Toshiba Corporation

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Toshiba TEC Corporation 1 391
Toshiba Digital Solutions Corporation 310
Toshiba Materials Co., Ltd. 211
Toshiba Lighting & Technology Corporation 61
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Date
Nouveautés (dernières 4 semaines) 40
2024 juin (MACJ) 27
2024 mai 36
2024 avril 43
2024 mars 190
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Classe IPC
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée 493
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs 428
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices 367
G03G 15/00 - Appareils pour procédés électrographiques utilisant un dessin de charge 314
H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter 304
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Statut
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1.

MANUFACTURING METHOD FOR SOLAR CELL, MULTI-JUNCTION SOLAR CELL, SOLAR CELL MODULE, AND PHOTOVOLTAIC POWER GENERATION SYSTEM

      
Numéro d'application 18581588
Statut En instance
Date de dépôt 2024-02-20
Date de la première publication 2024-06-13
Propriétaire
  • KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
  • TOSHIBA ENERGY SYSTEMS & SOLUTIONS CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Honishi, Yuya
  • Shibasaki, Soichiro
  • Nakagawa, Naoyuki
  • Mizuno, Yukitami
  • Yamazaki, Mutsuki
  • Nishida, Yasutaka
  • Yamamoto, Kazushige
  • Asakura, Taro

Abrégé

A method for manufacturing a solar cell comprising forming a p-electrode on the substrate, forming a film containing cuprous oxide and/or a complex oxide of cuprous oxides as a main component on the p-electrode, and oxidizing the film containing the cuprous oxide and/or the complex oxide of cuprous oxides as a main component. A partial pressure of oxide of the oxidizing is 100 [Pa] or more and less than 5000 [Pa]. A temperature of the oxidizing is 100 [degrees Celsius] or more and 300 [degrees Celsius] or less. A duration time of the oxidizing is 1 [sec] or more and 90 [min] or less.

Classes IPC  ?

  • H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
  • H01L 31/032 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés non couverts par les groupes
  • H01L 31/072 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction

2.

INFORMATION PROCESSING DEVICE, INFORMATION PROCESSING METHOD, COMPUTER PROGRAM PRODUCT, AND INFORMATION PROCESSING SYSTEM

      
Numéro d'application 18456590
Statut En instance
Date de dépôt 2023-08-28
Date de la première publication 2024-06-13
Propriétaire KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
Inventeur(s)
  • Yamamoto, Takahiro
  • Maruchi, Kohei
  • Hatano, Hisaaki

Abrégé

According to an embodiment, an information processing device includes one or more processors configured to: analyze operation data of a battery and calculate feature information indicating a feature of charging/discharging by the battery; select, in accordance with the feature information, an estimation method among a plurality of estimation methods for estimating a state of the battery from the operation data; and estimate the state from the operation data using the selected estimation method.

Classes IPC  ?

  • H02J 7/00 - Circuits pour la charge ou la dépolarisation des batteries ou pour alimenter des charges par des batteries
  • G01R 31/36 - Dispositions pour le test, la mesure ou la surveillance de l’état électrique d’accumulateurs ou de batteries, p.ex. de la capacité ou de l’état de charge

3.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

      
Numéro d'application 18449895
Statut En instance
Date de dépôt 2023-08-15
Date de la première publication 2024-06-13
Propriétaire
  • KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
  • TOSHIBA ELECTRONIC DEVICES & STORAGE CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Baba, Shotaro
  • Inokuchi, Tomoaki
  • Shimizu, Tatsuo
  • Nishiwaki, Tatsuya

Abrégé

According to one embodiment, a semiconductor device include first to third electrode, a semiconductor member, a first conductive member, and a first insulating member. A second insulating region of the first insulating member includes a first face facing the third partial region of the first semiconductor region. The third insulating region of the first insulating member includes a second face facing the third partial region of the first semiconductor region. The first face includes a first end on a side of the first electrode in the first direction. The second face includes a second end on a side of the second electrode in the first direction. A second position of the second end in the second direction is different from a first position of the first end in the second direction.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/08 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 29/47 - Electrodes à barrière de Schottky
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée

4.

ENCRYPTION DEVICE, KEY GENERATION DEVICE, AND COMPUTER PROGRAM PRODUCT FOR ENCRYPTION

      
Numéro d'application 18459261
Statut En instance
Date de dépôt 2023-08-31
Date de la première publication 2024-06-13
Propriétaire KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
Inventeur(s) Akiyama, Koichiro

Abrégé

According to one embodiment, an encryption device includes a memory and one or more processors. The one or more processors are configured to: acquire, as a public key, an n-variable symmetric indeterminate equation having an element not more than a constant degree of Fp[t] and determined depending on a total degree of each term, and being symmetric for at least two variables; randomly generate an n-variable polynomial having an element not more than a constant degree of Fp[t], randomly generate an n-variable symmetric polynomial having an element not more than a constant degree of Fp[t] and determined depending on a total degree of each term, and being symmetric for at least two variables, and randomly generate a noise polynomial having an element not more than a constant degree of Fp[t]; and generate a ciphertext from the three polynomials and the n-variable symmetric indeterminate equation for the n-variable plaintext polynomial.

Classes IPC  ?

5.

CERAMIC BALL MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CERAMIC BALL USING SAME, AND CERAMIC BALL

      
Numéro d'application 18582824
Statut En instance
Date de dépôt 2024-02-21
Date de la première publication 2024-06-13
Propriétaire
  • KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
  • TOSHIBA MATERIALS CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Funaki, Kai
  • Sato, Hideki

Abrégé

A ceramic ball material according to an embodiment including: a spherical portion; and a band-shaped portion formed over a circumference of a surface of the spherical portion. The ceramic ball material has a ratio Rtb/Rts of 1.0 or more, where Rtb denotes a maximum cross-sectional height of a roughness profile on an outer peripheral surface of the band-shaped portion; and Rts denotes a maximum cross-sectional height of roughness on an outer peripheral surface of the spherical portion.

Classes IPC  ?

6.

MAGNETIC RECORDING DEVICE

      
Numéro d'application 18358850
Statut En instance
Date de dépôt 2023-07-25
Date de la première publication 2024-06-13
Propriétaire
  • KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
  • TOSHIBA ELECTRONIC DEVICES & STORAGE CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Nakagawa, Yuji
  • Narita, Naoyuki
  • Takagishi, Masayuki
  • Maeda, Tomoyuki

Abrégé

According to one embodiment, a magnetic recording device includes a magnetic head and a controller. The magnetic head includes first and second magnetic poles, a magnetic element provided between the first and second magnetic poles, and first and second terminals. The controller is configured to perform a recording operation. In the recording operation, the controller is configured to supply a recording current to the coil while applying an element voltage not less than a first voltage and not more than a second voltage between the first terminal and the second terminal. A differential resistance of the magnetic element when a positive applied voltage applied between the first terminal and the second terminal is changed while the recording current is supplied to the coil becomes a first peak when the applied voltage is the first voltage.

Classes IPC  ?

  • G11B 20/10 - Enregistrement ou reproduction numériques
  • G11B 5/09 - Enregistrement numérique
  • G11B 20/24 - Traitement du signal, non spécifique du procédé d'enregistrement ou de reproduction; Circuits correspondants pour réduire le bruit

7.

INFORMATION PROCESSING DEVICE, INFORMATION PROCESSING METHOD, AND COMPUTER PROGRAM PRODUCT

      
Numéro d'application 18456494
Statut En instance
Date de dépôt 2023-08-27
Date de la première publication 2024-06-13
Propriétaire KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
Inventeur(s)
  • Tatsumura, Kosuke
  • Hamakawa, Yohei
  • Yamasaki, Masaya
  • Hidaka, Ryo

Abrégé

An information processing device according to an embodiment is a device executing processing on data. The device includes a hardware processor. The processor generates a combination optimization problem based on the data under a predetermined constraint condition. The processor solves the generated combination optimization problem while allowing the constraint condition not to be satisfied. The processor calculates a solution to the combination optimization problem obtained by solving the combination optimization problem. The processor generates a constraint violation control signal in a case where the solution does not satisfy the constraint condition. The processor executes first processing on the data. The first processing is predetermined on the basis of the constraint violation control signal. The processor outputs the data on which the first processing has been executed.

Classes IPC  ?

  • G06F 17/11 - Opérations mathématiques complexes pour la résolution d'équations

8.

POWER SUPPLY CIRCUIT

      
Numéro d'application 18584935
Statut En instance
Date de dépôt 2024-02-22
Date de la première publication 2024-06-13
Propriétaire
  • Kabushiki Kaisha Toshiba (Japon)
  • Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (Japon)
Inventeur(s) Teh, Chen Kong

Abrégé

A power supply circuit in an embodiment includes a first transistor controlled to be turned on and off by a control signal supplied to a gate to output an output voltage following a predetermined voltage, a second transistor, one end of a current path of which is connected to an input terminal for supplying a power supply voltage, the second transistor outputting the predetermined voltage according to the control signal, and an amplifier circuit configured to amplify a voltage difference between a reference voltage and the predetermined voltage, and output the voltage difference as the control signal.

Classes IPC  ?

  • H02M 1/32 - Moyens pour protéger les convertisseurs autrement que par mise hors circuit automatique
  • G05F 1/571 - Régulation de la tension ou de l'intensité là où la variable effectivement régulée par le dispositif de réglage final est du type continu utilisant des dispositifs à semi-conducteurs en série avec la charge comme dispositifs de réglage final sensible à une condition du système ou de sa charge en plus des moyens sensibles aux écarts de la sortie du système, p.ex. courant, tension, facteur de puissance à des fins de protection avec détecteur de surtension
  • H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique

9.

MANUFACTURING METHOD FOR SOLAR CELL, MULTI-JUNCTION SOLAR CELL, SOLAR CELL MODULE, AND PHOTOVOLTAIC POWER GENERATION SYSTEM

      
Numéro d'application 18581592
Statut En instance
Date de dépôt 2024-02-20
Date de la première publication 2024-06-13
Propriétaire KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
Inventeur(s)
  • Honishi, Yuya
  • Shibasaki, Soichiro
  • Nakagawa, Naoyuki
  • Mizuno, Yukitami
  • Yamazaki, Mutsuki
  • Nishida, Yasutaka
  • Wada, Atsushi
  • Yoshio, Sara
  • Yamamoto, Kazushige

Abrégé

A method for manufacturing a solar cell according to an embodiment includes forming a p-electrode on the substrate, forming a film containing cuprous oxide and/or a complex oxide of cuprous oxides as a main component on the p-electrode, and oxidizing the film containing the cuprous oxide and/or the complex oxide of cuprous oxides as a main component. A partial pressure of oxide of the oxidizing is 5000 [Pa] or more and 200000 [Pa] or less. A concentration of vapor water of the oxidizing is 9.4×10−1 [g/m3] or more and 2.5×103 [g/m3] or less. A temperature of the oxidizing is 40 [degrees Celsius] or more and 150 [degrees Celsius] or less. A duration time of the oxidizing is 10 [sec] or more and 150 [min] or less.

Classes IPC  ?

  • H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
  • H01L 31/032 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés non couverts par les groupes
  • H01L 31/046 - Modules PV composés d'une pluralité de cellules solaires en couches minces déposées sur un même substrat
  • H02S 10/40 - Systèmes générateurs PV mobiles

10.

SEMICONDUCTOR DRIVE DEVICE AND SEMICONDUCTOR MODULE

      
Numéro d'application 18452810
Statut En instance
Date de dépôt 2023-08-21
Date de la première publication 2024-06-13
Propriétaire
  • KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
  • TOSHIBA ELECTRONIC DEVICES & STORAGE CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Adachi, Kento
  • Sakano, Tatsunori

Abrégé

The semiconductor drive device includes a third turn-off gate resistor that is electrically connected to the third gate electrode of each of the first semiconductor device and the second semiconductor device, and that is inserted into a third turn-off interconnect configured to apply a potential for turning off the third gate electrode. And The semiconductor drive device includes a third turn-off gate resistor that is electrically connected to the third gate electrode of each of the first semiconductor device and the second semiconductor device, and that is inserted into a third turn-off interconnect configured to apply a potential for turning off the third gate electrode. And R CGsoff ≤ Vth ⁢ 3 min ⁡ ( C CGsgc ) ⁢ dv dt ( 1 ) where, in each of the first semiconductor device and the second semiconductor device, a threshold voltage of the third gate electrode being Vth3, a resistance value of the third turn-off gate resistor being RCGsoff, a minimum value of a capacitance between the third gate electrode and the collector electrode in a voltage dependence characteristic being min (CCGsgc), and a time displacement of a voltage at a time of turning on being dv/dt.

Classes IPC  ?

  • H03K 17/567 - Circuits caractérisés par l'utilisation d'au moins deux types de dispositifs à semi-conducteurs, p.ex. BIMOS, dispositifs composites tels que IGBT

11.

PHOTODETECTION DEVICE AND DISTANCE MEASUREMENT DEVICE

      
Numéro d'application 18465073
Statut En instance
Date de dépôt 2023-09-11
Date de la première publication 2024-06-13
Propriétaire Kabushiki Kaisha Toshiba (Japon)
Inventeur(s)
  • Sugimoto, Toshiki
  • Ta, Tuan Thanh
  • Sai, Akihide

Abrégé

A photodetection device has a photodetection element, a reset circuit that sets one end of the photodetection element to a predetermined initialization voltage, a firing detection circuit that detects firing of the photodetection element by comparing a voltage at the one end of the photodetection element or a current flowing through the one end with a threshold, a monitor circuit that monitors an output signal of the firing detection circuit, and a threshold control circuit that controls the threshold based on a monitor output of the monitor circuit.

Classes IPC  ?

  • G01S 7/481 - Caractéristiques de structure, p.ex. agencements d'éléments optiques
  • G01R 19/165 - Indication de ce qu'un courant ou une tension est, soit supérieur ou inférieur à une valeur prédéterminée, soit à l'intérieur ou à l'extérieur d'une plage de valeurs prédéterminée
  • G01S 17/08 - Systèmes déterminant les données relatives à la position d'une cible pour mesurer la distance uniquement

12.

INFORMATION PROCESSING METHOD AND INFORMATION PROCESSING APPARATUS

      
Numéro d'application 18454804
Statut En instance
Date de dépôt 2023-08-24
Date de la première publication 2024-06-13
Propriétaire KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
Inventeur(s)
  • Watanabe, Nayuko
  • Mishima, Nao
  • Noda, Reiko

Abrégé

According to one embodiment, an information processing method includes acquiring a first question corresponding to an input query, estimating an answer to the first question for each of pieces of content to generate a first answer estimation result including the answer to the first question for each of the pieces of content, and classifying the pieces of content into first groups by using the first answer estimation result and generating a first retrieval result indicating content belonging to each of the first groups.

Classes IPC  ?

13.

ARTICLE MANAGEMENT APPARATUS, ARTICLE MANAGEMENT METHOD, ARTICLE MANAGEMENT SYSTEM, AND COMPUTER-READABLE STORAGE MEDIUM

      
Numéro d'application 18582793
Statut En instance
Date de dépôt 2024-02-21
Date de la première publication 2024-06-13
Propriétaire
  • KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
  • TOSHIBA INFRASTRUCTURE SYSTEMS & SOLUTIONS CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Kojima, Hidetaka
  • Akagi, Takuma

Abrégé

An article management apparatus according to an embodiment includes an inputting unit, an information processing unit, and an outputting unit. The inputting unit inputs image data from a photographing device configured to continuously photograph a plurality of article depository sections at which one or more articles to be warehoused or picked are deposited. The information processing unit recognizes, based on the image data, an article depository section which is included in the plurality of article depository sections and at which a number of articles has changed, and generates management information containing at least information regarding the article depository sections based on a result of the recognizing. The outputting unit outputs the management information.

Classes IPC  ?

  • B65G 1/137 - Dispositifs d'emmagasinage mécaniques avec des aménagements ou des moyens de commande automatique pour choisir les objets qui doivent être enlevés
  • G06V 20/64 - Objets tridimensionnels

14.

DISK DEVICE

      
Numéro d'application 18243077
Statut En instance
Date de dépôt 2023-09-06
Date de la première publication 2024-06-13
Propriétaire
  • Kabushiki Kaisha Toshiba (Japon)
  • Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (Japon)
Inventeur(s)
  • Okano, Taichi
  • Yamamoto, Nobuhiro
  • Yamaguchi, Hayato

Abrégé

According to one embodiment, a disk device includes a first FPC and second FPCs. The first FPC includes a first insulating layer, a second insulating layer covering the first insulating layer, and a first conductive layer between the first insulating layer and the second insulating layer. The first conductive layer is provided with first terminals. The second insulating layer is provided with holes through which the first terminals are exposed. The second FPC includes a first face facing the second insulating layer, a second face opposite the first face, and second terminals on the first face. The second terminals are joined to the first terminals with a conductive bonding material. At least one second face includes a first area being lower in lightness than a part of the first FPC, the part where the first conductive layer is covered by the second insulating layer.

Classes IPC  ?

  • H05K 1/14 - Association structurale de plusieurs circuits imprimés
  • H05K 1/02 - Circuits imprimés - Détails

15.

HANDLING SYSTEM, CONTROL DEVICE, AND CONTROL METHOD

      
Numéro d'application 18524889
Statut En instance
Date de dépôt 2023-11-30
Date de la première publication 2024-06-13
Propriétaire Kabushiki Kaisha Toshiba (Japon)
Inventeur(s)
  • Oka, Yoshifumi
  • Tokura, Seiji
  • Ogawa, Akihito

Abrégé

A handling system according to an embodiment includes: a handling device configured to transfer an object from a transfer source space to a transfer destination space with the object gripped; a transfer destination measuring device configured to measure a transfer destination shape that is a shape of the transfer destination space; and a control device configured to control the handling device and the transfer destination measuring device. The control device described above records a measurement history of the transfer destination shapes acquired from the transfer destination measuring device and a calculation history of placement positions of the objects transferred to the transfer destination space and generates a complemented transfer destination shape acquired by complementing the transfer destination shape on the basis of the measurement history of the transfer destination shapes and the calculation history of the placement positions.

Classes IPC  ?

  • B65G 47/90 - Dispositifs pour saisir et déposer les articles ou les matériaux
  • B25J 9/16 - Commandes à programme

16.

CLUTTER DETECTION APPARATUS, WEATHER OBSERVATION SYSTEM, CLUTTER DETECTION METHOD, AND PROGRAM

      
Numéro d'application 18582982
Statut En instance
Date de dépôt 2024-02-21
Date de la première publication 2024-06-13
Propriétaire
  • KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
  • TOSHIBA INFRASTRUCTURE SYSTEMS & SOLUTIONS CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Suezawa, Taku
  • Mizutani, Fumihiko

Abrégé

A clutter detection apparatus includes: a first discrimination unit that receives observation data obtained by observing a weather condition, and discriminates a plurality of pieces of fine weather data, which are observation data in fine weather, based on the observation data; and a second discrimination unit that calculates a statistical value of a clutter for each range bin of a radar coverage area based on the plurality of pieces of fine weather data, and discriminates a wind turbine clutter that is an echo caused by a wind turbine based on a variance of the statistical value.

Classes IPC  ?

  • G01S 7/41 - DÉTERMINATION DE LA DIRECTION PAR RADIO; RADIO-NAVIGATION; DÉTERMINATION DE LA DISTANCE OU DE LA VITESSE EN UTILISANT DES ONDES RADIO; LOCALISATION OU DÉTECTION DE LA PRÉSENCE EN UTILISANT LA RÉFLEXION OU LA RERADIATION D'ONDES RADIO; DISPOSITIONS ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES - Détails des systèmes correspondant aux groupes , , de systèmes selon le groupe utilisant l'analyse du signal d'écho pour la caractérisation de la cible; Signature de cible; Surface équivalente de cible
  • G01S 13/95 - Radar ou systèmes analogues, spécialement adaptés pour des applications spécifiques pour la météorologie

17.

MOBILE UNIT MANAGEMENT DEVICE, MANAGEMENT METHOD, AND STORAGE MEDIUM

      
Numéro d'application 18450572
Statut En instance
Date de dépôt 2023-08-16
Date de la première publication 2024-06-06
Propriétaire KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
Inventeur(s)
  • Yamashita, Michio
  • Aisu, Hideyuki
  • Sakakibara, Shizu

Abrégé

According to one embodiment, a mobile unit management device includes a processor with hardware, configured to generate an operation schedule of at least one mobile unit, control an operation of the mobile unit based on the operation schedule, upon a need arising for updating of the operation schedule, estimate a future position of the mobile unit based on an old operation schedule that has not yet been executed on the mobile unit, generate a new operation schedule based on the future position, integrate the old operation schedule and the new operation schedule into an integrated operation schedule, and control the operation of the mobile unit based on the integrated operation schedule.

Classes IPC  ?

  • B60W 60/00 - Systèmes d’aide à la conduite spécialement adaptés aux véhicules routiers autonomes
  • G06Q 10/083 - Expédition

18.

ELECTRONIC DEVICE, ELECTRONIC DEVICE MANUFACTURING APPARATUS, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE

      
Numéro d'application 18456684
Statut En instance
Date de dépôt 2023-08-28
Date de la première publication 2024-06-06
Propriétaire KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
Inventeur(s) Hiraga, Hiroki

Abrégé

According to one embodiment, an electronic device includes a housing, a first member, an electronic element, a getter member, and a second member. The housing includes a first portion. A first gap is provided between the first portion and the first member. A space surrounded by the housing and the first member is sealed at 1 atmospheric pressure or less. The electronic element is provided in the space. The getter member is provided in the space and fixed to the first member. The second member is fixed to the first member. At least a part of the first member is provided between the getter member and the second member. A melting point of the second member is lower than a melting point of the first member.

Classes IPC  ?

  • B81B 7/00 - Systèmes à microstructure
  • B81C 1/00 - Fabrication ou traitement de dispositifs ou de systèmes dans ou sur un substrat
  • B81C 99/00 - Matière non prévue dans les autres groupes de la présente sous-classe

19.

TRAINING APPARATUS, TRAINING METHOD, AND STORAGE MEDIUM

      
Numéro d'application 18457475
Statut En instance
Date de dépôt 2023-08-29
Date de la première publication 2024-06-06
Propriétaire KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
Inventeur(s)
  • Isogawa, Kenzo
  • Ono, Toshiyuki

Abrégé

A training apparatus includes a circuitry. The circuitry inputs a bag that is a set of an instance to an identifier and outputs a probability sequence including a probability that each instance belonging to the bag corresponds to a target. The circuitry calculates a bag likelihood that is a probability that specific instances corresponding to the target are included in the bag. The circuitry outputs an expected instance quantity regarding a quantity of the specific instances included in the bag. The circuitry calculates a parameter update amount based on teaching data, the bag likelihood, and the expected instance quantity, and updates a parameter of the identifier based on the parameter update amount.

Classes IPC  ?

  • G06V 10/774 - Dispositions pour la reconnaissance ou la compréhension d’images ou de vidéos utilisant la reconnaissance de formes ou l’apprentissage automatique utilisant l’intégration et la réduction de données, p.ex. analyse en composantes principales [PCA] ou analyse en composantes indépendantes [ ICA] ou cartes auto-organisatrices [SOM]; Séparation aveugle de source méthodes de Bootstrap, p.ex. "bagging” ou “boosting”
  • G06T 7/00 - Analyse d'image
  • G06T 7/11 - Découpage basé sur les zones

20.

ROBUSTNESS MEASUREMENT DEVICE, ROBUSTNESS MEASUREMENT METHOD, AND STORAGE MEDIUM

      
Numéro d'application 18457556
Statut En instance
Date de dépôt 2023-08-29
Date de la première publication 2024-06-06
Propriétaire
  • KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
  • TOSHIBA DIGITAL SOLUTIONS CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Tsuruyama, Tomoya
  • Ohira, Hidetaka

Abrégé

A robustness measurement device of an embodiment includes an acquirer, a noise adder, an inference result group generator, and a robustness measurer. The acquirer acquires an input image. The noise adder adds noise to the input image to generate at least one noise-added image by adding noise to the input image. The inference result group generator generates an inference result group by grouping mutually associated inference results among inference results for at least one of the input image or the noise-added image. The robustness measurer measures robustness of a test target model on the basis of the inference result group.

Classes IPC  ?

  • G06V 10/776 - Dispositions pour la reconnaissance ou la compréhension d’images ou de vidéos utilisant la reconnaissance de formes ou l’apprentissage automatique utilisant l’intégration et la réduction de données, p.ex. analyse en composantes principales [PCA] ou analyse en composantes indépendantes [ ICA] ou cartes auto-organisatrices [SOM]; Séparation aveugle de source Évaluation des performances
  • G06V 10/764 - Dispositions pour la reconnaissance ou la compréhension d’images ou de vidéos utilisant la reconnaissance de formes ou l’apprentissage automatique utilisant la classification, p.ex. des objets vidéo
  • G06V 20/70 - RECONNAISSANCE OU COMPRÉHENSION D’IMAGES OU DE VIDÉOS Éléments spécifiques à la scène Étiquetage du contenu de scène, p.ex. en tirant des représentations syntaxiques ou sémantiques

21.

DOCUMENT CLASSIFICATION APPARATUS, METHOD, AND STORAGE MEDIUM

      
Numéro d'application 18458277
Statut En instance
Date de dépôt 2023-08-30
Date de la première publication 2024-06-06
Propriétaire KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
Inventeur(s) Fume, Kosei

Abrégé

A document classification apparatus includes a processing circuit. The processing circuit configured to: divide a sentence included in a target document into word units; divide a sentence included in a supplementary sentence into word units; calculate an appearance statistic of a word obtained from the target document and the supplementary sentence; provide, to the word, an attribute representing specialty, specificity, or category independence based on the appearance statistic; extract an anchor word from words included in the supplementary sentence based on the attribute; perform target learning in accordance with an attribute of the anchor word and generate a word embedding vector; and estimate a classification category of a document based on the word embedding vector.

Classes IPC  ?

  • G06F 16/35 - Groupement; Classement
  • G06F 16/383 - Recherche caractérisée par l’utilisation de métadonnées, p.ex. de métadonnées ne provenant pas du contenu ou de métadonnées générées manuellement utilisant des métadonnées provenant automatiquement du contenu
  • G06F 40/205 - Analyse syntaxique

22.

AMPLIFIER CIRCUIT AND PHOTODETECTION DEVICE

      
Numéro d'application 18460021
Statut En instance
Date de dépôt 2023-09-01
Date de la première publication 2024-06-06
Propriétaire Kabushiki Kaisha Toshiba (Japon)
Inventeur(s)
  • Itakura, Tetsuro
  • Ta, Tuan Thanh
  • Sugimoto, Toshiki

Abrégé

An amplifier circuit includes a plurality of gain stages that change a gain in each stage and include a first gain stage and a final gain stage, an output terminal that outputs a signal amplified by the plurality of gain stages, a negative input terminal connected to an input node of the first gain stage, a feedback circuit connected between an output node of the final gain stage and the negative input terminal, a first resistor connected between the output node of the final gain stage and the output terminal, an active load of the first gain stage including a first transistor, a second resistor connected to a gate or a base of the first transistor, and a capacitor connected between the gate or the base of the first transistor and the output node of the final gain stage.

Classes IPC  ?

  • H03F 3/45 - Amplificateurs différentiels
  • H03F 1/08 - Modifications des amplificateurs pour réduire l'influence défavorable de l'impédance interne des éléments amplificateurs

23.

MAGNETIC RECORDING MEDIUM AND MAGNETIC RECORDING DEVICE

      
Numéro d'application 18363423
Statut En instance
Date de dépôt 2023-08-01
Date de la première publication 2024-06-06
Propriétaire
  • KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
  • TOSHIBA ELECTRONIC DEVICES & STORAGE CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Osamura, Ryo
  • Nakagawa, Yuji
  • Maeda, Tomoyuki
  • Takagishi, Masayuki
  • Narita, Naoyuki
  • Kurihara, Kosuke

Abrégé

According to one embodiment, a magnetic recording medium includes a first magnetic region, a second magnetic region, and a third magnetic region. The second magnetic region is provided between the third magnetic region and the first magnetic region in a first direction from the third magnetic region to the first magnetic region. A first composition ratio of a first Pt atomic concentration in the first magnetic region to a first Co atomic concentration in the first magnetic region is higher than a second composition ratio of a second Pt atomic concentration in the second magnetic region to a second Co atomic concentration in the second magnetic region. A third composition ratio of a third Pt atom concentration in the third magnetic region to a third Co atom concentration in the third magnetic region is higher than the second composition ratio.

Classes IPC  ?

  • G11B 5/62 - Supports d'enregistrement caractérisés par l'emploi d'un matériau spécifié
  • G11B 5/48 - Disposition ou montage des têtes par rapport aux supports d'enregistrement

24.

HIGHLY THERMALLY CONDUCTIVE SILICON NITRIDE SINTERED BODY, SILICON NITRIDE SUBSTRATE, SILICON NITRIDE CIRCUIT BOARD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18413405
Statut En instance
Date de dépôt 2024-01-16
Date de la première publication 2024-06-06
Propriétaire
  • KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
  • TOSHIBA MATERIALS CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Aoki, Katsuyuki
  • Goto, Yasuhiro
  • Iwai, Kentaro
  • Fukasawa, Takayuki
  • Yamagata, Yoshihito

Abrégé

According to an embodiment, a highly thermally conductive silicon nitride sintered body includes silicon nitride crystal grains and a grain boundary phase. A thermal conductivity of the silicon nitride sintered body is not less than 80 W/(m·K). An average value of solid solution oxygen amounts of the silicon nitride crystal grains existing in a 20 μm×20 μm unit area in any cross section is not more than 0.2 wt %. An average value of major diameters of the silicon nitride crystal grains existing in a 50 μm×50 μm unit area in any cross section is not less than 1 μm and not more than 10 μm. An average of aspect ratios of the silicon nitride crystal grains existing in the 50 μm×50 μm unit area is not less than 2 and not more than 10.

Classes IPC  ?

  • C09K 5/14 - Substances solides, p.ex. pulvérulentes ou granuleuses
  • C04B 35/587 - Céramiques fines
  • H01L 23/373 - Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif

25.

SOLAR CELL, MULTI-JUNCTION TYPE SOLAR CELL, SOLAR CELL MODULE, AND SOLAR CELL POWER GENERATION SYSTEM

      
Numéro d'application 18442245
Statut En instance
Date de dépôt 2024-02-15
Date de la première publication 2024-06-06
Propriétaire
  • KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
  • TOSHIBA ENERGY SYSTEMS & SOLUTIONS CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Yoshio, Sara
  • Wada, Atsushi
  • Honishi, Yuya
  • Shibasaki, Soichiro
  • Nakagawa, Naoyuki
  • Mizuno, Yukitami
  • Yamazaki, Mutsuki
  • Wakamatsu, Kodai
  • Nishida, Yasutaka
  • Yamamoto, Kazushige

Abrégé

According to one embodiment of the invention, a solar cell includes a first conductive layer, a first counter conductive layer, and a first photoelectric conversion layer. The first counter conductive layer includes a first conductive region. A direction from the first conductive layer to the first conductive region is along a first direction. The first photoelectric conversion layer includes a first photoelectric conversion region and a second photoelectric conversion region. The first photoelectric conversion region is provided between the first conductive layer and the first conductive region in the first direction. The second photoelectric conversion region does not overlap the first conductive region in the first direction. A second thickness of the second photoelectric conversion region along the first direction is thinner than a first thickness of the first photoelectric conversion region along the first direction.

Classes IPC  ?

  • H01L 31/0352 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur forme ou par les formes, les dimensions relatives ou la disposition des régions semi-conductrices
  • H01L 31/032 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés non couverts par les groupes
  • H01L 31/0463 - Modules PV composés d'une pluralité de cellules solaires en couches minces déposées sur un même substrat caractérisés par des méthodes spéciales de structuration pour connecter les cellules PV dans un module, p.ex. gravure par laser des couches conductrices ou des couches actives
  • H02S 10/40 - Systèmes générateurs PV mobiles

26.

LEARNING APPARATUS, METHOD, NON-TRANSITORY COMPUTER READABLE MEDIUM AND INFERENCE APPARATUS

      
Numéro d'application 18458209
Statut En instance
Date de dépôt 2023-08-30
Date de la première publication 2024-06-06
Propriétaire KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
Inventeur(s)
  • Sasaya, Tenta
  • Watanabe, Takashi
  • Ono, Toshiyuki

Abrégé

According to one embodiment, a learning apparatus includes processing circuitry. The processing circuitry generates a first converted feature values and a second converted feature values by stochastically converting at least one of first feature values and second feature values. The processing circuitry calculates a first loss related to similarity between the first converted feature values and the second converted feature values. The processing circuitry obtains a first processing result by processing based on one or more third parameters with respect to the first converted feature values. The processing circuitry updates a parameter of at least one of the first parameters and the third parameters such that a value based on the first loss and a second loss calculated from the first processing result and a label is minimized.

Classes IPC  ?

27.

SIGNAL PROCESSING APPARATUS, METHOD, AND ELEVATOR MONITORING APPARATUS

      
Numéro d'application 18458901
Statut En instance
Date de dépôt 2023-08-30
Date de la première publication 2024-06-06
Propriétaire KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
Inventeur(s) Sudo, Takashi

Abrégé

According to one embodiment, a signal processing apparatus comprising processing circuitry. The processing circuitry is configured to acquire an environmental sound in an environment where an operating sound of an observation target can be collected. The processing circuitry is configured to calculate colorability and variation in frequency spectrum intensity concerning the environmental sound. The processing circuitry is configured to determine whether or not the environmental sound includes the operating sound by comparing the colorability and a degree of the variation with thresholds.

Classes IPC  ?

  • B66B 5/00 - Utilisation de dispositifs de vérification, de rectification, de mauvais fonctionnement ou de sécurité des ascenseurs
  • H04R 1/02 - Boîtiers; Meubles; Montages à l'intérieur de ceux-ci

28.

FIXING STRUCTURE FOR TURBINE ROTOR BLADE

      
Numéro d'application 18322771
Statut En instance
Date de dépôt 2023-05-24
Date de la première publication 2024-05-30
Propriétaire
  • KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
  • TOSHIBA ENERGY SYSTEMS & SOLUTIONS CORPORATION (Japon)
Inventeur(s) Yoshihara, Tsutomu

Abrégé

A fixing structure for a rotor blade of an embodiment includes: a fixing groove penetrating blade implantation portions and a rotor wheel in a circumferential direction; a locking blade lastly fitted into a blade groove; and a latch member inserted from an axial direction into the fixing groove formed in the blade implantation portion of the locking blade and the rotor wheel forming the blade groove into which the blade implantation portion of the locking blade is fitted. The latch member includes: an inner peripheral latch disposed on a radially inner side; an outer peripheral latch disposed on a radially outer side; a center latch fitted between the inner peripheral latch and the outer peripheral latch, and a bent portion provided at an end portion on a downstream side in the axial direction of the inner peripheral latch, the bent portion being bent to fix the locking blade.

Classes IPC  ?

  • F01D 5/30 - Fixation des aubes au rotor; Pieds de pales
  • F01D 5/32 - Verrouillage, p.ex. par des aubes terminales de verrouillage ou par des clavettes

29.

SOLAR CELL, SOLAR CELL MODULE, AND SOLAR CELL POWER GENERATION SYSTEM

      
Numéro d'application 18455793
Statut En instance
Date de dépôt 2023-08-25
Date de la première publication 2024-05-30
Propriétaire KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
Inventeur(s)
  • Wada, Atsushi
  • Amano, Akio
  • Aiga, Fumihiko
  • Takasu, Isao

Abrégé

According to one embodiment, a solar cell includes a first electrode, a second electrode, and a power generation layer provided between the first electrode and the second electrode. The first electrode includes a first region and a second region. A direction from the first region to the second region is along a first direction from the first electrode to the second electrode. A first absorption coefficient of the first region for a first light having a wavelength of 330 nm is lower than a second absorption coefficient of the second region for the first light.

Classes IPC  ?

  • H10K 30/82 - Dispositifs organiques sensibles au rayonnement infrarouge, à la lumière, au rayonnement électromagnétique de plus courte longueur d'onde ou au rayonnement corpusculaire - Détails de structure Électrodes Électrodes transparentes, p. ex. électrodes en oxyde d'étain indium [ITO]
  • H10K 30/57 - Dispositifs photovoltaïques [PV] comprenant des jonctions multiples, p. ex. des cellules PV en tandem

30.

LABEL ACCURACY IMPROVEMENT DEVICE, LABEL ACCURACY IMPROVEMENT METHOD, AND STORAGE MEDIUM

      
Numéro d'application 18457546
Statut En instance
Date de dépôt 2023-08-29
Date de la première publication 2024-05-30
Propriétaire
  • KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
  • TOSHIBA ELECTRONIC DEVICES & STORAGE CORPORATION (Japon)
Inventeur(s) Hyuga, Fumihiko

Abrégé

A label accuracy improvement device includes a controller. The controller executes unit processing. The unit processing includes learning processing, determination processing and label update processing. The learning processing uses labeled data, estimates a label based on non-label data, which is data to which a label is assigned in learning data, and updates a mathematical model for obtaining a likelihood. The determination processing determines whether conditions related to a difference between a label estimated by a mathematical model learned based on the non-label data and a label included in the learning data and an inference score that is greater as a magnitude of a likelihood is greater are satisfied. The label update processing updates a label when the conditions are satisfied.

Classes IPC  ?

  • G06N 20/00 - Apprentissage automatique
  • G06N 5/04 - Modèles d’inférence ou de raisonnement

31.

TRANSPORT DEVICE, AUTOMATED GUIDED VEHICLE, TRANSPORT METHOD, CONTROL DEVICE, CONTROL METHOD AND STORAGE MEDIUM

      
Numéro d'application 18518663
Statut En instance
Date de dépôt 2023-11-24
Date de la première publication 2024-05-30
Propriétaire
  • KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
  • TOSHIBA INFRASTRUCTURE SYSTEMS & SOLUTIONS CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Yamamoto, Daisuke
  • Mori, Akihiro
  • Terada, Akihito
  • Kobayashi, Daisuke
  • Ito, Yusuke
  • Miyamoto, Takuya

Abrégé

According to one embodiment, a transport device includes a main part, a wheel, and a reader. The main part supports or pulls an object. The wheel is mounted to the main part, and rolls over a traveling surface. The reader is fixed with respect to the main part, and reads an identifier in a direction tilted with respect to a first direction and a second direction. The first direction is along the traveling surface, and the second direction is perpendicular to the traveling surface. The identifier is mounted to a surface, which crosses the first direction, of the object. A position of an area of the surface read by the reader changes along the second direction as the transport device moves in the first direction.

Classes IPC  ?

  • B65G 1/137 - Dispositifs d'emmagasinage mécaniques avec des aménagements ou des moyens de commande automatique pour choisir les objets qui doivent être enlevés
  • B60P 1/44 - Véhicules destinés principalement au transport des charges et modifiés pour faciliter le chargement, la fixation de la charge ou son déchargement ayant une plate-forme de chargement qui élève la charge au niveau de l'élément supportant ou contenant la charge

32.

QUANTUM CRYPTOGRAPHIC COMMUNICATION CONTROL DEVICE, QUANTUM CRYPTOGRAPHIC COMMUNICATION CONTROL METHOD, AND PROGRAM

      
Numéro d'application 18523062
Statut En instance
Date de dépôt 2023-11-29
Date de la première publication 2024-05-30
Propriétaire
  • KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
  • TOSHIBA DIGITAL SOLUTIONS CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Kususe, Kanata
  • Takahashi, Ririka

Abrégé

A quantum cryptographic communication control device includes a collection unit, a calculation unit, a guarantee unit, and a selection unit. The collection unit collects link information of a link for which a local key is generated by quantum key distribution and a global key guarantee amount expected for a pair of applications that perform cryptographic communication by using a global key. The calculation unit calculates a link cost used for selecting a route of the global key based on the link information. The guarantee unit calculates an amount that can be guaranteed for a local key used in the link so as to satisfy the global key guarantee amount. The selection unit selects the route of the global key based on the link cost and the amount that can be guaranteed.

Classes IPC  ?

33.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18519176
Statut En instance
Date de dépôt 2023-11-27
Date de la première publication 2024-05-30
Propriétaire
  • KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
  • TOSHIBA ELECTRONIC DEVICES & STORAGE CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Sato, Katsuya
  • Yamamoto, Tetsuya

Abrégé

According to an embodiment, a semiconductor device includes a first electrode, a second electrode, a semiconductor chip, and a third electrode. The second electrode includes a plurality of terminals, and one slit. The one slit is formed between adjacent two out of the plurality of terminals. The semiconductor chip includes a first face and a second face. The first face is connected to the first electrode via a joining material. The second face is opposite the first face and connected to the second electrode via a joining material. The third electrode is connected to the second face via a joining material, inside the slit provided in the second electrode.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/495 - Cadres conducteurs
  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

34.

COOLANT SUPPLY APPARATUS FOR ROTATING GANTRY, AND PARTICLE BEAM TREATMENT SYSTEM

      
Numéro d'application 18419816
Statut En instance
Date de dépôt 2024-01-23
Date de la première publication 2024-05-23
Propriétaire
  • KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
  • TOSHIBA ENERGY SYSTEMS & SOLUTIONS CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Tomita, Kazuhito
  • Yuguchi, Yasuhiro
  • Takama, Shinichi
  • Kitagawa, Kiyohiko

Abrégé

According to one embodiment, a coolant supply apparatus for a rotating gantry comprising: a rotating gantry that supports both an irradiation nozzle configured to radiate a particle beam and a transport unit configured to transport the particle beam to the irradiation nozzle and rotates around a horizontal axis directed in a horizontal direction; and at least one cable group that is configured by integrating a plurality of cables arranged in line along a band-shaped reinforcement member, is connected at one end to the rotating gantry, and is connected at another end to a stationary device.

Classes IPC  ?

  • A61N 5/10 - Radiothérapie; Traitement aux rayons gamma; Traitement par irradiation de particules
  • A61N 5/00 - Thérapie par radiations

35.

TUNGSTEN WIRE, AND TUNGSTEN WIRE PROCESSING METHOD AND ELECTROLYTIC WIRE USING THE SAME

      
Numéro d'application 18422065
Statut En instance
Date de dépôt 2024-01-25
Date de la première publication 2024-05-23
Propriétaire
  • KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
  • TOSHIBA MATERIALS CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Aoyama, Hitoshi
  • Baba, Hideaki
  • Tomokiyo, Kenji

Abrégé

According to one embodiment, a tungsten wire includes a tungsten alloy containing rhenium. According to an EBSD analysis on a unit area, crystalline orientations having an orientation difference of 15 degrees or less from <101>, which is parallel to a wire drawing direction, account for an area ratio of 70% or more and 90% or less to a measurement field on an IPF map. The unit area is a 40 μm×40 μm area located within a range of 100 μm concentrically extending from a central axis in a cross-section along a wire radial direction, which is perpendicular to the wire drawing direction.

Classes IPC  ?

  • H01B 1/02 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisés; Emploi de matériaux spécifiés comme conducteurs composés principalement de métaux ou d'alliages
  • H01B 13/00 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de conducteurs ou câbles

36.

DATA PROCESSOR, MAGNETIC RECORDING/REPRODUCING DEVICE, AND MAGNETIC RECORDING/REPRODUCING SYSTEM

      
Numéro d'application 18364747
Statut En instance
Date de dépôt 2023-08-03
Date de la première publication 2024-05-23
Propriétaire KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
Inventeur(s)
  • Okamoto, Kazuaki
  • Isowaki, Yousuke

Abrégé

According to one embodiment, a data processor includes an interface section and a processor. The interface section is configured to acquire partial data relating to a control condition of a magnetic recording/reproducing device. The processor is configured to process the partial data. The processor is configured to derive a first data by processing the partial data with a first model based on characteristics of the partial data, a first resolution of the first data being higher than a partial resolution of the partial data. The processor is configured to derive a second data by processing the partial data with a second model based on the characteristic. The second model is different from the first model. A second resolution of the second data being higher than the partial resolution.

Classes IPC  ?

  • G11B 5/09 - Enregistrement numérique
  • G11B 5/48 - Disposition ou montage des têtes par rapport aux supports d'enregistrement
  • G11B 5/596 - Disposition ou montage des têtes par rapport aux supports d'enregistrement comportant des dispositions pour déplacer la tête dans le but de maintenir l'alignement relatif de la tête et du support d'enregistrement pendant l'opération de transduction, p.ex. pour compenser les irrégularités de surface ou pour suivre les pistes pour suivre les pistes d'un disque

37.

DOCUMENT RETRIEVING APPARATUS AND DOCUMENT RETRIEVING METHOD

      
Numéro d'application 18454806
Statut En instance
Date de dépôt 2023-08-24
Date de la première publication 2024-05-23
Propriétaire KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
Inventeur(s)
  • Yoshida, Takami
  • Nagae, Hisayoshi
  • Iwata, Kenji

Abrégé

According to one embodiment, a document retrieving apparatus includes a memory and processing circuitry. The memory stores block information indicating a plurality of blocks and a plurality of reference features that is associated with the blocks, the blocks each being a group of semantically relevant sentences included in a document. The processing circuitry extracts a retrieval feature to be used in retrieval from a query that is input, retrieves a first block that is relevant to the query from the blocks based on matching of the retrieval feature with the reference features, and generates display information for conducting an emphasis display of the first block.

Classes IPC  ?

38.

NITRIDE SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18358592
Statut En instance
Date de dépôt 2023-07-25
Date de la première publication 2024-05-16
Propriétaire
  • KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
  • TOSHIBA INFRASTRUCTURE SYSTEMS & SOLUTIONS CORPORATION (Japon)
Inventeur(s) Hikosaka, Toshiki

Abrégé

According to one embodiment, a nitride semiconductor includes a nitride member. The nitride member includes a first nitride region, and a second nitride region. The first nitride region includes Alx1Ga1-x1N (0≤x1<1). The Alx1Ga1-x1N includes a first element. The first element includes at least one selected from the group consisting of Fe and Mn. The second nitride region includes Alx1Ga1-x1N (0≤x1<1). A direction from the first nitride region to the second nitride region is along a first direction. A second lattice length of the second nitride region in a first axis crossing the first direction is different from a first lattice length of the first nitride region in the first axis.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
  • H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV

39.

IMAGING CONTROL SYSTEM AND IMAGING CONTROL METHOD

      
Numéro d'application 18419966
Statut En instance
Date de dépôt 2024-01-23
Date de la première publication 2024-05-16
Propriétaire
  • KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
  • TOSHIBA ENERGY SYSTEMS & SOLUTIONS CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Nakanishi, Kosuke
  • Iseki, Yasushi

Abrégé

According to one embodiment, an imaging control system comprising: an X-ray imaging device; a respiratory monitor; and a control calculating device; the control calculating device comprising: a respiratory waveform divider to slice at least one of cycle and amplitude in a respiratory waveform of the respiratory motion included in the respiratory data into multiple specific fragments, an image data sorter to acquire a rotational angle indicating a rotational position of the rotating gantry from a gantry controller for controlling a rotation of the rotating gantry, and to sort the X-ray images contained in the image data every specific fragment into multiple X-ray images, and a three-dimensional reconstructor to reconstruct the multiple X-ray images categorized every specific fragment based on the rotational angle of the rotating gantry at shooting to generate multiple three-dimensional reconstructed images.

Classes IPC  ?

  • A61B 6/00 - Appareils pour diagnostic par radiations, p.ex. combinés avec un équipement de thérapie par radiations
  • A61B 5/113 - Mesure du mouvement du corps entier ou de parties de celui-ci, p.ex. tremblement de la tête ou des mains ou mobilité d'un membre se produisant au cours de la respiration

40.

INFORMATION PROCESSING APPARATUS, INFORMATION PROCESSING METHOD, AND NON-TRANSITORY COMPUTER READABLE MEDIUM

      
Numéro d'application 18466064
Statut En instance
Date de dépôt 2023-09-13
Date de la première publication 2024-05-16
Propriétaire KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
Inventeur(s)
  • Ueno, Ken
  • Yamaguchi, Akihiro

Abrégé

According to one embodiment, an information processing apparatus includes processing circuitry configured to acquire transition data representing a transition of a plurality of operations of a monitoring object, divide, based the transition data, a first waveform of a sensor with respect to the monitoring object into a plurality of sections corresponding to the plurality of operations, and generate a first estimation model related to a state of the monitoring object based on partial waveforms of the plurality of sections in the first waveform.

Classes IPC  ?

  • B66B 5/00 - Utilisation de dispositifs de vérification, de rectification, de mauvais fonctionnement ou de sécurité des ascenseurs

41.

NITRIDE SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18361668
Statut En instance
Date de dépôt 2023-07-28
Date de la première publication 2024-05-09
Propriétaire
  • KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
  • TOSHIBA INFRASTRUCTURE SYSTEMS & SOLUTIONS CORPORATION (Japon)
Inventeur(s) Hikosaka, Toshiki

Abrégé

According to one embodiment, a nitride semiconductor includes a nitride member. The nitride member include a first nitride region, a second nitride region, and intermediate region. The first nitride region includes Alx1Ga1−x1N (0≤x1<1). The Alx1Ga1−x1N includes a first element including at least one selected from the group consisting of Fe and Mn. The second nitride region includes Alx2Ga1−x2N (0≤x2≤1). A direction from the first nitride region to the second nitride region is along a first direction. The intermediate region is provided between the first nitride region and the second nitride region. The intermediate region includes Alz1Ga1−z1N (0≤z1≤1, x1

Classes IPC  ?

  • H01L 29/36 - Corps semi-conducteurs caractérisés par la concentration ou la distribution des impuretés
  • H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT

42.

PROCESSING DEVICE, DETECTING SYSTEM, PROCESSING METHOD, INSPECTION METHOD, AND STORAGE MEDIUM

      
Numéro d'application 18414946
Statut En instance
Date de dépôt 2024-01-17
Date de la première publication 2024-05-09
Propriétaire
  • KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
  • TOSHIBA INFRASTRUCTURE SYSTEMS & SOLUTIONS CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Takahashi, Hiromasa
  • Chiba, Yasunori
  • Saito, Masahiro
  • Atsumi, Takuya
  • Matsumoto, Shin

Abrégé

Provided are a processing device, a detecting system, a processing method, a program, and a storage medium that obtain a position of a weld portion of a joined body with higher accuracy. A processing device according to an embodiment receives intensity data of a reflected wave obtained by transmitting an ultrasonic wave along a first direction toward a joined body. The device designates a weld portion of the joined body by using the intensity data. The device calculates a first center position of the weld portion in a first plane crossing the first direction.

Classes IPC  ?

  • B23K 31/12 - Procédés relevant de la présente sous-classe, spécialement adaptés à des objets ou des buts particuliers, mais non couverts par un seul des groupes principaux relatifs à la recherche des propriétés, p.ex. de soudabilité, des matériaux
  • G01S 15/08 - Systèmes pour mesurer la distance uniquement

43.

ISOLATOR

      
Numéro d'application 18415438
Statut En instance
Date de dépôt 2024-01-17
Date de la première publication 2024-05-09
Propriétaire
  • Kabushiki Kaisha Toshiba (Japon)
  • Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (Japon)
Inventeur(s)
  • Fuji, Yoshihiko
  • Nega, Ryohei
  • Ohguro, Tatsuya
  • Kamakura, Takanobu

Abrégé

According to one embodiment, an isolator includes first and second electrodes, first and second insulating portions, and a first dielectric portion. The first insulating portion is provided on the first electrode. The second electrode is provided on the first insulating portion. The second insulating portion is provided around the second electrode along a first plane perpendicular to a first direction. The second insulating portion contacts the second electrode. The first dielectric portion is provided between the first and second insulating portions. At least a portion of the first dielectric portion contacts the second electrode and is positioned around the second electrode along the first plane. A distance between a lower end of the second electrode and a first interface between the first dielectric portion and the second insulating portion is less than a distance between the first interface and an upper end of the second electrode.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/64 - Dispositions relatives à l'impédance
  • H01F 27/28 - Bobines; Enroulements; Connexions conductrices

44.

INFORMATION PROCESSING METHOD

      
Numéro d'application 18465549
Statut En instance
Date de dépôt 2023-09-12
Date de la première publication 2024-05-09
Propriétaire KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
Inventeur(s)
  • Yamashita, Lan
  • Iwamasa, Mikito
  • Fujiwara, Koji

Abrégé

According to one embodiment, an information processing method includes, based on a metamodel which is located in a first layer and in which a composition relationship and a reference relationship among plural types of information models located in a second layer are defined, creating a guide tree indicating a relationship between the information models. A data item (property) of data related to devices is defined in the information model. The guide tree indicates that an upper-layer first information model in which a relationship is indicated in the guide tree is able to use a data item defined in a lower-layer second information model.

Classes IPC  ?

  • G06F 16/28 - Bases de données caractérisées par leurs modèles, p.ex. des modèles relationnels ou objet
  • G06F 16/21 - Conception, administration ou maintenance des bases de données

45.

INFORMATION PROCESSING APPARATUS, INFORMATION PROCESSING METHOD, AND RECORDING MEDIUM

      
Numéro d'application 18466123
Statut En instance
Date de dépôt 2023-09-13
Date de la première publication 2024-05-09
Propriétaire KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
Inventeur(s)
  • Paul, Topon
  • Vidhisha, Reddy
  • Kumar, Ayyagari Sai Prem
  • Nishino, Kaneharu

Abrégé

An information processing apparatus comprising processing circuitry, the processing circuitry constructs a prediction model for predicting time-series data related to a state of a device/equipment, calculates a prediction error that is a difference between a predicted value of the time-series data predicted by the prediction model and an actual value of the time-series data, divides the prediction error into a plurality of first sections in a time axis direction, calculates a state change amount of the actual value based on the prediction error divided into the plurality of first sections; and constructs a state determination model for determining the state of the device/equipment based on the state change amount.

Classes IPC  ?

46.

DATA COLLECTION SYSTEM AND REMOTE CONTROL SYSTEM

      
Numéro d'application 18538380
Statut En instance
Date de dépôt 2023-12-13
Date de la première publication 2024-05-09
Propriétaire
  • KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
  • TOSHIBA DIGITAL SOLUTIONS CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Inata, Minoru
  • Shimanouchi, Mamoru
  • Kamo, Takayasu
  • Yamamoto, Teruya
  • Takeshita, Satoko
  • Hagimori, Shou

Abrégé

According to one embodiment, a data collection system includes a receiving module configured to receive semi-structured data including first data of a first level and a plurality of second data of a second level, the first data including a plurality of the second data, wherein a plurality of second identification information are respectively set for a plurality of the second data, a database, an information storage module configured to store storage position information indicating storage positions of a plurality of the second identification information in the database, and a registration module configured to write a plurality of the second data to the database based on the storage position information.

Classes IPC  ?

  • G05B 19/418 - Commande totale d'usine, c.à d. commande centralisée de plusieurs machines, p.ex. commande numérique directe ou distribuée (DNC), systèmes d'ateliers flexibles (FMS), systèmes de fabrication intégrés (IMS), productique (CIM)
  • G06F 16/22 - Indexation; Structures de données à cet effet; Structures de stockage

47.

SEMICONDUCTOR RELAY DEVICE

      
Numéro d'application 18413737
Statut En instance
Date de dépôt 2024-01-16
Date de la première publication 2024-05-09
Propriétaire
  • Kabushiki Kaisha Toshiba (Japon)
  • Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (Japon)
Inventeur(s)
  • Takai, Naoya
  • Takifuji, Yukihiro
  • Saito, Keita
  • Tanaka, Kazuki

Abrégé

A semiconductor relay device includes a conversion circuit configured to receive an input signal from outside and pass a first current to a first node based on the input signal. A zener diode has an anode coupled to a second node and a cathode coupled to the first node. A resistor is coupled between the second node and a third node. A number n of diodes are serially coupled. A thyristor has an anode coupled to the first node, a cathode coupled to the second node, and a control terminal coupled to the third node. A transistor has a gate coupled to the first node. An anode of a diode at a first end of the n diodes is coupled to the first node, and a cathode of a diode at a second end of the n diodes is coupled to a third node.

Classes IPC  ?

  • H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
  • H03K 17/081 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension sans réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande
  • H03K 17/73 - Dispositifs à semi-conducteurs bipolaires comportant au moins trois jonctions PN, p.ex. thyristors, transistors unijonction programmables, ou comportant au moins quatre électrodes, p.ex. commutateurs commandés au silicium, ou comportant deux électrod pour des tensions ou des courants continus

48.

INFORMATION PROCESSING DEVICE, INFORMATION PROCESSING METHOD, AND COMPUTER PROGRAM PRODUCT

      
Numéro d'application 18415804
Statut En instance
Date de dépôt 2024-01-18
Date de la première publication 2024-05-09
Propriétaire
  • KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
  • TOSHIBA DIGITAL SOLUTIONS CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Takahashi, Nobumichi
  • Yatsushiro, Misato
  • Inata, Minoru
  • Takeshita, Satoko
  • Ikeda, Kazushi
  • Irisawa, Kazuya
  • Suzumoto, Satoru
  • Hashimoto, Satoshi

Abrégé

An information processing device, an information processing method, and a program capable of creating a screen more efficiently are provided. An information processing device according to an embodiment includes a display control unit, a reception unit, and a storage control unit. The display control unit displays a display screen for arranging a plurality of components each of which has a predetermined function. The reception unit receives settings of the components designated using the display screen. The storage control unit stores, in a storage device, setting information indicating the settings received. The display control unit displays the display screen on which the components are set in accordance with the setting information.

Classes IPC  ?

  • G06F 9/451 - Dispositions d’exécution pour interfaces utilisateur
  • G06F 3/04847 - Techniques d’interaction pour la commande des valeurs des paramètres, p.ex. interaction avec des règles ou des cadrans

49.

RUBBER MOLD FOR COLD ISOSTATIC PRESSING, METHOD OF MANUFACTURING CERAMIC BALL MATERIAL, AND METHOD OF MANUFACTURING CERAMIC BALL

      
Numéro d'application 18417809
Statut En instance
Date de dépôt 2024-01-19
Date de la première publication 2024-05-09
Propriétaire
  • KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
  • TOSHIBA MATERIALS CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Funaki, Kai
  • Fukuda, Yoshiyuki
  • Hasegawa, Koji

Abrégé

A rubber mold according to an embodiment is for CIP processing of a green compact with a plate shape. The rubber mold includes one or more approximately columnar hole sections are provided on at least one or more bottom surfaces. Further, when a diameter of an opening of the hole section is denoted by a and a maximum depth of the hole section is denoted by b, a/b<2.0 is satisfied.

Classes IPC  ?

  • B30B 11/00 - Presses spécialement adaptées à la fabrication d'objets à partir d'un matériau en grains ou à l'état plastique, p.ex. presses à briquettes ou presses à tablettes
  • B30B 15/02 - Matrices; Garnitures ou montures appropriées; Moules

50.

Semiconductor device

      
Numéro d'application 17733818
Numéro de brevet RE049962
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-04-29
Date de la première publication 2024-05-07
Date d'octroi 2024-05-07
Propriétaire
  • Kabushiki Kaisha Toshiba (Japon)
  • Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (Japon)
Inventeur(s)
  • Kuraguchi, Masahiko
  • Kajiwara, Yosuke
  • Shindome, Aya
  • Ono, Hiroshi
  • Kato, Daimotsu
  • Mukai, Akira

Abrégé

According to one embodiment, a semiconductor device includes first and second regions, a first insulating portion, and first, second, and third electrodes. The first region includes first and second partial regions, and a third partial region between the first and second partial regions. The second region includes fourth and fifth partial regions. The fourth partial region overlaps the first partial region. The fifth partial region overlaps the second partial region. The first insulating portion includes first, second, and third insulating regions. The first insulating region is provided between the second insulating region and the third partial region and between the third insulating region and the third partial region. The first electrode is electrically connected to the fourth partial region. The second electrode is away from the first electrode and is electrically connected to the fifth partial region. The third electrode is provided between the first and second electrodes.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
  • H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
  • H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
  • H01L 29/205 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV comprenant plusieurs composés dans différentes régions semi-conductrices
  • H01L 29/40 - Electrodes
  • H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
  • H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
  • H01L 29/45 - Electrodes à contact ohmique
  • H01L 29/49 - Electrodes du type métal-isolant-semi-conducteur
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

51.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18409785
Statut En instance
Date de dépôt 2024-01-10
Date de la première publication 2024-05-02
Propriétaire
  • Kabushiki Kaisha Toshiba (Japon)
  • Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (Japon)
Inventeur(s)
  • Onduka, Shinji
  • Ezaki, Akira

Abrégé

Provided is a semiconductor device including: a substrate containing a semiconductor material; an electrode provided on a substrate surface of the substrate, the electrode containing a metal material; and a mixed member provided on the substrate surface to be in contact with the electrode, the mixed member containing the semiconductor material and the metal material, in which a portion of the substrate surface is exposed at an end of the substrate.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
  • H01L 21/268 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée les radiations étant électromagnétiques, p.ex. des rayons laser
  • H01L 21/78 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
  • H01L 29/40 - Electrodes

52.

INFORMATION PROCESSING APPARATUS, INFORMATION PROCESSING METHOD, AND INFORMATION PROCESSING COMPUTER PROGRAM PRODUCT

      
Numéro d'application 18454119
Statut En instance
Date de dépôt 2023-08-23
Date de la première publication 2024-05-02
Propriétaire KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
Inventeur(s)
  • Maya, Shigeru
  • Tsutabayashi, Yoshinori

Abrégé

A control unit 20 calculates a search word representation vector and a search document representation vector of a search word on the basis of a first knowledge graph 16B, a second knowledge graph 16C, and first representation vector management information 16D, and searches, on the basis of a combination of the search word representation vector and a plurality of search document representation vectors, a document represented by the search document representation vector included in the combination.

Classes IPC  ?

53.

INFORMATION PROCESSING DEVICE, INFORMATION PROCESSING METHOD, COMPUTER PROGRAM PRODUCT, AND INFORMATION PROCESSING SYSTEM

      
Numéro d'application 18456825
Statut En instance
Date de dépôt 2023-08-28
Date de la première publication 2024-05-02
Propriétaire
  • KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
  • TOSHIBA INFRASTRUCTURE SYSTEMS & SOLUTIONS CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Aisu, Hideyuki
  • Sakakibara, Shizu
  • Yoshida, Takufumi

Abrégé

According to an embodiment, an information processing device includes one or more hardware processors configured to, based on a plurality of pieces of rack data including first identification information of one or more kinds of products housed in each of a plurality of racks, determine: a processing sequence of a plurality of pieces of order data including second identification information of one or more kinds of products to be picked from at least part of the plurality of racks; and one or more of the plurality of racks for picking a product identified by the second identification information for each of the plurality of pieces of order data.

Classes IPC  ?

  • B65G 1/137 - Dispositifs d'emmagasinage mécaniques avec des aménagements ou des moyens de commande automatique pour choisir les objets qui doivent être enlevés
  • G06Q 10/0875 - Gestion d’inventaires ou de stocks, p.ex. exécution des commandes, approvisionnement ou régularisation par rapport aux commandes Énumération ou classification des pièces, des fournitures ou des services, p.ex. nomenclatures

54.

PHOTONIC ASSEMBLY

      
Numéro d'application 18457819
Statut En instance
Date de dépôt 2023-08-29
Date de la première publication 2024-05-02
Propriétaire Kabushiki Kaisha Toshiba (Japon)
Inventeur(s)
  • Paraiso, Taofiq
  • Shields, Andrew James

Abrégé

A photonic assembly comprising: a first section, the first section comprising a first substrate; and a second section, the second section comprising a second substrate; wherein the photonic assembly comprises an interferometer, the interferometer comprising a plurality of passive photonic elements and a phase modulator; wherein the phase modulator is provided on the second section; and wherein the plurality of passive photonic elements are provided on the first section.

Classes IPC  ?

  • G02F 1/225 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur par interférence dans une structure de guide d'ondes optique
  • G02F 1/01 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
  • G02F 1/21 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur par interférence
  • H04L 9/08 - Répartition de clés

55.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18457972
Statut En instance
Date de dépôt 2023-08-29
Date de la première publication 2024-05-02
Propriétaire
  • Kabushiki Kaisha Toshiba (Japon)
  • Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (Japon)
Inventeur(s)
  • Niikura, Yuichiro
  • Imai, Hitoshi

Abrégé

According to one embodiment, a semiconductor device includes a substrate; a first transistor, a second transistor, a third transistor, and a fourth transistor; a first light emitting element and a second light emitting element; a first light receiving element configured to switch the first transistor and the second transistor to an ON state or to an OFF state; and a second light receiving element configured to switch the third transistor and the fourth transistor to the ON state or to the OFF state, wherein the first light emitting element and the second light emitting element are configured such that, when either one of the first light emitting element or the second light emitting element is turned to a lit state, the other one is turned to an unlit state.

Classes IPC  ?

  • H03K 17/785 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs opto-électroniques, c. à d. des dispositifs émetteurs de lumière et des dispositifs photo-électriques couplés électriquement ou optiquement commandant des commutateurs à transistors à effet de champ
  • H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
  • H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des groupes principaux , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. circuit hybrides
  • H01L 33/38 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes ayant une forme particulière
  • H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure

56.

MOTOR CONTROL CIRCUIT AND DISTANCE MEASUREMENT DEVICE

      
Numéro d'application 18459540
Statut En instance
Date de dépôt 2023-09-01
Date de la première publication 2024-05-02
Propriétaire KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
Inventeur(s)
  • Toyama, Yosuke
  • Kondo, Satoshi
  • Ta, Tuan Thanh

Abrégé

A motor control circuit has an n-phase inverter that controls a motor of n-phases (n is an integer of three or more), a current detection circuit that detects a motor current flowing through the motor of the n-phases, and a current control circuit that controls the inverter for each of a control cycle based on a command current and the motor current detected by the current detection circuit. The inverter includes transistor pairs of the n-phases provided for each phase of the motor, and the current control circuit stops, for each of the control cycle, a switching operation in at least one transistor pair of the transistor pairs of the n-phases.

Classes IPC  ?

  • H02P 27/06 - Dispositions ou procédés pour la commande de moteurs à courant alternatif caractérisés par le type de tension d'alimentation utilisant une tension d’alimentation à fréquence variable, p.ex. tension d’alimentation d’onduleurs ou de convertisseurs utilisant des convertisseurs de courant continu en courant alternatif ou des onduleurs
  • H02P 21/14 - Estimation ou adaptation des paramètres des machines, p.ex. flux, courant ou tension
  • H02P 21/22 - Commande du courant, p.ex. en utilisant une boucle de commande

57.

HANDLING SYSTEM, CONTROL DEVICE, HANDLING METHOD, AND STORAGE MEDIUM

      
Numéro d'application 18496068
Statut En instance
Date de dépôt 2023-10-27
Date de la première publication 2024-05-02
Propriétaire Kabushiki Kaisha Toshiba (Japon)
Inventeur(s)
  • Chatani, Harutoshi
  • Konda, Kazunobu
  • Ogawa, Akihito

Abrégé

According to one embodiment, a handling system includes: a holding unit configured to hold an object; a holding state sensor configured to detect a holding state; a detection unit configured to detect the object and a holding posture; and a control device configured to control an operation of the holding unit. The control device performs: generating a carrying operation plan for allowing the holding unit to carry the object; calculating a safety factor indicating stability of a state in which the holding unit holds the object on the basis of the holding state, the holding posture, and the carrying operation plan; determining whether the carrying operation plan is to be changed on the basis of the safety factor; and changing the carrying operation plan on the basis of the safety factor when it is determined that the carrying operation plan is to be changed.

Classes IPC  ?

58.

QUANTUM CASCADE ELEMENT

      
Numéro d'application 17976590
Statut En instance
Date de dépôt 2022-10-28
Date de la première publication 2024-05-02
Propriétaire KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
Inventeur(s)
  • Saito, Shinji
  • Hashimoto, Rei
  • Kaneko, Kei
  • Kakuno, Tsutomu

Abrégé

A quantum cascade element includes a first substrate, a quantum cascade layer and a second substrate. The quantum cascade layer is provided at a front surface side of the first substrate. The quantum cascade layer includes a plurality of quantum well layers and a plurality of barrier layers alternately stacked in a direction perpendicular to the front surface of the first substrate. The second substrate is bonded to the first substrate with the quantum cascade layer interposed. The second substrate includes a photonic crystal contacting the quantum cascade layer. The photonic crystal includes a plurality of recesses at a side contacting the quantum cascade layer. The plurality of recesses faces an uppermost layer of the plurality of barrier layers.

Classes IPC  ?

  • H01S 5/34 - Structure ou forme de la région active; Matériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p.ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH]
  • H01L 31/0352 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur forme ou par les formes, les dimensions relatives ou la disposition des régions semi-conductrices
  • H01S 5/042 - Excitation électrique
  • H01S 5/11 - Structure ou forme du résonateur optique comprenant une structure de bande photonique interdite

59.

PASSAGE MANAGEMENT COMPUTER PROGRAM PRODUCT, PASSAGE MANAGEMENT METHOD, AND PASSAGE MANAGEMENT DEVICE

      
Numéro d'application 18454909
Statut En instance
Date de dépôt 2023-08-24
Date de la première publication 2024-05-02
Propriétaire KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
Inventeur(s)
  • Saito, Hiroo
  • Yamaguchi, Osamu

Abrégé

In a passage management computer program product, acquiring processing of identification information acquires identification information of a user read by a reading unit that is installed in a passage area and that reads the identification information from an authentication medium. Acquiring processing of photographed image acquires a photographed image of the passage area. Among one or more face image regions in the photographed image, specifying processing specifies a face image region of a user who is carrying the authentication medium as a passerby face image. When the passerby face image matches with a pre-stored face image corresponding to the identification information, authenticating processing authenticates the user who is carrying the authentication medium as an authorized person, and when the passerby face image does not match with the pre-stored face image, authenticates the user who is carrying the authentication medium as an unauthorized person.

Classes IPC  ?

  • G07C 9/15 - Barrières mobiles avec moyens d’enregistrement munies de dispositions empêchant le passage de plus d’une personne à la fois
  • G06V 40/16 - Visages humains, p.ex. parties du visage, croquis ou expressions
  • G07C 9/25 - Enregistrement de l’entrée ou de la sortie d'une entité isolée comportant l’utilisation d’un laissez-passer combiné à une vérification d’identité du titulaire du laissez-passer utilisant des données biométriques, p.ex. des empreintes digitales, un balayage de l’iris ou une reconnaissance de la voix

60.

RESERVOIR CALCULATION DEVICE AND ADJUSTMENT METHOD

      
Numéro d'application 18456507
Statut En instance
Date de dépôt 2023-08-27
Date de la première publication 2024-05-02
Propriétaire KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
Inventeur(s)
  • Marukame, Takao
  • Nomura, Kumiko
  • Mizushima, Koichi
  • Nishi, Yoshifumi

Abrégé

A reservoir calculation device according to an embodiment includes a reservoir circuit and an output circuit. The reservoir circuit receives input data and outputs intermediate signals, each undergoing a transient change when the input data changes. The output circuit outputs an output signal obtained by combining the intermediate signals. The reservoir circuit includes intermediate circuits, each including a neuron circuit and an intermediate output circuit. The neuron circuit generates an intermediate voltage undergoing a transient change corresponding to weight data and the input data when the input data changes. The intermediate output circuit outputs an intermediate signal representing a level of the intermediate voltage from the neuron circuit. The neuron circuit includes a time constant circuit capable of changing a time constant. The time constant circuit is connected between a reference potential and an intermediate terminal outputting the intermediate voltage.

Classes IPC  ?

  • G06N 3/065 - Moyens analogiques
  • G06N 3/049 - Réseaux neuronaux temporels, p.ex. éléments à retard, neurones oscillants ou entrées impulsionnelles

61.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18457992
Statut En instance
Date de dépôt 2023-08-29
Date de la première publication 2024-05-02
Propriétaire
  • Kabushiki Kaisha Toshiba (Japon)
  • Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (Japon)
Inventeur(s)
  • Niikura, Yuichiro
  • Tsunetsugu, Yukio
  • Imai, Hitoshi

Abrégé

According to one embodiment, a semiconductor device includes: a first insulating element and a second insulating element each controlled based on a control signal; a first control circuit configured to control selection of one of the first insulating element and the second insulating element based on the control signal; a first switch element; a second switch element; a second control circuit configured to control the first switch element based on an output of the first insulating element; and a third control circuit configured to control the second switch element based on an output of the second insulating element.

Classes IPC  ?

  • H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des groupes principaux , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. circuit hybrides

62.

COMMUNICATION DEVICE

      
Numéro d'application 18462359
Statut En instance
Date de dépôt 2023-09-06
Date de la première publication 2024-05-02
Propriétaire
  • Kabushiki Kaisha Toshiba (Japon)
  • Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (Japon)
Inventeur(s)
  • Uo, Toyoaki
  • Shimizu, Hiroaki

Abrégé

According to one embodiment, a communication device includes first and second substrates. The first substrate includes an input circuit and a modulation circuit. The second substrate includes a receive circuit and an output circuit. The modulation circuit includes at least one delay circuit, outputs a modulated signal if an input signal has a first logic level, and using the at least one delay circuit, adjusts a length of a period to output the modulated signal shorter or longer than a period when the input signal has the first logic level. The receive circuit receives an electrical signal based on the modulated signal and demodulates the electrical signal. The output circuit outputs an output signal based on the electrical signal demodulated by the receive circuit.

Classes IPC  ?

  • H04L 27/04 - Circuits de modulation; Circuits émetteurs
  • H03K 5/01 - Mise en forme d'impulsions
  • H03K 19/20 - Circuits logiques, c. à d. ayant au moins deux entrées agissant sur une sortie; Circuits d'inversion caractérisés par la fonction logique, p.ex. circuits ET, OU, NI, NON
  • H04B 1/40 - Circuits

63.

HAND, HANDLING ROBOT, CONTROL DEVICE, METHOD FOR CONTROLLING HAND, AND STORAGE MEDIUM

      
Numéro d'application 18498177
Statut En instance
Date de dépôt 2023-10-31
Date de la première publication 2024-05-02
Propriétaire KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
Inventeur(s)
  • Oka, Yoshifumi
  • Eto, Haruna
  • Chatani, Harutoshi
  • Tokura, Seiji
  • Ogawa, Akihito

Abrégé

According to one embodiment, a hand includes a gripper, a driver, and a controller. The gripper is configured to grip an object. The driver drives the gripper. When a stability when gripping the object is estimated, the controller causes the driver to perform a first motion to increase the stability. The stability is estimated based on contact information of the gripper for the object, and characteristic information including at least one of a size or a weight of the object.

Classes IPC  ?

  • B25J 15/10 - Têtes de préhension avec des éléments en forme de doigts avec au moins trois éléments en forme de doigts
  • B25J 9/16 - Commandes à programme

64.

ELECTRODE, MEMBRANE ELECTRODE ASSEMBLY, ELECTROCHEMICAL CELL, STACK, AND ELECTROLYZER

      
Numéro d'application 18240780
Statut En instance
Date de dépôt 2023-08-30
Date de la première publication 2024-04-25
Propriétaire
  • KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
  • TOSHIBA ENERGY SYSTEMS & SOLUTIONS CORPORATIONS (Japon)
Inventeur(s)
  • Fukazawa, Taishi
  • Yoshinaga, Norihiro
  • Sugano, Yoshitsune

Abrégé

An electrode of an embodiment includes: a power feeder layer including an electric conductive material, the power feeder layer including a porous structure including porosity of 40% or more and 60% or less; and a catalyst layer provided on the power feeder layer, the catalyst layer including a porous catalyst layer including a porous precious metal or sheet-like precious metal.

Classes IPC  ?

  • C25B 11/063 - Métal valve, c. à d. dont l’oxyde est semi-conducteur, p.ex. titane
  • C25B 9/23 - Cellules comprenant des électrodes fixes de dimensions stables; Assemblages de leurs éléments de structure avec des diaphragmes comprenant des membranes échangeuses d'ions dans ou sur lesquelles est incrusté du matériau pour électrode
  • C25B 11/031 - PROCÉDÉS ÉLECTROLYTIQUES OU ÉLECTROPHORÉTIQUES POUR LA PRODUCTION DE COMPOSÉS ORGANIQUES OU MINÉRAUX, OU DE NON-MÉTAUX; APPAREILLAGES À CET EFFET Électrodes; Leur fabrication non prévue ailleurs caractérisées par la configuration ou la forme perforées ou foraminées Électrodes poreuses
  • C25B 11/052 - PROCÉDÉS ÉLECTROLYTIQUES OU ÉLECTROPHORÉTIQUES POUR LA PRODUCTION DE COMPOSÉS ORGANIQUES OU MINÉRAUX, OU DE NON-MÉTAUX; APPAREILLAGES À CET EFFET Électrodes; Leur fabrication non prévue ailleurs caractérisées par le matériau Électrodes comportant des électro-catalyseurs sur un substrat ou un support Électrodes comportant un substrat et un ou plusieurs revêtements électro-catalytiques

65.

MAGNETIC HEAD AND MAGNETIC RECORDING DEVICE

      
Numéro d'application 18358677
Statut En instance
Date de dépôt 2023-07-24
Date de la première publication 2024-04-25
Propriétaire
  • KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
  • TOSHIBA ELECTRONIC DEVICES & STORAGE CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Nakagawa, Yuji
  • Narita, Naoyuki
  • Maeda, Tomoyuki
  • Takagishi, Masayuki
  • Nagasawa, Tazumi
  • Osamura, Ryo
  • Kurihara, Kosuke

Abrégé

According to one embodiment, a magnetic head includes first and second magnetic poles, a conductive part, an element part, and first to fourth terminals. The conductive part is electrically insulated from the first and second magnetic poles. The first and second terminals are electrically connected to the conductive part. The element part is provided between the first and second magnetic poles and electrically connected to the first and second magnetic poles. The element part is conductive. The third terminal is electrically connected to the first magnetic pole. The fourth terminal is electrically connected to the second magnetic pole. A first magnetic pole temperature in a first state is higher than a second magnetic pole temperature of the second magnetic pole in the first state. A first current is supplied between the first and second terminals in the first state.

Classes IPC  ?

  • G11B 5/127 - Structure ou fabrication des têtes, p.ex. têtes à variation d'induction
  • G11B 5/31 - Structure ou fabrication des têtes, p.ex. têtes à variation d'induction utilisant des films minces
  • G11B 5/58 - Disposition ou montage des têtes par rapport aux supports d'enregistrement comportant des dispositions pour déplacer la tête dans le but de maintenir l'alignement relatif de la tête et du support d'enregistrement pendant l'opération de transduction, p.ex. pour compenser les irrégularités de surface ou pour suivre les pistes

66.

MAGNETIC SENSOR, MAGNETIC HEAD, AND MAGNETIC RECORDING DEVICE

      
Numéro d'application 18359959
Statut En instance
Date de dépôt 2023-07-26
Date de la première publication 2024-04-25
Propriétaire KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
Inventeur(s)
  • Nagasawa, Tazumi
  • Shirotori, Satoshi
  • Kikitsu, Akira
  • Higashi, Yoshihiro

Abrégé

According to one embodiment, a magnetic sensor includes first to fourth shields, a first magnetic layer, first and second conductive layers, and first and second intermediate layer. The first magnetic layer is between the third shield and the fourth shield. The first magnetic layer includes a first face and a second face. The first face is between the first shield and the second face. The first conductive layer is provided between the third shield and the first magnetic layer. The second conductive layer is provided between the first magnetic layer and the fourth shield. The first intermediate layer is provided between the first shield and the first magnetic layer. The first intermediate layer includes a first intermediate layer face facing the first face. An area of the first intermediate layer face is smaller than an area of the first face.

Classes IPC  ?

  • G11B 5/39 - Structure ou fabrication de têtes sensibles à un flux utilisant des dispositifs magnétorésistifs
  • G01R 33/07 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs à effet Hall

67.

FASTENING MEMBER

      
Numéro d'application 18400375
Statut En instance
Date de dépôt 2023-12-29
Date de la première publication 2024-04-25
Propriétaire
  • KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
  • TOSHIBA ENERGY SYSTEMS & SOLUTIONS CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Oinuma, Shun
  • Kawada, Yasutaka
  • Miura, Takashi
  • Miyajima, Hidekazu
  • Abe, Toru
  • Kuroda, Kazuki

Abrégé

A fastening member in an embodiment consists of a bolt and a nut. A hard layer made of a metal nitride is formed on a surface of a threaded portion of the bolt or a surface of a threaded portion of the nut.

Classes IPC  ?

  • F16B 33/00 - Caractéristiques communes aux boulons et aux écrous

68.

ANOMALY SIGN DETECTION SYSTEM, ANOMALY SIGN DETECTION MODEL GENERATION METHOD, AND ANOMALY SIGN DETECTION MODEL GENERATION PROGRAM

      
Numéro d'application 18455146
Statut En instance
Date de dépôt 2023-08-23
Date de la première publication 2024-04-25
Propriétaire
  • KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
  • TOSHIBA ENERGY SYSTEMS & SOLUTIONS CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Takado, Naoyuki
  • Miyamoto, Chikashi
  • Aoki, Toshio
  • Tominaga, Shinya
  • Miyake, Ryota

Abrégé

According to one embodiment, an anomaly sign detection system comprising one or more computers configured to: calculate a correction value for correcting at least one actual process value from the at least one actual process value and at least one reference process value; determine whether each of plurality of actual process values is correlated with the at least one reference process value or not, based on correction-necessity coefficient of determination; use the correction value for correcting at least one actual process value determined to be correlated with the at least one reference process value among the plurality of actual process values; generate learning input data including at least one corrected process value as the at least one actual process value corrected by the correction value; and perform machine learning by inputting the learning input data to anomaly sign detection model.

Classes IPC  ?

69.

MAGNETIC SENSOR, MAGNETIC HEAD, AND MAGNETIC RECORDING DEVICE

      
Numéro d'application 18359982
Statut En instance
Date de dépôt 2023-07-26
Date de la première publication 2024-04-25
Propriétaire KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
Inventeur(s)
  • Nagasawa, Tazumi
  • Shirotori, Satoshi
  • Kikitsu, Akira
  • Higashi, Yoshihiro

Abrégé

According to one embodiment, a magnetic sensor includes first to sixth shields, first and second magnetic layers, a first member, and first to fourth terminals. The first magnetic layer is provided between the first shield and the second shield. The first magnetic layer is between the third shield and the fourth shield in the second direction. The second magnetic layer is provided between the first magnetic layer and the second shield. The second magnetic layer is between the fifth shield and the sixth shield in the second direction. The second magnetic layer is electrically connected to the fifth shield and the sixth shield. The first member includes a first region and a second region. The first region is provided between the third shield and the first magnetic layer. The second region is provided between the first magnetic layer and the fourth shield.

Classes IPC  ?

  • G11B 5/11 - Blindage de la tête contre les champs électriques ou magnétiques
  • G11B 5/127 - Structure ou fabrication des têtes, p.ex. têtes à variation d'induction
  • G11B 5/37 - Structure ou fabrication de têtes sensibles à un flux utilisant des dispositifs galvanomagnétiques, p.ex. dispositifs à effet Hall
  • G11B 5/39 - Structure ou fabrication de têtes sensibles à un flux utilisant des dispositifs magnétorésistifs

70.

ELECTRODE MATERIAL, ELECTRODE, SECONDARY BATTERY, BATTERY PACK, AND VEHICLE

      
Numéro d'application 18400926
Statut En instance
Date de dépôt 2023-12-29
Date de la première publication 2024-04-25
Propriétaire KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
Inventeur(s)
  • Harada, Yasuhiro
  • Yoshima, Kazuomi
  • Takami, Norio

Abrégé

An electrode material may include an active material particle containing: a niobium-titanium composite oxide having an average composition in which a molar ratio of niobium to titanium (MNb/MTi) is greater than 2; and at least one element A selected from the group consisting of potassium, iron and phosphorus. The active material particle may contain the element A at a concentration in the range of 100 ppm to 2000 ppm.

Classes IPC  ?

  • H01M 4/131 - PROCÉDÉS OU MOYENS POUR LA CONVERSION DIRECTE DE L'ÉNERGIE CHIMIQUE EN ÉNERGIE ÉLECTRIQUE, p.ex. BATTERIES Électrodes Électrodes composées d'un ou comprenant un matériau actif Électrodes pour accumulateurs à électrolyte non aqueux, p.ex. pour accumulateurs au lithium; Leurs procédés de fabrication Électrodes à base d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes, ou de mélanges d'oxydes ou d'hydroxydes, p.ex. LiCoOx
  • C01G 33/00 - Composés du niobium
  • H01M 4/134 - PROCÉDÉS OU MOYENS POUR LA CONVERSION DIRECTE DE L'ÉNERGIE CHIMIQUE EN ÉNERGIE ÉLECTRIQUE, p.ex. BATTERIES Électrodes Électrodes composées d'un ou comprenant un matériau actif Électrodes pour accumulateurs à électrolyte non aqueux, p.ex. pour accumulateurs au lithium; Leurs procédés de fabrication Électrodes à base de métaux, de Si ou d'alliages
  • H01M 10/0525 - Batteries du type "rocking chair" ou "fauteuil à bascule", p.ex. batteries à insertion ou intercalation de lithium dans les deux électrodes; Batteries à l'ion lithium

71.

IMAGE PROCESSING SYSTEM AND MEDICAL INFORMATION PROCESSING SYSTEM

      
Numéro d'application 18392105
Statut En instance
Date de dépôt 2023-12-21
Date de la première publication 2024-04-18
Propriétaire
  • KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
  • CANON MEDICAL SYSTEMS CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Isogawa, Kenzo
  • Takeguchi, Tomoyuki

Abrégé

In one embodiment, an image processing system includes a memory and processing circuitry. The memory is configured to store a predetermined program. The processing circuitry is configured, by executing the predetermined program, to perform processing on an input image by exploiting a neural network having an input layer, an output layer, and an intermediate layer provided between the input layer and the output layer, the input image being inputted to the input layer, and adjust an internal parameter based on data related to the input image, while performing the processing on the input image after training of the neural network, the internal parameter being at least one internal parameter of at least one node included in the intermediate layer, and the input parameter having been calculated by the training of the neural network.

Classes IPC  ?

  • G06N 3/048 - Fonctions d’activation
  • G06N 3/045 - Combinaisons de réseaux
  • G06N 3/084 - Rétropropagation, p.ex. suivant l’algorithme du gradient
  • G06T 5/70 - Débruitage; Lissage
  • G16H 30/40 - TIC spécialement adaptées au maniement ou au traitement d’images médicales pour le traitement d’images médicales, p.ex. l’édition

72.

DISK DEVICE

      
Numéro d'application 18392972
Statut En instance
Date de dépôt 2023-12-21
Date de la première publication 2024-04-18
Propriétaire
  • Kabushiki Kaisha Toshiba (Japon)
  • Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (Japon)
Inventeur(s) Setoma, Shunya

Abrégé

According to one embodiment, a disk device includes a magnetic disk, a magnetic head, a flexure, a piezoelectric element, a first bonding material, a second bonding material, and a protrusion. The flexure includes a first outer surface, a first pad, and a second pad. The first pad and the second pad are on the first outer surface. The piezoelectric element includes a second outer surface, a first electrode, and a second outer surface. The first electrode and the second electrode are on the second outer surface. The first bonding material, which is conductive, bonds the first pad and the first electrode. The second bonding material, which is conductive, bonds the second pad and the second electrode. The protrusion is provided on the flexure, is located at least partially between the first bonding material and the second bonding material, and protrudes from the first outer surface.

Classes IPC  ?

  • G11B 5/48 - Disposition ou montage des têtes par rapport aux supports d'enregistrement
  • H10N 30/87 - Dispositifs piézo-électriques ou électrostrictifs - Détails de structure Électrodes ou interconnexions, p.ex. connexions électriques ou bornes

73.

OPERATING SYSTEM, PROCESSING SYSTEM, COMPUTER, OPERATING METHOD, AND STORAGE MEDIUM

      
Numéro d'application 18395856
Statut En instance
Date de dépôt 2023-12-26
Date de la première publication 2024-04-18
Propriétaire KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
Inventeur(s) Fuchikami, Yasunori

Abrégé

According to one embodiment, an operating system acquires an image signal from a first device that is an operation object. The operating system causes a display device to display a screen based on the image signal. The operating system generates an operation command corresponding to an input operation from a user in response to the input operation. The operating system generates an operation signal compatible with the first device based on the operation command, and transmits the operation signal to the first device.

Classes IPC  ?

  • G06F 3/0484 - Techniques d’interaction fondées sur les interfaces utilisateur graphiques [GUI] pour la commande de fonctions ou d’opérations spécifiques, p.ex. sélection ou transformation d’un objet, d’une image ou d’un élément de texte affiché, détermination d’une valeur de paramètre ou sélection d’une plage de valeurs
  • G09G 5/391 - Circuits pour modifier la résolution, p.ex. des formats variables de l'écran

74.

TRANSISTOR DRIVER CIRCUIT AND TRANSISTOR DRIVING METHOD

      
Numéro d'application 18488880
Statut En instance
Date de dépôt 2023-10-17
Date de la première publication 2024-04-18
Propriétaire
  • Kabushiki Kaisha Toshiba (Japon)
  • Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (Japon)
Inventeur(s) Majima, Hideaki

Abrégé

According to an embodiment, a transistor driver circuit includes a driving force limitation circuit and a delay-time adjustment circuit. The driving force limitation circuit operates to maintain a gate potential of a transistor to be driven at a driving force limitation potential when the transistor to be driven is driven. The driving force limitation potential corresponds to a threshold voltage of the transistor to be driven. The delay-time adjustment circuit operates to cause the gate potential to transition to the driving force limitation potential when the driving force limitation circuit is in operation.

Classes IPC  ?

  • H03K 17/284 - Modifications pour introduire un retard avant commutation dans les commutateurs à transistors à effet de champ

75.

CLEANING LIQUID AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18113138
Statut En instance
Date de dépôt 2023-02-23
Date de la première publication 2024-04-18
Propriétaire
  • Kabushiki Kaisha Toshiba (Japon)
  • Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (Japon)
Inventeur(s) Yasui, Masato

Abrégé

In general, according to one embodiment, a cleaning liquid includes a glycol ether-based cleaning agent and a compound represented by chemical formula (1) below, where R is an NH2 group or H, and n is 1 or more. In general, according to one embodiment, a cleaning liquid includes a glycol ether-based cleaning agent and a compound represented by chemical formula (1) below, where R is an NH2 group or H, and n is 1 or more.

Classes IPC  ?

  • C11D 1/72 - Ethers de polyoxyalkylèneglycols
  • C11D 3/30 - Amines; Amines substituées
  • C11D 11/00 - Méthodes particulières pour la préparation de compositions contenant des mélanges de détergents
  • C11D 17/00 - Détergents ou savons caractérisés par leur forme ou leurs propriétés physiques
  • H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
  • H01L 23/29 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par le matériau
  • H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
  • H01L 23/495 - Cadres conducteurs

76.

ENERGY STORAGE SYSTEM AND CONTROL METHOD

      
Numéro d'application 17769319
Statut En instance
Date de dépôt 2019-10-15
Date de la première publication 2024-04-18
Propriétaire
  • KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
  • TOSHIBA ENERGY SYSTEMS & SOLUTIONS CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Monden, Yukitaka
  • Yamazaki, Shuji
  • Kobayashi, Takenori

Abrégé

An energy storage system according to an embodiment includes first and second power storage devices and performs charge/discharge control for the power storage devices based on a charge/discharge command value. The first power storage device performs discharging for one or more devices as destination via a power line or performs charging of power supplied from one or more devices as source via the power line, and the second power storage device performs charging and discharging for the first power storage device. The energy storage system also includes a control system that controls charge/discharge power of the second power storage device so that a power storage rate of the first power storage device falls within a predetermined power storage rate range and controls charge/discharge power of the first power storage device based on charge/discharge power corresponding to the charge/discharge command value and the charge/discharge power of the second power storage device.

Classes IPC  ?

  • H02J 3/32 - Dispositions pour l'équilibrage de charge dans un réseau par emmagasinage d'énergie utilisant des batteries avec moyens de conversion
  • H02J 7/00 - Circuits pour la charge ou la dépolarisation des batteries ou pour alimenter des charges par des batteries
  • H02J 7/34 - Fonctionnement en parallèle, dans des réseaux, de batteries avec d'autres sources à courant continu, p.ex. batterie tampon

77.

ARTICLE CONVEYANCE SORTING APPARATUS, ARTICLE SORTING SYSTEM, AND CONTROL SERVER

      
Numéro d'application 17822736
Statut En instance
Date de dépôt 2022-08-26
Date de la première publication 2024-04-18
Propriétaire
  • KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
  • Toshiba Infrastructure Systems & Solutions Corporation (Japon)
Inventeur(s)
  • Sato, Masataka
  • Aoki, Takashi

Abrégé

According to an embodiment, an article conveyance sorting apparatus includes a distributing section, a first conveyance section, a second conveyance section, and a conveyance sorting section. The distributing section distributes an article in a first direction or a second direction based on a first distribution control signal or a second distribution control signal corresponding to a distinguishing result of the article distinguished based on article information. The first conveyance section receives the article distributed in the first direction. The second conveyance section receives the article distributed in the second direction. The conveyance sorting section sorts each of articles conveyed by the plurality of trays to a designated sorting destination.

Classes IPC  ?

  • B65G 43/10 - Commande en série des transporteurs fonctionnant en combinaison
  • B65G 47/46 - Dispositifs pour décharger les objets ou matériaux des transporteurs avec distribution, p.ex. automatique, aux points voulus

78.

MICROGRID STARTUP METHOD AND STARTUP PROGRAM

      
Numéro d'application 18263110
Statut En instance
Date de dépôt 2021-02-19
Date de la première publication 2024-04-18
Propriétaire
  • KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
  • TOSHIBA ENERGY SYSTEMS & SOLUTIONS CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Sakauchi, Yoko
  • Akiyama, Yukina
  • Kudo, Yuki
  • Kawachi, Shunsuke
  • Toba, Koji

Abrégé

A startup method and startup program for microgrid that enable to stably start up the microgrid without producing frequency fluctuation is provided. An embodiment of the present disclosure is a startup method for microgrid configured by a plurality of inverter power supplies independently sharing a load and divided into a master that starts up first and a slave that starts up secondly and later, the startup method comprising: a master initial startup step of initially starting up the master in a CVCF mode; a slave initial startup step of initially starting up the slave in a grid interconnection mode; and a control mode changing step of the master and the slave changing control modes thereof when output fluctuation of the master and the slave becomes a predetermined threshold or less or when the master and the slave or other inverter power supplies become a predetermined operation state while output voltage of said master and said slave becomes a predetermined threshold or less.

Classes IPC  ?

  • H02J 3/24 - Dispositions pour empêcher ou réduire les oscillations de puissance dans les réseaux
  • H02J 3/32 - Dispositions pour l'équilibrage de charge dans un réseau par emmagasinage d'énergie utilisant des batteries avec moyens de conversion
  • H02J 3/46 - Dispositions pour l’alimentation en parallèle d’un seul réseau, par plusieurs générateurs, convertisseurs ou transformateurs contrôlant la répartition de puissance entre les générateurs, convertisseurs ou transformateurs
  • H02M 7/48 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande

79.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18354809
Statut En instance
Date de dépôt 2023-07-19
Date de la première publication 2024-04-18
Propriétaire
  • KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
  • TOSHIBA ELECTRONIC DEVICES & STORAGE CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Nago, Hajime
  • Yoshida, Hisashi
  • Tajima, Jumpei
  • Hikosaka, Toshiki

Abrégé

According to one embodiment, a semiconductor structure includes a substrate including silicon crystal, a first layer including AlN crystal, and an intermediate region provided between the silicon crystal and the AlN crystal. The intermediate region includes Al and nitrogen. A direction from the silicon crystal to the AlN crystal is along a first direction. A third lattice plane spacing in the first direction of a lattice of Al atoms in the intermediate region is longer than a first lattice plane spacing in the first direction of the silicon crystal and longer than a second lattice plane spacing in the first direction of the AlN crystal.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
  • H01L 29/04 - Corps semi-conducteurs caractérisés par leur structure cristalline, p.ex. polycristalline, cubique ou à orientation particulière des plans cristallins
  • H01L 29/15 - Structures avec une variation de potentiel périodique ou quasi périodique, p.ex. puits quantiques multiples, superréseaux

80.

ELECTROCHEMICAL REACTION DEVICE AND VALUABLE MATERIAL MANUFACTURING SYSTEM

      
Numéro d'application 18397131
Statut En instance
Date de dépôt 2023-12-27
Date de la première publication 2024-04-18
Propriétaire KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
Inventeur(s)
  • Kitagawa, Ryota
  • Kofuji, Yusuke
  • Motoshige, Asahi
  • Yamagiwa, Masakazu
  • Tamura, Jun
  • Kudo, Yuki
  • Ono, Akihiko
  • Mikoshiba, Satoshi

Abrégé

An electrochemical reaction device in an embodiment includes: an electrochemical reaction cell including a first accommodation part for accommodating carbon dioxide, a second accommodation part for accommodating an electrolytic solution containing water, or water vapor, a diaphragm provided between the first accommodation part and the second accommodation part, a reduction electrode arranged in the first accommodation part, and an oxidation electrode arranged in the second accommodation part, a detection unit detecting a reaction amount in the electrochemical reaction cell; a regulation unit regulating an amount of the carbon dioxide to be supplied to the first accommodation part, and a control unit controlling the regulation unit based on a detection signal of the detection unit.

Classes IPC  ?

  • C25B 15/02 - Commande ou régulation des opérations
  • C25B 1/00 - Production électrolytique de composés inorganiques ou de non-métaux
  • C25B 3/25 - Réduction
  • C25B 9/19 - Cellules comprenant des électrodes fixes de dimensions stables; Assemblages de leurs éléments de structure avec des diaphragmes

81.

ELECTRODE FOR ELECTROCHEMICAL REACTION DEVICE, MEMBRANE ELECTRODE ASSEMBLY, AND ELECTROCHEMICAL REACTION DEVICE

      
Numéro d'application 18459490
Statut En instance
Date de dépôt 2023-09-01
Date de la première publication 2024-04-11
Propriétaire
  • KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
  • TOSHIBA ENERGY SYSTEMS & SOLUTIONS CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Ono, Akihiko
  • Yoshinaga, Norihiro
  • Sugano, Yoshitsune

Abrégé

An electrode for an electrochemical reaction device, includes: a substrate; and a stack provided on the substrate. The stack includes catalyst layers and gap layers, and each catalyst layer and each gap layer are alternately stacked. One of the gap layers has a first region and a second region, the first region having a first thickness, the second region having a first gap, and the first gap having a second thickness, and the second thickness is 3 times or more and 10 times or less the first thickness.

Classes IPC  ?

  • C25B 11/032 - PROCÉDÉS ÉLECTROLYTIQUES OU ÉLECTROPHORÉTIQUES POUR LA PRODUCTION DE COMPOSÉS ORGANIQUES OU MINÉRAUX, OU DE NON-MÉTAUX; APPAREILLAGES À CET EFFET Électrodes; Leur fabrication non prévue ailleurs caractérisées par la configuration ou la forme perforées ou foraminées Électrodes poreuses Électrodes à diffusion de gaz
  • C25B 1/04 - Hydrogène ou oxygène par électrolyse de l'eau
  • C25B 9/19 - Cellules comprenant des électrodes fixes de dimensions stables; Assemblages de leurs éléments de structure avec des diaphragmes
  • C25B 11/054 - PROCÉDÉS ÉLECTROLYTIQUES OU ÉLECTROPHORÉTIQUES POUR LA PRODUCTION DE COMPOSÉS ORGANIQUES OU MINÉRAUX, OU DE NON-MÉTAUX; APPAREILLAGES À CET EFFET Électrodes; Leur fabrication non prévue ailleurs caractérisées par le matériau Électrodes comportant des électro-catalyseurs sur un substrat ou un support Électrodes comportant des électro-catalyseurs sur un support
  • C25B 11/065 - Carbone
  • C25B 11/081 - Métal noble

82.

MEMBRANE ELECTRODE ASSEMBLY, ELECTROCHEMICAL CELL, STACK AND ELECTROLYZER

      
Numéro d'application 18459734
Statut En instance
Date de dépôt 2023-09-01
Date de la première publication 2024-04-11
Propriétaire
  • KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
  • TOSHIBA ENERGY SYSTEMS & SOLUTIONS CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Fukazawa, Taishi
  • Nakano, Yoshihiko
  • Yoshinaga, Norihiro

Abrégé

A membrane electrode assembly of an embodiment includes: a first electrode including a first diffusion layer, and a first catalyst layer; a second electrode for generating hydrogen, the second electrode including a second diffusion layer, a second catalyst layer including a porous catalyst layer including a porous precious metal or sheet-like precious metal, and a hydrophobic moisture management layer provided between the second catalyst layer and the second diffusion layer, the hydrophobic moisture management layer including carbon particles and carbon fibers, a weight of the carbon fibers being between 1 wt % and 20 wt % of a weight of the second diffusion layer; and an electrolyte membrane provided between the first electrode and the second electrode, the first catalyst layer being provided between the first diffusion layer and the electrolyte membrane, and the second catalyst layer being provided between the second diffusion layer and the electrolyte membrane.

Classes IPC  ?

  • C25B 11/032 - PROCÉDÉS ÉLECTROLYTIQUES OU ÉLECTROPHORÉTIQUES POUR LA PRODUCTION DE COMPOSÉS ORGANIQUES OU MINÉRAUX, OU DE NON-MÉTAUX; APPAREILLAGES À CET EFFET Électrodes; Leur fabrication non prévue ailleurs caractérisées par la configuration ou la forme perforées ou foraminées Électrodes poreuses Électrodes à diffusion de gaz
  • C25B 11/052 - PROCÉDÉS ÉLECTROLYTIQUES OU ÉLECTROPHORÉTIQUES POUR LA PRODUCTION DE COMPOSÉS ORGANIQUES OU MINÉRAUX, OU DE NON-MÉTAUX; APPAREILLAGES À CET EFFET Électrodes; Leur fabrication non prévue ailleurs caractérisées par le matériau Électrodes comportant des électro-catalyseurs sur un substrat ou un support Électrodes comportant un substrat et un ou plusieurs revêtements électro-catalytiques

83.

ELECTRODE, MEMBRANE ELECTRODE ASSEMBLY, ELECTROCHEMICAL CELL, STACK, AND ELECTROLYZER

      
Numéro d'application 18461693
Statut En instance
Date de dépôt 2023-09-06
Date de la première publication 2024-04-11
Propriétaire
  • KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
  • TOSHIBA ENERGY SYSTEMS & SOLUTIONS CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Yoshinaga, Norihiro
  • Jung, Hyangmi
  • Fukazawa, Taishi
  • Nakano, Yoshihiko
  • Hirazawa, Hiroaki
  • Sugano, Yoshitsune
  • Kudo, Yuki
  • Ono, Akihiko

Abrégé

An electrode according to an embodiment includes a support, and a catalyst layer including a sheet layer and a gap layer stacked, alternately on the support. The catalyst layer includes noble oxide and non-noble oxide. 4 [wt %] or more and 8 [wt %] or less of metal elements included in the catalyst layer is non-noble metal. An average thickness of the gap layer is 6 [nm] or more and 50 [nm] or less.

Classes IPC  ?

  • H01M 4/86 - PROCÉDÉS OU MOYENS POUR LA CONVERSION DIRECTE DE L'ÉNERGIE CHIMIQUE EN ÉNERGIE ÉLECTRIQUE, p.ex. BATTERIES Électrodes Électrodes inertes ayant une activité catalytique, p.ex. pour piles à combustible
  • H01M 8/1004 - PROCÉDÉS OU MOYENS POUR LA CONVERSION DIRECTE DE L'ÉNERGIE CHIMIQUE EN ÉNERGIE ÉLECTRIQUE, p.ex. BATTERIES Éléments à combustible; Leur fabrication Éléments à combustible avec électrolytes solides caractérisés par les ensembles membrane-électrodes [MEA]

84.

MOLECULAR SENSOR, MOLECULAR DETECTION DEVICE, AND MOLECULAR DETECTION METHOD

      
Numéro d'application 18175017
Statut En instance
Date de dépôt 2023-02-27
Date de la première publication 2024-04-11
Propriétaire Kabushiki Kaisha Toshiba (Japon)
Inventeur(s)
  • Shinjo, Yasushi
  • Miyamoto, Hirohisa
  • Yoshimura, Reiko

Abrégé

A molecular sensor of an embodiment includes a sensitive film including a plurality of metal organic framework particles, and a detector configured to be capable of measuring a change in physical quantity due to adsorption of a target molecule to the sensitive film. Pores are present between the plurality of metal organic framework particles, and the pores are any of mesopores of 2 nm or more and 50 nm or less, micropores smaller than the mesopores, and macropores larger than the mesopores. A sum of areas of the micropores is defined as Smi, a sum of areas of the mesopores is defined as Sme, a sum of areas of the macropores is defined as Sma, and an area of an entire image analysis area is defined as Stotal, in an image analysis area by two-dimensional image analysis on a cross section of the sensitive film in a thickness direction. Pore distribution satisfies 0.35≤Sme/(Smi+Sme+Sma), 0.01≤Smi+Sme+Sma)/Stotal≤0.5.

Classes IPC  ?

  • G01N 29/036 - Analyse de fluides en mesurant la fréquence ou la résonance des ondes acoustiques
  • G01N 29/24 - Sondes

85.

ELECTROLYTIC DEVICE

      
Numéro d'application 18176837
Statut En instance
Date de dépôt 2023-03-01
Date de la première publication 2024-04-11
Propriétaire KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
Inventeur(s)
  • Ono, Akihiko
  • Kofuji, Yusuke
  • Kudo, Yuki
  • Mikoshiba, Satoshi
  • Kitagawa, Ryota

Abrégé

An electrolytic device includes: an electrolysis cell including: an anode; a cathode; a first flow path plate facing on the anode, the first flow path plate having a first recess defining an anode flow path through which a first liquid flows; a second flow path plate facing on the cathode, the second flow path plate having a second recess defining a cathode flow path through which a first gas flows; and a separator provided between the anode and the cathode. The second flow path plate has an uneven surface on an inner surface of the second recess. An arithmetic mean roughness of the uneven surface is 0.03 μm or more and 50 μm or less.

Classes IPC  ?

  • C25B 15/08 - Alimentation ou vidange des réactifs ou des électrolytes; Régénération des électrolytes
  • C25B 1/04 - Hydrogène ou oxygène par électrolyse de l'eau
  • C25B 1/23 - Oxyde de carbone ou gaz de synthèse
  • C25B 3/26 - Réduction du dioxyde de carbone
  • C25B 9/23 - Cellules comprenant des électrodes fixes de dimensions stables; Assemblages de leurs éléments de structure avec des diaphragmes comprenant des membranes échangeuses d'ions dans ou sur lesquelles est incrusté du matériau pour électrode

86.

POWER GENERATION FACILITY

      
Numéro d'application 18354920
Statut En instance
Date de dépôt 2023-07-19
Date de la première publication 2024-04-11
Propriétaire
  • KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
  • TOSHIBA ENERGY SYSTEMS & SOLUTIONS CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Miki, Hiromutsu
  • Shimizu, Keiko
  • Shiraishi, Hiroki
  • Iwata, Yoshihiro
  • Oota, Yukitoshi

Abrégé

A power generation facility in an embodiment includes: a boiler; a high-pressure turbine to which steam generated in the boiler is introduced; a low-pressure turbine provided downstream of the high-pressure turbine; and a condenser that condenses steam discharged from the low-pressure turbine. The power generation facility further includes: a feed pipe that leads feedwater in the condenser to the boiler; a heat storage and steam generation device that has a heat storage function that uses surplus energy generated in an own system to store heat, and a steam generation function that has part of feedwater led by the feed pipe introduced thereinto and turns the feedwater into steam by the stored heat; and a steam supply pipe that supplies steam generated in the heat storage and steam generation device to an own system.

Classes IPC  ?

  • F01K 3/16 - Disposition commune de l'accumulateur et du réchauffeur
  • F01K 3/06 - Emploi d'accumulateurs et de machines motrices d'un type particulier; Leur commande la machine motrice étant du type à soutirage ou sans condensation
  • F01K 7/40 - Emploi de plusieurs réchauffeurs d’eau d’alimentation en série
  • F22D 1/32 - Appareils de chauffage d'eau d'alimentation, p.ex. préchauffeurs disposés pour un chauffage par la vapeur, p.ex. prélevée dans la turbine

87.

MEMBRANE ELECTRODE ASSEMBLY, ELECTROCHEMICAL CELL, STACK, ELECTROLYZER, AND MANUFACTURING METHOD OF MEMBRANE ELECTRODE ASSEMBLY

      
Numéro d'application 18459630
Statut En instance
Date de dépôt 2023-09-01
Date de la première publication 2024-04-11
Propriétaire
  • KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
  • TOSHIBA ENERGY SYSTEMS & SOLUTIONS CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Nakano, Yoshihiko
  • Yoshinaga, Norihiro

Abrégé

A membrane electrode assembly according to an embodiment includes a first diffusion layer; a second diffusion layer; an electrolyte membrane provided between the first diffusion layer and the second diffusion layer; a first catalyst layer provided between the first diffusion layer and the electrolyte membrane; and a second catalyst layer provided between the second diffusion layer and the electrolyte membrane, wherein the first diffusion layer includes a first surface facing the first catalyst layer, and the first surface includes a chamfered portion, and a second surface provided on an opposing side of the first surface, and the second surface includes a protrusion protruding from the side of the first surface toward the side of the second surface.

Classes IPC  ?

  • C25B 9/19 - Cellules comprenant des électrodes fixes de dimensions stables; Assemblages de leurs éléments de structure avec des diaphragmes
  • C25B 1/02 - Hydrogène ou oxygène
  • C25B 11/032 - PROCÉDÉS ÉLECTROLYTIQUES OU ÉLECTROPHORÉTIQUES POUR LA PRODUCTION DE COMPOSÉS ORGANIQUES OU MINÉRAUX, OU DE NON-MÉTAUX; APPAREILLAGES À CET EFFET Électrodes; Leur fabrication non prévue ailleurs caractérisées par la configuration ou la forme perforées ou foraminées Électrodes poreuses Électrodes à diffusion de gaz
  • C25B 11/056 - PROCÉDÉS ÉLECTROLYTIQUES OU ÉLECTROPHORÉTIQUES POUR LA PRODUCTION DE COMPOSÉS ORGANIQUES OU MINÉRAUX, OU DE NON-MÉTAUX; APPAREILLAGES À CET EFFET Électrodes; Leur fabrication non prévue ailleurs caractérisées par le matériau Électrodes comportant des électro-catalyseurs sur un substrat ou un support caractérisées par le matériau du substrat ou du support constitué d'une matière textile ou non tissée
  • C25B 11/063 - Métal valve, c. à d. dont l’oxyde est semi-conducteur, p.ex. titane
  • C25B 11/089 - Alliages

88.

POWER CONVERSION DEVICE AND CONTROL METHOD FOR POWER CONVERSION DEVICE

      
Numéro d'application 18032777
Statut En instance
Date de dépôt 2021-10-20
Date de la première publication 2024-04-11
Propriétaire
  • KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
  • TOSHIBA INFRASTRUCTURE SYSTEMS & SOLUTIONS CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Fujita, Tsunehito
  • Baba, Toshiyuki
  • Nozaki, Yuichiro
  • Suzuki, Hiroomi

Abrégé

A power conversion device according to an embodiment includes: a voltage regulator circuit configured to regulate power from a power source to a desired voltage; an inverter configured to convert the power output from the voltage regulator circuit into an alternate current power; a resonant circuit having inductance and capacitance; a high frequency transformer configured to convert the alternate current power of the inverter; a rectifier configured to convert the alternate current power output from the high frequency transformer into a direct current power; a temperature detector configured to detect a temperature of the resonant circuit; and a controller configured to detect an anomalous resonant frequency when the temperature is equal to or higher than a predetermined temperature threshold to control an anomalous state.

Classes IPC  ?

  • H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
  • H02M 1/32 - Moyens pour protéger les convertisseurs autrement que par mise hors circuit automatique
  • H02M 1/36 - Moyens pour mettre en marche ou arrêter les convertisseurs
  • H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
  • H02M 7/48 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande

89.

INSPECTION APPARATUS AND INSPECTION SYSTEM

      
Numéro d'application 18357513
Statut En instance
Date de dépôt 2023-07-24
Date de la première publication 2024-04-04
Propriétaire
  • KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
  • TOSHIBA ENERGY SYSTEMS & SOLUTIONS CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Yuminamochi, Mitsunori
  • Matsuzaki, Akihiro
  • Saito, Masaoki
  • Katayama, Hitoshi
  • Sato, Fumio
  • Nozaki, Dai

Abrégé

An inspection apparatus of an embodiment includes a rotor image-pickup unit for picking up an image of a rotor using a rotor image-pickup device in the air gap between the rotor and a stator. The rotor image-pickup device includes: a carriage casing; a camera; an image-pickup position changing part; and an image-pickup direction changing part. The camera is installed in the carriage casing, and picks up an image of a ventilation hole of the rotor in the air gap. The image-pickup position changing part is installed in the carriage casing, and changes an image-pickup position of the camera by moving the carriage casing in a circumferential direction of the rotor in the air gap. The image-pickup direction changing part is installed in the carriage casing, and changes an image-pickup direction of the camera to an inclined angle to a radial direction of the rotor in the air gap.

Classes IPC  ?

  • H04N 23/50 - Caméras ou modules de caméras comprenant des capteurs d'images électroniques; Leur commande - Détails de structure
  • H04N 23/66 - Commande à distance de caméras ou de parties de caméra, p. ex. par des dispositifs de commande à distance
  • H04N 23/695 - Commande de la direction de la caméra pour modifier le champ de vision, p. ex. par un panoramique, une inclinaison ou en fonction du suivi des objets

90.

SEMICONDUCTOR SWITCH

      
Numéro d'application 18456031
Statut En instance
Date de dépôt 2023-08-25
Date de la première publication 2024-04-04
Propriétaire
  • Kabushiki Kaisha Toshiba (Japon)
  • Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (Japon)
Inventeur(s) Tsunetsugu, Yukio

Abrégé

According to the present embodiment, a semiconductor switch includes a switching transistor, a transmission element, a receiving element, and a power supply circuit. The switching transistor is connected between a pair of output terminals. An input signal is input to the transmission element. The receiving element is configured to generate a first current based on input of an input signal to the transmission element, wherein the receiving element is isolated from the transmission element. The power supply circuit is configured to supply a power supply current to a control electrode of the switching transistor in response to generation of the first current.

Classes IPC  ?

  • H03K 17/082 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension par réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande

91.

ELECTRODE FOR ELECTROCHEMICAL REACTION DEVICE, MEMBRANE ELECTRODE ASSEMBLY, AND ELECTROCHEMICAL REACTION DEVICE

      
Numéro d'application 18461112
Statut En instance
Date de dépôt 2023-09-05
Date de la première publication 2024-04-04
Propriétaire
  • KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
  • TOSHIBA ENERGY SYSTEMS & SOLUTIONS CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Sugano, Yoshitsune
  • Ono, Akihiko
  • Yoshinaga, Norihiro

Abrégé

An electrode for electrochemical reaction device of an embodiment includes: a substrate; and a catalyst lamination provided on the substrate, and having a plurality of catalyst layers, and void layers respectively arranged between the plurality of catalyst layers adjacent to each other. The plurality of catalyst layers include a first catalyst layer arranged at a position close to the substrate and having a first thickness, and a second catalyst layer arranged at a position separated from the substrate and having a second thickness that is smaller than the first thickness.

Classes IPC  ?

  • C25B 11/053 - PROCÉDÉS ÉLECTROLYTIQUES OU ÉLECTROPHORÉTIQUES POUR LA PRODUCTION DE COMPOSÉS ORGANIQUES OU MINÉRAUX, OU DE NON-MÉTAUX; APPAREILLAGES À CET EFFET Électrodes; Leur fabrication non prévue ailleurs caractérisées par le matériau Électrodes comportant des électro-catalyseurs sur un substrat ou un support Électrodes comportant un substrat et un ou plusieurs revêtements électro-catalytiques caractérisées par des revêtements électro-catalytiques multicouches

92.

ELECTROSPINNING APPARATUS AND ELECTROSPINNING METHOD

      
Numéro d'application 18462649
Statut En instance
Date de dépôt 2023-09-07
Date de la première publication 2024-04-04
Propriétaire KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
Inventeur(s)
  • Sugimoto, Kanta
  • Ooshiro, Kenichi
  • Tokuno, Yoko
  • Uchida, Kenya

Abrégé

In an embodiment, an electrospinning apparatus includes a transfer unit, a spinning head and an air ejection unit. In the transfer unit, a transfer target is transferred along a transfer direction, and a spinning head is capable of ejecting a material liquid toward the transfer unit from a first direction, which intersects the transfer direction. The air ejection unit forms an air flow that flows across the transfer unit toward an area located on an opposite side across the transfer unit in a second direction, which intersects both the transfer direction and the first direction, by ejecting air against the transfer unit from one side of the second direction.

Classes IPC  ?

  • D01D 5/00 - Formation des filaments, fils ou similaires

93.

ROTARY ELECTRIC MACHINE, MOTOR, ROTOR, AND PERMANENT MAGNET MOTOR

      
Numéro d'application 18479658
Statut En instance
Date de dépôt 2023-10-02
Date de la première publication 2024-04-04
Propriétaire KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
Inventeur(s)
  • Kinoshita, Eri
  • Hadame, Yasuaki
  • Hagiwara, Masaya
  • Matsuoka, Kei

Abrégé

According to one embodiment, a rotary electric machine includes a rotor and a stator. The rotor includes a rotary shaft, a first core, a permanent magnet, and an intermediate member. The rotary shaft extends in a first direction. The first core is provided around the rotary shaft in a first plane perpendicular to the first direction. The permanent magnet is provided around the first core in the first plane. The intermediate member is provided between the rotary shaft and the first core. The intermediate member includes a first portion containing a carbon fiber, and a second portion aligned with the first portion in the first direction and containing a metal. The stator is provided around the rotor in the first plane.

Classes IPC  ?

  • H02K 1/276 - Aimants encastrés dans le noyau magnétique, p.ex. aimants permanents internes [IPM]
  • H02K 1/02 - MACHINES DYNAMO-ÉLECTRIQUES - Détails du circuit magnétique caractérisés par le matériau magnétique

94.

ELECTROLYTIC DEVICE

      
Numéro d'application 18178029
Statut En instance
Date de dépôt 2023-03-03
Date de la première publication 2024-04-04
Propriétaire KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
Inventeur(s)
  • Ono, Akihiko
  • Kiyota, Yasuhiro
  • Mikoshiba, Satoshi
  • Kitagawa, Ryota

Abrégé

An electrolytic device includes: a humidifier to humidify a cathode gas; a cathode discharge flow path through which a cathode fluid flows; an anode collector to separate an anode fluid into an anode discharge liquid and an anode exhaust gas; a first cooler to cool the anode exhaust gas to condense water vapor in the anode exhaust gas to produce a anode condensed water; a first flow path connecting the anode collector and an anode supply flow path, the first flow path through which the anode solution flows from the anode collector to the anode supply flow path; a second flow path through which the anode condensed water flows from the condensed water collector to the humidifier; and a first heat exchange structure to exchange heat between the anode solution through the first flow path and the anode condensed water through the second flow path.

Classes IPC  ?

  • C25B 15/08 - Alimentation ou vidange des réactifs ou des électrolytes; Régénération des électrolytes
  • C25B 1/04 - Hydrogène ou oxygène par électrolyse de l'eau
  • C25B 3/26 - Réduction du dioxyde de carbone
  • C25B 9/67 - Moyens de chauffage ou de refroidissement

95.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18180657
Statut En instance
Date de dépôt 2023-03-08
Date de la première publication 2024-04-04
Propriétaire
  • KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
  • Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (Japon)
Inventeur(s)
  • Yasuzumi, Takenori
  • Hung, Hung

Abrégé

According to one embodiment, a semiconductor device includes: a first nitride semiconductor layer provided on a substrate; a second nitride semiconductor layer provided on the first nitride semiconductor layer and having a band gap wider than that of the first nitride semiconductor layer; a source electrode and a drain electrode, being provided on the second nitride semiconductor layer separately from each other; a gate electrode provided on the second nitride semiconductor layer and arranged between the source electrode and the drain electrode; a first field plate electrode provided on the second nitride semiconductor layer, arranged between the gate electrode and the drain electrode, and electrically coupled to the source electrode; and a second field plate electrode provided on the first field plate electrode and formed to project toward the gate electrode.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/40 - Electrodes
  • H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
  • H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT

96.

Magnetic disk drive and method of setting a notch filter of the drive

      
Numéro d'application 18184567
Numéro de brevet 11990153
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-03-15
Date de la première publication 2024-04-04
Date d'octroi 2024-05-21
Propriétaire
  • KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
  • TOSHIBA ELECTRONIC DEVICES & STORAGE CORPORATION (Japon)
Inventeur(s) Matsuzawa, Takuji

Abrégé

According to one embodiment, a magnetic disk drive includes a notch filter, a parameter storage unit and a computation unit, when the sampling period changes from a first sampling period to a second sampling period, the computation unit computes a damping ratio parameter related to the damping ratio in a second set of parameters at the second sampling period, based on a first absolute value at a first angular frequency of a first transfer function computed from a first set of parameters at the first sampling period and a second absolute value at the first angular frequency of a second transfer function computed from the first set of parameters at the second sampling period, and the notch filter is set with the second set of parameters at the second sampling period is computed.

Classes IPC  ?

  • G11B 20/10 - Enregistrement ou reproduction numériques
  • G11B 5/596 - Disposition ou montage des têtes par rapport aux supports d'enregistrement comportant des dispositions pour déplacer la tête dans le but de maintenir l'alignement relatif de la tête et du support d'enregistrement pendant l'opération de transduction, p.ex. pour compenser les irrégularités de surface ou pour suivre les pistes pour suivre les pistes d'un disque
  • G11B 19/20 - Entraînement; Démarrage; Arrêt; Commande correspondante

97.

SENSOR DEVICE

      
Numéro d'application 18180943
Statut En instance
Date de dépôt 2023-03-09
Date de la première publication 2024-04-04
Propriétaire Kabushiki Kaisha Toshiba (Japon)
Inventeur(s)
  • Saito, Tatsuro
  • Yamada, Ko
  • Sugizaki, Yoshiaki
  • Tabata, Miyuki
  • Miyahara, Yuji

Abrégé

According to one embodiment, a sensor device is a sensor device that detects an acetyl compound in a sample and includes a storage unit that stores a sample, a sensor section that comes into contact with the sample in the storage unit and detects a change in ion density, and an amino compound fixed to the sensor section.

Classes IPC  ?

  • G01N 27/407 - Cellules et sondes avec des électrolytes solides pour la recherche ou l'analyse de gaz
  • B01L 3/00 - Récipients ou ustensiles pour laboratoires, p.ex. verrerie de laboratoire; Compte-gouttes

98.

CHEMICAL SENSOR USING STRAND EXCHANGE REACTION

      
Numéro d'application 18184086
Statut En instance
Date de dépôt 2023-03-15
Date de la première publication 2024-04-04
Propriétaire KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
Inventeur(s)
  • Sugizaki, Yoshiaki
  • Miki, Hiroko

Abrégé

According to one embodiment, a chemical sensor including a nucleic acid probe for capturing a target substance, a sensor element that has a surface on which the nucleic acid probe is immobilized, and a liquid film that covers the sensor element is provided.

Classes IPC  ?

  • C12Q 1/6825 - Détecteurs faisant intervenir la détection d’acides nucléiques
  • C12Q 1/6876 - Produits d’acides nucléiques utilisés dans l’analyse d’acides nucléiques, p.ex. amorces ou sondes

99.

MAGNETIC DISK DEVICE AND HEAD CONTROL METHOD

      
Numéro d'application 18184237
Statut En instance
Date de dépôt 2023-03-15
Date de la première publication 2024-04-04
Propriétaire
  • Kabushiki Kaisha Toshiba (Japon)
  • Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (Japon)
Inventeur(s) Hara, Takeyori

Abrégé

According to one embodiment, a magnetic disk device comprises a feedforward control unit, which includes a plant model processing unit including a plurality of submodel processing units. Each of the submodel processing units generates a submodel output value that is an output value for an input value to be input, and the feedforward control unit generates the output value based on a plurality of the submodel output values.

Classes IPC  ?

  • G11B 21/02 - Entraînement ou déplacement des têtes

100.

AMMONIA MANUFACTURING APPARATUS AND AMMONIA MANUFACTURING METHOD

      
Numéro d'application 18184881
Statut En instance
Date de dépôt 2023-03-16
Date de la première publication 2024-04-04
Propriétaire
  • KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA (Japon)
  • The University of Tokyo (Japon)
Inventeur(s)
  • Tamura, Jun
  • Kitagawa, Ryota
  • Mizuguchi, Koji
  • Sugano, Yoshitsune
  • Nishibayashi, Yoshiaki
  • Arashiba, Kazuya

Abrégé

An ammonia manufacturing apparatus of an embodiment includes: an electrochemical reaction cell including: a first reaction tank in which a reduction electrode is arranged and gaseous nitrogen is supplied; a second reaction tank in which an oxidation electrode is arranged and an electrolytic solution containing water or water vapor is supplied; and a diaphragm provided between the first reaction tank and the second reaction tank. In the ammonia manufacturing apparatus of the embodiment, the reduction electrode includes a reduction catalyst that reduces nitrogen to produce ammonia, a porous carbon material that supports the reduction catalyst, and an organic polymer material that binds the porous carbon material. The porous carbon material has pores with a BET average pore size of 1 nm or more and 15 nm or less.

Classes IPC  ?

  • C25B 1/27 - Ammoniaque
  • B01J 23/28 - Molybdène
  • B01J 31/18 - Catalyseurs contenant des hydrures, des complexes de coordination ou des composés organiques contenant des complexes de coordination contenant de l'azote, du phosphore, de l'arsenic ou de l'antimoine
  • C01C 1/04 - Préparation d'ammoniac par synthèse
  • C25B 1/50 - Procédés
  • C25B 9/19 - Cellules comprenant des électrodes fixes de dimensions stables; Assemblages de leurs éléments de structure avec des diaphragmes
  • C25B 9/70 - Assemblages comprenant plusieurs cellules
  • C25B 11/031 - PROCÉDÉS ÉLECTROLYTIQUES OU ÉLECTROPHORÉTIQUES POUR LA PRODUCTION DE COMPOSÉS ORGANIQUES OU MINÉRAUX, OU DE NON-MÉTAUX; APPAREILLAGES À CET EFFET Électrodes; Leur fabrication non prévue ailleurs caractérisées par la configuration ou la forme perforées ou foraminées Électrodes poreuses
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