ULVAC, Inc.

Japon

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Canada - CIPO
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Classe IPC
C23C 14/00 - Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement 1
C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement 1
C23C 30/00 - Revêtement avec des matériaux métalliques, caractérisé uniquement par la composition du matériau métallique, c. à d. non caractérisé par le procédé de revêtement 1
C23F 1/00 - Décapage de matériaux métalliques par des moyens chimiques 1
C23G 1/00 - Nettoyage ou décapage de matériaux métalliques au moyen de solutions ou de sels fondus 1
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1.

COMPONENTS FOR A FILM-FORMING DEVICE AND METHOD FOR CLEANING THE SAME

      
Numéro de document 02511833
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2004-02-18
Date de disponibilité au public 2004-09-02
Date d'octroi 2012-03-20
Propriétaire ULVAC, INC. (Japon)
Inventeur(s)
  • Hirata, Akisuke
  • Isoda, Shinji
  • Kadowaki, Yutaka
  • Mushiake, Katsuhiko

Abrégé

There are provided a film forming equipment component having a structure in which an deposited film d formed on the component can be separated from the component for a time period shorter than the prior art to reduce damage due to a cleaning fluid S, and a method of cleaning such a component. A metal film layer 2 electrochemically less noble than the matrix metal material 1 of the aforementioned component is formed on the surface of the matrix metal material 1 through thermal spraying, vapor depositing, sputtering, laminating or other process. Alternatively, a second metal film layer 3 electrochemically more noble than the aforementioned matrix metal material 1 is formed on the surface of the metal film layer 2 through said thermal spraying or other process. Thus, a local cell is formed between the metal film layer 2 and the matrix metal material 1 or the second metal film layer 3. Therefore, the deposited film d can be separated from the matrix metal material 1 for an extremely shortened time period, without damaging the matrix metal material 1 itself from the cleaning fluid S.

Classes IPC  ?

  • C23C 30/00 - Revêtement avec des matériaux métalliques, caractérisé uniquement par la composition du matériau métallique, c. à d. non caractérisé par le procédé de revêtement
  • C23C 14/00 - Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
  • C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement
  • C23F 1/00 - Décapage de matériaux métalliques par des moyens chimiques
  • C23G 1/00 - Nettoyage ou décapage de matériaux métalliques au moyen de solutions ou de sels fondus
  • C25F 5/00 - Enlèvement électrolytique de couches ou de revêtements métalliques
  • H01L 21/205 - Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c. à d. un dépôt chimique