20
Date de la première publication 2024-04-11
Propriétaire STMicroelectronics (Research & Development) Limited (Royaume‑Uni)
Inventeur(s)
  • Dutton, Neale
  • Moore, John Kevin

Abrégé

In an embodiment, a method includes: receiving a first plurality of digital codes from a TDC; generating a coarse histogram from the first plurality of digital codes; detecting a peak coarse bin from the plurality of coarse bins; after receiving the first plurality of digital codes, receiving a second plurality of digital codes from the TDC; and generating a fine histogram from the second plurality of digital codes based on the detected peak coarse bin, where a fine histogram depth range is narrower than a coarse histogram depth range, where a lower fine histogram depth is lower or equal to a lower coarse peak depth, and where a higher fine histogram depth is higher or equal to a higher coarse peak depth.

Classes IPC  ?

  • G01S 7/4865 - Mesure du temps de retard, p.ex. mesure du temps de vol ou de l'heure d'arrivée ou détermination de la position exacte d'un pic
  • G01S 17/10 - Systèmes déterminant les données relatives à la position d'une cible pour mesurer la distance uniquement utilisant la transmission d'ondes à modulation d'impulsion interrompues
  • G01S 17/89 - Systèmes lidar, spécialement adaptés pour des applications spécifiques pour la cartographie ou l'imagerie

8.

METHOD FOR GATING AN OUTPUT OF A SINGLE PHOTON AVALANCHE DIODE (SPAD) CLUSTER BASED ON AN AMBIENT COUNT OF AMBIENT LIGHT EVENTS GENERATED BY THE SPAD CLUSTER IN A REGION OF INTEREST OF A TIME OF FLIGHT (TOF)

      
Numéro d'application 18525416
Statut En instance
Date de dépôt 2023-11-30
Date de la première publication 2024-04-04
Propriétaire STMICROELECTRONICS (RESEARCH & DEVELOPMENT) LIMITED (Royaume‑Uni)
Inventeur(s) Mcleod, Stuart

Abrégé

In an embodiments, a method for operating a time-of-flight (ToF) ranging array includes: illuminating a field-of-view (FoV) of the ToF ranging array with radiation pulses; receiving reflected radiation pulses with a plurality of single photon avalanche diodes (SPADs) in a region of interest (ROI) of the ToF ranging array, the plurality of SPADs arranged in a plurality of SPAD clusters; determining an ambient count of ambient light events generated by SPADs of a first SPAD cluster of the plurality of SPAD clusters; and gating an output of the first SPAD cluster based on the ambient count.

Classes IPC  ?

  • G01S 17/18 - Systèmes déterminant les données relatives à la position d'une cible pour mesurer la distance uniquement utilisant la transmission d'ondes à modulation d'impulsion interrompues dans lesquels des fenêtres en distance sont utilisées
  • G01S 7/484 - Emetteurs
  • G01S 7/486 - Récepteurs
  • G01S 7/4863 - Réseaux des détecteurs, p.ex. portes de transfert de charge

9.

RECONFIGURABLE HIGH VOLTAGE GENERATION CIRCUIT FOR SPAD SENSORS

      
Numéro d'application 17954957
Statut En instance
Date de dépôt 2022-09-28
Date de la première publication 2024-03-28
Propriétaire STMicroelectronics (Research & Development) Limited (Royaume‑Uni)
Inventeur(s)
  • Dutton, Neale
  • Collins, Steven

Abrégé

A system-on-a-chip (SOC) within a package includes a reference generator, a matching circuit, a programmable current generator, a PWM controller, an overvoltage/undervoltage detector receiving a high voltage from a third output pad, a multiplexer passing an input signal to a second output pad, and a SPAD receiving the high voltage. Switching circuitry includes a first switch between the reference generator and an input of the programmable current generator, a second switch between the input of the current generator and the output of the matching circuit, a third switch between the reference generator and an input of the matching circuit, a fourth switch between an output of the current generator and a tap of a ladder within the overvoltage/undervoltage detector, a fifth switch between an output of the current generator and the first output pad, and a sixth switch between the output of the PWM controller and the first output pad.

Classes IPC  ?

  • H03K 3/017 - Réglage de la largeur ou du rapport durée période des impulsions
  • H03H 11/28 - Réseaux d'adaptation d'impédance

10.

CARRIER MODULATION RANGING USING SPADS

      
Numéro d'application 17939471
Statut En instance
Date de dépôt 2022-09-07
Date de la première publication 2024-03-07
Propriétaire STMicroelectronics (Research & Development) Limited (Royaume‑Uni)
Inventeur(s) Moore, John Kevin

Abrégé

An optical ranging system includes: a first phase-locked loop (PLL) configured to generate a first frequency signal and a second frequency signal; a second PLL configured to generate a third frequency signal based on a control signal that is formed using the first frequency signal; an optical source coupled to the second PLL, where an intensity of an optical signal emitted by the optical source is configured to be modulated in accordance with the third frequency signal; a first single-photon avalanche diode (SPAD) configured to receive a reflected optical signal; a time-to-digital converter (TDC) coupled to the first SPAD, where the TDC is configured to generate digital samples by sampling an output signal of the first SPAD under control of the second frequency signal; a reference signal generator configured to generate a reference signal; and a mixer configured to mix the reference signal and the digital samples from the TDC.

Classes IPC  ?

  • G01S 7/4861 - Circuits pour la détection, d'échantillonnage, d'intégration ou de lecture des circuits
  • G01S 7/4865 - Mesure du temps de retard, p.ex. mesure du temps de vol ou de l'heure d'arrivée ou détermination de la position exacte d'un pic
  • G01S 17/10 - Systèmes déterminant les données relatives à la position d'une cible pour mesurer la distance uniquement utilisant la transmission d'ondes à modulation d'impulsion interrompues

11.

SPAD PIXEL

      
Numéro d'application 18386859
Statut En instance
Date de dépôt 2023-11-03
Date de la première publication 2024-02-22
Propriétaire
  • STMicroelectronics (Crolles 2) SAS (France)
  • STMicroelectronics (Research & Development) Limited (Royaume‑Uni)
Inventeur(s)
  • Guyader, Francois
  • Pellegrini, Sara
  • Rae, Bruce

Abrégé

An electronic device includes a stack of a first level having a SPAD, a second level having a quench circuit for said SPAD, and a third level having a circuit for processing data generated by said SPAD. A method for making the device includes: a) forming of the first level; b) bonding, on the first level, by molecular bonding, of a stack of layers including a semiconductor layer; and c) forming the quench circuit of the second level in the semiconductor layer.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/146 - Structures de capteurs d'images
  • G01J 1/44 - Circuits électriques
  • H01L 31/107 - Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface la barrière de potentiel fonctionnant en régime d'avalanche, p.ex. photodiode à avalanche
  • H04N 25/70 - Architectures de capteurs SSIS; Circuits associés à ces dernières

12.

APPARATUS PROVIDING A PLURALITY OF LIGHT BEAMS

      
Numéro d'application 18495608
Statut En instance
Date de dépôt 2023-10-26
Date de la première publication 2024-02-22
Propriétaire STMICROELECTRONICS (RESEARCH & DEVELOPMENT) LIMITED (Royaume‑Uni)
Inventeur(s)
  • Townsend, Christopher
  • Gopal Krishnan, Thineshwaran
  • Downing, James Peter Drummond
  • Channon, Kevin

Abrégé

An apparatus comprises an array of vertical-cavity surface-emitting lasers. Each of the vertical-cavity surface-emitting lasers is configured to be a source of light. The apparatus also comprises an optical arrangement configured to receive light from a plurality of the vertical-cavity surface-emitting lasers and to output a plurality of light beams.

Classes IPC  ?

  • G01S 7/481 - Caractéristiques de structure, p.ex. agencements d'éléments optiques
  • G01J 1/44 - Circuits électriques
  • G01S 17/10 - Systèmes déterminant les données relatives à la position d'une cible pour mesurer la distance uniquement utilisant la transmission d'ondes à modulation d'impulsion interrompues
  • G02B 27/30 - Collimateurs
  • H01S 5/42 - Réseaux de lasers à émission de surface
  • H01S 5/02253 - Découplage de lumière utilisant des lentilles

13.

THREE-DIMENSIONAL INTERACTIVE DISPLAY

      
Numéro d'application 18362724
Statut En instance
Date de dépôt 2023-07-31
Date de la première publication 2024-02-08
Propriétaire STMICROELECTRONICS (RESEARCH & DEVELOPMENT) LIMITED (Royaume‑Uni)
Inventeur(s) Raynor, Jeff M.

Abrégé

The present disclosure is directed to a three-dimensional interactive display system. The system detects a position of a user (e.g., the user's finger or hand) or an optical emitter device, along three different dimensions. In a case where the system detects a position of a user's finger, the user wears a passive device having angled surfaces on his or her finger to improve detection of the user's finger. In a case where the system detects the optical emitter device, the user holds the optical emitter device or wears the optical emitter device similar to the passive device. The optical emitter device emits light, and the system tracks the optical emitting device by detecting the light emitted by the optical emitter device.

Classes IPC  ?

  • G06F 3/03 - Dispositions pour convertir sous forme codée la position ou le déplacement d'un élément
  • G06F 3/01 - Dispositions d'entrée ou dispositions d'entrée et de sortie combinées pour l'interaction entre l'utilisateur et le calculateur

14.

FLOOD AND DOT EMITTER

      
Numéro d'application 17881236
Statut En instance
Date de dépôt 2022-08-04
Date de la première publication 2024-02-08
Propriétaire STMICROELECTRONICS (RESEARCH & DEVELOPMENT) LIMITED (Royaume‑Uni)
Inventeur(s)
  • Channon, Kevin
  • Carnemolla, Enrico Giuseppe

Abrégé

The present disclosure is directed to a device configured to act as a flood illuminator and a dot projector. The device utilizes a dual channel light source configured to switch between first and second polarizations, and a polarization sensitive metaoptic that outputs dot projection and flood illumination in response to receiving the first polarization and the second polarization, respectively.

Classes IPC  ?

  • F21V 5/00 - Réfracteurs pour sources lumineuses
  • G02B 5/30 - OPTIQUE ÉLÉMENTS, SYSTÈMES OU APPAREILS OPTIQUES Éléments optiques autres que les lentilles Éléments polarisants
  • F21V 5/08 - Réfracteurs pour sources lumineuses produisant une distribution de lumière asymétrique
  • F21V 9/14 - CARACTÉRISTIQUES FONCTIONNELLES OU DÉTAILS FONCTIONNELS DES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES D'ÉCLAIRAGE; COMBINAISONS STRUCTURALES DE DISPOSITIFS D'ÉCLAIRAGE AVEC D'AUTRES OBJETS, NON PRÉVUES AILLEURS Éléments modifiant les caractéristiques spectrales, la polarisation ou l’intensité de la lumière émise, p.ex. filtres pour produire de la lumière polarisée

15.

SYSTEMS AND METHODS FOR POWER-EFFICIENT TIME TO DIGITAL CONVERTERS

      
Numéro d'application 17815440
Statut En instance
Date de dépôt 2022-07-27
Date de la première publication 2024-02-01
Propriétaire STMicroelectronics (Research & Development) Limited (Royaume‑Uni)
Inventeur(s) Dutton, Neale

Abrégé

An example method, to determine time of flight for light detection and ranging, includes enabling a time to digital converter; emitting a light pulse after enabling the time to digital converter; initiating a sampling window at a time of emission of the light pulse; using the time to digital converter to determine times of flight for photons detected during the sampling window; initiating a blanking period in response to concluding the sampling window; and disabling the time to digital converter in response to initiation of the blanking period.

Classes IPC  ?

  • G01S 7/4861 - Circuits pour la détection, d'échantillonnage, d'intégration ou de lecture des circuits
  • G01S 7/4865 - Mesure du temps de retard, p.ex. mesure du temps de vol ou de l'heure d'arrivée ou détermination de la position exacte d'un pic
  • G01S 17/10 - Systèmes déterminant les données relatives à la position d'une cible pour mesurer la distance uniquement utilisant la transmission d'ondes à modulation d'impulsion interrompues
  • G04F 10/00 - Appareils pour mesurer des intervalles de temps inconnus par des moyens électriques

16.

METHOD AND APPARATUS FOR PROCESSING A HISTOGRAM OUTPUT FROM A DETECTOR SENSOR

      
Numéro d'application 18466522
Statut En instance
Date de dépôt 2023-09-13
Date de la première publication 2024-01-25
Propriétaire
  • STMMicroelectronics (Grenoble 2) SAS (France)
  • STMICROELECTRONICS (RESEARCH & DEVELOPMENT) LIMITED (Royaume‑Uni)
Inventeur(s)
  • Moore, John Kevin
  • Lee, Sam
  • Mellot, Pascal
  • Baxter, Donald
  • Mcleod, Stuart
  • Dargan, Kenneth

Abrégé

A method includes receiving a histogram output from a detector sensor, and calculating a median point of a pulse waveform within the histogram. The pulse waveform has an even probability distribution over at least one quantization step of the histogram around the median point. A corresponding apparatus can include a detector sensor and a co-processor coupled to the detector sensor.

Classes IPC  ?

  • G06F 17/18 - Opérations mathématiques complexes pour l'évaluation de données statistiques
  • G01S 7/4863 - Réseaux des détecteurs, p.ex. portes de transfert de charge
  • G06F 11/07 - Réaction à l'apparition d'un défaut, p.ex. tolérance de certains défauts
  • G01S 17/10 - Systèmes déterminant les données relatives à la position d'une cible pour mesurer la distance uniquement utilisant la transmission d'ondes à modulation d'impulsion interrompues
  • G01S 7/4865 - Mesure du temps de retard, p.ex. mesure du temps de vol ou de l'heure d'arrivée ou détermination de la position exacte d'un pic
  • G01S 7/487 - Extraction des signaux d'écho désirés
  • G01S 7/497 - Moyens de contrôle ou de calibrage

17.

SINGLE PHOTON AVALANCHE DIODE

      
Numéro d'application 18220069
Statut En instance
Date de dépôt 2023-07-10
Date de la première publication 2024-01-11
Propriétaire
  • STMicroelectronics (Research & Development) Limited (Royaume‑Uni)
  • STMicroelectronics (Crolles 2) SAS (France)
Inventeur(s)
  • Nicholson, Isobel
  • Pellegrini, Sara
  • Golanski, Dominique
  • Lopez, Alexandre

Abrégé

A device includes a single photon avalanche diode in a portion of a substrate, wherein the portion has an octagonal profile. The octagonal profile is delimited by a wall forming an octagonal contour around the portion. The device further includes an array of diodes, wherein each diode is located in a corner between four adjacent single photon avalanche diodes. Each single photon avalanche diode further includes a doped anode region. A shallow trench isolation is formed in each doped anode region. A polysilicon line forming a resistor is supported at the upper surface of the shallow trench isolation.

Classes IPC  ?

  • H01L 31/107 - Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface la barrière de potentiel fonctionnant en régime d'avalanche, p.ex. photodiode à avalanche
  • H01L 27/146 - Structures de capteurs d'images
  • H01L 31/02 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails - Détails
  • H01L 31/0352 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur forme ou par les formes, les dimensions relatives ou la disposition des régions semi-conductrices

18.

DIFFERENTIAL CORRELATOR FILTER FOR EFFICIENT TOF PEAK FINDING

      
Numéro d'application 17858421
Statut En instance
Date de dépôt 2022-07-06
Date de la première publication 2024-01-11
Propriétaire STMicroelectronics (Research & Development) Limited (Royaume‑Uni)
Inventeur(s) Assmann, Andreas

Abrégé

A differential correlator filter includes: a pre-pulse region, where first filter coefficients in the pre-pulse region have negative values; and a pulse region including: a rising edge region adjacent to the pre-pulse region, where second filter coefficients in the rising edge region have positive values; an accumulation region adjacent to the rising edge region, where third filter coefficients of the accumulation region have positive values; and a falling edge region adjacent to the accumulation region, where fourth filter coefficients of the falling edge region have positive values, where the accumulation region is between the rising edge region and the falling edge region. The differential correlator filter further includes a post-pulse region adjacent to the pulse region, where the pulse region is between the pre-pulse region and the post-pulse region, where fifth filter coefficients of the post-pulse region have negative values.

Classes IPC  ?

  • G01S 17/894 - Imagerie 3D avec mesure simultanée du temps de vol sur une matrice 2D de pixels récepteurs, p.ex. caméras à temps de vol ou lidar flash
  • H04N 5/225 - Caméras de télévision
  • G01S 7/481 - Caractéristiques de structure, p.ex. agencements d'éléments optiques
  • G01S 7/4865 - Mesure du temps de retard, p.ex. mesure du temps de vol ou de l'heure d'arrivée ou détermination de la position exacte d'un pic

19.

Optical sensor and apparatus comprising an optical sensor

      
Numéro d'application 18370637
Numéro de brevet 11994425
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-09-20
Date de la première publication 2024-01-11
Date d'octroi 2024-05-28
Propriétaire
  • STMicroelectronics (Research & Development) Limited (Royaume‑Uni)
  • STMicroelectronics (Grenoble 2) SAS (France)
Inventeur(s)
  • Raynor, Jeffrey M.
  • Taupin, Sophie
  • Rouger, Jean-Jacques
  • Mellot, Pascal

Abrégé

An optical sensor includes pixels. Each pixel has a photodetector. A readout circuit performs a process over an exposure time where the photodetector is connected to a reverse bias voltage supply to reset a voltage across the photodetector, and the photodetector is disconnected from the reverse bias voltage supply until that the voltage across the photodetector decreases in response to received ambient light. An ambient light level is then determine an based on a number of times the voltage across the photodetector is reset over the exposure time.

Classes IPC  ?

  • G01J 1/42 - Photométrie, p.ex. posemètres photographiques en utilisant des détecteurs électriques de radiations
  • G01J 1/44 - Circuits électriques
  • H01L 23/58 - Dispositions électriques structurelles non prévues ailleurs pour dispositifs semi-conducteurs
  • H01L 27/144 - Dispositifs commandés par rayonnement
  • H01L 31/02 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails - Détails

20.

SINGLE PHOTON AVALANCHE DIODE

      
Numéro d'application 18220082
Statut En instance
Date de dépôt 2023-07-10
Date de la première publication 2024-01-11
Propriétaire
  • STMicroelectronics (Research & Development) Limited (Royaume‑Uni)
  • STMicroelectronics (Crolles 2) SAS (France)
Inventeur(s)
  • Pellegrini, Sara
  • Golanski, Dominique
  • Lopez, Alexandre

Abrégé

A device includes a single photon avalanche diode in a substrate and a resistor. The resistor is provided resting on an insulating trench located in a doped anode region of the single photon avalanche diode.

Classes IPC  ?

  • H01L 31/107 - Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface la barrière de potentiel fonctionnant en régime d'avalanche, p.ex. photodiode à avalanche
  • H01L 31/02 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails - Détails
  • H01L 21/762 - Régions diélectriques
  • H01L 31/0352 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur forme ou par les formes, les dimensions relatives ou la disposition des régions semi-conductrices

21.

Methods and Devices to Identify Focal Objects

      
Numéro d'application 18470702
Statut En instance
Date de dépôt 2023-09-20
Date de la première publication 2024-01-11
Propriétaire
  • STMicroelectronics, Inc. (USA)
  • STMicroelectronics (Research & Development) Limited (Royaume‑Uni)
Inventeur(s)
  • Winterton, Darin K.
  • Baxter, Donald
  • Hodgson, Andrew
  • Lunn, Gordon
  • Pothier, Olivier
  • Vadlamudi-Reddy, Kalyan-Kumar

Abrégé

A method includes dividing a field of view into a plurality of zones and sampling the field of view to generate a photon count for each zone of the plurality of zones, identifying a focal sector of the field of view and analyzing each zone to select a final focal object from a first prospective focal object and a second prospective focal object.

Classes IPC  ?

  • H04N 23/67 - Commande de la mise au point basée sur les signaux électroniques du capteur d'image
  • H04N 23/61 - Commande des caméras ou des modules de caméras en fonction des objets reconnus

22.

OPTICAL ELEMENT DISPLACEMENT DETECTION CIRCUIT

      
Numéro d'application 17840949
Statut En instance
Date de dépôt 2022-06-15
Date de la première publication 2023-12-21
Propriétaire STMicroelectronics (Research & Development) Limited (Royaume‑Uni)
Inventeur(s)
  • Collins, Steven
  • Storm, Graeme
  • Hegde, Supriya Raveendra

Abrégé

An optical element is positioned in a holder over a laser light source. The optical element includes an electrical trace that is coupled between first and second pads. A sensing circuit that is also coupled to the first and second pads performs a voltage/current sensing operation to detect displacement of the optical element and control enablement of the laser light source.

Classes IPC  ?

  • H01S 5/068 - Stabilisation des paramètres de sortie du laser

23.

QUANTUM FILM DIRECT TIME OF FLIGHT SENSOR CIRCUIT FOR LOW COST SHORT WAVE INFRARED OPERATION

      
Numéro d'application 17746111
Statut En instance
Date de dépôt 2022-05-17
Date de la première publication 2023-11-23
Propriétaire STMicroelectronics (Research & Development) Limited (Royaume‑Uni)
Inventeur(s) Dutton, Neale

Abrégé

A time-of-flight system includes an emitter-circuit generating and directing pulses of light toward a target, and a receiver-circuit including a photodetector coupled between a bias node and a sensing node to detect pulses that have reflected off the target, a comparison circuit comparing a sense voltage at the sensing node to a reference, a timing measurement circuit measuring elapsed time between generation of a given pulse and detection thereof after reflection off the target, and a programmable current sink that sinks a current from the sensing node equal to a portion of a photocurrent generated by the photodetector due to detection of ambient light. A timing-generation circuit synchronizes generation of the pulses and measurement of elapsed time by the timing circuit. A processor adjusts a magnitude of the current sunk from the sensing node based upon output of the comparison circuit when the emitter circuit is deactivated.

Classes IPC  ?

  • G01S 7/4865 - Mesure du temps de retard, p.ex. mesure du temps de vol ou de l'heure d'arrivée ou détermination de la position exacte d'un pic
  • G01S 7/487 - Extraction des signaux d'écho désirés
  • G01S 7/497 - Moyens de contrôle ou de calibrage

24.

OPTOELECTRONIC DEVICE

      
Numéro d'application 18195609
Statut En instance
Date de dépôt 2023-05-10
Date de la première publication 2023-11-23
Propriétaire
  • STMicroelectronics (Research & Development) Limited (Royaume‑Uni)
  • STMicroelectronics (Grenoble 2) SAS (France)
Inventeur(s)
  • Dutton, Neale
  • Steckel, Jonathan

Abrégé

This disclosure relates to a time-of-flight sensor including, on a same base substrate, a light emitter configured to emit light into an image scene, a reference sensor configured to detect light emitted by the light emitter, and a signal reception sensor array separated from the light emitter by an optical barrier. The optical barrier is configured to prevent light emitted by the light emitter from directly reaching the signal reception sensor array, with the signal reception sensor array being configured to detect light reflected by the image scene. The reference sensor and the signal reception sensor array are based on semiconductor nanoparticles.

Classes IPC  ?

  • G01S 7/4865 - Mesure du temps de retard, p.ex. mesure du temps de vol ou de l'heure d'arrivée ou détermination de la position exacte d'un pic
  • G01S 7/481 - Caractéristiques de structure, p.ex. agencements d'éléments optiques
  • G01S 7/4863 - Réseaux des détecteurs, p.ex. portes de transfert de charge
  • G01S 7/499 - DÉTERMINATION DE LA DIRECTION PAR RADIO; RADIO-NAVIGATION; DÉTERMINATION DE LA DISTANCE OU DE LA VITESSE EN UTILISANT DES ONDES RADIO; LOCALISATION OU DÉTECTION DE LA PRÉSENCE EN UTILISANT LA RÉFLEXION OU LA RERADIATION D'ONDES RADIO; DISPOSITIONS ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES - Détails des systèmes correspondant aux groupes , , de systèmes selon le groupe utilisant des effets de polarisation

25.

SPAD PIXEL

      
Numéro d'application 18225298
Statut En instance
Date de dépôt 2023-07-24
Date de la première publication 2023-11-16
Propriétaire
  • STMicroelectronics (Crolles 2) SAS (France)
  • STMicroelectronics (Research & Development) Limited (Royaume‑Uni)
Inventeur(s)
  • Guyader, Francois
  • Pellegrini, Sara
  • Rae, Bruce

Abrégé

An electronic device includes a stack of a first level having a SPAD, a second level having a quench circuit for said SPAD, and a third level having a circuit for processing data generated by said SPAD. A method for making the device includes: a) forming of the first level; b) bonding, on the first level, by molecular bonding, of a stack of layers including a semiconductor layer; and c) forming the quench circuit of the second level in the semiconductor layer.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/146 - Structures de capteurs d'images
  • H01L 31/107 - Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface la barrière de potentiel fonctionnant en régime d'avalanche, p.ex. photodiode à avalanche
  • G01J 1/44 - Circuits électriques

26.

WAFER LEVEL MICROSTRUCTURES FOR AN OPTICAL LENS

      
Numéro d'application 18352965
Statut En instance
Date de dépôt 2023-07-14
Date de la première publication 2023-11-16
Propriétaire STMicroelectronics (Research & Development) Limited (Royaume‑Uni)
Inventeur(s)
  • Channon, Kevin
  • Downing, James Peter Drummond
  • Price, Andy

Abrégé

Various embodiments provide an optical lens that includes wafer level diffractive microstructures. In one embodiment, the optical lens includes a substrate, a microstructure layer having a first refractive index, and a protective layer having a second refractive index that is different from the first refractive index. The microstructure layer is formed on the substrate and includes a plurality of diffractive microstructures. The protective layer is formed on the diffractive microstructures. The protective layer provides a cleanable surface and encapsulates the diffractive microstructures to prevent damage and contamination to the diffractive microstructures. In another embodiment, the optical lens includes a substrate and an anti-reflective layer. The anti-reflective layer is formed on the substrate and includes a plurality of diffractive microstructures.

Classes IPC  ?

27.

Photodiode current compatible input stage for a sigma-delta analog-to-digital converter

      
Numéro d'application 17713514
Numéro de brevet 12015427
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-04-05
Date de la première publication 2023-10-05
Date d'octroi 2024-06-18
Propriétaire STMicroelectronics (Research & Development) Limited (Royaume‑Uni)
Inventeur(s)
  • Todorova, Ilina
  • Raynor, Jeffrey M.

Abrégé

An input stage circuit for a sigma-delta analog-to-digital converter circuit receives a digital-to-analog converter generated feedback signal and an analog current input signal to generate a difference signal applied to an integrator circuit. A single bit quantization circuit quantizes an output of the integrator circuit to generate a bit signal that is applied to an input of the digital-to-analog converter. The input stage circuit includes a switched input capacitor controlled by first and second, non-overlapping, clock signals.

Classes IPC  ?

  • H03M 1/12 - Convertisseurs analogiques/numériques
  • H03M 3/00 - Conversion de valeurs analogiques en, ou à partir d'une modulation différentielle

28.

METHOD FOR CUTTING SUBSTRATE ELEMENTS

      
Numéro d'application 18124834
Statut En instance
Date de dépôt 2023-03-22
Date de la première publication 2023-09-28
Propriétaire
  • STMicroelectronics (Grenoble 2) SAS (France)
  • STMicroelectronics (Research & Development) Limited (Royaume‑Uni)
Inventeur(s)
  • Chaperon, Melodie
  • Halliday, William
  • Gagnieux, Jean

Abrégé

In a method, substrate elements are provided wherein each substrate element has a first side and a second side meeting at a corner point. The substrate elements are picked and then placed on a support device in alignment. A cutting operation is then performed where each of the substrates elements are cut along a cut line having a common first direction which intersects the first and second sides of each of the substrate elements in order to create a third side on each substrate element. The third side of each of the substrate elements meets the first and the second sides at corresponding corner points.

Classes IPC  ?

  • B28D 5/00 - Travail mécanique des pierres fines, pierres précieuses, cristaux, p.ex. des matériaux pour semi-conducteurs; Appareillages ou dispositifs à cet effet
  • B28D 5/04 - Travail mécanique des pierres fines, pierres précieuses, cristaux, p.ex. des matériaux pour semi-conducteurs; Appareillages ou dispositifs à cet effet par outils autres que ceux du type rotatif, p.ex. par des outils animés d'un mouvement alternatif

29.

METHODS AND DEVICES FOR IDENTIFYING PEAKS IN HISTOGRAMS

      
Numéro d'application 17697784
Statut En instance
Date de dépôt 2022-03-17
Date de la première publication 2023-09-21
Propriétaire STMicroelectronics (Research & Development) Limited (Royaume‑Uni)
Inventeur(s) Aßmann, Andreas

Abrégé

A single-pass method for identifying peaks in a time of flight histogram, the single-pass method including conducting an ordered comparison of each bin with an adaptive threshold until finding a bin that exceeds the adaptive threshold; enabling peak tracking in response to finding the bin that exceeds the adaptive threshold; in response to enabling peak tracking, continuing the ordered comparison of each bin with the adaptive threshold until finding a bin that falls below the adaptive threshold; and in response to finding the bin that falls below the adaptive threshold, marking a peak location between the bin exceeding the adaptive threshold and the bin that falls below the adaptive threshold.

Classes IPC  ?

  • G01S 7/4865 - Mesure du temps de retard, p.ex. mesure du temps de vol ou de l'heure d'arrivée ou détermination de la position exacte d'un pic
  • G01S 7/48 - DÉTERMINATION DE LA DIRECTION PAR RADIO; RADIO-NAVIGATION; DÉTERMINATION DE LA DISTANCE OU DE LA VITESSE EN UTILISANT DES ONDES RADIO; LOCALISATION OU DÉTECTION DE LA PRÉSENCE EN UTILISANT LA RÉFLEXION OU LA RERADIATION D'ONDES RADIO; DISPOSITIONS ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES - Détails des systèmes correspondant aux groupes , , de systèmes selon le groupe
  • G01S 17/10 - Systèmes déterminant les données relatives à la position d'une cible pour mesurer la distance uniquement utilisant la transmission d'ondes à modulation d'impulsion interrompues

30.

FLUIDIC EJECTION DEVICE WITH OPTICAL BLOCKAGE DETECTOR

      
Numéro d'application 18179978
Statut En instance
Date de dépôt 2023-03-07
Date de la première publication 2023-07-27
Propriétaire STMICROELECTRONICS (RESEARCH & DEVELOPMENT) LIMITED (Royaume‑Uni)
Inventeur(s) Raynor, Jeffrey M.

Abrégé

The present disclosure is directed to a fluidic ejection device configured to detect whether one or more nozzles of the fluidic ejection device is in a normal state, a blocked nozzle state, or an accumulated fluid state. The fluidic ejection device includes an optical blockage detector having a light emitting device configured to emit a light signal, and a light sensor configured to detect the light signal. The optical blockage detector detects the normal state, the blocked nozzle state, and the accumulated fluid state based on the detected light signal.

Classes IPC  ?

  • B05B 12/00 - Aménagements de commande de la distribution; Aménagements de réglage de l’aire de pulvérisation

31.

SPARSE UNDER DISPLAY LIDAR

      
Numéro d'application 17575520
Statut En instance
Date de dépôt 2022-01-13
Date de la première publication 2023-07-13
Propriétaire STMicroelectronics (Research & Development) Limited (Royaume‑Uni)
Inventeur(s) Aßmann, Andreas

Abrégé

A system to sample light including an array of light-sensitive pixels and a content display. The content display includes an array of content-display pixels; and an array of masking pixels individually selectable to switch between an opaque state and a transparent state, the array of masking pixels being aligned with the array of light-sensitive pixels so light-sensitive pixels may be selected to receive light passing through the content display by selecting the states of the array of masking pixels.

Classes IPC  ?

  • G01S 17/10 - Systèmes déterminant les données relatives à la position d'une cible pour mesurer la distance uniquement utilisant la transmission d'ondes à modulation d'impulsion interrompues
  • G01S 17/931 - Systèmes lidar, spécialement adaptés pour des applications spécifiques pour prévenir les collisions de véhicules terrestres
  • G01S 17/894 - Imagerie 3D avec mesure simultanée du temps de vol sur une matrice 2D de pixels récepteurs, p.ex. caméras à temps de vol ou lidar flash
  • G01S 7/51 - Dispositions pour l'affichage

32.

SERIAL BUS SYSTEM AND METHOD

      
Numéro d'application 18063453
Statut En instance
Date de dépôt 2022-12-08
Date de la première publication 2023-06-22
Propriétaire STMicroelectronics (Research & Development) Limited (Royaume‑Uni)
Inventeur(s)
  • Raynor, Jeffrey M.
  • Aparicio, Sergio Miguez
  • Sarachi, Benjamin Thomas

Abrégé

The present disclosure relates to a secondary device comprising a first port receiving a clock signal from a first port of a primary device and a second port connected to a second port of the primary device. The clock signal determines, for each bit transmission, first, second, third and fourth successive phases. The secondary device puts its second port in a high impedance state during the first, second and fourth phases of each bit transmission. During the third phase of each transmission of a bit of data from the secondary device to the primary device, the secondary device discharges its second port when the transmitted bit has a first value and leaves its second port in a high impedance state when the transmitted bit has a second value.

Classes IPC  ?

  • G06F 13/42 - Protocole de transfert pour bus, p.ex. liaison; Synchronisation

33.

ELECTRONIC DEVICE COMPRISING AN OPTICAL CHIP AND METHOD OF FABRICATION

      
Numéro d'application 18110568
Statut En instance
Date de dépôt 2023-02-16
Date de la première publication 2023-06-22
Propriétaire
  • STMicroelectronics (Grenoble 2) SAS (France)
  • STMicroelectronics (Research & Development) Limited (Royaume‑Uni)
Inventeur(s)
  • Mastromauro, Nicolas
  • Duffy, Roy
  • Saxod, Karine

Abrégé

An electronic device includes a carrier substrate having a front face. An electronic chip is mounted on the front face of the carrier substrate and includes an optical component. An encapsulation cover is mounted on top of the front face of the carrier substrate and bounds a chamber within which the chip is situated. A front opening extends through the cover and is situated in front of the optical component. An optical element, designed to allow light to pass, is mounted within the chamber at a position which covers the front opening of the encapsulation cover. The optical element includes a central region designed to deviate the light and having an optical axis aligned with the front opening and the optical component. A positioning pattern is provided on the optical element to assist with mounting the optical element to the cover and mounting the cover to the carrier substrate.

Classes IPC  ?

  • G02B 7/00 - Montures, moyens de réglage ou raccords étanches à la lumière pour éléments optiques
  • H01L 31/0232 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails - Détails Éléments ou dispositions optiques associés au dispositif
  • H01L 31/0203 - Conteneurs; Encapsulations
  • G02B 13/00 - Objectifs optiques spécialement conçus pour les emplois spécifiés ci-dessous

34.

PIXEL CIRCUIT AND METHOD OF OPERATING THE SAME IN AN ALWAYS-ON MODE

      
Numéro d'application 18170270
Statut En instance
Date de dépôt 2023-02-16
Date de la première publication 2023-06-22
Propriétaire STMICROELECTRONICS (RESEARCH & DEVELOPMENT) LIMITED (Royaume‑Uni)
Inventeur(s) Dutton, Neale

Abrégé

An imaging device includes a sensor array with a number of pixels. In an embodiment, the imaging device can be operated by capturing a first low-spatial resolution frame using a subset of pixels of the sensor array and then capturing a second low-spatial resolution frame using the same subset of pixels of the sensor array. A first depth map is generated using raw pixel values of the first low-spatial resolution frame and a second depth map is generated using raw pixel values of the second low-spatial resolution frame. The first depth map can be compared to the second depth map to determine whether an object has moved in a field of view of the imaging device.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/146 - Structures de capteurs d'images
  • H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des groupes principaux , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. circuit hybrides
  • G06T 7/579 - Récupération de la profondeur ou de la forme à partir de plusieurs images à partir du mouvement
  • H01L 31/02 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails - Détails
  • H04N 25/77 - Circuits de pixels, p.ex. mémoires, convertisseurs A/N, amplificateurs de pixels, circuits communs ou composants communs

35.

SERIAL BUS PROTOCOL

      
Numéro d'application 18063436
Statut En instance
Date de dépôt 2022-12-08
Date de la première publication 2023-06-22
Propriétaire STMicroelectronics (Research & Development) Limited (Royaume‑Uni)
Inventeur(s)
  • Aparicio, Sergio Miguez
  • Sarachi, Benjamin Thomas

Abrégé

In accordance with an embodiment, a system includes: a primary device configured to be connected to at least one secondary device via serial bus having a data wire and a clock wire. The primary device is configured to: provide a clock signal on the clock wire; and transmit a frame comprising control bits on the serial bus, wherein a number of control bits transmitted on the serial bus at at least one location of the frame indicates a format of the frame.

Classes IPC  ?

  • G06F 13/42 - Protocole de transfert pour bus, p.ex. liaison; Synchronisation

36.

ASSEMBLY COMPRISING A DISPLAY SCREEN AND A PROXIMITY SENSOR

      
Numéro d'application 18062517
Statut En instance
Date de dépôt 2022-12-06
Date de la première publication 2023-06-15
Propriétaire
  • STMICROELECTRONICS (RESEARCH & DEVELOPMENT) LIMITED (Royaume‑Uni)
  • STMICROELECTRONICS (GRENOBLE 2) SAS (France)
  • STMICROELECTRONICS (ALPS) SAS (France)
Inventeur(s)
  • Hannan, Joseph
  • Caley, Adam
  • Guillon, Megane Estelle
  • Milanetto, Charlotte
  • Premont, Christophe

Abrégé

The present disclosure relates to an assembly for an electronic device, the assembly comprising: a display screen comprising a plurality of pixels arranged in a matrix scheme comprising rows orientated in a first direction and columns orientated in a second direction; and a proximity sensor comprising at least one optical light emitter, each adapted to emit a light beam through one or more first pixels of the display screen, and an optical detector adapted to receive through one or more second pixels of the display screen the light beam emitted by the at least one optical light emitter and reflected on an object; wherein none of the one or more second pixels is in the same row as any of the one or more first pixels, and none of the one or more second pixels is in the same column as any of the one or more first pixels.

Classes IPC  ?

  • G01S 17/08 - Systèmes déterminant les données relatives à la position d'une cible pour mesurer la distance uniquement
  • G01S 7/481 - Caractéristiques de structure, p.ex. agencements d'éléments optiques

37.

Blended gray image enhancement

      
Numéro d'application 17531419
Numéro de brevet 11803942
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2021-11-19
Date de la première publication 2023-05-25
Date d'octroi 2023-10-31
Propriétaire STMICROELECTRONICS (RESEARCH & DEVELOPMENT) LIMITED (Royaume‑Uni)
Inventeur(s)
  • Stewart, Brian Douglas
  • Hegedüs, Réka

Abrégé

A method for enhancing an image and an image enhancement device are described. The method for enhancing an image including: capturing an initial image including a plurality of pixels, and performing a pixel-by-pixel dehazing operation for each of the plurality of pixels. The performing including: generating, for each of the plurality of pixels, a value for a blended gray image based on color channels of the pixel, generating, for each of the plurality of pixels, a value for a transmission map based on the blended gray image, and generating, for each of the plurality of pixels, output color channels for a processed image based on the value for the transmission map, the processed image being an enhancement of the initial image.

Classes IPC  ?

  • G06T 5/00 - Amélioration ou restauration d'image
  • H04N 23/71 - Circuits d'évaluation de la variation de luminosité
  • G06T 5/50 - Amélioration ou restauration d'image en utilisant plusieurs images, p.ex. moyenne, soustraction
  • H04N 9/64 - Circuits pour le traitement de signaux de couleur
  • H04N 9/77 - Circuits pour le traitement l'un par rapport à l'autre des signaux de luminance et de chrominance, p.ex. ajustement de la phase du signal de luminance par rapport au signal de couleur, correction différentielle du gain ou de la phase

38.

Apparatus providing a plurality of light beams

      
Numéro d'application 18158448
Numéro de brevet 11815628
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-01-23
Date de la première publication 2023-05-25
Date d'octroi 2023-11-14
Propriétaire STMICROELECTRONICS (RESEARCH & DEVELOPMENT) LIMITED (Royaume‑Uni)
Inventeur(s)
  • Townsend, Christopher
  • Gopal Krishnan, Thineshwaran
  • Downing, James Peter Drummond
  • Channon, Kevin

Abrégé

An apparatus comprises an array of vertical-cavity surface-emitting lasers. Each of the vertical-cavity surface-emitting lasers is configured to be a source of light. The apparatus also comprises an optical arrangement configured to receive light from a plurality of the vertical-cavity surface-emitting lasers and to output a plurality of light beams.

Classes IPC  ?

  • G01S 7/481 - Caractéristiques de structure, p.ex. agencements d'éléments optiques
  • G01J 1/44 - Circuits électriques
  • G01S 17/10 - Systèmes déterminant les données relatives à la position d'une cible pour mesurer la distance uniquement utilisant la transmission d'ondes à modulation d'impulsion interrompues
  • G02B 27/30 - Collimateurs
  • H01S 5/42 - Réseaux de lasers à émission de surface
  • H01S 5/02253 - Découplage de lumière utilisant des lentilles

39.

Method and device for ambient light measurement

      
Numéro d'application 18065343
Numéro de brevet 11830459
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-12-13
Date de la première publication 2023-05-04
Date d'octroi 2023-11-28
Propriétaire STMICROELECTRONICS (RESEARCH & DEVELOPMENT) LIMITED (Royaume‑Uni)
Inventeur(s) Raynor, Jeffrey M.

Abrégé

An embodiment method of measuring ambient light comprises generating, by an ambient light sensor associated with a screen which alternates between first phases in which light is emitted and second phases in which no light is emitted by the screen, a first signal representative of an intensity of light received by the ambient light sensor during the first and second phases; comparing the first signal with a threshold intensity value; and controlling a timing of an ambient light measurement by the light sensor based on the comparison.

Classes IPC  ?

  • G09G 5/10 - Circuits d'intensité
  • G09G 3/3225 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED] organiques, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes organiques [OLED] utilisant une matrice active

40.

Methods and devices to identify focal objects

      
Numéro d'application 17987280
Numéro de brevet 11800224
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-11-15
Date de la première publication 2023-03-16
Date d'octroi 2023-10-24
Propriétaire
  • STMicroelectronics, Inc. (USA)
  • STMicroelectronics (Research & Development) Limited (Royaume‑Uni)
Inventeur(s)
  • Winterton, Darin K.
  • Baxter, Donald
  • Hodgson, Andrew
  • Lunn, Gordon
  • Pothier, Olivier
  • Vadlamudi-Reddy, Kalyan-Kumar

Abrégé

A method includes dividing a field of view into a plurality of zones and sampling the field of view to generate a photon count for each zone of the plurality of zones, identifying a focal sector of the field of view and analyzing each zone to select a final focal object from a first prospective focal object and a second prospective focal object.

Classes IPC  ?

  • H04N 23/67 - Commande de la mise au point basée sur les signaux électroniques du capteur d'image
  • H04N 23/61 - Commande des caméras ou des modules de caméras en fonction des objets reconnus

41.

LINEAR REGULATION OF SPAD SHUTOFF VOLTAGE

      
Numéro d'application 17987419
Statut En instance
Date de dépôt 2022-11-15
Date de la première publication 2023-03-09
Propriétaire STMicroelectronics (Research & Development) Limited (Royaume‑Uni)
Inventeur(s) Moore, John Kevin

Abrégé

A sensing pixel includes a single photon avalanche diode (SPAD) coupled between a first node and a second node, with a clamp diode being coupled between a turn-off voltage node and the second node. A turn-off circuit includes a sense circuit configured to generate a feedback voltage based upon a voltage at the turn-off voltage node, a transistor having a first conduction terminal coupled to the turn-off voltage node, a second conduction terminal coupled to ground, and a control terminal, and an amplifier having a first input coupled to a reference voltage, a second input coupled to receive the feedback voltage, and an output coupled to the control terminal of the transistor. A readout circuit is coupled to the SPAD by a decoupling capacitor.

Classes IPC  ?

42.

High voltage generation using reconfigurable photodiodes in pixel array

      
Numéro d'application 17962811
Numéro de brevet 12009373
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-10-10
Date de la première publication 2023-02-09
Date d'octroi 2024-06-11
Propriétaire STMicroelectronics (Research & Development) Limited (Royaume‑Uni)
Inventeur(s)
  • Kaklin, Filip
  • Raynor, Jeffrey M.

Abrégé

An imaging sensor includes a pixel array containing photodiodes, the photodiodes being isolated from one another by full thickness deep trench isolations. Row control circuitry controls which rows of the pixel array operate in an imaging mode and which rows of the pixel array operate in an energy harvesting mode, on a row-by-row basis. Switch circuitry selectively connects different groups of photodiodes in rows operating in the energy harvesting mode into forward biased series configurations between a voltage output line and a ground line, or into forward biased parallel configurations between the voltage output line and the ground line. In the forward biased series configurations, the cathode of at least one photodiode of a given group of photodiodes is directly electrically connected to ground.

Classes IPC  ?

43.

Method for gating an output of a single photon avalanche diode (SPAD) cluster based on an ambient count of ambient light events generated by the SPAD cluster in a region of interest of a time of flight (TOF) ranging array

      
Numéro d'application 17952540
Numéro de brevet 11885878
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-09-26
Date de la première publication 2023-01-12
Date d'octroi 2024-01-30
Propriétaire STMICROELECTRONICS (RESEARCH & DEVELOPMENT) LIMITED (Royaume‑Uni)
Inventeur(s) Mcleod, Stuart

Abrégé

In an embodiments, a method for operating a time-of-flight (ToF) ranging array includes: illuminating a field-of-view (FoV) of the ToF ranging array with radiation pulses; receiving reflected radiation pulses with a plurality of single photon avalanche diodes (SPADs) in a region of interest (ROI) of the ToF ranging array, the plurality of SPADs arranged in a plurality of SPAD clusters; determining an ambient count of ambient light events generated by SPADs of a first SPAD cluster of the plurality of SPAD clusters; and gating an output of the first SPAD cluster based on the ambient count.

Classes IPC  ?

  • G01S 7/486 - Récepteurs
  • G01S 17/18 - Systèmes déterminant les données relatives à la position d'une cible pour mesurer la distance uniquement utilisant la transmission d'ondes à modulation d'impulsion interrompues dans lesquels des fenêtres en distance sont utilisées
  • G01S 7/484 - Emetteurs
  • G01S 7/4863 - Réseaux des détecteurs, p.ex. portes de transfert de charge

44.

Linear regulation of SPAD shutoff voltage

      
Numéro d'application 17370230
Numéro de brevet 11530947
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2021-07-08
Date de la première publication 2022-12-20
Date d'octroi 2022-12-20
Propriétaire STMicroelectronics (Research & Development) Limited (Royaume‑Uni)
Inventeur(s) Moore, John Kevin

Abrégé

Described herein is an electronic device, including a pixel and a turn-off circuit. The pixel includes a single photon avalanche diode (SPAD) having a cathode coupled to a high voltage node and an anode selectively coupled to ground through an enable circuit, and a clamp diode having an anode coupled to the anode of the SPAD and a cathode coupled to a turn-off voltage node. The turn-off circuit includes a sense circuit coupled between the turn-off voltage node and ground and configured to generate a feedback voltage, and a regulation circuit configured to sink current from the turn-off voltage node to ground based upon the feedback voltage such that a voltage at the turn-off voltage node maintains generally constant.

Classes IPC  ?

45.

ToF system

      
Numéro d'application 17341084
Numéro de brevet 11977186
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2021-06-07
Date de la première publication 2022-12-08
Date d'octroi 2024-05-07
Propriétaire STMicroelectronics (Research & Development) Limited (Royaume‑Uni)
Inventeur(s)
  • Buckbee, Kasper
  • Dutton, Neale

Abrégé

In an embodiment, a method includes: resetting respective count values of a plurality of analog counters to an initial count value, each analog counter of the plurality of analog counters corresponding to a histogram bin of a time-of-flight (ToF) histogram; after resetting the respective count values, receiving a plurality of digital addresses from a time-to-digital converter (TDC); during an integration period, for each received digital address, selecting one analog counter based on the received digital address, and changing the respective count value of the selected one analog counter towards a second count value by a discrete amount, where each analog counter has a final count value at an end of the integration period; and after the integration period, determining an associated final bin count of each histogram bin of the ToF histogram based on the final count value of the corresponding analog counter.

Classes IPC  ?

  • G01S 7/4865 - Mesure du temps de retard, p.ex. mesure du temps de vol ou de l'heure d'arrivée ou détermination de la position exacte d'un pic
  • G01C 3/00 - Mesure des distances dans la ligne de visée; Télémètres optiques
  • G01C 3/06 - Utilisation de moyens électriques pour obtenir une indication finale
  • G01C 3/08 - Utilisation de détecteurs électriques de radiations
  • G01S 7/4863 - Réseaux des détecteurs, p.ex. portes de transfert de charge
  • G01S 7/4914 - Réseaux des détecteurs, p.ex. portes de transfert de charge
  • G01S 7/4915 - Mesure du temps de retard, p.ex. détails opérationnels pour les composants de pixels; Mesure de la phase
  • G01S 17/10 - Systèmes déterminant les données relatives à la position d'une cible pour mesurer la distance uniquement utilisant la transmission d'ondes à modulation d'impulsion interrompues
  • G01S 17/14 - Systèmes déterminant les données relatives à la position d'une cible pour mesurer la distance uniquement utilisant la transmission d'ondes à modulation d'impulsion interrompues dans lesquels une impulsion de tension ou de courant est initiée et terminée en fonction respectivement de l'émission d'impulsions et de la réception d'écho, p.ex. en utilisant des compteurs
  • G01S 17/36 - Systèmes déterminant les données relatives à la position d'une cible pour mesurer la distance uniquement utilisant la transmission d'ondes continues, soit modulées en amplitude, en fréquence ou en phase, soit non modulées avec comparaison en phase entre le signal reçu et le signal transmis au même moment
  • G01S 17/894 - Imagerie 3D avec mesure simultanée du temps de vol sur une matrice 2D de pixels récepteurs, p.ex. caméras à temps de vol ou lidar flash
  • G06T 7/521 - Récupération de la profondeur ou de la forme à partir de la projection de lumière structurée
  • G06T 7/70 - Détermination de la position ou de l'orientation des objets ou des caméras
  • H03M 1/34 - Valeur analogique comparée à des valeurs de référence

46.

APPARATUS AND METHOD FOR A DISPLAY SCREEN AND AN OPTICAL LIGHT EMITTER

      
Numéro d'application 17661381
Statut En instance
Date de dépôt 2022-04-29
Date de la première publication 2022-12-01
Propriétaire
  • STMicroelectronics (Alps) SAS (France)
  • STMicroelectronics (Grenoble 2) SAS (France)
  • STMicroelectronics (Research & Development) Limited (Royaume‑Uni)
Inventeur(s)
  • Mermillod-Anselme, Quentin
  • Bouchene, Salim
  • Caley, Adam

Abrégé

The present disclosure relates to an assembly for an electronic device comprising: a display screen; an optical light emitter adapted to emit an Infrared or near Infrared light beam through the display screen; the optical light emitter and the display screen being of the type that, when an unpolarized light beam from the optical light emitter passes through a region of the display screen, a white spot of a first intensity is formed in the region; a light polarizer positioned between the optical light emitter and the display screen, the light polarizer being orientated such that a white spot of a second intensity, lower than the first intensity, is formed when the light beam, from the optical light emitter and polarized by the light polarizer, passes through the region of the display screen.

Classes IPC  ?

  • G02B 27/28 - Systèmes ou appareils optiques non prévus dans aucun des groupes , pour polariser
  • G01C 3/08 - Utilisation de détecteurs électriques de radiations
  • G02B 5/30 - OPTIQUE ÉLÉMENTS, SYSTÈMES OU APPAREILS OPTIQUES Éléments optiques autres que les lentilles Éléments polarisants

47.

Mechanically held polymer lenses for photonics device maintaining placement reference to die

      
Numéro d'application 17313301
Numéro de brevet 11754782
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2021-05-06
Date de la première publication 2022-11-10
Date d'octroi 2023-09-12
Propriétaire STMicroelectronics (Research & Development) Limited (Royaume‑Uni)
Inventeur(s) Hannan, Joseph

Abrégé

A photonic device includes a PCB having an integrated circuit mounted thereon, with a cap mounted to the PCB and carrying a lens positioned over the integrated circuit. The cap is formed by: an outer wall mounted to the PCB, extending upwardly from the PCB, and surrounding a portion of the integrated circuit; a first retention structure extending inwardly from the outer wall and across the integrated circuit, the first retention structure having a hole defined therein; and a second retention structure having a hole defined therein, the second retention structure being affixed within the first retention structure such that the hole in the second retention structure is axially aligned with the hole in the first retention structure. The lens is mechanically constrained within the cap between the first retention structure and the second retention structure.

Classes IPC  ?

  • G02B 6/122 - Elements optiques de base, p.ex. voies de guidage de la lumière
  • H05K 1/02 - Circuits imprimés - Détails
  • G02B 6/12 - OPTIQUE ÉLÉMENTS, SYSTÈMES OU APPAREILS OPTIQUES - Détails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p.ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques du genre à circuit intégré

48.

Routing for DTOF sensors

      
Numéro d'application 17868261
Numéro de brevet 11822017
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-07-19
Date de la première publication 2022-11-10
Date d'octroi 2023-11-21
Propriétaire STMicroelectronics (Research & Development) Limited (Royaume‑Uni)
Inventeur(s)
  • Dutton, Neale
  • Moore, John Kevin

Abrégé

A ToF sensor includes an array of pixels having first and second subsets of pixels, first and second pluralities of TDCs, a routing bus having first and second pluralities of bus drivers, and a controller configured to: when the first subset of pixels is active and the second subset of pixels is not active, control the first plurality of bus drivers to route events from half of the pixels of the first subset to the first plurality of TDCs and control the first and second pluralities of bus drivers to route events from the other half of the pixels of the first subset to the second plurality of TDCs, and when the first subset of pixels is not active and the second subset of pixels is active, control the first plurality of bus drivers to route events from the second subset of pixels to the first plurality of TDCs.

Classes IPC  ?

  • G06V 20/64 - Objets tridimensionnels
  • G01S 7/4863 - Réseaux des détecteurs, p.ex. portes de transfert de charge
  • G01S 17/89 - Systèmes lidar, spécialement adaptés pour des applications spécifiques pour la cartographie ou l'imagerie

49.

LIGHT SENSOR

      
Numéro d'application 17660321
Statut En instance
Date de dépôt 2022-04-22
Date de la première publication 2022-10-27
Propriétaire
  • STMICROELECTRONICS (RESEARCH & DEVELOPMENT) LIMITED (Royaume‑Uni)
  • STMicroelectronics (Grenoble 2) SAS (France)
Inventeur(s)
  • Raynor, Jeffrey M.
  • Moeneclaey, Nicolas

Abrégé

The present disclosure relates to a sensor having pixels, each pixel having photodiodes having each a terminal coupled to a first node associated with the photodiode; and an amplifier having a first part and, for each photodiode, a second part associated with the photodiode. The first part includes an output of the amplifier and a first MOS transistor of a differential pair. Each second part includes a second MOS transistor of the differential pair having its gate coupled to the first node associated with the photodiode the second part is associated with; a first switch coupling a source of the second transistor to the first part of the amplifier; and a second switch coupling a drain of the second transistor to the first part of the amplifier.

Classes IPC  ?

50.

Optical sensor and method of operating an optical sensor

      
Numéro d'application 17838745
Numéro de brevet 11913831
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-06-13
Date de la première publication 2022-10-06
Date d'octroi 2024-02-27
Propriétaire STMICROELECTRONICS (RESEARCH & DEVELOPMENT) LIMITED (Royaume‑Uni)
Inventeur(s)
  • Dutton, Neale
  • Moore, John Kevin

Abrégé

An optical sensor includes at least one photodetector configured to be reverse biased at a voltage exceeding a breakdown voltage by an excess bias voltage. At least one control unit is configured to adjust the reverse bias of the at least one photodetector. A method of operating an optical sensor is also disclosed.

Classes IPC  ?

  • G01J 1/44 - Circuits électriques
  • G01J 1/02 - Photométrie, p.ex. posemètres photographiques - Parties constitutives
  • G01J 1/04 - Pièces optiques ou mécaniques
  • H01L 31/02 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails - Détails

51.

EMBEDDED TRANSMISSIVE DIFFRACTIVE OPTICAL ELEMENTS

      
Numéro d'application 17842669
Statut En instance
Date de dépôt 2022-06-16
Date de la première publication 2022-10-06
Propriétaire STMICROELECTRONICS (RESEARCH & DEVELOPMENT) LIMITED (Royaume‑Uni)
Inventeur(s) Downing, James Peter Drummond

Abrégé

Various embodiments provide optical lenses that include phase shift layers that transmit incident light with four or more distinct phase quantizations. In one embodiment, a lens includes a substrate, a first immersion material layer on the substrate, and a plurality of anti-reflective phase shift layers on the first immersion material layer. The phase shift layers define a first anti-reflective phase shift region that transmits received light without a phase shift, a second anti-reflective phase shift region configured to transmit the received light with a first phase shift, a third anti-reflective phase shift region configured to transmit the received light with a second phase shift, and a fourth anti-reflective phase shift region configured to transmit the received light with a third phase shift. The first, second, and third phase shifts are different from one another.

Classes IPC  ?

  • G02B 27/09 - Mise en forme du faisceau, p.ex. changement de la section transversale, non prévue ailleurs
  • G02B 1/11 - Revêtements antiréfléchissants

52.

Lens displacement detection circuit for an optical device

      
Numéro d'application 17186179
Numéro de brevet 11988894
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2021-02-26
Date de la première publication 2022-09-01
Date d'octroi 2024-05-21
Propriétaire STMicroelectronics (Research & Development) Limited (Royaume‑Uni)
Inventeur(s) Moore, John Kevin

Abrégé

A lens is positioned to be received by a lens holder. The lens includes a first electrical trace and the lens holder includes a second electrical trace. The first and second electrical traces form electrodes of a sense capacitor. A capacitance of the sense capacitor is sensed. From the sensed capacitance, a determination is made as to whether the lens is present and properly positioned in the lens holder.

Classes IPC  ?

  • G02B 7/10 - Montures, moyens de réglage ou raccords étanches à la lumière pour éléments optiques pour lentilles avec mécanisme de mise au point ou pour faire varier le grossissement par déplacement axial relatif de plusieurs lentilles, p.ex. lentilles d'objectif à distance focale variable
  • G02B 7/02 - Montures, moyens de réglage ou raccords étanches à la lumière pour éléments optiques pour lentilles
  • H04N 23/54 - Montage de tubes analyseurs, de capteurs d'images électroniques, de bobines de déviation ou de focalisation

53.

ANODE SENSING CIRCUIT FOR SINGLE PHOTON AVALANCHE DIODES

      
Numéro d'application 17734738
Statut En instance
Date de dépôt 2022-05-02
Date de la première publication 2022-08-25
Propriétaire STMicroelectronics (Research & Development) Limited (Royaume‑Uni)
Inventeur(s)
  • Al-Rawhani, Mohammed
  • Dutton, Neale
  • Moore, John Kevin
  • Rae, Bruce
  • Lacombe, Elisa

Abrégé

Disclosed herein is an array of pixels. Each pixel includes a single photon avalanche diode (SPAD) and a transistor circuit. The transistor circuit includes a clamp transistor configured to clamp an anode voltage of the SPAD to be no more than a threshold clamped anode voltage, and a quenching element in series with the clamp transistor and configured to quench the anode voltage of the SPAD when the SPAD is struck by an incoming photon. Readout circuitry is coupled to receive the clamped anode voltage from the transistor circuit and to generate a pixel output therefrom, the threshold clamped anode voltage being below a maximum voltage rating of transistors forming the readout circuitry.

Classes IPC  ?

  • H01L 31/107 - Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface la barrière de potentiel fonctionnant en régime d'avalanche, p.ex. photodiode à avalanche
  • H04N 5/378 - Circuits de lecture, p.ex. circuits d’échantillonnage double corrélé [CDS], amplificateurs de sortie ou convertisseurs A/N
  • H01L 27/146 - Structures de capteurs d'images

54.

Apparatus for compensating parasitic impedance for integrated circuits

      
Numéro d'application 17720139
Numéro de brevet 12015243
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-04-13
Date de la première publication 2022-07-28
Date d'octroi 2024-06-18
Propriétaire
  • STMICROELECTRONICS (RESEARCH & DEVELOPMENT ) LIMITED (Royaume‑Uni)
  • STMICROELECTRONICS (GRENOBLE 2) SAS (France)
Inventeur(s)
  • Lee, Denise Tingxi
  • Dutton, Neale
  • Moeneclaey, Nicolas
  • Andriot-Ballet, Jerome

Abrégé

A laser diode driver circuit includes a first pair of contacts and connectors coupled to an anode of the laser diode. An inductance of each of the first pair of contacts and connectors is the same. A second pair of contacts and connectors are coupled to a cathode of the laser diode. An inductance of each of the second pair of contacts and connectors is the same. The laser diode driver circuit also includes current driving circuitry.

Classes IPC  ?

  • H01S 5/026 - Composants intégrés monolithiques, p.ex. guides d'ondes, photodétecteurs de surveillance ou dispositifs d'attaque
  • H01S 5/042 - Excitation électrique
  • H01S 5/183 - Lasers à émission de surface [lasers SE], p.ex. comportant à la fois des cavités horizontales et verticales comportant uniquement des cavités verticales, p.ex. lasers à émission de surface à cavité verticale [VCSEL]

55.

INDIRECT TIME OF FLIGHT SENSOR

      
Numéro d'application 17557349
Statut En instance
Date de dépôt 2021-12-21
Date de la première publication 2022-06-23
Propriétaire
  • STMicroelectronics (Research & Development) Limited (Royaume‑Uni)
  • STMicroelectronics (Grenoble 2) SAS (France)
Inventeur(s)
  • Moore, John Kevin
  • Dutton, Neale
  • Mellot, Pascal

Abrégé

An indirect time of flight sensor includes a matrix of pixels, wherein each pixel includes at least two controllable transfer devices. First conductive lines transmit first control signals to the transfer devices, these first signals being provided by a first circuit. A device is provided for illuminating a scene that is divided into at least two first areas. The device successively illuminates each first area. The matrix is similarly divided into at least two second areas. The matrix and illumination device are disposed such that each first area corresponds to one second area. The first circuit provides different first signals to the different second areas.

Classes IPC  ?

  • G01S 17/46 - Détermination indirecte des données relatives à la position
  • G01S 7/481 - Caractéristiques de structure, p.ex. agencements d'éléments optiques
  • G01S 17/89 - Systèmes lidar, spécialement adaptés pour des applications spécifiques pour la cartographie ou l'imagerie

56.

Methods and devices for crosstalk compensation

      
Numéro d'application 17119385
Numéro de brevet 11808895
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-12-11
Date de la première publication 2022-06-16
Date d'octroi 2023-11-07
Propriétaire STMICROELECTRONICS (RESEARCH & DEVELOPMENT) LIMITED (Royaume‑Uni)
Inventeur(s)
  • Mcleod, Stuart
  • Hawkins, Ed

Abrégé

A method includes measuring a first set of photon-event data collected from a first crosstalk-monitoring zone of an optical receiver during a first period of time of flight ranging, measuring a second set of photon-event data collected from a second crosstalk-monitoring zone of the optical receiver during the first period of time of flight ranging, and generating a first dynamic crosstalk compensation value for a first histogram region of the optical receiver using the first set of photon-event data, the second set of photon-event data, and a native crosstalk compensation value for the first histogram region of the optical receiver.

Classes IPC  ?

  • G01S 7/48 - DÉTERMINATION DE LA DIRECTION PAR RADIO; RADIO-NAVIGATION; DÉTERMINATION DE LA DISTANCE OU DE LA VITESSE EN UTILISANT DES ONDES RADIO; LOCALISATION OU DÉTECTION DE LA PRÉSENCE EN UTILISANT LA RÉFLEXION OU LA RERADIATION D'ONDES RADIO; DISPOSITIONS ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES - Détails des systèmes correspondant aux groupes , , de systèmes selon le groupe
  • G01S 7/497 - Moyens de contrôle ou de calibrage
  • G01S 17/10 - Systèmes déterminant les données relatives à la position d'une cible pour mesurer la distance uniquement utilisant la transmission d'ondes à modulation d'impulsion interrompues
  • G01S 7/4865 - Mesure du temps de retard, p.ex. mesure du temps de vol ou de l'heure d'arrivée ou détermination de la position exacte d'un pic

57.

Controlling movement of a mobile robot

      
Numéro d'application 17122722
Numéro de brevet 11945124
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-12-15
Date de la première publication 2022-06-16
Date d'octroi 2024-04-02
Propriétaire STMicroelectronics (Research & Development) Limited (Royaume‑Uni)
Inventeur(s)
  • Hanratty, James M.
  • Raynor, Jeffrey M.

Abrégé

In certain embodiments, a method includes accessing image information for a scene in a movement path of a mobile robot. The image includes image information for each of a plurality of pixels of the scene, the image information comprising respective intensity values and respective distance values. The method includes analyzing the image information to determine whether to modify the movement path of the mobile robot. The method includes initiating, in response to determining according to the image information to modify the movement path of the mobile robot, sending of a command to a drive subsystem of the mobile robot to modify the movement path of the mobile robot.

Classes IPC  ?

  • G05D 1/02 - Commande de la position ou du cap par référence à un système à deux dimensions
  • B25J 9/16 - Commandes à programme
  • B25J 13/08 - Commandes pour manipulateurs au moyens de dispositifs sensibles, p.ex. à la vue ou au toucher
  • G05D 1/00 - Commande de la position, du cap, de l'altitude ou de l'attitude des véhicules terrestres, aquatiques, aériens ou spatiaux, p.ex. pilote automatique

58.

METHODS AND APPARATUS FOR LOCATING DEVICES

      
Numéro d'application 17119689
Statut En instance
Date de dépôt 2020-12-11
Date de la première publication 2022-06-16
Propriétaire STMicroelectromics (Research & Development ) Limited (Royaume‑Uni)
Inventeur(s)
  • Hearn, Brent Edward
  • Munko, Marek Jan

Abrégé

A method implemented by a first time of flight (ToF) sensor includes generating, by the first ToF sensor, a first depth map in accordance with measurements of reflections of an optical signal emitted by the first ToF sensor; communicating, by the first sensor with a second ToF sensor, the first depth map and a second depth map, the second depth map generated by the second ToF sensor; and determining, by the first ToF sensor, a relative location of the first ToF sensor relative to the second ToF sensor in accordance with the first depth map and the second depth map.

Classes IPC  ?

  • G01S 17/89 - Systèmes lidar, spécialement adaptés pour des applications spécifiques pour la cartographie ou l'imagerie
  • G01S 7/4863 - Réseaux des détecteurs, p.ex. portes de transfert de charge
  • G01S 7/484 - Emetteurs

59.

Integrated circuit comprising a single photon avalanche diode and corresponding manufacturing method

      
Numéro d'application 17546503
Numéro de brevet 11949035
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2021-12-09
Date de la première publication 2022-06-16
Date d'octroi 2024-04-02
Propriétaire
  • STMicroelectronics (Crolles 2) SAS (France)
  • STMicroelectronics (Research & Development) Limited (Royaume‑Uni)
Inventeur(s)
  • Rideau, Denis
  • Golanski, Dominique
  • Lopez, Alexandre
  • Mugny, Gabriel

Abrégé

A single photon avalanche diode (SPAD) includes a PN junction in a semiconductor well doped with a first type of dopant. The PN junction is formed between a first region doped with the first type of dopant and a second region doped with a second type of dopant opposite to the first type of dopant. The first doped region is shaped so as to incorporate local variations in concentration of dopants that are configured, in response to a voltage between the second doped region and the semiconductor well that is greater than or equal to a level of a breakdown voltage of the PN junction, to generate a monotonic variation in the electrostatic potential between the first doped region and the semiconductor well.

Classes IPC  ?

  • H01L 31/107 - Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface la barrière de potentiel fonctionnant en régime d'avalanche, p.ex. photodiode à avalanche
  • H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives

60.

Compact line scan mems time of flight system with actuated lens

      
Numéro d'application 17124027
Numéro de brevet 11747611
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-12-16
Date de la première publication 2022-06-16
Date d'octroi 2023-09-05
Propriétaire
  • STMicroelectronics (Research & Development) Limited (Royaume‑Uni)
  • STMicroelectronics S.r.l. (Italie)
Inventeur(s)
  • Townsend, Christopher
  • Carminati, Roberto

Abrégé

An optical module includes an optical detector, laser emitter, and first and second support structures, each carried by a substrate. An optical layer includes first and second fixed portions carried by the support structures, a movable portion affixed between the fixed portions by a spring structure, and a lens system carried by the movable portion, the lens system including an objective lens and a beam shaping lens. The optical layer includes a comb drive with a first comb structure extending from the first fixed portion to interdigitate with a second comb structure extending from the movable portion, a third comb structure extending from the second fixed portion to interdigitate with a fourth comb structure extending from the movable portion, and actuation circuitry applying voltages to the comb structures to cause the movable portion of the optical layer to oscillate back and forth between the fixed portions.

Classes IPC  ?

  • G02B 26/10 - Systèmes de balayage
  • G01S 17/894 - Imagerie 3D avec mesure simultanée du temps de vol sur une matrice 2D de pixels récepteurs, p.ex. caméras à temps de vol ou lidar flash
  • G02B 26/08 - Dispositifs ou dispositions optiques pour la commande de la lumière utilisant des éléments optiques mobiles ou déformables pour commander la direction de la lumière

61.

COMPACT LINE SCAN MEMS TIME OF FLIGHT SYSTEM WITH ACTUATED LENS

      
Numéro d'application 17533890
Statut En instance
Date de dépôt 2021-11-23
Date de la première publication 2022-06-16
Propriétaire
  • STMicroelectronics (Research & Development) Limited (Royaume‑Uni)
  • STMicroelectronics S.r.l. (Italie)
Inventeur(s)
  • Townsend, Christopher
  • Carminati, Roberto

Abrégé

Disclosed herein is an optical module including a substrate, with an optical detector, laser emitter, and support structure being carried by the substrate. An optical layer includes a fixed portion carried by the support structure, a movable portion affixed between opposite sides of the fixed portion by a spring structure, and a lens system carried by the movable portion. The movable portion has at least one opening defined therein across which the lens system extends, with at least one supporting portion extending across the at least one opening to support the lens system. The optical layer further includes a MEMS actuator for in-plane movement of the movable portion with respect to the fixed portion.

Classes IPC  ?

  • G02B 26/08 - Dispositifs ou dispositions optiques pour la commande de la lumière utilisant des éléments optiques mobiles ou déformables pour commander la direction de la lumière
  • B81B 3/00 - Dispositifs comportant des éléments flexibles ou déformables, p.ex. comportant des membranes ou des lamelles élastiques

62.

Method for measuring ambient light and corresponding integrated device

      
Numéro d'application 17569171
Numéro de brevet 11994424
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-01-05
Date de la première publication 2022-05-19
Date d'octroi 2024-05-28
Propriétaire
  • STMicroelectronics (Crolles 2) SAS (France)
  • STMicroelectronics (Research & Development) Limited (Royaume‑Uni)
  • STMicroelectronics (Grenoble 2) SAS (France)
Inventeur(s)
  • Malinge, Pierre
  • Lalanne, Frédéric
  • Raynor, Jeffrey M.
  • Moeneclaey, Nicolas

Abrégé

In an embodiment a method for measuring ambient light includes successively synchronizing optical signal acquisition phases with extinction phases of a disruptive light source, wherein the disruptive light source periodically provides illumination phases and the extinction phases, accumulating, in each acquisition phase, photo-generated charges by at least one photosensitive pixel comprising a pinned photodiode, wherein an area of the pinned photodiode is less than or equal to 1/10 of an area of the at least one photosensitive pixel, transferring, for each pixel, the accumulated photo-generated charges to a sensing node, converting, for each pixel, the transferred charges to a voltage at a voltage node and converting, for each pixel, the transferred charges to a digital number.

Classes IPC  ?

  • G01J 1/42 - Photométrie, p.ex. posemètres photographiques en utilisant des détecteurs électriques de radiations
  • G09G 3/3225 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED] organiques, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes organiques [OLED] utilisant une matrice active
  • H04N 25/53 - Commande du temps d'intégration
  • H05B 47/105 - Commande de la source lumineuse en réponse à des paramètres détectés

63.

Scalable depth sensor

      
Numéro d'application 17083079
Numéro de brevet 11721031
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-10-28
Date de la première publication 2022-04-28
Date d'octroi 2023-08-08
Propriétaire STMicroelectronics (Research & Development) Limited (Royaume‑Uni)
Inventeur(s)
  • Aßmann, Andreas
  • Stewart, Brian Douglas

Abrégé

A system and method for a scalable depth sensor. The scalable depth sensor having an emitter, a receiver, and a processor. The emitter is configured to uniformly illuminate a scene within a field-of-view of the emitter. The receiver including a plurality of detectors, each detector configured to capture depth and intensity information corresponding to a subset of the field-of-view. The a processor connected to the detector and configured to selectively sample a subset of the plurality of the detectors in accordance with compressive sensing techniques, and provide an image in accordance with an output from the subset of the plurality of the detectors, the image providing a depth and intensity image corresponding to the field-of-view of the emitter.

Classes IPC  ?

  • G06K 9/00 - Méthodes ou dispositions pour la lecture ou la reconnaissance de caractères imprimés ou écrits ou pour la reconnaissance de formes, p.ex. d'empreintes digitales
  • G06T 7/50 - Récupération de la profondeur ou de la forme
  • G01S 7/483 - DÉTERMINATION DE LA DIRECTION PAR RADIO; RADIO-NAVIGATION; DÉTERMINATION DE LA DISTANCE OU DE LA VITESSE EN UTILISANT DES ONDES RADIO; LOCALISATION OU DÉTECTION DE LA PRÉSENCE EN UTILISANT LA RÉFLEXION OU LA RERADIATION D'ONDES RADIO; DISPOSITIONS ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES - Détails des systèmes correspondant aux groupes , , de systèmes selon le groupe - Détails de systèmes à impulsions
  • G01S 17/894 - Imagerie 3D avec mesure simultanée du temps de vol sur une matrice 2D de pixels récepteurs, p.ex. caméras à temps de vol ou lidar flash

64.

SPAD pixel

      
Numéro d'application 17498286
Numéro de brevet 11843008
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2021-10-11
Date de la première publication 2022-04-14
Date d'octroi 2023-12-12
Propriétaire
  • STMicroelectronics (Crolles 2) SAS (France)
  • STMicroelectronics (Research & Development) Limited (Royaume‑Uni)
Inventeur(s)
  • Guyader, Francois
  • Pellegrini, Sara
  • Rae, Bruce

Abrégé

An electronic device includes a stack of a first level having a SPAD, a second level having a quench circuit for said SPAD, and a third level having a circuit for processing data generated by said SPAD. A method for making the device includes: a) forming of the first level; b) bonding, on the first level, by molecular bonding, of a stack of layers including a semiconductor layer; and c) forming the quench circuit of the second level in the semiconductor layer.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/146 - Structures de capteurs d'images
  • G01J 1/44 - Circuits électriques
  • H01L 31/107 - Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface la barrière de potentiel fonctionnant en régime d'avalanche, p.ex. photodiode à avalanche
  • H04N 25/70 - Architectures de capteurs SSIS; Circuits associés à ces dernières

65.

PIXEL WITH AN IMPROVED QUANTUM EFFICIENCY

      
Numéro d'application 17471049
Statut En instance
Date de dépôt 2021-09-09
Date de la première publication 2022-03-17
Propriétaire STMICROELECTRONICS (RESEARCH & DEVELOPMENT) LIMITED (Royaume‑Uni)
Inventeur(s)
  • Bianchi, Raul Andres
  • Barlas, Marios
  • Lopez, Alexandre
  • Mamdy, Bastien
  • Rae, Bruce
  • Nicholson, Isobel

Abrégé

The present disclosure relates to a pixel comprising: a photodiode comprising a portion of a substrate of a semiconductor material, extending vertically from a first face of the substrate to a second face of the substrate configured to receive light; a layer of a first material covering each of the lateral surfaces of the portion; a layer of a second material covering the portion on the side of the first face, first and second material having refractive indexes lower than that of the semiconductor material; and a diffractive structure disposed on a face of the photodiode on the side of the second face.

Classes IPC  ?

66.

System and method for detecting screen orientation of a device

      
Numéro d'application 17107070
Numéro de brevet 11270668
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-11-30
Date de la première publication 2022-03-08
Date d'octroi 2022-03-08
Propriétaire STMicroelectronics (Research & Development) Limited (Royaume‑Uni)
Inventeur(s)
  • Raynor, Jeffrey M.
  • Munko, Marek

Abrégé

A method for detecting an orientation of a screen of a device includes having a two-dimensional (2D) detector array affixed to the device in a fixed orientation relative to the screen, where the 2D detector array includes a sensing area with a plurality of pixels; imaging a scene including a user in a foreground and a background onto the 2D detector array; extracting an information of the scene for each of the plurality of pixels of the sensing area, the information being extracted from the 2D detector array by an image sensor; identifying an asymmetry in a pixelated image of the scene that includes the information of the scene for each of the plurality of pixels of the sensing area; and based on the asymmetry in the image of the scene, determining the orientation of the screen relative to the user.

Classes IPC  ?

  • G09G 5/32 - Dispositions ou circuits de commande de l'affichage communs à l'affichage utilisant des tubes à rayons cathodiques et à l'affichage utilisant d'autres moyens de visualisation caractérisés par l'affichage de caractères ou de signes individuels en utilisant des signaux de commande d'affichage dérivés de signaux codés représentant les caractères ou les signes avec une mémoire de codes de caractères avec des moyens pour commander la position de l'affichage
  • G06F 1/16 - TRAITEMENT ÉLECTRIQUE DE DONNÉES NUMÉRIQUES - Détails non couverts par les groupes et - Détails ou dispositions de structure
  • G06T 7/70 - Détermination de la position ou de l'orientation des objets ou des caméras

67.

Wafer level microstructures for an optical lens

      
Numéro d'application 17520317
Numéro de brevet 11747529
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2021-11-05
Date de la première publication 2022-02-24
Date d'octroi 2023-09-05
Propriétaire STMicroelectronics (Research & Development) Limited (Royaume‑Uni)
Inventeur(s)
  • Channon, Kevin
  • Downing, James Peter Drummond
  • Price, Andy

Abrégé

Various embodiments provide an optical lens that includes wafer level diffractive microstructures. In one embodiment, the optical lens includes a substrate, a microstructure layer having a first refractive index, and a protective layer having a second refractive index that is different from the first refractive index. The microstructure layer is formed on the substrate and includes a plurality of diffractive microstructures. The protective layer is formed on the diffractive microstructures. The protective layer provides a cleanable surface and encapsulates the diffractive microstructures to prevent damage and contamination to the diffractive microstructures. In another embodiment, the optical lens includes a substrate and an anti-reflective layer. The anti-reflective layer is formed on the substrate and includes a plurality of diffractive microstructures.

Classes IPC  ?

  • G02B 5/18 - Grilles de diffraction
  • G02B 1/14 - Revêtements protecteurs, p.ex. revêtements durs
  • G02B 1/115 - Multicouches
  • G01S 7/481 - Caractéristiques de structure, p.ex. agencements d'éléments optiques

68.

Fluidic ejection device with optical blockage detector

      
Numéro d'application 16988346
Numéro de brevet 11623236
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-08-07
Date de la première publication 2022-02-10
Date d'octroi 2023-04-11
Propriétaire STMICROELECTRONICS (RESEARCH & DEVELOPMENT) LIMITED (Royaume‑Uni)
Inventeur(s) Raynor, Jeffrey M.

Abrégé

The present disclosure is directed to a fluidic ejection device configured to detect whether one or more nozzles of the fluidic ejection device is in a normal state, a blocked nozzle state, or an accumulated fluid state. The fluidic ejection device includes an optical blockage detector having a light emitting device configured to emit a light signal, and a light sensor configured to detect the light signal. The optical blockage detector detects the normal state, the blocked nozzle state, and the accumulated fluid state based on the detected light signal.

Classes IPC  ?

  • B05B 12/00 - Aménagements de commande de la distribution; Aménagements de réglage de l’aire de pulvérisation
  • B41J 2/165 - Prévention du colmatage des ajutages, p.ex. nettoyage, obturation par un capuchon ou humidification des ajutages
  • B33Y 50/00 - Acquisition ou traitement de données pour la fabrication additive
  • B29C 64/386 - Acquisition ou traitement de données pour la fabrication additive
  • B29C 64/209 - Têtes; Buses

69.

Image sensor including photodiode array comprising a first transistor coupled to a photodiode to receive a column enable signal and a second transistor coupled to the photodiode to receive a column disable signal

      
Numéro d'application 17486750
Numéro de brevet 11815393
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2021-09-27
Date de la première publication 2022-01-13
Date d'octroi 2023-11-14
Propriétaire STMicroelectronics (Research & Development) Limited (Royaume‑Uni)
Inventeur(s) Dutton, Neale

Abrégé

A sensor has plurality of pixels arranged in a plurality of rows and columns with row control circuitry for controlling which one of said rows is activated and column control circuitry for controlling which of said pixels in said activated row is to be activated. The column circuitry has memory configured to store information indication as to which of the pixels are defective, wherein each of the pixels has a photodiode and a plurality of transistors which control the activation of the photodiode. A first transistor is configured to be controlled by a column enable signal while a second transistor is configured to be controlled by a row select signal.

Classes IPC  ?

70.

Molded range and proximity sensor with optical resin lens

      
Numéro d'application 17411948
Numéro de brevet 11693149
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2021-08-25
Date de la première publication 2021-12-09
Date d'octroi 2023-07-04
Propriétaire
  • STMICROELECTRONICS (RESEARCH & DEVELOPMENT) LIMITED (Royaume‑Uni)
  • STMICROELECTRONICS PTE LTD (Singapour)
Inventeur(s)
  • Wong, Wing Shenq
  • Price, Andy
  • Christison, Eric

Abrégé

A method for forming a molded proximity sensor with an optical resin lens and the structure formed thereby. A light sensor chip is placed on a substrate, such as a printed circuit board, and a diode, such as a laser diode, is positioned on top of the light sensor chip and electrically connected to a bonding pad on the light sensor chip. Transparent, optical resin in liquid form is applied as a drop over the light sensor array on the light sensor chip as well as over the light-emitting diode. After the optical resin is cured, a molding compound is applied to an entire assembly, after which the assembly is polished to expose the lenses and have a top surface flush with the top surface of the molding compound.

Classes IPC  ?

  • H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des groupes principaux , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. circuit hybrides
  • H01L 31/167 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails structurellement associés, p.ex. formés dans ou sur un substrat commun, avec une ou plusieurs sources lumineuses électriques, p.ex. avec des sources lumineuses électroluminescentes, et en outre électriquement ou optiquement couplés avec lesdites sour le dispositif à semi-conducteur sensible au rayonnement étant commandé par la ou les sources lumineuses les sources lumineuses et les dispositifs sensibles au rayonnement étant tous des dispositifs semi-conducteurs caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou de surface
  • G01V 8/12 - Détection, p.ex. en utilisant des barrières de lumière en utilisant un émetteur et un récepteur

71.

Routing for DTOF sensors

      
Numéro d'application 16895477
Numéro de brevet 11428792
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-06-08
Date de la première publication 2021-12-09
Date d'octroi 2022-08-30
Propriétaire STMicroelectronics (Research & Development) Limited (Royaume‑Uni)
Inventeur(s)
  • Dutton, Neale
  • Moore, John Kevin

Abrégé

A ToF sensor includes an array of pixels having first and second subsets of pixels, first and second pluralities of TDCs, a routing bus having first and second pluralities of bus drivers, and a controller configured to: when the first subset of pixels is active and the second subset of pixels is not active, control the first plurality of bus drivers to route events from half of the pixels of the first subset to the first plurality of TDCs and control the first and second pluralities of bus drivers to route events from the other half of the pixels of the first subset to the second plurality of TDCs, and when the first subset of pixels is not active and the second subset of pixels is active, control the first plurality of bus drivers to route events from the second subset of pixels to the first plurality of TDCs.

Classes IPC  ?

  • G01S 17/88 - Systèmes lidar, spécialement adaptés pour des applications spécifiques
  • G01S 7/4863 - Réseaux des détecteurs, p.ex. portes de transfert de charge
  • G01S 17/89 - Systèmes lidar, spécialement adaptés pour des applications spécifiques pour la cartographie ou l'imagerie

72.

Compact depth sensor module

      
Numéro d'application 16896725
Numéro de brevet 11543526
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-06-09
Date de la première publication 2021-12-09
Date d'octroi 2023-01-03
Propriétaire STMicroelectronics (Research & Development) Limited (Royaume‑Uni)
Inventeur(s)
  • Dutton, Neale
  • Townsend, Christopher

Abrégé

Disclosed herein is a time of flight sensing module that includes a reflected laser light detector formed on a printed circuit board, and a plurality of laser modules positioned about a periphery of the reflected laser light detector. Each laser module includes an interposer substrate vertically spaced apart from the printed circuit board, at least one laser diode carried by the interposer substrate, and a diffuser spaced apart from the interposer substrate and over the at least one laser diode. A lens may be positioned over the reflected laser light detector, and the plurality of laser modules are positioned about the periphery of the lens.

Classes IPC  ?

  • G01S 17/10 - Systèmes déterminant les données relatives à la position d'une cible pour mesurer la distance uniquement utilisant la transmission d'ondes à modulation d'impulsion interrompues
  • G01B 11/22 - Dispositions pour la mesure caractérisées par l'utilisation de techniques optiques pour mesurer la profondeur
  • G01S 7/481 - Caractéristiques de structure, p.ex. agencements d'éléments optiques

73.

Method and devices for enhanced imaging

      
Numéro d'application 16894221
Numéro de brevet 11477431
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-06-05
Date de la première publication 2021-12-09
Date d'octroi 2022-10-18
Propriétaire STMICROELECTRONICS (RESEARCH & DEVELOPMENT) LIMITED (Royaume‑Uni)
Inventeur(s) Assmann, Andreas

Abrégé

A method includes emitting a pattern of transmitted light into a three-dimensional environment from an optical transmitter and receiving reflected light from the pattern of transmitted light at an optical receiver. The method includes identifying light-sensitive pixels of that are stimulated by from the pattern of reflected light and generating an up-sampled matrix with subsections that correspond to light-sensitive pixels. The method includes sparsely populating subsections of the up-sampled matrix with a pattern of non-zero entries and imaging the three-dimensional environment.

Classes IPC  ?

  • H04N 13/239 - Générateurs de signaux d’images utilisant des caméras à images stéréoscopiques utilisant deux capteurs d’images 2D dont la position relative est égale ou en correspondance à l’intervalle oculaire
  • H04N 13/125 - Réduction de la diaphonie

74.

Method and apparatus for processing a histogram output from a detector sensor

      
Numéro d'application 17410143
Numéro de brevet 11797645
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2021-08-24
Date de la première publication 2021-12-09
Date d'octroi 2023-10-24
Propriétaire
  • STMicroelectronics (Research & Development) Limited (Royaume‑Uni)
  • STMicroelectronics (Grenoble 2) SAS (France)
Inventeur(s)
  • Moore, John Kevin
  • Lee, Sam
  • Mellot, Pascal
  • Baxter, Donald
  • Mcleod, Stuart
  • Dargan, Kenneth

Abrégé

A method includes receiving a histogram output from a detector sensor, and calculating a median point of a pulse waveform within the histogram. The pulse waveform has an even probability distribution over at least one quantization step of the histogram around the median point. A corresponding apparatus can include a detector sensor and a co-processor coupled to the detector sensor.

Classes IPC  ?

  • G06F 17/18 - Opérations mathématiques complexes pour l'évaluation de données statistiques
  • G01S 7/4863 - Réseaux des détecteurs, p.ex. portes de transfert de charge
  • G06F 11/07 - Réaction à l'apparition d'un défaut, p.ex. tolérance de certains défauts
  • G01S 17/10 - Systèmes déterminant les données relatives à la position d'une cible pour mesurer la distance uniquement utilisant la transmission d'ondes à modulation d'impulsion interrompues
  • G01S 7/4865 - Mesure du temps de retard, p.ex. mesure du temps de vol ou de l'heure d'arrivée ou détermination de la position exacte d'un pic
  • G01S 7/487 - Extraction des signaux d'écho désirés
  • G01S 7/497 - Moyens de contrôle ou de calibrage
  • G01S 7/481 - Caractéristiques de structure, p.ex. agencements d'éléments optiques

75.

FLEXIBLE INTERFACE

      
Numéro d'application 17368450
Statut En instance
Date de dépôt 2021-07-06
Date de la première publication 2021-12-02
Propriétaire STMICROELECTRONICS (RESEARCH & DEVELOPMENT) LIMITED (Royaume‑Uni)
Inventeur(s)
  • Napolitano, Leonardo
  • Firth, Stephen

Abrégé

A system and method are provided on one or more companion chips having a plurality of cores. Each core has core circuitry and a test interface for carrying out tests in relation to the core circuitry. The test interface has an address register to hold an address of the core and address determination circuitry. The address determination circuitry is configured to compare an address received on an address line to the address held in the address register to determine whether a core is being addressed. The address determination circuitry is also configured to direct the test interface to carry out a testing operation in response to the determination.

Classes IPC  ?

  • G06F 11/22 - Détection ou localisation du matériel d'ordinateur défectueux en effectuant des tests pendant les opérations d'attente ou pendant les temps morts, p.ex. essais de mise en route
  • G01R 31/3185 - Reconfiguration pour les essais, p.ex. LSSD, découpage
  • G01R 31/317 - Tests de circuits numériques
  • G06F 11/273 - Matériel de test, c. à d. circuits de traitement de signaux de sortie
  • G01R 31/3177 - Tests de fonctionnement logique, p.ex. au moyen d'analyseurs logiques

76.

Extended hold-off time for SPAD quench assistance

      
Numéro d'application 17392422
Numéro de brevet 11579016
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2021-08-03
Date de la première publication 2021-11-25
Date d'octroi 2023-02-14
Propriétaire STMicroelectronics (Research & Development) Limited (Royaume‑Uni)
Inventeur(s)
  • Al-Rawhani, Mohammed
  • Rae, Bruce

Abrégé

A single photon avalanche diode (SPAD) has a cathode coupled to a high voltage supply and an anode coupled to a first node. A photodetection circuit includes: a first n-channel transistor having a drain coupled to the first node, a source coupled to ground, and a gate coupled to a third node; a second n-channel transistor having a drain coupled to the first node, a source coupled to ground, and a gate coupled to a second node; and an inverter having an input coupled to the first node and an output coupled to an intermediate node. A current starved inverter has an input coupled to the intermediate node and an output coupled to the second node, a logic gate has inputs coupled to the intermediate node and the second node, and an output coupled to the third node.

Classes IPC  ?

77.

TIME OF FLIGHT SENSING UNIT HAVING RECONFIGURABLE OR LOGIC

      
Numéro d'application 17379658
Statut En instance
Date de dépôt 2021-07-19
Date de la première publication 2021-11-11
Propriétaire STMicroelectronics (Research & Development) Limited (Royaume‑Uni)
Inventeur(s)
  • Rae, Bruce
  • Dutton, Neale

Abrégé

An electronic device includes a time-of-flight unit with a laser emitting ranging light toward a scene, and a detector detecting ranging light reflected from the scene. The detector includes photodetection regions of macropixels. Each macropixel includes photodiodes, and OR logic circuitry receiving outputs of photodiodes as input and generating a detection signal. Each macropixel has output combining logic, and selection circuitry selectively passing the detection signal to the output combining logic or to output combining logic of a neighboring macropixel. The output combining logic has inputs coupled to the selection circuitry and the selection circuitry of the neighboring macropixel, and generates an output signal by logically combining outputs of the selection circuitry and the selection circuitry of the neighboring macropixel. Timing circuitry determines distances to points of the scene from elapsed time between emitting the ranging light and detecting of ranging light reflected from the scene by the photodetection regions.

Classes IPC  ?

  • H03K 19/17764 - Circuits logiques, c. à d. ayant au moins deux entrées agissant sur une sortie; Circuits d'inversion utilisant des éléments spécifiés utilisant des circuits logiques élémentaires comme composants disposés sous forme matricielle - Détails structurels des ressources de configuration pour la fiabilité
  • H03K 19/20 - Circuits logiques, c. à d. ayant au moins deux entrées agissant sur une sortie; Circuits d'inversion caractérisés par la fonction logique, p.ex. circuits ET, OU, NI, NON

78.

Optical sensor and apparatus comprising an optical sensor having a readout circuit to determine an ambient light level based on voltage across a photodetector at the end of an exposure time

      
Numéro d'application 17362548
Numéro de brevet 11796386
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2021-06-29
Date de la première publication 2021-10-21
Date d'octroi 2023-10-24
Propriétaire
  • STMicroelectronics (Research & Development) Limited (Royaume‑Uni)
  • STMicroelectronics (Grenoble 2) SAS (France)
Inventeur(s)
  • Raynor, Jeffrey M.
  • Taupin, Sophie
  • Rouger, Jean-Jacques
  • Mellot, Pascal

Abrégé

An optical sensor includes pixels. Each pixel has a photodetector. A readout circuit performs a process over an exposure time where the photodetector is connected to a reverse bias voltage supply to reset a voltage across the photodetector, and the photodetector is disconnected from the reverse bias voltage supply until that the voltage across the photodetector decreases in response to received ambient light. An ambient light level is then determine an based on a number of times the voltage across the photodetector is reset over the exposure time.

Classes IPC  ?

  • G01J 1/42 - Photométrie, p.ex. posemètres photographiques en utilisant des détecteurs électriques de radiations
  • G01J 1/44 - Circuits électriques
  • H01L 23/58 - Dispositions électriques structurelles non prévues ailleurs pour dispositifs semi-conducteurs
  • H01L 27/144 - Dispositifs commandés par rayonnement
  • H01L 31/02 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails - Détails

79.

Time to digital converter

      
Numéro d'application 16834347
Numéro de brevet 11885915
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-03-30
Date de la première publication 2021-09-30
Date d'octroi 2024-01-30
Propriétaire STMicroelectronics (Research & Development) Limited (Royaume‑Uni)
Inventeur(s)
  • Dutton, Neale
  • Moore, John Kevin

Abrégé

In an embodiment, a method includes: receiving a first plurality of digital codes from a time-to-digital converter (TDC); TDC; generating a coarse histogram from the first plurality of digital codes; detecting a peak coarse bin from the plurality of coarse bins; after receiving the first plurality of digital codes, receiving a second plurality of digital codes from the TDC; and generating a fine histogram from the second plurality of digital codes based on the detected peak coarse bin, where a fine histogram depth range is narrower than a coarse histogram depth range, where a lowest fine histogram depth is lower or equal to a lowest coarse peak depth, and where a highest fine histogram depth is higher or equal to a highest coarse peak depth.

Classes IPC  ?

  • G01S 7/4865 - Mesure du temps de retard, p.ex. mesure du temps de vol ou de l'heure d'arrivée ou détermination de la position exacte d'un pic
  • G01S 17/10 - Systèmes déterminant les données relatives à la position d'une cible pour mesurer la distance uniquement utilisant la transmission d'ondes à modulation d'impulsion interrompues
  • G01S 17/89 - Systèmes lidar, spécialement adaptés pour des applications spécifiques pour la cartographie ou l'imagerie

80.

Latched gray code for ToF applications

      
Numéro d'application 17201994
Numéro de brevet 11353828
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2021-03-15
Date de la première publication 2021-09-30
Date d'octroi 2022-06-07
Propriétaire STMICROELECTRONICS (RESEARCH & DEVELOPMENT) LIMITED (Royaume‑Uni)
Inventeur(s)
  • Moore, John Kevin
  • Dutton, Neale

Abrégé

In an embodiment, a method includes: providing a gray-coded time reference to a time-to-digital converter (TDC); receiving an event from an event signal; latching the gray-coded time reference into a memory upon reception of the event signal; and updating a time-of-flight (ToF) histogram based on the latched gray-coded time reference.

Classes IPC  ?

  • H03M 1/50 - Convertisseurs analogiques/numériques avec conversion intermédiaire en intervalle de temps
  • G04F 10/00 - Appareils pour mesurer des intervalles de temps inconnus par des moyens électriques
  • G01S 17/894 - Imagerie 3D avec mesure simultanée du temps de vol sur une matrice 2D de pixels récepteurs, p.ex. caméras à temps de vol ou lidar flash
  • H03K 23/00 - Compteurs d'impulsions comportant des chaînes de comptage; Diviseurs de fréquence comportant des chaînes de comptage
  • G01T 1/24 - Mesure de l'intensité de radiation avec des détecteurs à semi-conducteurs
  • G01S 7/4865 - Mesure du temps de retard, p.ex. mesure du temps de vol ou de l'heure d'arrivée ou détermination de la position exacte d'un pic

81.

Diffuse illumination system having VCSEL emitters and array of nanostructures

      
Numéro d'application 16817435
Numéro de brevet 11762212
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-03-12
Date de la première publication 2021-09-16
Date d'octroi 2023-09-19
Propriétaire STMICROELECTRONICS (RESEARCH & DEVELOPMENT) LIMITED (Royaume‑Uni)
Inventeur(s) Downing, James Peter Drummond

Abrégé

A diffuse illumination system for reducing diffusion-related illumination inhomogeneities includes an array of vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) emitters and a diffusing element including a transparent substrate and an array of nanostructures. A dimension and a shape of each nanostructure is configured to retard phases of two orthogonal polarization states of light incident on each nanostructure from the emitters for reducing illumination inhomogeneities in the output.

Classes IPC  ?

  • G01S 7/481 - Caractéristiques de structure, p.ex. agencements d'éléments optiques
  • G01S 17/894 - Imagerie 3D avec mesure simultanée du temps de vol sur une matrice 2D de pixels récepteurs, p.ex. caméras à temps de vol ou lidar flash
  • G02B 5/02 - Diffuseurs; Eléments afocaux
  • G02B 27/48 - Systèmes optiques utilisant la granulation produite par laser
  • H01S 5/42 - Réseaux de lasers à émission de surface

82.

Optical device

      
Numéro d'application 17188085
Numéro de brevet 11409031
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2021-03-01
Date de la première publication 2021-09-02
Date d'octroi 2022-08-09
Propriétaire
  • STMicroelectronics (Grenoble 2) SAS (France)
  • STMicroelectronics (Research & Development) Limited (Royaume‑Uni)
Inventeur(s)
  • Fantoni, Frederic
  • Finlay, Arthur
  • Venel, Julien
  • Dubois, Guilhem
  • Antonelli, Marco
  • Vargas Llanas, Hugo
  • Puthon, Antoine

Abrégé

An optical device is mounted to an electronic circuit having a main face with at least one light source. The optical device is made from a block which includes, for each light source, a corresponding opening that passes through the block. The opening includes a cylindrical part with a threading on an inside surface.

Classes IPC  ?

  • F21V 8/00 - Utilisation de guides de lumière, p.ex. dispositifs à fibres optiques, dans les dispositifs ou systèmes d'éclairage
  • F21V 13/02 - Combinaisons de deux sortes d'éléments uniquement
  • G02B 6/42 - Couplage de guides de lumière avec des éléments opto-électroniques
  • F21Y 115/10 - Diodes électroluminescentes [LED]

83.

Local tone mapping for HDR video

      
Numéro d'application 17168106
Numéro de brevet 11756172
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2021-02-04
Date de la première publication 2021-08-26
Date d'octroi 2023-09-12
Propriétaire STMICROELECTRONICS (RESEARCH & DEVELOPMENT) LIMITED (Royaume‑Uni)
Inventeur(s)
  • Gresset, Héloïse Eliane Geneviève
  • Stewart, Brian Douglas

Abrégé

f) in order to generate an output image.

Classes IPC  ?

  • G06T 5/00 - Amélioration ou restauration d'image
  • G06T 5/50 - Amélioration ou restauration d'image en utilisant plusieurs images, p.ex. moyenne, soustraction
  • H04N 23/741 - Circuits de compensation de la variation de luminosité dans la scène en augmentant la plage dynamique de l'image par rapport à la plage dynamique des capteurs d'image électroniques

84.

Method and device for ambient light measurement

      
Numéro d'application 17144357
Numéro de brevet 11568834
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2021-01-08
Date de la première publication 2021-07-29
Date d'octroi 2023-01-31
Propriétaire STMICROELECTRONICS (RESEARCH & DEVELOPMENT) LIMITED (Royaume‑Uni)
Inventeur(s) Raynor, Jeffrey M.

Abrégé

An embodiment method of measuring ambient light comprises generating, by an ambient light sensor associated with a screen which alternates between first phases in which light is emitted and second phases in which no light is emitted by the screen, a first signal representative of an intensity of light received by the ambient light sensor during the first and second phases; comparing the first signal with a threshold intensity value; and controlling a timing of an ambient light measurement by the light sensor based on the comparison.

Classes IPC  ?

  • G09G 5/10 - Circuits d'intensité
  • G09G 3/3225 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED] organiques, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes organiques [OLED] utilisant une matrice active

85.

Transmission beam splitter

      
Numéro d'application 16746670
Numéro de brevet 11619828
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-01-17
Date de la première publication 2021-07-22
Date d'octroi 2023-04-04
Propriétaire STMICROELECTRONICS (RESEARCH & DEVELOPMENT) LIMITED (Royaume‑Uni)
Inventeur(s)
  • Gopal Krishnan, Thineshwaran
  • Townsend, Christopher

Abrégé

The present disclosure is directed to an electronic device including a sensor having a transmission module configured to provide a plurality of collimated light beams. The transmission module includes a light source and a transmission beam splitter. The transmission beam splitter includes a plurality of lenslets. The transmission beam splitter is configured to receive one or more light beams from the light source and refract the one or more light beams for forming the plurality of collimated light beams.

Classes IPC  ?

  • G02B 27/30 - Collimateurs
  • G02B 27/12 - Systèmes divisant ou combinant des faisceaux fonctionnant uniquement par réfraction
  • G02B 3/00 - Lentilles simples ou composées

86.

Anode sensing circuit for single photon avalanche diodes

      
Numéro d'application 16718762
Numéro de brevet 11349042
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-12-18
Date de la première publication 2021-06-24
Date d'octroi 2022-05-31
Propriétaire STMicroelectronics (Research & Development) Limited (Royaume‑Uni)
Inventeur(s)
  • Al-Rawhani, Mohammed
  • Dutton, Neale
  • Moore, John Kevin
  • Rae, Bruce
  • Lacombe, Elsa

Abrégé

A pixel includes a single photon avalanche diode (SPAD) having a cathode coupled to a high voltage supply through a quenching element, with the SPAD having a capacitance at its anode formed from a deep trench isolation, with the quenching element having a sufficiently high resistance such that the capacitance is not fully charged when the SPAD is struck by an incoming photon. The pixel includes a clamp transistor configured to be controlled by a voltage clamp control signal to clamp voltage at an anode of the SPAD when the SPAD is struck by an incoming photon to be no more than a threshold clamped anode voltage, and readout circuitry coupled to receive the clamped anode voltage from the clamp transistor and to generate a pixel output therefrom. The threshold clamped anode voltage is below a maximum operating voltage rating of transistors forming the readout circuitry.

Classes IPC  ?

  • H04N 5/378 - Circuits de lecture, p.ex. circuits d’échantillonnage double corrélé [CDS], amplificateurs de sortie ou convertisseurs A/N
  • H01L 31/107 - Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface la barrière de potentiel fonctionnant en régime d'avalanche, p.ex. photodiode à avalanche
  • H01L 27/146 - Structures de capteurs d'images
  • H01L 31/02 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails - Détails
  • H04N 5/3745 - Capteurs adressés, p.ex. capteurs MOS ou CMOS ayant des composants supplémentaires incorporés au sein d'un pixel ou connectés à un groupe de pixels au sein d'une matrice de capteurs, p.ex. mémoires, convertisseurs A/N, amplificateurs de pixels, circuits communs ou composants communs

87.

Method and device for ambient light measurement

      
Numéro d'application 17127223
Numéro de brevet 11587527
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-12-18
Date de la première publication 2021-06-24
Date d'octroi 2023-02-21
Propriétaire STMicroelectronics (Research & Development) Limited (Royaume‑Uni)
Inventeur(s) Raynor, Jeffrey M.

Abrégé

An embodiment method of command of an electronic device comprises controlling a screen to alternate periodically between a first phase in which the screen emits light and a second phase in which no light is emitted by the screen, and precharging a charge pump of an ambient light sensor during the first phases, the ambient light sensor comprising at least a single photon avalanche diode powered by the charge pump.

Classes IPC  ?

  • G09G 5/10 - Circuits d'intensité
  • G01J 1/02 - Photométrie, p.ex. posemètres photographiques - Parties constitutives
  • G01J 1/42 - Photométrie, p.ex. posemètres photographiques en utilisant des détecteurs électriques de radiations
  • G01J 1/44 - Circuits électriques
  • G09G 3/32 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED]

88.

Method for operating a ToF ranging array, corresponding circuit and device

      
Numéro d'application 16722923
Numéro de brevet 11500092
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-12-20
Date de la première publication 2021-06-24
Date d'octroi 2022-11-15
Propriétaire STMICROELECTRONICS (RESEARCH & DEVELOPMENT) LIMITED (Royaume‑Uni)
Inventeur(s) Mcleod, Stuart

Abrégé

In an embodiments, a method for operating a time-of-flight (ToF) ranging array includes: illuminating a field-of-view (FoV) of the ToF ranging array with radiation pulses; receiving reflected radiation pulses with a plurality of single photon avalanche diodes (SPADs) in a region of interest (ROI) of the ToF ranging array, the plurality of SPADs arranged in a plurality of SPAD clusters; determining an ambient count of ambient light events generated by SPADs of a first SPAD cluster of the plurality of SPAD clusters; and gating an output of the first SPAD cluster based on the ambient count.

Classes IPC  ?

  • G01S 17/48 - Systèmes de triangulation active, c. à d. utilisant la transmission et la réflexion d'ondes électromagnétiques autres que les ondes radio
  • G01S 17/18 - Systèmes déterminant les données relatives à la position d'une cible pour mesurer la distance uniquement utilisant la transmission d'ondes à modulation d'impulsion interrompues dans lesquels des fenêtres en distance sont utilisées
  • G01S 7/484 - Emetteurs
  • G01S 7/4863 - Réseaux des détecteurs, p.ex. portes de transfert de charge
  • G01S 7/486 - Récepteurs

89.

Extended hold-off time for SPAD quench assistance

      
Numéro d'application 16711832
Numéro de brevet 11105679
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-12-12
Date de la première publication 2021-06-17
Date d'octroi 2021-08-31
Propriétaire STMicroelectronics (Research & Development) Limited (Royaume‑Uni)
Inventeur(s)
  • Al-Rawhani, Mohammed
  • Rae, Bruce

Abrégé

A photodetection circuit includes a single photon avalanche diode (SPAD), and an active quenching circuit coupling the SPAD to an intermediate node and having a variable RC constant. The variable RC constant provides a first RC constant during an idle state so that when the SPAD detects a photon, the SPAD avalanches to begin quenching to set a magnitude of a voltage at a terminal of the SPAD to a quench voltage, the quench voltage being greater than a threshold voltage; a second RC constant greater than the first RC constant during a hold off period during which the quenching occurs so as to maintain the voltage at the terminal of the SPAD at a magnitude that is above the threshold voltage during the hold off period; and a third RC constant less than the second RC constant but greater than the first RC constant during a recharge period during which the SPAD is recharged.

Classes IPC  ?

  • H01L 31/107 - Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface la barrière de potentiel fonctionnant en régime d'avalanche, p.ex. photodiode à avalanche
  • G01J 1/44 - Circuits électriques

90.

Photodetection circuit with extended hold-off time for SPAD quench assistance

      
Numéro d'application 17071326
Numéro de brevet 11162839
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-10-15
Date de la première publication 2021-06-17
Date d'octroi 2021-11-02
Propriétaire STMicroelectronics (Research & Development) Limited (Royaume‑Uni)
Inventeur(s)
  • Al-Rawhani, Mohammed
  • Rae, Bruce

Abrégé

A photodetection circuit includes a single photon avalanche diode (SPAD) having a cathode coupled to a high voltage supply through a quench resistance and an anode coupled to a first node, a capacitive deep trench isolation capacitor coupled between the first node and ground, and a first n-channel transistor. The first n-channel transistor has a drain coupled to the first node, a source coupled to ground, and a gate coupled to a resistance control signal. A second n-channel transistor has a drain coupled to the first node, a source coupled to ground, and a gate coupled to a second node. An inverter has an input coupled to the first node and an output coupled to an intermediate node. A current starved inverter has an input coupled to the intermediate node and an output coupled to the second node.

Classes IPC  ?

91.

Protected electronic integrated circuit chip

      
Numéro d'application 17166156
Numéro de brevet 11387197
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2021-02-03
Date de la première publication 2021-06-17
Date d'octroi 2022-07-12
Propriétaire
  • STMicroelectronics (Rousset) SAS (France)
  • STMicroelectronics (Research & Development) Limited (Royaume‑Uni)
Inventeur(s)
  • Lisart, Mathieu
  • Rae, Bruce

Abrégé

An electronic integrated circuit chip includes a semiconductor substrate with a front side and a back side. A first reflective shield is positioned adjacent the front side of the semiconductor substrate and a second reflective shield is positioned adjacent the back side of the semiconductor substrate. Photons are emitted by a photon source to pass through the semiconductor substrate and bounce off the first and second reflective shields to reach a photon detector at the front side of the semiconductor substrate. The detected photons are processed in order to determine whether to issue an alert indicating the existence of an attack on the electronic integrated circuit chip.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

92.

Time of flight (TOF) sensor with transmit optic providing for reduced parallax effect

      
Numéro d'application 17172636
Numéro de brevet 11735680
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2021-02-10
Date de la première publication 2021-06-03
Date d'octroi 2023-08-22
Propriétaire STMicroelectronics (Research & Development) Limited (Royaume‑Uni)
Inventeur(s)
  • Gopal Krishnan, Thineshwaran
  • Duffy, Roy

Abrégé

A transmit integrated circuit includes a light source configured to generate a beam of light. A receive integrated circuit includes a first photosensor. A transmit optic is mounted over the transmit and receive integrated circuits. The transmit optic is formed by a prismatic light guide and is configured to receive the beam of light. An annular body region of the transmit optic surrounds a central opening which is aligned with the first photosensor. The annular body region includes a first reflective surface defining the central opening and further includes a ring-shaped light output surface surrounding the central opening. Light is output from the ring-shaped light output surface in response to light which propagates within the prismatic light guide in response to the received beam of light and which reflects off the first reflective surface.

Classes IPC  ?

  • H01L 31/107 - Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface la barrière de potentiel fonctionnant en régime d'avalanche, p.ex. photodiode à avalanche
  • G02B 27/30 - Collimateurs
  • G01S 17/89 - Systèmes lidar, spécialement adaptés pour des applications spécifiques pour la cartographie ou l'imagerie
  • F21V 8/00 - Utilisation de guides de lumière, p.ex. dispositifs à fibres optiques, dans les dispositifs ou systèmes d'éclairage
  • G02B 27/09 - Mise en forme du faisceau, p.ex. changement de la section transversale, non prévue ailleurs

93.

SENSOR WITH CROSS TALK SUPPRESSION

      
Numéro d'application 16950841
Statut En instance
Date de dépôt 2020-11-17
Date de la première publication 2021-06-03
Propriétaire STMICROELECTRONICS (RESEARCH & DEVELOPMENT) LIMITED (Royaume‑Uni)
Inventeur(s)
  • Downing, James Peter Drummond
  • Caley, Adam
  • Kuch, Christoph

Abrégé

The present disclosure is directed to a sensor that detects a distance between the sensor and a target object. The sensor includes a transmission optical structure and/or a light source that polarizes light and minimizes cross talk within the sensor. As a result, detection results of the sensor are improved.

Classes IPC  ?

  • G01S 7/497 - Moyens de contrôle ou de calibrage
  • H01S 5/183 - Lasers à émission de surface [lasers SE], p.ex. comportant à la fois des cavités horizontales et verticales comportant uniquement des cavités verticales, p.ex. lasers à émission de surface à cavité verticale [VCSEL]
  • G01S 17/08 - Systèmes déterminant les données relatives à la position d'une cible pour mesurer la distance uniquement
  • G01S 7/499 - DÉTERMINATION DE LA DIRECTION PAR RADIO; RADIO-NAVIGATION; DÉTERMINATION DE LA DISTANCE OU DE LA VITESSE EN UTILISANT DES ONDES RADIO; LOCALISATION OU DÉTECTION DE LA PRÉSENCE EN UTILISANT LA RÉFLEXION OU LA RERADIATION D'ONDES RADIO; DISPOSITIONS ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES - Détails des systèmes correspondant aux groupes , , de systèmes selon le groupe utilisant des effets de polarisation

94.

Apparatus for controlling driver current for illumination source

      
Numéro d'application 17143840
Numéro de brevet 11412590
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2021-01-07
Date de la première publication 2021-05-06
Date d'octroi 2022-08-09
Propriétaire STMICROELECTRONICS (RESEARCH & DEVELOPMENT) LIMITED (Royaume‑Uni)
Inventeur(s)
  • Moore, John Kevin
  • Zhuang, Caixin

Abrégé

A single photon avalanche diode based range detecting apparatus includes a reference array of single photon avalanche diodes configured to receive light from an illumination source via an internally coupled path. A return array of single photon avalanche diodes is configured to receive light from the illumination source via an external free space path. A calibration pulse generator is configured to generate a calibration signal pulse. Readout circuitry is configured to receive an output of the reference array via a reference signal path, an output of the return array via a return signal path, and an output of the calibration pulse generator via a calibration signal path. The readout circuitry is configured to determine a delay difference value between the reference signal path and the return signal path based on the output of the calibration pulse generator via the calibration signal path.

Classes IPC  ?

  • H05B 45/30 - Circuits de commande
  • G01S 17/10 - Systèmes déterminant les données relatives à la position d'une cible pour mesurer la distance uniquement utilisant la transmission d'ondes à modulation d'impulsion interrompues
  • G01S 7/497 - Moyens de contrôle ou de calibrage
  • H05B 47/18 - Commande de la source lumineuse par télécommande via une transmission par bus de données
  • H05B 45/00 - Circuits pour faire fonctionner des diodes électroluminescentes [LED]
  • G01S 7/4863 - Réseaux des détecteurs, p.ex. portes de transfert de charge
  • G09G 3/3216 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED] organiques, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes organiques [OLED] utilisant une matrice passive
  • G09G 3/3283 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED] organiques, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes organiques [OLED] - Détails des circuits de commande pour les électrodes de données dans lequel le circuit de commande de données fournit un courant de données variable pour le réglage du courant à travers les éléments électroluminescents, ou de la tension aux bornes de ces éléments
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 31/02 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails - Détails
  • H01L 31/107 - Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface la barrière de potentiel fonctionnant en régime d'avalanche, p.ex. photodiode à avalanche
  • H05B 45/32 - Circuits de commande par impulsion

95.

Depth map sensor with bin rotation

      
Numéro d'application 17074238
Numéro de brevet 11892568
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-10-19
Date de la première publication 2021-05-06
Date d'octroi 2024-02-06
Propriétaire
  • STMICROELECTRONICS (GRENOBLE 2) SAS (France)
  • STMICROELECTRONICS (RESEARCH & DEVELOPMENT) LIMITED (Royaume‑Uni)
Inventeur(s)
  • Hristova, Ivelina
  • Mellot, Pascal
  • Dutton, Neale

Abrégé

A depth map sensor includes a first array of first pixels, each first pixel having a first photodetector associated with a pixel circuit that comprises a plurality of first bins for accumulating events. A clock source is configured to generate a plurality of phase-shifted clock signals. A first circuit has a plurality of first output lines coupled to the first array of first pixels. The first circuit is configured to receive the plurality of phase-shifted clock signals. The first circuit includes a first block and a second block. The first block is configured to propagate the plurality of phase-shifted clock signals to the second block during a first period determined by a first enable signal and the second block configured to select to which of the plurality of first output lines each of the plurality of phase-shifted clock signals is applied.

Classes IPC  ?

  • G06T 7/50 - Récupération de la profondeur ou de la forme
  • G06F 1/10 - Répartition des signaux d'horloge
  • G06T 15/08 - Rendu de volume
  • G06T 15/00 - Rendu d'images tridimensionnelles [3D]
  • G01S 7/4865 - Mesure du temps de retard, p.ex. mesure du temps de vol ou de l'heure d'arrivée ou détermination de la position exacte d'un pic
  • G01S 17/894 - Imagerie 3D avec mesure simultanée du temps de vol sur une matrice 2D de pixels récepteurs, p.ex. caméras à temps de vol ou lidar flash
  • G01S 7/4863 - Réseaux des détecteurs, p.ex. portes de transfert de charge

96.

Dynamic latch based SPAD front end

      
Numéro d'application 16661119
Numéro de brevet 11525904
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-10-23
Date de la première publication 2021-04-29
Date d'octroi 2022-12-13
Propriétaire STMicroelectronics (Research & Development) Limited (Royaume‑Uni)
Inventeur(s)
  • Moore, John Kevin
  • Dutton, Neale

Abrégé

A time-of-flight ranging system disclosed herein includes a receiver asserting a photon received signal in response to detection of light that has reflected off a target and returned to the time-of-flight ranging system. A first latch circuit has first and second data inputs receiving a first pair of differential timing references, the first latch circuit latching data values at its first and second data inputs to first and second data outputs based upon assertion of the photon received signal. A first counter counts latching events of the first latch circuit during which the first data output is asserted, and a second counter counts latching events of the first latch circuit during which the second data output is asserted. Processing circuitry determines distance to the target based upon counted latching events output from the first and second counters.

Classes IPC  ?

  • G01C 3/08 - Utilisation de détecteurs électriques de radiations
  • G01S 7/4913 - Circuits de détection, d'échantillonnage, d'intégration ou de lecture des circuits
  • G01S 17/32 - Systèmes déterminant les données relatives à la position d'une cible pour mesurer la distance uniquement utilisant la transmission d'ondes continues, soit modulées en amplitude, en fréquence ou en phase, soit non modulées
  • G01S 7/48 - DÉTERMINATION DE LA DIRECTION PAR RADIO; RADIO-NAVIGATION; DÉTERMINATION DE LA DISTANCE OU DE LA VITESSE EN UTILISANT DES ONDES RADIO; LOCALISATION OU DÉTECTION DE LA PRÉSENCE EN UTILISANT LA RÉFLEXION OU LA RERADIATION D'ONDES RADIO; DISPOSITIONS ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES - Détails des systèmes correspondant aux groupes , , de systèmes selon le groupe

97.

Single-photon avalanche diode-based light communication devices

      
Numéro d'application 16730036
Numéro de brevet 10992384
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-12-30
Date de la première publication 2021-04-27
Date d'octroi 2021-04-27
Propriétaire STMicroelectronics (Research & Development) Limited (Royaume‑Uni)
Inventeur(s)
  • Couper, Ellen
  • Dutton, Neale
  • Alexandropoulos, Alexios

Abrégé

A method of processing a visible light communication (VLC) signal using a single-photon avalanche diode (SPAD) includes detecting photons of a VLC signal at a SPAD detector, counting the photons detected by the SPAD detector to generate a combined VLC signal comprising a data signal and an ambient signal, extracting the ambient signal from the combined VLC signal, subtracting the ambient signal from the combined VLC signal to generate the data signal, and outputting the data signal as a bitstream.

Classes IPC  ?

  • H04B 10/00 - Systèmes de transmission utilisant des ondes électromagnétiques autres que les ondes hertziennes, p.ex. les infrarouges, la lumière visible ou ultraviolette, ou utilisant des radiations corpusculaires, p.ex. les communications quantiques
  • H04B 10/116 - Communications par lumière visible
  • H04B 10/66 - Récepteurs non cohérents, p.ex. à détection directe
  • H04B 10/50 - Systèmes de transmission utilisant des ondes électromagnétiques autres que les ondes hertziennes, p.ex. les infrarouges, la lumière visible ou ultraviolette, ou utilisant des radiations corpusculaires, p.ex. les communications quantiques Émetteurs
  • H04B 10/70 - Communications quantiques photoniques

98.

Avalanche diode along with vertical PN junction and method for manufacturing the same field

      
Numéro d'application 17129422
Numéro de brevet 11329185
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-12-21
Date de la première publication 2021-04-15
Date d'octroi 2022-05-10
Propriétaire STMICROELECTRONICS (RESEARCH & DEVELOPMENT) LIMITED (Royaume‑Uni)
Inventeur(s) Stark, Laurence

Abrégé

An embodiment method of manufacturing an avalanche diode includes forming a first trench in a substrate material, filling the first trench with a first material that comprises a dopant, and causing the dopant to diffuse from the first trench to form part of a PN junction. An avalanche diode array can be formed to include a number of the avalanche diodes.

Classes IPC  ?

  • H01L 31/10 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. photo-transistors
  • H01L 31/02 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails - Détails
  • H01L 31/107 - Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface la barrière de potentiel fonctionnant en régime d'avalanche, p.ex. photodiode à avalanche
  • H01L 31/0352 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur forme ou par les formes, les dimensions relatives ou la disposition des régions semi-conductrices
  • H01L 31/103 - Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface la barrière de potentiel étant du type PN à homojonction
  • H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
  • H01L 29/72 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués
  • G01J 1/44 - Circuits électriques

99.

Latched gray code for ToF applications

      
Numéro d'application 16834286
Numéro de brevet 10976709
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-03-30
Date de la première publication 2021-04-13
Date d'octroi 2021-04-13
Propriétaire STMICROELECTRONICS (RESEARCH & DEVELOPMENT) LIMITED (Royaume‑Uni)
Inventeur(s)
  • Moore, John Kevin
  • Dutton, Neale

Abrégé

In an embodiment, a method includes: providing a gray-coded time reference to a time-to-digital converter (TDC); receiving an event from an event signal; latching the gray-coded time reference into a memory upon reception of the event signal; and updating a time-of-flight (ToF) histogram based on the latched gray-coded time reference.

Classes IPC  ?

  • H03M 1/50 - Convertisseurs analogiques/numériques avec conversion intermédiaire en intervalle de temps
  • G04F 10/00 - Appareils pour mesurer des intervalles de temps inconnus par des moyens électriques
  • G01S 17/894 - Imagerie 3D avec mesure simultanée du temps de vol sur une matrice 2D de pixels récepteurs, p.ex. caméras à temps de vol ou lidar flash
  • H03K 23/00 - Compteurs d'impulsions comportant des chaînes de comptage; Diviseurs de fréquence comportant des chaînes de comptage
  • G01T 1/24 - Mesure de l'intensité de radiation avec des détecteurs à semi-conducteurs
  • G01S 7/4865 - Mesure du temps de retard, p.ex. mesure du temps de vol ou de l'heure d'arrivée ou détermination de la position exacte d'un pic

100.

Quenching of a SPAD

      
Numéro d'application 17063192
Numéro de brevet 11336853
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-10-05
Date de la première publication 2021-04-08
Date d'octroi 2022-05-17
Propriétaire
  • STMicroelectronics (Crolles 2) SAS (France)
  • STMicroelectronics (Research & Development) Limited (Royaume‑Uni)
Inventeur(s)
  • Bianchi, Raul Andres
  • Vignetti, Matteo Maria
  • Rae, Bruce

Abrégé

The present disclosure relates to a device that includes a photodiode having a first terminal that is coupled by a resistor to a first rail configured to receive a high supply potential and a second terminal that is coupled by a switch to a second rail configured to receive a reference potential. A read circuit is configured to provide a pulse when the photodiode enters into avalanche, and a control circuit is configured to control an opening of the switch in response to a beginning of the pulse and to control a closing of the switch in response to an end of the pulse.

Classes IPC  ?

  • H04N 5/3745 - Capteurs adressés, p.ex. capteurs MOS ou CMOS ayant des composants supplémentaires incorporés au sein d'un pixel ou connectés à un groupe de pixels au sein d'une matrice de capteurs, p.ex. mémoires, convertisseurs A/N, amplificateurs de pixels, circuits communs ou composants communs
  • H04N 5/378 - Circuits de lecture, p.ex. circuits d’échantillonnage double corrélé [CDS], amplificateurs de sortie ou convertisseurs A/N
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