A device may include a fluid region. A device may also include a magnetochemical sensor for detecting magnetic particles in the fluid region, wherein the magnetochemical sensor comprises: a first ferromagnetic layer, a second ferromagnetic layer, and a spacer layer situated between and coupled to the first ferromagnetic layer and the second ferromagnetic layer. A device may further include a current-carrying structure for drawing the magnetic particles in the fluid region toward the magnetochemical sensor, wherein: the current-carrying structure consists of a single, undivided structure, and the current-carrying structure is configured to carry a current in at least one direction that is substantially parallel to an in-plane axis or a longitudinal axis of the magnetochemical sensor. The magnetochemical sensor may be one of a plurality of magnetochemical sensors in a sensor array.
A multi-actuator hard disk drive includes a lower actuator with a corresponding voice coil motor assembly (VCMA), a coaxial upper actuator with a corresponding VCMA, and a central support plate positioned between the upper and lower VCMAs and to which the upper VCMA is fastened. Use of a central support plate enables some control over the direct and coupled plant transfer functions, while effectively providing a base support structure for the upper VCMA and enabling use of conventionally-sized fasteners.
G11B 5/55 - Changement, sélection ou acquisition de la piste par déplacement de la tête
G11B 33/02 - ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION BASÉ SUR UN MOUVEMENT RELATIF ENTRE LE SUPPORT D'ENREGISTREMENT ET LE TRANSDUCTEUR - Éléments de structure, détails ou accessoires non prévus dans les autres groupes de la présente sous-classe Ébénisterie; Boîtiers; Bâtis; Disposition des appareils dans ou sur ceux-ci
3.
DC AND SYNCHRONIZED ENERGY ASSISTED PERPENDICULAR MAGNETIC RECORDING (EPMR) DRIVER CIRCUIT FOR HARD DISK DRIVE (HDD)
Various illustrative aspects are directed to a data storage device comprising a storage medium and a head configured to access the storage medium. The head comprises a first write assist element and a second write assist element. Control circuitry for driving the head is configured to apply a first write assist current Im that is synchronized to a write data current Iw to the first write assist element; and to apply a second DC write assist current Imdc to the second write assist element.
A flexible printed circuit (FPC) for a hard disk drive includes a plurality of electrical traces, whereby aggressor traces are isolated from victim traces to avoid crosstalk that could degrade signals. Aggressor traces may be positioned together at one of the edges of each of the top wiring layer and the bottom wiring layer, physically isolated from victim traces. Aggressor traces may be grouped together at either the top wiring layer or the bottom wiring layer, with the victim traces positioned on the layer opposing the aggressor traces. With aggressor and victim traces routed on the same wiring layer, aggressor traces may be routed away from the victim traces with multi-layer routing, by way of vias.
A data storage device and method for host buffer management are provided. In one embodiment, a data storage device is provided comprising a non-volatile memory and a controller. The controller is configured to receive a read command from a host; read data from the non-volatile memory; identify a location in a host memory buffer (HMB) in the host that is available to store the data; write the data to the location in the HMB; and inform the host of the location in the HMB that stores the data. Other embodiments are possible, and each of the embodiments can be used alone or together in combination.
The present invention provides a coal-based solid waste transport and filling integrated machine mining system, comprising a filling hydraulic support (6) and a coal winning machine (7), said filling hydraulic support (6) comprises a hydraulic top plate and a base (601), said hydraulic top plate comprises a hinged front top beam (602) and a rear top beam (603), with a front probe beam (604) attached to front end of said front top beam (602) and a telescopic slide rod (1) connected to rear end of said rear top beam (603), a double transport and single filling non-stop equipment is fixed on the telescopic slide rod (1). The apparatus and method of the present invention weaken the impact of groundwater pollution on mine production and mine ecology, bring good economic and environmental benefits to the mine and promoting safe and green coal mining.
E21D 23/04 - Caractéristiques structurelles de la construction de soutènements, p.ex. organes de liaison entre châssis adjacents ou séries d'étançons; Moyens pour empêcher un glissement latéral sur un sol incliné
E21F 15/00 - Procédés ou dispositifs pour mettre en place les matériaux de remblayage dans les travaux du fond
E21F 13/00 - Transport spécialement adapté aux conditions du fond
C04B 28/14 - Compositions pour mortiers, béton ou pierre artificielle, contenant des liants inorganiques ou contenant le produit de réaction d'un liant inorganique et d'un liant organique, p.ex. contenant des ciments de polycarboxylates contenant des ciments de sulfate de calcium
C04B 18/14 - Déchets; Résidus provenant de procédés métallurgiques
C04B 18/24 - Déchets de végétaux, p.ex. balle de riz, rafles de maïs; Matières cellulosiques, p.ex. papier
7.
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE INCLUDING DISCRETE CHARGE STORAGE ELEMENTS WITH LATERALLY-PROTRUDING PROFILES AND METHODS OF MAKING THEREOF
A three-dimensional memory device includes an alternating stack of insulating layers and electrically conductive layers located over a substrate, memory openings vertically extending through the alternating stack and having lateral protrusions at levels of the electrically conductive layers, and memory opening fill structures located in the memory openings. Each of the memory opening fill structures includes a vertical semiconductor channel, a dielectric material liner laterally surrounding the vertical semiconductor channel, and a vertical stack of discrete memory elements laterally surrounding the dielectric material liner and located within volumes of the lateral protrusions. Each discrete memory element includes a vertical inner sidewall and a convex or stepped outer sidewall.
H01L 27/11582 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec isolateurs de grille à piégeage de charge, p.ex. MNOS ou NROM caractérisées par des agencements tridimensionnels, p.ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p.ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p.ex. canaux en forme de U
H01L 27/11556 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec grilles flottantes caractérisées par des agencements tridimensionnels, p.ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p.ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p.ex. des canaux en forme de U
H01L 27/11519 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec grilles flottantes caractérisées par la configuration vue du dessus
H01L 27/11524 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec grilles flottantes caractérisées par la région noyau de mémoire avec transistors de sélection de cellules, p.ex. NON-ET
H01L 27/1157 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec isolateurs de grille à piégeage de charge, p.ex. MNOS ou NROM caractérisées par la région noyau de mémoire avec transistors de sélection de cellules, p.ex. NON-ET
H01L 27/11565 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec isolateurs de grille à piégeage de charge, p.ex. MNOS ou NROM caractérisées par la configuration vue du dessus
8.
METHOD OF MAKING A THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE USING COMPOSITE HARD MASKS FOR FORMATION OF DEEP VIA OPENINGS
A method of forming a structure includes forming an alternating stack of first material layers and second material layers over a substrate, forming a mask layer over the alternating stack, forming a cavity in the mask layer, forming a first cladding liner on a sidewall of the cavity in the mask layer, and forming a via opening the alternating stack by performing an anisotropic etch process that transfers a pattern of the cavity in the mask layer through the alternating stack using a combination of the first cladding liner and the mask layer as an etch mask.
An alternating stack of first material layers and second material layers is formed over a substrate. A hard mask layer is formed over the alternating stack. Optionally, an additional hard mask layer can be formed over the hard mask layer. A photoresist layer is applied and patterned, and cavities are formed in the hard mask layer by performing a first anisotropic etch process that transfers a pattern of the openings in the photoresist layer through the hard mask layer. Via openings are formed through an upper portion of the alternating stack by performing a second anisotropic etch process. A cladding liner can be optionally formed on sidewalls of the cavities in the hard mask layer. The via openings can be vertically extend through all layers within the alternating stack by performing a third anisotropic etch process.
H01L 27/11582 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec isolateurs de grille à piégeage de charge, p.ex. MNOS ou NROM caractérisées par des agencements tridimensionnels, p.ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p.ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p.ex. canaux en forme de U
H01L 27/11556 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec grilles flottantes caractérisées par des agencements tridimensionnels, p.ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p.ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p.ex. des canaux en forme de U
H01L 27/11565 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec isolateurs de grille à piégeage de charge, p.ex. MNOS ou NROM caractérisées par la configuration vue du dessus
H01L 27/11519 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec grilles flottantes caractérisées par la configuration vue du dessus
10.
METHOD OF MAKING A THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE USING COMPOSITE HARD MASKS FOR FORMATION OF DEEP VIA OPENINGS
An alternating stack of first material layers and second material layers is formed over a substrate. A hard mask layer is formed over the alternating stack and cavities are formed in the hard mask layer. A cladding liner is formed on sidewalls of the cavities in the hard mask layer. Via openings are formed through each layer within the alternating stack by performing an anisotropic etch process that transfers a pattern of the cavities through the alternating stack.
H01L 27/11582 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec isolateurs de grille à piégeage de charge, p.ex. MNOS ou NROM caractérisées par des agencements tridimensionnels, p.ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p.ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p.ex. canaux en forme de U
H01L 27/11556 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec grilles flottantes caractérisées par des agencements tridimensionnels, p.ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p.ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p.ex. des canaux en forme de U
11.
METHOD OF MAKING A THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE USING COMPOSITE HARD MASKS FOR FORMATION OF DEEP VIA OPENINGS
A method includes forming an alternating stack of first and second layers, forming a composite hard mask layer over the alternating stack, forming openings in the hard mask, and forming via openings through the alternating stack by performing an anisotropic etch process that transfers a pattern of the openings in the composite hard mask layer through the alternating stack. The compositing hard mask includes a first cladding material layer which has higher etch resistance than upper and lower patterning films of the composite hard mask.
H01L 27/1157 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec isolateurs de grille à piégeage de charge, p.ex. MNOS ou NROM caractérisées par la région noyau de mémoire avec transistors de sélection de cellules, p.ex. NON-ET
H01L 27/11565 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec isolateurs de grille à piégeage de charge, p.ex. MNOS ou NROM caractérisées par la configuration vue du dessus
H01L 27/11524 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec grilles flottantes caractérisées par la région noyau de mémoire avec transistors de sélection de cellules, p.ex. NON-ET
H01L 27/11519 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec grilles flottantes caractérisées par la configuration vue du dessus
12.
METHOD OF MAKING A THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE USING COMPOSITE HARD MASKS FOR FORMATION OF DEEP VIA OPENINGS
An alternating stack of first material layers and second material layers can be formed over a semiconductor material layer. A patterning film is formed over the alternating stack, and openings are formed through the patterning film. Via openings are formed through the alternating stack at least to a top surface of the semiconductor material layer by performing a first anisotropic etch process that transfers a pattern of the openings in the patterning film. A cladding liner can be formed on a top surface of the patterning film and sidewalls of the openings in the pattering film. The via openings can be vertically extended through the semiconductor material layer at least to a bottom surface of the semiconductor material layer by performing a second anisotropic etch process employing the cladding liner as an etch mask.
H01L 23/535 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions internes, p.ex. structures d'interconnexions enterrées
H01L 27/11556 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec grilles flottantes caractérisées par des agencements tridimensionnels, p.ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p.ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p.ex. des canaux en forme de U
H01L 27/11529 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec grilles flottantes caractérisées par la région de circuit périphérique de régions de mémoire comprenant des transistors de sélection de cellules, p.ex. NON-ET
H01L 27/11582 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec isolateurs de grille à piégeage de charge, p.ex. MNOS ou NROM caractérisées par des agencements tridimensionnels, p.ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p.ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p.ex. canaux en forme de U
H01L 27/11573 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec isolateurs de grille à piégeage de charge, p.ex. MNOS ou NROM caractérisées par la région de circuit périphérique
H01L 27/11597 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs les électrodes de grille comprenant une couche utilisée pour ses propriétés de mémoire ferro-électrique, p.ex. semi-conducteur métal-ferro-électrique [MFS] ou semi-conducteur d’isolation métal-ferro-électrique-métal [MFMIS] caractérisées par des agencements tridimensionnels, p.ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur
H01L 27/11592 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs les électrodes de grille comprenant une couche utilisée pour ses propriétés de mémoire ferro-électrique, p.ex. semi-conducteur métal-ferro-électrique [MFS] ou semi-conducteur d’isolation métal-ferro-électrique-métal [MFMIS] caractérisées par la région de circuit périphérique
H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
13.
METHOD OF MAKING A THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE USING COMPOSITE HARD MASKS FOR FORMATION OF DEEP VIA OPENINGS
A source-level semiconductor layer and an alternating stack of first material layers and second material layers is formed above a substrate. A hard mask layer is formed over the alternating stack, and is subsequently patterned to provide a pattern of cavities therethrough. Via openings are formed through the alternating stack by performing an anisotropic etch process. A cladding liner is formed on sidewalls of the cavities in the hard mask layer and on a top surface of the hard mask layer. The via openings are vertically extended at least through the source-level semiconductor layer by performing a second anisotropic etch process employing a combination of the cladding liner and the hard mask layer as an etch mask.
A memory card socket interconnector is disclosed including a pair of cavities configured to receive a pair of memory cards. The cavities include patterns of memory card interconnect pads. A second surface of the socket interconnector includes socket interconnect pads, distributed across the second surface of the socket interconnector, which are electrically coupled to the memory card interconnect pads. The memory card socket interconnector may further include an anisotropic elastomeric sheet provided between the memory card pads and the memory card interconnect pads in each cavity to enable good electrical contact between the memory card pads and the memory card interconnect pads.
A data storage device includes a controller and a memory die. The controller includes a host interface and a memory interface. A method includes receiving a message from a host device via the host interface. The message indicates that the host device is to perform a first adjustment process associated with the host interface. The method further includes performing a second adjustment process associated with the memory interface in response to receiving the message indicating that the host device is to perform the first adjustment process.
G06F 1/12 - Synchronisation des différents signaux d'horloge
G06F 1/04 - Génération ou distribution de signaux d'horloge ou de signaux dérivés directement de ceux-ci
G06F 13/16 - Gestion de demandes d'interconnexion ou de transfert pour l'accès au bus de mémoire
G06F 13/42 - Protocole de transfert pour bus, p.ex. liaison; Synchronisation
H03M 13/05 - Détection d'erreurs ou correction d'erreurs transmises par redondance dans la représentation des données, c.à d. mots de code contenant plus de chiffres que les mots source utilisant un codage par blocs, c.à d. un nombre prédéterminé de bits de contrôle ajouté à un nombre prédéterminé de bits d'information
G11C 29/02 - Détection ou localisation de circuits auxiliaires défectueux, p.ex. compteurs de rafraîchissement défectueux
A base member includes a recessed portion extending in radial directions and recessed upward from a lower surface of the base member and a hole extending through the recessed portion in the vertical direction. The recessed portion includes a recessed portion loop-shaped surface defining a loop-shaped surface in the radial direction. A connector is located on a lower side of the recessed portion to cover the hole portion. An adhesive is located between the connector and the recessed portion. A minimum value of a gap distance in the radial direction between an outer end of the connector and an inner end of the recessed portion in which the outer end of the connector and the inner end of the recessed portion are opposed to each other with the adhesive therebetween is greater than a minimum value of a gap in the vertical direction distance between an upper surface of the connector and the recessed portion loop-shaped surface, in which the upper surface of the connector and the recessed portion loop-shaped surface are opposed to each other with the adhesive therebetween. The adhesive includes an inorganic filler.
G11B 33/12 - Disposition des éléments de structure dans les appareils, p.ex. d'alimentation, des modules
G11B 33/14 - Diminution de l'influence des paramètres physiques, p.ex. changements de température, humidité, poussière
G11B 25/04 - Appareils caractérisés par la forme du support d'enregistrement employé mais non spécifiques du procédé d'enregistrement ou de reproduction utilisant des supports d'enregistrement plats, p.ex. disques, cartes
G11B 33/02 - ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION BASÉ SUR UN MOUVEMENT RELATIF ENTRE LE SUPPORT D'ENREGISTREMENT ET LE TRANSDUCTEUR - Éléments de structure, détails ou accessoires non prévus dans les autres groupes de la présente sous-classe Ébénisterie; Boîtiers; Bâtis; Disposition des appareils dans ou sur ceux-ci
A base member includes a recessed portion arranged to extend in radial directions and recessed upward from a lower surface of the base member, the radial directions being directions perpendicular to a vertical direction or directions parallel to these directions; and a hole portion arranged to pass through the recessed portion in the vertical direction. The recessed portion includes a recessed portion loop-shaped surface being a loop-shaped surface perpendicular to the vertical direction. A connector is arranged on a lower side of the recessed portion to cover the hole portion. An adhesive is arranged between the connector and the recessed portion. A minimum value of a gap distance between an outer end of the connector and an inner end of the recessed portion in a radial direction in which the outer end of the connector and the inner end of the recessed portion are opposed to each other with the adhesive therebetween is greater than a minimum value of a gap distance between an upper surface of the connector and the recessed portion loop-shaped surface in the vertical direction, in which the upper surface of the connector and the recessed portion loop-shaped surface are opposed to each other with the adhesive therebetween.
G11B 33/14 - Diminution de l'influence des paramètres physiques, p.ex. changements de température, humidité, poussière
G11B 25/04 - Appareils caractérisés par la forme du support d'enregistrement employé mais non spécifiques du procédé d'enregistrement ou de reproduction utilisant des supports d'enregistrement plats, p.ex. disques, cartes
G11B 33/02 - ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION BASÉ SUR UN MOUVEMENT RELATIF ENTRE LE SUPPORT D'ENREGISTREMENT ET LE TRANSDUCTEUR - Éléments de structure, détails ou accessoires non prévus dans les autres groupes de la présente sous-classe Ébénisterie; Boîtiers; Bâtis; Disposition des appareils dans ou sur ceux-ci
G11B 33/12 - Disposition des éléments de structure dans les appareils, p.ex. d'alimentation, des modules
18.
Memory die temperature adjustment based on aging condition
A device includes a memory device and a controller. The controller is coupled to the memory device. The controller is configured to, in response to receiving a request to perform a memory access at the memory device, determine that the memory device has a characteristic indicative of a temperature crossing. The controller is also configured to, in response to the determination, increase a temperature of the memory device by performing memory operations on the memory device until detecting a condition related to the temperature.
G11C 7/04 - Dispositions pour écrire une information ou pour lire une information dans une mémoire numérique avec des moyens d'éviter les effets perturbateurs thermiques
G06F 3/06 - Entrée numérique à partir de, ou sortie numérique vers des supports d'enregistrement
G11C 16/26 - Circuits de détection ou de lecture; Circuits de sortie de données
G11C 16/34 - Détermination de l'état de programmation, p.ex. de la tension de seuil, de la surprogrammation ou de la sousprogrammation, de la rétention
19.
Systems and methods for applying electric fields during ultraviolet exposure of lubricant layers for hard disk media
Systems and methods for applying electric fields during ultraviolet exposure of lubricant layers for hard disk media. One such method involves inserting a magnetic medium into a chamber, the magnetic medium including a lubricant on an outer surface thereof, and applying an electric field and an ultraviolet radiation to the lubricant within the chamber. Another such method involves inserting a magnetic medium into a chamber, depositing a lubricant on the medium within the chamber, and applying an electric field and an ultraviolet radiation to the lubricant within the chamber.
G11B 5/40 - Moyens de protection des têtes, p.ex. contre une température excessive
C23C 16/00 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
C23C 16/458 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour supporter les substrats dans la chambre de réaction
A base member includes a recessed portion arranged to extend in radial directions and recessed upward from a lower surface of the base member, the radial directions being directions perpendicular to a vertical direction; and a hole portion arranged to pass through the recessed portion in the vertical direction. The recessed portion includes a recessed portion loop-shaped surface being a loop-shaped surface perpendicular to the vertical direction. A connector is arranged on a lower side of the recessed portion to cover the hole portion. An adhesive is arranged between the connector and the recessed portion. A minimum value of a gap distance between an outer end of the connector and an inner end of the recessed portion in a radial direction in which the outer end of the connector and the inner end of the recessed portion are opposed to each other with the adhesive therebetween is greater than a minimum value of a gap distance between an upper surface of the connector and the recessed portion loop-shaped surface in the vertical direction, in which the upper surface of the connector and the recessed portion loop-shaped surface are opposed to each other with the adhesive therebetween.
G11B 33/14 - Diminution de l'influence des paramètres physiques, p.ex. changements de température, humidité, poussière
G11B 33/02 - ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION BASÉ SUR UN MOUVEMENT RELATIF ENTRE LE SUPPORT D'ENREGISTREMENT ET LE TRANSDUCTEUR - Éléments de structure, détails ou accessoires non prévus dans les autres groupes de la présente sous-classe Ébénisterie; Boîtiers; Bâtis; Disposition des appareils dans ou sur ceux-ci
G11B 33/12 - Disposition des éléments de structure dans les appareils, p.ex. d'alimentation, des modules
G11B 25/04 - Appareils caractérisés par la forme du support d'enregistrement employé mais non spécifiques du procédé d'enregistrement ou de reproduction utilisant des supports d'enregistrement plats, p.ex. disques, cartes
A base member includes a recessed portion arranged to extend in radial directions and recessed upward from a lower surface of the base member, the radial directions being directions perpendicular to a vertical direction or directions parallel to these directions; and a hole portion arranged to pass through the recessed portion in the vertical direction. The recessed portion includes a recessed portion loop-shaped surface being a loop-shaped surface perpendicular to the vertical direction. A connector is arranged on a lower side of the recessed portion to cover the hole portion. An adhesive is arranged between the connector and the recessed portion. A minimum value of a gap distance between an outer end of the connector and an inner end of the recessed portion in a radial direction in which the outer end of the connector and the inner end of the recessed portion are opposed to each other with the adhesive therebetween is greater than a minimum value of a gap distance between an upper surface of the connector and the recessed portion loop-shaped surface in the vertical direction, in which the upper surface of the connector and the recessed portion loop-shaped surface are opposed to each other with the adhesive therebetween.
G11B 33/14 - Diminution de l'influence des paramètres physiques, p.ex. changements de température, humidité, poussière
G11B 33/02 - ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION BASÉ SUR UN MOUVEMENT RELATIF ENTRE LE SUPPORT D'ENREGISTREMENT ET LE TRANSDUCTEUR - Éléments de structure, détails ou accessoires non prévus dans les autres groupes de la présente sous-classe Ébénisterie; Boîtiers; Bâtis; Disposition des appareils dans ou sur ceux-ci
G11B 33/12 - Disposition des éléments de structure dans les appareils, p.ex. d'alimentation, des modules
G11B 25/04 - Appareils caractérisés par la forme du support d'enregistrement employé mais non spécifiques du procédé d'enregistrement ou de reproduction utilisant des supports d'enregistrement plats, p.ex. disques, cartes
22.
Device and method to store predicted data at a host memory
A data storage device may be configured to direct access to at least a portion of a host memory of a host device. For example, the data storage device may store data at the host memory, such as data predicted to be subject to a read request from the host device. When the data storage device receives a read request from the host device to read the data, the data storage device may send an indication to the host device to enable the host device to read the data directly from the host memory.
A method of operation in a non-volatile memory system for deferring, in accordance with a determination to reduce power consumption by the non-volatile memory system, execution of commands in a command queue corresponding to a distinct set of non-volatile memory devices during a respective wait period. In some implementations, the respective wait period for a first distinct set of non-volatile memory devices in at least two distinct sets is at least partially non-overlapping with the respective wait period for a second distinct set of non-volatile memory devices in the at least two distinct sets.
Provided is a wireless power transmission apparatus for wirelessly transmitting the power to portable electronic appliances using power or batteries charging power and supplying operation power to the portable electronic appliances. The wireless power transmission apparatus includes first and second source resonators, which are included inside a plurality of resonator bodies and which generates and wirelessly transmits the resonant power to a target resonator. The resonator bodies are formed to be folded to each other on an axis of a hinge.
H02J 17/00 - Systèmes pour l'alimentation ou la distribution d'énergie par ondes électromagnétiques
H02J 5/00 - Circuits pour le transfert d'énergie électrique entre réseaux à courant alternatif et réseaux à courant continu
H02J 7/02 - Circuits pour la charge ou la dépolarisation des batteries ou pour alimenter des charges par des batteries pour la charge des batteries par réseaux à courant alternatif au moyen de convertisseurs
H02J 7/00 - Circuits pour la charge ou la dépolarisation des batteries ou pour alimenter des charges par des batteries
25.
Methods and apparatus for performing resilient firmware upgrades to a functioning memory
This invention relates generally to methods and computer readable media for upgrading firmware stored in a non-volatile memory, in phases, and restoring firmware in-situ to compensate for failed firmware upgrades. In various embodiments, methods and computer readable media can upgrade and restore the firmware as the non-volatile memory remains functioning. In one embodiment, a method includes designating a first copy of firmware for accessing, and designating a second copy of the firmware for upgrading. The method continues by accessing one or more firmware instructions from the first copy. It also can include upgrading at least a portion of the second copy with at least a portion of new firmware. Upgrading the second copy can be coincident or substantially coincident to accessing the one or more firmware instructions in the first copy.
Provided is a method in which data is received at the first storage unit. A first information unit, a second information unit, and a third information unit are generated, wherein the first information unit, the second information unit, and the third information unit each include a portion of the received data and computed parity data. The first information unit is stored in the first storage unit at the first site. The second information unit is distributed to the second storage unit at the second site for storage. The third information unit is distributed to the third storage unit at the third site for storage.
G06F 11/00 - Détection d'erreurs; Correction d'erreurs; Contrôle de fonctionnement
G06F 11/10 - Détection ou correction d'erreur par introduction de redondance dans la représentation des données, p.ex. en utilisant des codes de contrôle en ajoutant des chiffres binaires ou des symboles particuliers aux données exprimées suivant un code, p.ex. contrôle de parité, exclusion des 9 ou des 11
brevets
