Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd.

Chine

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        International 5 822
        États-Unis 2 813
Date
2022 2
2021 53
2020 328
2019 290
Avant 2019 7 962
Classe IPC
G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides 1 562
G02F 1/1333 - Dispositions relatives à la structure 1 060
G02F 1/1335 - Association structurelle de cellules avec des dispositifs optiques, p.ex. des polariseurs ou des réflecteurs 962
G02F 1/1362 - Cellules à adressage par une matrice active 893
G02F 1/13357 - Dispositifs d'éclairage 859
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Statut
En Instance 3
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1.

BACKLIGHT MODULE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

      
Numéro d'application 17251288
Statut En instance
Date de dépôt 2020-11-20
Date de la première publication 2022-09-22
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Liu, Junling

Abrégé

A manufacturing method of a backlight module is provided, which includes forming a first conductive layer and a first insulating layer on a substrate, forming an active material layer on the first conductive layer, patterning the first insulating layer and the active material layer by using a multi-tone photomask to expose a portion of the first conductive layer and cause the active material layer to form an active member, and forming a third conductive layer on the active member to form a source and drain of the backlight module.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
  • H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des groupes principaux , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. circuit hybrides

2.

Amorphous silicon thin film transistor and method for manufacturing the same

      
Numéro d'application 16496441
Numéro de brevet 11387370
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-04-22
Date de la première publication 2022-02-17
Date d'octroi 2022-07-12
Propriétaire Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. (Chine)
Inventeur(s) Li, Jiaxin

Abrégé

The present invention provides an amorphous silicon thin film transistor and a manufacturing method of the amorphous silicon thin film transistor, which comprise: a substrate, a gate electrode layer, a gate insulating layer, an active layer, a source/drain electrode layer, an N+-doped layer, a protective insulating layer, and a passivation layer. The N+-doped layer is disposed between the active layer and the source/drain electrode layer. The protective insulating layer is disposed on the source/drain electrode layer. A channel is formed in the source/drain electrode layer and penetrates the N+-doped layer and the protective insulating layer. The passivation layer covers the channel and the protective insulating layer. The protective insulating layer and the source/drain electrode layer are flush with each other in the channel.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/786 - Transistors à couche mince
  • H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
  • H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

3.

Array substrate

      
Numéro d'application 16496421
Numéro de brevet 11307466
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-04-18
Date de la première publication 2021-12-30
Date d'octroi 2022-04-19
Propriétaire Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. (Chine)
Inventeur(s) Li, Qian

Abrégé

The array substrate of embodiments of the present invention uses the adjustment dielectric layer to reduce parasitic capacitance between the gate metal layer and the electrode layer, thus avoiding the dark streak phenomenon due to the fringing electric field and the surrounding environment and improving display quality.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/14 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit ra
  • G02F 1/136 - Cellules à cristaux liquides associées structurellement avec une couche ou un substrat semi-conducteurs, p.ex. cellules faisant partie d'un circuit intégré
  • H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
  • G02F 1/1337 - Orientation des molécules des cristaux liquides induite par les caractéristiques de surface, p.ex. par des couches d'alignement

4.

Display device system circuit and display device

      
Numéro d'application 16608494
Numéro de brevet 11315500
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-07-03
Date de la première publication 2021-11-18
Date d'octroi 2022-04-26
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Xiao, Jianfeng

Abrégé

A display device system circuit and a display device are provided. The display device system circuit includes a power supply, a plurality of functional circuit modules and a plurality of ground wires corresponding to the plurality of functional circuit modules, respectively. Operating current input ends of the plurality of functional circuit modules are electrically connected to a positive electrode of the power supply, respectively. An operating current output end of each of the functional circuit modules is electrically connected to a negative electrode of the power supply via a corresponding ground wire. The functional circuit modules will not be interfered with each other, avoiding causing abnormal displaying by signal coupling between the functional circuit modules.

Classes IPC  ?

  • G09G 3/34 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante
  • G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides

5.

Pixel structure, array substrate, and display device

      
Numéro d'application 16319464
Numéro de brevet 11552105
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-12-13
Date de la première publication 2021-11-18
Date d'octroi 2023-01-10
Propriétaire Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. (Chine)
Inventeur(s) Ye, Chengliang

Abrégé

The invention provides a pixel structure, an array substrate, and a display device. The pixel structure includes: scanning lines and data lines; at least one pixel electrode configured in each of pixel areas; at least one shading electrode line connecting to a common voltage, the shading electrode line being configured to be above the data line to shade the data line; a first TFT being configured between the scanning line and the pixel electrode, and the first TFT connecting to the pixel electrode; at least one shading electrode connection line extending along a direction of the scanning line, and the shading electrode connection line electrically connecting to two adjacent shading electrode lines; and the shading electrode connection line being wound to form a mesh pattern, and a semiconductor layer of the first TFT is configured to be opposite to a hollow area of the mesh pattern.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
  • G02F 1/1362 - Cellules à adressage par une matrice active
  • G02F 1/1368 - Cellules à adressage par une matrice active dans lesquelles l'élément de commutation est un dispositif à trois électrodes
  • H01L 29/786 - Transistors à couche mince

6.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY PANEL

      
Numéro d'application 16604372
Statut En instance
Date de dépôt 2019-04-28
Date de la première publication 2021-11-18
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s)
  • Li, Houbin
  • Chien, Chingfu

Abrégé

A liquid crystal display panel includes an array substrate, a color filter substrate, a liquid crystal layer, and a spacer. The array substrate is disposed at a bottom of the liquid crystal display panel. The color filter substrate is disposed above the liquid crystal panel. The liquid crystal layer is disposed between the array substrate and the color filter substrate. The spacer is disposed between the array substrate and the color filter substrate and the spacer is configured to support the array substrate and the color filter substrate. The color filter substrate is provided with at least one semi-transparent region configured to shield from light leakage when two sides of the array substrate are shifted, which reduces an aperture ratio of the liquid crystal display panel and a loss ratio of the liquid crystal display panel.

Classes IPC  ?

  • G02F 1/1335 - Association structurelle de cellules avec des dispositifs optiques, p.ex. des polariseurs ou des réflecteurs
  • G02F 1/1339 - Dispositions relatives à la structure Éléments d'espacement; Scellement des cellules

7.

Thin film transistor (TFT) array substrate and display panel

      
Numéro d'application 16607191
Numéro de brevet 11251202
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-05-28
Date de la première publication 2021-10-28
Date d'octroi 2022-02-15
Propriétaire Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. (Chine)
Inventeur(s) Mo, Chaode

Abrégé

A thin film transistor (TFT) array substrate and a display panel are provided. The TFT array substrate has a base substrate, an anti-reflection layer, and a gate electrode insulating layer. The TFT array substrate has a light-transmitting region. The anti-reflection layer is disposed on the base substrate of the light-transmitting region. The gate electrode insulating layer is disposed on the anti-reflection layer. Light refractive indexes of the base substrate, the anti-reflection layer, and the gate electrode insulating layer are increasing sequentially.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
  • G02F 1/1335 - Association structurelle de cellules avec des dispositifs optiques, p.ex. des polariseurs ou des réflecteurs
  • G02F 1/1368 - Cellules à adressage par une matrice active dans lesquelles l'élément de commutation est un dispositif à trois électrodes
  • G02F 1/1362 - Cellules à adressage par une matrice active
  • H01L 29/49 - Electrodes du type métal-isolant-semi-conducteur

8.

Display panel and fabricating method thereof

      
Numéro d'application 16608512
Numéro de brevet 11296129
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-08-07
Date de la première publication 2021-10-28
Date d'octroi 2022-04-05
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s)
  • Xie, Feifei
  • Liu, Zeqin
  • Xie, Kecheng

Abrégé

This invention provides a display panel and a fabricating method thereof. Wherein the display panel defines a display area and an edge area. The display panel includes a substrate, a gate layer, a gate insulating layer, a thin film encapsulation layer, and a polyimide layer. By disposing a buffer tank on the gate insulating layer, the flow rate of the polyimide solution printed through inkjet printing in the edge region is reduced when the polyimide layer is forming, thereby causing it to solidify to form the polyimide layer before flowing over a retaining wall, and preventing sealant contamination and peeling.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
  • G02F 1/1333 - Dispositions relatives à la structure
  • G02F 1/1339 - Dispositions relatives à la structure Éléments d'espacement; Scellement des cellules
  • G02F 1/1368 - Cellules à adressage par une matrice active dans lesquelles l'élément de commutation est un dispositif à trois électrodes

9.

Display device and manufacturing method thereof

      
Numéro d'application 16624208
Numéro de brevet 11417855
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-11-28
Date de la première publication 2021-10-28
Date d'octroi 2022-08-16
Propriétaire
  • SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS (Chine)
  • SEMICONDUCTOR DISPLAY TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Du, Yanying

Abrégé

A display device and a manufacturing method thereof are provided. The display device includes a display area, a non-display area surrounding the display area, a thin film transistor structure layer, a ring-shaped metal layer, a luminous layer, and a first electrode. The ring-shaped metal layer is disposed in the non-display area. The thin film transistor structure layer includes a passivation layer including a protrusion corresponding to the ring-shaped metal layer. The first electrode extends from the display area to the protrusion, and extends from a surface of the protrusion to a surface of the ring-shaped metal layer.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/32 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux avec des composants spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. panneaux d'affichage plats utilisant des diodes émettrices de lumière organiques
  • H01L 51/52 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED) - Détails des dispositifs
  • H01L 51/56 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives

10.

Manufacturing method of TFT substrate

      
Numéro d'application 16609440
Numéro de brevet 11411101
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-06-18
Date de la première publication 2021-10-28
Date d'octroi 2022-08-09
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Wei, Xianwang

Abrégé

A TFT substrate and a manufacturing method thereof are provided. In the manufacturing method, a metal oxide semiconductor layer is irradiated with UV light by using a gate as a shielding layer, such that a portion of the metal oxide semiconductor layer irradiated by the UV light is conductorized to form a source, a drain, and a pixel electrode, and a portion of the metal oxide semiconductor layer shielded by the gate still retains semiconductor properties to form a semiconductor channel. The invention achieves the alignment of the source and the drain with the gate by processes of self-alignment of the gate and conductorization of the metal oxide semiconductor layer, and can effectively control an overlapping region of the source and drain and the gate. Thereby, the parasitic capacitance is reduced, and the display quality is improved. Also, the manufacturing method is simple, and the production efficiency is improved.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/00 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
  • H01L 29/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
  • H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant

11.

Manufacturing method of display encapsulation structure by removing sacrificial layer to expose transparent cover

      
Numéro d'application 16500712
Numéro de brevet 11329253
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-03-13
Date de la première publication 2021-10-28
Date d'octroi 2022-05-10
Propriétaire Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. (Chine)
Inventeur(s) Huang, Hui

Abrégé

A display encapsulation structure and a manufacturing method thereof are provided. The manufacturing method includes steps of providing a sacrificial layer, a display device encapsulation structure, and a transparent cover; providing an encapsulating film layer; and removing the sacrificial layer to expose the transparent cover. The encapsulating film layer is removed from the transparent cover plate when the sacrificial layer is removed, so as to avoid affecting luminous efficiency by the encapsulating film layer, thereby improving the luminous efficiency of the display encapsulation structure.

Classes IPC  ?

  • H01L 51/56 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
  • H01L 51/52 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED) - Détails des dispositifs

12.

Display panel, display module, and display device

      
Numéro d'application 16477388
Numéro de brevet 11506943
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-02-20
Date de la première publication 2021-10-28
Date d'octroi 2022-11-22
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Liu, Ziqi

Abrégé

The present application provides a display panel, a display module and a display device, the display panel includes a pixel electrode layer, at least one firstshading strip and at least one second shading strip; a pixel electrode layer is divided onto at least four pixel electrode regions by the first shading strip and the second shading strip, a plurality of branch electrodes are formed in the pixel electrode region; the branch electrodes in the two adjacent pixel electrode regions and a center line of the two adjacent pixel electrode regions are symmetrically disposed.

Classes IPC  ?

  • G02F 1/1343 - Electrodes
  • G02F 1/1335 - Association structurelle de cellules avec des dispositifs optiques, p.ex. des polariseurs ou des réflecteurs

13.

Thin film transistor and method of manufacturing same

      
Numéro d'application 16495157
Numéro de brevet 11233138
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-05-27
Date de la première publication 2021-10-28
Date d'octroi 2022-01-25
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Tan, Zhiwei

Abrégé

A thin film transistor (TFT) and a method of manufacturing same are provided. A photoresist layer is dry-etched to form a tunnel before an active layer is formed, wherein a bottom of the tunnel is a copper trace layer. After that, two edges of the photoresist layer are aligned with two edges of the copper trace layer. Therefore, the photoresist layer won't protrude over an amorphous silicon layer to block the etching gas from etching the amorphous silicon layer. As a result, an aperture ratio of the TFT is increased, and quality of the TFT is improved. By forming an oxidation protective layer on the tunnel, the copper trace layer is prevented from being reacted with the etching gas to form a compound. Therefore, metals or compounds on the tunnel can be completely etched, and quality of the TFT is further improved.

Classes IPC  ?

14.

Manufacturing method for TFT array substrate

      
Numéro d'application 16307469
Numéro de brevet 11049888
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-09-26
Date de la première publication 2021-06-29
Date d'octroi 2021-06-29
Propriétaire Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. (Chine)
Inventeur(s) Zhu, Maoxia

Abrégé

The manufacturing method for TFT array substrate of the invention exposes the negative photoresist material on the passivation layer with a semi-transmissive mask to form a crosslinked portion, first and second uncrosslinked portion; then, performs the first development to remove the first uncrosslinked portion and forms a via on the passivation layer, performs the ashing treatment for thinning the negative photoresist material to expose the second uncrosslinked portion, performs the second development to remove the second uncrosslinked portion; deposits transparent conductive material on negative photoresist material and exposed passivation layer to form a pixel electrode on passivation layer, and finally removes the remaining negative photoresist material and the transparent conductive material with photoresist stripping solution. The invention, using step-wise development, solves the technical difficulty of forming a halftone structure with a negative photoresist material, and enables feasibility of the use of the negative photoresist material in the 3mask process.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant

15.

Pixel structure and display panel containing same

      
Numéro d'application 16349267
Numéro de brevet 11119371
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-04-23
Date de la première publication 2021-06-24
Date d'octroi 2021-09-14
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO. LTD. (Chine)
Inventeur(s)
  • Li, Hui
  • Liu, Mengyang

Abrégé

The present invention relates to a pixel structure and a display panel containing the same. The pixel structure includes a main area and a sub-area respectively provided with four domains, wherein the main area is located above the sub-area, and the main area and the sub-area are respectively connected with driving thin-film transistors (TFTs) for current charging; wherein a quantity of the driving thin-film transistors (TFTs) connected to the main area is greater than a quantity of the driving TFTs connected to the sub-area, such that a voltage of the main area is greater than a voltage of the sub-area. The invention provides a pixel structure which adopts a novel design of an 8-domain structure, which improves an aperture ratio thereof, thereby reducing the risk of becoming a bright spot.

Classes IPC  ?

  • G02F 1/1362 - Cellules à adressage par une matrice active
  • G02F 1/1368 - Cellules à adressage par une matrice active dans lesquelles l'élément de commutation est un dispositif à trois électrodes

16.

Manufacturing method of TFT array substrate

      
Numéro d'application 16319349
Numéro de brevet 11087985
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-12-11
Date de la première publication 2021-06-17
Date d'octroi 2021-08-10
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Liu, Xiaodi

Abrégé

The invention provides a manufacturing method of the TFT array substrate. Compared to existing 4M process, the invention changes the structural design of the semi-transmissive mask for the photoresist layer for patterning the source/drain metal layer and the semiconductor layer. The edge forms a reduced thickness edge portion, so that the edge of the photoresist layer is thinned, and thereby the width of the photoresist layer is easily reduced in subsequent processes, and the semiconductor layer at the edge of the metal wire structure is easily etched during dry etching, reducing the tailing problem of the active layer at edges of source/drain to achieve finer metal wire structure, and improve optical stability, electrical performance, aperture ratio, reliability, power consumption, and the overall performance of the TFT array substrate. The residual problem of amorphous and heavily doped silicon on source/drain edge in original process is solved or reduced.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/033 - Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe ou comportant des couches inorganiques
  • H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
  • H01L 21/308 - Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique en utilisant des masques
  • H01L 21/3213 - Gravure physique ou chimique des couches, p.ex. pour produire une couche avec une configuration donnée à partir d'une couche étendue déposée au préalable
  • H01L 21/311 - Gravure des couches isolantes
  • H01L 21/4763 - Dépôt de couches non isolantes, p.ex. conductrices, résistives sur des couches isolantes; Post-traitement de ces couches
  • H01L 21/467 - Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique en utilisant des masques
  • H01L 21/4757 - Post-traitement
  • H01L 21/3065 - Gravure par plasma; Gravure au moyen d'ions réactifs

17.

Method of manufacturing light emitting panel, light emitting panel, and display device

      
Numéro d'application 16496965
Numéro de brevet 11430818
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-05-17
Date de la première publication 2021-06-03
Date d'octroi 2022-08-30
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD (Chine)
Inventeur(s) Tan, Zhiwei

Abrégé

A method of manufacturing a light emitting panel, a light emitting panel, and a display device are disclosed. The method includes providing a substrate, forming a first metal layer on the substrate, performing an oxidation process to the first metal layer to form an oxide layer on the first metal layer, forming a photoresist layer on the oxide layer, patterning the photoresist layer, the oxide layer, and the substrate, and stripping a patterned photoresist layer, and sequentially forming a first passivation layer, a color resist layer, a second passivation layer, and an indium tin oxide film layer on the oxide layer.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
  • H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
  • H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
  • H01L 33/44 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet

18.

Image edge processing method, electronic device, and computer readable storage medium

      
Numéro d'application 16080629
Numéro de brevet 11113795
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-05-23
Date de la première publication 2021-05-27
Date d'octroi 2021-09-07
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s)
  • Zhu, Jiang
  • Zhao, Bin
  • Chang, Yuhua
  • Wu, Yu

Abrégé

An image edge processing method is disclosed. The method includes steps of: extracting a brightness component from an input image; calculating an edge probability value mp of each pixel in the image according to the extracted brightness component; calculating an enhancement coefficient A for each pixel based on the edge probability value mp; performing a noise detection according to the brightness component, and determining if each pixel in the image is a noise point; when the pixel is not a noise point, performing a logarithmic processing to the pixel in order to obtain a data w; enhancing an edge of the image according to the λ, the w and the brightness component in order to obtain an enhanced brightness component data; and after performing a brightness component synthesis according to the enhanced brightness component data, outputting an enhanced image. An electronic device and computer readable storage medium are also disclosed.

Classes IPC  ?

  • G06T 5/00 - Amélioration ou restauration d'image
  • G06T 7/143 - Découpage; Détection de bords impliquant des approches probabilistes, p.ex. la modélisation à "champs aléatoires de Markov [MRF]"
  • G06T 7/13 - Détection de bords
  • G06T 5/20 - Amélioration ou restauration d'image en utilisant des opérateurs locaux

19.

GOA circuit driving method and driving device

      
Numéro d'application 16319818
Numéro de brevet 11011128
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-09-27
Date de la première publication 2021-04-29
Date d'octroi 2021-05-18
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Gao, Xiang

Abrégé

The present invention teaches a GOA circuit driving method and a GOA circuit driving device. Through the configuration of a buffer capacitor electrically connected to the level shift IC, the level shift IC connects to the buffer capacitor and switches to the transition level during shifting the target clock signals from high to low level or from low to high level. Through the buffer capacitor, the present invention is able to keep the transition level always equal to one half of the sum of the low voltage and the high voltage, thereby maximizing reduction of power consumption and feedthrough effect of the GOA circuit.

Classes IPC  ?

  • G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides

20.

DISPLAY PANEL DRIVING DEVICE AND CONFIGURATION METHOD THEREFOR

      
Numéro d'application CN2019114196
Numéro de publication 2021/072806
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-10-30
Date de publication 2021-04-22
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s)
  • Fang, Xiaoli
  • Xie, Jianjun

Abrégé

A display panel driving device and a configuration method therefor. The display panel driving device comprises: a first time schedule controller (10), a second time schedule controller (20) connected to the first time schedule controller (10), and a first flash memory chip (30) connected to the first time schedule controller (10). The first flash memory chip (30) is configured to store a first driving code and a second driving code. The first time schedule controller (10) is configured to load the first driving code from the first flash memory chip (30) at first time, establish driving configuration according to the first driving code, load the second driving code from the first flash memory chip (30) at second time, and transmit the second driving code to the second time schedule controller (20). The second time schedule controller (20) is configured to receive the second driving code and establish driving configuration according to the second driving code. The configuration of two time schedule controllers can be completed by means of one flash memory chip, the number of flash memory chips can be reduced, the circuit wiring difficulty can be reduced, the product cost can be lowered, and the storage resource utilization rate can be improved.

Classes IPC  ?

  • G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides

21.

Manufacturing method of organic light emitting diode back plate and the organic light emitting diode back plate

      
Numéro d'application 16099183
Numéro de brevet 11063246
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-09-19
Date de la première publication 2021-04-22
Date d'octroi 2021-07-13
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Zhou, Xingyu

Abrégé

Provided are a manufacturing method of an organic light emitting diode back plate and the organic light emitting diode back plate. In the manufacturing method of an OLED back plate, pixel openings and light blocking grooves correspondingly above active layers are formed in a pixel definition layer. Then, OLED light-emitting functional layers are formed in the pixel openings and the black light shielding blocks completely covering the active layers are formed in the light shielding grooves by ink jet printing, thereby effectively preventing the TFT elements from being affected by the illumination and ensuring the characteristics of the TFT elements. The structure is simple and the production cost is low.

Classes IPC  ?

  • H01L 51/56 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
  • H01L 27/32 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux avec des composants spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. panneaux d'affichage plats utilisant des diodes émettrices de lumière organiques

22.

GOA circuit for display panel

      
Numéro d'application 16312287
Numéro de brevet 11037514
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-09-26
Date de la première publication 2021-04-22
Date d'octroi 2021-06-15
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Du, Peng

Abrégé

The invention provides a GOA circuit for display panel. The GOA circuit comprises a plurality of cascaded GOA units, for n and m, a pull-up control circuit of n-th stage GOA unit comprising: a first TFT(T1) having gate connected to (n+m)-th stage scan signal, source and drain respectively connected to high voltage and gate signal node; a second TFT(T2), having floating gate and reserved welding pad for connecting start signal(STV), source and drain respectively connected to high voltage and gate signal node; a pull-down control circuit comprising: a third TFT(T4), having gate connected to (n−m)th stage scan signal, source and drain respectively connected to n-th stage scan signal and low voltage; a fourth TFT(T5), having gate connected to (n−m)th stage scan signal, source and drain connected to gate signal node and low voltage respectively. The invention realizes the cutting of display panel into strip screens of any aspect ratio.

Classes IPC  ?

  • G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides

23.

Circuit and method for common voltage feedback compensation and liquid crystal display device

      
Numéro d'application 16316613
Numéro de brevet 11062665
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-09-29
Date de la première publication 2021-04-22
Date d'octroi 2021-07-13
Propriétaire
  • SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS (Chine)
  • SEMICONDUCTOR DISPLAY TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Zhang, Xianming

Abrégé

The invention provides a circuit and method for common voltage feedback compensation and LCD. The circuit comprises: a timing controller and a power management circuit, the timing controller and the power management circuit being electrically connected; the timing controller providing a corresponding preset feedback compensation value to the power management circuit under different images; the power management circuit comprising a common voltage compensation circuit and an adder, and the adder integrating the feedback compensation value and a feedback common voltage returned from a feedback point in a display panel through addition obtain an integration result, the common voltage compensation circuit obtaining a common voltage compensation signal based on the integration result and providing the common voltage compensation signal to the display panel. The invention generates the feedback compensation value required for the common voltage feedback and provides to the power management circuit under different images through the timing controller.

Classes IPC  ?

  • G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides

24.

Voltage output system and liquid crystal display device

      
Numéro d'application 16312286
Numéro de brevet 10984750
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-09-26
Date de la première publication 2021-04-20
Date d'octroi 2021-04-20
Propriétaire Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. (Chine)
Inventeur(s) Chen, Shuai

Abrégé

The invention provides a voltage output system and LCD device. The voltage output system is disposed with a variable resistor, one end of the variable resistor is connected to the input voltage transmitted by the level-shifting unit through a contact and a wire, and the other end of the variable resistor is electrically connected to the LCD panel to output an output voltage through a contact and a wire. After the voltage output system is disposed on the assembled circuit board of the LCD device, when the LCD device is tested, the output voltage of the voltage output system can be preset by adjusting the resistance of the variable resistor so that the required different voltages can be provided to the LCD panel conveniently and quickly, which simplifies the test of the LCD device and reduces the product cost.

Classes IPC  ?

  • G09G 3/00 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques
  • G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides
  • G06F 3/14 - Sortie numérique vers un dispositif de visualisation
  • G02F 1/1345 - Conducteurs connectant les électrodes aux bornes de la cellule
  • H02M 7/00 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu; Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif
  • G06F 1/16 - TRAITEMENT ÉLECTRIQUE DE DONNÉES NUMÉRIQUES - Détails non couverts par les groupes et - Détails ou dispositions de structure

25.

Liquid crystal display, overdrive method for the same and a memory

      
Numéro d'application 16300394
Numéro de brevet 11004412
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-08-07
Date de la première publication 2021-04-15
Date d'octroi 2021-05-11
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Xiao, Guangxing

Abrégé

A liquid crystal display, an overdrive method and a memory are disclosed. The method includes steps of receiving a video source signal, and determining a real-time refresh frequency of the video source signal, obtaining overdrive values corresponding to at least two refresh frequencies of the liquid crystal display measured in advance, wherein the at least two refresh frequencies include a first refresh frequency and a second refresh frequency, and the real-time refresh frequency is greater than the first refresh frequency and less than the second refresh frequency, performing a linear interpolation according to the real-time refresh frequency, the first refresh frequency, a first overdrive value corresponding to the first refresh frequency, the second refresh frequency, and a second overdrive value corresponding to the second refresh frequency to obtain a real-time overdrive value corresponding to the real-time refresh frequency, and driving the liquid crystal display according to the real-time overdrive value.

Classes IPC  ?

  • G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides

26.

Pixel driving circuit and liquid crystal display device

      
Numéro d'application 16319311
Numéro de brevet 10971094
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-09-26
Date de la première publication 2021-04-06
Date d'octroi 2021-04-06
Propriétaire Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. (Chine)
Inventeur(s) Liu, Siyang

Abrégé

The invention provides a pixel driving circuit and LCD device. The pixel driving circuit electrically connects the drain of the third TFT of each sub-pixel in the N-th sub-pixel row to the first end of the second LC capacitor of a corresponding sub-pixel of the (N+1)th row. When driving, when scanning the N-th sub-pixel row, the third TFT of the N-th sub-pixel row turns on to release the voltage at the first end of the second LC capacitor of the N-th sub-pixel row to the first end of the second LC capacitor of the (N+1)th sub-pixel row, and does not affect the voltage on the array substrate common voltage line, thereby effectively ensuring consistent voltage value for various areas on the array substrate common voltage line. When applied to LCD device, the invention can improve the display quality of the LCD device.

Classes IPC  ?

  • G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides
  • G02F 1/1362 - Cellules à adressage par une matrice active
  • G02F 1/1368 - Cellules à adressage par une matrice active dans lesquelles l'élément de commutation est un dispositif à trois électrodes
  • G02F 1/133 - Dispositions relatives à la structure; Excitation de cellules à cristaux liquides; Dispositions relatives aux circuits
  • G02F 1/1335 - Association structurelle de cellules avec des dispositifs optiques, p.ex. des polariseurs ou des réflecteurs

27.

Manufacturing method of TFT array substrate, TFT array substrate and display panel

      
Numéro d'application 16076186
Numéro de brevet 11114476
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-06-11
Date de la première publication 2021-04-01
Date d'octroi 2021-09-07
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s)
  • Luo, Chuanbao
  • Yao, Jiangbo

Abrégé

A manufacturing method of a TFT array substrate is provided, comprising: depositing and forming a gate and a gate scanning line; depositing sequentially a gate insulating layer, an active layer and a second metal layer; depositing and forming a first photoresist layer and a second photoresist layer on the second metal layer; first photoresist layer comprising a first-stage photoresist layer, second-stage photoresist layer and third-stage photoresist layer with increasing thickness, the first-stage photoresist layer being in the middle of the first photoresist layer and a channel being formed; ashing to remove first-stage photoresist layer, forming a source and a drain by etching; and ashing to remove the second-stage photoresist layer, and then depositing a passivation layer as a whole; stripping third-stage photoresist layer and second photoresist layer, depositing and forming a pixel electrode and a common electrode.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
  • G02F 1/1362 - Cellules à adressage par une matrice active
  • G02F 1/1368 - Cellules à adressage par une matrice active dans lesquelles l'élément de commutation est un dispositif à trois électrodes
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
  • H01L 29/786 - Transistors à couche mince

28.

Electrode structure and array substrate

      
Numéro d'application 16080259
Numéro de brevet 11233071
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-06-11
Date de la première publication 2021-04-01
Date d'octroi 2022-01-25
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Hu, Xiaobo

Abrégé

An electrode structure which includes a copper metal layer formed on a substrate, wherein the copper metal layer doped with a first metal ion within a first depth from upper surface, the first metal ion and the copper grain forming a copper alloy layer; the first depth being less than thickness of the copper metal layer, and the first metal ion being a metal ion having corrosion resistance and an ionic radius smaller than a gap between copper grains.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant

29.

COA type array substrate and method for measuring via size on color-resist layer

      
Numéro d'application 16099181
Numéro de brevet 11049883
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-09-14
Date de la première publication 2021-04-01
Date d'octroi 2021-06-29
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) An, Liyang

Abrégé

The invention provides a COA type array substrate and a method for measuring via size on color-resist layer. The COA type array substrate is formed by designing a drain of the TFT comprising a drain body corresponding to a first via of the color-resist layer, and a first extending portion, a second extending portion and a third extending portion formed by outwardly protruding from edge of the drain body, able to improve the measurement accuracy of the size of the first via on the color-resist layer, thereby improving the production yield of the COA type array substrate.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
  • G02F 1/1362 - Cellules à adressage par une matrice active
  • G02F 1/1368 - Cellules à adressage par une matrice active dans lesquelles l'élément de commutation est un dispositif à trois électrodes
  • H01L 21/66 - Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement

30.

WOLED display panel with CF layer arranged inside thin-film encapsulation layer for reducing thickness and achieving flexibility and manufacturing method thereof

      
Numéro d'application 16307140
Numéro de brevet 11088346
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-09-12
Date de la première publication 2021-04-01
Date d'octroi 2021-08-10
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Huang, Hui

Abrégé

The WOLED display panel includes a substrate, a WOLED array layer on the substrate, a thin-film encapsulation layer on the substrate and the WOLED array layer, and a CF layer inside the thin-film encapsulation layer. The thin-film encapsulation layer includes inorganic barrier layers and organic buffer layers. One of the inorganic batter layer has multiple pixel indentations on a side away from the substrate, each corresponding to and above a WOLED device. The CF layer is embedded in the pixel indentations. By having the CF layer inside the thin-film encapsulation layer, the encapsulation cover is omitted, the WOLED display panel's thickness is reduced, and the flexibility of the display panel is achieved. In addition, not only the encapsulation effect is not affected, but also the chroma and color gamut are guaranteed, manufacturing precision is enhanced, and production cost is reduced.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/08 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 51/52 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED) - Détails des dispositifs
  • H01L 27/32 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux avec des composants spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. panneaux d'affichage plats utilisant des diodes émettrices de lumière organiques
  • H01L 51/56 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives

31.

Adjusting method of displaying images

      
Numéro d'application 16309449
Numéro de brevet 11100826
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-09-14
Date de la première publication 2021-04-01
Date d'octroi 2021-08-24
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Xu, Fengcheng

Abrégé

Provided are an adjusting method of displaying images. The adjusting method use obtaining a coordinate of the defect of the images displayed by the display panel in the vertical lines and a type of the defect in the vertical lines, and adjusting grayscale value of the data signals of the pixels of one row by the timing controller corresponding to the coordinate of the defect of the vertical line in the outputted matrix of the pixels according to the type of the defect in the vertical lines, such that the voltage of the data signals outputted from the source driver to the pixels of the row is changed, and a brightness of the pixels of the row is the same as a brightness of the pixels of two adjacent rows.

Classes IPC  ?

  • G09G 3/00 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques
  • G09G 3/20 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice

32.

Driving system of display device, driving method and display device

      
Numéro d'application 16318366
Numéro de brevet 10962845
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-09-13
Date de la première publication 2021-03-30
Date d'octroi 2021-03-30
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Li, Yuntao

Abrégé

In a driving system of a display device, wires are arranged on a first connection unit, a second connection unit and a third connection unit and the traces are arranged on a first circuit board, a second circuit board and a third circuit board accordingly. The electrical path is established on the aforesaid circuit boards and the aforesaid connection units. One end of the electrical path is connected to the power supply voltage, and the other end is connected to the input end of a timing controller. When all the connection units are connected, the power supply voltage is inputted to the timing controller via the path, and the timing controller outputs the power supply control signal for controlling the display device to power on. When the connection units are poorly connected, the timing controller outputs a power supply stopping control signal to stop powering the display device.

Classes IPC  ?

  • G06F 3/038 - Dispositions de commande et d'interface à cet effet, p.ex. circuits d'attaque ou circuits de contrôle incorporés dans le dispositif
  • G09G 5/00 - Dispositions ou circuits de commande de l'affichage communs à l'affichage utilisant des tubes à rayons cathodiques et à l'affichage utilisant d'autres moyens de visualisation
  • G02F 1/1345 - Conducteurs connectant les électrodes aux bornes de la cellule
  • G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides

33.

OLED display device and manufacturing method for the same

      
Numéro d'application 16071511
Numéro de brevet 11145836
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-05-22
Date de la première publication 2021-03-25
Date d'octroi 2021-10-12
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Song, Jiangjiang

Abrégé

An OLED display device and a manufacturing method for the same are provided. The OLED display device includes a substrate, an organic light-emitting layer, a first encapsulation layer, a color filter layer, and a second encapsulation layer. Wherein the organic light-emitting layer is disposed on the substrate, the first encapsulation layer covers a surface of the organic light-emitting layer, the color filter layer is disposed on the first encapsulation layer, and the second encapsulation layer covers a surface of the color filter layer. In the present invention, the first encapsulation layer functions as a substrate of the color filter layer and is encapsulated by the first encapsulation layer and the second encapsulation layer, so that the CF substrate is omitted, the thickness of the entire display device is reduced, and flexibility is achieved.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/08 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 51/50 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
  • H01L 27/32 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux avec des composants spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. panneaux d'affichage plats utilisant des diodes émettrices de lumière organiques
  • H01L 51/52 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED) - Détails des dispositifs
  • H01L 51/56 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives

34.

Liquid crystal panel, liquid crystal display device and electronic device

      
Numéro d'application 16095840
Numéro de brevet 10976620
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-08-03
Date de la première publication 2021-03-25
Date d'octroi 2021-04-13
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s)
  • Luo, Ping
  • Luo, Dong

Abrégé

A liquid crystal panel including an array substrate and a color filter substrate which are disposed opposite and multiple fan-out lines and a color resist layer stacked along a direction from the array substrate toward the color filter substrate. The color film substrate is provided with a common electrode layer. A color resist layer and a columnar spacer are mutually abutted to ensure a distance between the array substrate and the color filter. The color resist layer includes a first plane facing the columnar spacer, and the common electrode line or the common electrode layer surrounds the color resist layer and exposes the first plane. When the liquid crystal panel is subjected to a larger external force such that deformation or displacement occurs between the columnar spacer and the color resist layer, the common electrode line and the common electrode layer are not conductive to form a short circuit.

Classes IPC  ?

  • G02F 1/1362 - Cellules à adressage par une matrice active
  • G02F 1/1335 - Association structurelle de cellules avec des dispositifs optiques, p.ex. des polariseurs ou des réflecteurs
  • G02F 1/1339 - Dispositions relatives à la structure Éléments d'espacement; Scellement des cellules
  • G02F 1/1343 - Electrodes
  • G02F 1/1345 - Conducteurs connectant les électrodes aux bornes de la cellule

35.

IPS type display panel and display device

      
Numéro d'application 16096757
Numéro de brevet 11119346
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-08-31
Date de la première publication 2021-03-25
Date d'octroi 2021-09-14
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s)
  • Sun, Lizhi
  • Xu, Xiangyang

Abrégé

An IPS display panel is disclosed. The panel includes an array substrate and a color filter substrate disposed in parallel and oppositely; and a liquid crystal layer disposed there between; wherein the array substrate includes a base substrate, a pixel electrode, an insulation layer, and a common electrode, the base substrate includes multiple data lines deposed in parallel and at intervals, the base substrate is disposed in parallel with and opposite to the color filter substrate, the pixel electrode is located at a surface of the base substrate facing the color filter substrate, the insulation layer covers a surface of the pixel electrode away from the base substrate, the common electrode is located on a surface of the insulation layer away from the pixel electrode; wherein the color filter substrate includes a first surface facing the array substrate, and providing with multiple touch receiving electrodes corresponding to the data lines.

Classes IPC  ?

  • G02F 1/1333 - Dispositions relatives à la structure
  • G02F 1/1335 - Association structurelle de cellules avec des dispositifs optiques, p.ex. des polariseurs ou des réflecteurs
  • G02F 1/1343 - Electrodes

36.

Display driving system

      
Numéro d'application 16308481
Numéro de brevet 11049478
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-09-20
Date de la première publication 2021-03-25
Date d'octroi 2021-06-29
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Zheng, Yanxuan

Abrégé

The invention provides a display driving system having a master chip and a plurality of slave chips. The master chip marks a serial number of the storage unit buffering the display data of the corresponding region of an image frame in the N storage units when using the connected memory to buffer the display data of the corresponding region; when reading the display data of the corresponding region stored in a storage unit, marks the serial number of the read storage unit, generating a corresponding synchronization signal to transmit to each slave chip to control the display data of an image frame to be buffered synchronously to storage units of the same serial number in the plurality of memories, and control the master/slave chips to synchronously read respectively the display data of the image frame from the storage units with the same serial number in the connected memory.

Classes IPC  ?

  • G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides
  • G09G 5/397 - Dispositions spécialement adaptées pour le transfert simultané du contenu de plusieurs mémoires à mappage binaire vers l'écran, p.ex. pour le mélange ou la superposition

37.

GOA circuit and liquid crystal display device having the same

      
Numéro d'application 16096006
Numéro de brevet 10957270
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-08-31
Date de la première publication 2021-03-23
Date d'octroi 2021-03-23
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Xu, Xiangyang

Abrégé

A GOA circuit is disclosed. The circuit includes multiple cascaded GOA units, wherein the nth stage GOA unit charges the nth horizontal scanning line, and the nth stage GOA unit includes: a pull-up control circuit, a pull-up circuit, a voltage stabilization circuit, a pull-down circuit, a first pull-down maintaining circuit and a second pull-down maintaining circuit; a pull-up control circuit for outputting a pull-up control signal Q(n); and a pull-up circuit for outputting an nth stage transmission signal ST(n) and the nth stage scan driving signal G(n); the voltage stabilization circuit for maintain the stability of the Q(n) at low voltage level; the pull-down circuit makes the Q(n) and G(n) to be at an off state; the pull-down maintaining circuit and the second pull-down maintaining circuit alternately operate to maintain Q(n) and G(n) at the off state. A liquid crystal display device having the above GOA circuit is also disclosed.

Classes IPC  ?

  • G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides

38.

White balance method and device for LCD panel

      
Numéro d'application 16097280
Numéro de brevet 11056066
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-09-14
Date de la première publication 2021-03-18
Date d'octroi 2021-07-06
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Xiao, Guangxing

Abrégé

The present invention teaches a white balance method and device for a LCD panel. The method includes the following steps. Step S1 provides a LCD panel, including a mask-joint area and a non-mask-joint area outside the mask-joint area. The mask-joint area includes multiple first color resists arranged in an array, and the non-mask-joint area includes multiple second color resists arranged in an array. The first and second color resists are of different dimensions. Step S2 obtains a first white balance driving table for the mask-joint area and a second white balance driving table for the non-mask-joint area. Step S3 conducts white balance to the mask-joint area and non-mask-joint area using the first and second white balance driving tables, respectively. By applying different white balance driving tables to the mask-joint area and the non-mask-joint area, the white balance effect is improved, and the display quality of the LCD panel is enhanced.

Classes IPC  ?

  • G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides
  • G02F 1/1335 - Association structurelle de cellules avec des dispositifs optiques, p.ex. des polariseurs ou des réflecteurs

39.

Method for removing backlight mura

      
Numéro d'application 16097281
Numéro de brevet 11049462
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-09-27
Date de la première publication 2021-03-18
Date d'octroi 2021-06-29
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s)
  • Xiao, Guangxing
  • Fu, Yuhong

Abrégé

The present invention teaches a method for removing backlight mura. The method divides backlight into partitions, and divides each partition into units. The method then selects one of the partitions as a reference partition and selects the compensation values of the reference partition from all partitions. The method further calculates brightness difference values for all partitions other than the reference partition relative to the brightness of the reference partition. Finally, the method conduct brightness compensation to the other partitions based on the reference partition's compensation values, and the brightness difference values of the other partitions. The method may not only effectively eliminate backlight mura, but also allow the direct-lit backlight module to be thinner or of lower cost, and significant reduce storage requirement and logic resource.

Classes IPC  ?

  • G09G 3/34 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante
  • G02F 1/13357 - Dispositifs d'éclairage

40.

Color filter substrate having a filter layer disposed on quantum dot layer

      
Numéro d'application 16307136
Numéro de brevet 11024679
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-09-14
Date de la première publication 2021-03-18
Date d'octroi 2021-06-01
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Huang, Hui

Abrégé

The present invention teaches a CF substrate, its manufacturing method, and a WOLED display device. The CF substrate includes a substrate, a pixel definition layer, and multiple filter patterns. The pixel definition layer has multiple openings, each corresponding to a sub-pixel area of the substrate. Each filter pattern is disposed on the substrate inside an opening of the pixel definition layer, and includes a quantum dot layer and a filter layer sequentially formed on the substrate. The CF substrate requires a single lithographic process to form the openings. The quantum dot layers and filter layers of the filter patterns are then formed by solution film formation in the openings, effectively simplifying the manufacturing process and enhancing the production efficiency. Applying the CF substrate to a WOLED display device also enhances the lighting efficiency, color gamut, and product quality of the WOLED display device.

Classes IPC  ?

  • H01L 51/00 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
  • H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
  • H01L 31/0232 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails - Détails Éléments ou dispositions optiques associés au dispositif
  • H01L 21/00 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
  • H01L 51/40 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
  • H01L 27/32 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux avec des composants spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. panneaux d'affichage plats utilisant des diodes émettrices de lumière organiques
  • H01L 51/52 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED) - Détails des dispositifs

41.

OLED display panel and manufacturing method thereof

      
Numéro d'application 16307139
Numéro de brevet 11239447
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-09-17
Date de la première publication 2021-03-18
Date d'octroi 2022-02-01
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Huang, Hui

Abrégé

The invention provides an OLED display panel and manufacturing method thereof. The manufacturing method of OLED display panel of the invention forms a first scattering layer on the thin film encapsulation layer, a quantum dot layer on the first scattering layer, and a second scattering layer on the quantum dot layer. The first scattering layer extracts light from the OLED device, so that the light totally reflected by OLED device through thin film encapsulation layer is emitted as much as possible; the light extracted by the first scattering layer reaches the quantum dot layer. The quantum dots are excited to perform light color matching to emit light of desired color. Since the light excited by quantum dot layer is dispersed, the second scattering layer extracts the light excited by the quantum dot layer in an orderly manner, so that the OLED display panel emits light uniformly, thereby improving luminous efficiency.

Classes IPC  ?

  • H01L 51/52 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED) - Détails des dispositifs
  • H01L 51/56 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives

42.

DISPLAY PANEL AND DISPLAY DEVICE

      
Numéro d'application CN2019109861
Numéro de publication 2021/042440
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-10-08
Date de publication 2021-03-11
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Zhao, Li

Abrégé

Provided are a display panel (1000) and a display device. The display panel (1000) comprises a color film substrate (2), an array substrate (1), first spacers (3), second spacers (4), and third spacers (5). The array substrate (1) is arranged opposite to the color film substrate (2). The first spacers (3) are supported between the color film substrate (2) and the array substrate (1). The second spacers (4) are arranged on the side of the color film substrate (2) facing the array substrate (1), and/or the third spacers (5) are arranged on the side of the color film substrate (2) facing the array substrate (1). The height of the second spacer (4) is less than the height of the first spacer (3), and the height of the third spacer (5) is less than the height of the second spacer (4).

Classes IPC  ?

  • G02F 1/1339 - Dispositions relatives à la structure Éléments d'espacement; Scellement des cellules

43.

Image color enhancement method and device

      
Numéro d'application 16095827
Numéro de brevet 10937130
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-10-23
Date de la première publication 2021-03-02
Date d'octroi 2021-03-02
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s)
  • Chen, Yunna
  • Pu, Yiying
  • Syu, Shensian

Abrégé

Disclosed are an image color enhancement method and a device. The method comprises: obtaining a first saturation of any pixel point in an image; processing the first saturation according to a first saturation conversion function to obtain a slope corresponding to the first saturation; obtaining a second saturation conversion function according to local detail information if the slope is smaller than a first preset threshold; processing the first saturation according to the second saturation conversion function to obtain a second saturation of the pixel point; calculating a target brightness value according to the second saturation; and adjusting an original brightness value to the target brightness value. Thereby, a different saturation enhancement method is adopted for the pixel points which are easy to cause the details in the image lost, so that the image vividness is enhanced, and the detail information is preserved to improve the sharpness.

Classes IPC  ?

  • G06T 5/00 - Amélioration ou restauration d'image
  • G06T 5/20 - Amélioration ou restauration d'image en utilisant des opérateurs locaux
  • G06T 11/00 - Génération d'images bidimensionnelles [2D]
  • G06T 7/90 - Détermination de caractéristiques de couleur

44.

DISPLAY PANEL AND IMAGE DISPLAY METHOD

      
Numéro d'application CN2019105259
Numéro de publication 2021/031255
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-09-11
Date de publication 2021-02-25
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s)
  • Tian, Xinbin
  • Xu, Xiangyang

Abrégé

A display panel and an image display method. The image display method comprises: obtaining an image gray scale value of an image to be displayed; when the image gray scale value is less than a first preset threshold, obtaining gray scale signals respectively corresponding to a primary color photon pixel and a compensating photon pixel in said image; determining, according to the gray scale signals, target gray scale signals respectively corresponding to the primary color photon pixel and the compensating photon pixel; and accordingly outputting the target gray scale signals to the primary color photon pixel and the compensating photon pixel to display said image.

Classes IPC  ?

  • G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides

45.

METHOD FOR DRIVING DISPLAY PANEL

      
Numéro d'application CN2019106281
Numéro de publication 2021/031268
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-09-17
Date de publication 2021-02-25
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Zhao, Li

Abrégé

Disclosed is a method for driving a display panel. The method comprises: inputting a gate signal to a first pixel unit (130) and a second pixel unit (140) so as to conduct a first transistor (131) of the first pixel unit (130) and a second transistor (141) of the second pixel unit (140); when the first transistor (131) of the first pixel unit (130) is conducted, inputting a first data signal (310) to the first pixel unit (130) so as to charge the first pixel unit (130); and when the second transistor (141) of the second pixel unit (140) is conducted, inputting a second data signal (320) to the second pixel unit (140) so as to charge the second pixel unit (140), wherein the integral area of the waveform of the first data signal (310) is greater than the integral area of the waveform of the second data signal (320).

Classes IPC  ?

  • G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides

46.

BACKLIGHT MODULE AND DISPLAY APPARATUS

      
Numéro d'application CN2019106309
Numéro de publication 2021/027010
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-09-18
Date de publication 2021-02-18
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s)
  • Hou, Weikang
  • Zhou, Miao

Abrégé

Provided are a backlight module (100) and a display apparatus (20). The backlight module (100) comprises a light source assembly (110), a thermoelectric temperature control structure (120) and a waste heat recovery structure (130), wherein the thermoelectric temperature control structure (120) comprises a thermoelectric device (122); and the waste heat recovery structure (130) comprises a phase-change heat storage layer (132). A cold end (1222) of the thermoelectric device (122) is in contact with the light source assembly (110), and a hot end (1224) of the thermoelectric device (122) is in contact with the phase-change heat storage layer (132), so that accurate temperature control and waste heat recycling of the light source assembly (110) of the backlight module (100) can be realized.

Classes IPC  ?

  • G02F 1/1333 - Dispositions relatives à la structure
  • G02F 1/13357 - Dispositifs d'éclairage
  • F28D 20/02 - Appareils ou ensembles fonctionnels d'accumulation de chaleur en général; Appareils échangeurs de chaleur de régénération non couverts par les groupes ou utilisant la chaleur latente

47.

CHIP ON FILM GROUP, DISPLAY MODULE AND BONDING METHOD FOR CHIP ON FILM GROUP

      
Numéro d'application CN2019104212
Numéro de publication 2021/022600
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-09-03
Date de publication 2021-02-11
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Li, Wenfang

Abrégé

Provided are a chip on film (COF) group, a display module and a bonding method for the COF group. The COF group comprises multiple COFs, the multiple COFs are laminated, and connection terminals on each of the COFs are exposed to connect to external signals, multiple connection terminals arranged in a row are provided on each of the COFs, and multiple connection terminals on the multiple COFs are arranged in multiple rows, so that the spacing between two adjacent connection terminals on a COF can be increased, thereby preventing the connection terminals on the COF from being short-circuited due to spacing being too narrow, and preventing poor bonding of the COF.

Classes IPC  ?

  • G02F 1/1345 - Conducteurs connectant les électrodes aux bornes de la cellule
  • H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants

48.

AMOLED DISPLAY APPARATUS AND DRIVE METHOD THEREFOR

      
Numéro d'application CN2019104222
Numéro de publication 2021/022601
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-09-03
Date de publication 2021-02-11
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s)
  • Tian, Xinbin
  • Xu, Xiangyang

Abrégé

Disclosed are an AMOLED display apparatus and a drive method therefor. The AMOLED display apparatus comprises a display pixel unit (10), a threshold voltage compensation unit (20) electrically connected to the display pixel unit (10), and a test pixel unit (30) electrically connected to the threshold voltage compensation unit (20), wherein the display pixel unit (10) and the test pixel unit (30) are used for receiving a scanning signal (Gate) and a data signal (Data), and emitting light under the drive of the scanning signal (Gate) and the data signal (Data); and the threshold voltage compensation unit (20) is used for detecting the current flowing through the test pixel unit (30), comparing the current flowing through the test pixel unit (30) with a preset standard current, and outputting, according to a comparison result, a compensation signal (ST) to the display pixel unit (10), so as to perform threshold voltage compensation on the display pixel unit (10), so that the structure of a compensation circuit can be simplified while effectively compensating for the threshold voltage of a drive thin film transistor (T2), an aperture ratio can be improved and drive costs can be reduced.

Classes IPC  ?

  • G09G 3/3233 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED] organiques, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes organiques [OLED] utilisant une matrice active avec un circuit de pixel pour commander le courant à travers l'élément électroluminescent

49.

DISPLAY APPARATUS AND DISPLAY DEVICE

      
Numéro d'application CN2019104859
Numéro de publication 2021/022612
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-09-09
Date de publication 2021-02-11
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Wu, Jiang

Abrégé

A display apparatus (100) and a display device (1000). The display apparatus (100) comprises: a display panel (10), a first polarizer (20), a second polarizer (30), and a light path twisting structure (40). The display apparatus (100) performs alternative display at a preset time frequency; a hollow region (50) is formed by the display panel (10) with the first polarizer (20) and the second polarizer (30); the first polarizer (20) and the second polarizer (30) are provided at a light-emergent side of the display panel (10); and the light path twisting structure (40) is provided in the hollow region (50), and same controls emergent light of the display panel (10) to be emitted through the first polarizer (20) and/or the second polarizer (30).

Classes IPC  ?

  • G02F 1/1335 - Association structurelle de cellules avec des dispositifs optiques, p.ex. des polariseurs ou des réflecteurs

50.

CHIP-ON-FILM AND DISPLAY DEVICE

      
Numéro d'application CN2019106560
Numéro de publication 2021/017119
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-09-19
Date de publication 2021-02-04
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Hu, Qianshuang

Abrégé

A chip-on-film (100) and a display device. The chip-on-film (100) comprises a main body (10), a first connection part (20) and a second connection part (30) which are connected to two ends of the main body (10), wherein the first connection part (20) comprises a first edge (21) and a second edge (23) which are oppositely arranged, the second connection part (30) comprises a third edge (31) and a fourth edge (33) which are oppositely arranged, and a tear-resistant structure is arranged on at least one of the first edge (21), the second edge (23), the third edge (31) and the fourth edge (33). The chip-on-film can improve the quality of a display device.

Classes IPC  ?

  • G02F 1/1345 - Conducteurs connectant les électrodes aux bornes de la cellule

51.

CONDUCTIVE ADHESIVE AND PREPARATION METHOD THEREFOR

      
Numéro d'application CN2019104082
Numéro de publication 2021/012354
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-09-03
Date de publication 2021-01-28
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s)
  • Zhang, Xia
  • Wang, Haijun
  • Chen, Hsiaohsien
  • Lee, Yungjui

Abrégé

Provided in the present disclosure are a conductive adhesive and a preparation method therefor. The conductive adhesive comprises a photosensitive small molecule monomer, a photocationic polymeric compound, a photoinitiated cationic curing agent, a cationic polymerization inhibitor, a film-forming resin, an acrylic rubber, a conductive particle, a diluent, and other additives. The conductive adhesive of the present disclosure has a high bonding performance, good bonding effect and fast curing speed.

Classes IPC  ?

  • C09J 163/00 - Adhésifs à base de résines époxy; Adhésifs à base de dérivés des résines époxy
  • C09J 171/10 - Polyéthers dérivés de composés hydroxylés ou de leurs dérivés métalliques de phénols
  • C09J 133/04 - Homopolymères ou copolymères d'esters
  • C09J 9/02 - Adhésifs conducteurs de l'électricité
  • C09J 7/10 - Adhésifs sous forme de films ou de pellicules sans support
  • C09J 7/30 - Adhésifs sous forme de films ou de pellicules caractérisés par la composition de l’adhésif
  • C09J 11/08 - Additifs macromoléculaires

52.

DISPLAY PANEL AND DISPLAY DEVICE

      
Numéro d'application CN2019100909
Numéro de publication 2021/003801
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-08-16
Date de publication 2021-01-14
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Zha, Bao

Abrégé

Provided in the present invention are a display panel and a display device. The display panel comprises an anode layer, a hole transport layer, a light-emitting layer, an electron transport layer and a cathode layer, wherein the light-emitting layer is made of a lanthanide metal polymer. The technical effect of the present invention is an improvement in the light-emission stability of a display device and an increase in the service life of the display device.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/32 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux avec des composants spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. panneaux d'affichage plats utilisant des diodes émettrices de lumière organiques
  • H01L 51/50 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
  • H01L 51/54 - Emploi de matériaux spécifiés

53.

METHOD FOR MANUFACTURING METAL PATTERN OF DISPLAY PANEL

      
Numéro d'application CN2019103986
Numéro de publication 2021/000421
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-09-02
Date de publication 2021-01-07
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s)
  • Mei, Yuan
  • Wu, Haoxu

Abrégé

A method for manufacturing a metal pattern of a display panel, comprising: in an etching process of a copper/molybdenum metal layer, when metal ions of the metal layer reach a corresponding concentration in an etching solution, continuously or intermittently adding an etching function agent or an etching maintenance agent into the etching solution, until the etching function agent or the etching maintenance agent accounts for 2-5 wt% of the total amount of the etching solution and the added etching function agent or etching maintenance agent. Also disclosed is a method for manufacturing a metal pattern of a display panel.

Classes IPC  ?

  • C23F 1/02 - Gravure locale
  • C23F 1/18 - Compositions acides pour le cuivre ou ses alliages
  • C23F 1/26 - Compositions acides pour les métaux réfractaires
  • C23F 1/46 - Régénération des compositions de décapage

54.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY APPARATUS AND METHOD FOR DRIVING SAME

      
Numéro d'application CN2019096603
Numéro de publication 2021/000355
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-07-18
Date de publication 2021-01-07
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Xiao, Guangxing

Abrégé

Disclosed are a liquid crystal display apparatus and a method for driving same. The apparatus comprises: a first timing controller (11) and a second timing controller (12) that are electrically connected to a liquid crystal display panel (10), wherein the liquid crystal display panel (10) comprises a first display area (101) and a second display area (102) arranged adjacent to each other; part of a region on a side, close to the first display area (101), of the second display area (102) is a first boundary region (103); and part of a region on a side, close to the second display area (102), of the first display area (101) is a second boundary region (104). During driving, the first timing controller (11) receives and processes display data of the first display area (101) and the first boundary region (103), and the second timing controller (12) receives and processes display data of the second display area (102) and the second boundary region (104), so that corrected display data of the first display area (101) and the second display area (102) is obtained to drive the first display area (101) and the second display area (102) to carry out image display.

Classes IPC  ?

  • G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides

55.

PREPARATION METHOD FOR BLACK MATRIX ON GLASS SUBSTRATE, AND APPLICATION THEREOF

      
Numéro d'application CN2019102846
Numéro de publication 2021/000405
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-08-27
Date de publication 2021-01-07
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Liu, Xue

Abrégé

A preparation method for a black matrix on a glass substrate, and an application thereof. The method comprises the following steps: step S1, providing a glass substrate (1), and coating the glass substrate (1) with a photoresist to form a photoresist layer (2); step S2, forming photoresist grooves (3) on the photoresist layer (2); step S3, filling the photoresist grooves (3) with a black matrix photoresist (5); and step S4, exposing the black matrix photoresist (5) to obtain a black matrix (6). On the basis of the preparation method, on the one hand, the black matrix can be reduced in linear width and increased in conical angle, so that the requirement on high resolution is satisfied, and the product opening rate is improved; on the other hand, a developing process is omitted, so that the method is easy and convenient to operate, there is no process difficult points, implementation is facilitated, and the problem of low conical angle or undercut and peeling caused by the developing process is solved.

Classes IPC  ?

  • G02F 1/1335 - Association structurelle de cellules avec des dispositifs optiques, p.ex. des polariseurs ou des réflecteurs
  • G03F 7/00 - Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet

56.

SIDE CODE PRINTING STRUCTURE AND SIDE CODE PRINTING METHOD OF EXTRA NARROW BORDER OF LIQUID CRYSTAL PANEL

      
Numéro d'application CN2019099494
Numéro de publication 2020/258451
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-08-06
Date de publication 2020-12-30
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Zhu, Qingyong

Abrégé

A side code printing structure and a side code printing method of an extra narrow border of a liquid crystal panel, said structure comprising: a thin film transistor glass layer and a color-filtering glass layer, the color-filtering glass layer being provided on the thin film transistor glass layer. A side grinding and flattening layer, a coating layer and a code printing structure are provided on one side of the color-filtering glass layer and the thin film transistor glass layer in the thickness direction; the coating layer is provided on the side grinding and flattening layer, and the code printing structure is provided on the coating layer, so as to achieve side code printing of an extra narrow border.

Classes IPC  ?

57.

DISPLAY PANEL AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

      
Numéro d'application CN2019099549
Numéro de publication 2020/258452
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-08-07
Date de publication 2020-12-30
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s)
  • Xie, Feifei
  • Liu, Zeqin
  • Xie, Kecheng

Abrégé

The present invention provides a display panel and a manufacturing method therefor. The display panel defines a display area and an edge area, and the display panel comprises a substrate, a gate layer, a gate insulating layer, a thin film encapsulation layer, and a polyimide layer. A buffer groove is provided on the gate insulating layer such that when the polyimide layer is formed, an ink-jet-printed polyimide solution has a reduced flow velocity at the edge area, and thus solidifies to form the polyimide layer before crossing a retaining wall, thereby avoiding phenomena such as sealant contamination and stripping.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
  • H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
  • H01L 21/77 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
  • G02F 1/1333 - Dispositions relatives à la structure
  • G02F 1/1337 - Orientation des molécules des cristaux liquides induite par les caractéristiques de surface, p.ex. par des couches d'alignement
  • G02F 1/1362 - Cellules à adressage par une matrice active

58.

QUANTUM DOT POLARIZER STRUCTURE AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY

      
Numéro d'application CN2019102553
Numéro de publication 2020/258485
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-08-26
Date de publication 2020-12-30
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s)
  • Zhou, Miao
  • Chang, Jianyu
  • Qiu, Yongyuan

Abrégé

A quantum dot polarizer structure and a liquid crystal display. The quantum dot polarizer structure (100) comprises a protection layer (1), a quantum dot light-emitting layer (2) located above the protection layer (1), a blue-light reflecting layer (3) located above the quantum dot light-emitting layer (2), and a polarizing layer (4) located above the blue-light reflecting layer (3). The liquid crystal display comprises the quantum dot polarizer structure (100).

Classes IPC  ?

  • G02B 5/30 - OPTIQUE ÉLÉMENTS, SYSTÈMES OU APPAREILS OPTIQUES Éléments optiques autres que les lentilles Éléments polarisants
  • G02F 1/13357 - Dispositifs d'éclairage

59.

WET ETCHING METHOD AND DEVICE

      
Numéro d'application CN2019103913
Numéro de publication 2020/258511
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-09-02
Date de publication 2020-12-30
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s)
  • Mei, Yuan
  • Wu, Haoxu

Abrégé

A wet etching method and device. The method comprises steps of: providing a wet etching configuration which comprises a conveying belt (C) and a liquid spraying device (D) above the conveying belt (C), wherein the conveying belt (C) is used for conveying articles from a relatively high upstream end (C1) to a relatively low downstream end (C2) in a conveying direction (E); providing a part to be etched (G), wherein the part to be etched (G) has a photoresist pattern (R), the photoresist pattern (R) has at least one line segment, and the at least one line segment extends in at least one linear direction; placing the part to be etched (G) on the conveying belt (C), and enabling an included angle between the linear direction in which the line segment extends and the conveying direction (E) to range from 30 degrees to 60 degrees; and controlling the conveying belt (C) to convey the part to be etched (G), and controlling the liquid spraying device (D) to spray etching liquid downwards.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/306 - Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
  • H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants

60.

ARRAY SUBSTRATE PREPARATION METHOD AND ARRAY SUBSTRATE PREPARATION SYSTEM

      
Numéro d'application CN2019106631
Numéro de publication 2020/252955
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-09-19
Date de publication 2020-12-24
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Zhang, Qianyi

Abrégé

An array substrate preparation method and an array substrate preparation system. The preparation method comprises: providing a substrate (S1); preparing an active layer, a gate insulation layer, a gate electrode layer and a protection layer on the substrate, and carrying out patterning to form a protection layer pattern (S2); by taking the protection layer pattern as a mask, etching the gate electrode layer to form a gate electrode (S3); treating a first region of the active layer so same is conductive, and etching the gate insulation layer to form a gate insulation layer pattern (S4-S5); and peeling off the protection layer pattern (S6). The method makes a position that has been made conductive more accurate.

Classes IPC  ?

61.

THIN-FILM TRANSISTOR SUBSTRATE AND PREPARATION METHOD THEREFOR

      
Numéro d'application CN2019100865
Numéro de publication 2020/252876
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-08-15
Date de publication 2020-12-24
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Zhao, Wenqun

Abrégé

The present invention provides a thin-film transistor substrate and a preparation method therefor. The thin-film transistor substrate comprises a substrate, an active layer, a gate insulation layer, a gate layer, an interlayer dielectric layer, a source drain layer, an organic layer and a pixel electrode layer which are arranged in sequence, wherein the active layer is made of cuprous iodide.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/786 - Transistors à couche mince
  • H01L 29/24 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des matériaux semi-conducteurs inorganiques non couverts par les groupes , ,  ou
  • H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant

62.

DISPLAY DEVICE CAPABLE OF SWITCHING TO AND BACK FROM ANTI-PEEPING MODE

      
Numéro d'application CN2019102037
Numéro de publication 2020/252890
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-08-22
Date de publication 2020-12-24
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Wu, Jiang

Abrégé

A display device (100) capable of switching to and back from an anti-peeping mode. A third substrate (130) is provided between a first substrate (110) and a second substrate (120). A pixel (140) is provided between the first substrate (110) and the third substrate (130). An interference pixel (150) is provided beside the pixel (140). A light control layer (160) is provided between the pixel (140) and the third substrate (130). An upper optical switch electrode (170) is provided at the second substrate (120). A lower optical switch electrode (180) is provided at the third substrate (130). An electrically-controlled optical switch layer (190) is provided between the second substrate (120) and the third substrate (130). A projection of the interference pixel (150) on the first substrate (110) overlaps with a projection of the lower optical switch electrode (180) on the first substrate (110).

Classes IPC  ?

  • G02F 1/13 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des cristaux liquides, p.ex. cellules d'affichage individuelles à cristaux liquides
  • G02F 1/15 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur un effet électrochromique

63.

GAMMA VOLTAGE OUTPUT CIRCUIT AND STEP-DOWN REPAIR METHOD AND SOURCE DRIVER THEREOF

      
Numéro d'application CN2019099697
Numéro de publication 2020/248352
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-08-08
Date de publication 2020-12-17
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Fu, Xiaoli

Abrégé

Provided are a gamma voltage output circuit and step-down repair method and source driver thereof; by means of adjusting the parasitic resistance of a trace corresponding to a step-down grayscale circuit, the ratio of the resistance value of the parasitic resistance of the trace of the step-down grayscale circuit to the sum of the resistance of the corresponding step-down grayscale circuit and the absolute value of the difference of the ratio corresponding to a normal grayscale circuit are preset values.

Classes IPC  ?

  • G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides

64.

METHOD AND APPARATUS FOR PREPARING SILICON DIOXIDE FILM ON SUBSTRATE, AND ARRAY SUBSTRATE

      
Numéro d'application CN2019101398
Numéro de publication 2020/244056
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-08-19
Date de publication 2020-12-10
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Peng, Zhao

Abrégé

Provided in the present application are a method and apparatus for preparing a silicon dioxide film on a substrate, and an array substrate, the method comprising: placing a substrate that has undergone hydroxylation modification in a closed cavity; introducing a silicon-containing precursor gas and water vapor into the closed cavity; a hydrolysis reaction may occur by using tetraethyl orthosilicate/methyl silicate when water is present so as to produce silanol; and again performing a condensation reaction on the silanol and the hydroxylation modified substrate to produce a silicon dioxide material and attaching same to the substrate, thus forming a silicon dioxide film on the substrate.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
  • C01B 33/12 - Silice; Ses hydrates, p.ex. acide silicique lépidoïque

65.

DRIVE CIRCUIT, DISPLAY PANEL AND DISPLAY APPARATUS

      
Numéro d'application CN2019101479
Numéro de publication 2020/244057
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-08-20
Date de publication 2020-12-10
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Zhang, Xianming

Abrégé

A drive circuit, a display panel and a display apparatus, the drive circuit comprising: a first drive module (10), which drives a switch device in a display area of a display panel by outputting a second drive voltage; and a second drive module (11), which drives a switch device in a non-display area of the display panel by outputting a fourth drive voltage; the magnitude of the second drive voltage is equal to the magnitude of the fourth drive voltage, and the directions thereof are opposite. In the present application, the leakage current of a drive circuit is reduced, thus lessening the phenomenon of uneven display by a display panel.

Classes IPC  ?

  • G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides

66.

PIXEL DRIVE CIRCUIT AND PIXEL DRIVE METHOD

      
Numéro d'application CN2019092710
Numéro de publication 2020/237760
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-06-25
Date de publication 2020-12-03
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s)
  • Chang, Bobiao
  • Wen, Yichien

Abrégé

The present invention provides a pixel drive circuit and a pixel drive method. The pixel drive circuit comprises: a plurality of sub-pixels arranged in an array, a plurality of scan lines extending in a horizontal direction and a plurality of data lines extending in a vertical direction, each scan line corresponds to and is connected to a row of sub-pixels, each column of sub-pixels is alternately connected to the data line adjacent to the left and right of the column of sub-pixels, respectively, odd scan lines are used for transmitting scan signals to odd rows of sub-pixels when a picture is displayed in odd frames, even scan lines are used for transmitting scan signals to even rows of sub-pixels when pictures are displayed in even frames, the plurality of data lines are used for transmitting voltage signals to the sub-pixels, and the voltage signals change polarity every two frames of the displayed pictures, which can solve the problem of polarization of a liquid crystal, improve the picture uniformity to a certain extent, and improve the display quality.

Classes IPC  ?

  • G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides

67.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY PANEL AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

      
Numéro d'application CN2019098257
Numéro de publication 2020/237816
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-07-30
Date de publication 2020-12-03
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Liao, Dong

Abrégé

A liquid crystal display panel and a liquid crystal display device, comprising a first substrate (201), a second substrate (202), a first alignment film (203), a second alignment film (204), a rubber frame (205), a retaining wall (206), a black matrix (207), and a spacer (208). The retaining wall (206) is located outside the coverage of the first alignment film (203), thereby preventing a polyimide material from accumulating at the retaining wall, and avoiding an uneven thickness of a liquid crystal cell and ear-shaped light leakage in an edge area.

Classes IPC  ?

  • G02F 1/1337 - Orientation des molécules des cristaux liquides induite par les caractéristiques de surface, p.ex. par des couches d'alignement

68.

LEVEL SHIFT CIRCUIT AND CLOCK SIGNAL CIRCUIT

      
Numéro d'application CN2019095270
Numéro de publication 2020/237783
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-07-09
Date de publication 2020-12-03
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Fu, Xiaoli

Abrégé

The present invention provides a level shift circuit and a clock signal circuit. The level shift circuit comprises a level shift unit, a first delay unit, two first switches, and two second switches. Two input ends of the level shift unit are each electrically connected to one first switch. Two output ends of the first delay unit are correspondingly and electrically connected between the two input ends of the level shift unit and the two first switches, respectively. One second switch is electrically connected between each of the two output ends of the first delay unit and each of the two input ends of the level shift unit. The first delay unit is used for delaying a unit of delay time.

Classes IPC  ?

  • H03K 19/0185 - Dispositions pour le couplage; Dispositions pour l'interface utilisant uniquement des transistors à effet de champ

69.

DISPLAY PANEL AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

      
Numéro d'application CN2019090237
Numéro de publication 2020/232755
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-06-06
Date de publication 2020-11-26
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Xie, Kecheng

Abrégé

A display panel and a manufacturing method therefor. The manufacturing method for the display panel comprises the following steps: a first substrate (1) manufacturing step (S1), a second substrate (2) manufacturing step (S2), a pairing step (S3), and a first alignment film (14) manufacturing step (S4). The display panel comprises a first substrate (1), a second substrate (2), a liquid crystal layer (3), and a sealant layer (4). A first liquid crystal alignment monomer layer (100) is provided on a surface of a common electrode layer (12), and a color film substrate (1) is heated and irradiated by a heat gun, so that the first liquid crystal alignment monomer layer (100) and the common electrode layer (12) are subjected to a link reaction to form a first alignment film layer (14), thereby avoiding the phenomenon of poor alignment, avoiding gray scale difference of the display panel due to poor alignment, and ensuring the yield and quality of products. In addition, during manufacturing of the color film substrate (1), a coating process of a polyimide material is omitted, a friction process is omitted, defects caused by the friction process are avoided, the yield of the products is further improved, and competitiveness of the products is enhanced.

Classes IPC  ?

  • G02F 1/1337 - Orientation des molécules des cristaux liquides induite par les caractéristiques de surface, p.ex. par des couches d'alignement
  • G02F 1/1335 - Association structurelle de cellules avec des dispositifs optiques, p.ex. des polariseurs ou des réflecteurs
  • G02F 1/1339 - Dispositions relatives à la structure Éléments d'espacement; Scellement des cellules
  • G02F 1/1333 - Dispositions relatives à la structure

70.

METHOD FOR MANUFACTURING TFT SUBSTRATE, AND TFT SUBSTRATE

      
Numéro d'application CN2019091722
Numéro de publication 2020/232784
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-06-18
Date de publication 2020-11-26
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Wei, Xianwang

Abrégé

Provided in the present invention are a method for manufacturing a TFT substrate, and a TFT substrate. According to the method for manufacturing a TFT substrate of the present invention, UV light irradiation is performed on a metal oxide semiconductor layer with a gate electrode acting as a shielding layer, so that parts, irradiated by UV light, of the metal oxide semiconductor layer are subjected to conduction to form a source electrode, a drain electrode and a pixel electrode, and a part, shielded by the gate electrode, of the metal oxide semiconductor layer still retains semiconductor properties to form a semiconductor channel. In the present invention, the alignment of the source electrode and the gate electrode and the alignment of the drain electrode and the gate electrode are implemented by means of gate electrode self-alignment and the metal oxide semiconductor layer conduction process, so that an overlapping region of the source electrode and the gate electrode and an overlapping region of the drain electrode and the gate electrode can be effectively controlled, such that parasitic capacitance is reduced, and the display quality is improved. Moreover, the manufacturing method is simple, thereby improving production efficiency.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/44 - Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes
  • H01L 21/34 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs non couverts par , et avec ou sans impuretés, p.ex. matériaux de dopage
  • H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
  • H01L 29/786 - Transistors à couche mince
  • H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
  • H01L 21/84 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant autre chose qu'un corps semi-conducteur, p.ex. étant un corps isolant

71.

DEVICE CLEANING METHOD AND APPARATUS AND DEVELOPING DEVICE

      
Numéro d'application CN2019105396
Numéro de publication 2020/232919
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-09-11
Date de publication 2020-11-26
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Peng, Zhao

Abrégé

A device cleaning method and apparatus and a developing device: acquiring a cleaning command; on the basis of the cleaning command, injecting a preset height of cleaning fluid into a developing cavity (1); starting a heater (4) and an ultrasonic generator (5), and performing heating and ultrasonic vibrating processing on the cleaning fluid in order to control the cleaning liquid to clean the developing cavity (1).

Classes IPC  ?

  • B08B 3/12 - Nettoyage impliquant le contact avec un liquide avec traitement supplémentaire du liquide ou de l'objet en cours de nettoyage, p.ex. par la chaleur, par l'électricité ou par des vibrations par des vibrations soniques ou ultrasoniques
  • B08B 3/10 - Nettoyage impliquant le contact avec un liquide avec traitement supplémentaire du liquide ou de l'objet en cours de nettoyage, p.ex. par la chaleur, par l'électricité ou par des vibrations
  • G03F 7/30 - Dépouillement selon l'image utilisant des moyens liquides

72.

PREPARATION METHOD FOR OPTICAL FILM, OPTICAL FILM AND DISPLAY PANEL

      
Numéro d'application CN2019106050
Numéro de publication 2020/232922
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-09-17
Date de publication 2020-11-26
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Wang, Yanan

Abrégé

A preparation method for an optical film (1), an optical film (1) and a display panel (100), the preparation method comprising: placing a plurality of pre-prepared graphene sheets (201) in a mixed solution so as to form an anti-reflection mixed solution; coating the anti-reflection mixed solution on a substrate (10); performing alignment treatment on the anti-reflection mixed solution by using a magnetic field so that the plurality of graphene sheets (201) in the anti-reflection mixed solution are offset to a preset angle; and curing the anti-reflection mixed solution to form an anti-reflection layer (20) on the substrate (10).

Classes IPC  ?

  • G02B 1/113 - Revêtements antiréfléchissants utilisant des couches comportant uniquement des matériaux inorganiques
  • G09F 9/35 - Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels dans lesquels le ou les caractères désirés sont formés par une combinaison d'éléments individuels à cristaux liquides
  • G02B 5/30 - OPTIQUE ÉLÉMENTS, SYSTÈMES OU APPAREILS OPTIQUES Éléments optiques autres que les lentilles Éléments polarisants

73.

Array substrate and manufacturing method thereof

      
Numéro d'application 16312814
Numéro de brevet 10916570
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-09-03
Date de la première publication 2020-11-19
Date d'octroi 2021-02-09
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Chien, Ching Fu

Abrégé

Provided are an array substrate and a manufacturing method thereof. A first wire of a fanout line of the array substrate is divided into a plurality of first sections. A second wire of the fanout line is divided into a plurality of second sections corresponding to the first sections. Each of the first sections is electrically connected to the second section corresponding thereof. Thus, as a certain position of the first wire or the second wire is broken, only a resistance of the first section or the second section where the broken position is located is changed, so that a blocking effect on the entire fanout lines is not large, thereby reducing or avoiding appearance of a light line.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/14 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit ra
  • H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
  • G02F 1/1362 - Cellules à adressage par une matrice active
  • H01L 27/32 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux avec des composants spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. panneaux d'affichage plats utilisant des diodes émettrices de lumière organiques

74.

DISPLAY DRIVE SYSTEM AND DISPLAY DRIVE METHOD

      
Numéro d'application CN2019092663
Numéro de publication 2020/228100
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-06-25
Date de publication 2020-11-19
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Zhao, Xinghai

Abrégé

The present invention provides a display drive system and a display drive method. The display drive system of the present invention comprises a time sequence controller and a source driver. The time sequence controller is electrically connected to the source driver by means of a plurality groups of transmission channels. During working, the time sequence controller transmits a command transmission start signal to the source driver by means of a second group of transmission channels in a start phase to indicate that the transmission of a command signal is started, transmits the command signal to the source driver by means of the second group of transmission channels in a command signal transmission phase, transmits a reset signal to the source driver by means of a first group of transmission channels in a reset phase to indicate that the transmission of row display data is started, and transmits the row display data to the source driver by means of the plurality groups of transmission channels in a display data transmission phase. The display drive system of the present invention can reduce the number of pins of the time sequence controller and the number of pins of the source driver, thereby reducing chip costs and circuit design costs.

Classes IPC  ?

  • G09G 3/3208 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED] organiques, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes organiques [OLED]

75.

ARRAY SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

      
Numéro d'application CN2019101962
Numéro de publication 2020/228168
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-08-22
Date de publication 2020-11-19
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Ye, Chengliang

Abrégé

An array substrate and a manufacturing method therefor. The array substrate comprises a display area and a peripheral area located outside the display area. The array substrate comprises an edge color resistance pattern provided in the peripheral area and an edge spacer located above the edge color resistance pattern. The edge color resistance pattern comprises a block portion and a retaining wall located outside the block portion, so that when a spacer material layer used for manufacturing a main spacer and the edge spacer is formed above a display area color resistance pattern and the edge color resistance pattern, the leveling property of the part, above the edge color resistance pattern, of the spacer material layer is greatly reduced, so that the height difference between the main spacer which is finally formed above the display area color resistance pattern and the edge spacer located above the edge color resistance pattern is reduced, and the display quality of a liquid crystal display panel can be improved.

Classes IPC  ?

  • G02F 1/1339 - Dispositions relatives à la structure Éléments d'espacement; Scellement des cellules
  • G02F 1/1362 - Cellules à adressage par une matrice active

76.

COLOR PHOTORESIST COMPOSITION

      
Numéro d'application CN2019102041
Numéro de publication 2020/228169
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-08-22
Date de publication 2020-11-19
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Zhang, Yuehong

Abrégé

Disclosed is a color photoresist composition, comprising, on the basis of the color photoresist composition being 100 parts by weight, 5-8 parts by weight of a pigment, 5-8 parts by weight of an alkali-soluble resin, 5-8 parts by weight of a half-sandwich-type phthalocyanine dye, 0.2-0.6 parts by weight of a photoinitiator, 70-85 parts by weight of a photoresist solvent, and 0.1-0.2 parts by weight of an additive.

Classes IPC  ?

  • G03F 7/004 - Matériaux photosensibles
  • C09B 47/04 - Phtalocyanines
  • G03F 7/027 - Composés photopolymérisables non macromoléculaires contenant des doubles liaisons carbone-carbone, p.ex. composés éthyléniques
  • G02B 5/22 - Filtres absorbants

77.

PREPARATION METHOD FOR DYE AND OPTICAL FILM

      
Numéro d'application CN2019104468
Numéro de publication 2020/228191
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-09-05
Date de publication 2020-11-19
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Zha, Bao

Abrégé

The present invention provides a preparation method for a dye and an optical film. The method comprises: adding a rhodamine dye to thionyl chloride for reaction, and removing the thionyl chloride in a reaction solution; then adding the reactant and propenoic acid 4-hydroxy R ester to anhydrous tetrahydrofuran for reaction to obtain a second reaction solution; removing the anhydrous tetrahydrofuran in the second reaction solution; and washing the reactant with dichloromethane and methanol, and performing separation by using a chromatography column to obtain a dye monomer.

Classes IPC  ?

  • C09B 69/10 - Colorants polymères; Produits de réactions de colorants avec des monomères ou avec des composés macromoléculaires
  • C09D 4/02 - Monomères acryliques
  • G02B 1/04 - OPTIQUE ÉLÉMENTS, SYSTÈMES OU APPAREILS OPTIQUES Éléments optiques caractérisés par la substance dont ils sont faits; Revêtements optiques pour éléments optiques faits de substances organiques, p.ex. plastiques

78.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY

      
Numéro d'application CN2019106994
Numéro de publication 2020/228214
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-09-20
Date de publication 2020-11-19
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Yuan, Guangzhong

Abrégé

A liquid crystal display, comprising a backlight module (10), a liquid crystal display panel (30), and a dynamic backlight light-shielding plate (20) located between the backlight module (10) and the liquid crystal display panel (30), wherein the dynamic backlight light-shielding plate (20) includes a reflective electroluminescent material. The liquid crystal display has the beneficial effects of the dynamic backlight light-shielding plate (20) including a reflective electroluminescent material being arranged between the liquid crystal display panel (30) and the backlight module (10), that is, further improving the dynamic contrast ratio, and further improving the utilization rate of a light source of the backlight module (10).

Classes IPC  ?

  • G02F 1/1335 - Association structurelle de cellules avec des dispositifs optiques, p.ex. des polariseurs ou des réflecteurs

79.

DISPLAY AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

      
Numéro d'application CN2019113444
Numéro de publication 2020/228248
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-10-25
Date de publication 2020-11-19
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Chen, Xingwu

Abrégé

A display and a manufacturing method therefor. The display (100) comprises a transistor substrate (10), a color film substrate (20), and a liquid crystal cell; the liquid crystal cell comprises multiple protrusion structures (30) that partition the liquid crystal cell into a first liquid crystal region (40a) and a second liquid crystal region (40b); moreover, the first liquid crystal region (40a) and the second liquid crystal region (40b) respectively comprise first liquid crystals (a) and second liquid crystals (b); the first liquid crystals (a) and the second liquid crystals (b) have different products of average refractive indexes and thicknesses.

Classes IPC  ?

80.

TFT array substrate and display panel where the second metallic layer is withdrawn for a distance to prevent problems such as broken film and oxidization

      
Numéro d'application 16096812
Numéro de brevet 11127761
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-08-31
Date de la première publication 2020-11-19
Date d'octroi 2021-09-21
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Zhao, Yang

Abrégé

The present invention teaches a TFT array substrate, including a substrate; a first metallic layer disposed on the substrate; a gate insulation layer disposed on the first metallic layer and the substrate, where the gate insulation layer includes a level section above the first metallic layer and a pair of step sections respectively connected to lateral sides of the level section; a second metallic layer disposed on the level section, where an area of the second metallic layer's vertical projection onto the top side of the substrate is smaller than an area of the level section's top side; and a protection layer disposed on the second metallic layer and the gate insulation layer. As the second metallic layer is withdrawn for a distance from the level section's circumference, the protection layer is not required to rise continuously, and the protection layer is less prone to broken film and oxidization.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant

81.

Liquid crystal display panel and liquid crystal display device having the liquid crystal display panel

      
Numéro d'application 16304018
Numéro de brevet 10937375
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-09-18
Date de la première publication 2020-11-19
Date d'octroi 2021-03-02
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Xiao, Guangxing

Abrégé

Disclosed is a liquid crystal display panel, including a non-display area and a display area, wherein the non-display area is provided with a system on chip, and the display area includes at least two display sub-areas, and each display sub-area is provided with a corresponding timing controller; the system on chip is electrically connected to each timing controller, and sends edge video data displayed in an edge area of an adjacent display sub-area to each timing controller, and the timing controller receives and processes the edge video data; the adjacent display sub-area is a display sub-area next to the display sub-area corresponding to the timing controller The timing controller can acquire and process the edge video data displayed in the edge area of the adjacent display sub-area, so that the image processing algorithms have better processing effects on the images at the boundary of the display sub-areas.

Classes IPC  ?

  • G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides

82.

SEALANT AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY PANEL

      
Numéro d'application CN2019088659
Numéro de publication 2020/228057
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-05-27
Date de publication 2020-11-19
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Liao, Dong

Abrégé

Provided are a sealant and a liquid crystal display panel. The sealant comprises a main seal and flexible conductive microparticles dispersed in the main seal, wherein the maximum compression deformation rate of the flexible conductive microparticles is greater than 60%. In the present invention, existing Au balls and spacers are replaced with flexible conductive microparticles with the maximum compression deformation rate thereof being greater than 60%, such that the flexible conductive microparticles simultaneously have a cell gap supporting function and a conductive function, the difficulty in particle size selection can be lowered, and defects of a product caused by unsuitable particle size selection can be prevented.

Classes IPC  ?

  • G02F 1/1333 - Dispositions relatives à la structure
  • G02F 1/1339 - Dispositions relatives à la structure Éléments d'espacement; Scellement des cellules

83.

TFT ARRAY SUBSTRATE AND DISPLAY PANEL

      
Numéro d'application CN2019088692
Numéro de publication 2020/228058
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-05-28
Date de publication 2020-11-19
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Mo, Chaode

Abrégé

A TFT array substrate (1) and a display panel, wherein the TFT array substrate (1) comprises a base substrate (2), an antireflection layer (3), and a gate insulating layer (4). The TFT array substrate (1) comprises a light-transmitting region (5). The antireflection layer (3) is provided on the base substrate (2) in the light-transmitting region (5). The gate insulating layer (4) is provided on the antireflection layer (3). The light refractive indexes of the base substrate (2), the antireflection layer (3) and the gate insulating layer (4) increase in sequence.

Classes IPC  ?

  • G02F 1/13 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des cristaux liquides, p.ex. cellules d'affichage individuelles à cristaux liquides

84.

TFT ARRAY SUBSTRATE AND FABRICATION METHOD THEREFOR

      
Numéro d'application CN2019089831
Numéro de publication 2020/228070
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-06-03
Date de publication 2020-11-19
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Xia, Hui

Abrégé

A TFT array substrate and a fabrication method therefor, the TFT array substrate comprising a substrate (10) and a film layer structure disposed on the substrate (10); the film layer structure comprises a first metal layer and a second metal layer located above the first metal layer, the orthographic projections of first portions (24) of the first metal layer on the substrate (10) overlap with orthographic projections of second portions (53) of the second metal layer on the substrate (10), and grooves (11) are disposed at positions corresponding to the first portions (24) and the second portions (53) on the substrate (10).

Classes IPC  ?

  • H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
  • H01L 21/77 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun

85.

PIXEL DRIVING METHOD

      
Numéro d'application CN2019092717
Numéro de publication 2020/228101
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-06-25
Date de publication 2020-11-19
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Wang, Geng

Abrégé

Disclosed is a pixel driving method. The method comprises: according to a current brightness value of a sub-pixel in the jth row and the ith column and current brightness values of a plurality of sub-pixels with the same color adjacent to the sub-pixel in the jth row and the ith column (setting both j and i as positive integers), obtaining a target brightness value of the sub-pixel in the jth row and the ith column by means of a target brightness value calculation formula, and then obtaining a brightness compensation value of the sub-pixel in the jth row and the ith column by means of a brightness compensation value calculation formula; and finally, according to the target brightness value and the brightness compensation value of the sub-pixel in the jth row and the ith column, outputting a compensated brightness value of the sub-pixel in the jth row and the ith column by means of a compensated brightness value calculation formula so as to convert a heavy-load picture into a light-load picture, thereby solving the problem of an overly high temperature of a source driver under the heavy-load picture without increasing costs.

Classes IPC  ?

  • G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides

86.

BINDING STRUCTURE OF CHIP ON FILM

      
Numéro d'application CN2019094313
Numéro de publication 2020/228108
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-07-02
Date de publication 2020-11-19
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Li, Xiaohua

Abrégé

Disclosed is a binding structure of a chip on film. The binding structure comprises a drive circuit board, having a first binding area; a display panel, having a second binding area; a chip on film, having a first binding end and a second binding end, the first binding end being connected to the first binding area of the drive circuit board, and the second binding end being connected to the first binding area of the drive circuit board; pressing bars, being fixed on the drive circuit board and/or the display panel, and being capable of pressing the first binding end of the chip on film on the first binding area of the drive circuit board or pressing the second binding end of the chip on film on the second binding area of the display panel.

Classes IPC  ?

  • H05K 1/14 - Association structurale de plusieurs circuits imprimés
  • G09F 9/00 - Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels

87.

OVERCURRENT PROTECTION CIRCUIT AND DRIVE METHOD THEREFOR

      
Numéro d'application CN2019099473
Numéro de publication 2020/228150
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-08-06
Date de publication 2020-11-19
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Zhang, Xianming

Abrégé

Provided in the present invention are an overcurrent protection circuit and a drive method therefor. The overcurrent protection circuit comprises: an overcurrent protection module and an overcurrent detection module, wherein the overcurrent protection module comprises: a controller, a current mirror, a PMOS and an NMOS; and the overcurrent detection module comprises: a first adder, a first comparator, a second adder, a second comparator and an AND gate circuit. The overcurrent protection circuit increases the detection of an overcurrent circuit as a whole.

Classes IPC  ?

  • H02H 7/20 - Circuits de protection de sécurité spécialement adaptés pour des machines ou appareils électriques de types particuliers ou pour la protection sectionnelle de systèmes de câble ou ligne, et effectuant une commutation automatique dans le cas d'un chan pour équipement électronique

88.

DISCHARGE CIRCUIT AND DISPLAY APPARATUS COMPRISING SAME

      
Numéro d'application CN2019099699
Numéro de publication 2020/228154
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-08-08
Date de publication 2020-11-19
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Huang, Gu

Abrégé

A discharge circuit, used for releasing the charge on a common electrode (CE) of a display apparatus (1), comprising; a timing control chip (14), a first switch element (T1), and a second switch element (T2). The timing control chip (14) is used for outputting mutually inverted clock signals (CK). A control end of the first switch element (T1) receives one of the mutually inverted clock signals (CK), and an input end thereof is electrically connected to the common electrode (CE). A control end of the second switch element (T2) receives the other of the mutually inverted clock signals (CK), an input end thereof is electrically connected to the output end of the first switch element (T1), and an output end thereof is electrically connected to a ground end. When the display apparatus switches off, the timing control chip (14) controls the phase of the clock signals (CK), such that the first switch element (T1) and the second switch element (T2) simultaneously conduct to form a discharge path from the common electrode (CE) to the ground end.

Classes IPC  ?

  • G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides

89.

COLOR FILM SUBSTRATE PREPARATION METHOD AND COLOR FILM SUBSTRATE

      
Numéro d'application CN2019100324
Numéro de publication 2020/228156
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-08-13
Date de publication 2020-11-19
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Li, Fei

Abrégé

A color film substrate preparation method and a color film substrate, wherein the color film substrate preparation method comprises: forming a patterned photoresist layer (12) on a base substrate (11), wherein the photoresist layer (12) comprises a first groove body (121) and a second groove body (122); the first groove body (121) and the second groove body (122) both expose the base substrate (11); roughening the base substrate (11) to roughen the bottom surfaces of the first groove body (121) and the second groove body (122); forming a black matrix layer (13) on the base substrate (11), wherein the black matrix layer (13) is arranged in a first rough surface and a second rough surface.

Classes IPC  ?

  • G02F 1/1335 - Association structurelle de cellules avec des dispositifs optiques, p.ex. des polariseurs ou des réflecteurs

90.

FLEXIBLE CIRCUIT BOARD AND DISPLAY APPARATUS

      
Numéro d'application CN2019100684
Numéro de publication 2020/228158
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-08-15
Date de publication 2020-11-19
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Fu, Xiaoli

Abrégé

Disclosed are a flexible circuit board (10) and a display apparatus (100). The flexible circuit board (10) comprises a substrate (1) and a circuit element (2). The substrate (1) comprises a functional area (11) and at least two redundant areas (12) respectively located on two sides of the functional area (11). The circuit element (2) is arranged in the functional area (11) and is used for connecting to signal lines and transmitting signals, and the circuit element (2) comprises a signal input end and a signal output end. The display apparatus (100) comprises a display panel (20), a circuit board (30) and the flexible circuit board (10), the circuit board (30) is electrically connected to an input end of the functional area (11), and the display panel (20) is electrically connected to an output end of the functional area (11). By widening one side of an input end of the flexible circuit board (10), the problem that the peeling of the two sides of the input end under a force directly leads to the circuit breaking of corner lines on the flexible circuit board (10) is prevented. Furthermore, the propagation of cracks in the redundant areas (12) can be blocked by providing through holes (121), so that the integrity of the corner lines of the flexible circuit board (10) can be protected, and normal picture display by an open cell can be ensured.

Classes IPC  ?

  • H05K 1/02 - Circuits imprimés - Détails
  • G09F 9/00 - Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels

91.

DISPLAY PANEL

      
Numéro d'application CN2019101562
Numéro de publication 2020/228165
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-08-20
Date de publication 2020-11-19
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Li, Xiaohua

Abrégé

A display panel (100), comprising an array substrate (110), a color filter substrate (120) and a GOA circuit (130). The color filter substrate (120) is arranged opposite the array substrate (110). The GOA circuit (130) is provided at the periphery of the array substrate (110). The GOA circuit (130) comprises a first GOA wiring (132) and a second GOA wiring (134). The first GOA wiring (132) and the second GOA wiring (134) are perpendicular to each other, so that the overall temperature of the GOA circuit (130) can be reduced, and the temperature distribution of the GOA circuit (130) is uniform, thereby improving the display quality of the display panel (100).

Classes IPC  ?

  • G02F 1/1345 - Conducteurs connectant les électrodes aux bornes de la cellule

92.

BLACK MATRIX, PREPARATION METHOD THEREOF, AND DISPLAY PANEL

      
Numéro d'application CN2019102517
Numéro de publication 2020/228176
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-08-26
Date de publication 2020-11-19
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s)
  • Zhang, Xia
  • Shao, Yuan

Abrégé

A black matrix, a preparation method thereof, and a display panel. The black matrix is prepared using a resin composition. The resin composition comprises a spiropyran derivative, a binding resin, a photoinitiator, a polymerizable monomer, a light-blocking material, an addictive, and a solvent, the molecular structural formula of the spiropyran derivative being: (I), wherein R is -CnH2n+1, -CmH2mOH, -Ar, or -Ar-CHO, n has a value from 1 to 20, and m has a value from 1 to 3.

Classes IPC  ?

  • G03F 7/004 - Matériaux photosensibles
  • G02F 1/1335 - Association structurelle de cellules avec des dispositifs optiques, p.ex. des polariseurs ou des réflecteurs
  • C07D 209/00 - Composés hétérocycliques contenant des cycles à cinq chaînons condensés avec d'autres cycles, ne comportant qu'un atome d'azote comme unique hétéro-atome du cycle
  • G03F 7/027 - Composés photopolymérisables non macromoléculaires contenant des doubles liaisons carbone-carbone, p.ex. composés éthyléniques

93.

ARRAY SUBSTRATE AND PREPARATION METHOD FOR ARRAY SUBSTRATE

      
Numéro d'application CN2019102976
Numéro de publication 2020/228180
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-08-28
Date de publication 2020-11-19
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Luo, Chuanbao

Abrégé

An array substrate and an array substrate preparation method. The array substrate comprises a thin film transistor, the thin film transistor comprising a gate electrode (20), an active layer (40), a gate insulation layer (30), a source electrode (50), and a drain electrode (60). The active layer (40) comprises, sequentially stacked, a first active layer (401) and a second active layer (402), the first active layer (401) and the second active layer (402) being of different materials, thus improving on-state electric current in the thin film transistor.

Classes IPC  ?

94.

GOA CIRCUIT AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY

      
Numéro d'application CN2019104099
Numéro de publication 2020/228188
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-09-03
Date de publication 2020-11-19
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Chen, Shuai

Abrégé

Disclosed are a GOA circuit and a liquid crystal display. The GOA circuit comprises 2N GOA units. The Nth-stage GOA unit and the (N+1)th-stage GOA unit among the 2N GOA units share the same pull-down holding circuit, and N is a positive integer. Sharing one pull-down holding circuit reduces the number of circuits in the GOA circuit, thereby saving the space occupied by the GOA circuit in a liquid crystal display, and improves the use efficiency of the a TFT device in the circuit, thereby facilitating narrow bezel design of the liquid crystal display.

Classes IPC  ?

  • G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides

95.

QUANTUM DOT LIQUID CRYSTAL DISPLAY

      
Numéro d'application CN2019106160
Numéro de publication 2020/228210
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-09-17
Date de publication 2020-11-19
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s)
  • Zhou, Miao
  • Chen, Lixuan

Abrégé

A quantum dot liquid crystal display, comprising a liquid crystal display panel (10) and a backlight module (20). The liquid crystal display panel (10) comprises a first quantum dot film layer (11), and the backlight module (20) comprises a second quantum dot film layer (22); the relation between the film thickness y of the second quantum dot film layer (22) and the film thickness x of the first quantum dot film layer (11) is: y=0.264/T2*x2-0.9312x+T1.

Classes IPC  ?

  • G02F 1/1335 - Association structurelle de cellules avec des dispositifs optiques, p.ex. des polariseurs ou des réflecteurs
  • G02F 1/13357 - Dispositifs d'éclairage

96.

Metal oxide TFT, manufacturing method thereof, and display device

      
Numéro d'application 16076276
Numéro de brevet 10950716
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-07-10
Date de la première publication 2020-11-12
Date d'octroi 2021-03-16
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s)
  • Lin, Qinzun
  • Huang, Guihua

Abrégé

The present invention teaches a method of manufacturing a metal oxide thin film transistor (TFT) that includes the following steps: forming a shielding layer, a metal oxide semiconductor layer, a gate electrode, and a first photoresist pattern layer stacked on a substrate; forming a second photoresist layer on the metal oxide semiconductor layer and the first photoresist pattern layer; conducting ashing process to the second photoresist layer and the first photoresist pattern layer, and lifting the second photoresist layer and first photoresist pattern layer after they are ashing-processed; forming a first insulation layer on the metal oxide semiconductor layer and the gate electrode; and forming independent source electrode and drain electrode on the first insulation layer. The present invention deposits the second photoresist layer on the first photoresist pattern layer hardened by the conductorization process, so that they may be easily lifted after the ashing process.

Classes IPC  ?

  • H01L 33/08 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une pluralité de régions électroluminescentes, p.ex. couche électroluminescente discontinue latéralement ou région photoluminescente intégrée au sein du corps semi-conducteur
  • H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
  • H01L 29/786 - Transistors à couche mince
  • H01L 21/44 - Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes
  • H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
  • H01L 29/40 - Electrodes

97.

DISPLAY PANEL AND DISPLAY DEVICE

      
Numéro d'application CN2019095237
Numéro de publication 2020/224045
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-07-09
Date de publication 2020-11-12
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s)
  • Huang, Gu
  • Chen, Yongquan

Abrégé

The present application provides a display panel and a display device. The display panel comprises a first substrate disposed in the light emission direction of a second substrate. A light diffusion component is provided on the first substrate, such that light becomes scattered after passing through the first substrate, thereby increasing the transmission angle of light and the viewing angle of the display panel. The invention thus resolves the technical issue of narrow viewing angles for existing liquid crystal display panels.

Classes IPC  ?

  • G02F 1/1335 - Association structurelle de cellules avec des dispositifs optiques, p.ex. des polariseurs ou des réflecteurs
  • G02F 1/13 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des cristaux liquides, p.ex. cellules d'affichage individuelles à cristaux liquides

98.

TRANSFLECTIVE LIQUID CRYSTAL DISPLAY PANEL AND TRANSFLECTIVE LIQUID CRYSTAL DISPLAY APPARATUS

      
Numéro d'application CN2019102152
Numéro de publication 2020/224094
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-08-23
Date de publication 2020-11-12
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s)
  • Tian, Xinbin
  • Xu, Xiangyang

Abrégé

Provided are a transflective liquid crystal display panel and a transflective liquid crystal display apparatus. The transflective liquid crystal display panel of the present invention comprises a TFT array substrate and a color filter substrate arranged opposite each other, and a transparent material film provided on one side, close to the color filter substrate, of the TFT array substrate, wherein the TFT array substrate comprises a plurality of pixels arranged in an array; each of the pixels comprises a transmission region and a reflection region adjacent to the transmission region; and the thickness of portions, corresponding to the reflection regions of the plurality of pixels, of the transparent material film is less than the thickness of portions thereof corresponding to the transmission regions of the plurality of pixels, such that the thickness of portions, corresponding to the reflection regions of the plurality of pixels, of a liquid crystal layer is greater than the thickness of portions thereof corresponding to the transmission regions of the plurality of pixels, and therefore, the brightness of a backlight source of the liquid crystal display apparatus can be reduced, the reflection regions can be used for reflecting ambient light for normal display, the power consumption can be reduced, and the product quality is relatively high.

Classes IPC  ?

  • G02F 1/1335 - Association structurelle de cellules avec des dispositifs optiques, p.ex. des polariseurs ou des réflecteurs
  • G02F 1/1343 - Electrodes
  • G02F 1/1337 - Orientation des molécules des cristaux liquides induite par les caractéristiques de surface, p.ex. par des couches d'alignement

99.

PHOTORESIST

      
Numéro d'application CN2019102512
Numéro de publication 2020/224103
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-08-26
Date de publication 2020-11-12
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s)
  • Rao, Sudi
  • Chen, Hsiaohsien

Abrégé

A photoresist, comprising resin, a photoinitiator, a polymer monomer, a solvent and photoreactive particles, wherein the photoinitiator generates free radicals under light irradiation, and is used to initiate a photocrosslinking curing reaction of the polymer monomer to form a high polymer; and the photoreactive particles selectively absorb light according to wavelengths of light and release antioxidants, and are used to capture the free radicals generated by the photoinitiator under light irradiation, thereby reducing the degree of reaction of the polymer monomer, and further achieving a function of controlling the degree of reaction of a photoresist film layer at different depths. During the exposure process, the degree of reaction of the entire photoresist film layer is uniform and consistent, and problems such as steep taper and unequal film surfaces formed due to differences in the reaction of photoresist surface and bottom layers during the photolithography process are solved.

Classes IPC  ?

  • G03F 7/004 - Matériaux photosensibles
  • G03F 7/027 - Composés photopolymérisables non macromoléculaires contenant des doubles liaisons carbone-carbone, p.ex. composés éthyléniques

100.

THIN-FILM TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

      
Numéro d'application CN2019088513
Numéro de publication 2020/224013
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-05-27
Date de publication 2020-11-12
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Tan, Zhiwei

Abrégé

Disclosed are a thin-film transistor and a manufacturing method therefor. The manufacturing method comprises forming a gate electrode layer, an insulating layer, an amorphous silicon layer, a metal layer, a copper conductor layer and a photoresist layer on a base substrate. Before the manufacturing of an active layer, dry etching is carried out on the photoresist layer to form a channel with the copper conductor layer at the bottom, and at the same time, an edge of the photoresist layer is cut so as to align with an edge of the metal layer to prevent the photoresist layer from hindering the etching of the active layer by means of etching gas, thus improving the aperture ratio and the yield of the thin-film transistor. An oxidation protection layer is formed at the channel to prevent the copper conductor layer from reacting with the etching gas to form a compound, such that a clean channel can be subsequently obtained, improving the yield of the thin-film transistor.

Classes IPC  ?

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