Applied Materials, Inc.

États‑Unis d’Amérique

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Propriétaire / Filiale
[Owner] Applied Materials, Inc. 8 615
Applied Materials Israel, Ltd. 5
Date
Nouveautés (dernières 4 semaines) 139
2024 mai (MACJ) 102
2024 avril 75
2024 mars 81
2024 février 81
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Classe IPC
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants 1 735
H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse 1 723
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives 1 273
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction 1 001
H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p.ex. mandrins, pièces de serrage, pinces 692
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Statut
En Instance 2 098
Enregistré / En vigueur 6 517
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1.

REDUCING ASPECT RATIO DEPENDENT ETCH WITH DIRECT CURRENT BIAS PULSING

      
Numéro d'application 17984772
Statut En instance
Date de dépôt 2022-11-10
Date de la première publication 2024-05-16
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Li, Deyang
  • Srinivasan, Sunil
  • Chou, Yi-Chuan
  • Rauf, Shahid
  • Liu, Kuan-Ting
  • Kenney, Jason A.
  • Liu, Chung
  • Joubert, Olivier P.
  • Dash, Shreeram Jyoti
  • Eppler, Aaron
  • Nichols, Michael Thomas

Abrégé

Embodiments of the present disclosure generally relate to a system used in a semiconductor device manufacturing process. More specifically, embodiments provided herein generally include apparatus and methods for synchronizing and controlling the delivery of an RF bias signal and a pulsed voltage waveform to one or more electrodes within a plasma processing chamber. The apparatus and methods disclosed herein can be useful to at least minimize or eliminate a microloading effect created while processing small dimension features that have differing densities across various regions of a substrate. The plasma processing methods and apparatus described herein are configured to improve the control of various characteristics of the generated plasma and control an ion energy distribution (IED) of the plasma generated ions that interact with a surface of a substrate during plasma processing. The ability to synchronize and control waveform characteristics of a voltage waveform bias established on a substrate during processing allows for an improved control of the generated plasma and process of forming, for example, high-aspect ratio features in the surface of the substrate by a reactive ion etching process. As a result, greater precision for plasma processing can be achieved, which is described herein in more detail.

Classes IPC  ?

  • H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse

2.

HIGH POWER TUNGSTEN HALOGEN LAMP LIFETIME IMPROVEMENT THROUGH J-HOOK DESIGN

      
Numéro d'application 18412127
Statut En instance
Date de dépôt 2024-01-12
Date de la première publication 2024-05-16
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Yang, Yao-Hung
  • Gadgil, Shantanu Rajiv
  • Rao, Kaushik
  • Kirchhoff, Vincent Joseph
  • Kadiwala, Sagir
  • Mahyudin, Munirah
  • Chou, Daniel

Abrégé

A lamp and epitaxial processing apparatus are described herein. In one example, the lamp includes a bulb, a filament, and a plurality of filament supports disposed in spaced-apart relation to the filament, each of the filament supports having a hook support and a hook. The hook includes a connector configured to fasten the hook to the hook support, a first vertical portion extending from the connector toward the filament, and a rounded portion extending from an end of the first vertical portion distal from the connector and configured to wrap around the filament. A second vertical portion extends from an end of the rounded portion distal from the first vertical portion and the second vertical portion has a length between 60% and 100% of the length of the first vertical portion.

Classes IPC  ?

  • H01K 1/20 - Montures ou supports du corps à incandescence caractérisés par le matériau utilisé

3.

METHODS FOR INCREASING THE DENSITY OF HIGH-INDEX NANOIMPRINT LITHOGRAPHY FILMS

      
Numéro d'application 18394133
Statut En instance
Date de dépôt 2023-12-22
Date de la première publication 2024-05-16
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Ceballos, Andrew
  • Hourani, Rami
  • Ohno, Kenichi
  • Melnik, Yuriy
  • Joshi, Amita

Abrégé

Embodiments of the present disclosure generally relate to densified nanoimprint films and processes for making these densified nanoimprint films, as well as optical devices containing the densified nanoimprint films. In one or more embodiments, a densified nanoimprint film contains a base nanoimprint film and a metal oxide disposed on the base nanoimprint film and in between the nanoparticles. The base nanoimprint film contains nanoparticles, where the nanoparticles contain titanium oxide, zirconium oxide, niobium oxide, tantalum oxide, hafnium oxide, chromium oxide, indium tin oxide, silicon nitride, or any combination thereof. The metal oxide contains aluminum oxide, titanium oxide, zirconium oxide, niobium oxide, tantalum oxide, indium oxide, indium tin oxide, hafnium oxide, chromium oxide, scandium oxide, tin oxide, zinc oxide, yttrium oxide, praseodymium oxide, magnesium oxide, silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, or any combination thereof.

Classes IPC  ?

  • G03F 7/00 - Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
  • C23C 16/04 - Revêtement de parties déterminées de la surface, p.ex. au moyen de masques
  • C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
  • G03F 7/20 - Exposition; Appareillages à cet effet
  • H01L 21/28 - Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes

4.

ADDITION OF EXTERNAL ULTRAVIOLET LIGHT FOR IMPROVED PLASMA STRIKE CONSISTENCY

      
Numéro d'application 17987679
Statut En instance
Date de dépôt 2022-11-15
Date de la première publication 2024-05-16
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Shono, Eric Kihara
  • Nagorny, Vladimir
  • George, Rene
  • Nestorov, Vilen K.
  • Ripley, Martin John
  • Olsen, Christopher S.

Abrégé

Embodiments of the present disclosure relate to methods and apparatuses of processing a substrate. The apparatus includes a process chamber, the process chamber including a chamber body, a substrate support, and a remote plasma source. The substrate support is configured to support a substrate within the processing region. The remote plasma source is coupled to the chamber body through a connector. The remote plasma source includes a body, an inlet, an inductive coil, and one or more UV sources. The body has a first end, a second end, and a tube spanning between the first end and the second end. The inlet is coupled to a gas source configured to introduce one or more gases into the body through the first end of the body. The inductive coil loops around the tube. The one or more UV sources are coupled to the first end of the body.

Classes IPC  ?

  • H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse

5.

PROCESS FOR MANUFACTURING A SILICON CARBIDE COATED BODY

      
Numéro d'application 18382977
Statut En instance
Date de dépôt 2023-10-23
Date de la première publication 2024-05-16
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Guercio, Peter J.
  • Westphal, Paul
  • Fisher, Kirk Allen

Abrégé

The present invention relates to a new process for manufacturing a silicon carbide (SiC) coated body by depositing SiC in a chemical vapor deposition method using dimethyldichlorosilane (DMS) as the silane source on a graphite substrate. A further aspect of the present invention relates to the new silicon carbide coated body, which can be obtained by the new process of the present invention, and to the use thereof for manufacturing articles for high temperature applications, susceptors and reactors, semiconductor materials, and wafer.

Classes IPC  ?

6.

MONOLITHIC SUBSTRATE SUPPORT HAVING POROUS FEATURES AND METHODS OF FORMING THE SAME

      
Numéro d'application 17985393
Statut En instance
Date de dépôt 2022-11-11
Date de la première publication 2024-05-16
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Chadha, Arvinder Manmohan Singh
  • Beaudry, Christopher

Abrégé

A method of forming a substrate support for use in a processing chamber includes forming a porous region in each of a plurality of ceramic green sheets, stacking the plurality of ceramic green sheets, each having the porous region formed therein, to form a ceramic laminate, and sintering the ceramic laminate to form a monolithic ceramic body having a porous plug formed therein. The porous plug includes the porous regions in the plurality of ceramic green sheets that are sintered.

Classes IPC  ?

  • C04B 37/00 - Liaison des articles céramiques cuits avec d'autres articles céramiques cuits ou d'autres articles, par chauffage
  • C04B 38/00 - Mortiers, béton, pierre artificielle ou articles de céramiques poreux; Leur préparation
  • C04B 41/00 - Post-traitement des mortiers, du béton, de la pierre artificielle ou des céramiques; Traitement de la pierre naturelle
  • C04B 41/53 - Post-traitement des mortiers, du béton, de la pierre artificielle ou des céramiques; Traitement de la pierre naturelle impliquant l'enlèvement d'une partie des matières de l'objet traité
  • C04B 41/91 - Post-traitement des mortiers, du béton, de la pierre artificielle ou des céramiques; Traitement de la pierre naturelle de céramiques uniquement impliquant l'enlèvement d'une partie des matières des objets traités, p.ex. par attaque chimique

7.

METHODS OF FABRICATING OLED PANEL WITH INORGANIC PIXEL ENCAPSULATING BARRIER

      
Numéro d'application 18545676
Statut En instance
Date de dépôt 2023-12-19
Date de la première publication 2024-05-16
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Choung, Ji Young
  • Haas, Dieter
  • Lin, Yu-Hsin
  • Lee, Jungmin
  • Yoo, Seong Ho
  • Kim, Si Kyoung

Abrégé

Embodiments described herein relate to sub-pixel circuits and methods of forming sub-pixel circuits that may be utilized in a display such as an organic light-emitting diode (OLED) display. The device includes a plurality of sub-pixels, each sub-pixel of the plurality of sub-pixels defined by adjacent pixel-defining layer (PDL) structures with inorganic overhang structures disposed on the PDL structures, each sub-pixel having an anode, organic light-emitting diode (OLED) material disposed on the anode, and a cathode disposed on the OLED material. The device is made by a process including the steps of: depositing the OLED material and the cathode by evaporation deposition, and depositing an encapsulation layer disposed over the cathode.

Classes IPC  ?

  • H10K 59/122 - Structures ou couches définissant le pixel, p. ex. bords
  • H10K 50/84 - Passivation; Conteneurs; Encapsulations
  • H10K 50/844 - Encapsulations
  • H10K 71/00 - Fabrication ou traitement spécialement adaptés aux dispositifs organiques couverts par la présente sous-classe

8.

Dynamic Phased Array Plasma Source For Complete Plasma Coverage Of A Moving Substrate

      
Numéro d'application 18423636
Statut En instance
Date de dépôt 2024-01-26
Date de la première publication 2024-05-16
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Ponnekanti, Hari
  • Srinivasan, Mukund

Abrégé

Apparatus and methods to process a substrate comprising a gas distribution assembly comprising a plasma process region with an array of individual plasma sources. A controller is connected to the array of individual plasma sources and the substrate support. The controller is configured monitor the position of the at least one substrate and provide or disable power to the individual plasma sources based on the position of the substrate relative to the individual plasma sources.

Classes IPC  ?

  • H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
  • C23C 16/458 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour supporter les substrats dans la chambre de réaction
  • C23C 16/505 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques utilisant des décharges à radiofréquence
  • C23C 16/509 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques utilisant des décharges à radiofréquence utilisant des électrodes internes
  • C23C 16/511 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques utilisant des décharges à micro-ondes
  • C23C 16/52 - Commande ou régulation du processus de dépôt

9.

METHODS AND APPARATUS FOR PROCESSING A SUBSTRATE

      
Numéro d'application 17988083
Statut En instance
Date de dépôt 2022-11-16
Date de la première publication 2024-05-16
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Guo, Yue
  • Ramaswamy, Kartik
  • Yang, Yang
  • Bright, Nicolas John
  • Azad, A N M Wasekul

Abrégé

Methods and apparatus for processing a substrate are provided herein. For example, a matching network comprises a first sensor operably connected to an input of the matching network and an RF generator operable at a first frequency and a second sensor operably connected to an output of the matching network and the plasma processing chamber. The first sensor and the second sensor are configured to measure impedance during an RF generator pulse on time. A variable capacitor is connected to the first sensor and the second sensor, and a controller is configured to tune the at least one variable capacitor of the matching network during the RF generator pulse on time based on impedance values measured during at least one of pulse on states or pulse off states of a pulse voltage waveform generator connected to the matching network or an RF signal of another RF generator operable at a second frequency different from the first frequency.

Classes IPC  ?

  • H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
  • H03H 11/28 - Réseaux d'adaptation d'impédance

10.

BOWED SUBSTRATE CLAMPING METHOD, APPARATUS, AND SYSTEM

      
Numéro d'application 17984357
Statut En instance
Date de dépôt 2022-11-10
Date de la première publication 2024-05-16
Propriétaire APPLIED MATERIALS, INC. (USA)
Inventeur(s)
  • Chadha, Arvinder S.
  • Ramaswamy, Kartik

Abrégé

Methods and apparatus for clamping a substrate comprise i. placing a substrate on a clamping surface of a substrate support having a plurality of electrodes spaced from one another including a first electrode and a second electrode; ii. measuring substrate bow of the substrate; iii. determining, based on the measured substrate bow, a first voltage to be applied to the first electrode and a second voltage to be applied to the second electrode, wherein the first voltage is an AC voltage and the second voltage is an AC or a DC voltage; and iv. applying the first voltage to the first electrode and the second voltage to the second electrode to clamp the substrate to the substrate support.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
  • H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension

11.

POROUS CHAMBER COMPONENT COATING AUGMENTED WITH COLLOIDS

      
Numéro d'application 18508056
Statut En instance
Date de dépôt 2023-11-13
Date de la première publication 2024-05-16
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Behnke, Joseph Frederick
  • Sommers, Joseph Frederick
  • Sulyman, Alexander Alhajj

Abrégé

A method includes forming a porous ceramic coating on a component of a processing chamber. The method further includes applying a colloidal suspension to the porous ceramic coating to fill pores of the porous ceramic coating. The method further includes drying the component.

Classes IPC  ?

  • C25D 11/18 - Post-traitement, p.ex. bouchage des pores
  • C23C 4/11 - Oxydes
  • C23C 4/18 - Post-traitement
  • H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p.ex. mandrins, pièces de serrage, pinces

12.

SURFACE DEPASSIVATION WITH THERMAL ETCH AFTER NITROGEN RADICAL TREATMENT

      
Numéro d'application 18054798
Statut En instance
Date de dépôt 2022-11-11
Date de la première publication 2024-05-16
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Wang, Dixiong
  • Cen, Xi
  • Wu, Kai
  • Wang, Peiqi
  • Li, Yang

Abrégé

A method of forming a structure on a substrate that includes forming a tungsten nucleation layer within at least one opening within a multi-tier portion of a substrate. The method includes exposing the nucleation layer to a nitrogen-containing gas to inhibit growth of the nucleation layer at narrow points within the at least one opening. The method includes exposing the at least one opening of the substrate to the tungsten-containing precursor gas to form a fill layer over the nucleation layer within the at least one opening. The method includes exposing the at least one opening to a molybdenum-containing gas to remove a tungsten nitride layer from the tungsten fill layer.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif

13.

INTEGRATED SOLUTION WITH LOW TEMPERATURE DRY DEVELOP FOR EUV PHOTORESIST

      
Numéro d'application 18222897
Statut En instance
Date de dépôt 2023-07-17
Date de la première publication 2024-05-16
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Yang, Tzu Shun
  • Han, Zhenxing
  • Sachan, Madhur
  • Liu, Lequn
  • Kazem, Nasrin
  • Kalutarage, Lakmal Charidu
  • Saly, Mark Joseph

Abrégé

Embodiments disclosed herein may include a method for developing a photopatterned metal oxo photoresist. In an embodiment, the method may include pre-treating the photopatterned metal oxo photoresist with a pre-treatment process, developing the photopatterned metal oxo photoresist with a thermal dry develop process to selectively remove a portion of the photopatterned metal oxo photoresist and form a resist mask. In an embodiment, the thermal dry develop process includes a first sub-operation, and a second sub-operation that is different than the first sub-operation. In an embodiment, the process further includes post-treating the resist mask with a post-treatment process.

Classes IPC  ?

  • G03F 7/004 - Matériaux photosensibles
  • G03F 7/00 - Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
  • G03F 7/16 - Procédés de couchage; Appareillages à cet effet
  • G03F 7/36 - Dépouillement selon l'image non couvert par les groupes , p.ex. utilisant un courant gazeux, un plasma
  • H01L 21/027 - Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe ou

14.

APPARATUS AND METHOD FOR CMP TEMPERATURE CONTROL

      
Numéro d'application 18417304
Statut En instance
Date de dépôt 2024-01-19
Date de la première publication 2024-05-16
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Kumar, Surajit
  • Soundararajan, Hari
  • Chen, Hui
  • Chang, Shou-Sung

Abrégé

A chemical mechanical polishing apparatus includes a rotatable platen to hold a polishing pad, a carrier to hold a substrate against a polishing surface of the polishing pad during a polishing process, and a temperature control system including a source of heated or coolant fluid and a plenum having a plurality of openings positioned over the platen and separated from the polishing pad for delivering the fluid onto the polishing pad, wherein at least some of the openings are each configured to deliver a different amount of the fluid onto the polishing pad.

Classes IPC  ?

  • B24B 37/015 - Commande de la température
  • B24B 37/10 - Machines ou dispositifs de rodage; Accessoires conçus pour travailler les surfaces planes caractérisés par le déplacement de la pièce ou de l'outil de rodage pour un rodage simple face
  • B24B 37/26 - Tampons de rodage pour travailler les surfaces planes caractérisés par la forme ou le profil de la surface du tampon de rodage, p.ex. rainurée

15.

PROCESS CELL FOR FILED GUIDED POST EXPOSURE BAKE PROCESS

      
Numéro d'application 18282509
Statut En instance
Date de dépôt 2021-04-02
Date de la première publication 2024-05-16
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Lubomirsky, Dmitry
  • Hanson, Kyle M.
  • Buchberger, Jr., Douglas A.
  • Tso, Alan L.
  • Kozhikkalkandi, Rahul
  • Mchugh, Paul R.
  • Sun, Jiayi
  • Liang, Qiwei
  • Alex, Nithin Thomas
  • Huang, Lancelot
  • Yieh, Ellie Y.

Abrégé

Apparatus and method for substrate processing are described herein. More specifically, the apparatus and method are directed towards apparatus and method for performing a field guided post exposure bake operation on a semiconductor substrate. The apparatus is a processing module (100) and includes an upper portion (102) with an electrode (400) and a base portion (104) which is configured to support a substrate (500) on a substrate support surface (159). The upper portion (102) and the base portion (104) are actuated toward and away from one another using one or more arms (112) and form a process volume (404). The process volume (404) is filled with a process fluid and the processing module (100) is rotated about an axis (A). An electric field is applied to the substrate (500) by the electrode (400) before the process fluid is drained from the process volume (404).

Classes IPC  ?

  • G03F 7/00 - Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
  • G03F 7/40 - Traitement après le dépouillement selon l'image, p.ex. émaillage

16.

PERFORMING RADIO FREQUENCY MATCHING CONTROL USING A MODEL-BASED DIGITAL TWIN

      
Numéro d'application 18377918
Statut En instance
Date de dépôt 2023-10-09
Date de la première publication 2024-05-16
Propriétaire APPLIED MATERIALS, INC. (USA)
Inventeur(s)
  • Zhang, Tao
  • Ummethala, Upendra

Abrégé

A method includes receiving, from one or more sensors, sensor data associated with manufacturing equipment and updating one or more values of a digital replica associated with the manufacturing equipment based on the sensor data. The digital replica comprises a model reflecting a virtual representation of physical elements and dynamics of how the manufacturing equipment operates. One or more outputs indicative of predictive data is obtained from the digital replica and, based on the predictive data, performance of one or more corrective actions associated with the manufacturing equipment is caused.

Classes IPC  ?

  • H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
  • H03H 7/40 - Adaptation automatique de l'impédance de charge à l'impédance de la source
  • H05H 1/46 - Production du plasma utilisant des champs électromagnétiques appliqués, p.ex. de l'énergie à haute fréquence ou sous forme de micro-ondes

17.

SPACER PATTERNING PROCESS WITH FLAT TOP PROFILE

      
Numéro d'application 18379048
Statut En instance
Date de dépôt 2023-10-11
Date de la première publication 2024-05-16
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Li, Chao
  • Lee, Gene

Abrégé

A method for spacer patterning includes performing a deposition process, the deposition process comprising conformally depositing an over layer over a spacer layer as deposited on top surfaces of a patterned mandrel layer and on sidewalls of the patterned mandrel layer, and performing an etch process using a fluorine containing etching gas. The etch process includes a post-deposition breakthrough process, removing portions of the over layer on the top surfaces of the patterned mandrel layer, and a main-etch process, removing shoulder portions of the over layer and shoulder portions of the spacer layer.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
  • H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives

18.

DETECTING DEFECTS OF SEMICONDUCTOR MANUFACTURING ASSEMBLIES

      
Numéro d'application 17987356
Statut En instance
Date de dépôt 2022-11-15
Date de la première publication 2024-05-16
Propriétaire APPLIED MATERIALS, INC. (USA)
Inventeur(s)
  • Yang, Yao-Hung
  • Chang, Chih-Yang
  • Wang, Shannon

Abrégé

A method of determining an operational status of a semiconductor manufacturing assembly uses internal vibrations of an in-situ assembly to detect defects. The method may include initiating a first test vibration in an internal structure of the semiconductor manufacturing assembly while the semiconductor manufacturing assembly is in-situ in a semiconductor processing chamber, receiving a first vibration signal caused by the first test vibration, transforming the first vibration signal into a first frequency domain representation of the first vibration signal, determining the operational status of the semiconductor manufacturing assembly based on the first frequency domain representation, and performing a corrective action for the semiconductor manufacturing assembly in response to the operational status.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
  • G01M 5/00 - Examen de l'élasticité des structures ou ouvrages, p.ex. fléchissement de ponts ou d'ailes d'avions
  • G05B 19/418 - Commande totale d'usine, c.à d. commande centralisée de plusieurs machines, p.ex. commande numérique directe ou distribuée (DNC), systèmes d'ateliers flexibles (FMS), systèmes de fabrication intégrés (IMS), productique (CIM)

19.

ULTRAVIOLET AND OZONE CLEANING APPARATUS AND METHOD OF USING

      
Numéro d'application 17987591
Statut En instance
Date de dépôt 2022-11-15
Date de la première publication 2024-05-16
Propriétaire APPLIED MATERIALS, INC. (USA)
Inventeur(s)
  • Wu, Banqiu
  • Makhamreh, Khalid
  • Dagan, Eliyahu Shlomo

Abrégé

A cleaning apparatus for cleaning a substrate wherein the substrate is contacted with ozonated water and irradiating the substrate and the ozonated water with UV electromagnetic radiation from a UV lamp within a cleaning chamber; wherein greater than or equal to about 50% of the UV electromagnetic radiation has a wavelength of greater than or equal to about 280 nm. Methods of cleaning a substrate are also presented.

Classes IPC  ?

  • B08B 7/04 - Nettoyage par des procédés non prévus dans une seule autre sous-classe ou un seul groupe de la présente sous-classe par une combinaison d'opérations
  • B08B 3/08 - Nettoyage impliquant le contact avec un liquide le liquide ayant un effet chimique ou dissolvant
  • B08B 3/10 - Nettoyage impliquant le contact avec un liquide avec traitement supplémentaire du liquide ou de l'objet en cours de nettoyage, p.ex. par la chaleur, par l'électricité ou par des vibrations
  • B08B 7/00 - Nettoyage par des procédés non prévus dans une seule autre sous-classe ou un seul groupe de la présente sous-classe
  • B08B 13/00 - Accessoires ou parties constitutives, d'utilisation générale, des machines ou appareils de nettoyage

20.

Seal for an assembly in a vapor deposition chamber

      
Numéro d'application 29762536
Numéro de brevet D1027120
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-12-17
Date de la première publication 2024-05-14
Date d'octroi 2024-05-14
Propriétaire APPLIED MATERIALS, INC. (USA)
Inventeur(s)
  • Yang, Yao-Hung
  • Ruhland, Eric
  • Chaudhari, Saurabh M.
  • Wu, Dien-Yeh
  • Nagle, Philip Wayne
  • Pal, Aniruddha
  • Gondhalekar, Sudhir R.
  • Salimian, Siamak
  • Lin, Scott
  • Chan, Boon Sen

21.

Collimator for a physical vapor deposition (PVD) chamber

      
Numéro d'application 29863220
Numéro de brevet D1026839
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-12-16
Date de la première publication 2024-05-14
Date d'octroi 2024-05-14
Propriétaire APPLIED MATERIALS, INC. (USA)
Inventeur(s)
  • Riker, Martin Lee
  • Varkey, Luke Vianney
  • Xie, Xiangjin

22.

MULTIPROCESS SUBSTRATE TREATMENT FOR ENHANCED SUBSTRATE DOPING

      
Numéro d'application 17980900
Statut En instance
Date de dépôt 2022-11-04
Date de la première publication 2024-05-09
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Hatem, Christopher R.
  • Kennedy, Michael Noel
  • Olson, Joseph C.
  • Seebauer, Edmund G.

Abrégé

A method of doping a substrate may include exposing a substrate surface of the semiconductor substrate to a plasma clean, performing a deposition of a dopant layer on the substrate surface using a plasma source, after the plasma clean, the dopant layer comprising a dopant element; and exposing the substrate to an implant process when the dopant layer is disposed on the substrate surface, wherein the implant process introduces an ion species comprising the dopant element into the substrate, wherein the substrate is maintained under vacuum over a process duration spanning the plasma clean, the deposition of the dopant layer, and the implant process, and wherein at least a portion of the dopant layer is implanted into the substrate during the implant process.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/225 - Diffusion des impuretés, p.ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, à l'intérieur ou hors du corps semi-conducteur, ou entre les régions semi-conductrices; Redistribution des impuretés, p.ex. sans introduction ou sans élimination de matériau dopant supplémentaire en utilisant la diffusion dans ou hors d'un solide, à partir d'une ou en phase solide, p.ex. une couche d'oxyde dopée
  • H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
  • H01L 21/265 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions

23.

VOLUME FILLING CASSETTE FOR LOAD LOCK

      
Numéro d'application 17981188
Statut En instance
Date de dépôt 2022-11-04
Date de la première publication 2024-05-09
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Carrell, Michael Mason
  • Schaller, Jason M.
  • Flores Iracheta, Victor

Abrégé

An ion implantation system including an ion source for generating an ion beam, an end station containing a platen for supporting a substrate to be implanted by the ion beam, and a load lock disposed adjacent the end station and adapted to transfer substrates between an external environment and the end station. The load lock may include a transfer chamber having a hollow interior, a first isolation door affixed to a first side of the transfer chamber and openable to the external environment, a second isolation door affixed to a second side of the transfer chamber and openable to an interior of the end station, and a volume filling cassette disposed within the hollow interior of the transfer chamber and adapted to hold at least one substrate.

Classes IPC  ?

  • H01J 37/20 - Moyens de support ou de mise en position de l'objet ou du matériau; Moyens de réglage de diaphragmes ou de lentilles associées au support
  • C23C 14/48 - Implantation d'ions
  • C23C 14/56 - Appareillage spécialement adapté au revêtement en continu; Dispositifs pour maintenir le vide, p.ex. fermeture étanche
  • H01J 37/317 - Tubes à faisceau électronique ou ionique destinés aux traitements localisés d'objets pour modifier les propriétés des objets ou pour leur appliquer des revêtements en couche mince, p.ex. implantation d'ions
  • H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants

24.

FLEETWIDE IMPEDANCE TUNING PERFORMANCE OPTIMIZATION

      
Numéro d'application 17981282
Statut En instance
Date de dépôt 2022-11-04
Date de la première publication 2024-05-09
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Coumou, David
  • Ransom, Nathan
  • Gambhire, Priya
  • Zuch, Jeremy
  • Vadivelu, Senthil Kumar

Abrégé

Embodiments disclosed herein include a method for field adjusting calibrating factors of a plurality of RF impedance matches for control of a plurality of plasma chambers. In an embodiment, the method comprises collecting and storing in a memory data from operation of the plurality of RF impedance matches, and finding a tune space for each of the plurality of RF impedance matches from the collected data. In an embodiment, the method further comprises finding adjustments to account for variability in each of the plurality of RF impedance matches, finding adjustments to variable tuning elements of the plurality of RF impedance matches to account for time varying and process related load impedances, and the method further comprises obtaining operating windows for the variable tuning elements in the plurality of RF impedance matches.

Classes IPC  ?

  • H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse

25.

PROTECTION TREATMENTS FOR SURFACES OF SEMICONDUCTOR FABRICATION EQUIPMENT

      
Numéro d'application 17981394
Statut En instance
Date de dépôt 2022-11-05
Date de la première publication 2024-05-09
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Woo, Katherine
  • Sun, Jennifer Y.
  • Li, Jian
  • Zhang, Wenhao
  • Kulkarni, Mayur Govind
  • Ramalingam, Chidambara A.
  • Sheil, Ryan
  • Seamons, Martin J.
  • Deepak, Nitin

Abrégé

Semiconductor fabrication component preparation methods are described. In embodiments, the methods include forming a first layer on a surface of the semiconductor fabrication component. The first layer is characterized by a porosity of greater than or about 0.01 vol. %. The methods further include depositing a second layer on the first layer, where the second layer is characterized by a porosity of less than or about 20 vol. %. Treated semiconductor fabrication components are also described. In embodiments, the treated components include a first layer formed in the surface of the semiconductor fabrication component, where the first layer is characterized by a porosity of greater than or about 0.01 vol. %., and a second layer positioned on the first layer, where the second layer is characterized by a porosity of less than or about 20 vol. %.

Classes IPC  ?

  • H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
  • C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
  • C23C 28/04 - Revêtements uniquement de matériaux inorganiques non métalliques
  • C25D 11/18 - Post-traitement, p.ex. bouchage des pores

26.

SEMICONDUCTOR PROCESS EQUIPMENT

      
Numéro d'application 18141914
Statut En instance
Date de dépôt 2023-05-01
Date de la première publication 2024-05-09
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Prasad, Bhaskar
  • Savandaiah, Kirankumar Neelasandra
  • Brezoczky, Thomas
  • Shirahatti, Lakshmikanth Krishnamurthy

Abrégé

A substrate process station includes a housing including a transport region and process region. The process station further includes a magnetic levitation assembly disposed in the transport region configured to levitate and propel a substrate carrier. The magnetic levitation assembly includes a first track segment including first rails disposed in the transport region and below the process region, wherein the first rails each include a first plurality of magnets. The process station further includes a pedestal assembly comprising a pedestal disposed within the housing. The pedestal is moveable between a pedestal transfer position and a process position, wherein the pedestal is disposed between the first rails in the pedestal transfer position to receive a substrate from the substrate carrier, and wherein the pedestal is moveable between the first rails to position the received substrate in the process region in the process position.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/677 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le transport, p.ex. entre différents postes de travail

27.

SEMICONDUCTOR PROCESS EQUIPMENT

      
Numéro d'application 18141926
Statut En instance
Date de dépôt 2023-05-01
Date de la première publication 2024-05-09
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Prasad, Bhaskar
  • Savandaiah, Kirankumar Neelasandra
  • Brezoczky, Thomas
  • Shirahatti, Lakshmikanth Krishnamurthy

Abrégé

A substrate process station includes a housing including a transport region and process region. The process station further includes a magnetic levitation assembly disposed in the transport region configured to levitate and propel a substrate carrier. The magnetic levitation assembly includes a first track segment including first rails disposed in the transport region and below the process region, wherein the first rails each include a first plurality of magnets. The process station further includes a pedestal assembly comprising a pedestal disposed within the housing. The pedestal is moveable between a pedestal transfer position and a process position, wherein the pedestal is disposed between the first rails in the pedestal transfer position to receive a substrate from the substrate carrier, and wherein the pedestal is moveable between the first rails to position the received substrate in the process region in the process position.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/677 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le transport, p.ex. entre différents postes de travail

28.

SEMICONDUCTOR PROCESS EQUIPMENT

      
Numéro d'application 18141931
Statut En instance
Date de dépôt 2023-05-01
Date de la première publication 2024-05-09
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Prasad, Bhaskar
  • Savandaiah, Kirankumar Neelasandra
  • Brezoczky, Thomas
  • Shirahatti, Lakshmikanth Krishnamurthy

Abrégé

A substrate process station includes a housing including a transport region and process region. The process station further includes a magnetic levitation assembly disposed in the transport region configured to levitate and propel a substrate carrier. The magnetic levitation assembly includes a first track segment including first rails disposed in the transport region and below the process region, wherein the first rails each include a first plurality of magnets. The process station further includes a pedestal assembly comprising a pedestal disposed within the housing. The pedestal is moveable between a pedestal transfer position and a process position, wherein the pedestal is disposed between the first rails in the pedestal transfer position to receive a substrate from the substrate carrier, and wherein the pedestal is moveable between the first rails to position the received substrate in the process region in the process position.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/677 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le transport, p.ex. entre différents postes de travail
  • C23C 14/34 - Pulvérisation cathodique
  • C23C 14/50 - Porte-substrat
  • C23C 14/56 - Appareillage spécialement adapté au revêtement en continu; Dispositifs pour maintenir le vide, p.ex. fermeture étanche
  • C23C 16/458 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour supporter les substrats dans la chambre de réaction
  • H01F 7/20 - Electro-aimants; Actionneurs comportant des électro-aimants sans armature
  • H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p.ex. mandrins, pièces de serrage, pinces

29.

METHODS OF FORMING SEMICONDUCTOR STRUCTURES

      
Numéro d'application 18411693
Statut En instance
Date de dépôt 2024-01-12
Date de la première publication 2024-05-09
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Someshwar, Ria
  • Ganguli, Seshadri
  • Yu, Lan
  • Krishnan, Siddarth
  • Gandikota, Srinivas
  • Wrench, Jacqueline S.
  • Yang, Yixiong

Abrégé

Methods for forming a semiconductor structure and semiconductor structures are described. The method comprises patterning a substrate to form a first opening and a second opening, the substrate comprising an n transistor and a p transistor, the first opening over the n transistor and the second opening over the p transistor; pre-cleaning the substrate; depositing a titanium silicide (TiSi) layer on the n transistor and on the p transistor by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD); optionally depositing a first barrier layer on the titanium silicide (TiSi) layer and selectively removing the first barrier layer from the p transistor; selectively forming a molybdenum silicide (MoSi) layer on the titanium silicide (TiSi) layer on the n transistor and the p transistor; forming a second barrier layer on the molybdenum silicide (MoSi) layer; and annealing the semiconductor structure. The method may be performed in a processing chamber without breaking vacuum.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/45 - Electrodes à contact ohmique
  • H01L 21/285 - Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p.ex. condensation
  • H01L 21/324 - Traitement thermique pour modifier les propriétés des corps semi-conducteurs, p.ex. recuit, frittage
  • H01L 21/8238 - Transistors à effet de champ complémentaires, p.ex. CMOS
  • H01L 29/40 - Electrodes
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

30.

HIGH PIXEL DENSITY STRUCTURES AND METHODS OF MAKING

      
Numéro d'application 18413011
Statut En instance
Date de dépôt 2024-01-15
Date de la première publication 2024-05-09
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Xu, Lisong
  • Zhu, Mingwei
  • Kwak, Byung Sung
  • Bang, Hyunsung
  • Zhao, Liang
  • Ng, Hou T.
  • Ganapathiappan, Sivapackia
  • Patibandla, Nag

Abrégé

Methods of making high-pixel-density LED structures are described. The methods may include forming a backplane substrate and a LED substrate. The backplane substrate and the LED substrate may be bonded together, and the bonded substrates may include an array of LED pixels. Each of the LED pixels may include a group of isolated subpixels. A quantum dot layer may be formed on at least one of the isolated subpixels in each of the LED pixels. The methods may further include repairing at least one defective LED pixel by forming a replacement quantum dot layer on a quantum-dot-layer-free subpixel in the defective LED pixel. The methods may also include forming a UV barrier layer on the array of LED pixels after the repairing of the at least one defective LED pixel.

Classes IPC  ?

  • H01L 33/44 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet
  • G02B 27/01 - Dispositifs d'affichage "tête haute"
  • H01L 21/66 - Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
  • H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
  • H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
  • H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
  • H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure

31.

DATA INSPECTION FOR DIGITAL LITHOGRAPHY FOR HVM USING OFFLINE AND INLINE APPROACH

      
Numéro d'application 18415430
Statut En instance
Date de dépôt 2024-01-17
Date de la première publication 2024-05-09
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Kang, Chung-Shin
  • Yang, Jun
  • Ji, Hongbin

Abrégé

In embodiments of a digital lithography system, physical design data prepared at a data prep server in a hierarchical data structure. A leaf node comprises a repeater nod, comprising a bitmap image and a plurality of locations at which the bitmap appears in a physical design. At an EYE server, a repeater node bitmap is adjusted based upon, for example, spatial light modulator rotational adjustment and substrate distortion. The adjusted repeater node and the plurality of locations in which the adjusted repeater appears is compared to the repeater of the data prep server and its plurality of locations. In further embodiments, a rasterizer generates a checksum of bitmap to be printed to a substrate, from the EYE server bitmap. The checksum is compared to a checksum of the EYE server bitmap.

Classes IPC  ?

  • G03F 7/00 - Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet

32.

METALENS STACK ON WAVEGUIDE COMBINERS FOR AR/VR GLASSES

      
Numéro d'application 18280901
Statut En instance
Date de dépôt 2022-03-07
Date de la première publication 2024-05-09
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Fu, Jinxin
  • Godet, Ludovic

Abrégé

Embodiments of the present application generally relate to augmented reality and virtual reality glasses having stacked lenses. The augmented reality (AR) and virtual reality (VR) glasses includes a pair of lenses retained by a frame. A lens stack is utilized in the pair of lenses. The lens stack may include multiple metasurfaces that improve the focus adjustment for both the real and virtual images as well as a prescription lens or prescription metasurface in the lens stack. The metasurfaces are coupled to a waveguide combiner to assist in overlaying virtual images on ambient environments. By utilizing a lens stack, the total weight of the glasses will decrease.

Classes IPC  ?

  • G02B 27/01 - Dispositifs d'affichage "tête haute"
  • G02B 1/00 - OPTIQUE ÉLÉMENTS, SYSTÈMES OU APPAREILS OPTIQUES Éléments optiques caractérisés par la substance dont ils sont faits; Revêtements optiques pour éléments optiques
  • G02B 3/00 - Lentilles simples ou composées
  • G02B 5/18 - Grilles de diffraction
  • G02B 27/10 - Systèmes divisant ou combinant des faisceaux

33.

CORRECTION OF FABRICATED SHAPES IN ADDITIVE MANUFACTURING

      
Numéro d'application 18504482
Statut En instance
Date de dépôt 2023-11-08
Date de la première publication 2024-05-09
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s) Fung, Jason Garcheung

Abrégé

A method of fabricating a polishing layer of a polishing pad using an additive manufacturing system, the method including depositing multiple successive layers by droplet ejection over an underlying layer, including dispensing a polishing pad precursor to first regions corresponding to partitions of the polishing pad, dispensing a first sacrificial material to second regions abutting the first regions such that the first sacrificial material lines sidewalls of the partitions, dispensing a second sacrificial material of different composition from the first sacrificial material to third regions corresponding to spaces between the first regions and second regions in the polishing pad, and curing at least the polishing pad precursor. The second regions and third regions correspond to grooves of the polishing pad. The multiple successive layers provide a body. The method further includes removing the first and second sacrificial material from the body to provide the polishing pad.

Classes IPC  ?

  • B24D 18/00 - Fabrication d'outils pour meuler, p.ex. roues, non prévue ailleurs
  • B29C 64/112 - Procédés de fabrication additive n’utilisant que des matériaux liquides ou visqueux, p.ex. dépôt d’un cordon continu de matériau visqueux utilisant des gouttelettes individuelles, p.ex. de buses de jet
  • B33Y 10/00 - Procédés de fabrication additive
  • B33Y 30/00 - Appareils pour la fabrication additive; Leurs parties constitutives ou accessoires à cet effet
  • B33Y 40/20 - Posttraitement, p.ex. durcissement, revêtement ou polissage
  • B33Y 50/02 - Acquisition ou traitement de données pour la fabrication additive pour la commande ou la régulation de procédés de fabrication additive

34.

SELECTIVE LOW TEMPERATURE EPITAXIAL DEPOSITION PROCESS

      
Numéro d'application 18534958
Statut En instance
Date de dépôt 2023-12-11
Date de la première publication 2024-05-09
Propriétaire Applied Materials, Inc. (Canada)
Inventeur(s)
  • Wu, Chen-Ying
  • Dube, Abhishek
  • Huang, Yi-Chiau

Abrégé

A method for the selective formation of epitaxial layers is described herein. In the method, epitaxial layers are deposited to form source and drain regions around a horizontal gate all around (hGAA structure). The method includes co-flowing a combination of chlorinated silicon containing precursors, antimony containing precursors, and n-type dopant precursors. The resulting source and drain regions are selectively grown from crystalline nanosheets or nanowires of the hGAA structure over the non-crystalline gate structure and dielectric layers. The source and drain regions are predominantly grown in a <110> direction.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/08 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
  • H01L 21/225 - Diffusion des impuretés, p.ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, à l'intérieur ou hors du corps semi-conducteur, ou entre les régions semi-conductrices; Redistribution des impuretés, p.ex. sans introduction ou sans élimination de matériau dopant supplémentaire en utilisant la diffusion dans ou hors d'un solide, à partir d'une ou en phase solide, p.ex. une couche d'oxyde dopée
  • H01L 29/167 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée caractérisés en outre par le matériau de dopage
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

35.

PROCESS CHAMBER WITH PRESSURE CHARGING AND PULSING CAPABILITY

      
Numéro d'application 18387649
Statut En instance
Date de dépôt 2023-11-07
Date de la première publication 2024-05-09
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Xia, Borui
  • Hsu, Chih-Hsun
  • Yuan, Xiaoxiong
  • Zhang, Le
  • Or, David T.
  • Lu, Jiang

Abrégé

Processing chambers including at least one gas reservoir connected to and in fluid communication with the lid through a fast-switching valve and a gas reservoir line are described. Processing methods, for example, etching methods, using the processing chambers are also described.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
  • H01L 21/311 - Gravure des couches isolantes

36.

DYNAMIC PRESSURE CONTROL FOR PROCESSING CHAMBERS IMPLEMENTING REAL-TIME LEARNING

      
Numéro d'application 18408313
Statut En instance
Date de dépôt 2024-01-09
Date de la première publication 2024-05-09
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Dhekial-Phukan, Tina
  • Nichols, Michael

Abrégé

System and methods of improving dynamic pressure response during recipe step transitions. An exemplary method may include changing at least one of a plurality of recipe parameters in accordance with a processing recipe while running the processing recipe on a semiconductor substrate in a processing chamber. The method may further include measuring a pressure response in the processing chamber responsive to the changing of the at least one of the plurality of recipe parameters, and determining a response error based on the pressure response and a model pressure response calculated based on the processing recipe. The method may further include, in response to determining that the response error may be greater than a threshold value, calculating an adjustment to an operation of a valve downstream of the processing chamber when changing the at least one of the plurality of recipe parameters in accordance with the processing recipe in subsequent runs.

Classes IPC  ?

  • H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
  • C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
  • C23C 16/52 - Commande ou régulation du processus de dépôt
  • H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants

37.

MULTI-LEVEL RF PULSE MONITORING AND RF PULSING PARAMETER OPTIMIZATION AT A MANUFACTURING SYSTEM

      
Numéro d'application 18411609
Statut En instance
Date de dépôt 2024-01-12
Date de la première publication 2024-05-09
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Cantwell, Dermot
  • Walker, Quentin Ernie
  • Malkov, Serghei
  • Kumar, Jatinder

Abrégé

Methods and systems for RF pulse monitoring and RF pulsing parameter optimization at a manufacturing system are provided. Sensor data is received from one or more sensors that indicates an RF pulse waveform detected within the processing chamber. One or more RF signal characteristics are identified in the detected RF pulse waveform. Each identified RF signal characteristic corresponds to at least one RF signal pulse of the RF signal pulsing within the processing chamber. A determination is made, based on the identified one or more RF signal characteristics, whether the detected RF pulse waveform corresponds to the target RF pulse waveform. An indication of whether the detected RF pulse waveform corresponds to the target RF pulse waveform is provided to a client device.

Classes IPC  ?

  • G01N 22/00 - Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de micro-ondes ou d'ondes radio, c. à d. d'ondes électromagnétiques d'une longueur d'onde d'un millimètre ou plus
  • G01N 22/02 - Recherche de la présence de criques
  • G01N 22/04 - Recherche de la teneur en eau

38.

RADIO FREQUENCY IMPEDANCE MATCHING NETWORK WITH FLEXIBLE TUNING ALGORITHMS

      
Numéro d'application 17980378
Statut En instance
Date de dépôt 2022-11-03
Date de la première publication 2024-05-09
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Guo, Yue
  • Ramaswamy, Kartik
  • Yu, Jie
  • Yang, Yang
  • Moghadam, Farhad

Abrégé

Embodiments provided herein generally include apparatus and methods, controlled by flexible tuning algorithms, for generating a plasma in a plasma processing chamber. Flexible communications between equipment of the plasma processing system allows sharing of process information and equipment settings for evaluation and refinement of the tuning algorithms used. This enhances the productivity of batch processing of a plurality of semiconductor wafers during the manufacturing process since the tuning algorithms can be modified on the fly during processing thereof. The tuning algorithms may be recorded, reused and/or modified for controlling future plasma processing.

Classes IPC  ?

  • G05B 19/414 - Structure du système de commande, p.ex. automate commun ou systèmes à multiprocesseur, interface vers le servo-contrôleur, contrôleur à interface programmable
  • G05B 19/18 - Commande numérique (CN), c.à d. machines fonctionnant automatiquement, en particulier machines-outils, p.ex. dans un milieu de fabrication industriel, afin d'effectuer un positionnement, un mouvement ou des actions coordonnées au moyen de données d'u

39.

PLASMA ASSISTED DAMAGE ENGINEERING DURING ION IMPLANTATION

      
Numéro d'application 17980905
Statut En instance
Date de dépôt 2022-11-04
Date de la première publication 2024-05-09
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Hatem, Christopher R.
  • Kennedy, Michael Noel
  • Seebauer, Edmund G.

Abrégé

A method of method of treating a semiconductor substrate. The method may include, in a beamline ion implanter, exposing a substrate surface of the semiconductor substrate to a plasma clean and exposing the substrate surface to a hydrogen treatment from a plasma source. The method may further include, in the beamline ion implanter, exposing the substrate to an implant process after formation of the hydrogen passivation, wherein the substrate is maintained under vacuum over a process duration spanning the plasma clean, the hydrogen treatment, and the implant process.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/265 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions
  • H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
  • H01L 21/324 - Traitement thermique pour modifier les propriétés des corps semi-conducteurs, p.ex. recuit, frittage

40.

MODULAR MICROWAVE SOURCE WITH INTEGRATED OPTICAL SENSORS

      
Numéro d'application 17981278
Statut En instance
Date de dépôt 2022-11-04
Date de la première publication 2024-05-09
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Fischbach, Adam
  • Mckissick, Richard
  • Hatcher, Brian
  • Valencia, Christian
  • Chua, Thai Cheng
  • Kraus, Philip Allan

Abrégé

Embodiments disclosed herein include a semiconductor processing tool. In an embodiment, the semiconductor processing tool comprises a chamber, and a lid configured to seal the chamber. In an embodiment, a modular microwave plasma applicator is provided through the lid, and an optical port is provided through the lid and adjacent to the modular microwave plasma source. In an embodiment, a pin is inserted in the optical port.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
  • H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
  • H01L 21/68 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le positionnement, l'orientation ou l'alignement

41.

DETERMINING SUBSTRATE CHARACTERISTICS BY VIRTUAL SUBSTRATE MEASUREMENT

      
Numéro d'application 17982157
Statut En instance
Date de dépôt 2022-11-07
Date de la première publication 2024-05-09
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Kumar, Dheeraj
  • Barai, Samit
  • Kumar, Pardeep
  • Narayanan, Sundar
  • Sethuraman, Anantha

Abrégé

A method includes receiving feature data defining a plurality of features of a virtual substrate. The method further includes preparing the virtual substrate for display on a graphical user interface (GUI). The method further includes receiving one or more first inputs via the GUI. The one or more first inputs are associated with one or more locations of the virtual substrate. The method further includes defining a three-dimensional measurement probe based on the one or more first inputs. The method further includes outputting a measurement of the measurement probe. The measurement is associated with a characteristic of the virtual substrate measured by the three-dimensional measurement probe.

Classes IPC  ?

  • G06F 30/31 - Saisie informatique, p.ex. éditeurs spécifiquement adaptés à la conception de circuits
  • G06F 30/3308 - Vérification de la conception, p.ex. simulation fonctionnelle ou vérification du modèle par simulation

42.

MULTI-SHAPE VOLTAGE PULSE TRAINS FOR UNIFORMITY AND ETCH PROFILE TUNING

      
Numéro d'application 17983926
Statut En instance
Date de dépôt 2022-11-09
Date de la première publication 2024-05-09
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Cui, Linying
  • Rogers, James
  • Byun, Daniel Sang
  • Dhindsa, Rajinder
  • Hernandez, Keith

Abrégé

Embodiments of the disclosure provided herein include a method for processing a substrate in a plasma processing system. The method includes receiving a first synchronization waveform signal from a controller, delivering a first burst of first voltage pulses to an electrode assembly after receiving a first portion of the first synchronization waveform signal, wherein at least one first parameter of the first voltage pulses is set to a first value based on a first waveform parameter within the first portion of the first synchronization waveform signal, and delivering a second burst of second voltage pulses to the electrode assembly after receiving a second portion of the first synchronization waveform signal, wherein the at least one first parameter of the first voltage pulses is set to a second value based on a difference in the first waveform parameter within the second portion of the first synchronization waveform signal.

Classes IPC  ?

  • H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse

43.

SEMICONDUCTOR PROCESS EQUIPMENT

      
Numéro d'application 18141909
Statut En instance
Date de dépôt 2023-05-01
Date de la première publication 2024-05-09
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Prasad, Bhaskar
  • Savandaiah, Kirankumar Neelasandra
  • Brezoczky, Thomas
  • Shirahatti, Lakshmikanth Krishnamurthy

Abrégé

A substrate process station includes a housing including a transport region and process region. The process station further includes a magnetic levitation assembly disposed in the transport region configured to levitate and propel a substrate carrier. The magnetic levitation assembly includes a first track segment including first rails disposed in the transport region and below the process region, wherein the first rails each include a first plurality of magnets. The process station further includes a pedestal assembly comprising a pedestal disposed within the housing. The pedestal is moveable between a pedestal transfer position and a process position, wherein the pedestal is disposed between the first rails in the pedestal transfer position to receive a substrate from the substrate carrier, and wherein the pedestal is moveable between the first rails to position the received substrate in the process region in the process position.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/677 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le transport, p.ex. entre différents postes de travail
  • H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
  • H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
  • H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p.ex. mandrins, pièces de serrage, pinces

44.

SEMICONDUCTOR PROCESS EQUIPMENT

      
Numéro d'application 18141920
Statut En instance
Date de dépôt 2023-05-01
Date de la première publication 2024-05-09
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Prasad, Bhaskar
  • Savandaiah, Kirankumar Neelasandra
  • Brezoczky, Thomas
  • Shirahatti, Lakshmikanth Krishnamurthy

Abrégé

A substrate process station includes a housing including a transport region and process region. The process station further includes a magnetic levitation assembly disposed in the transport region configured to levitate and propel a substrate carrier. The magnetic levitation assembly includes a first track segment including first rails disposed in the transport region and below the process region, wherein the first rails each include a first plurality of magnets. The process station further includes a pedestal assembly comprising a pedestal disposed within the housing. The pedestal is moveable between a pedestal transfer position and a process position, wherein the pedestal is disposed between the first rails in the pedestal transfer position to receive a substrate from the substrate carrier, and wherein the pedestal is moveable between the first rails to position the received substrate in the process region in the process position.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/677 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le transport, p.ex. entre différents postes de travail

45.

SEMICONDUCTOR PROCESS EQUIPMENT

      
Numéro d'application 18141923
Statut En instance
Date de dépôt 2023-05-01
Date de la première publication 2024-05-09
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Prasad, Bhaskar
  • Savandaiah, Kirankumar Neelasandra
  • Brezoczky, Thomas
  • Shirahatti, Lakshmikanth Krishnamurthy

Abrégé

A substrate process station includes a housing including a transport region and process region. The process station further includes a magnetic levitation assembly disposed in the transport region configured to levitate and propel a substrate carrier. The magnetic levitation assembly includes a first track segment including first rails disposed in the transport region and below the process region, wherein the first rails each include a first plurality of magnets. The process station further includes a pedestal assembly comprising a pedestal disposed within the housing. The pedestal is moveable between a pedestal transfer position and a process position, wherein the pedestal is disposed between the first rails in the pedestal transfer position to receive a substrate from the substrate carrier, and wherein the pedestal is moveable between the first rails to position the received substrate in the process region in the process position.

Classes IPC  ?

  • C23C 14/56 - Appareillage spécialement adapté au revêtement en continu; Dispositifs pour maintenir le vide, p.ex. fermeture étanche
  • C23C 14/35 - Pulvérisation cathodique par application d'un champ magnétique, p.ex. pulvérisation au moyen d'un magnétron
  • H01F 7/20 - Electro-aimants; Actionneurs comportant des électro-aimants sans armature
  • H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
  • H01L 21/677 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le transport, p.ex. entre différents postes de travail

46.

METHODS TO FORM METAL LINERS FOR INTERCONNECTS

      
Numéro d'application 17980850
Statut En instance
Date de dépôt 2022-11-04
Date de la première publication 2024-05-09
Propriétaire APPLIED MATERIALS, INC. (USA)
Inventeur(s)
  • Qu, Ge
  • Wu, Zhiyuan
  • Cen, Jiajie
  • Chen, Feng

Abrégé

A method for forming a metal liner layer for an interconnect uses a multi-metal deposition process to produce a reduced thickness liner. The back-end-of-the-line packaging process may include forming a metal liner layer by depositing a ruthenium layer with a first thickness of approximately 5 angstroms or less and depositing a first cobalt layer with a second thickness of approximately 20 angstroms or less. In some embodiments, the ruthenium layer may be deposited on a previously formed barrier layer and then undergoes a treatment process before depositing the first cobalt layer. In some embodiments, the first cobalt layer may be deposited on the ruthenium layer or the ruthenium layer maybe deposited on the first cobalt layer. In some embodiments, the ruthenium layer is deposited on the first cobalt layer and a second cobalt layer is deposited on the ruthenium layer.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif

47.

Collimator for a physical vapor deposition (PVD) chamber

      
Numéro d'application 29858764
Numéro de brevet D1025935
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-11-03
Date de la première publication 2024-05-07
Date d'octroi 2024-05-07
Propriétaire APPLIED MATERIALS, INC. (USA)
Inventeur(s)
  • Riker, Martin Lee
  • Varkey, Luke Vianney
  • Xie, Xiangjin

48.

Collimator for a physical vapor deposition (PVD) chamber

      
Numéro d'application 29863221
Numéro de brevet D1025936
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-12-16
Date de la première publication 2024-05-07
Date d'octroi 2024-05-07
Propriétaire APPLIED MATERIALS, INC. (USA)
Inventeur(s)
  • Riker, Martin Lee
  • Varkey, Luke Vianney
  • Xie, Xiangjin

49.

Collimator for a physical vapor deposition (PVD) chamber

      
Numéro d'application 29835991
Numéro de brevet D1026054
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-04-22
Date de la première publication 2024-05-07
Date d'octroi 2024-05-07
Propriétaire APPLIED MATERIALS, INC. (USA)
Inventeur(s)
  • Riker, Martin Lee
  • Miller, Keith A.
  • Varkey, Luke Vianney
  • Xie, Xiangjin
  • Kalathiparambil, Kishor Kumar

50.

DIELECTRIC FILM SURFACE RESTORATION WITH REDUCTIVE PLASMA

      
Numéro d'application 17973991
Statut En instance
Date de dépôt 2022-10-26
Date de la première publication 2024-05-02
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Song, Liang
  • Liu, Chengyu

Abrégé

Methods for forming an EUV photoresist hard mask are provided. The method includes treating a metal-rich layer on a substrate with a reductive plasma to form a metallic surface on the metal-rich layer, the metal-rich layer having a top portion comprising a metal oxide layer. The metal-rich layer comprises one or more of tin (Sn), indium (In), gallium (Ga), zinc (Zn), tellurium (Te), antimony (Sb), nickel (Ni), titanium (Ti), aluminum (Al), tantalum (Ta), bismuth (Bi), and lead (Pb).

Classes IPC  ?

  • C23C 16/50 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques
  • C23C 16/40 - Oxydes
  • G03F 1/24 - Masques en réflexion; Leur préparation

51.

ELECTROSTATIC CHUCK ASSEMBLY

      
Numéro d'application 17974088
Statut En instance
Date de dépôt 2022-10-26
Date de la première publication 2024-05-02
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Cho, Jaeyong
  • Dhindsa, Rajinder
  • Byun, Daniel Sang
  • Knyazik, Vladimir

Abrégé

Examples of a substrate support assembly are provided herein. In some examples, the substrate support assembly has a ceramic electrostatic chuck having a first side configured to support a substrate and a second side opposite the first side, wherein the ceramic electrostatic chuck includes an electrode embedded in the ceramic electrostatic chuck. The substrate support assembly has a cooling plate disposed under the second side of the ceramic electrostatic chuck, wherein the cooling plate includes an inner portion separated from an outer portion. The substrate support assembly has a bond layer coupling the ceramic electrostatic chuck to the cooling plate, wherein the bond layer is of a first material in the outer portion of the cooling plate and of a second material in the inner portion of the cooling plate, and wherein the first material has a greater thermal conductivity than that of the second material.

Classes IPC  ?

  • H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse

52.

EPI OVERLAPPING DISK AND RING

      
Numéro d'application 17975195
Statut En instance
Date de dépôt 2022-10-27
Date de la première publication 2024-05-02
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Cong, Zhepeng
  • Atanos, Ashur J.
  • Paul, Khokan C.
  • Smith, Nimrod
  • Sheng, Tao
  • Tran, Vinh

Abrégé

Embodiments disclosed herein generally provide improved control of gas flow in processing chambers. In at least one embodiment, a disk and liner assembly includes a quartz disk having an outer diameter, a plurality of holes or slots formed in the quartz disk, and a quartz ring having an inner diameter less than the outer diameter of the quartz disk.

Classes IPC  ?

  • C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
  • C23C 16/458 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour supporter les substrats dans la chambre de réaction
  • C30B 25/12 - Porte-substrat ou supports
  • C30B 25/14 - Moyens d'introduction et d'évacuation des gaz; Modification du courant des gaz réactifs

53.

CARBON-CONTAINING CAP LAYER FOR DOPED SEMICONDUCTOR EPITAXIAL LAYER

      
Numéro d'application 17975377
Statut En instance
Date de dépôt 2022-10-27
Date de la première publication 2024-05-02
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Jewell, Jason
  • Dube, Abhishek

Abrégé

A semiconductor structure includes a stack of alternating doped semiconductor epitaxial layers and cap epitaxial layers formed on a substrate. Each doped semiconductor epitaxial layer includes silicon having carrier dopants, and each cap epitaxial layer includes silicon and carbon un-doped with carrier dopants.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/167 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée caractérisés en outre par le matériau de dopage
  • C23C 16/24 - Dépôt uniquement de silicium
  • C23C 16/26 - Dépôt uniquement de carbone
  • C23C 16/52 - Commande ou régulation du processus de dépôt
  • C23C 16/56 - Post-traitement
  • C30B 25/16 - Commande ou régulation
  • C30B 29/06 - Silicium
  • C30B 29/68 - Cristaux avec une structure multicouche, p.ex. superréseaux
  • C30B 33/12 - Gravure dans une atmosphère gazeuse ou un plasma
  • H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives

54.

BENZYL COMPOUND PASSIVATION FOR SELECTIVE DEPOSITION AND SELECTIVE ETCH PROTECTION

      
Numéro d'application 17976440
Statut En instance
Date de dépôt 2022-10-28
Date de la première publication 2024-05-02
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Liu, Feng Q.
  • Saly, Mark J.
  • Thompson, David

Abrégé

A method includes forming a first layer and a second layer on a substrate, forming a passivation layer on a surface of the first layer without forming the passivation layer on a surface of the second layer by exposing the first layer and the second layer to a benzyl compound, and after forming the passivation layer on the first layer, performing at least one of: depositing a third layer on the second layer, or etching the second layer.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
  • C23C 16/02 - Pré-traitement du matériau à revêtir
  • C23C 16/34 - Nitrures
  • C23C 16/40 - Oxydes
  • C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction

55.

CLASSIFICATION OF DEFECT PATTERNS OF SUBSTRATES

      
Numéro d'application 17976726
Statut En instance
Date de dépôt 2022-10-28
Date de la première publication 2024-05-02
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Roy Chowdhury, Chandrani
  • Mittal, Sanjiv
  • Gardner, Jr., James Henry
  • Roy Chowdhury, Mohana
  • Dangayach, Sachin
  • D'Souza, Victor Rotion
  • Singal, Rajesh Kumar
  • Penagalapati, Rajesh Naidu
  • Jain, Priyanka

Abrégé

A method includes obtaining, by a processing device, data indicative of locations of defects of a substrate. The method further includes generating an image indicating the locations of the defects. The method further includes providing the image indicating the locations of the defects to a trained machine learning model. The method further includes obtaining, as output from the trained machine learning model, a classification of the locations of the defects. The method further includes performing a corrective action in view of the output from the trained machine learning model.

Classes IPC  ?

  • G06T 7/00 - Analyse d'image
  • G01N 21/88 - Recherche de la présence de criques, de défauts ou de souillures
  • G06V 10/764 - Dispositions pour la reconnaissance ou la compréhension d’images ou de vidéos utilisant la reconnaissance de formes ou l’apprentissage automatique utilisant la classification, p.ex. des objets vidéo

56.

WORKPIECE HANDLING ARCHITECTURE FOR HIGH WORKPIECE THROUGHPUT

      
Numéro d'application 17977417
Statut En instance
Date de dépôt 2022-10-31
Date de la première publication 2024-05-02
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Schaller, Jason M.
  • Carrell, Michael
  • Weaver, William T.
  • Carlson, Charles T.

Abrégé

A system for transferring semiconductor workpieces from a load lock to an orientation station and on to a platen is disclosed. The system comprises two load locks, two robots, and one orientation station. Each robot is associated with a respective load lock and follows a fixed sequence. The robot returns a processed workpiece to the load lock and also removes an unprocessed workpiece. The robot then moved to the orientation station, where it removes an aligned workpiece from the orientation station and deposits the unprocessed workpiece on the orientation station. Next, the robot moves to the platen, where it removes a processed workpiece and deposits the aligned workpiece. The robot then returns to the load lock and repeats this sequence.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
  • H01L 21/677 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le transport, p.ex. entre différents postes de travail
  • H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p.ex. mandrins, pièces de serrage, pinces

57.

WORKPIECE HANDLING ARCHITECTURE FOR HIGH WORKPIECE THROUGHPUT

      
Numéro d'application 17977422
Statut En instance
Date de dépôt 2022-10-31
Date de la première publication 2024-05-02
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Schaller, Jason M.
  • Carrell, Michael
  • Weaver, William T.
  • Carlson, Charles T.

Abrégé

A system for transferring semiconductor workpieces from a load lock to an orientation station and onto a platen is disclosed. The system comprises two load locks, a multi-workpiece orientation station, two multi-pick robots that transfer a plurality of workpieces between a respective load lock and the multi-workpiece orientation station, and two backend robots that transfer individual workpieces between the multi-workpiece orientation station and the platen.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
  • H01L 21/677 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le transport, p.ex. entre différents postes de travail
  • H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p.ex. mandrins, pièces de serrage, pinces

58.

FARADAY FACEPLATE

      
Numéro d'application 17979572
Statut En instance
Date de dépôt 2022-11-02
Date de la première publication 2024-05-02
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Naik, Rutvij
  • Sreedhara, Vijay Sarthy Mysore
  • Li, Xiaopu
  • Jafari, Shawyon
  • Ramalingam, Chidambara A.
  • Hammond, Edward P.
  • Rocha-Alvarez, Juan Carlos

Abrégé

Exemplary semiconductor processing chamber faceplates may include a body having a first surface and a second surface opposite the first surface. The body may define a plurality of apertures that extend through one or both of the first surface and the second surface. The faceplates may include a heater disposed within an interior of the body. The faceplates may include a first RF mesh disposed between the heater and the first surface. The faceplates may include a second RF mesh disposed between the heater and the second surface. The first RF mesh and the second RF mesh may be coupled together and form a Faraday cage about the heater.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/3065 - Gravure par plasma; Gravure au moyen d'ions réactifs
  • H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse

59.

COATED SUBSTRATE SUPPORT ASSEMBLY FOR SUBSTRATE PROCESSING IN PROCESSING CHAMBERS

      
Numéro d'application 18050375
Statut En instance
Date de dépôt 2022-10-27
Date de la première publication 2024-05-02
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Jorgensen, David
  • Lee, Songjae
  • Wang, Hao
  • Huang, Yi-Chiau
  • Beaudry, Christopher

Abrégé

Embodiments of the present disclosure generally relate to a substrate support having a surface coating which reduces defect formation and back side metal contamination during substrate processing. A support body includes a body having an outer surface and a surface coating formed from a non-metal or a reduced-metal material disposed over at least a top surface of the outer surface of the body. In an embodiment, the surface coating includes a two-part coating having an optional first coating layer formed over an entire outer surface of the support body.

Classes IPC  ?

  • C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
  • C23C 16/08 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique à partir d'halogénures métalliques
  • C23C 18/16 - Revêtement chimique par décomposition soit de composés liquides, soit de solutions des composés constituant le revêtement, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement; Dépôt par contact par réduction ou par substitution, p.ex. dépôt sans courant électrique
  • C23C 18/32 - Revêtement avec l'un des métaux fer, cobalt ou nickel; Revêtement avec des mélanges de phosphore ou de bore et de l'un de ces métaux
  • C23C 28/00 - Revêtement pour obtenir au moins deux couches superposées, soit par des procédés non prévus dans un seul des groupes principaux , soit par des combinaisons de procédés prévus dans les sous-classes et
  • H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p.ex. mandrins, pièces de serrage, pinces

60.

METHODS OF CORRELATING ZONES OF PROCESSING CHAMBERS, AND RELATED SYSTEMS AND METHODS

      
Numéro d'application 18085402
Statut En instance
Date de dépôt 2022-12-20
Date de la première publication 2024-05-02
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Zhu, Zuoming
  • Moradian, Ala
  • Lau, Shu-Kwan
  • Subbanna, Manjunath
  • Sanchez, Errol Antonio C.
  • Dube, Abhishek
  • Warrick, Erika R.
  • Salinas, Martin Jeffrey
  • Mohapatra, Chandra

Abrégé

The present disclosure relates to methods of correlating zones of processing chambers, and related systems and methods. In one implementation, a method of correlating zones of a processing chamber includes partitioning the processing volume into a plurality of zones along a first direction of the processing volume and a second direction of the processing volume. The second direction intersects the first direction. The plurality of zones have a first zone number (m), and a second zone number (n). The method includes determining a group number. The determining of the group number includes multiplying a first value by a second value. The first value correlates to a first zone number (m) of a plurality of zones and the second value correlates to a second zone number (n) of the plurality of zones. The method includes grouping the zones into groups having a number that is equal to the group number.

Classes IPC  ?

  • C23C 16/52 - Commande ou régulation du processus de dépôt
  • C23C 16/448 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour produire des courants de gaz réactifs, p.ex. par évaporation ou par sublimation de matériaux précurseurs
  • C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction

61.

Hermetic Tubular Linear Motor Based Wafer Lift Actuator

      
Numéro d'application 18087187
Statut En instance
Date de dépôt 2022-12-22
Date de la première publication 2024-05-02
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Sulyman, Alexander
  • Criminale, Phillip Alfred
  • Bowdach, Cory

Abrégé

Methods and system for lifting a substrate are provided. In some embodiments a system includes a processing chamber having a chamber body defining an interior space; and a linear motor comprising: a housing disposed outside of the interior space and sealed to the chamber body, the housing having a cavity in fluid communication with the interior space; and a slider disposed at least partially in the cavity, the slider configured to slide relative to the housing in the cavity.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p.ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
  • H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
  • H02K 11/22 - Dispositifs optiques
  • H02K 41/03 - Moteurs synchrones; Moteurs pas à pas; Moteurs à réluctance

62.

ACOUSTIC CARRIER HEAD MONITORING

      
Numéro d'application 18101025
Statut En instance
Date de dépôt 2023-01-24
Date de la première publication 2024-05-02
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Oh, Jeonghoon
  • Tang, Jianshe
  • Zuniga, Steven M.
  • Brown, Brian J.
  • Nagengast, Andrew J.
  • Witty, Derek R.
  • Desai, Rushabhkumar
  • Shen, Shih-Haur
  • Wu, Haosheng
  • Hu, Yufei

Abrégé

A chemical mechanical polishing apparatus has a platen to support a polishing pad, a carrier head comprising a rigid housing and configured to hold a surface of a substrate against the polishing pad, a motor to generate relative motion between the platen and the carrier head so as to polish the substrate, an in-situ carrier head monitoring system including a sensor positioned to interact with the housing and to detect vibrational motion of the housing and generate signals based on the detected vibrational motion, and a controller. The controller is configured to generate a value for a carrier head status parameter based on received signals from the in-situ carrier head monitoring system, and change a polishing parameter or generate an alert based on the carrier head status parameter.

Classes IPC  ?

  • B24B 37/005 - Moyens de commande pour machines ou dispositifs de rodage
  • B24B 37/04 - Machines ou dispositifs de rodage; Accessoires conçus pour travailler les surfaces planes

63.

SEMICONDUCTOR MANUFACTURING SUSCEPTOR POCKET EDGE FOR PROCESS IMPROVEMENT

      
Numéro d'application 18125215
Statut En instance
Date de dépôt 2023-03-23
Date de la première publication 2024-05-02
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Narayanan, Prasanth
  • Venkatagiriyappa, Vijayabhaskara
  • Tanaka, Keiichi
  • Li, Ning
  • Moore, Robert B.
  • Linke, Robert C.
  • Sriram, Mandyam
  • Silvetti, Mario D.
  • Racine, Michael
  • Lee, Tae Kwang

Abrégé

Susceptor assemblies having a susceptor base with a plurality of pockets formed in a surface thereof are described. Each of the pockets has a pocket edge angle in the range of 30 to 75° and a pocket edge radius in the range of 0.40±0.05 mm to 1.20 mm±0.05 mm. The pockets have a raised central region and an outer region that is deeper than the raised central region, relative to the surface of the surface of the susceptor base.

Classes IPC  ?

  • C23C 16/458 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour supporter les substrats dans la chambre de réaction

64.

DICHROIC MIRROR AND SHORTPASS FILTER FOR IN-SITU REFLECTOMETRY

      
Numéro d'application 18140768
Statut En instance
Date de dépôt 2023-04-28
Date de la première publication 2024-05-02
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Paul, Khokan C.
  • Cong, Zhepeng
  • Sheng, Tao
  • Smith, Nimrod

Abrégé

Embodiments of the present disclosure generally relate to apparatus and systems for in-situ film growth rate monitoring and include a system to monitor film growth on a substrate including a light source, a collimator, a dichroic mirror, and a filter all along a propagation path and in optical communication along the propagation path. The propagation path splits into a first sub-path and second sub-path at the dichroic mirror. The first sub-path is directed to a pyrometer, and the second sub-path is directed to a spectrometer.

Classes IPC  ?

  • C30B 25/16 - Commande ou régulation
  • C23C 16/52 - Commande ou régulation du processus de dépôt
  • G01B 11/06 - Dispositions pour la mesure caractérisées par l'utilisation de techniques optiques pour mesurer la longueur, la largeur ou l'épaisseur pour mesurer l'épaisseur
  • G02B 5/26 - Filtres réfléchissants

65.

SINGLE PIECE OR TWO PIECE SUSCEPTOR

      
Numéro d'application 18223183
Statut En instance
Date de dépôt 2023-07-18
Date de la première publication 2024-05-02
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Pandey, Vishwas Kumar
  • Moradian, Ala
  • Washington, Lori D.
  • Lau, Shu-Kwan

Abrégé

In one embodiment, a processing chamber, suitable for use in semiconductor processing, includes a chamber body enclosing an interior volume. A susceptor is disposed in the interior volume, and the interior volume includes a purge interior volume below the susceptor and a process volume above the substrate support. A liner is disposed radially outward of the susceptor. The processing chamber also includes a preheat ring. The preheat ring is configured to engage the susceptor when the susceptor is an elevated processing position and to engage the liner when the susceptor is in a lowered loading/unloading position.

Classes IPC  ?

  • C23C 16/458 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour supporter les substrats dans la chambre de réaction
  • C23C 16/46 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour le chauffage du substrat

66.

ALUMINUM OXIDE CARBON HYBRID HARDMASKS AND METHODS FOR MAKING THE SAME

      
Numéro d'application 18237628
Statut En instance
Date de dépôt 2023-08-24
Date de la première publication 2024-05-02
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Lin, Yung-Chen
  • Huang, Zhiyu
  • Lang, Chi-I
  • Hwang, Ho-Yung

Abrégé

Embodiments of the present disclosure generally relate to methods for enhancing carbon hardmask to have improved etching selectivity and profile control. In some embodiments, a method of treating a carbon hardmask layer is provided and includes positioning a workpiece within a process region of a processing chamber, where the workpiece has a carbon hardmask layer disposed on or over an underlying layer, and treating the carbon hardmask layer by exposing the workpiece to a sequential infiltration synthesis (SIS) process to produce an aluminum oxide carbon hybrid hardmask which is denser than the carbon hardmask layer. The SIS process includes exposing and infiltrating the carbon hardmask layer with an aluminum precursor, purging to remove gaseous remnants, exposing and infiltrating the carbon hardmask layer to an oxidizing agent to produce an aluminum oxide coating disposed on inner surfaces of the carbon hardmask layer, and purging the process region to remove gaseous remnants.

Classes IPC  ?

  • G03F 1/38 - Masques à caractéristiques supplémentaires, p.ex. marquages pour l'alignement ou les tests, ou couches particulières; Leur préparation
  • G03F 1/46 - Couches antiréfléchissantes
  • G03F 1/80 - Attaque chimique

67.

ALUMINUM OXIDE CARBON HYBRID HARDMASKS AND METHODS FOR MAKING THE SAME

      
Numéro d'application 18237648
Statut En instance
Date de dépôt 2023-08-24
Date de la première publication 2024-05-02
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Lin, Yung-Chen
  • Huang, Zhiyu
  • Lang, Chi-I
  • Hwang, Ho-Yung

Abrégé

Embodiments of the present disclosure generally relate to methods for enhancing carbon hardmask to have improved etching selectivity and profile control. In some embodiments, a method of treating a carbon hardmask layer is provided and includes positioning a workpiece within a process region of a processing chamber, where the workpiece has a carbon hardmask layer disposed on or over an underlying layer, and treating the carbon hardmask layer by exposing the workpiece to a sequential infiltration synthesis (SIS) process to produce an aluminum oxide carbon hybrid hardmask which is denser than the carbon hardmask layer. The SIS process includes exposing and infiltrating the carbon hardmask layer with an aluminum precursor, purging to remove gaseous remnants, exposing and infiltrating the carbon hardmask layer to an oxidizing agent to produce an aluminum oxide coating disposed on inner surfaces of the carbon hardmask layer, and purging the process region to remove gaseous remnants.

Classes IPC  ?

  • G03F 1/38 - Masques à caractéristiques supplémentaires, p.ex. marquages pour l'alignement ou les tests, ou couches particulières; Leur préparation
  • G03F 1/46 - Couches antiréfléchissantes
  • G03F 1/76 - Création des motifs d'un masque par imagerie
  • G03F 1/80 - Attaque chimique

68.

IN-SITU REFLECTOMETRY FOR REAL-TIME PROCESS CONTROL

      
Numéro d'application 18308844
Statut En instance
Date de dépôt 2023-04-28
Date de la première publication 2024-05-02
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Paul, Khokan C.
  • Cong, Zhepeng
  • Sheng, Tao
  • Budiarto, Edward W.
  • Egan, Todd

Abrégé

In one implementation, a method of monitoring film thickness on a substrate, comprises: generating light from a light source; collimating the light from the light source to form a collimated beam; reflecting the collimated beam off of a surface to be measured to produce a reflected beam; splitting the reflected beam with a dichroic mirror, wherein the reflected beam splits into a first beam and a second beam; receiving, by a pyrometer, the first beam from the dichroic mirror; receiving, by a spectrometer, the second beam from the dichroic mirror; and analyzing data derived from the pyrometer and the spectrometer to determine one or more characteristics of the surface to be measured.

Classes IPC  ?

  • G01B 11/06 - Dispositions pour la mesure caractérisées par l'utilisation de techniques optiques pour mesurer la longueur, la largeur ou l'épaisseur pour mesurer l'épaisseur

69.

CARRIER HEAD ACOUSTIC MONITORING WITH SENSOR IN PLATEN

      
Numéro d'application 18365482
Statut En instance
Date de dépôt 2023-08-04
Date de la première publication 2024-05-02
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Cherian, Benjamin
  • Osterheld, Thomas H.
  • Brown, Brian J.
  • Fang, Haoquan
  • Oh, Jeonghoon
  • Qian, Jun
  • Wiswell, Nicholas A.
  • Pourmand, Sohrab

Abrégé

A chemical mechanical polishing apparatus has a platen to support a polishing pad, the platen having a recess, a carrier head to hold a surface of a substrate against the polishing pad and comprising a retaining ring to retain the substrate below the carrier head, a motor to generate relative motion between the platen and the carrier head so as to polish the substrate, an in-situ acoustic monitoring system comprising an acoustic sensor arranged in the recess that receives acoustic energy from friction between the substrate and the polishing pad and from friction between the retaining ring and the polishing pad, and a controller configured to generate a value for a carrier head status parameter based on received acoustic signals from the in-situ acoustic monitoring system, and change or polishing parameter or generate an alert based on the carrier head status parameter.

Classes IPC  ?

  • B24B 49/00 - Appareillage de mesure ou de calibrage pour la commande du mouvement d'avance de l'outil de meulage ou de la pièce à meuler; Agencements de l'appareillage d'indication ou de mesure, p.ex. pour indiquer le début de l'opération de meulage
  • B24B 37/04 - Machines ou dispositifs de rodage; Accessoires conçus pour travailler les surfaces planes
  • B24B 49/16 - Appareillage de mesure ou de calibrage pour la commande du mouvement d'avance de l'outil de meulage ou de la pièce à meuler; Agencements de l'appareillage d'indication ou de mesure, p.ex. pour indiquer le début de l'opération de meulage tenant compte de la pression de travail
  • B24B 51/00 - Systèmes pour la commande automatique d'une série d'opérations successives du meulage d'une pièce

70.

MULTI-WAVELENGTH PYROMETER FOR CHAMBER MONITORING

      
Numéro d'application 18380832
Statut En instance
Date de dépôt 2023-10-17
Date de la première publication 2024-05-02
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Cong, Zhepeng
  • Sheng, Tao
  • Atanos, Ashur J.
  • Smith, Nimrod
  • Tran, Vinh N.
  • Paul, Khokan C.

Abrégé

The present disclosure relates to methods, systems, and apparatus for monitoring temperature at multiple sites within a substrate processing chamber. A system for processing substrates includes: a process chamber comprising a processing volume, a first window at a first perimeter of the processing volume, a substrate support within the processing volume; and a first multi-wavelength pyrometer configured to measure: a first temperature at a first site proximal the first window, and a second temperature at a second site proximal the substrate support.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
  • G01J 5/02 - Pyrométrie des radiations, p.ex. thermométrie infrarouge ou optique - Détails structurels
  • G01J 5/0875 - Fenêtres; Leurs moyens de fixation
  • G01J 5/10 - Pyrométrie des radiations, p.ex. thermométrie infrarouge ou optique en utilisant des détecteurs électriques de radiations

71.

METHODS OF LITHIUM LEVEL MEASUREMENT AT ELEVATED TEMPERATURE

      
Numéro d'application 18382314
Statut En instance
Date de dépôt 2023-10-20
Date de la première publication 2024-05-02
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • More, Ajay Balaram
  • Kundu, Sambhu
  • Ramachandrappa, Prasannakalleshwara Buddappa
  • Bluck, Terry
  • Sivaramakrishnan, Visweswaren

Abrégé

Methods and systems for the measurement of molten metal and metal alloy levels within a crucible are provided. The system includes a crucible, a probe having an electrode disposed at a lowermost probe position, and a processing system configured to receive a signal from the electrode to evaluate whether the electrode is in contact with the liquid metal. The system can include a plurality of probes, with each probe having an electrode positioned at a different height within the crucible interior. A multi-probe system can inform a system user on molten metal levels at various sectors within the crucible interior.

Classes IPC  ?

  • G01F 23/24 - Indication ou mesure du niveau des liquides ou des matériaux solides fluents, p.ex. indication en fonction du volume ou indication au moyen d'un signal d'alarme en mesurant des variables physiques autres que les dimensions linéaires, la pression ou le poids, selon le niveau à mesurer, p.ex. par la différence de transfert de chaleur de vapeur ou d'eau en mesurant les variations de résistance de résistances électriques produites par contact avec des fluides conducteurs

72.

SURFACE MODIFIERS FOR ENHANCED EPITAXIAL NUCLEATION AND WETTING

      
Numéro d'application 18383100
Statut En instance
Date de dépôt 2023-10-24
Date de la première publication 2024-05-02
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Margetis, Joe
  • Tolle, John
  • Thomas, Shawn

Abrégé

Method of forming a semiconductor device are provided. In some implementations, the method includes positioning a substrate into a processing chamber, the substrate having an exposed non-crystalline surface and an exposed crystalline surface. The method further includes heating the processing chamber to a temperature for deposition. The method further includes injecting a pre-treatment gas into the processing chamber. The pre-treatment gas comprises a molecule that acts to lower interfacial energy between the exposed non-crystalline surface and the exposed crystalline surface. The method further includes injecting a deposition gas into the processing chamber to selectively grow an n-type doped epitaxial silicon layer on the exposed crystalline surface.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
  • H01L 21/3065 - Gravure par plasma; Gravure au moyen d'ions réactifs

73.

INTERFERENCE IN-SENSITIVE LITTROW SYSTEM FOR OPTICAL DEVICE STRUCTURE MEASUREMENT

      
Numéro d'application 18408193
Statut En instance
Date de dépôt 2024-01-09
Date de la première publication 2024-05-02
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Sun, Yangyang
  • Fu, Jinxin
  • Godet, Ludovic

Abrégé

Embodiments described herein provide for devices and methods of measuring a pitch P of optical device structures and an orientation angle ϕ of the optical device structures. One embodiment of the system includes an optical arm coupled to an arm actuator. The optical arm includes a light source. The light source emits a light path operable to be diffracted to the stage. The optical arm further includes a first beam splitter and a second beam splitter positioned in the light path. The first beam splitter directs the light path through a first lens and the second beam splitter directs the light path through a first dove prism and a second lens. The optical arm further includes a first detector operable to detect the light path from the first lens and second detector operable to detect the light path from the second lens.

Classes IPC  ?

  • G01B 11/26 - Dispositions pour la mesure caractérisées par l'utilisation de techniques optiques pour tester l'alignement des axes

74.

METHOD OF BLOCKING DIELECTRIC SURFACES USING BLOCKING MOLECULES TO ENABLE SELECTIVE EPI DEPOSITION

      
Numéro d'application 18384688
Statut En instance
Date de dépôt 2023-10-27
Date de la première publication 2024-05-02
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Bajaj, Geetika
  • Sen, Srobona
  • Li, Xuebin
  • Margetis, Joe
  • Pal, Provas
  • Ramachandran, Gopi Chandran

Abrégé

Implementations described herein generally relate to processes for the fabrication of semiconductor devices in which a blocking layer of molecules is used to achieve selective epitaxial deposition. In one implementation, a method of processing a mixed-surface substrate comprising an exposed dielectric material and an exposed silicon-based material is provided. The method comprises depositing a blocking layer on the exposed dielectric material and epitaxially and selectively depositing a silicon-containing material layer on the exposed silicon-based material at a temperature of 400 degrees Celsius or greater. The method further involves removing the blocking layer from the dielectric material.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
  • H01L 21/3205 - Dépôt de couches non isolantes, p.ex. conductrices ou résistives, sur des couches isolantes; Post-traitement de ces couches

75.

INKJET GRADIENT INDEX MATERIAL TO MODULATE GRATING DIFFRACTION EFFICIENCY

      
Numéro d'application 18473079
Statut En instance
Date de dépôt 2023-09-22
Date de la première publication 2024-05-02
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Luo, Yingdong
  • Fu, Jinxin
  • Yao, Zhengping
  • Zhang, Daihua
  • Godet, Ludovic

Abrégé

An apparatus for waveguides and a method of fabricating a waveguide combiner having at least one grating with trenches gap-filled with variable refractive index materials. At least two trenches of at least one grating includes a first gap-fill material having a first volume and a first refractive index, and a second gap-fill material having a second volume and a second refractive index different than the first refractive index. Control of the deposition of first volume and the deposition of second volume in an inkjet deposition process provide for the formation of the grating with two trenches that have different refractive indices and different gap-fill depths. The first gap-fill material and the second gap-fill material merge to form the gap-filler. Therefore, by controlling the varied refractive indices and different gap-fill depths the waveguide combiner is optimized by efficiency or a color uniformity.

Classes IPC  ?

  • F21V 8/00 - Utilisation de guides de lumière, p.ex. dispositifs à fibres optiques, dans les dispositifs ou systèmes d'éclairage

76.

ENHANCED QUANTUM DOT COLOR CONVERSION LAYER FABRICATION AND INTEGRATION FOR MICROLED BACKPLANE

      
Numéro d'application 18493426
Statut En instance
Date de dépôt 2023-10-24
Date de la première publication 2024-05-02
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Liu, Peiwen
  • Bang, Hyunsung
  • Sun, Jianfeng
  • Xu, Lisong
  • Li, Zhiyong
  • Ganapathiappan, Sivapackia
  • Zhu, Mingwei
  • Ng, Hou T.
  • Patibandla, Nag. B.

Abrégé

A pixel herein includes a color panel, a light emitting diode (LED) panel, and an adhesive layer disposed between the color panel and the LED panel. The color panel includes a transparent layer, a plurality of sub-pixel isolation structures, and a plurality of black matrix structures disposed between the plurality of sub-pixel isolation structures and the transparent layer. The sub-pixel isolation structures define a plurality color conversion wells of plurality of sub-pixels. A color conversion material is disposed in the color conversion well. The plurality of black matrix structures define a plurality of color resist wells of the plurality of sub-pixels. A color resist is disposed in the color resist wells. The LED panel includes a plurality of micro-LEDs disposed on a backplane. The plurality of micro-LEDs correspond to a sub-pixel.

Classes IPC  ?

  • H01L 33/06 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
  • H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
  • H01L 33/52 - Encapsulations
  • H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique

77.

CONTROL OF CARRIER HEAD SWEEP AND PLATEN SHAPE

      
Numéro d'application 18494632
Statut En instance
Date de dépôt 2023-10-25
Date de la première publication 2024-05-02
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Oh, Jeonghoon
  • Zuniga, Steven M.
  • Lee, Christopher Heung-Gyun
  • Mikhaylichenko, Ekaterina A.
  • Cheung, Ghunbong
  • Zhang, Huanbo
  • Gurusamy, Jay
  • Lischka, David J.

Abrégé

A controller of a chemical mechanical polishing system is configured to cause a carrier head to sweep across a polishing pad in accord with a sweep profile. The controller is also configured to select values for a plurality of control parameters to minimize a difference between a target removal profile and an expected removal profile. The plurality of control parameters include a plurality of dwell time parameters. A relationship between the plurality of control parameters and a removal rate is stored in a data structure representing a first matrix which includes a plurality of columns including a column for each dwell time parameter and a row for each position on the substrate represented in the expected removal profile, and the controller is configured to, as part of selection of the values, calculate the expected removal profile by multiplying the first matrix by a second matrix representing control parameter values.

Classes IPC  ?

  • B24B 49/02 - Appareillage de mesure ou de calibrage pour la commande du mouvement d'avance de l'outil de meulage ou de la pièce à meuler; Agencements de l'appareillage d'indication ou de mesure, p.ex. pour indiquer le début de l'opération de meulage comparant la cote instantanée de la pièce travaillée à la cote cherchée, la mesure ou le calibrage étant continus ou intermittents
  • B24B 37/07 - Machines ou dispositifs de rodage; Accessoires conçus pour travailler les surfaces planes caractérisés par le déplacement de la pièce ou de l'outil de rodage
  • B24B 37/12 - Plateaux de rodage pour travailler les surfaces planes
  • B24B 49/08 - Appareillage de mesure ou de calibrage pour la commande du mouvement d'avance de l'outil de meulage ou de la pièce à meuler; Agencements de l'appareillage d'indication ou de mesure, p.ex. pour indiquer le début de l'opération de meulage impliquant des dispositifs à liquides ou pneumatiques

78.

MICRO LED DISPLAY WITH RACETRACK STRUCTURE

      
Numéro d'application 18495550
Statut En instance
Date de dépôt 2023-10-26
Date de la première publication 2024-05-02
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Fan, Jiacheng
  • Li, Zhiyong
  • He, Da

Abrégé

Embodiments of the present disclosure generally relate to LED pixels and methods of fabricating LED pixels. The pixel includes a plurality of sub-pixels. Each sub-pixel includes a backplane comprising a top surface, a plurality of sub-pixel isolation structures disposed over the backplane, a micro-LED disposed in the well, a color conversion material disposed over the micro-LED within a well, and a filter layer disposed over the sub-pixel isolation structures and the color conversion material. The sub-pixel isolation structures defining the well. The sub-pixel isolation structures include sidewalls and a top surface. The sidewalls are angled at an angle from the top surface of the backplane to the top surface of the sub-pixel isolation structures.

Classes IPC  ?

  • H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
  • H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des groupes principaux , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. circuit hybrides

79.

WEB COATING COOLING DRUM WITH TURBULATORS FOR HIGH FLUX METALLIC LITHIUM DEPOSITION

      
Numéro d'application 18498239
Statut En instance
Date de dépôt 2023-10-31
Date de la première publication 2024-05-02
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Kleiner, Timothy
  • Ishikawa, David Masayuki
  • Moyers, Kenneth
  • Acharya, Sumedh Dattatraya
  • Sivaramakrishnan, Visweswaren

Abrégé

The present disclosure relates to vapor deposition systems and methods. In one embodiment, a drum for vapor deposition is provided. The drum includes a shell having gas slits and a cooling drum. The cooling drum includes an exterior region, an interior region, a first fluid channel partially defined by the exterior region and the interior region, and a first inlet. The first fluid channel forms a helical channel around a central axis of the cooling drum. The first inlet is in fluid communication with a first outlet by the first fluid channel.

Classes IPC  ?

  • C23C 14/54 - Commande ou régulation du processus de revêtement
  • C23C 14/24 - Evaporation sous vide
  • C23C 14/56 - Appareillage spécialement adapté au revêtement en continu; Dispositifs pour maintenir le vide, p.ex. fermeture étanche
  • H01M 4/04 - Procédés de fabrication en général
  • H01M 4/1395 - Procédés de fabrication d’électrodes à base de métaux, de Si ou d'alliages

80.

LITHIUM ANODE DEVICE STACK MANUFACTURING

      
Numéro d'application 18541430
Statut En instance
Date de dépôt 2023-12-15
Date de la première publication 2024-05-02
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s) Herle, Subramanya P.

Abrégé

Metal electrodes, more specifically lithium-containing anodes, high performance electrochemical devices, such as secondary batteries, including the aforementioned lithium-containing electrodes, and methods for fabricating the same are provided. In one or more embodiments, an anode electrode structure is provided and includes a current collector comprising copper, a lithium metal film formed on the current collector, a copper film formed on the lithium metal film, and a protective film formed on the copper film. The protective film is a lithium-ion conducting film can include lithium-ion conducting ceramic, a lithium-ion conducting glass, or ion conducting liquid crystal.

Classes IPC  ?

  • H01M 10/0525 - Batteries du type "rocking chair" ou "fauteuil à bascule", p.ex. batteries à insertion ou intercalation de lithium dans les deux électrodes; Batteries à l'ion lithium
  • H01M 4/134 - PROCÉDÉS OU MOYENS POUR LA CONVERSION DIRECTE DE L'ÉNERGIE CHIMIQUE EN ÉNERGIE ÉLECTRIQUE, p.ex. BATTERIES Électrodes Électrodes composées d'un ou comprenant un matériau actif Électrodes pour accumulateurs à électrolyte non aqueux, p.ex. pour accumulateurs au lithium; Leurs procédés de fabrication Électrodes à base de métaux, de Si ou d'alliages
  • H01M 4/66 - Emploi de matériaux spécifiés
  • H01M 10/052 - Accumulateurs au lithium
  • H01M 10/0562 - Matériaux solides

81.

LIGHT ABSORBING BARRIER FOR LED FABRICATION PROCESSES

      
Numéro d'application 18542260
Statut En instance
Date de dépôt 2023-12-15
Date de la première publication 2024-05-02
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Pieralisi, Fabio
  • Zhu, Mingwei
  • Yang, Zihao
  • Zhao, Liang
  • Franklin, Jeffrey L.
  • Ng, Hou T.
  • Patibandla, Nag

Abrégé

Exemplary semiconductor structures may include a plurality of LED structures and a backplane layer. Exemplary semiconductor structures may also include a light barrier region positioned between the LED structures and the backplane layer. The light barrier region may be operable to absorb light at wavelengths shorter than or about 300 nm and transmit light at wavelengths greater than or about 350.

Classes IPC  ?

  • H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
  • H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
  • H01L 33/06 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
  • H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
  • H01L 33/46 - Revêtement réfléchissant, p.ex. réflecteur de Bragg en diélectriques
  • H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
  • H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure

82.

SUBSTRATE ISOLATED STRAINED GATE-ALL-AROUND FIELD EFFECT TRANSISTOR

      
Numéro d'application 18381307
Statut En instance
Date de dépôt 2023-10-18
Date de la première publication 2024-05-02
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s) Thomas, Shawn

Abrégé

Gate-all-around transistor devices and methods for manufacturing the same are provided. The semiconductor device includes a substrate. The substrate includes a plurality of isolation regions formed in the substrate, the plurality of isolation regions comprising an isolation material. The substrate further includes a buffer region formed in the substrate, the buffer region separating adjacent isolation regions. The semiconductor device further includes a plurality of fins, each fin formed on a corresponding isolation region of the plurality of isolation regions. Each fin includes a buffer layer contacting the isolation material and a plurality of silicon layers and a plurality of silicon germanium layers alternatingly arranged in a plurality of stacked pairs on the buffer layer.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
  • H01L 21/762 - Régions diélectriques
  • H01L 21/8234 - Technologie MIS
  • H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
  • H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
  • H01L 29/775 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à une dimension, p.ex. FET à fil quantique
  • H01L 29/786 - Transistors à couche mince

83.

LOW TEMPERATURE CO-FLOW EPITAXIAL DEPOSITION PROCESS

      
Numéro d'application 18381331
Statut En instance
Date de dépôt 2023-10-18
Date de la première publication 2024-05-02
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Wu, Chen-Ying
  • Dube, Abhishek

Abrégé

Methods for selectively depositing an epitaxial layer are provided. In some implementations, the selective epitaxial deposition process includes providing the co-flow of chlorosilane precursors with at least one of an antimony-containing precursor and a phosphorous-containing precursor. The method utilizes co-flowing of multiple chlorosilane precursors to enable combination of silicon and at least one of phosphorous and antimony in the same matrix using a low-temperature selective process. The deposited epitaxial layer using the epitaxial deposition techniques described not only contains phosphorous and/or antimony but also has a high activated phosphorous and/or antimony concentration.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
  • C23C 16/08 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique à partir d'halogénures métalliques
  • C23C 16/24 - Dépôt uniquement de silicium
  • C23C 16/40 - Oxydes
  • C23C 16/46 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour le chauffage du substrat
  • C30B 25/16 - Commande ou régulation
  • C30B 29/06 - Silicium
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

84.

CASSETTE STRUCTURES AND RELATED METHODS FOR BATCH PROCESSING IN EPITAXIAL DEPOSITION OPERATIONS

      
Numéro d'application 18382114
Statut En instance
Date de dépôt 2023-10-20
Date de la première publication 2024-05-02
Propriétaire APPLIED MATERIALS, INC. (USA)
Inventeur(s) Patil, Aniketnitin

Abrégé

A cassette support system is disclosed and includes a pedestal assembly, with a shaft, a plurality of arms coupled to the shaft and extending radially from the shaft, wherein at least two radially adjacent arms included in the plurality of arms are separated by an angle of about 130 degrees or greater, a plurality of cassette supporting arms, with each cassette supporting arm extending from an end of an arm included in the plurality of arms, and one or more substrate support rings, wherein each substrate support ring includes a ridge defined along an inner circumference of the substrate support ring where the ridge configured to receive a substrate.

Classes IPC  ?

  • C23C 16/458 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour supporter les substrats dans la chambre de réaction

85.

METHODS OF GEOMETRY PARAMETERS MEASUREMENT FOR OPTICAL GRATINGS

      
Numéro d'application 18384126
Statut En instance
Date de dépôt 2023-10-26
Date de la première publication 2024-05-02
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Sun, Yangyang
  • Fu, Jinxin
  • Komanduri, Ravi
  • Yang, Chi-Yuan

Abrégé

The present disclosure relates to metrology measurement systems, and related methods. In one or more embodiments a system, includes a substrate support, and an optical arm. The optical arm includes a light source operable to project a first beam on a first light path. The optical arm also includes a first lens, a first beam splitter, a second lens, a first detector, and an aperture. The first lens is disposed on the first light path and between the substrate support and the light source. The first beam splitter is disposed on the first light path. The first beam splitter is positioned between the substrate support and the light source. The first detector is disposed on the second light path. The second lens focuses the second beam to a second beam diameter. The aperture is disposed between the second lens and the first detector.

Classes IPC  ?

86.

METHODS AND ASSEMBLIES FOR GAS FLOW RATIO CONTROL

      
Numéro d'application 18406034
Statut En instance
Date de dépôt 2024-01-05
Date de la première publication 2024-05-02
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Brashear, Kevin
  • Okada, Ashley M.
  • Demars, Dennis L.
  • Ye, Zhiyuan
  • Rajaram, Jaidev
  • Josephson, Marcel E.

Abrégé

A master controller identifies a flow ratio setpoint for at least one of a process gas or a carrier gas flow to a process chamber through a set of mass flow controllers. The master controller determines a flow setpoint for the at least one of the process gas or the carrier gas through the set of mass flow controllers based on the identified flow ratio setpoint. The master controller controls the at least one of the process gas flow or the carrier gas flow through each of the set of mass flow controllers according to the determined flow setpoint for each of the set of mass flow controllers and based on a back pressure reading provided by a back pressure sensor.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
  • G05D 11/13 - Commande du rapport des débits de plusieurs matériaux fluides ou fluents caractérisée par l'usage de moyens électriques

87.

LOW TEMPERATURE MEASUREMENT OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATES

      
Numéro d'application 18492205
Statut En instance
Date de dépôt 2023-10-23
Date de la première publication 2024-05-02
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Aderhold, Wolfgang R.
  • Moffatt, Stephen

Abrégé

Examples described herein generally relate to apparatus and methods for rapid thermal processing (RTP) of a substrate. The present disclosure discloses pulsed radiation sources used to measure a broad range of low to high temperatures in the RTP chamber, each at a discrete wavelength, are used at a low temperature regime before using one laser at a discrete wavelength for higher temperatures. In another example, a single laser is used for both the low temperature regime and higher temperatures. These methods are useful for detection of a broad range of low to high temperatures in the RTP chamber with varying substrate types.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants

88.

SIN GAP FILL VIA NUCLEATION INHIBITION

      
Numéro d'application 18495094
Statut En instance
Date de dépôt 2023-10-26
Date de la première publication 2024-05-02
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Shen, Zeqing
  • Ghosh, Supriya
  • Roy, Susmit Singha
  • Mallick, Abhijit B.

Abrégé

The present disclosure generally relates to methods for forming silicon nitride layers and silicon nitride structures on substrates. In an embodiment, the method includes positioning a substrate having at least one feature thereon in a process chamber; depositing a first silicon layer on the substrate and the at least one feature; nitriding the first silicon layer to form a first silicon nitride layer on the substrate and the at least one feature; selectively inhibiting silicon nucleation on a portion of the first silicon nitride layer to form an inhibited profile; selectively depositing a second silicon layer on the first silicon nitride layer in accordance with the inhibited profile; and nitriding the second silicon layer to form a second silicon nitride layer disposed directly on the first silicon nitride layer.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives

89.

METHODS TO REDUCE OPTICAL LOSS OF AN AR WAVEGUIDE

      
Numéro d'application 18495409
Statut En instance
Date de dépôt 2023-10-26
Date de la première publication 2024-05-02
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Godet, Ludovic
  • Fu, Jinxin

Abrégé

Methods for modifying the interface of optical substrates. To achieve desirable optical properties, surface defects need to be removed from the interface layer. In one example, a substrate is exposed to an ion beam then a high temperature bake or laser annealing to correct the interface layer. In another example, a high energy ion beam can be used to remove the interface layer then a new interface layer can be added during a high temperature bake or laser annealing with a protective layer added last. If not removed surface defects in the interface layer may absorb a percentage of light in a single interaction. In a waveguide, light may bounce ten to hundreds of times inside a substrate causing significant light loss. Therefore, removing the surface defects significantly increases waveguide efficiency.

Classes IPC  ?

  • F21V 8/00 - Utilisation de guides de lumière, p.ex. dispositifs à fibres optiques, dans les dispositifs ou systèmes d'éclairage
  • G02B 5/18 - Grilles de diffraction

90.

SLAB WAVEGUIDE LAYER FOR ENHANCED NEAR-EYE-DISPLAY SURFACE RELIEF GRATING LIGHTGUIDE

      
Numéro d'application 18496574
Statut En instance
Date de dépôt 2023-10-27
Date de la première publication 2024-05-02
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Messer, Kevin
  • Sell, David Alexander
  • Bhargava, Samarth

Abrégé

Embodiments of the present disclosure generally relate to augmented reality waveguide combiners. The waveguides includes a waveguide substrate, having a substrate refractive index (RI) nsub, a slab waveguide layer disposed over the waveguide substrate, the slab waveguide layer having a slab RI nswg and a slab depth dswg, the slab depth dswg from a lower surface to an upper surface of the slab waveguide layer, at least one grating defined by a plurality of grating structures, the grating structures are disposed in, on, or over the slab waveguide layer, and a superstrate between and over the grating structures, the superstrate having a superstrate RI nsuperstrate and an interface with the slab waveguide layer. The slab RI nswg is greater than the substrate RI nsub and the slab RI nswg is greater than the superstrate RI nsuperstrate.

Classes IPC  ?

  • G02B 6/122 - Elements optiques de base, p.ex. voies de guidage de la lumière
  • G02B 6/12 - OPTIQUE ÉLÉMENTS, SYSTÈMES OU APPAREILS OPTIQUES - Détails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p.ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques du genre à circuit intégré

91.

REFLECTIVE DISPLAY DEVICES AND COMPONENTS

      
Numéro d'application 18501770
Statut En instance
Date de dépôt 2023-11-03
Date de la première publication 2024-05-02
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Nordsell, Robert Anthony
  • Chadha, Arvinder M.

Abrégé

Exemplary reflective display components are described. These reflective display components may include a microwell layer having a first and a second quantum dot well that each include a plurality of nanoparticles configured to emit a color of light. The microwell layer further has a third well. The reflective display components further include an electrowetting layer positioned above the microwell layer, where the electrowetting layer is operable to independently adjust an intensity of light emitted from the first and second quantum dot wells and the third well in the microwell layer.

Classes IPC  ?

  • G02B 26/02 - Dispositifs ou dispositions optiques pour la commande de la lumière utilisant des éléments optiques mobiles ou déformables pour commander l'intensité de la lumière
  • G02B 5/22 - Filtres absorbants

92.

OXIDATION ENHANCED DOPING

      
Numéro d'application 17973927
Statut En instance
Date de dépôt 2022-10-26
Date de la première publication 2024-05-02
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Yang, Yi
  • Jung, In Soo
  • Kang, Sean S.
  • Nemani, Srinivas D.
  • Chen, Papo
  • Yieh, Ellie Y.

Abrégé

Embodiments of the present technology include semiconductor processing methods. The methods may include providing a silicon-containing precursor and a dopant precursor to a processing region of a semiconductor processing chamber. A substrate may be disposed within the semiconductor processing chamber. A silicon-containing material may be formed on the substrate. The methods may include contacting the silicon-containing material with the silicon-containing precursor and the dopant precursor. The methods may include forming a doped silicon-containing material on the silicon-containing material. The methods may include oxidizing the substrate. The oxidizing may form an oxidized doped silicon-containing material. The methods may include etching the oxidized doped silicon-containing material.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/223 - Diffusion des impuretés, p.ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, à l'intérieur ou hors du corps semi-conducteur, ou entre les régions semi-conductrices; Redistribution des impuretés, p.ex. sans introduction ou sans élimination de matériau dopant supplémentaire en utilisant la diffusion dans ou hors d'un solide, à partir d'une ou en phase gazeuse
  • H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
  • H01L 21/3065 - Gravure par plasma; Gravure au moyen d'ions réactifs

93.

PIXEL DEFINING ENCAPSULATING BARRIER FOR RGB COLOR PATTERNING

      
Numéro d'application 17974385
Statut En instance
Date de dépôt 2022-10-26
Date de la première publication 2024-05-02
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Chen, Chung-Chia
  • Lin, Yu-Hsin
  • Choung, Ji Young
  • Lee, Jungmin
  • Wu, Wen-Hao
  • Haas, Dieter

Abrégé

Examples disclosed herein relate to device. The device includes a substrate, a plurality of adjacent pixel-defining layer (PDL structures disposed over the substrate, and a plurality of sub-pixels. The PDL structure have a top surface coupled to adjacent sidewalls of the PDL structure. The plurality of sub-pixels are defined by the PDL structures. Each sub-pixel includes an anode, an organic light emitting diode (OLED), a cathode, and an encapsulation layer. The organic light emitting diode (OLED) material disposed over the anode. The OLED material extends over the top surface of the PDL structure past the adjacent sidewalls. The cathode is disposed over the OLED material. The cathode extends over the top surface of the PDL structure past the adjacent sidewalls. The encapsulation layer is disposed over the cathode. The encapsulation layer has a first sidewall and a second sidewall.

Classes IPC  ?

  • H01L 51/56 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
  • H01L 27/32 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux avec des composants spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. panneaux d'affichage plats utilisant des diodes émettrices de lumière organiques
  • H01L 51/52 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED) - Détails des dispositifs

94.

SEMICONDUCTOR FILM PLATING PERIMETER MAPPING AND COMPENSATION

      
Numéro d'application 17974426
Statut En instance
Date de dépôt 2022-10-26
Date de la première publication 2024-05-02
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s) Hanson, Kyle M.

Abrégé

Conditions at the perimeter of the wafer may be characterized and used to adjust current stolen by the weir thief electrodes during a plating process to generate more uniform film thicknesses. An electrode may be positioned in a plating chamber near the periphery of the wafer as the wafer rotates. To characterize the electrical contacts on the seal, a wafer with a seed layer may be loaded into the plating chamber, and a constant current may be driven through the electrode into the conductive layer on the wafer. As an electrical characteristic of this current varies, such as a voltage required to drive a constant current, a mapping characterizing the seal quality or the openings in the mask layer may be generated.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/288 - Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes à partir d'un liquide, p.ex. dépôt électrolytique
  • C25D 17/00 - PROCÉDÉS POUR LA PRODUCTION ÉLECTROLYTIQUE OU ÉLECTROPHORÉTIQUE DE REVÊTEMENTS; GALVANOPLASTIE; JONCTION DE PIÈCES PAR ÉLECTROLYSE; APPAREILLAGES À CET EFFET Éléments structurels, ou leurs assemblages, des cellules pour revêtement électrolytique
  • C25D 17/10 - Electrodes
  • H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
  • H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p.ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
  • H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif

95.

TEMPERATURE CONTROLLED ELECTRODE TO LIMIT DEPOSITION RATES AND DISTORTION

      
Numéro d'application 17975016
Statut En instance
Date de dépôt 2022-10-27
Date de la première publication 2024-05-02
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s) Buonodono, James P.

Abrégé

An apparatus for limiting the deposition and thermal distortion of an electrode is disclosed. The apparatus includes a fluid source in communication with a cooling channel that is embedded in the electrode. By circulating fluid through the cooling channel, a more uniform temperature may be maintained, limiting thermal distortion. Further, the cooler temperature of the electrode may also limit the rate of deposition. The cooling channel may be embedded using an additive manufacturing process.

Classes IPC  ?

96.

SEMICONDUCTOR CLEANING USING PLASMA-FREE PRECURSORS

      
Numéro d'application 17976573
Statut En instance
Date de dépôt 2022-10-28
Date de la première publication 2024-05-02
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Mandal, Abhishek
  • Deepak, Nitin
  • Bajaj, Geetika
  • Kadam, Ankur
  • Ramachandran, Gopi Chandran
  • Rengarajan, Suraj
  • Moghadam, Farhad K.
  • Padhi, Deenesh
  • Satya, Srinivas M.
  • Hemkar, Manish
  • Tripathi, Vijay
  • Thakare, Darshan

Abrégé

Exemplary semiconductor processing methods may include providing one or more deposition precursors to a semiconductor processing chamber. A substrate may be disposed within a processing region of the semiconductor processing chamber. The methods may include depositing a silicon-containing material on the substrate and on one or more components of the semiconductor processing chamber. The methods may include providing a fluorine-containing precursor to the processing region. The fluorine-containing precursor may be plasma-free when provided to the processing region. The methods may include contacting the silicon-containing material on the one or more components of the semiconductor processing chamber with the fluorine-containing precursor. The methods may include removing at least a portion of the silicon-containing material on the one or more components of the semiconductor processing chamber with the fluorine-containing precursor.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives

97.

PULSED VOLTAGE PLASMA PROCESSING APPARATUS AND METHOD

      
Numéro d'application 17976578
Statut En instance
Date de dépôt 2022-10-28
Date de la première publication 2024-05-02
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s) Dash, Shreeram Jyoti

Abrégé

Embodiments provided herein generally include apparatus, plasma processing systems and methods for generation of a waveform for plasma processing of a substrate in a processing chamber that configured to adjust the timing and characteristics of the asymmetric voltage waveforms that are each provided to one or more electrodes or coils in a plasma processing chamber in an effort to improve the control of various characteristics of the generated plasma and control an ion energy distribution (IED) for the plasma generated ions that interact with a surface of a substrate during plasma processing. The methods and apparatus disclosed herein are configured to control and sustain a plasma formed in a processing region of the plasma processing chamber without the need for the delivery of a radio frequency (RF) waveform during processing. The ability to synchronize and control waveform characteristics, such as frequency, slope of the portions of the voltage waveform, waveform shape and applied voltage on-time during a pulse period, of the voltage pulses provided in each of the pulsed voltage waveforms applied to different electrodes and/or coils allows for an improved control of the generated plasma.

Classes IPC  ?

  • H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse

98.

Buffer Layer for Dielectric Protection in Physical Vapor Deposition Metal Liner Applications

      
Numéro d'application 17977411
Statut En instance
Date de dépôt 2022-10-31
Date de la première publication 2024-05-02
Propriétaire APPLIED MATERIALS, INC. (USA)
Inventeur(s)
  • Patel, Sahil
  • Lei, Wei
  • Gao, Xingyao
  • Pethe, Shirish A.
  • Lei, Yu

Abrégé

Methods and apparatus for processing a substrate are provided. In some embodiments, a method includes: depositing a metal buffer layer on a substrate and within a feature disposed in a dielectric layer of the substrate. The buffer layer is deposited using a first physical vapor deposition (PVD) process at a chamber pressure of less than 500 mTorr while applying less than or equal to 0.08 watts/cm2 of RF bias power to the substrate if the chamber pressure is less than or equal to 3 mTorr and applying less than or equal to 0.8 watts/cm2 of RF bias power to the substrate if the chamber pressure is greater than 3 mTorr. A metal liner layer is deposited atop the buffer layer using a second PVD process at a chamber pressure of less than or equal to 3 mTorr while applying greater than 0.08 watts/cm2 of RF bias power to the substrate.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
  • H01L 21/3205 - Dépôt de couches non isolantes, p.ex. conductrices ou résistives, sur des couches isolantes; Post-traitement de ces couches
  • H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
  • H01L 21/677 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le transport, p.ex. entre différents postes de travail

99.

METHOD FOR FORMING HIGHLY UNIFORM DIELECTRIC FILM

      
Numéro d'application 17979545
Statut En instance
Date de dépôt 2022-11-02
Date de la première publication 2024-05-02
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Zhang, Qintao
  • Simmons, Jr., Eric Jay
  • Traynor, Jared
  • Zou, Wei
  • Fung, Miguel
  • Hong, Samphy

Abrégé

Methods for processing a dielectric film to improve its uniformity of thickness and refractive index are disclosed. The dielectric film is deposited using conventional approaches, such as chemical vapor deposition (CVD) or spin coating. The workpiece, with the applied dielectric film is then processed to improve the uniformity of the thickness. This processing may comprise implanting a thinning species to the thicker portions of the dielectric film to reduce the thickness of these portions. The thinning species may be silicon or another suitable species. This processing may alternatively or additionally include implanting a thickening species to the thinner portions of the dielectric film to increase their thickness. The thickening species may be helium or another suitable species. This approach may reduce the variation in thickness by 50% or more.

Classes IPC  ?

  • H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse

100.

APPARATUS, SYSTEMS, AND METHODS OF USING AN ATMOSPHERIC EPITAXIAL DEPOSITION TRANSFER CHAMBER

      
Numéro d'application 18049906
Statut En instance
Date de dépôt 2022-10-26
Date de la première publication 2024-05-02
Propriétaire Applied Materials, Inc. (USA)
Inventeur(s)
  • Ackermann, Thomas
  • Huber, Robert

Abrégé

Implementations of the present disclosure relate to apparatus, systems, and methods of using a transfer chamber. In one or more implementations, gaseous impurities are reduced in a transfer chamber. In one implementation, a method includes receiving user input via a user interface indicating for the substrate processing system to conduct, according to a set of parameters, a service recovery operation that includes, for each cycle of a quantity of pump-purge cycles, operating a vacuum pump according to a base pressure to reduce a quantity of gas in the transfer chamber, then directing a purge gas to the transfer chamber according to a backfill pressure. The method also includes, after the cycles are complete, directing the purge gas into the transfer chamber until a threshold pressure is satisfied, and providing an indication via the user interface that the operation is complete.

Classes IPC  ?

  • C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement
  • C23C 16/52 - Commande ou régulation du processus de dépôt
  • C30B 25/14 - Moyens d'introduction et d'évacuation des gaz; Modification du courant des gaz réactifs
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