Nuvoton Technology Corporation Japan

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2024 octobre 4
2024 septembre 5
2024 août 7
2024 juillet 3
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Classe IPC
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée 25
G01S 17/894 - Imagerie 3D avec mesure simultanée du temps de vol sur une matrice 2D de pixels récepteurs, p.ex. caméras à temps de vol ou lidar flash 20
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région active; Matériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p.ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p.ex. laser AlGaAs 20
G01S 17/10 - Systèmes déterminant les données relatives à la position d'une cible pour mesurer la distance uniquement utilisant la transmission d'ondes à modulation d'impulsion interrompues 18
H01S 5/22 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique ayant une structure à nervures ou à bandes 17
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Statut
En Instance 95
Enregistré / En vigueur 154
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1.

HYDROGEN DETECTION METHOD, DRIVE CIRCUIT, AND HYDROGEN DETECTION DEVICE

      
Numéro d'application 18766297
Statut En instance
Date de dépôt 2024-07-08
Date de la première publication 2024-10-31
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s)
  • Katayama, Koji
  • Homma, Kazunari
  • Kawai, Ken

Abrégé

A hydrogen detection method is a method performed using a hydrogen sensor that includes: a metal oxide layer; a second electrode that is in surface contact with the metal oxide layer; a first terminal connected to the second electrode; and a second terminal connected to the second electrode. The hydrogen detection method includes: applying a first voltage pulse between the first terminal and the second terminal to cause a chemical reaction of the metal oxide layer to hydrogen; and applying a second voltage pulse between the first terminal and the second terminal after the applying of the first voltage pulse, to detect a change in resistance between the first terminal and the second terminal. The amplitude of the second voltage pulse is smaller than the amplitude of the first voltage pulse.

Classes IPC  ?

  • G01N 27/04 - Recherche ou analyse des matériaux par l'emploi de moyens électriques, électrochimiques ou magnétiques en recherchant l'impédance en recherchant la résistance
  • G01N 33/00 - Recherche ou analyse des matériaux par des méthodes spécifiques non couvertes par les groupes

2.

STORAGE BATTERY CAPACITY ESTIMATION DEVICE AND SYSTEM

      
Numéro d'application 18750798
Statut En instance
Date de dépôt 2024-06-21
Date de la première publication 2024-10-17
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s) Matsuki, Toshio

Abrégé

An estimation device includes a measurement data storage storing measurement data items including: the first smoothed voltage value of a storage battery, a smoothed voltage change amount obtained by subtracting the first smoothed voltage value from the second smoothed voltage value of the storage battery, and a smoothed current value measured in synchronization with measurement of the first smoothed voltage value or the second smoothed voltage value, estimates an accumulated charge change amount using a trained estimation model that receives a first smoothed voltage value in a predetermined voltage range, a smoothed voltage change amount, and a smoothed current value, updates the trained estimation model using, as correct answer data, an accumulated charge change amount obtained by integrating current values measured during obtainment of the smoothed voltage change amount, and calculates the total sum of estimated accumulated charge change amounts in the predetermined voltage range to obtain the battery status.

Classes IPC  ?

  • G01R 31/388 - Détermination de la capacité ampère-heure ou de l’état de charge faisant intervenir des mesures de tension
  • G01R 31/36 - Dispositions pour le test, la mesure ou la surveillance de l’état électrique d’accumulateurs ou de batteries, p.ex. de la capacité ou de l’état de charge
  • G01R 31/367 - Logiciels à cet effet, p.ex. pour le test des batteries en utilisant une modélisation ou des tables de correspondance
  • G01R 31/392 - Détermination du vieillissement ou de la dégradation de la batterie, p.ex. état de santé
  • H01M 10/44 - Méthodes pour charger ou décharger

3.

IMPEDANCE MEASUREMENT DEVICE

      
Numéro d'application 18745445
Statut En instance
Date de dépôt 2024-06-17
Date de la première publication 2024-10-10
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s)
  • Mihashi, Tetsuya
  • Ishii, Takuya

Abrégé

An impedance measurement device includes: a switching circuit that forms a loop circuit together with a battery; a current measurer connected to a path connecting the battery and the switching circuit; and a voltage measurement device connected to both ends of the battery, in which the switching circuit generates a current flowing intermittently through the loop circuit from the battery, and the impedance measurement device: changes a time during which the current flows intermittently and a time during which the current does not flow to sweep a frequency of an alternating current from the battery; and measures the alternating current using the current measurer and measures an alternating current voltage of the battery using the voltage measurement device to derive an alternating current impedance of the battery.

Classes IPC  ?

  • G01R 31/389 - Mesure de l’impédance interne, de la conductance interne ou des variables similaires
  • G01R 31/3842 - Dispositions pour la surveillance de variables des batteries ou des accumulateurs, p.ex. état de charge combinant des mesures de tension et de courant

4.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18699821
Statut En instance
Date de dépôt 2023-02-10
Date de la première publication 2024-10-03
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s)
  • Nakamura, Hironao
  • Okawa, Ryosuke
  • Yasuda, Eiji

Abrégé

A semiconductor device includes a vertical field-effect transistor including: a first gate trench and a second gate trench extending in a first direction, the second gate trench being deeper than the first trench; a first gate insulating film and a first gate conductor inside the first gate trench; and a second gate insulating film and a second gate conductor inside the second gate trench. The first gate conductor and the second gate conductor have the same potential. When a total number of first gate trenches is denoted by n, a total number of second gate trenches is at least 2 and at most n +1. In a second direction orthogonal to the first direction, the second gate trench is disposed at each of farthest ends of a region in which the first gate trenches and the second gate trenches are disposed.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/08 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter

5.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND LASER MARKING METHOD

      
Numéro d'application 18567317
Statut En instance
Date de dépôt 2022-07-06
Date de la première publication 2024-10-03
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s)
  • Masuzawa, Kosuke
  • Yoshida, Hiroshi

Abrégé

A semiconductor device that is a facedown mountable, chip-size-package type semiconductor device, the semiconductor device including: a semiconductor substrate; and a metal layer that is disposed on the semiconductor substrate and is exposed to outside. One or more marks are provided on an exposed surface of the metal layer. The one or more marks each include an outline portion defining an outline of the mark, and a central portion located inward of the outline portion. In a plan view of the exposed surface of the metal layer, the outline portion has a color different from at least one of a color of the central portion or a color of a base portion that is a portion of the exposed surface of the metal layer on which the one or more marks are not provided.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/544 - Marques appliquées sur le dispositif semi-conducteur, p.ex. marques de repérage, schémas de test
  • B23K 26/073 - Détermination de la configuration du spot laser
  • B23K 26/18 - Travail par rayon laser, p.ex. soudage, découpage ou perçage  utilisant des couches absorbantes sur la pièce à travailler, p.ex. afin de marquer ou de protéger
  • B23K 26/40 - Enlèvement de matière en tenant compte des propriétés du matériau à enlever
  • B23K 101/00 - Objets fabriqués par brasage, soudage ou découpage
  • B23K 101/40 - Dispositifs semi-conducteurs
  • G09F 7/16 - Lettres, nombres ou autres symboles, adaptés pour être fixés en permanence à un support

6.

POWER STORAGE PACK, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

      
Numéro d'application 18674329
Statut En instance
Date de dépôt 2024-05-24
Date de la première publication 2024-09-19
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s)
  • Ishida, Toshifumi
  • Yamamoto, Kouki

Abrégé

A power storage pack includes: a power storage cell; a power storage tab; a protection circuit substrate; a semiconductor element; and a metal plate for power storage tab joint that is connected to the semiconductor element on the first main surface of the metal plate for power storage tab joint and that includes a portion whose thickness is at most 0.2 mm. The metal plate for power storage tab joint is joined to the power storage tab on the second main surface of the metal plate for power storage tab joint to include an overlap portion in which the power storage tab, the metal plate for power storage tab joint, the semiconductor element, and the protection circuit substrate overlap each other; and there is a portion in which a region that may be the conduction path between the power storage tab and the protection circuit substrate overlaps the overlap portion.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/495 - Cadres conducteurs
  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

7.

MOTOR DRIVING DEVICE

      
Numéro d'application 18658498
Statut En instance
Date de dépôt 2024-05-08
Date de la première publication 2024-09-12
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s)
  • Fukuda, Daisuke
  • Emura, Noriaki

Abrégé

A motor driving device includes: a rotor position detector that detects a rotor position of the motor; a first waveform generator that generates a first reference waveform based on the rotor position; a second waveform generator that generates a second reference waveform based on the rotor position, the second reference waveform being different from the first reference waveform; a waveform outputter that outputs, as an output waveform, the first reference waveform, the second reference waveform, or a composite waveform of the first reference waveform and the second reference waveform, based on the torque command value; and a current supplier that supplies, to the motor, a motor current generated based on the output waveform. In the motor driving device, the waveform outputter changes a composite ratio between the first reference waveform and the second reference waveform in the composite waveform, according to the torque command value.

Classes IPC  ?

  • H02P 6/17 - Dispositions de circuits pour détecter la position et pour l’obtention d’informations sur la vitesse
  • H02P 6/08 - Dispositions pour commander la vitesse ou le couple d'un seul moteur
  • H02P 6/28 - Dispositions pour la commande du courant

8.

NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

      
Numéro d'application 18666964
Statut En instance
Date de dépôt 2024-05-17
Date de la première publication 2024-09-12
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s)
  • Inoue, Noboru
  • Yoshida, Shinji

Abrégé

A nitride-based semiconductor light-emitting element includes: a substrate that is an example of a n-type nitride-based semiconductor including a group IV n-type impurity; and an n-side electrode in contact with the substrate. The substrate includes: a surface layer region in contact with the n-side electrode and including a halogen element; and an internal region located across the surface layer region from the n-side electrode. A peak concentration of the group IV n-type impurity in the surface layer region is at least 1.0×1021 cm−3. A peak concentration of the halogen element in the surface layer region is at least 10% of the peak concentration of the group IV n-type impurity in the surface layer region. A concentration of the group IV n-type impurity in the internal region is lower than a concentration of the group IV n-type impurity in the surface layer region.

Classes IPC  ?

  • H01L 33/02 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs
  • H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
  • H01L 33/20 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
  • H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
  • H01S 5/042 - Excitation électrique
  • H01S 5/343 - Structure ou forme de la région active; Matériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p.ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p.ex. laser AlGaAs

9.

ARTIFICIAL INTELLIGENCE PROCESSING DEVICE AND TRAINING INFERENCE METHOD FOR ARTIFICIAL INTELLIGENCE PROCESSING DEVICE

      
Numéro d'application 18670281
Statut En instance
Date de dépôt 2024-05-21
Date de la première publication 2024-09-12
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s)
  • Yasuhara, Ryutaro
  • Fujii, Satoru
  • Muraoka, Shunsaku

Abrégé

An artificial intelligence processing device includes: a first variable-resistance nonvolatile storage element and a second variable-resistance nonvolatile storage element having different properties and provided on a single substrate. When successive applications of a voltage pulse with a same polarity and a same voltage are made, a proportion of an amount of change in conductance caused by a second application of the voltage pulse relative to an amount of change in conductance caused by a first application of the voltage pulse in the first variable-resistance nonvolatile storage element is less than a proportion of an amount of change in conductance caused by a second application of the voltage pulse relative to an amount of change in conductance caused by a first application of the voltage pulse in the second variable-resistance nonvolatile storage element.

Classes IPC  ?

  • G11C 27/00 - Mémoires analogiques électriques, p.ex. pour emmagasiner des valeurs instantanées
  • G06F 7/50 - Addition; Soustraction
  • G06F 7/523 - Multiplication uniquement
  • G06N 3/092 - Apprentissage par renforcement
  • H10B 63/00 - Dispositifs de mémoire par changement de résistance, p.ex. dispositifs RAM résistifs [ReRAM]

10.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD

      
Numéro d'application 18670302
Statut En instance
Date de dépôt 2024-05-21
Date de la première publication 2024-09-12
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s) Mototani, Atsushi

Abrégé

A semiconductor memory device includes memory cells, a first power supply line, a second power supply line, a first transistor and a second transistor that are connected in parallel between the first power supply line and the second power supply line, and a control circuit. In accordance with a first signal for switching between a first mode and a second mode, the control circuit (i) switches off the first transistor and the second transistor in the period of the second mode and (ii) switches on the first transistor when switching from the second mode to the first mode is performed and switches on the second transistor after the first transistor is switched on, the first mode being a mode for supplying the power supply voltage to the memory cells, the second mode being a mode for not supplying the power supply voltage to memory cells.

Classes IPC  ?

11.

MOTOR DRIVING DEVICE

      
Numéro d'application 18656083
Statut En instance
Date de dépôt 2024-05-06
Date de la première publication 2024-08-29
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s)
  • Fukuda, Daisuke
  • Ishii, Takuya
  • Kawanishi, Toru
  • Takahashi, Masahiro

Abrégé

A motor driving device includes: a series circuit of a Zener diode and a detection resistor, connected between a gate terminal and a ground of a first high-side transistor; a comparator that compares a voltage of the detection resistor with a reference voltage; a first driving transistor that short-circuits between the gate and source terminals of the first high-side transistor, using a detection signal output by the comparator; a control circuit; and an OR circuit that puts the first driving transistor into an open state regardless of a drive signal from the control circuit. The motor driving device puts the first high-side transistor into a conducting state when a power supply voltage increases and the gate terminal of the first high-side transistor reaches or exceeds a predetermined voltage, to inhibit an increase in the power supply voltage.

Classes IPC  ?

  • H03K 17/0812 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension sans réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande par des dispositions prises dans le circuit de commande
  • H03K 17/30 - Modifications pour fournir un seuil prédéterminé avant commutation

12.

MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18658471
Statut En instance
Date de dépôt 2024-05-08
Date de la première publication 2024-08-29
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s)
  • Tsutsumida, Kazumi
  • Jokyu, Katsuyoshi
  • Murayama, Keiichi

Abrégé

A semiconductor device manufacturing method includes: forming a first groove having depth H in a semiconductor layer; filling the first groove with an oxide film and forming a surface oxide film having thickness a on an upper surface of the semiconductor layer to equalize the oxide film and the surface oxide film in height; forming a second groove having depth h greater than thickness a, from an uppermost surface of a third oxide film; forming gate trenches deeper than depth H, in the semiconductor layer; depositing polysilicon until at least the gate trenches and the second groove are filled with polysilicon; A semiconductor device manufacturing method includes: forming a first groove having depth H in a semiconductor layer; filling the first groove with an oxide film and forming a surface oxide film having thickness a on an upper surface of the semiconductor layer to equalize the oxide film and the surface oxide film in height; forming a second groove having depth h greater than thickness a, from an uppermost surface of a third oxide film; forming gate trenches deeper than depth H, in the semiconductor layer; depositing polysilicon until at least the gate trenches and the second groove are filled with polysilicon; forming a peripheral element by injecting an impurity into polysilicon deposited in the second groove; and making a thickness of the peripheral element equal to depth h by concurrently removing polysilicon deposited in the gate trenches and polysilicon deposited in the second groove until they become equal in height.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/866 - Diodes Zener

13.

SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT, LIGHT-EMITTING MODULE, AND METHOD FOR MANUFACTURING LIGHT-EMITTING MODULE

      
Numéro d'application 18653508
Statut En instance
Date de dépôt 2024-05-02
Date de la première publication 2024-08-22
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s)
  • Nakazawa, Shuichi
  • Hiroki, Masanori
  • Hayashi, Shigeo

Abrégé

A semiconductor light-emitting element includes: a semiconductor stack; a contact electrode disposed above the semiconductor stack; and a pad layer disposed above the contact electrode and containing Au. The pad layer includes a first layer disposed above a region in which the pad layer and the contact electrode are in contact with each other, and a second layer disposed above the first layer and in contact with the first layer. In a direction parallel to a principal surface of the contact electrode, a mean grain size of Au in the second layer is larger than a mean grain size of Au in the first layer.

Classes IPC  ?

  • H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
  • H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails

14.

HYDROGEN DETECTION DEVICE AND CONTROL METHOD FOR HYDROGEN DETECTION DEVICE

      
Numéro d'application 18604130
Statut En instance
Date de dépôt 2024-03-13
Date de la première publication 2024-08-15
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s)
  • Kawai, Ken
  • Homma, Kazunari
  • Katayama, Koji

Abrégé

A hydrogen detection device includes a hydrogen sensor and a detection circuit, wherein the hydrogen sensor includes: a first electrode; a second electrode; a metal oxide layer; a first insulating film (insulating film); a first terminal and a second terminal that are connected, through a via, to an other surface of the second electrode opposite a principal surface of the second electrode; and a third terminal connected, through a via, to an other surface of the first electrode opposite a principal surface of the first electrode, and the detection circuit includes: an ammeter that measures (1) a first resistance value between the first terminal and the second terminal and (2) a second resistance value between the third terminal and at least one of the first terminal or the second terminal; and a control circuit that selectively outputs one of the first resistance value or the second resistance value.

Classes IPC  ?

  • G01N 27/12 - Recherche ou analyse des matériaux par l'emploi de moyens électriques, électrochimiques ou magnétiques en recherchant l'impédance en recherchant la résistance d'un corps solide dépendant de la réaction avec un fluide
  • G01N 33/00 - Recherche ou analyse des matériaux par des méthodes spécifiques non couvertes par les groupes

15.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18687233
Statut En instance
Date de dépôt 2023-02-15
Date de la première publication 2024-08-15
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s)
  • Kanda, Yusuke
  • Yagi, Tatsuya
  • Shimizu, Jun

Abrégé

A semiconductor device includes: a substrate; a buffer layer; an intermediate layer; an electron transport layer; an electron supply layer; a source electrode and a drain electrode; and a gate electrode. The intermediate layer includes a stack resulting from stacking a first intermediate layer and a second intermediate layer. The second intermediate layer is provided above the first intermediate layer. A first position that is 100 nm above a lower surface of the intermediate layer is in the first intermediate layer. A second position that is 100 nm below an upper surface of the intermediate layer is in the second intermediate layer. A value obtained by dividing a density of edge screw mixed dislocations with a Burgers vector of <11-23>/3 at the second position by a density of edge screw mixed dislocations with the Burgers vector of <11-23>/3 at the first position is at most 0.66.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
  • H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT

16.

VARIABLE CAPACITANCE ELEMENT

      
Numéro d'application 18291871
Statut En instance
Date de dépôt 2022-07-21
Date de la première publication 2024-08-08
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s)
  • Nishio, Akihiko
  • Takami, Yoshinori

Abrégé

A variable capacitance element includes a substrate, a first semiconductor layer, a two-dimensional electron gas layer, a first electrode including a first terminal, and a second terminal. The two-dimensional electron gas layer below the first electrode functions as a second electrode. The interval between the bottom surface of the first electrode and the top surface of the first semiconductor layer monotonically increases in a first direction from the first electrode toward the second terminal or in a second direction orthogonal to the first direction. A capacitance value between the first electrode and the second electrode changes according to the voltage applied between the first electrode and the second terminal.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
  • H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
  • H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
  • H01L 29/40 - Electrodes

17.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 18578607
Statut En instance
Date de dépôt 2022-07-21
Date de la première publication 2024-08-08
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s) Kanda, Yusuke

Abrégé

A semiconductor device includes: a first nitride semiconductor layer; a second nitride semiconductor layer; a source electrode and a drain electrode; and a gate electrode that is spaced apart from the source electrode and the drain electrode, and is in contact with the second nitride semiconductor layer. The gate electrode includes: a first barrier layer that includes TaN, has a layer thickness of Z1, and forms a Schottky junction with the second nitride semiconductor layer; a second barrier layer that is disposed above and in contact with the first barrier layer, includes TiN or WN, and has a layer thickness of Z2; and a wiring layer disposed above and in contact with the second barrier layer. In the semiconductor device, 200 nm≥Z1+Z2≥50 nm, Z1Z1>3 nm are satisfied.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
  • H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
  • H01L 29/40 - Electrodes
  • H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
  • H01L 29/47 - Electrodes à barrière de Schottky

18.

NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT

      
Numéro d'application 18583573
Statut En instance
Date de dépôt 2024-02-21
Date de la première publication 2024-07-25
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s)
  • Kawaguchi, Yasutoshi
  • Yoshida, Shinji
  • Okaguchi, Takahiro
  • Nakazawa, Shuichi
  • Hayashi, Shigeo
  • Hata, Masayuki

Abrégé

A nitride semiconductor light-emitting element includes: an n-side semiconductor layer; one or more light-emitting layers disposed above the n-side semiconductor layer; a first barrier layer disposed above the one or more light-emitting layers and including Al; a second barrier layer disposed above the first barrier layer and including Al; a p-side guiding layer disposed above the second barrier layer and having an Al composition ratio smaller than an Al composition ratio of the second barrier layer; an electron blocking layer disposed above the p-side guiding layer, including Mg, and having an Al composition ratio larger than the Al composition ratio of the second barrier layer; and a p-side semiconductor layer disposed above the electron blocking layer.

Classes IPC  ?

  • H01L 33/14 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure contrôlant le transport des charges, p.ex. couche semi-conductrice fortement dopée ou structure bloquant le courant
  • H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote

19.

NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT

      
Numéro d'application 18583558
Statut En instance
Date de dépôt 2024-02-21
Date de la première publication 2024-07-25
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s) Takayama, Toru

Abrégé

A nitride semiconductor light-emitting element includes: an N-type first cladding layer; an N-side guide layer; an active layer that includes a well layer and a barrier layer, and has a quantum well structure; a P-side guide layer; and a P-type cladding layer. A band gap energy of the N-side guide layer monotonically increases with increasing distance from the active layer, the N-side guide layer includes a portion in which the band gap energy continuously increases with increasing distance from the active layer, an average band gap energy of the P-side guide layer is larger than or equal to an average band gap energy of the N-side guide layer, and Tn

Classes IPC  ?

  • H01S 5/22 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique ayant une structure à nervures ou à bandes
  • H01S 5/042 - Excitation électrique
  • H01S 5/343 - Structure ou forme de la région active; Matériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p.ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p.ex. laser AlGaAs
  • H01S 5/40 - Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes

20.

VOLTAGE MEASUREMENT DEVICE AND CELL STACK SYSTEM

      
Numéro d'application 18602691
Statut En instance
Date de dépôt 2024-03-12
Date de la première publication 2024-07-04
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s)
  • Hatani, Naohisa
  • Ozeki, Toshiaki
  • Mori, Goro

Abrégé

A voltage measurement device individually detects, in a cell stack of n (n is an integer greater than or equal to two) battery cells connected in series, a voltage of each of the n battery cells, and includes: n+1 resistor elements, first terminals of which are connected to a positive electrode of an upper-end battery cell among the n battery cells, a negative electrode of a lower-end battery cell among the n battery cells, and connection points between the n battery cells; n+1 capacitors, first terminals of which are respectively connected to second terminals of the n+1 resistor elements; and a voltage measurer connected to the second terminals of the n+1 resistor elements. Second terminals of two or more capacitors among the n+1 capacitors are connected to a positive electrode of a k-th battery cell (k is an integer; 1≤k≤n−1) among the n battery cells.

Classes IPC  ?

  • H01M 50/569 - Connexions conductrices de courant pour les cellules ou les batteries - Détails de construction des connexions conductrices de courant pour détecter les conditions à l'intérieur des cellules ou des batteries, p.ex. détails des bornes de détection de tension
  • H01M 10/48 - Accumulateurs combinés à des dispositions pour mesurer, tester ou indiquer l'état des éléments, p.ex. le niveau ou la densité de l'électrolyte
  • H01M 50/51 - Connexion seulement en série

21.

Semiconductor device

      
Numéro d'application 18554141
Numéro de brevet 12051747
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-01-18
Date de la première publication 2024-06-20
Date d'octroi 2024-07-30
Propriétaire NUVOTON TECHNOLOGY CORPORATION JAPAN (Japon)
Inventeur(s)
  • Otsuji, Michiya
  • Nakamura, Hironao
  • Okawa, Ryosuke
  • Yasuda, Eiji

Abrégé

A semiconductor device includes a vertical field-effect transistor including: a low-concentration impurity layer; a body region; a gate trench; a gate insulating film; and a gate conductor. The body region includes: a first body portion containing an active region and has a constant depth; and a second body portion adjacent to the first body portion and includes a zone that has a limited length in a second direction orthogonal to the first direction along the top surface of the low-concentration impurity layer, and has a constant depth at a position shallower than the constant depth of the first body portion. The second body portion includes a portion in which a region having relatively high concentration of an impurity and a region having relatively low concentration of an impurity are alternately and periodically present in the first direction in a cross-sectional view of a plane orthogonal to the second direction.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

22.

HIGH FREQUENCY POWER AMPLIFIVATION DEVICE

      
Numéro d'application 18583589
Statut En instance
Date de dépôt 2024-02-21
Date de la première publication 2024-06-13
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s)
  • Ohhashi, Kazuhiko
  • Kamitani, Masatoshi

Abrégé

A radio-frequency power amplifier device includes: a carrier amplifier semiconductor device and a peak amplifier semiconductor device on a multilayer submount substrate; a bias power supply semiconductor device; second radio-frequency signal wiring that transmits radio-frequency signal to the carrier amplifier semiconductor device and the peak amplifier semiconductor device; and carrier-amplifier bias power supply wiring that is wired in a third wiring layer and supplies a bias power supply voltage. The second radio-frequency signal wiring and the carrier-amplifier bias power supply wiring intersect in a plan view. The radio-frequency power amplifier device includes: a shield pattern that is located in a second wiring layer between a first wiring layer and the third wiring layer; and one or more connection vias disposed in an extension direction of the carrier-amplifier bias power supply wiring. The one or more connection vias are connected to the shield pattern.

Classes IPC  ?

  • H03F 3/24 - Amplificateurs de puissance, p.ex. amplificateurs de classe B, amplificateur de classe C d'étages transmetteurs de sortie
  • H03F 1/02 - Modifications des amplificateurs pour augmenter leur rendement, p.ex. étages classe A à pente glissante, utilisation d'une oscillation auxiliaire
  • H03F 1/26 - Modifications des amplificateurs pour réduire l'influence du bruit provoqué par les éléments amplificateurs

23.

PLL CIRCUIT AND TRANSMISSION SYSTEM

      
Numéro d'application 18441724
Statut En instance
Date de dépôt 2024-02-14
Date de la première publication 2024-06-06
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s)
  • Fujita, Mayuko
  • Shimmyo, Akinori

Abrégé

A phase-locked loop (PLL) circuit generates an output clock signal and includes: a selection circuit that selects one of a plurality of clock signals as a reference clock signal of the PLL circuit; and a control circuit that when a switch is made for the selection of the reference clock signal, temporarily reduces a division ratio used by a frequency divider that generates a feedback clock signal to be compared with the reference clock signal.

Classes IPC  ?

  • H03L 7/099 - Commande automatique de fréquence ou de phase; Synchronisation utilisant un signal de référence qui est appliqué à une boucle verrouillée en fréquence ou en phase - Détails de la boucle verrouillée en phase concernant principalement l'oscillateur commandé de la boucle
  • H03K 5/1252 - Suppression ou limitation du bruit ou des interférences
  • H03L 7/083 - Commande automatique de fréquence ou de phase; Synchronisation utilisant un signal de référence qui est appliqué à une boucle verrouillée en fréquence ou en phase - Détails de la boucle verrouillée en phase le signal de référence étant appliqué additionnellement et directement au générateur

24.

SEMICONDUCTOR LASER DEVICE, SUBMOUNT, SUBMOUNT ASSEMBLY, AND METHOD OF TESTING SEMICONDUCTOR LASER DEVICE

      
Numéro d'application 18435836
Statut En instance
Date de dépôt 2024-02-07
Date de la première publication 2024-05-30
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s)
  • Baba, Yasuo
  • Nishikawa, Tohru

Abrégé

A semiconductor laser device includes: a pedestal; a submount that is joined to the pedestal via solder; and a semiconductor laser that is mounted on the submount. When a view of the submount from a side on which the semiconductor laser is mounted is defined as a top view, in the top view: the solder includes a plurality of protruding portions; and the plurality of protruding portions are provided on the pedestal outside the submount, protrude in directions away from an inside of the submount, and are located at regular intervals on at least a portion of a periphery of the submount.

Classes IPC  ?

  • H01S 5/023 - Supports; Boîtiers Éléments de montage, p.ex. embases
  • H01S 5/02212 - Supports; Boîtiers caractérisés par la forme des boîtiers du type CAN, p.ex. boîtiers TO-CAN avec émission le long ou parallèlement à l’axe de symétrie

25.

HYDROGEN SENSOR

      
Numéro d'application 18409599
Statut En instance
Date de dépôt 2024-01-10
Date de la première publication 2024-05-30
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s)
  • Homma, Kazunari
  • Ito, Satoru
  • Katayama, Koji

Abrégé

A hydrogen sensor includes a first electrode that is a planar electrode; a second electrode that is a planar electrode facing the first electrode and includes an exposed portion to be exposed to a gas containing hydrogen; a metal oxide layer disposed between the two facing surfaces of the first electrode and the second electrode and having the resistance value that is changed by the exposed portion being exposed to the gas; a first terminal, a second terminal, and a heat dissipation portion spaced apart from each other; one or more first vias provided above the second electrode and electrically connected to the first terminal and the second electrode; one or more second vias provided above the second electrode and electrically connected to the second terminal and the second electrode; and one or more third vias above the second electrode and in contact with the heat dissipation portion.

Classes IPC  ?

  • G01N 27/12 - Recherche ou analyse des matériaux par l'emploi de moyens électriques, électrochimiques ou magnétiques en recherchant l'impédance en recherchant la résistance d'un corps solide dépendant de la réaction avec un fluide

26.

DISTANCE MEASURING DEVICE AND DISTANCE MEASUREMENT METHOD

      
Numéro d'application 18419087
Statut En instance
Date de dépôt 2024-01-22
Date de la première publication 2024-05-16
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s)
  • Kanemaru, Masaki
  • Kawai, Yoshinao
  • Hiraoka, Toshiaki

Abrégé

A distance measuring device includes: a light source that emits irradiation light; a solid-state imaging device that generates, for each of pixels, a plurality of packets that hold signal charges generated at different exposure timings for the irradiation light; and a signal processing circuit that calculates a distance value based on the plurality of packets. For each of the pixels, the signal processing circuit: determines presence or absence of stray light using the plurality of packets corresponding to the pixel; when it is determined that there is no stray light, calculates a distance value of the pixel using a first process; and when it is determined that there is stray light, calculates a distance value of the pixel using a second process different from the first process.

Classes IPC  ?

  • G01S 7/481 - Caractéristiques de structure, p.ex. agencements d'éléments optiques
  • G01S 7/4911 - DÉTERMINATION DE LA DIRECTION PAR RADIO; RADIO-NAVIGATION; DÉTERMINATION DE LA DISTANCE OU DE LA VITESSE EN UTILISANT DES ONDES RADIO; LOCALISATION OU DÉTECTION DE LA PRÉSENCE EN UTILISANT LA RÉFLEXION OU LA RERADIATION D'ONDES RADIO; DISPOSITIONS ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES - Détails des systèmes correspondant aux groupes , , de systèmes selon le groupe - Détails des systèmes non pulsés Émetteurs
  • G01S 17/10 - Systèmes déterminant les données relatives à la position d'une cible pour mesurer la distance uniquement utilisant la transmission d'ondes à modulation d'impulsion interrompues
  • G01S 17/32 - Systèmes déterminant les données relatives à la position d'une cible pour mesurer la distance uniquement utilisant la transmission d'ondes continues, soit modulées en amplitude, en fréquence ou en phase, soit non modulées

27.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE

      
Numéro d'application 18526611
Statut En instance
Date de dépôt 2023-12-01
Date de la première publication 2024-05-16
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s)
  • Sumitani, Norihiko
  • Fujinaka, Hiroshi
  • Abe, Yutaka
  • Kito, Takayasu

Abrégé

A solid-state imaging device includes: a plurality of pixel circuits arranged in rows and columns; a plurality of selector circuits that each receive, as inputs, two pixel signals corresponding to two columns different from each other; k column AD conversion circuits that perform AD conversion on pixel signals output from the plurality of selector circuits, k being an integer greater than or equal to two; and m column AD conversion circuits that are provided redundantly. In the solid-state imaging device, the plurality of selector circuits selectively exclude, from among the k column AD conversion circuits and the m column AD conversion circuits, m column AD conversion circuits corresponding to m columns adjacent to each other, and associate k pixel signals output from the plurality of pixel circuits with k column AD conversion circuits which have not been excluded.

Classes IPC  ?

  • H04N 25/68 - Traitement du bruit, p.ex. détection, correction, réduction ou élimination du bruit appliqué aux défauts
  • H04N 25/771 - Circuits de pixels, p.ex. mémoires, convertisseurs A/N, amplificateurs de pixels, circuits communs ou composants communs comprenant des moyens de stockage autres que la diffusion flottante
  • H04N 25/78 - Circuits de lecture pour capteurs adressés, p. ex. amplificateurs de sortie ou convertisseurs A/N

28.

THREE-DIMENSIONAL RANGING MODULE AND THREE-DIMENSIONAL RANGING SYSTEM

      
Numéro d'application 18418055
Statut En instance
Date de dépôt 2024-01-19
Date de la première publication 2024-05-16
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s)
  • Nakano, Shingo
  • Asano, Takuya
  • Hayashi, Shigeo

Abrégé

A three-dimensional ranging module includes: a light source that emits a laser beam; a lens module including: a lens that collects light resulting from the laser beam emitted being reflected off an object; an imaging element that receives the light collected by the lens; and a lens tube surrounding a space between the lens and the imaging element and supporting the lens; and a lens cover positioned between the lens module and the object and transparent to a wavelength range of the laser beam. In a cross section obtained when the lens tube is cut along a plane including an optical axis of the lens, a first surface of the lens tube that faces the object includes a first slope portion sloping away from the lens cover with an increase in distance from the optical axis.

Classes IPC  ?

  • G01S 17/894 - Imagerie 3D avec mesure simultanée du temps de vol sur une matrice 2D de pixels récepteurs, p.ex. caméras à temps de vol ou lidar flash
  • G01S 7/481 - Caractéristiques de structure, p.ex. agencements d'éléments optiques
  • G01S 7/4865 - Mesure du temps de retard, p.ex. mesure du temps de vol ou de l'heure d'arrivée ou détermination de la position exacte d'un pic

29.

OBJECT DETECTION DEVICE AND OBJECT DETECTION METHOD

      
Numéro d'application 18408397
Statut En instance
Date de dépôt 2024-01-09
Date de la première publication 2024-05-02
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s)
  • Okuyama, Tetsuro
  • Kawai, Yoshinao
  • Kanemaru, Masaki

Abrégé

An object detection device includes: a light emitter that emits light; a sensor that generates a first pixel signal by exposure to reflected light according to a combination of emission by the light emitter and first exposure and a second pixel signal by exposure to reflected light according to a combination of the emission and second exposure; and a distance calculator that generates a distance image by ratio operation using the first pixel signal and the second pixel signal. Timing of the first exposure is set to timing during which the sensor is not exposed to reflected waves from an object included in a first section in which a distance from the object detection device is from 0 to a predetermined value. A time difference between the emission and the second exposure is greater than a time difference between the emission and the first exposure.

Classes IPC  ?

  • G01S 17/894 - Imagerie 3D avec mesure simultanée du temps de vol sur une matrice 2D de pixels récepteurs, p.ex. caméras à temps de vol ou lidar flash
  • G01S 7/484 - Emetteurs
  • G01S 17/86 - Combinaisons de systèmes lidar avec des systèmes autres que lidar, radar ou sonar, p.ex. avec des goniomètres
  • H04N 13/207 - Générateurs de signaux d’images utilisant des caméras à images stéréoscopiques utilisant un seul capteur d’images 2D
  • H04N 13/254 - Générateurs de signaux d’images utilisant des caméras à images stéréoscopiques en combinaison avec des sources de rayonnement électromagnétique pour l’éclairage du sujet
  • H04N 23/45 - Caméras ou modules de caméras comprenant des capteurs d'images électroniques; Leur commande pour générer des signaux d'image à partir de plusieurs capteurs d'image de type différent ou fonctionnant dans des modes différents, p. ex. avec un capteur CMOS pour les images en mouvement en combinaison avec un dispositif à couplage de charge [CCD]
  • H04N 23/56 - Caméras ou modules de caméras comprenant des capteurs d'images électroniques; Leur commande munis de moyens d'éclairage
  • H04N 23/73 - Circuits de compensation de la variation de luminosité dans la scène en influençant le temps d'exposition

30.

ANALOG-TO-DIGITAL CONVERSION CIRCUIT AND CURRENT MEASUREMENT CIRCUIT

      
Numéro d'application 18392528
Statut En instance
Date de dépôt 2023-12-21
Date de la première publication 2024-04-18
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s) Kobayashi, Hitoshi

Abrégé

An analog-to-digital conversion circuit includes: a first variable gain amplifier connected to an input terminal; a first AD converter connected to the first variable gain amplifier; a second variable gain amplifier connected to the input terminal; a second AD converter connected to the second variable gain amplifier; a selection circuit to which an output of the first AD converter and an output of the second AD converter are input, and which selects one of the outputs; and a control circuit that controls a gain change period of the first variable gain amplifier and a gain change period of the second variable gain amplifier in a relative manner.

Classes IPC  ?

  • H03M 1/18 - Commande automatique pour modifier la plage des signaux que le convertisseur peut traiter, p.ex. réglage de la plage de gain

31.

DISTANCE MEASUREMENT DEVICE AND DISTANCE MEASUREMENT METHOD

      
Numéro d'application 18392586
Statut En instance
Date de dépôt 2023-12-21
Date de la première publication 2024-04-18
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s) Nagata, Tomohito

Abrégé

A distance measurement device determines, out of pixels, first pixels that are readout targets and second pixels that are not readout targets; performs, on each of the first pixels, exposure operations of n types at different timings where n is an integer of at least 4; and reading out signal charges of n types to n packets in each of vertical transfer portions, the signal charges of the n types being generated through the exposure operations of the n types. Within a region in which the vertical transfer portions are disposed, a first region in which the n packets are created is adjacent to a pixel region in which m pixels are consecutively disposed in a vertical direction where m is an integer of at least 3. The m pixels include at least one of the first pixels and at least one of the second pixels.

Classes IPC  ?

  • G01S 17/10 - Systèmes déterminant les données relatives à la position d'une cible pour mesurer la distance uniquement utilisant la transmission d'ondes à modulation d'impulsion interrompues
  • G01S 7/4914 - Réseaux des détecteurs, p.ex. portes de transfert de charge
  • G01S 17/89 - Systèmes lidar, spécialement adaptés pour des applications spécifiques pour la cartographie ou l'imagerie

32.

NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT

      
Numéro d'application 18392668
Statut En instance
Date de dépôt 2023-12-21
Date de la première publication 2024-04-18
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s)
  • Yoshida, Shinji
  • Kitagawa, Hideo
  • Okaguchi, Takahiro

Abrégé

A nitride semiconductor light-emitting element includes: a nitride semiconductor that has two resonator faces opposed to each other; and a dielectric multilayer film that is layered on at least one resonator face of the two resonator faces. For example, the dielectric multilayer film layered on a resonator face includes a first dielectric film layered on the resonator face and a second dielectric film layered on the first dielectric film. The first dielectric film includes aluminum oxynitride. The second dielectric film includes aluminum oxide. The first dielectric film is a crystalline film. At least one of chemical elements of yttrium or lanthanum is added to the first dielectric film. At least one of chemical elements of yttrium or lanthanum is added to the second dielectric film.

Classes IPC  ?

  • H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
  • H01L 33/16 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure cristalline ou une orientation particulière, p.ex. polycristalline, amorphe ou poreuse
  • H01L 33/44 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet

33.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND IMAGING APPARATUS

      
Numéro d'application 18543731
Statut En instance
Date de dépôt 2023-12-18
Date de la première publication 2024-04-11
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s)
  • Kito, Takayasu
  • Sumitani, Norihiko

Abrégé

A solid-state imaging device includes a plurality of pixel circuits arranged in rows and columns; and a relief unit which includes N signal lines and n pixel circuits among the plurality of pixel circuits, N being an integer greater than or equal to 3, n being an integer less than or equal to N. Each of the n pixel circuits is connected to a group of at least two signal lines out of the N signal lines, and selectively outputs a pixel signal to one of the at least two signal lines included in the group; and n groups corresponding to the n pixel circuits have mutually different combinations of signal lines, the n groups each being the group.

Classes IPC  ?

  • H04N 25/68 - Traitement du bruit, p.ex. détection, correction, réduction ou élimination du bruit appliqué aux défauts
  • H04N 25/77 - Circuits de pixels, p.ex. mémoires, convertisseurs A/N, amplificateurs de pixels, circuits communs ou composants communs

34.

SOLID-STATE IMAGING APPARATUS, IMAGING APPARATUS, AND DISTANCE-MEASURING IMAGING APPARATUS

      
Numéro d'application 18530088
Statut En instance
Date de dépôt 2023-12-05
Date de la première publication 2024-04-11
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s)
  • Ikuma, Makoto
  • Abe, Yutaka
  • Kito, Takayasu

Abrégé

A solid-state imaging apparatus includes a pixel circuit, a detection and selection circuit, and an AD conversion circuit. The pixel circuit outputs a plurality of pixel signals corresponding to mutually different gains or sensitivities. The detection and selection circuit compares one or more of the plurality of pixel signals with a reference value to generate a signal selection signal that instructs selection of a pixel signal among the plurality of pixel signals. The detection and selection circuit includes a sample and hold circuit that holds the plurality of pixel signals, and selects at least one pixel signal among the plurality of pixel signals held in the sample and hold circuit based on the signal selection signal. The detection and selection circuit is arranged in a stage before the AD conversion circuit that AD converts the at least one pixel signal selected.

Classes IPC  ?

  • H04N 25/772 - Circuits de pixels, p.ex. mémoires, convertisseurs A/N, amplificateurs de pixels, circuits communs ou composants communs comprenant des convertisseurs A/N, V/T, V/F, I/T ou I/F
  • H04N 25/57 - Commande de la gamme dynamique

35.

BATTERY ANOMALY DETECTION DEVICE AND BATTERY ANOMALY DETECTION METHOD

      
Numéro d'application 18526679
Statut En instance
Date de dépôt 2023-12-01
Date de la première publication 2024-04-04
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s)
  • Kawabe, Akira
  • Kobayashi, Hitoshi
  • Fujii, Keiichi

Abrégé

A battery anomaly detection device includes: an alternating-current (AC) impedance measurer that measures AC impedance of a battery cell; and an anomaly determiner that determines whether the AC impedance is within a reference range, and when the AC impedance is not within the reference range, determines that the battery cell is an anomalous cell.

Classes IPC  ?

  • G01R 31/389 - Mesure de l’impédance interne, de la conductance interne ou des variables similaires
  • G01R 31/367 - Logiciels à cet effet, p.ex. pour le test des batteries en utilisant une modélisation ou des tables de correspondance
  • H01M 10/42 - Procédés ou dispositions pour assurer le fonctionnement ou l'entretien des éléments secondaires ou des demi-éléments secondaires

36.

OBJECT DETECTING DEVICE, OBJECT DETECTING METHOD, AND RECORDING MEDIUM

      
Numéro d'application 18538638
Statut En instance
Date de dépôt 2023-12-13
Date de la première publication 2024-04-04
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s)
  • Kanemaru, Masaki
  • Okuyama, Tetsuro
  • Kawai, Yoshinao

Abrégé

An object detecting device includes: a first luminance obtainer and a distance obtainer that obtain a first luminance image and a depth image, respectively; a first clustering unit that generates a group that is a set of pixels taken as the same object in the depth image, and determines that the group is a cluster when a total number of pixels included in the group is at least a first threshold; a second clustering unit that determines that the group is a cluster, when (i) the total number of pixels included in the group is less than the first threshold and (ii) luminance of a pixel group in the first luminance image which corresponds to the group is at least a second threshold; and a 3D object detector that generates 3D object information indicating an object in the depth image which is detected based on the cluster.

Classes IPC  ?

  • G06V 20/64 - Objets tridimensionnels
  • G01S 7/48 - DÉTERMINATION DE LA DIRECTION PAR RADIO; RADIO-NAVIGATION; DÉTERMINATION DE LA DISTANCE OU DE LA VITESSE EN UTILISANT DES ONDES RADIO; LOCALISATION OU DÉTECTION DE LA PRÉSENCE EN UTILISANT LA RÉFLEXION OU LA RERADIATION D'ONDES RADIO; DISPOSITIONS ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES - Détails des systèmes correspondant aux groupes , , de systèmes selon le groupe
  • G01S 17/894 - Imagerie 3D avec mesure simultanée du temps de vol sur une matrice 2D de pixels récepteurs, p.ex. caméras à temps de vol ou lidar flash
  • G06V 10/60 - Extraction de caractéristiques d’images ou de vidéos relative aux propriétés luminescentes, p.ex. utilisant un modèle de réflectance ou d’éclairage
  • G06V 10/762 - Dispositions pour la reconnaissance ou la compréhension d’images ou de vidéos utilisant la reconnaissance de formes ou l’apprentissage automatique utilisant le regroupement, p.ex. de visages similaires sur les réseaux sociaux
  • G06V 10/80 - Fusion, c. à d. combinaison des données de diverses sources au niveau du capteur, du prétraitement, de l’extraction des caractéristiques ou de la classification
  • G06V 20/50 - Contexte ou environnement de l’image

37.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND IMAGING APPARATUS

      
Numéro d'application 18535467
Statut En instance
Date de dépôt 2023-12-11
Date de la première publication 2024-03-28
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s)
  • Fujimori, Yoshihisa
  • Kosaka, Yasuhiro
  • Sowa, Takeshi
  • Sogawa, Kazuaki

Abrégé

A solid-state imaging device includes a pixel array that is quadrilateral and includes pixels arranged in rows and columns, where each of the pixels accumulates an electric charge resulting from photoelectric conversion. The pixel array includes: a first area including first pixels for obtaining a captured image; and a second area including a second pixel for individually identifying the solid-state imaging device. The second area is provided in the vicinity of at least one corner among four corners of the pixel array, where the vicinity is a range of a predetermined number of pixels away from the at least one corner. The second pixel includes circuit elements or optical elements different from circuit elements or optical elements in each of the first pixels.

Classes IPC  ?

  • H04N 25/778 - Circuits de pixels, p.ex. mémoires, convertisseurs A/N, amplificateurs de pixels, circuits communs ou composants communs comprenant des amplificateurs partagés entre une pluralité de pixels, c. à d. qu'au moins une partie de l'amplificateur doit se trouver sur la matrice de capteurs elle-même
  • H01L 27/146 - Structures de capteurs d'images
  • H04N 25/79 - Agencements de circuits répartis entre des substrats, des puces ou des cartes de circuits différents ou multiples, p. ex. des capteurs d'images empilés

38.

BATTERY STATE ESTIMATION DEVICE, BATTERY STATE ESTIMATION SYSTEM, AND BATTERY STATE ESTIMATION METHOD

      
Numéro d'application 18524902
Statut En instance
Date de dépôt 2023-11-30
Date de la première publication 2024-03-21
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s)
  • Fujii, Keiichi
  • Kobayashi, Hitoshi
  • Okachi, Tomohiro

Abrégé

A battery state estimation device includes: a first state of charge (SOC) calculator that calculates a first SOC using a first method that uses the battery model parameter of a battery; a second SOC calculator that calculates a second SOC using a second method different from the first method; an alternating-current (AC) impedance measurement unit that measures the AC impedance of the battery when the error between the first SOC and the second SOC is greater than a predetermined threshold; and a battery model parameter calculator that calculates a battery model parameter using the measured AC impedance. The first SOC calculator recalculates the first SOC using the battery model parameter calculated.

Classes IPC  ?

  • G01R 31/392 - Détermination du vieillissement ou de la dégradation de la batterie, p.ex. état de santé
  • G01R 31/367 - Logiciels à cet effet, p.ex. pour le test des batteries en utilisant une modélisation ou des tables de correspondance
  • G01R 31/382 - Dispositions pour la surveillance de variables des batteries ou des accumulateurs, p.ex. état de charge
  • G01R 31/389 - Mesure de l’impédance interne, de la conductance interne ou des variables similaires

39.

SOLID-STATE IMAGING APPARATUS, IMAGING APPARATUS, AND DISTANCE-MEASURING IMAGING APPARATUS

      
Numéro d'application 18514819
Statut En instance
Date de dépôt 2023-11-20
Date de la première publication 2024-03-14
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s)
  • Ikuma, Makoto
  • Abe, Yutaka

Abrégé

A solid-state imaging apparatus includes a pixel circuit that outputs a pixel signal and a negative feedback circuit. The negative feedback circuit includes a sample and hold circuit (hereinafter “SH circuit”) that samples and holds the pixel signal, and a feedback amplifier that negatively feeds back, to the SH circuit, a feedback signal according to a difference between the pixel signal from the pixel circuit and an output signal from the SH circuit.

Classes IPC  ?

  • H04N 25/65 - Traitement du bruit, p.ex. détection, correction, réduction ou élimination du bruit appliqué au bruit de réinitialisation, p. ex. le bruit KTC lié aux structures CMOS par des techniques autres que le CDS
  • G01S 17/894 - Imagerie 3D avec mesure simultanée du temps de vol sur une matrice 2D de pixels récepteurs, p.ex. caméras à temps de vol ou lidar flash
  • H04N 25/78 - Circuits de lecture pour capteurs adressés, p. ex. amplificateurs de sortie ou convertisseurs A/N
  • H04N 25/79 - Agencements de circuits répartis entre des substrats, des puces ou des cartes de circuits différents ou multiples, p. ex. des capteurs d'images empilés

40.

Semiconductor laser element, testing method, and testing device

      
Numéro d'application 18486776
Numéro de brevet 12107393
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-10-13
Date de la première publication 2024-02-15
Date d'octroi 2024-10-01
Propriétaire NUVOTON TECHNOLOGY CORPORATION JAPAN (Japon)
Inventeur(s)
  • Nagano, Kazumasa
  • Nagai, Hiroki

Abrégé

A semiconductor laser element that includes a semiconductor layer including a waveguide formed in an intra-layer direction of the semiconductor layer and a window region formed in a front-side end face of the waveguide, has a current-laser optical output characteristic in which, at an operating temperature of 25° C.±3° C., a laser optical output has a maximum value at a first driving current value and the laser optical output is at most 20% of the maximum value at a second driving current value greater than the first driving current value, and is not damaged at the second driving current value.

Classes IPC  ?

  • H01S 5/00 - Lasers à semi-conducteurs
  • H01S 5/02 - Lasers à semi-conducteurs - Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
  • H01S 5/026 - Composants intégrés monolithiques, p.ex. guides d'ondes, photodétecteurs de surveillance ou dispositifs d'attaque
  • H01S 5/16 - Lasers du type à fenêtre, c.à d. avec une région en un matériau non absorbant entre la région active et la surface réfléchissante
  • H01S 5/343 - Structure ou forme de la région active; Matériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p.ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p.ex. laser AlGaAs
  • H01S 5/22 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique ayant une structure à nervures ou à bandes
  • H01S 5/32 - Structure ou forme de la région active; Matériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p.ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures

41.

Manufacturing method and semiconductor device

      
Numéro d'application 18261796
Numéro de brevet 12051688
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-09-27
Date de la première publication 2024-02-01
Date d'octroi 2024-07-30
Propriétaire NUVOTON TECHNOLOGY CORPORATION JAPAN (Japon)
Inventeur(s)
  • Tsutsumida, Kazumi
  • Jokyu, Katsuyoshi
  • Murayama, Keiichi

Abrégé

A semiconductor device manufacturing method includes: forming a first groove having depth H in a semiconductor layer; filling the first groove with an oxide film and forming a surface oxide film having thickness a on an upper surface of the semiconductor layer to equalize the oxide film and the surface oxide film in height; forming a second groove having depth h greater than thickness a, from an uppermost surface of a third oxide film; forming gate trenches deeper than depth H, in the semiconductor layer; depositing polysilicon until at least the gate trenches and the second groove are filled with polysilicon; forming a peripheral element by injecting an impurity into polysilicon deposited in the second groove; and making a thickness of the peripheral element equal to depth h by concurrently removing polysilicon deposited in the gate trenches and polysilicon deposited in the second groove until they become equal in height.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/866 - Diodes Zener

42.

Radio-frequency power amplifier device

      
Numéro d'application 18264548
Numéro de brevet 11942911
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-02-17
Date de la première publication 2024-02-01
Date d'octroi 2024-03-26
Propriétaire NUVOTON TECHNOLOGY CORPORATION JAPAN (Japon)
Inventeur(s)
  • Ohhashi, Kazuhiko
  • Kamitani, Masatoshi

Abrégé

A radio-frequency power amplifier device includes: a carrier amplifier semiconductor device and a peak amplifier semiconductor device on a multilayer submount substrate; a bias power supply semiconductor device; second radio-frequency signal wiring that transmits a radio-frequency signal to the carrier amplifier semiconductor device and the peak amplifier semiconductor device; and carrier-amplifier bias power supply wiring that is wired in a third wiring layer and supplies a bias power supply voltage. The second radio-frequency signal wiring and the carrier-amplifier bias power supply wiring intersect in a plan view. The radio-frequency power amplifier device includes: a shield pattern that is located in a second wiring layer between a first wiring layer and the third wiring layer; and one or more connection vias disposed in an extension direction of the carrier-amplifier bias power supply wiring. The one or more connection vias are connected to the shield pattern.

Classes IPC  ?

  • H03F 1/07 - Amplificateurs du type Doherty
  • H03F 1/02 - Modifications des amplificateurs pour augmenter leur rendement, p.ex. étages classe A à pente glissante, utilisation d'une oscillation auxiliaire
  • H03F 1/26 - Modifications des amplificateurs pour réduire l'influence du bruit provoqué par les éléments amplificateurs
  • H03F 3/24 - Amplificateurs de puissance, p.ex. amplificateurs de classe B, amplificateur de classe C d'étages transmetteurs de sortie

43.

Semiconductor device and semiconductor module

      
Numéro d'application 18477224
Numéro de brevet 12080664
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-09-28
Date de la première publication 2024-01-25
Date d'octroi 2024-09-03
Propriétaire NUVOTON TECHNOLOGY CORPORATION JAPAN (Japon)
Inventeur(s)
  • Yamamoto, Kouki
  • Akiyoshi, Shinichi
  • Ajimoto, Ryouichi

Abrégé

A semiconductor device includes: a semiconductor layer; first and second transistors; one or more first source pads and a first gate pad of the first transistor in a first region of the upper surface of the semiconductor layer; and one or more second source pads and a second gate pad of the second transistor in a second region of the upper surface adjacent to the first region in a plan view of the semiconductor layer. In a plan view of the semiconductor layer, a virtual straight line connecting the centers of the first and second gate pads passes through the center of the semiconductor layer and forms a 45 degree angle with each side of the semiconductor layer. An upper surface boundary line between the first and second regions monotonically changes in the directions of extension of the longer and shorter sides of the semiconductor layer.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
  • H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée

44.

CURRENT LEAKAGE DETECTION CIRCUIT, AND BATTERY STATE DETECTION CIRCUIT

      
Numéro d'application 18471834
Statut En instance
Date de dépôt 2023-09-21
Date de la première publication 2024-01-11
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s)
  • Ishii, Takuya
  • Katase, Ginga
  • Yamasaki, Shuya

Abrégé

A current leakage detection circuit that detects current leakage from a battery having a first electrode and a second electrode, which is either the positive electrode or the negative electrode opposite to the first electrode, to a chassis includes: a detection circuit including a reference voltage source terminal, a first detection terminal, and a ground terminal connected to the first electrode; a first resistor connected between the second electrode and the chassis; a second resistor connected between the chassis and the first detection terminal; and a third resistor connected between the first detection terminal and a predetermined terminal. When the first electrode is the positive electrode, the predetermined terminal is the reference voltage source terminal. When the first electrode is the negative electrode, the predetermined terminal is the first electrode. The detection circuit detects an occurrence of current leakage based on a voltage of the first detection terminal.

Classes IPC  ?

  • G01R 31/52 - Test pour déceler la présence de courts-circuits, de fuites de courant ou de défauts à la terre
  • G01R 31/00 - Dispositions pour tester les propriétés électriques; Dispositions pour la localisation des pannes électriques; Dispositions pour tests électriques caractérisées par ce qui est testé, non prévues ailleurs

45.

SEMICONDUCTOR LASER LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LASER LIGHT-EMITTING DEVICE

      
Numéro d'application 18467534
Statut En instance
Date de dépôt 2023-09-14
Date de la première publication 2024-01-04
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s)
  • Hiroki, Masanori
  • Shirozono, Hiroki
  • Hayashi, Shigeo

Abrégé

A semiconductor laser light-emitting device includes: a mounting base (mounting substrate); a submount disposed above the mounting base; a connecting member that connects the mounting base and the submount and is composed of a porous metal material; and a semiconductor laser disposed above the submount. The submount includes a front face that is a face on the light emission side of the semiconductor laser. The connecting member includes a peripheral portion that continuously covers at least part of the front face of the submount and the peripheral area of a first area of the top surface of the mounting base, where the first area corresponds to the submount. The top surface of the peripheral portion is straight or recessed at a cross section that intersects the front face of the submount and the top surface of the mounting base.

Classes IPC  ?

  • H01S 5/024 - Dispositions pour la gestion thermique
  • H01S 5/02315 - Supports; Boîtiers Éléments de montage, p.ex. embases Éléments de support, p.ex. bases ou montures
  • H01S 5/02325 - Composants intégrés mécaniquement aux éléments de montage ou aux micro-bancs optiques
  • H01S 5/02355 - Fixation des puces laser sur des supports

46.

ANALOG-TO-DIGITAL CONVERSION CIRCUIT

      
Numéro d'application 18467501
Statut En instance
Date de dépôt 2023-09-14
Date de la première publication 2024-01-04
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s) Kobayashi, Hitoshi

Abrégé

An analog-to-digital conversion circuit includes: a variable gain amplifier; a delta-sigma modulator that modulates an output of the variable gain amplifier to a pulse density modulation (PDM) signal; and a decimation filter that downsamples the PDM signal to output a first digital signal that is converted into a multi-bit digital signal. The decimation filter includes: a weight change unit that converts the PDM signal into a second digital signal that is weighted by multiplying a weight of the PDM signal by a reciprocal of an amplification factor of the variable gain amplifier; and a first digital filter that receives the second digital signal as an input, and outputs the first digital signal.

Classes IPC  ?

  • H03M 3/00 - Conversion de valeurs analogiques en, ou à partir d'une modulation différentielle

47.

VOLTAGE MEASUREMENT DEVICE AND CELL STACK SYSTEM

      
Numéro d'application 18456299
Statut En instance
Date de dépôt 2023-08-25
Date de la première publication 2023-12-21
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s)
  • Miyake, Jiro
  • Hatani, Naohisa

Abrégé

A voltage measurement device measures the voltage of at least one of series-connected battery cells, and includes one or more voltage detection circuits. Each voltage detection circuit includes: a first communication path; a mode control circuit that switches a mode of operation of the voltage detection circuit between normal and low-power modes; a first communication control circuit (communication control circuit) that transmits and receives a command signal to and from the first communication path; an activation signal detection circuit that detects an activation signal input from the first communication path; and an alarm generation circuit that, in the low-power mode, generates and outputs an alarm signal indicating an anomaly in the battery cells to the first communication path. In the low-power mode, when the activation signal detection circuit detects the activation signal, the mode control circuit switches the mode of operation to the normal mode.

Classes IPC  ?

  • G01R 31/371 - Dispositions pour le test, la mesure ou la surveillance de l’état électrique d’accumulateurs ou de batteries, p.ex. de la capacité ou de l’état de charge avec indication à distance, p.ex. sur des chargeurs séparés
  • G01R 31/3835 - Dispositions pour la surveillance de variables des batteries ou des accumulateurs, p.ex. état de charge ne faisant intervenir que des mesures de tension
  • G01R 31/396 - Acquisition ou traitement de données pour le test ou la surveillance d’éléments particuliers ou de groupes particuliers d’éléments dans une batterie
  • H01M 10/48 - Accumulateurs combinés à des dispositions pour mesurer, tester ou indiquer l'état des éléments, p.ex. le niveau ou la densité de l'électrolyte

48.

NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT

      
Numéro d'application 18447126
Statut En instance
Date de dépôt 2023-08-09
Date de la première publication 2023-12-14
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s)
  • Takayama, Toru
  • Yoshida, Shinji

Abrégé

A nitride semiconductor light-emitting element includes: an N-type cladding layer; an N-side first guide layer; an N-side second guide layer; an active layer including a well layer and a barrier layer; and a P-type cladding layer. The band gap energy of the barrier layer is larger than the band gap energy of the N-side second guide layer. The band gap energy of the N-side second guide layer is smaller than the band gap energy of the N-side first guide layer. The band gap energy of the N-side first guide layer is smaller than the band gap energy of the N-type cladding layer. The cladding layers, the guide layers, and the barrier layer each comprise a nitride semiconductor including Al.

Classes IPC  ?

  • H01S 5/30 - Structure ou forme de la région active; Matériaux pour la région active
  • H01S 5/32 - Structure ou forme de la région active; Matériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p.ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures
  • H01S 5/34 - Structure ou forme de la région active; Matériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p.ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH]
  • H01S 5/343 - Structure ou forme de la région active; Matériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p.ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p.ex. laser AlGaAs
  • H01S 5/042 - Excitation électrique

49.

CELL STACK MANAGEMENT SYSTEM

      
Numéro d'application 18457113
Statut En instance
Date de dépôt 2023-08-28
Date de la première publication 2023-12-14
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s)
  • Sakakibara, Tsutomu
  • Hatani, Naohisa
  • Kobayashi, Hitoshi
  • Miyake, Jiro
  • Maruyama, Ken
  • Nagasawa, Toshinobu
  • Ozeki, Toshiaki
  • Mori, Goro

Abrégé

A cell stack management system includes a cell monitoring unit that measures an output voltage of a plurality of power storage cells, a battery management unit that manages a cell stack, and a first communication network that connects the cell monitoring unit and the battery management unit. The battery management unit includes: a first communication circuit connected to the first communication network; a second communication circuit connected to a second communication network for connecting to a higher-level system; a control circuit that controls the battery management unit; and a control circuit power supply. The cell stack management system includes a normal mode and a low-power mode as modes of operation. During transition from the low-power mode to the normal mode, the first communication circuit activates at least one of the control circuit power supply, the control circuit, or the second communication circuit.

Classes IPC  ?

  • H02J 7/00 - Circuits pour la charge ou la dépolarisation des batteries ou pour alimenter des charges par des batteries
  • G01R 31/3835 - Dispositions pour la surveillance de variables des batteries ou des accumulateurs, p.ex. état de charge ne faisant intervenir que des mesures de tension
  • G01R 31/396 - Acquisition ou traitement de données pour le test ou la surveillance d’éléments particuliers ou de groupes particuliers d’éléments dans une batterie
  • H01M 10/42 - Procédés ou dispositions pour assurer le fonctionnement ou l'entretien des éléments secondaires ou des demi-éléments secondaires
  • H01M 10/48 - Accumulateurs combinés à des dispositions pour mesurer, tester ou indiquer l'état des éléments, p.ex. le niveau ou la densité de l'électrolyte

50.

VOLTAGE MEASUREMENT DEVICE

      
Numéro d'application 18456273
Statut En instance
Date de dépôt 2023-08-25
Date de la première publication 2023-12-14
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s)
  • Hatani, Naohisa
  • Mori, Goro

Abrégé

A voltage measurement device includes a first measurement circuit that measures voltage between both ends of a busbar, a second measurement circuit that measures voltage between both ends of each of a plurality of first battery cells and a plurality of second battery cells, and a correction circuit that corrects a measurement value measured by the second measurement circuit. The second measurement circuit is connected to the plurality of first battery cells, the busbar, and the plurality of second battery cells via the plurality of second RC filters. The correction circuit corrects a measurement value measured by the second measurement circuit using a measurement value of voltage between both ends of the busbar measured by the first measurement circuit.

Classes IPC  ?

  • G01R 31/3835 - Dispositions pour la surveillance de variables des batteries ou des accumulateurs, p.ex. état de charge ne faisant intervenir que des mesures de tension
  • H02J 7/00 - Circuits pour la charge ou la dépolarisation des batteries ou pour alimenter des charges par des batteries
  • H01M 10/48 - Accumulateurs combinés à des dispositions pour mesurer, tester ou indiquer l'état des éléments, p.ex. le niveau ou la densité de l'électrolyte
  • H01M 50/51 - Connexion seulement en série
  • H01M 10/42 - Procédés ou dispositions pour assurer le fonctionnement ou l'entretien des éléments secondaires ou des demi-éléments secondaires

51.

VOLTAGE MEASUREMENT SYSTEM

      
Numéro d'application 18457068
Statut En instance
Date de dépôt 2023-08-28
Date de la première publication 2023-12-14
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s)
  • Ogue, Fumiaki
  • Hatani, Naohisa
  • Mori, Goro

Abrégé

A voltage measurement system includes: a first reference signal transmission device (communication device) including a first master oscillator that generates a first master clock signal and a first reference signal generation circuit that generates a first reference signal based on the first master clock signal; and a first voltage measurement device including a first slave oscillator, a first correction circuit that corrects an oscillation frequency of the first slave oscillator based on the first reference signal, and a first voltage measurement circuit. The voltage measurement system includes: a normal mode; and a correction mode in which the first reference signal is transmitted from the first reference signal transmission device (communication device) to the first voltage measurement device, and the oscillation frequency of the first slave oscillator is synchronized with an oscillation frequency of the first master oscillator using the first reference signal.

Classes IPC  ?

  • G01R 31/3835 - Dispositions pour la surveillance de variables des batteries ou des accumulateurs, p.ex. état de charge ne faisant intervenir que des mesures de tension
  • G01R 31/396 - Acquisition ou traitement de données pour le test ou la surveillance d’éléments particuliers ou de groupes particuliers d’éléments dans une batterie
  • G01R 19/00 - Dispositions pour procéder aux mesures de courant ou de tension ou pour en indiquer l'existence ou le signe

52.

SEMICONDUCTOR LASER LIGHT EMITTING DEVICE

      
Numéro d'application 18453033
Statut En instance
Date de dépôt 2023-08-21
Date de la première publication 2023-12-07
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s)
  • Shirozono, Hiroki
  • Hiroki, Masanori
  • Hayashi, Shigeo

Abrégé

A semiconductor laser light emitting device includes: a mounting substrate that is an example of a mounting base including a step; a submount disposed above a bottom face of the step; and a semiconductor laser disposed on the submount. A first lateral face of the step and a front face of the submount are in thermal contact with each other, the front face of the submount being a face of the submount on a light-emission direction side of the semiconductor laser.

Classes IPC  ?

  • H01S 5/02315 - Supports; Boîtiers Éléments de montage, p.ex. embases Éléments de support, p.ex. bases ou montures
  • H01S 5/40 - Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes
  • H01S 5/02255 - Découplage de lumière utilisant des éléments de déviation de faisceaux lumineux

53.

NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT

      
Numéro d'application 18447097
Statut En instance
Date de dépôt 2023-08-09
Date de la première publication 2023-11-30
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s) Takayama, Toru

Abrégé

A nitride semiconductor light-emitting element includes a semiconductor stack. The semiconductor stack includes an N-type first cladding layer, an N-side guide layer, an active layer, a P-side first guide layer, a P-side second guide layer, and a P-type cladding layer. The band gap energy of the P-side second guide layer is larger than the band gap energy of the N-side guide layer. The band gap energy of the N-side guide layer is larger than or equal to the band gap energy of the P-side first guide layer. Tn1

Classes IPC  ?

  • H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
  • H01L 33/06 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
  • H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière

54.

SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT

      
Numéro d'application 18358610
Statut En instance
Date de dépôt 2023-07-25
Date de la première publication 2023-11-30
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s)
  • Kunoh, Yasumitsu
  • Yamada, Atsushi
  • Nagai, Hiroki
  • Nakatani, Togo
  • Yanagita, Naoto
  • Hata, Masayuki

Abrégé

A semiconductor laser element includes a substrate and a semiconductor stack. The semiconductor stack includes an N-side semiconductor layer, an active layer, a P-side semiconductor layer, and a P-type contact layer. The semiconductor stack includes two end faces. Laser light resonates between the two end faces. The semiconductor stack includes: a ridge portion; and a bottom portion surrounding the ridge portion in a top view of the semiconductor stack. The ridge portion protrudes upward from the bottom portion, is spaced apart from the two end faces, and includes at least a portion of the P-type contact layer. A current injection window is provided only on the ridge portion out of a top face of the semiconductor stack, the current injection window being a region into which a current is injected. A distance from a top face of the active layer to the bottom portion is constant.

Classes IPC  ?

  • H01S 5/22 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique ayant une structure à nervures ou à bandes
  • H01S 5/042 - Excitation électrique
  • H01S 5/30 - Structure ou forme de la région active; Matériaux pour la région active

55.

Semiconductor device, battery protection circuit, and power management circuit

      
Numéro d'application 18330053
Numéro de brevet 11894456
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-06-06
Date de la première publication 2023-10-05
Date d'octroi 2024-02-06
Propriétaire NUVOTON TECHNOLOGY CORPORATION JAPAN (Japon)
Inventeur(s)
  • Yamamoto, Kouki
  • Takata, Haruhisa

Abrégé

A face-down mountable chip-size package semiconductor device includes a semiconductor layer and N (N is an integer greater than or equal to three) vertical MOS transistors in the semiconductor layer. Each of the N vertical MOS transistors includes, on an upper surface of the semiconductor layer, a gate pad electrically connected to a gate electrode of the vertical MOS transistor and one or more source pads electrically connected to a source electrode of the vertical MOS transistor. The semiconductor layer includes a semiconductor substrate. The semiconductor substrate functions as a common drain region for the N vertical MOS transistors. For each of the N vertical MOS transistors, a surface area of the vertical MOS transistor in a plan view of the semiconductor layer increases with an increase in a maximum specified current of the vertical MOS transistor.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H02J 7/00 - Circuits pour la charge ou la dépolarisation des batteries ou pour alimenter des charges par des batteries
  • H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
  • H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
  • H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée

56.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR MODULE

      
Numéro d'application 18044746
Statut En instance
Date de dépôt 2022-02-10
Date de la première publication 2023-09-28
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s)
  • Yamamoto, Kouki
  • Akiyoshi, Shinichi
  • Ajimoto, Ryouichi

Abrégé

A semiconductor device includes: a semiconductor layer; first and second transistors; one or more first source pads and a first gate pad of the first transistor in a first region of the upper surface of the semiconductor layer; and one or more second source pads and a second gate pad of the second transistor in a second region of the upper surface adjacent to the first region in a plan view of the semiconductor layer. In a plan view of the semiconductor layer, a virtual straight line connecting the centers of the first and second gate pads passes through the center of the semiconductor layer and forms a 45 degree angle with each side of the semiconductor layer. An upper surface boundary line between the first and second regions monotonically changes in the directions of extension of the longer and shorter sides of the semiconductor layer.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe

57.

Semiconductor device

      
Numéro d'application 18248344
Numéro de brevet 11769829
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-07-21
Date de la première publication 2023-09-14
Date d'octroi 2023-09-26
Propriétaire NUVOTON TECHNOLOGY CORPORATION JAPAN (Japon)
Inventeur(s)
  • Taguchi, Masahide
  • Yasuda, Eiji

Abrégé

A semiconductor device includes: a semiconductor layer in a rectangular shape in a plan view; a transistor provided in a first region; and a drain lead-out region provided in a second region. A border line is a straight line parallel to longer sides of the semiconductor layer. The first region includes a plurality of source pads and gate pads. The second region includes a plurality of drain pads. One gate pad among the gate pads is disposed to dispose none of the plurality of source pads between (i) the one gate pad and (ii) one longer side and one shorter side. One drain pad among the plurality of drain pads is in the same shape as the one gate pad and is disposed close to a second vertex. The plurality of source pads include a source pad that is in a rectangular shape or an obround shape having a longitudinal direction parallel to the longer sides of the semiconductor layer.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 23/482 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes formées de couches conductrices inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
  • H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter

58.

Nitride-based semiconductor light-emitting element and manufacturing method thereof, and manufacturing method of nitride-based semiconductor crystal

      
Numéro d'application 18312370
Numéro de brevet 12119618
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-05-04
Date de la première publication 2023-08-31
Date d'octroi 2024-10-15
Propriétaire NUVOTON TECHNOLOGY CORPORATION JAPAN (Japon)
Inventeur(s)
  • Nakazawa, Shuichi
  • Yoshida, Shinji
  • Kidoguchi, Isao

Abrégé

3.

Classes IPC  ?

  • H01S 5/22 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique ayant une structure à nervures ou à bandes
  • H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
  • H01S 5/042 - Excitation électrique
  • H01S 5/20 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique
  • H01S 5/30 - Structure ou forme de la région active; Matériaux pour la région active
  • H01S 5/32 - Structure ou forme de la région active; Matériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p.ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures
  • H01S 5/343 - Structure ou forme de la région active; Matériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p.ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p.ex. laser AlGaAs

59.

VOLTAGE DETECTING CIRCUIT, ABNORMALITY DETECTOR, AND BATTERY SYSTEM

      
Numéro d'application 18172766
Statut En instance
Date de dépôt 2023-02-22
Date de la première publication 2023-08-24
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s)
  • Inukai, Fumihito
  • Mori, Gorou

Abrégé

A voltage detection circuit includes a first terminal for connecting to one end of a first voltage detection line through a first resistor, the first voltage detection line having another end connected to a cathode or an anode of a first individual battery; a second terminal for connecting to the one end of the first voltage detection line without the first resistor; a first current generating circuit connected to the first terminal; and a voltage detector which detects a voltage of the first terminal and a voltage of the second terminal. The voltage detector includes at least one first AD converter connected to the first terminal, and at least one second AD converter connected to the second terminal.

Classes IPC  ?

  • G01R 31/3835 - Dispositions pour la surveillance de variables des batteries ou des accumulateurs, p.ex. état de charge ne faisant intervenir que des mesures de tension
  • G01R 35/00 - Test ou étalonnage des appareils couverts par les autres groupes de la présente sous-classe

60.

Semiconductor device

      
Numéro d'application 18175196
Numéro de brevet 11735655
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-02-27
Date de la première publication 2023-07-13
Date d'octroi 2023-08-22
Propriétaire NUVOTON TECHNOLOGY CORPORATION JAPAN (Japon)
Inventeur(s)
  • Oota, Tomonari
  • Taguchi, Masahide
  • Nakayama, Yusuke
  • Nakamura, Hironao

Abrégé

2+0.633×VGS−0.721 is satisfied for a voltage VGS [V] of a specification value of a semiconductor device, the voltage VGS being applied to a first gate conductor with reference to an electric potential of the first source electrode.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
  • H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter

61.

SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND LIGHT SOURCE DEVICE

      
Numéro d'application 18172120
Statut En instance
Date de dépôt 2023-02-21
Date de la première publication 2023-06-22
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s) Yamanaka, Kazuhiko

Abrégé

A semiconductor light-emitting device is provided which includes: a wiring substrate; a semiconductor light-emitting element disposed above an upper surface of the wiring substrate; and a cap unit which covers the semiconductor light-emitting element. The wiring substrate includes: a first substrate; a first metal layer and a second metal layer that are spaced apart from each other above the first substrate; and a spacer layer disposed above the first substrate. The cap unit includes a bonding surface which is bonded to the wiring substrate. The bonding surface intersects the first metal layer and the second metal layer in a top view of the wiring substrate, and the spacer layer is disposed between the bonding surface and the first substrate, at a position different from positions of the first metal layer and the second metal layer.

Classes IPC  ?

  • H01S 5/02257 - Découplage de lumière utilisant des fenêtres optiques, p.ex. spécialement adaptées pour réfléchir de la lumière sur un détecteur à l’intérieur du boîtier
  • H01S 5/00 - Lasers à semi-conducteurs
  • H01S 5/02218 - Matériaux du boîtier; Matériaux de remplissage du boîtier
  • H01S 5/023 - Supports; Boîtiers Éléments de montage, p.ex. embases
  • H01S 5/024 - Dispositions pour la gestion thermique

62.

SEMICONDUCTOR DEVICE FOR POWER AMPLIFICATION

      
Numéro d'application 17924642
Statut En instance
Date de dépôt 2021-05-12
Date de la première publication 2023-06-15
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s)
  • Kawashima, Katsuhiko
  • Kanda, Yusuke
  • Miyajima, Kenichi

Abrégé

A semiconductor device for power amplification includes: a source electrode, a drain electrode, and a gate electrode disposed above a semiconductor stack structure including a first nitride semiconductor layer and a second nitride semiconductor layer; and a source field plate that is disposed above the semiconductor stack structure between the gate electrode and the drain electrode, and has a same potential as a potential of the source electrode. The source field plate has a staircase shape, and even when length LF2 of an upper section is increased for electric field relaxation, an increase in parasitic capacitance Cds generated between the source field plate and a 2DEG surface is inhibited.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
  • H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
  • H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
  • H01L 29/40 - Electrodes
  • H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
  • H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter

63.

Semiconductor device

      
Numéro d'application 18092096
Numéro de brevet 12087897
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-12-30
Date de la première publication 2023-05-11
Date d'octroi 2024-09-10
Propriétaire NUVOTON TECHNOLOGY CORPORATION JAPAN (Japon)
Inventeur(s)
  • Oya, Mitsuaki
  • Hiroki, Masanori
  • Masamoto, Keimei
  • Hayashi, Shigeo

Abrégé

A semiconductor device includes: a first electrode provided on a semiconductor multilayer structure: a second electrode provided on a substrate; and a bonding metal layer which bonds the first electrode and the second electrode together. The bonding metal layer includes a gap inside.

Classes IPC  ?

  • H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
  • F21S 41/141 - Diodes électroluminescentes [LED]
  • F21S 43/14 - Diodes électroluminescentes [LED]
  • F21W 103/55 - Feux diurnes

64.

NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT

      
Numéro d'application 18063487
Statut En instance
Date de dépôt 2022-12-08
Date de la première publication 2023-05-04
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s) Takayama, Toru

Abrégé

A nitride-based semiconductor light-emitting element includes a semiconductor stack body that includes: an N-type first cladding layer; an N-side guide layer; an active layer that includes a well layer and a barrier layer; a P-side guide layer; and a P-type cladding layer. Band gap energy of the P-side guide layer monotonically increases with an increase in distance from the active layer. An average of the band gap energy of the P-side guide layer is greater than or equal to an average of band gap energy of the N-side guide layer. Band gap energy of the barrier layer is less than or equal to a smallest value of the band gap energy of the N-side guide layer and a smallest value of the band gap energy of the P-side guide layer. A thickness of the P-side guide layer is greater than a thickness of the N-side guide layer.

Classes IPC  ?

  • H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
  • H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
  • H01L 33/12 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure de relaxation des contraintes, p.ex. couche tampon
  • H01L 33/14 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure contrôlant le transport des charges, p.ex. couche semi-conductrice fortement dopée ou structure bloquant le courant

65.

NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT

      
Numéro d'application 18068297
Statut En instance
Date de dépôt 2022-12-19
Date de la première publication 2023-04-20
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s)
  • Mitsui, Yasutomo
  • Hiroki, Masanori
  • Hayashi, Shigeo
  • Kume, Masahiro

Abrégé

A nitride semiconductor light-emitting element includes: a substrate; a rectangular semiconductor stack structure including an n-type semiconductor layer, an active layer, and a p-type semiconductor layer stacked in sequence above a main surface of the substrate; a p-side contact electrode in contact with the p-type semiconductor layer in a p-side contact region; and an n-side contact electrode in contact with the n-type semiconductor layer in an n-side contact region. In a plan view of the main surface, the semiconductor stack structure includes a first corner portion, the n-side contact region includes a linear first region extending in one direction from a first starting point spaced apart from the first corner portion, the p-side contact region is disposed between the first starting point and the first corner portion where the distance therebetween is less than or equal to 0.26 times the length of a shorter side of the semiconductor stack structure.

Classes IPC  ?

  • H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
  • H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
  • H01L 33/38 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes ayant une forme particulière

66.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT, SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT, AND SEMICONDUCTOR LASER DEVICE

      
Numéro d'application 18084327
Statut En instance
Date de dépôt 2022-12-19
Date de la première publication 2023-04-20
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s)
  • Samonji, Katsuya
  • Asaka, Hiroshi

Abrégé

A method of manufacturing a semiconductor laser element includes: first dividing a substrate to produce a divided substrate including waveguides spaced apart in a second direction, the substrate being a substrate on which a nitride-based semiconductor laser stacking structure including waveguides extending in the first direction is formed; cleaving the divided substrate in the second direction to produce a semiconductor laser element including waveguides; and second dividing the semiconductor laser element in the first direction to remove an end portion of the semiconductor laser element in the second direction. The cleaving includes: forming, on the divided substrate, a cleavage lead-in groove extending in the second direction; and cleaving the divided substrate using the cleavage lead-in groove. In the second dividing, a portion including the cleavage lead-in groove is removed as the end portion of the semiconductor laser element in the second direction.

Classes IPC  ?

  • H01S 5/02 - Lasers à semi-conducteurs - Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
  • H01S 5/026 - Composants intégrés monolithiques, p.ex. guides d'ondes, photodétecteurs de surveillance ou dispositifs d'attaque
  • B23K 26/364 - Gravure au laser pour faire une rainure ou une saignée, p.ex. pour tracer une rainure d'amorce de rupture

67.

SEMICONDUCTOR LASER DEVICE

      
Numéro d'application 18064012
Statut En instance
Date de dépôt 2022-12-09
Date de la première publication 2023-04-06
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s) Nishikawa, Tohru

Abrégé

A semiconductor laser device includes a submount, a semiconductor laser element, and a bonding material. The semiconductor laser element includes a substrate and a layered structure, and is disposed with the layered structure facing the submount. A waveguide extending in a first direction parallel to the main surface of the substrate is formed in the layered structure. The bonding material includes an inner region bonded to the semiconductor laser element and one outer region located outward of the inner region. The one outer region is spaced apart from one side surface of the semiconductor laser element. Width A of the semiconductor laser element and width B of the one outer region in a second direction perpendicular to the first direction and parallel to the main surface of the substrate satisfy B≥A/4.

Classes IPC  ?

  • H01S 5/02 - Lasers à semi-conducteurs - Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
  • H01S 5/02315 - Supports; Boîtiers Éléments de montage, p.ex. embases Éléments de support, p.ex. bases ou montures
  • H01S 5/026 - Composants intégrés monolithiques, p.ex. guides d'ondes, photodétecteurs de surveillance ou dispositifs d'attaque

68.

SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND LIGHT SOURCE DEVICE INCLUDING THE SAME

      
Numéro d'application 18060836
Statut En instance
Date de dépôt 2022-12-01
Date de la première publication 2023-03-30
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s) Yamanaka, Kazuhiko

Abrégé

A semiconductor light-emitting device includes a first submount and a semiconductor light-emitting chip. The semiconductor light-emitting chip includes a first surface, a first optical waveguide extending in a first direction parallel to the first surface and disposed closer to the first surface than to a second surface, and an emission surface that emits emission light. The first submount includes a first base including a third surface, and a spacer disposed on the third surface. The semiconductor light-emitting chip is bonded to the first submount with the first surface facing the spacer. The emission surface is positioned forward of a front end surface of the spacer. A first front surface, which is the front end surface of the first base, is positioned forward of the emission surface.

Classes IPC  ?

  • H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
  • H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
  • H01L 33/38 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes ayant une forme particulière
  • H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
  • H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique

69.

Semiconductor device

      
Numéro d'application 17859799
Numéro de brevet 11637176
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-07-07
Date de la première publication 2023-03-30
Date d'octroi 2023-04-25
Propriétaire NUVOTON TECHNOLOGY CORPORATION JAPAN (Japon)
Inventeur(s)
  • Nakamura, Hironao
  • Okawa, Ryosuke
  • Inoue, Tsubasa
  • Kimura, Akira
  • Yasuda, Eiji

Abrégé

Provided is a first vertical field effect transistor in which first source regions and first connection portions via which a first body region is connected to a first source electrode are disposed alternately and cyclically in a first direction in which first trenches extend. In a second direction orthogonal to the first direction, Lxm≤Lxr≤0.20 μm holds true where Lxm denotes a distance between adjacent first trenches and Lxr denotes the inner width of a first trench. The lengths of the first connection portions are in a convergence region in which the on-resistance of the vertical field effect transistor at the time when a voltage having a specification value is applied to first gate conductors to supply current having a specification value does not decrease noticeably even when the lengths of the first connection portions are made much shorter.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/08 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée

70.

VARIABLE RESISTANCE NONVOLATILE STORAGE DEVICE AND WRITE METHOD THEREFOR

      
Numéro d'application 18057067
Statut En instance
Date de dépôt 2022-11-18
Date de la première publication 2023-03-16
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s)
  • Kawai, Ken
  • Katayama, Koji

Abrégé

A variable resistance nonvolatile storage device includes: a variable resistance element having a state reversibly changeable between a high resistance state and a low resistance state; and a current supply circuit that supplies the variable resistance element with a low-resistance changing current for changing the state from the high resistance state to the low resistance state. The low-resistance changing current has a waveform that includes a first period and a second period along a time axis, the second period being subsequent to the first period. The current supply circuit applies to the variable resistance element: a first current during the first period; and a second current during the second period, the second current being smaller than the first current. The first current is not zero at an end of the first period, and the second current is not zero at a start of the second period.

Classes IPC  ?

  • G11C 13/00 - Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage non couverts par les groupes , ou

71.

LIGHT SOURCE MODULE

      
Numéro d'application 17982886
Statut En instance
Date de dépôt 2022-11-08
Date de la première publication 2023-02-23
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s)
  • Hata, Masayuki
  • Yamanaka, Kazuhiko
  • Fujihara, Kiyoshi
  • Yoshida, Shinji

Abrégé

A light source module includes a first semiconductor laser element hermetically sealed, a second semiconductor laser element hermetically sealed, and firth to fourth optical elements. A first laser beam prior to reaching the first optical element has divergence angle θfd1 in a direction along a second optical axis and divergence angle θsd1 in a direction along a third optical axis, and satisfy 90°>θfd1>θsd1>0°. Divergence angle θfd12 of a first laser beam in the direction along the second optical axis decreases from divergence angle θfd1, the first laser beam having exited the first optical element. A component of a first laser beam in the direction along the second optical axis is collimated, the first laser beam having exited the second optical element. The same applies to the second semiconductor laser element.

Classes IPC  ?

  • H01S 5/02257 - Découplage de lumière utilisant des fenêtres optiques, p.ex. spécialement adaptées pour réfléchir de la lumière sur un détecteur à l’intérieur du boîtier
  • H01S 5/042 - Excitation électrique
  • H01S 5/10 - Structure ou forme du résonateur optique
  • H01S 5/40 - Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes
  • H01S 5/183 - Lasers à émission de surface [lasers SE], p.ex. comportant à la fois des cavités horizontales et verticales comportant uniquement des cavités verticales, p.ex. lasers à émission de surface à cavité verticale [VCSEL]

72.

ARRAY TYPE SEMICONDUCTOR LASER DEVICE

      
Numéro d'application 18045699
Statut En instance
Date de dépôt 2022-10-11
Date de la première publication 2023-02-23
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s)
  • Nishikawa, Tohru
  • Nishitsuji, Mitsuru
  • Yamada, Kazuya
  • Hata, Masayuki

Abrégé

An array type semiconductor laser device includes: a second electrode (p-electrode) disposed on another conductivity type semiconductor layer; a third electrode (n-electrode) disposed on a one conductivity type semiconductor layer and between a first electrode (p-electrode) and the second electrode; a fifth electrode (n-electrode) disposed on the one conductivity type semiconductor layer and between the third electrode and the second electrode; a sixth electrode (n-electrode) disposed on the one conductivity type semiconductor layer and across from the fifth electrode; a first conductor (wire) that electrically connects the second electrode and the third electrode; and a second conductor (n-wiring) that electrically connects the fifth electrode and the sixth electrode.

Classes IPC  ?

  • H01S 5/40 - Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes
  • H01S 5/042 - Excitation électrique

73.

Power amplifier device

      
Numéro d'application 17892644
Numéro de brevet 11652451
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-08-22
Date de la première publication 2023-02-16
Date d'octroi 2023-05-16
Propriétaire NUVOTON TECHNOLOGY CORPORATION JAPAN (Japon)
Inventeur(s)
  • Saji, Takashi
  • Motoyoshi, Kaname
  • Matsuda, Shingo

Abrégé

A power amplifier device includes: a first power supply terminal for inputting a first power supply voltage; a first transistor for power amplification that (i) includes a first gate to which a bias voltage is applied, and (ii) is supplied with power from the first power supply terminal; a second power supply terminal for inputting a second power supply voltage lower than the first power supply voltage; a second transistor for monitoring that (i) includes a second gate to which the bias voltage is applied, (ii) is supplied with power from the first power supply terminal or the second power supply terminal, and (iii) imitates an operation of the first transistor; and a bias circuit that is supplied with power from the second power supply terminal and generates and adjusts the bias voltage according to a drain current or a source current of the second transistor.

Classes IPC  ?

  • H03F 1/30 - Modifications des amplificateurs pour réduire l'influence des variations de la température ou de la tension d'alimentation
  • H03F 3/21 - Amplificateurs de puissance, p.ex. amplificateurs de classe B, amplificateur de classe C comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs

74.

SEMICONDUCTOR LASER DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

      
Numéro d'application 17954587
Statut En instance
Date de dépôt 2022-09-28
Date de la première publication 2023-01-26
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s)
  • Takayama, Toru
  • Nakatani, Togo
  • Nagai, Hiroki
  • Yumoto, Takashi
  • Yokoyama, Takeshi
  • Takasuka, Shoichi

Abrégé

A semiconductor laser device includes an N-type cladding layer, an active layer, and a P-type cladding layer. The active layer includes a well layer, a P-side first barrier layer above the well layer, and a P-side second barrier layer above the P-side first barrier layer. The P-side second barrier layer has an AI composition ratio higher than an AI composition ratio of the P-side first barrier layer. The P-side second barrier layer has band gap energy greater than band gap energy of the P-side first barrier layer. The semiconductor laser device has an end face window structure in which band gap energy of a portion of the well layer in a vicinity of an end face that emits the laser light is greater than band gap energy of a central portion of the well layer in a resonator length direction.

Classes IPC  ?

  • H01S 5/343 - Structure ou forme de la région active; Matériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p.ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p.ex. laser AlGaAs
  • H01S 5/30 - Structure ou forme de la région active; Matériaux pour la région active

75.

HYDROGEN SENSOR, HYDROGEN DETECTION METHOD, AND HYDROGEN DETECTION DEVICE

      
Numéro d'application 17957686
Statut En instance
Date de dépôt 2022-09-30
Date de la première publication 2023-01-26
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s)
  • Homma, Kazunari
  • Katayama, Koji
  • Kawai, Ken

Abrégé

A hydrogen sensor includes: a first electrode which is planar; a second electrode which is planar, faces the first electrode, and includes an exposed portion; a metal oxide layer which is sandwiched between a surface of the first electrode and a surface of the second electrode, and has a resistance that changes due to hydrogen; and two terminals, i.e., a first terminal and a second terminal, that are connected to the second electrode.

Classes IPC  ?

  • G01N 33/00 - Recherche ou analyse des matériaux par des méthodes spécifiques non couvertes par les groupes
  • G01N 27/12 - Recherche ou analyse des matériaux par l'emploi de moyens électriques, électrochimiques ou magnétiques en recherchant l'impédance en recherchant la résistance d'un corps solide dépendant de la réaction avec un fluide

76.

Chip singulation method

      
Numéro d'application 17951021
Numéro de brevet 11646230
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-09-22
Date de la première publication 2023-01-19
Date d'octroi 2023-05-09
Propriétaire NUVOTON TECHNOLOGY CORPORATION JAPAN (Japon)
Inventeur(s)
  • Harada, Takeshi
  • Ohta, Hiroaki
  • Matsushima, Yoshihiro

Abrégé

A chip singulation method includes, in stated order: forming a surface supporting layer on an upper surface of a wafer; thinning the wafer from the undersurface to reduce the thickness to at most 30 μm; removing the surface supporting layer from the upper surface; forming a first metal layer and subsequently a second metal layer on the undersurface of the wafer; applying a dicing tape onto an undersurface of the second metal layer; applying, onto the upper surface of the wafer, a process of increasing hydrophilicity of a surface of the wafer; forming a water-soluble protective layer on the surface of the wafer; cutting the wafer, the first metal layer, and the second metal layer by irradiating a predetermined region of the upper surface of the wafer with a laser beam; and removing the water-soluble protective layer from the surface of the wafer using wash water.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/78 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
  • H01L 21/268 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée les radiations étant électromagnétiques, p.ex. des rayons laser

77.

INFORMATION PROCESSING METHOD, NON-TRANSITORY STORAGE MEDIUM, AND INFORMATION PROCESSING SYSTEM

      
Numéro d'application 17953041
Statut En instance
Date de dépôt 2022-09-26
Date de la première publication 2023-01-19
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s) Nakahara, Mitsuya

Abrégé

An information processing method includes a detection step including detecting a target based on a distance image of a monitoring region; and a stay decision step including making a stay decision. The stay decision includes determining whether any stay of the target has occurred. The stay decision step includes making the decision based on an index indicating a positional change of the target with the passage of time.

Classes IPC  ?

  • G06V 20/52 - Activités de surveillance ou de suivi, p.ex. pour la reconnaissance d’objets suspects
  • G06V 10/25 - Détermination d’une région d’intérêt [ROI] ou d’un volume d’intérêt [VOI]
  • G06V 10/74 - Appariement de motifs d’image ou de vidéo; Mesures de proximité dans les espaces de caractéristiques
  • G06T 7/20 - Analyse du mouvement
  • G06T 7/70 - Détermination de la position ou de l'orientation des objets ou des caméras
  • G06V 40/10 - Corps d’êtres humains ou d’animaux, p.ex. occupants de véhicules automobiles ou piétons; Parties du corps, p.ex. mains

78.

NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT

      
Numéro d'application 17951000
Statut En instance
Date de dépôt 2022-09-22
Date de la première publication 2023-01-19
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s)
  • Kitagawa, Hideo
  • Yoshida, Shinji

Abrégé

A nitride semiconductor laser element includes a stacked structure and a dielectric multilayer film, The dielectric multilayer film includes a first dielectric film, a second dielectric film, and a third dielectric film in the stated order. The nitride semiconductor laser element satisfies the following expressions: A nitride semiconductor laser element includes a stacked structure and a dielectric multilayer film, The dielectric multilayer film includes a first dielectric film, a second dielectric film, and a third dielectric film in the stated order. The nitride semiconductor laser element satisfies the following expressions: ∑ nk × dk + ni × di + nj × dj = m ⁢ 1 × λ 4 ± λ 16 ; nj × dj = m ⁢ 2 × λ / 4 ± λ / 16 ; and 3 ⁢ λ 16 ≦ ∑ nk × dk ≦ 5 ⁢ λ 16 .

Classes IPC  ?

  • H01S 5/343 - Structure ou forme de la région active; Matériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p.ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p.ex. laser AlGaAs
  • H01S 5/028 - Revêtements

79.

Solid-state imaging device including driver circuits comprising multi-stage buffer elements

      
Numéro d'application 17893945
Numéro de brevet 11800255
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-08-23
Date de la première publication 2022-12-22
Date d'octroi 2023-10-24
Propriétaire NUVOTON TECHNOLOGY CORPORATION JAPAN (Japon)
Inventeur(s) Higashi, Yosuke

Abrégé

A solid-state imaging device includes: pixels disposed in a matrix of pixel rows and pixel columns; control wires provided for the pixel rows or the pixel columns, and each connected to at least two pixels out of the pixels, the at least two pixels being included in one of the pixel rows or the pixel columns for which the control wire is provided; drive circuits that are provided for the control wires, each include buffer elements in at least two stages, and each output a control signal to one of the control wires for which the drive circuit is provided, the buffer elements in the at least two stages being connected in series; and a first wire that short-circuits output wires of the buffer elements in one of the at least two stages in at least two of the plurality of drive circuits.

Classes IPC  ?

  • H04N 25/75 - Circuits pour fournir, modifier ou traiter des signaux d'image provenant de la matrice de pixels
  • H04N 25/53 - Commande du temps d'intégration
  • H04N 25/71 - Capteurs à dispositif à couplage de charge [CCD]; Registres de transfert de charge spécialement adaptés aux capteurs CCD
  • H04N 25/772 - Circuits de pixels, p.ex. mémoires, convertisseurs A/N, amplificateurs de pixels, circuits communs ou composants communs comprenant des convertisseurs A/N, V/T, V/F, I/T ou I/F

80.

LIGHT SOURCE MODULE, PROCESSING MACHINE, AND PROCESSING METHOD

      
Numéro d'application 17889052
Statut En instance
Date de dépôt 2022-08-16
Date de la première publication 2022-12-08
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s) Samonji, Katsuya

Abrégé

A light source module that emits a combined laser beam, and includes: a plurality of semiconductor laser elements; and a control circuit that controls power of a laser beam emitted by each of the semiconductor laser elements. The semiconductor laser elements include: a first element group that emits a first laser beam; and a second element group that emits a second laser beam. The combined laser beam includes at least one of the first laser beam or the second laser beam. The control circuit maintains an average combined-beam wavelength that is an average wavelength of the combined laser beam constant for a change in power of the combined laser beam. When the power of the first laser beam and the power of the second laser beam are equal to each other, an average wavelength of the first laser beam is longer than an average wavelength of the second laser beam.

Classes IPC  ?

  • H01S 5/068 - Stabilisation des paramètres de sortie du laser
  • H01S 5/40 - Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes
  • B23K 26/06 - Mise en forme du faisceau laser, p.ex. à l’aide de masques ou de foyers multiples

81.

Semiconductor device

      
Numéro d'application 17777204
Numéro de brevet 11585860
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2021-05-12
Date de la première publication 2022-11-24
Date d'octroi 2023-02-21
Propriétaire NUVOTON TECHNOLOGY CORPORATION JAPAN (Japon)
Inventeur(s)
  • Takahashi, Kensuke
  • Ishida, Toshifumi

Abrégé

2) of the semiconductor device, the semiconductor device comprising: a field-effect transistor of a horizontal type and a resistor that are connected in series in stated order between an inflow terminal and an outflow terminal; and a control circuit that causes a discharge current to be constant without depending on an applied voltage between the inflow terminal and the outflow terminal. A difference between a maximum temperature of a field-effect transistor portion and a temperature of a resistor portion is within five degrees Celsius in a discharge period.

Classes IPC  ?

  • G01R 31/389 - Mesure de l’impédance interne, de la conductance interne ou des variables similaires
  • G01R 31/3842 - Dispositions pour la surveillance de variables des batteries ou des accumulateurs, p.ex. état de charge combinant des mesures de tension et de courant
  • H02J 7/00 - Circuits pour la charge ou la dépolarisation des batteries ou pour alimenter des charges par des batteries
  • G01R 31/364 - Connexions pour bornes de batteries, munies de dispositions de mesure intégrées
  • H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive

82.

SOLID-STATE IMAGING APPARATUS AND IMAGING APPARATUS INCLUDING THE SAME

      
Numéro d'application 17879428
Statut En instance
Date de dépôt 2022-08-02
Date de la première publication 2022-11-17
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s)
  • Ikuma, Makoto
  • Ikuma, Hiroyuki
  • Abe, Yutaka

Abrégé

A solid-state imaging apparatus includes a pixel circuit and a negative feedback circuit. The pixel circuit includes: a photodiode; a charge storage that holds a signal charge generated by the photodiode; an amplification transistor that outputs a pixel signal corresponding to the signal charge in the charge storage; a first reset transistor that resets the charge storage; a first storage capacitive element for holding a signal charge; and a first transistor that controls the connection between the charge storage and the first storage capacitive element. The negative feedback circuit negatively feeds back a feedback signal corresponding to a reset output of the amplification transistor to the charge storage via the first reset transistor.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/146 - Structures de capteurs d'images
  • H04N 5/3745 - Capteurs adressés, p.ex. capteurs MOS ou CMOS ayant des composants supplémentaires incorporés au sein d'un pixel ou connectés à un groupe de pixels au sein d'une matrice de capteurs, p.ex. mémoires, convertisseurs A/N, amplificateurs de pixels, circuits communs ou composants communs
  • H04N 5/378 - Circuits de lecture, p.ex. circuits d’échantillonnage double corrélé [CDS], amplificateurs de sortie ou convertisseurs A/N
  • H04N 5/363 - Traitement du bruit, p.ex. détection, correction, réduction ou élimination du bruit appliqué au bruit de réinitialisation, p.ex. bruit de type KTC
  • H04N 5/355 - Réglage de la gamme dynamique

83.

Solid-state imaging device and imaging apparatus

      
Numéro d'application 17868349
Numéro de brevet 11950005
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-07-19
Date de la première publication 2022-11-03
Date d'octroi 2024-04-02
Propriétaire NUVOTON TECHNOLOGY CORPORATION JAPAN (Japon)
Inventeur(s)
  • Amikawa, Hiroyuki
  • Ikuma, Makoto
  • Onozawa, Kazutoshi

Abrégé

A solid-state imaging device includes: a photoelectric conversion element that is disposed on a semiconductor substrate and generates signal charges by photoelectric conversion; a first diffusion layer that holds signal charges transferred from the photoelectric conversion element; a capacitive element that holds signal charges overflowing from the photoelectric conversion element; an amplifier transistor that outputs a signal according to the signal charges in the first diffusion layer; a first contact that is connected to the first diffusion layer; a second contact that is connected to a gate of the amplifier transistor; and a first wire that connects the first contact and the second contact. A shortest distance between the semiconductor substrate and the first wire is less than a shortest distance between the semiconductor substrate and the capacitive element.

Classes IPC  ?

  • H04N 25/59 - Commande de la gamme dynamique en commandant la quantité de charge stockable dans le pixel, p. ex. en modifiant le rapport de conversion de charge de la capacité du nœud flottant
  • H04N 25/616 - Traitement du bruit, p.ex. détection, correction, réduction ou élimination du bruit impliquant une fonction d'échantillonnage corrélé, p. ex. l'échantillonnage double corrélé [CDS] ou l'échantillonnage triple
  • H04N 25/75 - Circuits pour fournir, modifier ou traiter des signaux d'image provenant de la matrice de pixels
  • H04N 25/65 - Traitement du bruit, p.ex. détection, correction, réduction ou élimination du bruit appliqué au bruit de réinitialisation, p. ex. le bruit KTC lié aux structures CMOS par des techniques autres que le CDS
  • H04N 25/677 - Traitement du bruit, p.ex. détection, correction, réduction ou élimination du bruit appliqué au bruit à motif fixe, p.ex. non-uniformité de la réponse pour la détection ou la correction de la non-uniformité pour réduire le bruit à motif fixe de la colonne ou de la ligne
  • H04N 25/771 - Circuits de pixels, p.ex. mémoires, convertisseurs A/N, amplificateurs de pixels, circuits communs ou composants communs comprenant des moyens de stockage autres que la diffusion flottante

84.

Solid-state imaging device

      
Numéro d'application 17868276
Numéro de brevet 11711637
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-07-19
Date de la première publication 2022-11-03
Date d'octroi 2023-07-25
Propriétaire NUVOTON TECHNOLOGY CORPORATION JAPAN (Japon)
Inventeur(s)
  • Abe, Yutaka
  • Fujinaka, Hiroshi

Abrégé

A solid-state imaging device includes: a plurality of pixel cells arranged in a matrix. In the solid-state imaging device, each of the plurality of pixel cells includes: a photoelectric converter that generates charge by photoelectric conversion, and holds a potential according to an amount of the charge generated; an initializer that initializes the potential of the photoelectric converter; a comparison section that compares the potential of the photoelectric converter and a predetermined reference signal, and causes the initializer to perform initialization when the potential of the photoelectric converter and the predetermined reference signal match; and a counter that counts a total number of times of initialization performed by the initializer, and outputs a signal corresponding to the total number of times as a first signal indicating an intensity of incident light.

Classes IPC  ?

  • H04N 25/772 - Circuits de pixels, p.ex. mémoires, convertisseurs A/N, amplificateurs de pixels, circuits communs ou composants communs comprenant des convertisseurs A/N, V/T, V/F, I/T ou I/F
  • H04N 25/79 - Agencements de circuits répartis entre des substrats, des puces ou des cartes de circuits différents ou multiples, p. ex. des capteurs d'images empilés
  • H04N 25/778 - Circuits de pixels, p.ex. mémoires, convertisseurs A/N, amplificateurs de pixels, circuits communs ou composants communs comprenant des amplificateurs partagés entre une pluralité de pixels, c. à d. qu'au moins une partie de l'amplificateur doit se trouver sur la matrice de capteurs elle-même
  • H04N 25/53 - Commande du temps d'intégration
  • H04N 25/65 - Traitement du bruit, p.ex. détection, correction, réduction ou élimination du bruit appliqué au bruit de réinitialisation, p. ex. le bruit KTC lié aux structures CMOS par des techniques autres que le CDS

85.

Semiconductor device

      
Numéro d'application 17860776
Numéro de brevet 11742461
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-07-08
Date de la première publication 2022-10-27
Date d'octroi 2023-08-29
Propriétaire NUVOTON TECHNOLOGY CORPORATION JAPAN (Japon)
Inventeur(s)
  • Hiroki, Masanori
  • Hayashi, Shigeo
  • Nakashima, Kenji
  • Fukuhisa, Toshiya
  • Masamoto, Keimei
  • Yamada, Atsushi

Abrégé

A semiconductor device includes: a mounting board; and a semiconductor element disposed on the mounting board via metal bumps, wherein the semiconductor element includes a semiconductor stacked structure and first electrodes, the mounting board includes second electrodes, the metal bumps include a second layer in contact with the second electrodes of the semiconductor element and a first layer located on a side opposite to the second electrodes, an average crystal grain size of crystals included in the second layer is larger than an average crystal grain size of crystals included in the first layer, and the first layer is spaced apart from the second electrodes of the semiconductor element.

Classes IPC  ?

  • H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
  • B23K 20/10 - Soudage non électrique par percussion ou par une autre forme de pression, avec ou sans chauffage, p.ex. revêtement ou placage utilisant des vibrations, p.ex. soudage ultrasonique
  • H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
  • H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
  • H01L 33/40 - Matériaux
  • H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure

86.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 17854921
Statut En instance
Date de dépôt 2022-06-30
Date de la première publication 2022-10-20
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s)
  • Yamamoto, Kouki
  • Akiyoshi, Shinichi
  • Tanioku, Masatoshi
  • Takata, Haruhisa

Abrégé

A semiconductor device of a hybrid type includes: a light-emitting element forming a power loop; a semiconductor integrated circuit element including a switching element; and a bypass capacitor. The light-emitting element and the switching element constitute a layered body in which respective principal surfaces of the light-emitting element and the switching element are layered in parallel and face-to-face. The bypass capacitor includes one electrode connected to a lower element of the layered body, and an other electrode connected to an upper element of the layered body. In a plan view, when a direction from the one electrode to the other electrode inside the bypass capacitor is a first direction, the bypass capacitor is arranged so that a side of the bypass capacitor parallel to the first direction includes a portion that is parallel to and faces one peripheral side of the layered body.

Classes IPC  ?

  • H01S 5/042 - Excitation électrique
  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
  • H01S 5/0236 - Fixation des puces laser sur des supports en utilisant un adhésif
  • H01S 5/02345 - Câblage filaire
  • G01S 7/481 - Caractéristiques de structure, p.ex. agencements d'éléments optiques

87.

Illumination device and light-emitting module

      
Numéro d'application 17845749
Numéro de brevet 11629827
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-06-21
Date de la première publication 2022-10-06
Date d'octroi 2023-04-18
Propriétaire NUVOTON TECHNOLOGY CORPORATION JAPAN (Japon)
Inventeur(s)
  • Hori, Atsuhiro
  • Nakashima, Kenji
  • Kawaguchi, Yasutoshi
  • Takeishi, Hidemi
  • Michimori, Masanori
  • Hayashi, Shigeo

Abrégé

An illumination device includes a first light source that emits first light having a first peak wavelength which is highest in intensity in a wavelength range from near-ultraviolet to green in an emission spectrum; a second light source that emits second light having a second peak wavelength which is highest in intensity in a wavelength range from near-ultraviolet to green in an emission spectrum, the second light illuminating a position identical to a position illuminated by the first light; and a detection device that detects whether an object is present at a given position, wherein the second peak wavelength is shorter than the first peak wavelength, and a luminous flux of the first light is decreased and a luminous flux of the second light is increased when the detection device detects that the object is present at the predetermined position.

Classes IPC  ?

  • F21K 9/64 - Agencements optiques intégrés dans la source lumineuse, p.ex. pour améliorer l’indice de rendu des couleurs ou l’extraction de lumière en utilisant des moyens de conversion de longueur d’onde distincts ou espacés de l’élément générateur de lumière, p.ex. une couche de phosphore éloignée
  • H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde

88.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 17826929
Statut En instance
Date de dépôt 2022-05-27
Date de la première publication 2022-09-15
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s)
  • Fukudome, Toshiya
  • Nakatsu, Koji
  • Hayashi, Shigeo

Abrégé

A semiconductor device includes: a mounting substrate; a thin cured silicone resin material film above and in contact with the mounting substrate; and a first cured silicone resin material in contact with the thin cured silicone resin material film. In the semiconductor device, an oxygen content per unit volume in the whole region in a thickness direction of the thin cured silicone resin material film is higher than an oxygen content per unit volume in the whole region in the thickness direction of the first cured silicone resin material.

Classes IPC  ?

  • H01L 33/56 - Matériaux, p.ex. résine époxy ou silicone
  • H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants

89.

SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

      
Numéro d'application 17745229
Statut En instance
Date de dépôt 2022-05-16
Date de la première publication 2022-09-08
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s)
  • Takayama, Toru
  • Yumoto, Takashi
  • Yokoyama, Takeshi
  • Nakatani, Tougo
  • Takasuka, Shoichi

Abrégé

A semiconductor light-emitting element includes: a substrate; an n-type clad layer above the substrate; an active layer above the n-type clad layer; and a p-type clad layer above the active layer. The active layer includes: a well layer; an n-side first barrier layer on an n-type clad layer side of the well layer; and a p-side barrier layer on a p-type clad layer side of the well layer. The p-side barrier layer comprises In. The n-side first barrier layer has an In composition ratio lower than an In composition ratio of the p-side barrier layer. The n-side first barrier layer has a band gap energy smaller than a band gap energy of the p-side barrier layer.

Classes IPC  ?

  • H01S 5/343 - Structure ou forme de la région active; Matériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p.ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p.ex. laser AlGaAs

90.

DISTANCE-MEASURING IMAGING DEVICE

      
Numéro d'application 17748695
Statut En instance
Date de dépôt 2022-05-19
Date de la première publication 2022-09-01
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s)
  • Takano, Haruka
  • Yamada, Toru
  • Nishimoto, Masahiko
  • Nakamura, Seiji
  • Nishikawa, Mayu

Abrégé

A drive controller in a distance-measuring imaging device generates an exposure control signal having first to third exposure control pulses based on output timings of corresponding ones of emission control pulses. The difference between output starting time of the third exposure control pulse and output starting time of one of the emission control pulses is greater than the difference between output starting time of the second exposure control pulse and output starting time of one of the emission control pulses. The difference between output starting time of the second exposure control pulse and output starting time of one of the emission control pulses is greater than the difference between output starting of the first exposure control pulse and output starting time of one of the emission control pulses. The imager outputs first to third exposure signals indicating amounts of charge generated through exposure by the first to third control pulses.

Classes IPC  ?

  • G01S 7/487 - Extraction des signaux d'écho désirés
  • G01S 17/894 - Imagerie 3D avec mesure simultanée du temps de vol sur une matrice 2D de pixels récepteurs, p.ex. caméras à temps de vol ou lidar flash
  • G01S 7/489 - Récepteurs le gain du récepteur variant automatiquement pendant la période de récurrence des impulsions

91.

LASER PROCESSING DEVICE

      
Numéro d'application 17740737
Statut En instance
Date de dépôt 2022-05-10
Date de la première publication 2022-08-25
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s) Yoshida, Shinji

Abrégé

A laser processing device includes: a first laser oscillator that emits a first laser beam having a peak wavelength of a first wavelength; a second laser oscillator that emits a second laser beam having a peak wavelength of a second wavelength different than the first wavelength; a drive controller that drives each of the first laser oscillator and the second laser oscillator; and an analyzer that obtains signal light from a workpiece and adjusts one or more processing conditions for the workpiece based on the obtained signal light. The drive controller drives the first laser oscillator and the second laser oscillator according to the one or more processing conditions to change an intensity of at least one of the first laser beam or the second laser beam and irradiate the workpiece with at least one of the first laser beam or the second laser beam.

Classes IPC  ?

  • B23K 26/03 - Observation, p.ex. surveillance de la pièce à travailler
  • G01N 21/31 - Couleur; Propriétés spectrales, c. à d. comparaison de l'effet du matériau sur la lumière pour plusieurs longueurs d'ondes ou plusieurs bandes de longueurs d'ondes différentes en recherchant l'effet relatif du matériau pour les longueurs d'ondes caractéristiques d'éléments ou de molécules spécifiques, p.ex. spectrométrie d'absorption atomique

92.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

      
Numéro d'application 17765765
Numéro de brevet 11876120
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2021-05-24
Date de la première publication 2022-08-18
Date d'octroi 2024-01-16
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s)
  • Kanda, Yusuke
  • Miyajima, Kenichi

Abrégé

A semiconductor device includes: a channel layer not containing Al; a barrier layer above the channel layer containing Al; a recess; and an ohmic electrode in the recess, which is in ohmic contact with a two-dimensional electron gas layer. An Al composition ratio distribution of the barrier layer has a maximum point at a first position. The semiconductor device includes: a first inclined surface of the barrier layer which includes the first position and is in contact with the ohmic electrode; and a second inclined surface of the barrier layer which intersects the first inclined surface on a lower side of the first inclined surface, and is in contact with the ohmic electrode. To the surface of the substrate, an angle of the second inclined surface is smaller than an angle of the first inclined surface. A position of the first intersection line is lower than the first position.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
  • H01L 29/45 - Electrodes à contact ohmique
  • H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
  • H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
  • H01L 29/808 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une jonction PN ou une autre jonction redresseuse à jonction PN
  • H01L 29/812 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une jonction PN ou une autre jonction redresseuse à grille Schottky

93.

SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT

      
Numéro d'application 17723963
Statut En instance
Date de dépôt 2022-04-19
Date de la première publication 2022-08-04
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s)
  • Takahashi, Kunimasa
  • Yoshida, Shinji
  • Furukawa, Hidetoshi

Abrégé

A semiconductor light-emitting element includes a light emission layer including a group III nitride semiconductor; an electron barrier layer disposed above the light emission layer and including a group III nitride semiconductor containing Al; and a p-type clad layer disposed above and in contact with the electron barrier layer, wherein the electron barrier layer and the p-type clad layer contain Mg as a dopant, and the p-type clad layer includes a high carbon concentration region containing carbon and a low carbon concentration region having a carbon concentration lower than a carbon concentration of the high carbon concentration region, in a stated order from an electron barrier layer side.

Classes IPC  ?

  • H01S 5/343 - Structure ou forme de la région active; Matériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p.ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p.ex. laser AlGaAs
  • H01S 5/22 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique ayant une structure à nervures ou à bandes
  • H01S 5/30 - Structure ou forme de la région active; Matériaux pour la région active

94.

Monitoring system and non-transitory storage medium

      
Numéro d'application 17718999
Numéro de brevet 11904869
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-04-12
Date de la première publication 2022-07-28
Date d'octroi 2024-02-20
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s)
  • Shimizu, Yasuyuki
  • Matsui, Seiji
  • Tomoda, Naoya
  • Nakajima, Fumihito
  • Kanemitsu, Tomohiko
  • Asano, Takuya
  • Imanaka, Norihiro
  • Suguta, Seigo
  • Hirofuji, Masanori

Abrégé

A monitoring system includes an arithmetic processor. The arithmetic processor receives captured image information representing a captured image obtained by capturing an image of a subject and generates notification information representing a particular notification content depending on a condition of the subject. The arithmetic processor includes a first arithmetic processor and a second arithmetic processor. The first arithmetic processor obtains a condition quantity by quantifying the condition of the subject by reference to the captured image information and based on a parameter about a human activity status. The second arithmetic processor selects, according to the condition quantity, the particular notification content from contents of notification classified into N stages, where N is an integer equal to or greater than three.

Classes IPC  ?

  • B60W 40/09 - Style ou comportement de conduite
  • B60W 50/14 - Moyens d'information du conducteur, pour l'avertir ou provoquer son intervention
  • B60W 40/08 - Calcul ou estimation des paramètres de fonctionnement pour les systèmes d'aide à la conduite de véhicules routiers qui ne sont pas liés à la commande d'un sous-ensemble particulier liés aux conducteurs ou aux passagers

95.

SEMICONDUCTOR LASER DEVICE

      
Numéro d'application 17720911
Statut En instance
Date de dépôt 2022-04-14
Date de la première publication 2022-07-28
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s)
  • Baba, Yasuo
  • Nishikawa, Tohru

Abrégé

A semiconductor laser device includes a substrate including a main surface, a semiconductor laser element including a resonator extending along a first direction, and a plurality of first wire groups and a plurality of second wire groups arranged along the first direction. Each first wire group includes a first wire bonded to a first bonding region of a top surface of the semiconductor laser element and a first mark portion, and a first mark portion formed on the main surface. Each second wire group includes a second wire bonded to a second bonding region of the main surface, and a second mark portion formed on the main surface. In a top view of the main surface, the first wire is disposed at a position overlapping the first mark portion, and the second wire is disposed at a position overlapping the second mark portion.

Classes IPC  ?

  • H01S 5/0238 - Mise en place des puces laser utilisant des repères
  • H01S 5/02345 - Câblage filaire
  • H01S 5/22 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique ayant une structure à nervures ou à bandes
  • H01S 5/042 - Excitation électrique

96.

Chip singulation method

      
Numéro d'application 17722993
Numéro de brevet 11488867
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-04-18
Date de la première publication 2022-07-28
Date d'octroi 2022-11-01
Propriétaire NUVOTON TECHNOLOGY CORPORATION JAPAN (Japon)
Inventeur(s)
  • Harada, Takeshi
  • Ohta, Hiroaki
  • Matsushima, Yoshihiro

Abrégé

A chip singulation method includes, in stated order: forming a surface supporting layer on an upper surface of a wafer; thinning the wafer from the undersurface to reduce the thickness to at most 30 μm; removing the surface supporting layer from the upper surface; forming a first metal layer and subsequently a second metal layer on the undersurface of the wafer; applying a dicing tape onto an undersurface of the second metal layer; applying, onto the upper surface of the wafer, a process of increasing hydrophilicity of a surface of the wafer; forming a water-soluble protective layer on the surface of the wafer; cutting the wafer, the first metal layer, and the second metal layer by irradiating a predetermined region of the upper surface of the wafer with a laser beam; and removing the water-soluble protective layer from the surface of the wafer using wash water.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/78 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
  • H01L 21/268 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée les radiations étant électromagnétiques, p.ex. des rayons laser

97.

Semiconductor device

      
Numéro d'application 17698870
Numéro de brevet 11711070
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-03-18
Date de la première publication 2022-06-30
Date d'octroi 2023-07-25
Propriétaire NUVOTON TECHNOLOGY CORPORATION JAPAN (Japon)
Inventeur(s) Nakanishi, Kazuyuki

Abrégé

A semiconductor device includes: a first latch circuit that includes a first inverting circuit, a second inverting circuit, a third inverting circuit, and a fourth inverting circuit; a first first-type well region; a second first-type well region; and a second-type well region. In a plan view, a distance between a drain of a first-type MOS transistor in the first inverting circuit and a drain of a first-type MOS transistor in the third inverting circuit is longer than a distance between the drain of the first-type MOS transistor in the first inverting circuit and a drain of a first-type MOS transistor in the fourth inverting circuit.

Classes IPC  ?

  • H03K 3/037 - Circuits bistables
  • H03K 3/3562 - Circuits bistables du type maître-esclave
  • H03K 3/356 - Circuits bistables
  • H01L 21/8238 - Transistors à effet de champ complémentaires, p.ex. CMOS
  • H01L 27/092 - Transistors à effet de champ métal-isolant-semi-conducteur complémentaires

98.

Power amplifier device

      
Numéro d'application 17626006
Numéro de brevet 11456712
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2021-04-09
Date de la première publication 2022-06-30
Date d'octroi 2022-09-27
Propriétaire NUVOTON TECHNOLOGY CORPORATION JAPAN (Japon)
Inventeur(s)
  • Saji, Takashi
  • Motoyoshi, Kaname
  • Matsuda, Shingo

Abrégé

A power amplifier device includes: a first power supply terminal for inputting a first power supply voltage; a first transistor for power amplification that (i) includes a first gate to which a bias voltage is applied, and (ii) is supplied with power from the first power supply terminal; a second power supply terminal for inputting a second power supply voltage lower than the first power supply voltage; a second transistor for monitoring that (i) includes a second gate to which the bias voltage is applied, (ii) is supplied with power from the first power supply terminal or the second power supply terminal, and (iii) imitates an operation of the first transistor; and a bias circuit that is supplied with power from the second power supply terminal and generates and adjusts the bias voltage according to a drain current or a source current of the second transistor.

Classes IPC  ?

  • H03F 1/30 - Modifications des amplificateurs pour réduire l'influence des variations de la température ou de la tension d'alimentation
  • H03F 3/21 - Amplificateurs de puissance, p.ex. amplificateurs de classe B, amplificateur de classe C comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs

99.

Semiconductor device

      
Numéro d'application 17698903
Numéro de brevet 11949413
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-03-18
Date de la première publication 2022-06-30
Date d'octroi 2024-04-02
Propriétaire NUVOTON TECHNOLOGY CORPORATION JAPAN (Japon)
Inventeur(s)
  • Nakanishi, Kazuyuki
  • Hirata, Akio

Abrégé

A semiconductor device according to an aspect of the present disclosure includes: a plurality of line layers; a first line; and a second line that is not connected to the first line and is redundantly provided to transfer a signal having a level same as a level of a signal transferred through the first line. The first line and the second line are included in different layers out of the plurality of line layers, and a distance between the first line and the second line is longer than an interlayer distance between line layers next to each other out of the plurality of line layers.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/522 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
  • H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
  • H03K 3/3562 - Circuits bistables du type maître-esclave
  • H03K 19/007 - Circuits assurant la sécurité en cas de défaut

100.

SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application 17690600
Statut En instance
Date de dépôt 2022-03-09
Date de la première publication 2022-06-23
Propriétaire Nuvoton Technology Corporation Japan (Japon)
Inventeur(s)
  • Nakanishi, Kazuyuki
  • Hirata, Akio

Abrégé

A semiconductor device includes: a first line; a second line that is not connected to the first line and is provided to transfer a signal having a level same as a level of a signal transferred through the first line; and another line different from the first line and the second line. In a line layer, a distance between the first line and the second line is longer than a distance between the first line and the other line, and is longer than a distance between the second line and the other line.

Classes IPC  ?

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