Applied Materials, Inc.

États‑Unis d’Amérique

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Type PI
        Brevet 18 117
        Marque 648
Juridiction
        États-Unis 10 173
        International 8 534
        Europe 30
        Canada 28
Propriétaire / Filiale
[Owner] Applied Materials, Inc. 16 826
Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. 1 273
Applied Materials Israel, Ltd. 556
Applied Materials Italia S.R.L. 83
Applied Materials GmbH & Co. KG 32
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Date
Nouveautés (dernières 4 semaines) 168
2024 juin (MACJ) 77
2024 mai 250
2024 avril 137
2024 mars 148
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Classe IPC
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants 3 126
H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse 2 554
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives 2 364
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction 1 427
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension 1 238
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Classe NICE
07 - Machines et machines-outils 343
09 - Appareils et instruments scientifiques et électriques 326
37 - Services de construction; extraction minière; installation et réparation 66
42 - Services scientifiques, technologiques et industriels, recherche et conception 48
40 - Traitement de matériaux; recyclage, purification de l'air et traitement de l'eau 41
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Statut
En Instance 2 288
Enregistré / En vigueur 16 477
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1.

MEDEOR

      
Numéro d'application 1793754
Statut Enregistrée
Date de dépôt 2024-03-22
Date d'enregistrement 2024-03-22
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Classes de Nice  ? 09 - Appareils et instruments scientifiques et électriques

Produits et services

Semiconductor manufacturing software used to provide wafer doping uniformity.

2.

VERIDIAN

      
Numéro d'application 1793755
Statut Enregistrée
Date de dépôt 2024-03-22
Date d'enregistrement 2024-03-22
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Classes de Nice  ? 07 - Machines et machines-outils

Produits et services

Semiconductor wafer processing equipment for modifying film properties of substrates.

3.

METAL BASED HYDROGEN BARRIER

      
Numéro d'application 18581598
Statut En instance
Date de dépôt 2024-02-20
Date de la première publication 2024-06-13
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Gandikota, Srinivas
  • Hung, Steven C.H.
  • Nemani, Srinivas D.
  • Yang, Yixiong
  • Singha Roy, Susmit
  • Bekiaris, Nikolaos

Abrégé

A method of forming an electronic device is disclosed. The method comprises forming depositing a metal on a substrate, the metal comprising one or more of copper (Cu), titanium (Ti), or tantalum (Ta). A metal cap is deposited on the metal. The metal cap comprises one or more of molybdenum (Mo), ruthenium (Ru), iridium (Ir), rhodium (Rh), palladium (Pd), silver (Ag), osmium (Os), platinum (Pt), or gold (Au). The substrate is then exposed to an anneal process, e.g., a hydrogen high-pressure anneal. The formation of the metal cap on the metal minimizes parasitic adsorption of hydrogen by the underlying metal.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
  • H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes

4.

CARRIER WITH ROTATION PREVENTION FEATURE

      
Numéro d'application 18079755
Statut En instance
Date de dépôt 2022-12-12
Date de la première publication 2024-06-13
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Cox, Damon K.
  • Gondihosalli, Manjunatha
  • Muthukamatchi, Karuppasamy

Abrégé

A carrier includes a carrier body, fingers attached to the carrier body, and a rotation prevention component attached to the carrier body. The fingers are configured to support a process kit ring. The rotation prevention component is configured to be disposed proximate a flat inner surface of the process kit ring to prevent rotation of the process kit ring.

Classes IPC  ?

  • B25J 19/00 - Accessoires adaptés aux manipulateurs, p.ex. pour contrôler, pour observer; Dispositifs de sécurité combinés avec les manipulateurs ou spécialement conçus pour être utilisés en association avec ces manipulateurs
  • B25J 15/08 - Têtes de préhension avec des éléments en forme de doigts

5.

BLUE COLOR CONVERTER FOR MICRO LED DEVICES

      
Numéro d'application 18586175
Statut En instance
Date de dépôt 2024-02-23
Date de la première publication 2024-06-13
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Luo, Yingdong
  • Xu, Lisong
  • Ganapathiappan, Sivapackia
  • Ng, Hou T.
  • Kwak, Byung Sung
  • Zhu, Mingwei
  • Patibandla, Nag B.

Abrégé

A display includes a light emitting diode and a color conversion layer that includes a polymer matrix, a blue photoluminescent material, and a components of a photoinitiator that initiated polymerization to form the polymer matrix. The blue photoluminescent material is selected to absorb ultraviolet light with a maximum wavelength in a range of about 300 nm to about 430 nm and to emit blue light. The blue photoluminescent material also has an emission peak in a range of about 420 nm to about 480 nm. The full width at half maximum of the emission peak is less than 100 nm, and the photoluminescence quantum yield is in a range of 5% to 100%.

Classes IPC  ?

  • H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
  • C09K 11/02 - Emploi de substances particulières comme liants, revêtements de particules ou milieux de suspension
  • C09K 11/06 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances organiques luminescentes
  • H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails

6.

CHELATING AGENTS FOR QUANTUM DOT PRECURSOR MATERIALS IN COLOR CONVERSION LAYERS FOR MICRO-LEDS

      
Numéro d'application 18444277
Statut En instance
Date de dépôt 2024-02-16
Date de la première publication 2024-06-13
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Luo, Yingdong
  • Zhang, Daihua
  • Ng, Hou T.
  • Ganapathiappan, Sivapackia
  • Patibandla, Nag B.

Abrégé

A photocurable composition includes quantum dots, quantum dot precursor materials, a chelating agent, one or more monomers, and a photoinitiator. The quantum dots are selected to emit radiation in a first wavelength band in the visible light range in response to absorption of radiation in a second wavelength band in the UV or visible light range. The second wavelength band is different than the first wavelength band. The quantum dot precursor materials include metal atoms or metal ions corresponding to metal components present in the quantum dots. The chelating agent is configured to chelate the quantum dot precursor materials. The photoinitiator initiates polymerization of the one or more monomers in response to absorption of radiation in the second wavelength band.

Classes IPC  ?

  • H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
  • H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
  • H01L 33/30 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique

7.

LEARNING BASED TUNING IN A RADIO FREQUENCY PLASMA PROCESSING CHAMBER

      
Numéro d'application 18076725
Statut En instance
Date de dépôt 2022-12-07
Date de la première publication 2024-06-13
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Guo, Yue
  • Ramaswamy, Kartik
  • Yang, Yang

Abrégé

Some embodiments are directed to a method of processing a substrate in a plasma processing system. The method generally includes tuning a first capacitor and a second capacitor of a tuning circuit to match a first impedance corresponding to a first stage of a waveform, while a frequency of a radio frequency (RF) generator is preset to a first frequency; tuning a third capacitor of the tuning circuit and the frequency of the RF generator to match a second impedance corresponding to a second stage of the waveform, wherein the frequency of the RF generator is tuned to a second frequency; recording setting values of the first frequency and the second frequency that match different impedances at different stages of the waveform; and switching between the first frequency and the second frequency to match the different impedances at the different stages of the waveform.

Classes IPC  ?

  • H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse

8.

AUTOMATED SUBSTRATE PLACEMENT TO CHAMBER CENTER

      
Numéro d'application 18586310
Statut En instance
Date de dépôt 2024-02-23
Date de la première publication 2024-06-13
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s) Aderhold, Wolfgang

Abrégé

Embodiments disclosed herein include a method of centering a substrate in a chamber. In an embodiment, the method comprises inserting the substrate into the chamber with a robot arm, obtaining a delta time value for a second pyrometer relative to a first pyrometer, where the delta time value is a duration of time between when the first pyrometer is covered by the substrate and when the second pyrometer is covered by the substrate, calculating a time offset value of the delta time value relative to an ideal delta time value, where the ideal delta time value is the delta time value when the substrate is perfectly centered in a first direction perpendicular to the motion of the substrate, and comparing the time offset value to a graph or a lookup table that correlates the time offset value to a distance offset value.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
  • B25J 11/00 - Manipulateurs non prévus ailleurs
  • G05B 19/00 - Systèmes de commande à programme
  • H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p.ex. mandrins, pièces de serrage, pinces

9.

TWO STEP IMPLANT TO IMPROVE LINE EDGE ROUGHNESS AND LINE WIDTH ROUGHNESS

      
Numéro d'application 18077809
Statut En instance
Date de dépôt 2022-12-08
Date de la première publication 2024-06-13
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Hautala, John
  • Dai, Huixiong

Abrégé

Methods of processing patterned photoresist to reduce line edge roughness and line width roughness on a semiconductor workpiece are disclosed. The method is performed after the photoresist has been patterned and before the etching process is commenced. Two implants, using different species, are performed at high tilt angles. In certain embodiments, the tilt angle may be 45° or more. Further, the implants are performed at twist angles such that the trajectory of the ions is nearly parallel to the patterned photoresist lines. In this way, the ions from the two implants glance the top and sidewalls of the photoresist lines. Using this technique, the LER and LWR of the photoresist lines may be reduced with minimal impact on the CD.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/66 - Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
  • H01L 21/027 - Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe ou
  • H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif

10.

THIN FILM TRANSISTORS FOR CIRCUITS FOR USE IN DISPLAY DEVICES

      
Numéro d'application 18556460
Statut En instance
Date de dépôt 2021-05-07
Date de la première publication 2024-06-13
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Yim, Dong Kil
  • Choi, Soo Young
  • Kim, Jung Bae

Abrégé

Disclosed herein is a device including a driving thin film transistor. The driving thin film transistor includes a metal oxide channel, a source electrode in contact with the driving metal oxide channel, and a top gate electrode disposed above the metal oxide channel and physically connected to the driving source electrode.

Classes IPC  ?

  • G09G 3/3266 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED] organiques, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes organiques [OLED] - Détails des circuits de commande pour les électrodes de balayage
  • H01L 29/786 - Transistors à couche mince

11.

METHODS FOR CALIBRATING AN OPTICAL EMISSION SPECTROMETER

      
Numéro d'application 18581626
Statut En instance
Date de dépôt 2024-02-20
Date de la première publication 2024-06-13
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Lo, Kin Pong
  • Hawrylchak, Lara
  • Bevan, Malcolm J.
  • Guarini, Theresa Kramer
  • Liu, Wei
  • Hwang, Bernard L.

Abrégé

One or more embodiments described herein generally relate to systems and methods for calibrating an optical emission spectrometer (OES) used for processing semiconductor substrates. In embodiments herein, a light fixture is mounted to a plate within a process chamber. A light source is positioned within the light fixture such that it provides an optical path that projects directly at a window through which the OES looks into the process chamber for its reading. When the light source is on, the OES measures the optical intensity of radiation from the light source. To calibrate the OES, the optical intensity of the light source is compared at two separate times when the light source is on. If the optical intensity of radiation at the first time is different than the optical intensity of radiation at the second time, the OES is modified.

Classes IPC  ?

  • G01J 3/28 - Etude du spectre
  • G01J 3/02 - Spectrométrie; Spectrophotométrie; Monochromateurs; Mesure de la couleur - Parties constitutives
  • G01J 3/10 - Aménagements de sources lumineuses spécialement adaptées à la spectrométrie ou à la colorimétrie
  • G01J 3/443 - Spectrométrie par émission

12.

METHODS AND APPLICATIONS OF NOVEL AMORPHOUS HIGH-K METAL-OXIDE DIELECTRICS BY SUPER-CYCLE ATOMIC LAYER DEPOSITION

      
Numéro d'application 18555342
Statut En instance
Date de dépôt 2021-04-22
Date de la première publication 2024-06-13
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Sun, Zhelin
  • Huh, Kwang Soo
  • Zhao, Lai
  • Choi, Soo Yong

Abrégé

Embodiments of the disclosure relate to articles and transistor structures and methods of preparation and use thereof, including a substrate and an amorphous oxide film overlaying at least a portion of the substrate, where the amorphous oxide film includes a first oxide and a second oxide. The first oxide can include zirconium oxide (ZrO2), hafnium oxide (HfO2) or a combination thereof, the second oxide can include silicon dioxide (SiO2), aluminum oxide (Al2O3), nitric oxide (NO) or combinations thereof. The amorphous oxide film can conformal and have a porosity of less than about 1% and may have a dielectric constant (k) of about 8 to about 28.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
  • H01L 29/786 - Transistors à couche mince

13.

SEMICONDUCTOR FILM THICKNESS PREDICTION USING MACHINE-LEARNING

      
Numéro d'application US2023082213
Numéro de publication 2024/123635
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-12-02
Date de publication 2024-06-13
Propriétaire APPLIED MATERIALS, INC. (USA)
Inventeur(s)
  • Motamedi, Nojan
  • Benvegnu, Dominic J.
  • Shrestha, Kiran L.

Abrégé

A machine-learning model may be used to estimate a film thickness from a spectral image captured from a semiconductor substrate during processing. Instead of using actual measurements from physical substrates to train the model, simulated images may be generated for a wide variety of predefined thickness profiles. Simulated training data may be rapidly generated by receiving a film thickness profile representing a film on a semiconductor substrate design. A light source may be simulated being reflected off of the film on the semiconductor substrate and being captured by a camera. The spectral data captured by the camera may be converted into one or more images for a wafer with the film thickness profile. The images may then be labeled with thicknesses from the film thickness profile for training a machine-learning model.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
  • H01L 21/66 - Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
  • G01B 11/06 - Dispositions pour la mesure caractérisées par l'utilisation de techniques optiques pour mesurer la longueur, la largeur ou l'épaisseur pour mesurer l'épaisseur
  • G06T 7/00 - Analyse d'image
  • G06T 7/60 - Analyse des attributs géométriques
  • G06N 20/00 - Apprentissage automatique
  • G06F 30/27 - Optimisation, vérification ou simulation de l’objet conçu utilisant l’apprentissage automatique, p.ex. l’intelligence artificielle, les réseaux neuronaux, les machines à support de vecteur [MSV] ou l’apprentissage d’un modèle

14.

THERMAL CHOKE PLATE

      
Numéro d'application US2023082227
Numéro de publication 2024/123641
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-12-04
Date de publication 2024-06-13
Propriétaire APPLIED MATERIALS, INC. (USA)
Inventeur(s)
  • Nagappan, Vellaichamy
  • Kalsekar, Viren
  • Lee, Jeongmin
  • Prabhakar, Vinay K.
  • Chandran, Pratap
  • Srichurnam, Dharma Ratnam
  • Khan, Azhar
  • Singh, Sumit Subhash
  • Chandrasekar, Siva
  • Radhakrishnan, Satish

Abrégé

Exemplary choke plates for use in a substrate processing system may include a plate defining a first aperture through the plate and a second aperture through the plate. The second aperture may be laterally offset from the first aperture. The plate may include a flange that defines a purging inlet. The plate may include a rim defining a plurality of purging outlets that are fluidly coupled with the purging inlet. Each of the plurality of purging outlets may be fluidly coupled with the first aperture.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants

15.

TWO STEP IMPLANT TO IMPROVE LINE EDGE ROUGHNESS AND LINE WIDTH ROUGHNESS

      
Numéro d'application US2023080024
Numéro de publication 2024/123519
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-11-16
Date de publication 2024-06-13
Propriétaire APPLIED MATERIALS, INC. (USA)
Inventeur(s)
  • Hautala, John
  • Dai, Huixiong

Abrégé

Methods of processing patterned photoresist to reduce line edge roughness and line width roughness on a semiconductor workpiece are disclosed. The method is performed after the photoresist has been patterned and before the etching process is commenced. Two implants, using different species, are performed at high tilt angles. In certain embodiments, the tilt angle may be 45 or more. Further, the implants are performed at twist angles such that the trajectory of the ions is nearly parallel to the patterned photoresist lines. In this way, the ions from the two implants glance the top and sidewalls of the photoresist lines. Using this technique, the LER and LWR of the photoresist lines may be reduced with minimal impact on the CD.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/027 - Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe ou
  • H01L 21/3105 - Post-traitement
  • H01J 37/317 - Tubes à faisceau électronique ou ionique destinés aux traitements localisés d'objets pour modifier les propriétés des objets ou pour leur appliquer des revêtements en couche mince, p.ex. implantation d'ions

16.

INTERLAYER FOR RESISTIVITY REDUCTION IN METAL DEPOSITION APPLICATIONS

      
Numéro d'application US2023035687
Numéro de publication 2024/123427
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-10-23
Date de publication 2024-06-13
Propriétaire APPLIED MATERIALS, INC. (USA)
Inventeur(s)
  • Patel, Sahil Jaykumar
  • Zhao, Xianyuan
  • Lei, Wei
  • Zhang, Aixi
  • Xu, Yi
  • Lei, Yu

Abrégé

Methods and apparatus for processing a substrate are provided. In some embodiments, a method includes depositing an amorphous interlayer atop a first layer on a substrate, wherein the first layer is a metal-containing layer; and depositing a metal layer atop the amorphous interlayer.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
  • H01L 23/532 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées caractérisées par les matériaux
  • C23C 16/02 - Pré-traitement du matériau à revêtir
  • C23C 16/06 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique

17.

EUV PHOTORESIST AND UNDERLAYER ADHESION MODULATION

      
Numéro d'application US2023037080
Numéro de publication 2024/123453
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-11-09
Date de publication 2024-06-13
Propriétaire APPLIED MATERIALS, INC. (USA)
Inventeur(s)
  • Huang, Zhiyu
  • Cao, Bocheng
  • Zhu, Siyu
  • Yu, Hang
  • Lin, Yung-Chen
  • Lang, Chi-I

Abrégé

Embodiments disclosed herein include a method of developing a patterning stack. In an embodiment, the method comprises providing a patterning stack, where the patterning stack comprises an underlayer and a photoresist over the underlayer, and where the underlayer has a first adhesion strength with the photoresist. The method may further comprise exposing and developing the photoresist with electromagnetic radiation and a developer, where scum remains on a surface of the underlayer. In an embodiment, the method further comprises treating the underlayer so that the underlayer has a second adhesion strength with the scum, and removing the scum.

Classes IPC  ?

  • G03F 7/40 - Traitement après le dépouillement selon l'image, p.ex. émaillage
  • G03F 7/11 - Matériaux photosensibles - caractérisés par des détails de structure, p.ex. supports, couches auxiliaires avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p.ex. couches d'ancrage
  • G03F 7/039 - Composés macromoléculaires photodégradables, p.ex. réserves positives sensibles aux électrons

18.

CHAMBER IMPEDANCE MANAGEMENT IN A PROCESSING CHAMBER

      
Numéro d'application US2023010922
Numéro de publication 2024/123377
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-01-17
Date de publication 2024-06-13
Propriétaire APPLIED MATERIALS, INC. (USA)
Inventeur(s)
  • Cui, Linying
  • Rogers, James
  • Hernandez, Keith
  • Chin, William
  • Dorf, Leonid

Abrégé

Embodiments of the disclosure include an apparatus and a method for controlling plasma uniformity by controlling plasma density in the bulk plasma over the center region and circumferential edge region of the substrate. Plasma uniformity can be controlled by use of an RF tuning circuit coupled to one of a plurality of electrodes positioned relative to a substrate during plasma processing. By adjusting the electrical characteristics of at least one of the RF tuning circuits, the effect that the generated RF fundamental frequency and related RF harmonic frequencies have on the plasma processing results can be controlled. Beneficially, the use of one or more of the tuning circuits and methods of using the same may be used to provide individual tuning knobs for controlling reactive neutral species concentration, ion energy and angular distribution, ion directionality and directionality uniformity, and separately controlling ion flux and reactive neutral species uniformity across the surface of the substrate.

Classes IPC  ?

  • H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
  • H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension

19.

LEARNING BASED TUNING IN A RADIO FREQUENCY PLASMA PROCESSING CHAMBER

      
Numéro d'application US2023010752
Numéro de publication 2024/123375
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-01-13
Date de publication 2024-06-13
Propriétaire APPLIED MATERIALS, INC. (USA)
Inventeur(s)
  • Guo, Yue
  • Ramaswamy, Kartik
  • Yang, Yang

Abrégé

Some embodiments are directed to a method of processing a substrate in a plasma processing system. The method generally includes tuning a first capacitor and a second capacitor of a tuning circuit to match a first impedance corresponding to a first stage of a waveform, while a frequency of a radio frequency (RF) generator is preset to a first frequency; tuning a third capacitor of the tuning circuit and the frequency of the RF generator to match a second impedance corresponding to a second stage of the waveform, wherein the frequency of the RF generator is tuned to a second frequency; recording setting values of the first frequency and the second frequency that match different impedances at different stages of the waveform; and switching between the first frequency and the second frequency to match the different impedances at the different stages of the waveform.

Classes IPC  ?

  • H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
  • H03H 7/38 - Réseaux d'adaptation d'impédance

20.

METHOD OF SELECTIVE METAL DEPOSITION USING SEPARATED REACTANT ACTIVATION AND PLASMA DISCHARGING ZONES

      
Numéro d'application US2023035841
Numéro de publication 2024/123432
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-10-25
Date de publication 2024-06-13
Propriétaire APPLIED MATERIALS, INC. (USA)
Inventeur(s)
  • Jiang, Ying-Bing
  • Lee, Joung Joo
  • Tang, Xianmin
  • Lu, Jiang
  • Gelatos, Avgerinos V.
  • Wu, Dien-Yeh
  • Ye, Weifeng
  • Wan, Yiyang
  • How, Gary
  • Hernandez, Joseph

Abrégé

Methods of depositing a metal silicide on a substrate are provided herein. In some embodiments, a method of depositing a metal silicide on a substrate having a silicon containing surface includes: creating a plasma comprising a first gas in a plasma region in a chemical vapor deposition (CVD) chamber, wherein the plasma region is disposed between a lid heater and a showerhead; flowing the first gas through a plurality of first openings of the showerhead to an activation region in the CVD chamber disposed between the showerhead and the substrate; flowing a second gas comprising a metal precursor in a non-plasma state through a plurality of second openings of the showerhead to the activation region, wherein the plurality of second openings are fluidly independent from the plurality of first openings within the showerhead; mixing the first gas with the second gas to activate the second gas in the activation region; and exposing the silicon containing surface of the substrate to the activated second gas.

Classes IPC  ?

  • C23C 16/42 - Siliciures
  • C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
  • C23C 16/452 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour produire des courants de gaz réactifs, p.ex. par évaporation ou par sublimation de matériaux précurseurs par activation de courants de gaz réactifs avant l'introduction dans la chambre de réaction, p.ex. par ionisation ou par addition d'espèces réactives
  • C23C 16/505 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques utilisant des décharges à radiofréquence

21.

AUTOMATIC SEGMENTATION OF AN IMAGE OF A SEMICONDUCTOR SPECIMEN AND USAGE IN METROLOGY

      
Numéro d'application 18537693
Statut En instance
Date de dépôt 2023-12-12
Date de la première publication 2024-06-13
Propriétaire Applied Materials Israel Ltd. (Israël)
Inventeur(s)
  • Akerman, Lior
  • Peled, Tomer Haim

Abrégé

There is provided a method and a system in which a processing circuitry is configured to obtain an inspection image representative of 2D information of an inspection area of a semiconductor specimen, and feed the inspection image to a trained machine learning model operative to segment the inspection image into at least a first segment S′1 and a second segment S′2, wherein the first segment S′1 corresponds to a first region of the inspection area which has a height profile pattern corresponding to a first height profile pattern, and the second segment S′2 corresponds to a second region of the area which has a height profile pattern corresponding to a second height profile pattern, wherein the first height profile pattern is different from the second height profile pattern.

Classes IPC  ?

22.

MODULAR MAINFRAME LAYOUT FOR SUPPORTING MULTIPLE SEMICONDUCTOR PROCESS MODULES OR CHAMBERS

      
Numéro d'application 18586209
Statut En instance
Date de dépôt 2024-02-23
Date de la première publication 2024-06-13
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Harris, Randy A.
  • Grove, Coby Scott
  • Wirth, Paul Zachary
  • Shantaram, Avinash
  • Yilmaz, Alpay
  • Nissan, Amir
  • Bhimjiyani, Jitendra Ratilal
  • Pingle, Niranjan
  • Dicaprio, Vincent

Abrégé

Methods and apparatus for bonding chiplets to substrates are provided herein. In some embodiments, a multi-chamber processing tool for processing substrates includes: an equipment front end module (EFEM) having one or more loadports for receiving one or more types of substrates; and a plurality of automation modules coupled to each other and having a first automation module coupled to the EFEM, wherein each of the plurality of automation modules include a transfer chamber and one or more process chambers coupled to the transfer chamber, wherein the transfer chamber includes a buffer, and wherein the transfer chamber includes a transfer robot configured to transfer the one or more types of substrates, wherein at least one of the plurality of automation modules include a bonder chamber and at least one of the plurality of automation modules include a wet clean chamber.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
  • H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p.ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

23.

DESIGN, CONTROL, AND OPTIMIZATION OF PHOTOSENSITIVITY MODULATION ALONG PHOTORESIST FILM DEPTH

      
Numéro d'application 18379102
Statut En instance
Date de dépôt 2023-10-11
Date de la première publication 2024-06-13
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Hao, Ruiying
  • De Cecco, Paola
  • Sachan, Madhur
  • Lee, Kwangduk D.
  • Sanchez, Martha
  • Bozano, Luisa

Abrégé

Embodiments disclosed herein include a method for forming a photoresist stack. In an embodiment, the method comprises forming a first photoresist layer over a substrate, where the first photoresist layer is formed with a first dry deposition process, and forming a second photoresist layer over the first photoresist layer, where the second photoresist layer is formed with a second dry deposition process that is different than the first deposition process.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/033 - Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe ou comportant des couches inorganiques

24.

POST-TREATMENT FOR REMOVING RESIDUES FROM DIELECTRIC SURFACE

      
Numéro d'application 18534333
Statut En instance
Date de dépôt 2023-12-08
Date de la première publication 2024-06-13
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Tavakoli, Mohammad Mahdi
  • Gelatos, Avgerinos V.
  • Cen, Jiajie
  • Kashefi, Kevin
  • Lee, Joung Joo
  • Liu, Zhihui
  • Zhou, Yang
  • Wu, Zhiyuan
  • Wu, Meng-Shan

Abrégé

A semiconductor structure includes a first level comprising a metal layer within a first dielectric layer formed on a substrate, a second level formed on the first level, the second level comprising an interconnect within a second dielectric layer and a barrier layer formed around the interconnect, and a metal capping layer disposed at an interface between the metal layer and the interconnect, wherein the metal capping layer comprises tungsten (W) and has a thickness of between 20 Å and 40 Å.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/532 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées caractérisées par les matériaux
  • H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
  • H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
  • H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif

25.

ION EXTRACTION OPTICS HAVING NOVEL BLOCKER CONFIGURATION

      
Numéro d'application 18080555
Statut En instance
Date de dépôt 2022-12-13
Date de la première publication 2024-06-13
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Biloiu, Costel
  • Calkins, Adam
  • Rockwell, Tyler
  • Daniels, Kevin M.
  • Campbell, Christopher

Abrégé

A processing system may include a plasma chamber and an extraction optics, disposed along a side of the plasma chamber. The extraction optics may include an extraction plate, having an outer side and an inner side, where the extraction plate defines at least one extraction aperture. The extraction optics may include a beam blocker, overlapping the at least one extraction aperture, and disposed towards the inner side of the extraction plate. The beam blocker may have a cross-section that defines a boomerang shape, and may comprise a first metallic material, where the extraction plate comprises a second metallic material. The processing system may further include a substrate platen, disposed outside of the plasma chamber, and movable along a scan direction with respect to the extraction aperture.

Classes IPC  ?

  • H01J 37/09 - Diaphragmes; Ecrans associés aux dispositifs électronoptiques ou ionoptiques; Compensation des champs perturbateurs

26.

ELECTROCHEMICAL REDUCTION OF SURFACE METAL OXIDES

      
Numéro d'application 18077225
Statut En instance
Date de dépôt 2022-12-07
Date de la première publication 2024-06-13
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Shin, Yoon Ah
  • Mebarki, Bencherki
  • Lee, Joung Joo
  • Tang, Xianmin
  • Chua, Thai Cheng
  • Valencia, Christian W.

Abrégé

Embodiments of the disclosure relate to methods for reducing metal oxide layers to pure metal using microwave radiation. Specific embodiments provide methods of reducing a native metal oxide on a metal interconnect within a substrate feature comprising dielectric sidewalls. In some embodiments, surrounding dielectric materials are undamaged by the disclosed processes.

Classes IPC  ?

  • C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
  • H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
  • H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives

27.

Selective Implantation into STI of ETSOI Device

      
Numéro d'application 18079817
Statut En instance
Date de dépôt 2022-12-12
Date de la première publication 2024-06-13
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Zhang, Qintao
  • Zou, Wei

Abrégé

Disclosed herein are approaches for forming a shallow trench isolation (STI) to improve extremely thin silicon on insulator (ETSOI) device performance. In one approach, a method may include providing a device stack comprising a buried oxide (BOX) layer in a substrate, patterning a hardmask over the substrate, and forming a plurality of isolation regions in the device stack, wherein the plurality of isolation regions extend through the box layer and the substrate. The method may further include forming a well mask over the device stack, wherein an opening through the well mask exposes a first isolation region of the plurality of isolation regions, and modifying a stress of a material of the first isolation region by implanting the first isolation region of the plurality of isolation regions.

Classes IPC  ?

28.

MULTILAYER INNER SPACER FOR GATE-ALL-AROUND DEVICE

      
Numéro d'application 18383182
Statut En instance
Date de dépôt 2023-10-24
Date de la première publication 2024-06-13
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Yeong, Sai Hooi
  • Jiang, Liu
  • Singha Roy, Susmit
  • Mallick, Abhijit Basu
  • Bazizi, El Mehdi
  • Colombeau, Benjamin

Abrégé

Semiconductor devices (e.g., gate-all-around (GAA) devices), process tools for manufacturing GAA devices and methods of manufacturing GAA devices and multilayer inner spacers for GAA devices are described. The multilayer inner spacer comprises an inner layer, a middle layer, and an outer layer within a superlattice structure formed on a top surface of a substrate. The superlattice structure has a plurality of semiconductor material layers (e.g., silicon germanium (SiGe)) and a corresponding plurality of channel layers (e.g., silicon (Si)) alternatingly arranged in a plurality of stacked pairs. In some embodiments, the methods are performed in situ in an integrated deposition and etch processing system.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
  • H01L 21/8238 - Transistors à effet de champ complémentaires, p.ex. CMOS
  • H01L 27/092 - Transistors à effet de champ métal-isolant-semi-conducteur complémentaires
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
  • H01L 29/775 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à une dimension, p.ex. FET à fil quantique
  • H01L 29/786 - Transistors à couche mince

29.

TWO STEP IMPLANT TO CONTROL TIP-TO-TIP DISTANCE BETWEEN TRENCHES

      
Numéro d'application 18077812
Statut En instance
Date de dépôt 2022-12-08
Date de la première publication 2024-06-13
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Hautala, John
  • Dai, Huixiong

Abrégé

Methods of processing patterned photoresist to control tip-to-tip distance on a semiconductor workpiece are disclosed. The method is performed after the photoresist has been patterned and before the etching process is commenced. Two implants, using different species, are performed at high tilt angles. In certain embodiments, the tilt angle may be 45° or more. Further, the implants are performed at twist angles such that the trajectory of the ions is nearly parallel to the patterned photoresist lines. In this way, the ions from the two implants glance the top and sidewalls of the photoresist lines. Using this technique, the tip-to-tip distance between patterned photoresist lines may be reduced with minimal impact on the CD.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/66 - Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
  • H01L 21/027 - Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe ou
  • H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif

30.

CHAMBER IMPEDANCE MANAGEMENT IN A PROCESSING CHAMBER

      
Numéro d'application 18063888
Statut En instance
Date de dépôt 2022-12-09
Date de la première publication 2024-06-13
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Cui, Linying
  • Rogers, James
  • Hernandez, Keith
  • Chin, William
  • Dorf, Leonid

Abrégé

Embodiments of the disclosure include an apparatus and a method for controlling plasma uniformity by controlling plasma density in the bulk plasma over the center region and circumferential edge region of the substrate. Plasma uniformity can be controlled by use of an RF tuning circuit coupled to one of a plurality of electrodes positioned relative to a substrate during plasma processing. By adjusting the electrical characteristics of at least one of the RF tuning circuits, the effect that the generated RF fundamental frequency and related RF harmonic frequencies have on the plasma processing results can be controlled. Beneficially, the use of one or more of the tuning circuits and methods of using the same may be used to provide individual tuning knobs for controlling reactive neutral species concentration, ion energy and angular distribution, ion directionality and directionality uniformity, and separately controlling ion flux and reactive neutral species uniformity across the surface of the substrate.

Classes IPC  ?

  • H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse

31.

Interlayer for Resistivity Reduction in Metal Deposition Applications

      
Numéro d'application 18197846
Statut En instance
Date de dépôt 2023-05-16
Date de la première publication 2024-06-13
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Patel, Sahil Jaykumar
  • Zhao, Xianyuan
  • Lei, Wei
  • Zhang, Aixi
  • Xu, Yi
  • Lei, Yu

Abrégé

Methods and apparatus for processing a substrate are provided. In some embodiments, a method includes depositing an amorphous interlayer atop a first layer on a substrate, wherein the first layer is a metal-containing layer, and depositing a metal layer atop the amorphous interlayer.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
  • H01L 23/532 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées caractérisées par les matériaux

32.

TWO STEP IMPLANT TO CONTROL TIP-TO-TIP DISTANCE BETWEEN TRENCHES

      
Numéro d'application US2023080042
Numéro de publication 2024/123520
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-11-16
Date de publication 2024-06-13
Propriétaire APPLIED MATERIALS, INC. (USA)
Inventeur(s)
  • Hautala, John
  • Dai, Huixiong

Abrégé

Methods of processing patterned photoresist to control tip-to-tip distance on a semiconductor workpiece are disclosed. The method is performed after the photoresist has been patterned and before the etching process is commenced. Two implants, using different species, are performed at high tilt angles. In certain embodiments, the tilt angle may be 45° or more. Further, the implants are performed at twist angles such that the trajectory of the ions is nearly parallel to the patterned photoresist lines. In this way, the ions from the two implants glance the top and sidewalls of the photoresist lines. Using this technique, the tip-to-tip distance between patterned photoresist lines may be reduced with minimal impact on the CD.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/027 - Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe ou
  • H01L 21/3105 - Post-traitement
  • H01J 37/317 - Tubes à faisceau électronique ou ionique destinés aux traitements localisés d'objets pour modifier les propriétés des objets ou pour leur appliquer des revêtements en couche mince, p.ex. implantation d'ions

33.

INTEGRATED PROCESS SEQUENCE FOR HYBRID BONDING APPLICATIONS

      
Numéro d'application US2023082065
Numéro de publication 2024/123616
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-12-01
Date de publication 2024-06-13
Propriétaire APPLIED MATERIALS, INC. (USA)
Inventeur(s)
  • Pingle, Niranjan
  • Bhimjiyani, Jitendra Ratilal
  • Jaiswal, Shreshtha Kumar

Abrégé

A method for sequencing a hybrid bonding process by double linking a source of dies and a target. The method may include selecting a source of dies for bonding, selecting a target on which the dies will be bonded, linking the source to the target, linking the target to the source, forming an integrated bonding product sequence that includes a first linked bonding sequence for the source and a second linked bonding sequence for the target, determining bonding process chamber allocations and process timing for the source and the target based on the integrated bonding product sequence, and bonding a die from the source to the target using the integrated bonding product sequence.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

34.

METHOD OF PROCESSING A SUBSTRATE AND PROCESSING APPARATUS

      
Numéro d'application EP2022084770
Numéro de publication 2024/120628
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-12-07
Date de publication 2024-06-13
Propriétaire APPLIED MATERIALS, INC. (USA)
Inventeur(s) Lee, Ming-Chun

Abrégé

A method of processing a substrate. The substrate is a glass substrate for display manufacturing. The method includes chucking the substrate to a monopolar electrostatic chuck by providing a voltage to an electrode of the electrostatic chuck, and providing a chucking plasma at a first power. The method further includes processing the substrate in a DC sputtering deposition process, and de-chucking the substrate. The de-chucking includes generating a de-chucking plasma.

Classes IPC  ?

  • C23C 14/50 - Porte-substrat
  • C23C 14/34 - Pulvérisation cathodique
  • C23C 14/18 - Matériau métallique, bore ou silicium sur d'autres substrats inorganiques
  • H01L 21/673 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants utilisant des supports spécialement adaptés
  • H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
  • C03C 17/00 - Traitement de surface du verre, p.ex. du verre dévitrifié, autre que sous forme de fibres ou de filaments, par revêtement
  • C03C 17/09 - Traitement de surface du verre, p.ex. du verre dévitrifié, autre que sous forme de fibres ou de filaments, par revêtement par des métaux par dépôt à partir d'une phase vapeur
  • C03C 17/245 - Oxydes par dépôt à partir d'une phase vapeur

35.

MULTILAYER INNER SPACER FOR GATE-ALL-AROUND DEVICE

      
Numéro d'application US2023035769
Numéro de publication 2024/123430
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-10-24
Date de publication 2024-06-13
Propriétaire APPLIED MATERIALS, INC. (USA)
Inventeur(s)
  • Yeong, Sai Hooi
  • Jiang, Liu
  • Singha Roy, Susmit
  • Mallick, Abhijit Basu
  • Bazizi, El Mehdi
  • Colombeau, Benjamin

Abrégé

in situin situ in an integrated deposition and etch processing system.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
  • H01L 29/786 - Transistors à couche mince
  • H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
  • H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants

36.

ELECTROCHEMICAL REDUCTION OF SURFACE METAL OXIDES

      
Numéro d'application US2023081095
Numéro de publication 2024/123553
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-11-27
Date de publication 2024-06-13
Propriétaire APPLIED MATERIALS, INC. (USA)
Inventeur(s)
  • Shin, Yoon Ah
  • Mebarki, Bencherki
  • Lee, Joung Joo
  • Tang, Xianmin
  • Chua, Thai Cheng
  • Valencia, Christian W.

Abrégé

Embodiments of the disclosure relate to methods for reducing metal oxide layers to pure metal using microwave radiation. Specific embodiments provide methods of reducing a native metal oxide on a metal interconnect within a substrate feature comprising dielectric sidewalls. In some embodiments, surrounding dielectric materials are undamaged by the disclosed processes.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
  • H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives

37.

MAGNUS

      
Numéro d'application 1792424
Statut Enregistrée
Date de dépôt 2024-03-22
Date d'enregistrement 2024-03-22
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Classes de Nice  ? 07 - Machines et machines-outils

Produits et services

Semiconductor manufacturing equipment used to remove material from substrates.

38.

Heated Pedestal With Impedance Matching Radio Frequency (RF) Rod

      
Numéro d'application 18074385
Statut En instance
Date de dépôt 2022-12-02
Date de la première publication 2024-06-06
Propriétaire APPLIED MATERIALS, INC. (USA)
Inventeur(s)
  • Yang, Yao-Hung
  • Chang, Chih-Yang
  • Chen, Yikai
  • Wang, Rongping

Abrégé

Embodiments of substrate supports for process chambers are provided herein. In some embodiments, a substrate support for a process chamber includes: a pedestal having a support surface for supporting a substrate, one or more heating elements disposed therein, and a radio frequency (RF) electrode disposed therein; a hollow shaft coupled to a lower surface of the pedestal; and an RF rod extending through the hollow shaft and coupled to the RF electrode, wherein an impedance of the RF rod is less than about 0.2 ohms.

Classes IPC  ?

  • H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse

39.

DETECTOR FOR PROCESS KIT RING WEAR

      
Numéro d'application 18401881
Statut En instance
Date de dépôt 2024-01-02
Date de la première publication 2024-06-06
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Vishwanath, Yogananda Sarode
  • Criminale, Phillip A.

Abrégé

A diagnostic disc includes a disc body having a sidewall around a circumference of the disc body and at least one protrusion extending outwardly from a top of the sidewall. A non-contact sensor is attached to an underside of each of the at least one protrusion. A printed circuit board (PCB) is positioned within an interior formed by the disc body. Circuitry is disposed on the PCB and coupled to each non-contact sensor, the circuitry including at least a wireless communication circuit, a memory, and a battery. A cover is positioned over the circuitry inside of the sidewall, where the cover seals the circuitry within the interior formed by the disc body from an environment outside of the disc body.

Classes IPC  ?

  • G01B 11/30 - Dispositions pour la mesure caractérisées par l'utilisation de techniques optiques pour mesurer la rugosité ou l'irrégularité des surfaces
  • H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
  • H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
  • H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p.ex. mandrins, pièces de serrage, pinces

40.

METHODS AND APPARATUS FOR REDUCING SPUTTERING OF A GROUNDED SHIELD IN A PROCESS CHAMBER

      
Numéro d'application 18418930
Statut En instance
Date de dépôt 2024-01-22
Date de la première publication 2024-06-06
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Ritchie, Alan
  • Forster, John C.
  • Rasheed, Muhammad

Abrégé

Methods and apparatus for physical vapor deposition are provided herein. In some embodiments, a process kit shield for use in a physical vapor deposition chamber may include an electrically conductive body having one or more sidewalls defining a central opening, wherein the body has a ratio of a surface area of inner facing surfaces of the one or more sidewalls to a height of the one or more sidewalls of about 2 to about 3.

Classes IPC  ?

  • H01J 37/34 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse fonctionnant par pulvérisation cathodique
  • C23C 14/34 - Pulvérisation cathodique
  • H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse

41.

MONOLITHIC MODULAR MICROWAVE SOURCE WITH INTEGRATED PROCESS GAS DISTRIBUTION

      
Numéro d'application 18419389
Statut En instance
Date de dépôt 2024-01-22
Date de la première publication 2024-06-06
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Carducci, James
  • Fovell, Richard C.
  • Elizaga, Larry D.
  • Rodrigues, Silverst
  • Knyazik, Vladimir
  • Kraus, Philip Allan
  • Chua, Thai Cheng

Abrégé

Embodiments disclosed herein include a housing for a source array. In an embodiment, the housing comprises a conductive body, where the conductive body comprises a first surface and a second surface opposite from the first surface. In an embodiment a plurality of openings are formed through the conductive body and a channel is disposed into the second surface of the conductive body. In an embodiment, a cover is over the channel, and the cover comprises first holes that pass through a thickness of the cover. In an embodiment, the housing further comprises a second hole through a thickness of the conductive body. In an embodiment, the second hole intersects with the channel.

Classes IPC  ?

  • H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
  • C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
  • C23C 16/511 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques utilisant des décharges à micro-ondes

42.

WORDLINE CONTACT FORMATION FOR NAND DEVICE

      
Numéro d'application 18523401
Statut En instance
Date de dépôt 2023-11-29
Date de la première publication 2024-06-06
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Lee, Hsiangyu
  • Subrahmanyan, Pradeep
  • Sun, Changwoo

Abrégé

Disclosed are approaches for direct wordline contact formation for 3-D NAND devices. One method may include providing a film stack including a plurality of alternating first layers and second layers, and forming a plurality of contact openings in the film stack, wherein each contact opening is formed to a different etch depth relative to an upper surface of the film stack. The method may further include depositing a liner over the film stack including within each of the contact openings, removing the first layers to form a plurality of wordline openings in the film stack, and forming a plurality of wordlines by depositing a first conductive material within the wordline openings. The method may further include removing the liner from a bottom of each contact opening, and depositing a second conductive material within the contact openings to form a plurality of wordline contacts.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
  • H01L 23/522 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées

43.

WORDLINE CONTACT FORMATION FOR NAND DEVICE

      
Numéro d'application 18525198
Statut En instance
Date de dépôt 2023-11-30
Date de la première publication 2024-06-06
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Lee, Hsiangyu
  • Subrahmanyan, Pradeep
  • Sun, Changwoo

Abrégé

Disclosed are approaches for direct wordline contact formation for 3D NAND devices. One method may include providing a first film stack comprising a first plurality of alternating first layers and second layers, and forming a first plurality of contact openings in the first film stack, wherein each contact opening is formed to a different etch depth. The method may further include forming a sacrificial gapfill within the first plurality of contact openings, and forming a second film stack atop the first film stack, wherein the second film stack comprises a second plurality of alternating first layers and second layers. The method may further include forming a second plurality of contact openings in the second film stack, wherein a first set of contact openings of the second plurality of contact openings extends to the sacrificial gapfill, and removing the sacrificial gapfill from the first plurality of contact openings.

Classes IPC  ?

  • G11C 5/06 - Dispositions pour interconnecter électriquement des éléments d'emmagasinage
  • H10B 41/10 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes caractérisés par la configuration vue du dessus
  • H10B 41/20 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes caractérisés par les agencements tridimensionnels, p ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur
  • H10B 41/35 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes caractérisés par la région noyau de mémoire avec un transistor de sélection de cellules, p.ex. NON-ET
  • H10B 43/10 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par la configuration vue du dessus
  • H10B 43/20 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par les agencements tridimensionnels, p ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur
  • H10B 43/35 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par la région noyau de mémoire avec transistors de sélection de cellules, p.ex. NON-ET

44.

MULTI-PULSE DEPOSITION PROCESSES

      
Numéro d'application 18074197
Statut En instance
Date de dépôt 2022-12-02
Date de la première publication 2024-06-06
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Huang, Tianyi
  • Gandikota, Srinivas
  • Yang, Yixiong
  • Mao, Elizabeth
  • Lin, Chi-Chou

Abrégé

Embodiments of the present disclosure advantageously provide improved control over precursor/reactant pulse/purge time, greater growth per cycle, and higher throughput during formation of a metal-containing film on a substrate surface (including substrate surfaces having at least one feature) compared to traditional atomic layer deposition (ALD) processes. In some embodiments, forming the metal-containing film comprises exposing a substrate to a constant flow of an inert carrier gas and a co-flow of a pulse of a metal-containing precursor and a pulse of a reactant. The pulse of the metal-containing precursor and the pulse of the reactant may be interrupted by a mini purge. The metal-containing precursor and/or the reactant may be charged during the mini purge to avoid precursor/reactant depletion.

Classes IPC  ?

  • C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
  • C23C 16/34 - Nitrures
  • H01L 21/3205 - Dépôt de couches non isolantes, p.ex. conductrices ou résistives, sur des couches isolantes; Post-traitement de ces couches
  • H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif

45.

Method to Deposit Metal Cap for Interconnect

      
Numéro d'application 18074335
Statut En instance
Date de dépôt 2022-12-02
Date de la première publication 2024-06-06
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Qu, Ge
  • Zhu, Qihao
  • Ju, Zheng
  • Zhou, Yang
  • Cen, Jiajie
  • Liu, Feng Q.
  • Wu, Zhiyuan
  • Chen, Feng
  • Kashefi, Kevin
  • Tang, Xianmin
  • Anthis, Jeffrey W.
  • Saly, Mark Joseph

Abrégé

Methods to deposit a metal cap for an interconnect are disclosed. In embodiments, a method comprises contacting the substrate with an alkyl halide and a ruthenium metal precursor to form a metal cap for an interconnect.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
  • H01L 21/3205 - Dépôt de couches non isolantes, p.ex. conductrices ou résistives, sur des couches isolantes; Post-traitement de ces couches

46.

SEMICONDUCTOR FILM THICKNESS PREDICTION USING MACHINE-LEARNING

      
Numéro d'application 18075216
Statut En instance
Date de dépôt 2022-12-05
Date de la première publication 2024-06-06
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Motamedi, Nojan
  • Benvegnu, Dominic J.
  • Shrestha, Kiran L.

Abrégé

A machine-learning model may be used to estimate a film thickness from a spectral image captured from a semiconductor substrate during processing. Instead of using actual measurements from physical substrates to train the model, simulated images may be generated for a wide variety of predefined thickness profiles. Simulated training data may be rapidly generated by receiving a film thickness profile representing a film on a semiconductor substrate design. A light source may be simulated being reflected off of the film on the semiconductor substrate and being captured by a camera. The spectral data captured by the camera may be converted into one or more images for a wafer with the film thickness profile. The images may then be labeled with thicknesses from the film thickness profile for training a machine-learning model.

Classes IPC  ?

47.

THERMAL CHOKE PLATE

      
Numéro d'application 18076234
Statut En instance
Date de dépôt 2022-12-06
Date de la première publication 2024-06-06
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Nagappan, Vellaichamy
  • Kalsekar, Viren
  • Lee, Jeongmin
  • Prabhakar, Vinay K.
  • Chandran, Pratap
  • Srichurnam, Dharma Ratnam
  • Khan, Azhar
  • Singh, Sumit Subhash
  • Chandrasekar, Siva
  • Radhakrishnan, Satish

Abrégé

Exemplary choke plates for use in a substrate processing system may include a plate defining a first aperture through the plate and a second aperture through the plate. The second aperture may be laterally offset from the first aperture. The plate may include a flange that defines a purging inlet. The plate may include a rim defining a plurality of purging outlets that are fluidly coupled with the purging inlet. Each of the plurality of purging outlets may be fluidly coupled with the first aperture.

Classes IPC  ?

  • H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
  • H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p.ex. mandrins, pièces de serrage, pinces

48.

GAS RECYCLING SYSTEMS, SUBSTRATE PROCESSING SYSTEMS, AND RELATED APPARATUS AND METHODS FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING

      
Numéro d'application US2023027684
Numéro de publication 2024/118117
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-07-13
Date de publication 2024-06-06
Propriétaire APPLIED MATERIALS, INC. (USA)
Inventeur(s)
  • Sowwan, Mukhles
  • Lau, Shu-Kwan

Abrégé

The present disclosure generally relates to gas recycling systems, substrate processing systems, and related apparatus and methods for semiconductor manufacturing. In one or more implementations, unreacted gases from chambers can be used, recycled, and used one or more additional times. In one implementation, a gas recycling system includes a pump configured to fluidly connect to one or more outlet passages of a processing chamber to exhaust a gas from the processing chamber. The system includes one or more filtration devices in fluid communication with the pump such that the gas flows from the pump to the one or more filtration devices. The one or more filtration devices are configured to remove one or more impurities from the gas. The system includes a gas supply system in fluid communication with the one or more filtration devices such that the filtered gas flows to the gas supply system.

Classes IPC  ?

  • C30B 25/14 - Moyens d'introduction et d'évacuation des gaz; Modification du courant des gaz réactifs
  • C30B 25/16 - Commande ou régulation
  • C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement
  • C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction

49.

MODELING FOR INDEXING AND SEMICONDUCTOR DEFECT IMAGE RETRIEVAL

      
Numéro d'application US2023035335
Numéro de publication 2024/118162
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-10-17
Date de publication 2024-06-06
Propriétaire APPLIED MATERIALS, INC. (USA)
Inventeur(s)
  • Guo, Yuanhong
  • Dangayach, Sachin
  • Komatireddi, Rahul Reddy
  • Wu, Tianyuan

Abrégé

The subject matter of this specification can be implemented in, among other things, methods, systems, computer-readable storage medium. A method can include a processing device storing a plurality of feature vectors representative of previously processed image frames that correspond to various substrate processing defects. The method further includes receiving first image data comprising one or more image frames indicative of a first substrate processing defect. The method further includes determining a first feature vector corresponding to the first image data. The method further includes determining a selection of the plurality of feature vectors based on a proximity between the first feature vector and each of the selection of the plurality of feature vectors. The method further includes determining second image data comprising one or more image frames corresponding to the selection of the plurality of embedding vectors and performing an action based on determining the second image data.

Classes IPC  ?

50.

LATTICE BASED VOLTAGE STANDOFF

      
Numéro d'application US2023035396
Numéro de publication 2024/118163
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-10-18
Date de publication 2024-06-06
Propriétaire APPLIED MATERIALS, INC. (USA)
Inventeur(s)
  • Mclaughlin, Adam M.
  • Chaney, Craig R.

Abrégé

An insulator that has a lattice is disclosed. The insulator may have a shaft with two ends. The lattice may be disposed on the outer surface of the shaft. In some embodiments, one or more sheaths are used to cover portions of the shaft. A lattice may also be disposed on the inner wall and/or outer walls of the sheaths. The lattice serves to increase the tracking length between the two ends of the shaft. This results in longer times before failure. This insulator may be used in an ion implantation system to physically and electrically separate two components.

Classes IPC  ?

  • H01J 37/08 - Sources d'ions; Canons à ions
  • H01J 27/02 - Sources d'ions; Canons à ions
  • H01J 37/317 - Tubes à faisceau électronique ou ionique destinés aux traitements localisés d'objets pour modifier les propriétés des objets ou pour leur appliquer des revêtements en couche mince, p.ex. implantation d'ions

51.

METHOD FOR GAPFILL

      
Numéro d'application US2023035658
Numéro de publication 2024/118172
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-10-22
Date de publication 2024-06-06
Propriétaire APPLIED MATERIALS, INC. (USA)
Inventeur(s)
  • Xu, Yi
  • Lei, Yu
  • Zhang, Aixi
  • Wang, Rongjun

Abrégé

A method of gap fill may include depositing a sacrificial Si layer in an opening of a feature and on a field of a substrate. In addition, the method may include depositing a metal layer in the opening and on the field, where at least a portion of the sacrificial Si layer is replaced with the metal layer. The method may also include depositing a metal gapfill material in the opening and on the field directly over the metal layer, where the metal gapfill material completely fills the opening.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
  • H01L 21/285 - Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p.ex. condensation

52.

SOLID-STATE SWITCH BASED HIGH-SPEED PULSER WITH PLASMA IEDF MODIFICATION CAPABILITY THROUGH MULTILEVEL OUTPUT FUNCTIONALITY

      
Numéro d'application US2023078403
Numéro de publication 2024/118289
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-11-01
Date de publication 2024-06-06
Propriétaire APPLIED MATERIALS, INC. (USA)
Inventeur(s)
  • Ramaswamy, Kartik
  • Guo, Yue
  • Yang, Yang
  • Silveira, Fernando
  • Azad, A.N.M. Wasekul

Abrégé

Embodiments provided herein generally include apparatus, plasma processing systems, and methods for generation of a waveform for plasma processing of a substrate in a processing chamber. One embodiment includes a waveform generator having three MOSFETs and three series-connected capacitors. The capacitors are connected across a DC power supply and, depending on the value of the capacitors, voltage across each of them may be varied. Each of the top two capacitors is followed by a diode. The bottom capacitor is connected to the ground. The drain terminal of each MOSFET is connected to higher potential end of the series connected capacitors. Each MOSFET is followed by a diode and the cathode ends of the diodes are connected together. An electrode is connected between the common cathode and ground.

Classes IPC  ?

  • H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse

53.

LOW RESISTIVITY GAPFILL

      
Numéro d'application US2023080470
Numéro de publication 2024/118370
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-11-20
Date de publication 2024-06-06
Propriétaire APPLIED MATERIALS, INC. (USA)
Inventeur(s)
  • Yang, Tsung-Han
  • Liu, Zhen
  • Gao, Yongqian
  • Hou, Wenting
  • Wang, Rongjun

Abrégé

Embodiments of the disclosure relate to methods for metal gapfill with lower resistivity. Specific embodiments provide methods of forming a tungsten gapfill without a high resistance nucleation layer. Some embodiments of the disclosure utilize a nucleation underlayer to promote growth of the metal gapfill.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
  • H01L 21/285 - Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p.ex. condensation
  • C23C 16/04 - Revêtement de parties déterminées de la surface, p.ex. au moyen de masques
  • C23C 16/14 - Dépôt d'un seul autre élément métallique

54.

DETERMINING EQUIPMENT CONSTANT UPDATES BY MACHINE LEARNING

      
Numéro d'application US2023080592
Numéro de publication 2024/118382
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-11-20
Date de publication 2024-06-06
Propriétaire APPLIED MATERIALS, INC. (USA)
Inventeur(s)
  • Bhatia, Sidharth
  • Lindley, Roger
  • Ummethala, Upendra
  • Li, Thomas
  • Howells, Michael
  • Babayan, Steven
  • Dao, Mimi-Diemmy

Abrégé

A method includes providing, as input to a first trained machine learning model, trace data associated with one or more substrate processing procedures. The input further includes equipment constants associated with the one or more substrate processing procedures. The input further includes trace data of a first processing chamber. The input further includes equipment constants of the first processing chamber. The method further includes obtaining, as output from the first trained machine learning model, a recommended update to a first equipment constant of the first processing chamber. The method further includes updated the first equipment constant of the first processing chamber responsive to obtaining the output from the first trained machine learning model.

Classes IPC  ?

  • G05B 13/04 - Systèmes de commande adaptatifs, c. à d. systèmes se réglant eux-mêmes automatiquement pour obtenir un rendement optimal suivant un critère prédéterminé électriques impliquant l'usage de modèles ou de simulateurs
  • H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
  • G06N 20/00 - Apprentissage automatique

55.

CONTROL OF AG INK FLOW VIA INKJET REMOVABLE MASK FOR AR DEVICES

      
Numéro d'application US2023081164
Numéro de publication 2024/118506
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-11-27
Date de publication 2024-06-06
Propriétaire APPLIED MATERIALS, INC. (USA)
Inventeur(s)
  • Luo, Yingdong
  • Galiazzo, Marco
  • Yao, Zhengping
  • Zhang, Daihua
  • Deng, Xiaopei
  • Hourani, Rami
  • Godet, Ludovic

Abrégé

A method and apparatus for forming a device, including depositing a mask layer on a first portion of a surface, the mask layer forming a feature over the surface, depositing the mirror layer on the second portion of the surface within the feature, and removing the mask layer from the surface.

Classes IPC  ?

  • G02B 5/08 - Miroirs
  • G02B 1/12 - Revêtements optiques obtenus par application sur les éléments optiques ou par traitement de la surface de ceux-ci par traitement de la surface, p.ex. par irradiation
  • G02B 5/18 - Grilles de diffraction
  • G02B 27/01 - Dispositifs d'affichage "tête haute"

56.

CALCULATE WAFERS THICKNESS OUT OF WAFER MAPPING PROCESS

      
Numéro d'application US2023081676
Numéro de publication 2024/118833
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-11-29
Date de publication 2024-06-06
Propriétaire
  • APPLIED MATERIALS ISRAEL LTD. (Israël)
  • APPLIED MATERIALS, INC. (USA)
Inventeur(s) Dudovitch, Ofer

Abrégé

A method of operating a substrate processing system that includes a substrate processing chamber, a substrate storage container and robot configured to select a substrate from the substrate storage container and transfer a selected substrate into the substrate processing chamber, the method comprising: detecting a lower edge and upper edge of the substrate; calculating a thickness of the substrate based on the detected lower and upper edges of the substrate; comparing the calculated thickness of the substrate to an expected thickness of the substrate; and (i) if the calculated thickness matches the expected thickness, controlling the robot to transfer the substrate into the substrate processing chamber, (ii) if the calculated thickness does not match the expected thickness, generating an alert indicating a thickness mismatch.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
  • H01L 21/677 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le transport, p.ex. entre différents postes de travail
  • G01B 21/08 - Dispositions pour la mesure ou leurs détails, où la technique de mesure n'est pas couverte par les autres groupes de la présente sous-classe, est non spécifiée ou est non significative pour mesurer la longueur, la largeur ou l'épaisseur pour mesurer l'épaisseur

57.

WORDLINE CONTACT FORMATION FOR NAND DEVICE

      
Numéro d'application US2023081902
Numéro de publication 2024/118963
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-11-30
Date de publication 2024-06-06
Propriétaire APPLIED MATERIALS, INC. (USA)
Inventeur(s)
  • Lee, Hsiangyu
  • Subrahmanyan, Pradeep
  • Sun, Changwoo

Abrégé

Disclosed are approaches for direct wordline contact formation for 3D NAND devices. One method may include providing a first film stack comprising a first plurality of alternating first layers and second layers, and forming a first plurality of contact openings in the first film stack, wherein each contact opening is formed to a different etch depth. The method may further include forming a sacrificial gapfill within the first plurality of contact openings, and forming a second film stack atop the first film stack, wherein the second film stack comprises a second plurality of alternating first layers and second layers. The method may further include forming a second plurality of contact openings in the second film stack, wherein a first set of contact openings of the second plurality of contact openings extends to the sacrificial gapfill, and removing the sacrificial gapfill from the first plurality of contact openings.

Classes IPC  ?

  • H10B 41/50 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes caractérisés par la région limite entre la région noyau et la région de circuit périphérique
  • H10B 43/50 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par la région limite entre la région noyau et la région de circuit périphérique
  • H10B 41/10 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes caractérisés par la configuration vue du dessus
  • H10B 43/10 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par la configuration vue du dessus
  • H10B 41/27 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes caractérisés par les agencements tridimensionnels, p ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p.ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p.ex. des canaux en forme de U
  • H10B 43/27 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par les agencements tridimensionnels, p ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p.ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p.ex. des canaux en forme de U

58.

HEATED PEDESTAL WITH IMPEDANCE MATCHING RADIO FREQUENCY (RF) ROD

      
Numéro d'application US2023082199
Numéro de publication 2024/119161
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-12-01
Date de publication 2024-06-06
Propriétaire APPLIED MATERIALS, INC. (USA)
Inventeur(s)
  • Yang, Yao-Hung
  • Chang, Chih-Yang
  • Chen, Yikai
  • Wang, Rongping

Abrégé

Embodiments of substrate supports for process chambers are provided herein. In some embodiments, a substrate support for a process chamber includes: a pedestal having a support surface for supporting a substrate, one or more heating elements disposed therein, and a radio frequency (RF) electrode disposed therein; a hollow shaft coupled to a lower surface of the pedestal; and an RF rod extending through the hollow shaft and coupled to the RF electrode, wherein an impedance of the RF rod is less than about 0.2 ohms.

Classes IPC  ?

  • H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse

59.

USING LASER BEAM FOR SEM BASE TOOLS, WORKING DISTANCE MEASUREMENT AND CONTROL WORKING DISTANCE SEM TO TARGET

      
Numéro d'application US2023080810
Numéro de publication 2024/118409
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-11-21
Date de publication 2024-06-06
Propriétaire APPLIED MATERIALS ISRAEL LTD. (Israël)
Inventeur(s)
  • Dudovitch, Ofer
  • Ben Noon, Ido
  • Zertser, Efi

Abrégé

A system for processing a sample comprising: a vacuum chamber having a window formed along one of its walls; a sample support configured to hold a sample within the vacuum chamber during a sample processing operation and move the substrate within the vacuum chamber along the X, Y and Z axes; a charged particle beam column configured to direct a charged particle beam into the vacuum chamber and focus the beam to collide with a region of interest on the sample; an optical distance measurement device configured to generate and direct electromagnetic radiation into the vacuum chamber through the window, detect photons from the electromagnetic radiation reflected off the sample, and determine a working distance between the sample and charged particle column based on the generated electromagnetic radiation and the detected photons; and one or more mirrors disposed within the vacuum chamber and positioned to direct the electromagnetic radiation generated by the optical distance measurement system to a measured location on the sample that is in close proximity to the region of interest, the one or more mirrors comprising at least one mirror positioned directly under a portion of the charged particle column.

Classes IPC  ?

  • H01J 37/147 - Dispositions pour diriger ou dévier la décharge le long d'une trajectoire déterminée
  • H01J 37/12 - Lentilles électrostatiques
  • H01J 37/244 - Détecteurs; Composants ou circuits associés
  • H01J 37/28 - Microscopes électroniques ou ioniques; Tubes à diffraction d'électrons ou d'ions avec faisceaux de balayage

60.

AREA SELECTIVE DEPOSITION THROUGH SURFACE SILYLATION

      
Numéro d'application 17991931
Statut En instance
Date de dépôt 2022-11-22
Date de la première publication 2024-06-06
Propriétaire
  • Applied Materials, Inc. (USA)
  • National University of Singapore (Singapour)
Inventeur(s)
  • Wang, Xinke
  • Shen, Zeqing
  • Singha Roy, Susmit
  • Mallick, Abhijit Basu
  • Bhuyan, Bhaskar Jyoti
  • Tang, Jiecong
  • Sudijono, John
  • Liu, Long

Abrégé

Methods of selectively depositing a selectively deposited layer are described. Exemplary processing methods may include treating a substrate comprising a non-hydroxyl-containing surface and a second surface with one or more of ozone, hydrogen peroxide, or a hydrogen plasma to passivate the second surface. In one or more embodiments, a selectively deposited layer is then selectively deposited on the non-hydroxyl-containing surface and not on the second surface by flowing a first precursor over the substrate to form a first portion of an initial carbon-containing film on the non-hydroxyl-containing surface and not on the second surface. The methods may include removing a first precursor effluent from the substrate. A second precursor may then be flowed over the substrate to react with the first portion of the initial selectively deposited layer. The methods may include removing a second precursor effluent from the substrate.

Classes IPC  ?

  • C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
  • C23C 16/02 - Pré-traitement du matériau à revêtir
  • C23C 16/04 - Revêtement de parties déterminées de la surface, p.ex. au moyen de masques

61.

DRAM TRANSISTOR INCLUDING HORIZONAL BODY CONTACT

      
Numéro d'application 18061733
Statut En instance
Date de dépôt 2022-12-05
Date de la première publication 2024-06-06
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Gu, Sipeng
  • Zhang, Qintao

Abrégé

Disclosed herein are approaches for forming a dynamic random-access memory device (DRAM). One DRAM device may include plurality of pillars extending from a base layer, and a spacer layer formed along just a lower portion of each of the plurality of pillars. The DRAM further includes a body contact and a cap between the plurality of pillars, wherein the body contact is formed over the spacer layer, and a gate formed around the plurality of pillars. The DRAM further includes a bottom source/drain formed in the base layer and a top source/drain formed in each pillar of the plurality of pillars, wherein the top source/drain extends above the gate.

Classes IPC  ?

  • H10B 12/00 - Mémoires dynamiques à accès aléatoire [DRAM]

62.

PASSIVE SEPARATION CASSETTE AND CARRIER

      
Numéro d'application 18073229
Statut En instance
Date de dépôt 2022-12-01
Date de la première publication 2024-06-06
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Exley, James B.
  • Bandy, Ross
  • Strassner, James D.

Abrégé

A system for holding and transporting one or more workpieces is disclosed. The system includes a cassette that is configured to support a carrier and a workpiece at two different elevations. In this way, as the carrier with the workpiece is placed on the cassette by a first robot, the carrier moves down further, as the workpiece is supported by taller support posts. The end effector of a second robot may then later remove only the workpiece from the cassette for processing. The processed workpiece is later placed back in the cassette by the second robot. This processed workpiece is then removed, along with the carrier, by the first robot. Carriers may be created to accommodate different sized workpieces such that the cassette remains unchanged.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/677 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le transport, p.ex. entre différents postes de travail
  • H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p.ex. mandrins, pièces de serrage, pinces

63.

METHODS AND MECHANISMS FOR AUTOMATIC SENSOR GROUPING TO IMPROVE ANOMALY DETECTION

      
Numéro d'application 18075055
Statut En instance
Date de dépôt 2022-12-05
Date de la première publication 2024-06-06
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Lindner, Peter J.
  • Albright, John G.
  • Iskandar, Jimmy
  • Armacost, Michael D.

Abrégé

An electronic device manufacturing system configured to obtain, by a processor, a plurality of datasets associated with a process recipe, wherein each dataset of the plurality of datasets comprises data generated by a plurality of sensors during a corresponding process run performed using the process recipe. The processor is further configured to determine, using the plurality of data sets associated with the process recipe, a correlation value between two or more sensors of the plurality of sensors. Responsive to the correlation value satisfying a threshold criterion, the processor assigns the two or more sensors to a cluster. During a subsequent process run, the processor generates an anomaly score associated with the cluster and indicative of an anomaly associated with at least one step of the subsequent process run.

Classes IPC  ?

  • G06F 18/25 - Techniques de fusion
  • G06F 18/21 - Conception ou mise en place de systèmes ou de techniques; Extraction de caractéristiques dans l'espace des caractéristiques; Séparation aveugle de sources
  • G06F 18/2113 - Sélection du sous-ensemble de caractéristiques le plus significatif en classant ou en filtrant l'ensemble des caractéristiques, p.ex. en utilisant une mesure de la variance ou de la corrélation croisée des caractéristiques
  • G06F 18/23 - Techniques de partitionnement
  • G06F 18/2433 - Perspective d'une seule classe, p.ex. une classification "une contre toutes"; Détection de nouveauté; Détection de valeurs aberrantes

64.

EUV PHOTORESIST AND UNDERLAYER ADHESION MODULATION

      
Numéro d'application 18379106
Statut En instance
Date de dépôt 2023-10-11
Date de la première publication 2024-06-06
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Huang, Zhiyu
  • Cao, Bocheng
  • Zhu, Siyu
  • Yu, Hang
  • Lin, Yung-Chen
  • Lang, Chi-I

Abrégé

Embodiments disclosed herein include a method of developing a patterning stack. In an embodiment, the method comprises providing a patterning stack, where the patterning stack comprises an underlayer and a photoresist over the underlayer, and where the underlayer has a first adhesion strength with the photoresist. The method may further comprise exposing and developing the photoresist with electromagnetic radiation and a developer, where scum remains on a surface of the underlayer. In an embodiment, the method further comprises treating the underlayer so that the underlayer has a second adhesion strength with the scum, and removing the scum.

Classes IPC  ?

  • G03F 7/11 - Matériaux photosensibles - caractérisés par des détails de structure, p.ex. supports, couches auxiliaires avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p.ex. couches d'ancrage

65.

HIGH-DENSITY MICRO-LED ARRAYS WITH REFLECTIVE SIDEWALLS

      
Numéro d'application 18413013
Statut En instance
Date de dépôt 2024-01-15
Date de la première publication 2024-06-06
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Ding, Kai
  • Xu, Lisong
  • Zhu, Mingwei
  • Li, Zhiyong
  • Ng, Hou T.
  • Ganapathiappan, Sivapackia
  • Patibandla, Nag

Abrégé

Micro-LED structures include an LED epilayer that may be formed before the micro-LED structure is coupled to a backplane substrate. In order to prevent light leakage and maximize light output, the sidewalls and other surfaces of the LED epilayer may be coated with a reflective coating. For example, the reflective coating may include a metal layer that is electrically insulated between dielectric layers from the micro-LED electrodes. The reflective coating may also be formed using multiple layers in a distributed Bragg reflector configuration. This reflective coating may be formed during the LED fabrication process before the micro-LED structure is coupled to the backplane. The pixel isolation structures on the backplane may also include a reflective coating that is applied above the LED epilayers.

Classes IPC  ?

  • H01L 33/46 - Revêtement réfléchissant, p.ex. réflecteur de Bragg en diélectriques
  • H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des groupes principaux , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. circuit hybrides

66.

FLEXIBLE MULTI-LAYERED COVER LENS STACKS FOR FOLDABLE DISPLAYS

      
Numéro d'application 18437844
Statut En instance
Date de dépôt 2024-02-09
Date de la première publication 2024-06-06
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Thothadri, Manivannan
  • You, Harvey
  • Nominanda, Helinda
  • Morrison, Neil
  • Forster, Daniel Paul
  • Chadha, Arvinder

Abrégé

Embodiments described and discussed herein generally relate to flexible or foldable display devices, and more specifically to flexible cover lens assemblies. In one or more embodiments, a flexible cover lens assembly contains a glass layer, an adhesion promotion layer on the glass layer, an anti-reflectance layer disposed on the adhesion promotion layer, a dry hardcoat layer having a nano-indentation hardness in a range from about 1 GPa to about 5 GPa and disposed on the anti-reflectance layer, and an anti-fingerprint coating layer disposed on the dry hardcoat layer.

Classes IPC  ?

  • G02F 1/1333 - Dispositions relatives à la structure
  • G02B 1/11 - Revêtements antiréfléchissants
  • G02B 1/14 - Revêtements protecteurs, p.ex. revêtements durs

67.

METHOD OF BUILDING A 3D FUNCTIONAL OPTICAL MATERIAL STACKING STRUCTURE

      
Numéro d'application 18439434
Statut En instance
Date de dépôt 2024-02-12
Date de la première publication 2024-06-06
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Young, Michael Yu-Tak
  • Godet, Ludovic
  • Visser, Robert Jan
  • Argaman, Naamah
  • Bencher, Christopher Dennis
  • Mcmillan, Wayne

Abrégé

Embodiments herein describe a sub-micron 3D diffractive optics element and a method for forming the sub-micron 3D diffractive optics element. In a first embodiment, a method is provided for forming a sub-micron 3D diffractive optics element on a film stack disposed on a substrate without planarization. The method includes forming a hardmask on a top surface of a film stack. Forming a mask material on a portion of the top surface and a portion of the hardmask. Etching the top surface. Trimming the mask. Etching the top surface again. Trimming the mask a second time. Etching the top surface yet again and then stripping the mask material.

Classes IPC  ?

  • G02B 5/18 - Grilles de diffraction
  • G02B 26/08 - Dispositifs ou dispositions optiques pour la commande de la lumière utilisant des éléments optiques mobiles ou déformables pour commander la direction de la lumière
  • G02B 30/26 - Systèmes ou appareils optiques pour produire des effets tridimensionnels [3D], p.ex. des effets stéréoscopiques en fournissant des première et seconde images de parallaxe à chacun des yeux gauche et droit d’un observateur du type autostéréoscopique
  • G03F 7/00 - Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet

68.

CONTROLLING LIGHT SOURCE WAVELENGTHS FOR SELECTABLE PHASE SHIFTS BETWEEN PIXELS IN DIGITAL LITHOGRAPHY SYSTEMS

      
Numéro d'application 18440727
Statut En instance
Date de dépôt 2024-02-13
Date de la première publication 2024-06-06
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Laidig, Thomas L.
  • Bencher, Christopher
  • Jeong, Hwan J.
  • Hollerbach, Uwe

Abrégé

A digital lithography system may adjust a wavelength of the light source to compensate for tilt errors in micromirrors while maintaining a perpendicular direction for the reflected light. Adjacent pixels may have a phase shift that is determined by an optical path difference between their respective light beams. This phase shift may be preselected to be any value by generating a corresponding wavelength at the light source based on the optical path difference. To generate a specific wavelength corresponding to the desired phase shift, the light source may produce multiple light components that have wavelengths that bracket the wavelength of the selected phase shift. The intensities of these components may then be controlled individually to produce an effect that approximates the selected phase shift on the substrate.

Classes IPC  ?

  • G02B 26/08 - Dispositifs ou dispositions optiques pour la commande de la lumière utilisant des éléments optiques mobiles ou déformables pour commander la direction de la lumière
  • G02B 27/30 - Collimateurs
  • G03F 7/00 - Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet

69.

METHODS AND APPARATUS FOR PRECLEANING AND TREATING WAFER SURFACES

      
Numéro d'application 18442234
Statut En instance
Date de dépôt 2024-02-15
Date de la première publication 2024-06-06
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Xie, Xiangjin
  • Leal Cervantes, Carmen
  • Chen, Feng
  • Chen, Lu
  • Xu, Wenjing
  • Kamath, Aravind
  • Tsai, Cheng-Hsiung Matthew
  • Ha, Tae Hong
  • Jansen, Alexander
  • Tang, Xianmin

Abrégé

Methods and apparatus for processing a substrate include cleaning and self-assembly monolayer (SAM) formation for subsequent reverse selective atomic layer deposition. An apparatus may include a process chamber with a processing volume and a substrate support including a pedestal, a remote plasma source fluidly coupled to the process chamber and configured to produce radicals or ionized gas mixture with radicals that flow into the processing volume to remove residue or oxides from a surface of the substrate, a first gas delivery system with a first ampoule configured to provide at least one first chemical into the processing volume to produce a SAM on the surface of the substrate, a heating system located in the pedestal and configured to heat a substrate by flowing gas on a backside of the substrate, and a vacuum system fluidly coupled to the process chamber and configured to control heating of the substrate.

Classes IPC  ?

  • C23C 14/56 - Appareillage spécialement adapté au revêtement en continu; Dispositifs pour maintenir le vide, p.ex. fermeture étanche
  • H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
  • H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
  • H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants

70.

3D MEMORY INCLUDING HOLLOW EPITAXIAL CHANNELS

      
Numéro d'application 18525633
Statut En instance
Date de dépôt 2023-11-30
Date de la première publication 2024-06-06
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Lee, Hsiangyu
  • Subrahmanyan, Pradeep
  • Sun, Changwoo

Abrégé

Disclosed are approaches for fabricating 3D NAND flash memory structures including hollow epitaxial channels. One approach for fabricating a 3D NAND memory structure may include forming a plurality of alternating material layers arranged in a vertical stack on a substrate, etching a channel hole that extends through the plurality of alternating material layers to the substrate, and forming a tunneling layer around the channel hole contacting the plurality of alternating material layers. The method may further include forming a channel liner along the tunneling layer, forming a core gap material within the channel liner, removing the channel liner from the channel hole, and epitaxially growing a hollow epitaxial silicon core from the substrate through the channel hole, between the tunneling layer and the core gap material.

Classes IPC  ?

  • H10B 43/27 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par les agencements tridimensionnels, p ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p.ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p.ex. des canaux en forme de U
  • H10B 43/10 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par la configuration vue du dessus
  • H10B 43/35 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par la région noyau de mémoire avec transistors de sélection de cellules, p.ex. NON-ET

71.

SYSTEM AND METHODS FOR IMPLEMENTING A MICRO PULSING SCHEME USING DUAL INDEPENDENT PULSERS

      
Numéro d'application US2023078401
Numéro de publication 2024/118288
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-11-01
Date de publication 2024-06-06
Propriétaire APPLIED MATERIALS, INC. (USA)
Inventeur(s)
  • Azad, A N M Wasekul
  • Ramaswamy, Kartik
  • Guo, Yue
  • Bright, Nicolas J.
  • Yang, Yang

Abrégé

Embodiments of the disclosure provided herein include an apparatus and method for processing a substrate in a plasma processing system. The apparatus includes a pulse voltage (PV) waveform generator comprising at least one synchronization signal and a plurality of pulsers to provide a plurality of TTL inputs. The PV waveform generator generates a waveform containing pulses or bursts which contain micropulses corresponding to the plurality of TTL input signals and the at least one synchronization signal. The method includes receiving a first TTL input signal and a synchronization waveform signal from a controller, delivering a first micropulse to an electrode assembly after receiving the first TTL input signal and synchronization signal, and delivering a second micropulse to the electrode assembly after receiving the second TTL input signal and the synchronization signal.

Classes IPC  ?

  • H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse

72.

ADJUSTING CHAMBER PERFORMANCE BY EQUIPMENT CONSTANT UPDATES

      
Numéro d'application US2023080599
Numéro de publication 2024/118383
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-11-20
Date de publication 2024-06-06
Propriétaire APPLIED MATERIALS, INC. (USA)
Inventeur(s)
  • Bhatia, Sidharth
  • Lindley, Roger
  • Ummethala, Upendra
  • Li, Thomas
  • Howells, Michael
  • Babayan, Steven
  • Dao, Mimi-Diemmy

Abrégé

A method includes receiving, by a processing device, first trace data associated with a first processing chamber, wherein the first processing chamber satisfies one or more performance metrics. The method further includes generating target trace data based on the first trace data associated with the first processing chamber. The method further includes receiving second trace data associated with a second processing chamber, wherein the second processing chamber does not satisfy the one or more performance metrics. The method further includes generating, based on the target trace data and the second trace data, a first recommended corrective action associated with the second processing chamber, wherein the first recommended corrective action includes updating one or more equipment constants of the second processing chamber. The method further includes performing the first recommended corrective action.

Classes IPC  ?

  • G06N 20/00 - Apprentissage automatique
  • H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants

73.

CHAMBER MATCHING BY EQUIPMENT CONSTANT UPDATES

      
Numéro d'application US2023080605
Numéro de publication 2024/118385
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-11-20
Date de publication 2024-06-06
Propriétaire APPLIED MATERIALS, INC. (USA)
Inventeur(s)
  • Bhatia, Sidharth
  • Lindley, Roger
  • Ummethala, Upendra
  • Li, Thomas
  • Howells, Michael
  • Babayan, Steven
  • Dao, Mimi-Diemmy

Abrégé

A method includes receiving, by a processing device, data indicative of performance of a plurality of process chambers. The method further includes providing the data indicative of performance of the plurality of process chambers to a model. The method further includes receiving as output from the model a first recommended equipment constant update associated with a first process chamber of the plurality of process chambers and a second recommended equipment constant update associated with a second process chamber of the plurality of process chambers. The method further includes updating a first equipment constant of the first process chamber and a second equipment constant of the second process chamber in view of the first recommended equipment constant update and the second recommended equipment constant update.

Classes IPC  ?

  • G06N 20/00 - Apprentissage automatique
  • H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants

74.

SUBSTRATE DEFECT ANALYSIS

      
Numéro d'application US2023081229
Numéro de publication 2024/118531
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-11-28
Date de publication 2024-06-06
Propriétaire APPLIED MATERIALS, INC. (USA)
Inventeur(s) Lim, Seng Keong

Abrégé

A method includes identifying property data of a substrate processed by a substrate processing system. The method further includes identifying, based on a first subset of the property data, a plurality of regions of the substrate corresponding to a first defect category. The method further includes sub-categorizing, based on a second subset of the property data, the plurality of regions of the substrate corresponding to the first defect category into a plurality of defect sub-categories. The method further includes causing, based on one or more of the plurality of regions corresponding to at least one of the plurality of defect sub-categories, performance of a corrective action associated with the substrate processing system.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
  • H01L 21/66 - Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
  • G06T 7/00 - Analyse d'image
  • G06N 20/00 - Apprentissage automatique

75.

OXIDATION CONFORMALITY IMPROVEMENT WITH IN-SITU INTEGRATED PROCESSING

      
Numéro d'application US2023081618
Numéro de publication 2024/118789
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-11-29
Date de publication 2024-06-06
Propriétaire APPLIED MATERIALS, INC. (USA)
Inventeur(s)
  • Lo, Hansel
  • Olsen, Christopher S.
  • Hansen, Erika

Abrégé

Methods of treating a substrate are provided. In some embodiments, the method includes exposing a substrate to a vacuum, wherein the substrate has one or more memory holes or trenches. The method further includes treating the substrate with a pre-treatment gas or plasma. The method includes oxidizing the substrate while the substrate is still under the vacuum. In some embodiments, the one or more memory holes have impurity buildup.

Classes IPC  ?

  • H10B 41/27 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes caractérisés par les agencements tridimensionnels, p ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p.ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p.ex. des canaux en forme de U
  • H10B 43/27 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par les agencements tridimensionnels, p ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p.ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p.ex. des canaux en forme de U
  • H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives

76.

WORDLINE CONTACT FORMATION FOR NAND DEVICE

      
Numéro d'application US2023081636
Numéro de publication 2024/118804
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-11-29
Date de publication 2024-06-06
Propriétaire APPLIED MATERIALS, INC. (USA)
Inventeur(s)
  • Lee, Hsiangyu
  • Subrahmanyan, Pradeep
  • Sun, Changwoo

Abrégé

Disclosed are approaches for direct wordline contact formation for 3-D NAND devices. One method may include providing a film stack including a plurality of alternating first layers and second layers, and forming a plurality of contact openings in the film stack, wherein each contact opening is formed to a different etch depth relative to an upper surface of the film stack. The method may further include depositing a liner over the film stack including within each of the contact openings, removing the first layers to form a plurality of wordline openings in the film stack, and forming a plurality of wordlines by depositing a first conductive material within the wordline openings. The method may further include removing the liner from a bottom of each contact opening, and depositing a second conductive material within the contact openings to form a plurality of wordline contacts.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/311 - Gravure des couches isolantes
  • H01L 21/3213 - Gravure physique ou chimique des couches, p.ex. pour produire une couche avec une configuration donnée à partir d'une couche étendue déposée au préalable
  • H10B 41/27 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes caractérisés par les agencements tridimensionnels, p ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p.ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p.ex. des canaux en forme de U
  • H10B 41/35 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes caractérisés par la région noyau de mémoire avec un transistor de sélection de cellules, p.ex. NON-ET

77.

3D MEMORY INCLUDING HOLLOW EPITAXIAL CHANNELS

      
Numéro d'application US2023081953
Numéro de publication 2024/118993
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-11-30
Date de publication 2024-06-06
Propriétaire APPLIED MATERIALS, INC. (USA)
Inventeur(s)
  • Lee, Hsiangyu
  • Subrahmanyan, Pradeep
  • Sun, Changwoo

Abrégé

Disclosed are approaches for fabricating 3D NAND flash memory structures including hollow epitaxial channels. One approach for fabricating a 3D NAND memory structure may include forming a plurality of alternating material layers arranged in a vertical stack on a substrate, etching a channel hole that extends through the plurality of alternating material layers to the substrate, and forming a tunneling layer around the channel hole contacting the plurality of alternating material layers. The method may further include forming a channel liner along the tunneling layer, forming a core gap material within the channel liner, removing the channel liner from the channel hole, and epitaxially growing a hollow epitaxial silicon core from the substrate through the channel hole, between the tunneling layer and the core gap material.

Classes IPC  ?

  • H10B 43/27 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par les agencements tridimensionnels, p ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p.ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p.ex. des canaux en forme de U
  • H10B 43/35 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par la région noyau de mémoire avec transistors de sélection de cellules, p.ex. NON-ET
  • H10B 43/10 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par la configuration vue du dessus

78.

LINEAR ACCELERATOR ASSEMBLY INCLUDING FLEXIBLE HIGH-VOLTAGE CONNECTION

      
Numéro d'application 18431579
Statut En instance
Date de dépôt 2024-02-02
Date de la première publication 2024-05-30
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Blahnik, David T.
  • Carlson, Charles T.
  • Vopat, Robert B.
  • Sinclair, Frank
  • Murphy, Paul J.
  • Senior, Krag R.

Abrégé

Embodiments herein are directed to a linear accelerator assembly for an ion implanter. In some embodiments, a LINAC may include a coil resonator and a plurality of drift tubes coupled to the coil resonator by a set of flexible leads.

Classes IPC  ?

  • H05H 7/22 - TECHNIQUE DU PLASMA; PRODUCTION DE PARTICULES ÉLECTRIQUEMENT CHARGÉES ACCÉLÉRÉES OU DE NEUTRONS; PRODUCTION OU ACCÉLÉRATION DE FAISCEAUX MOLÉCULAIRES OU ATOMIQUES NEUTRES - Détails des dispositifs des types couverts par les groupes - Détails d'accélérateurs linéaires, p.ex. tubes de glissement

79.

METHODS, SYSTEMS, AND APPARATUS FOR CONDUCTING A RADICAL TREATMENT OPERATION PRIOR TO CONDUCTING AN ANNEALING OPERATION

      
Numéro d'application 18437058
Statut En instance
Date de dépôt 2024-02-08
Date de la première publication 2024-05-30
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Sampath Kumar, Pradeep
  • Tam, Norman L.
  • Iu, Dongming
  • Sharma, Shashank
  • Rieske, Eric R.
  • Kamp, Michael P.

Abrégé

Aspects of the present disclosure relate to methods, systems, and apparatus for conducting a radical treatment operation on a substrate prior to conducting an annealing operation on the substrate. In one implementation, a method of processing semiconductor substrates includes pre-heating a substrate, and exposing the substrate to species radicals. The exposing of the substrate to the species radicals includes a treatment temperature that is less than 300 degrees Celsius, a treatment pressure that is less than 1.0 Torr, and a treatment time that is within a range of 8.0 minutes to 12.0 minutes. The method includes annealing the substrate after the exposing of the substrate to the species radicals. The annealing includes exposing the substrate to molecules, an anneal temperature that is 300 degrees Celsius or greater, an anneal pressure that is within a range of 500 Torr to 550 Torr, and an anneal time that is less than 4.0 minutes.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/324 - Traitement thermique pour modifier les propriétés des corps semi-conducteurs, p.ex. recuit, frittage
  • H01L 21/321 - Post-traitement
  • H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants

80.

LOW RESISTIVITY GAPFILL

      
Numéro d'application 18512894
Statut En instance
Date de dépôt 2023-11-17
Date de la première publication 2024-05-30
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Yang, Tsung-Han
  • Liu, Zhen
  • Gao, Yongqian
  • Hou, Wenting
  • Wang, Rongjun

Abrégé

Embodiments of the disclosure relate to methods for metal gapfill with lower resistivity. Specific embodiments provide methods of forming a tungsten gapfill without a high resistance nucleation layer. Some embodiments of the disclosure utilize a nucleation underlayer to promote growth of the metal gapfill.

Classes IPC  ?

  • C23C 16/04 - Revêtement de parties déterminées de la surface, p.ex. au moyen de masques
  • C23C 16/06 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique
  • H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
  • H01L 23/532 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées caractérisées par les matériaux

81.

OXIDATION CONFORMALITY IMPROVEMENT WITH IN-SITU INTEGRATED PROCESSING

      
Numéro d'application 18523455
Statut En instance
Date de dépôt 2023-11-29
Date de la première publication 2024-05-30
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Lo, Hansel
  • Olsen, Christopher S.
  • Hansen, Erika

Abrégé

Methods of treating a substrate are provided. In some embodiments, the method includes exposing a substrate to a vacuum, wherein the substrate has one or more memory holes or trenches. The method further includes treating the substrate with a pre-treatment gas or plasma. The method includes oxidizing the substrate while the substrate is still under the vacuum. In some embodiments, the one or more memory holes have impurity buildup.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives

82.

GAS RECYCLING SYSTEMS, SUBSTRATE PROCESSING SYSTEMS, AND RELATED APPARATUS AND METHODS FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING

      
Numéro d'application 18070010
Statut En instance
Date de dépôt 2022-11-28
Date de la première publication 2024-05-30
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Sowwan, Mukhles
  • Lau, Shu-Kwan

Abrégé

The present disclosure generally relates to gas recycling systems, substrate processing systems, and related apparatus and methods for semiconductor manufacturing. In one or more implementations, unreacted gases from chambers can be used, recycled, and used one or more additional times. In one implementation, a gas recycling system includes a pump configured to fluidly connect to one or more outlet passages of a processing chamber to exhaust a gas from the processing chamber. The system includes one or more filtration devices in fluid communication with the pump such that the gas flows from the pump to the one or more filtration devices. The one or more filtration devices are configured to remove one or more impurities from the gas. The system includes a gas supply system in fluid communication with the one or more filtration devices such that the filtered gas flows to the gas supply system.

Classes IPC  ?

  • C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement
  • B01D 53/18 - Unités d'absorption; Distributeurs de liquides
  • B01D 53/32 - SÉPARATION Épuration chimique ou biologique des gaz résiduaires, p.ex. gaz d'échappement des moteurs à combustion, fumées, vapeurs, gaz de combustion ou aérosols par effets électriques autres que ceux prévus au groupe
  • C30B 25/14 - Moyens d'introduction et d'évacuation des gaz; Modification du courant des gaz réactifs

83.

Lattice Based Voltage Standoff

      
Numéro d'application 18070640
Statut En instance
Date de dépôt 2022-11-29
Date de la première publication 2024-05-30
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Mclaughlin, Adam M.
  • Chaney, Craig R.

Abrégé

An insulator that has a lattice is disclosed. The insulator may have a shaft with two ends. The lattice may be disposed on the outer surface of the shaft. In some embodiments, one or more sheaths are used to cover portions of the shaft. A lattice may also be disposed on the inner wall and/or outer walls of the sheaths. The lattice serves to increase the tracking length between the two ends of the shaft. This results in longer times before failure. This insulator may be used in an ion implantation system to physically and electrically separate two components.

Classes IPC  ?

  • H01J 37/147 - Dispositions pour diriger ou dévier la décharge le long d'une trajectoire déterminée
  • H01J 37/317 - Tubes à faisceau électronique ou ionique destinés aux traitements localisés d'objets pour modifier les propriétés des objets ou pour leur appliquer des revêtements en couche mince, p.ex. implantation d'ions

84.

MATERIALS ENGINEERING FOR ANTI-COKING COATING STACKS

      
Numéro d'application 18071391
Statut En instance
Date de dépôt 2022-11-29
Date de la première publication 2024-05-30
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Chatterjee, Sukti
  • Melnik, Yuriy
  • Scudder, Lance A.

Abrégé

Embodiments of the present disclosure relate generally to aerospace components containing protective coatings and methods for depositing the protective coatings. The protective coatings can be anti-coking coatings to reduce or suppress coke formation when the aerospace component is heated in the presence of a fuel in a reducing environment. In one or more embodiments, a method for depositing a protective coating on an aerospace component includes depositing a barrier layer on a surface of the aerospace component and depositing a carbon oxidation catalyst layer on the barrier layer. The barrier layer can be or include one or more metal oxides, such as chromium oxide, tungsten oxide, titanium oxide, vanadium oxide, alloys thereof, or any combination thereof. The carbon oxidation catalyst layer can be or include cerium oxide or doped cerium oxide or one or more oxygen storage materials.

Classes IPC  ?

  • C23C 16/02 - Pré-traitement du matériau à revêtir
  • C23C 16/40 - Oxydes
  • C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction

85.

SUBSTRATE DEFECT ANALYSIS

      
Numéro d'application 18072171
Statut En instance
Date de dépôt 2022-11-30
Date de la première publication 2024-05-30
Propriétaire APPLIED MATERIALS, INC. (USA)
Inventeur(s) Lim, Seng Keong

Abrégé

A method includes identifying property data of a substrate processed by a substrate processing system. The method further includes identifying, based on a first subset of the property data, a plurality of regions of the substrate corresponding to a first defect category. The method further includes sub-categorizing, based on a second subset of the property data, the plurality of regions of the substrate corresponding to the first defect category into a plurality of defect sub-categories. The method further includes causing, based on one or more of the plurality of regions corresponding to at least one of the plurality of defect sub-categories, performance of a corrective action associated with the substrate processing system.

Classes IPC  ?

  • G01N 21/95 - Recherche de la présence de criques, de défauts ou de souillures caractérisée par le matériau ou la forme de l'objet à analyser

86.

Method for Gapfill

      
Numéro d'application 18083075
Statut En instance
Date de dépôt 2022-12-16
Date de la première publication 2024-05-30
Propriétaire APPLIED MATERIALS, INC. (USA)
Inventeur(s)
  • Xu, Yi
  • Lei, Yu
  • Zhang, Aixi
  • Wang, Rongjun

Abrégé

A method of gap fill may include depositing a sacrificial Si layer in an opening of a feature and on a field of a substrate. In addition, the method may include depositing a metal layer in the opening and on the field, where at least a portion of the sacrificial Si layer is replaced with the metal layer. The method may also include depositing a metal gapfill material in the opening and on the field directly over the metal layer, where the metal gapfill material completely fills the opening.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
  • H01L 21/285 - Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p.ex. condensation

87.

USING LASER BEAM FOR SEM BASE TOOLS, WORKING DISTANCE MEASUREMENT AND CONTROL WORKING DISTANCE SEM TO TARGET

      
Numéro d'application 18072451
Statut En instance
Date de dépôt 2022-11-30
Date de la première publication 2024-05-30
Propriétaire APPLIED MATERIALS ISRAEL LTD. (Israël)
Inventeur(s)
  • Dudovitch, Ofer
  • Ben Noon, Ido
  • Zertser, Efi

Abrégé

A system for processing a sample comprising: a vacuum chamber having a window formed along one of its walls; a sample support configured to hold a sample within the vacuum chamber during a sample processing operation and move the substrate within the vacuum chamber along the X, Y and Z axes; a charged particle beam column configured to direct a charged particle beam into the vacuum chamber and focus the beam to collide with a region of interest on the sample; an optical distance measurement device configured to generate and direct electromagnetic radiation into the vacuum chamber through the window, detect photons from the electromagnetic radiation reflected off the sample, and determine a working distance between the sample and charged particle column based on the generated electromagnetic radiation and the detected photons; and one or more mirrors disposed within the vacuum chamber and positioned to direct the electromagnetic radiation generated by the optical distance measurement system to a measured location on the sample that is in close proximity to the region of interest, the one or more mirrors comprising at least one mirror positioned directly under a portion of the charged particle column.

Classes IPC  ?

  • H01J 37/20 - Moyens de support ou de mise en position de l'objet ou du matériau; Moyens de réglage de diaphragmes ou de lentilles associées au support
  • G01N 23/2251 - Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de rayonnement [ondes ou particules], p.ex. rayons X ou neutrons, non couvertes par les groupes , ou en mesurant l'émission secondaire de matériaux en utilisant des microsondes électroniques ou ioniques en utilisant des faisceaux d’électrons incidents, p.ex. la microscopie électronique à balayage [SEM]
  • H01J 37/18 - Fermetures étanches
  • H01J 37/21 - Moyens pour la mise au point
  • H01J 37/28 - Microscopes électroniques ou ioniques; Tubes à diffraction d'électrons ou d'ions avec faisceaux de balayage

88.

SOLID-STATE SWITCH BASED HIGH-SPEED PULSER WITH PLASMA IEDF MODIFICATION CAPABILITY THROUGH MULTILEVEL OUTPUT FUNCTIONALITY

      
Numéro d'application 18059222
Statut En instance
Date de dépôt 2022-11-28
Date de la première publication 2024-05-30
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Ramaswamy, Kartik
  • Guo, Yue
  • Yang, Yang
  • Silveira, Fernando
  • Azad, A.N.M. Wasekul

Abrégé

Embodiments provided herein generally include apparatus, plasma processing systems, and methods for generation of a waveform for plasma processing of a substrate in a processing chamber. One embodiment includes a waveform generator having three MOSFETs and three series-connected capacitors. The capacitors are connected across a DC power supply and, depending on the value of the capacitors, voltage across each of them may be varied. Each of the top two capacitors is followed by a diode. The bottom capacitor is connected to the ground. The drain terminal of each MOSFET is connected to higher potential end of the series connected capacitors. Each MOSFET is followed by a diode and the cathode ends of the diodes are connected together. An electrode is connected between the common cathode and ground.

Classes IPC  ?

  • H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse

89.

SYSTEM AND METHODS FOR IMPLEMENTING A MICRO PULSING SCHEME USING DUAL INDEPENDENT PULSERS

      
Numéro d'application 18059658
Statut En instance
Date de dépôt 2022-11-29
Date de la première publication 2024-05-30
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Azad, A N M Wasekul
  • Ramaswamy, Kartik
  • Guo, Yue
  • Bright, Nicolas J.
  • Yang, Yang

Abrégé

Embodiments of the disclosure provided herein include an apparatus and method for processing a substrate in a plasma processing system. The apparatus includes a pulse voltage (PV) waveform generator comprising at least one synchronization signal and a plurality of pulsers to provide a plurality of TTL inputs. The PV waveform generator generates a waveform containing pulses or bursts which contain micropulses corresponding to the plurality of TTL input signals and the at least one synchronization signal. The method includes receiving a first TTL input signal and a synchronization waveform signal from a controller, delivering a first micropulse to an electrode assembly after receiving the first TTL input signal and synchronization signal, and delivering a second micropulse to the electrode assembly after receiving the second TTL input signal and the synchronization signal.

Classes IPC  ?

  • H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse

90.

DETERMINING EQUIPMENT CONSTANT UPDATES BY MACHINE LEARNING

      
Numéro d'application 18070448
Statut En instance
Date de dépôt 2022-11-28
Date de la première publication 2024-05-30
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Bhatia, Sidharth
  • Lindley, Roger
  • Ummethala, Upendra
  • Li, Thomas
  • Howells, Michael
  • Babayan, Steven
  • Dao, Mimi-Diemmy

Abrégé

A method includes providing, as input to a first trained machine learning model, trace data associated with one or more substrate processing procedures. The input further includes equipment constants associated with the one or more substrate processing procedures. The input further includes trace data of a first processing chamber. The input further includes equipment constants of the first processing chamber. The method further includes obtaining, as output from the first trained machine learning model, a recommended update to a first equipment constant of the first processing chamber. The method further includes updated the first equipment constant of the first processing chamber responsive to obtaining the output from the first trained machine learning model.

Classes IPC  ?

  • G05B 13/02 - Systèmes de commande adaptatifs, c. à d. systèmes se réglant eux-mêmes automatiquement pour obtenir un rendement optimal suivant un critère prédéterminé électriques
  • G05B 13/04 - Systèmes de commande adaptatifs, c. à d. systèmes se réglant eux-mêmes automatiquement pour obtenir un rendement optimal suivant un critère prédéterminé électriques impliquant l'usage de modèles ou de simulateurs

91.

ADJUSTING CHAMBER PERFORMANCE BY EQUIPMENT CONSTANT UPDATES

      
Numéro d'application 18070453
Statut En instance
Date de dépôt 2022-11-28
Date de la première publication 2024-05-30
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Bhatia, Sidharth
  • Lindley, Roger
  • Ummethala, Upendra
  • Li, Thomas
  • Howells, Michael
  • Babayan, Steven
  • Dao, Mimi-Diemmy

Abrégé

A method includes receiving, by a processing device, first trace data associated with a first processing chamber, wherein the first processing chamber satisfies one or more performance metrics. The method further includes generating target trace data based on the first trace data associated with the first processing chamber. The method further includes receiving second trace data associated with a second processing chamber, wherein the second processing chamber does not satisfy the one or more performance metrics. The method further includes generating, based on the target trace data and the second trace data, a first recommended corrective action associated with the second processing chamber, wherein the first recommended corrective action includes updating one or more equipment constants of the second processing chamber. The method further includes performing the first recommended corrective action.

Classes IPC  ?

  • G05B 19/418 - Commande totale d'usine, c.à d. commande centralisée de plusieurs machines, p.ex. commande numérique directe ou distribuée (DNC), systèmes d'ateliers flexibles (FMS), systèmes de fabrication intégrés (IMS), productique (CIM)

92.

CHAMBER MATCHING BY EQUIPMENT CONSTANT UPDATES

      
Numéro d'application 18070456
Statut En instance
Date de dépôt 2022-11-28
Date de la première publication 2024-05-30
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Bhatia, Sidharth
  • Lindley, Roger
  • Ummethala, Upendra
  • Li, Thomas
  • Howells, Michael
  • Babayan, Steven
  • Dao, Mimi-Diemmy

Abrégé

A method includes receiving, by a processing device, data indicative of performance of a plurality of process chambers. The method further includes providing the data indicative of performance of the plurality of process chambers to a model. The method further includes receiving as output from the model a first recommended equipment constant update associated with a first process chamber of the plurality of process chambers and a second recommended equipment constant update associated with a second process chamber of the plurality of process chambers. The method further includes updating a first equipment constant of the first process chamber and a second equipment constant of the second process chamber in view of the first recommended equipment constant update and the second recommended equipment constant update.

Classes IPC  ?

  • G05B 19/418 - Commande totale d'usine, c.à d. commande centralisée de plusieurs machines, p.ex. commande numérique directe ou distribuée (DNC), systèmes d'ateliers flexibles (FMS), systèmes de fabrication intégrés (IMS), productique (CIM)

93.

MODELING FOR INDEXING AND SEMICONDUCTOR DEFECT IMAGE RETRIEVAL

      
Numéro d'application 18070744
Statut En instance
Date de dépôt 2022-11-29
Date de la première publication 2024-05-30
Propriétaire APPLIED MATERIALS, INC. (USA)
Inventeur(s)
  • Guo, Yuanhong
  • Dangayach, Sachin
  • Komatireddi, Rahul Reddy
  • Wu, Tianyuan

Abrégé

The subject matter of this specification can be implemented in, among other things, methods, systems, computer-readable storage medium. A method can include a processing device storing a plurality of feature vectors representative of previously processed image frames that correspond to various substrate processing defects. The method further includes receiving first image data comprising one or more image frames indicative of a first substrate processing defect. The method further includes determining a first feature vector corresponding to the first image data. The method further includes determining a selection of the plurality of feature vectors based on a proximity between the first feature vector and each of the selection of the plurality of feature vectors. The method further includes determining second image data comprising one or more image frames corresponding to the selection of the plurality of embedding vectors and performing an action based on determining the second image data.

Classes IPC  ?

  • G06T 7/00 - Analyse d'image
  • G01N 21/95 - Recherche de la présence de criques, de défauts ou de souillures caractérisée par le matériau ou la forme de l'objet à analyser

94.

COMMUNICATION NODE TO INTERFACE BETWEEN EVALUATION SYSTEMS AND A MANUFACTURING SYSTEM

      
Numéro d'application 18432525
Statut En instance
Date de dépôt 2024-02-05
Date de la première publication 2024-05-30
Propriétaire APPLIED MATERIALS, INC. (USA)
Inventeur(s)
  • Howells, Michael
  • Kril, Thorsten
  • Nagendra, Hemanth Konanur
  • Sasan, Jatinder

Abrégé

An electronic device manufacturing system that includes a process tool and a tool server coupled to the process tool and comprising a communication node and an evaluation system. The communication node is configured to receive, from a monitoring device registered on the process tool, data based on a data collection plan and send the received data to the evaluation system. The communication node is further configured to receive, from the evaluation system, feedback data based on the received data and cause the process tool to perform a corrective action based on the feedback data.

Classes IPC  ?

  • G05B 19/4155 - Commande numérique (CN), c.à d. machines fonctionnant automatiquement, en particulier machines-outils, p.ex. dans un milieu de fabrication industriel, afin d'effectuer un positionnement, un mouvement ou des actions coordonnées au moyen de données d'u caractérisée par le déroulement du programme, c.à d. le déroulement d'un programme de pièce ou le déroulement d'une fonction machine, p.ex. choix d'un programme
  • G05B 19/18 - Commande numérique (CN), c.à d. machines fonctionnant automatiquement, en particulier machines-outils, p.ex. dans un milieu de fabrication industriel, afin d'effectuer un positionnement, un mouvement ou des actions coordonnées au moyen de données d'u

95.

CALIBRATION JIG AND CALIBRATION METHOD

      
Numéro d'application 18435175
Statut En instance
Date de dépôt 2024-02-07
Date de la première publication 2024-05-30
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Myles, Andrew
  • Koosau, Denis Martin
  • Muraoka, Peter
  • Criminale, Phillip

Abrégé

Apparatus and methods for calibrating a height-adjustable edge ring are described herein. In one example, a calibration jig for positioning an edge ring relative to a reference surface is provided that includes a transparent plate, a plurality of sensors coupled to a first side of the transparent plate, and a plurality of contact pads coupled to an opposing second side of the transparent plate.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/68 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le positionnement, l'orientation ou l'alignement
  • H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
  • H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p.ex. mandrins, pièces de serrage, pinces

96.

DEFORMABLE SUBSTRATE CHUCK

      
Numéro d'application 18436499
Statut En instance
Date de dépôt 2024-02-08
Date de la première publication 2024-05-30
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Zuniga, Steven M.
  • Gurusamy, Jay
  • Nagengast, Andrew J.

Abrégé

A carrier head includes a housing, a support assembly having a support plate flexibly connected to the housing so as to be vertically movable, a plurality of fluid-impermeable barriers projecting from a bottom of the support plate to define a plurality of recesses that are open at bottom sides thereof, and pneumatic control lines. A volume between the support plate and the housing includes one or more independently pressurizable first chambers to apply pressure on a top surface of the support plate in one or more first zones. The barriers divide a volume between the support plate and the substrate into a plurality of second chambers. The pneumatic control lines are coupled to the plurality of recesses to provide a plurality of independently pressurizable second zones.

Classes IPC  ?

  • B24B 37/30 - Supports de pièce pour rodage simple face de surfaces planes
  • B24B 37/04 - Machines ou dispositifs de rodage; Accessoires conçus pour travailler les surfaces planes
  • B24B 49/12 - Appareillage de mesure ou de calibrage pour la commande du mouvement d'avance de l'outil de meulage ou de la pièce à meuler; Agencements de l'appareillage d'indication ou de mesure, p.ex. pour indiquer le début de l'opération de meulage impliquant des dispositifs optiques
  • H01L 21/3105 - Post-traitement
  • H01L 21/321 - Post-traitement
  • H01L 21/66 - Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
  • H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
  • H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension

97.

REFLECTOR PLATE FOR SUBSTRATE PROCESSING

      
Numéro d'application 18519913
Statut En instance
Date de dépôt 2023-11-27
Date de la première publication 2024-05-30
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s) Aderhold, Wolfgang R.

Abrégé

Embodiments of the present disclosure generally relate to apparatus for processing a substrate, and more specifically to reflector plates for rapid thermal processing. In an embodiment, a reflector plate assembly for processing a substrate is provided. The reflector plate assembly includes a reflector plate body, a plurality of sub-reflector plates disposed within the reflector plate body, and a plurality of pyrometers. A pyrometer of the plurality of pyrometers is coupled to an opening formed in a sub-reflector plate. Chambers including a reflector plate assembly are also described herein.

Classes IPC  ?

  • G01J 5/00 - Pyrométrie des radiations, p.ex. thermométrie infrarouge ou optique
  • G01J 5/0808 - Miroirs convexes
  • G02B 1/11 - Revêtements antiréfléchissants
  • G02B 5/09 - Miroirs à facettes multiples ou polygonales
  • H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
  • H05B 1/02 - Dispositions de commutation automatique spécialement adaptées aux appareils de chauffage
  • H05B 3/00 - Chauffage par résistance ohmique

98.

DETERMINING EQUIPMENT CONSTANT UPDATES BY MACHINE LEARNING

      
Numéro d'application 18542562
Statut En instance
Date de dépôt 2023-12-15
Date de la première publication 2024-05-30
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Li, Thomas Ho Fai
  • Hu, Xiaoer
  • Islam Rahim, Imaan Seraphine

Abrégé

A method includes providing, to a trained machine learning model configured to determine a recommended adjustment to an equipment constant of a substrate manufacturing system, first input data indicative of a state of the substrate manufacturing system. The method further includes providing, to the trained machine learning model as second input data, an indication of a performed adjustment to the equipment constant. The method further includes retraining the trained machine learning model based on a difference between the recommended adjustment to the equipment constant and the performed adjustment to the equipment constant to generate a retrained machine learning model.

Classes IPC  ?

  • G05B 19/418 - Commande totale d'usine, c.à d. commande centralisée de plusieurs machines, p.ex. commande numérique directe ou distribuée (DNC), systèmes d'ateliers flexibles (FMS), systèmes de fabrication intégrés (IMS), productique (CIM)

99.

CALCULATE WAFERS THICKNESS OUT OF WAFER MAPPING PROCESS

      
Numéro d'application 18071400
Statut En instance
Date de dépôt 2022-11-29
Date de la première publication 2024-05-30
Propriétaire APPLIED MATERIALS ISRAEL LTD. (Israël)
Inventeur(s) Dudovitch, Ofer

Abrégé

A method of operating a substrate processing system that includes a substrate processing chamber, a substrate storage container and robot configured to select a substrate from the substrate storage container and transfer a selected substrate into the substrate processing chamber, the method comprising: detecting a lower edge and upper edge of the substrate; calculating a thickness of the substrate based on the detected lower and upper edges of the substrate; comparing the calculated thickness of the substrate to an expected thickness of the substrate; and (i) if the calculated thickness matches the expected thickness, controlling the robot to transfer the substrate into the substrate processing chamber, (ii) if the calculated thickness does not match the expected thickness, generating an alert indicating a thickness mismatch.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
  • B65G 47/90 - Dispositifs pour saisir et déposer les articles ou les matériaux
  • H01J 37/20 - Moyens de support ou de mise en position de l'objet ou du matériau; Moyens de réglage de diaphragmes ou de lentilles associées au support
  • H01J 37/244 - Détecteurs; Composants ou circuits associés
  • H01J 37/28 - Microscopes électroniques ou ioniques; Tubes à diffraction d'électrons ou d'ions avec faisceaux de balayage
  • H01L 21/677 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le transport, p.ex. entre différents postes de travail
  • H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p.ex. mandrins, pièces de serrage, pinces

100.

TRANSFER APPARATUS, AND RELATED COMPONENTS AND METHODS, FOR TRANSFERRING SUBSTRATES

      
Numéro d'application US2023027836
Numéro de publication 2024/112369
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-07-14
Date de publication 2024-05-30
Propriétaire APPLIED MATERIALS, INC. (USA)
Inventeur(s)
  • Cong, Zhepeng
  • Atanos, Ashur J.
  • Ishii, Masato
  • Kretzschmar, Andrew

Abrégé

The present disclosure relates to transfer apparatus, and related components and methods, for transferring substrates in relation to substrate processing operations for semiconductor manufacturing. In one implementation, a transfer apparatus for moving a substrate in relation to semiconductor manufacturing includes a body, and a plurality of substrate supports inserted at least partially into the body. Each of the plurality of substrate supports includes an inner segment, and one or more fins extending outwardly relative to the inner segment. Each of the inner segment and the one or more fins includes silicon carbide (SiC).

Classes IPC  ?

  • H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p.ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
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