09 - Appareils et instruments scientifiques et électriques
Produits et services
Semiconductor manufacturing machines used for digital
lithography-based patterning. Recorded software for use in the semiconductor manufacturing
industry, namely, software for digital lithography-based
patterning.
4.
PROCESSING CHAMBER CONDITION AND PROCESS STATE MONITORING USING OPTICAL REFLECTOR ATTACHED TO PROCESSING CHAMBER LINER
A method includes receiving light, by a light coupling device and along an optical path, reflected back from a reflector mounted on a liner of a processing chamber. The method further includes detecting, by a spectrometer within the received light, a first spectrum representative of a deposited film layer on the reflector. The method further includes aligning, using an alignment device, the light coupling device in two dimensions with reference to the reflector along the optical path until maximization of the light received by the light coupling device.
C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
5.
Process Chamber And Process Kits For Advanced Packaging
Process kits for processing chambers and processing chambers having a lower shield and lower shield ring are described. The lower shield has a ring-shaped body with an inner wall and an outer wall, a top wall and a bottom wall with an outer ledge wall extends outwardly from a lower portion of the outer wall to an outer ledge outer wall. The lower shield ring has a ramped lower inner wall with a top face spaced a distance from the bottom face of the upper inner wall so that the distance decreases from the lower inner wall to an inside surface of the outer wall. At least one upper opening extends through the top portion of the lower shield ring and at least one opening extends through the lower portion of the lower shield ring. Upper shields configured to cooperatively interact with the lower shield and lower shield ring are also described.
Exemplary semiconductor processing chambers may include a gas delivery assembly. The chambers may include a substrate support. The chambers may include a faceplate positioned between the gas delivery assembly and the substrate support. The faceplate may be characterized by a first surface and a second surface. The second surface of the faceplate and the substrate support may at least partially define a processing region. The faceplate may define a first plurality of apertures and a second plurality of apertures. Each of the first plurality of apertures may include a first generally conical aperture profile that extends through the second surface that extends through the second surface. Each of the second plurality of apertures may include a second generally conical aperture profile that extends through the second surface. The second generally conical aperture profile may be different than the first generally conical aperture profile.
A cool cluster comprises one or more transfer chambers; a plurality of process chambers connected to the one or more transfer chambers; and a computing device of the tool cluster. The computing device is to receive first measurements generated by sensors of a first process chamber during or after a process is performed within the first process chamber; determine that the first process chamber is due for maintenance based on processing the first measurements using a first trained machine learning model; after maintenance has been performed on the first process chamber, receive second measurements generated by the sensors during or after a seasoning process is performed within the first process chamber; and determine that the first process chamber is ready to be brought back into service based on processing the second measurements using a second trained machine learning model.
G05B 19/4155 - Commande numérique (CN), c.à d. machines fonctionnant automatiquement, en particulier machines-outils, p.ex. dans un milieu de fabrication industriel, afin d'effectuer un positionnement, un mouvement ou des actions coordonnées au moyen de données d'u caractérisée par le déroulement du programme, c.à d. le déroulement d'un programme de pièce ou le déroulement d'une fonction machine, p.ex. choix d'un programme
Exemplary semiconductor processing methods may include providing a silicon-containing precursor to a processing region of a semiconductor processing chamber. A substrate may be disposed within the processing region of the semiconductor processing chamber. Alternating layers of material may be formed on the substrate. One or more recesses may be formed in the alternating layers of material. The methods may include forming a first silicon-containing material. The first silicon-containing material may extend into the one or more recesses formed in the alternating layers of material. The methods may include providing a halogen-containing precursor to the processing region of the semiconductor processing chamber. The methods may include forming a silicon-and-halogen-containing material. The silicon-and-halogen-containing material may overly the first silicon-containing material. The methods may include forming a second silicon-containing material. The second silicon-containing material may overly the silicon-and-halogen-containing material.
H01L 27/11582 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec isolateurs de grille à piégeage de charge, p.ex. MNOS ou NROM caractérisées par des agencements tridimensionnels, p.ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p.ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p.ex. canaux en forme de U
H01L 27/1157 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec isolateurs de grille à piégeage de charge, p.ex. MNOS ou NROM caractérisées par la région noyau de mémoire avec transistors de sélection de cellules, p.ex. NON-ET
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
9.
LOW COST FABRICATION OF OPTICAL DEVICE USING DISCRETE GRATING MODULE ASSEMBLY
Embodiments of the present disclosure relate to optical device fabrication using methods of discrete grating assembly and optical interconnection. Discrete gratings corresponding to one of an input coupling grating, an intermediate grating, or an output coupling grating of an optical device are formed on separated donor substrates. The donor substrates are diced into individual gratings and adhered to an optical device substrate. An inkjet material is disposed between the gratings to optically interconnect the portions of the optical device.
A superconducting nanowire single photon detector (SNSPD) device includes a substrate having a top surface, an optical waveguide on the top surface of the substrate to receive light propagating substantially parallel to the top surface of the substrate, a seed layer of metal nitride on the optical waveguide, and a superconductive wire on the seed layer. The superconductive wire is a metal nitride different from the metal nitride of the seed layer and is optically coupled to the optical waveguide.
G02B 6/10 - OPTIQUE ÉLÉMENTS, SYSTÈMES OU APPAREILS OPTIQUES - Détails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p.ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques
Methods and apparatus for single side filling of through-vias in a substrate are provided herein. In some embodiments, a method of filling through-vias in a substrate includes: coupling a first side of the substrate having through-vias to a carrier plate with an adhesive layer; exposing the through-vias to a conductive layer disposed between the carrier plate and the first side of the substrate; and plating the substrate using the conductive layer as a conductive seed layer to fill the through- vias with a conductive material.
H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
Provided is a DRAM device having a support layer is to hold the bWL features before being filled with the electrode metal. The support layer keeps the structure supported from the top surface but does not prevent the gap fill. A temporary gap-fill material is first deposited in the bWL gaps and then recessed to expose the top edges. A support layer material is then deposited on the structure by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). The device is then patterned orthogonal and with pitch greater than the bWL pitch. The temporary gap-fill material is then removed, forming support beams comprising the support material. A metal can then be deposited to fill the bWL gaps under the support beams.
Exemplary semiconductor processing methods may include providing a silicon-containing precursor to a processing region of a semiconductor processing chamber. A substrate may be disposed within the processing region of the semiconductor processing chamber. Alternating layers of material may be formed on the substrate. One or more recesses may be formed in the alternating layers of material. The methods may include forming a first silicon-containing material. The first silicon-containing material may extend into the one or more recesses formed in the alternating layers of material. The methods may include providing a halogen-containing precursor to the processing region of the semiconductor processing chamber. The methods may include forming a silicon-and-halogen-containing material. The silicon-and-halogen-containing material may overly the first silicon-containing material. The methods may include forming a second silicon-containing material. The second silicon-containing material may overly the silicon-and-halogen-containing material.
H10B 41/27 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes caractérisés par les agencements tridimensionnels, p ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p.ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p.ex. des canaux en forme de U
H10B 43/27 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par les agencements tridimensionnels, p ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p.ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p.ex. des canaux en forme de U
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
Dual channel showerhead assemblies are described. In some embodiments, the dual channel showerhead assemblies, which include a showerhead upper plate and a showerhead lower plate, enable delivery of mutually incompatible precursors along separate channels that mix in the process zone above a wafer. The dual channel showerhead assemblies provide at least two separate gas paths. In some embodiments, the hole design and hole distribution are configured for minimal jetting effect and plenum volumes for fast purging. The dual channel showerhead assemblies described herein may have a reduced purge out time compared to single channel showerheads, spiral dual channel showerheads, and bonded dual channel showerheads.
H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
15.
PROCESS CHAMBER AND PROCESS KITS FOR ADVANCED PACKAGING
Process kits for processing chambers and processing chambers having a lower shield and lower shield ring are described. The lower shield has a ring-shaped body with an inner wall and an outer wall, a top wall and a bottom wall with an outer ledge wall extends outwardly from a lower portion of the outer wall to an outer ledge outer wall. The lower shield ring has a ramped lower inner wall with a top face spaced a distance from the bottom face of the upper inner wall so that the distance decreases from the lower inner wall to an inside surface of the outer wall. At least one upper opening extends through the top portion of the lower shield ring and at least one opening extends through the lower portion of the lower shield ring. Upper shields configured to cooperatively interact with the lower shield and lower shield ring are also described.
H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p.ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
METHOD OF GENERATING A COMPUTATIONAL MODEL FOR IMPROVING PARAMETER SETTINGS OF ONE OR MORE DISPLAY MANUFACTURING TOOLS, METHOD OF SETTING PARAMETERS OF ONE OR MORE DISPLAY MANUFACTURING TOOLS, AND DISPLAY MANUFACTURING FAB EQUIPMENT
A method of generating a computational model for improving manufacturing conditions in one or more display manufacturing tools for manufacturing of display devices on a plurality of substrates in a display manufacturing fab equipment is described. The method includes determining a plurality of input values of the one or more display manufacturing tools, each input value associated with a corresponding substrate identification number of a plurality of substrate identification numbers; determining a plurality of result input values for substrates having the plurality of substrate identification numbers, the result input values providing quantitative quality values; providing a training data set of the plurality of input values and the plurality of result input values correlated by the corresponding substrate identification numbers; and producing or generating the computational model by machine learning from the training data set.
Processing chambers comprising a chamber body, a remote plasma source (RPS) outside the chamber body, a first connection line between the remote plasma source and the interior volume of the chamber body through the top wall and a second connection line between the remote plasma source and the interior volume through the sidewall of the chamber body. Methods of cleaning a processing chamber comprising flowing an etchant gas through the RPS into the chamber body, followed by a flow recovery gas through the RPS into the chamber body through both the first connection line and second connection line.
Methods for forming a semiconductor structure and semiconductor structures are described. The method comprises non-selectively depositing an amorphous silicon layer on a top surface and a sidewall surface of at least one contact trench on a substrate and a crystalline silicon layer on a bottom surface of the at least one contact trench at a temperature less than or equal to 400° C., the bottom surface including a source/drain material. The amorphous silicon layer is selectively removed from the top surface and the sidewall surface at a temperature less than or equal to 400° C. The method may be performed in a processing chamber without breaking vacuum.
Exemplary methods of fabricating a faceplate for a processing chamber may include drilling a first portion of each of a plurality of apertures in a first surface of a faceplate. Each first portion may extend at least partially through a thickness of the faceplate. The methods may include detecting a center of each first portion using a laser drilling apparatus. The methods may include drilling a diffuser portion in each of the plurality of apertures using the laser drilling apparatus. Each diffuser portion is centered with respect to a respective one of the first portions.
Provided is a DRAM device having a support layer to hold the bWL features before being filled with the electrode metal. The support layer keeps the structure supported from the top surface but does not prevent the gap fill. A temporary gap-fill material is first deposited in the bWL gaps and then recessed to expose the top edges. A support layer material is then deposited on the structure by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). The device is then patterned orthogonal and with pitch greater than the bWL pitch. The temporary gap-fill material is then removed, forming support beams comprising the support material. A metal can then be deposited to fill the bWL gaps under the support beams.
Provided are methods to reduce the thickness of a high-κ layer needed in a DRAM capacitor and, thus, allow the cell electrodes to be larger, giving higher cell capacitance. A tantalum nitride (TaN) layer is introduced as a liner in the capacitor hole before a titanium nitride (TiN) electrode layer. The TaN layer converts to a thin layer of tantalum oxide (Ta2O5), which permits a reduction in the high-κ layer thickness for the same capacitance versus leakage. Because this Ta2O5 is formed directly on the cell electrode, it ensures a low leakage film exists in the narrowest gaps even before the high-κ layer is deposited.
A method includes determining that conditions of a processing chamber have changed since a trained machine learning model associated with the processing chamber was trained. The method further includes determining whether a change in the conditions of the processing chamber is a gradual change or a sudden change. Responsive to determining that the change in the conditions of the processing chamber is a gradual change, the method further includes performing a first training process to generate a new machine learning model. Responsive to determining that the change in the conditions of the processing chamber is a sudden change, the method further includes performing a second training process to generate the new machine learning model. The first training process is different from the second training process.
G06N 5/02 - Représentation de la connaissance; Représentation symbolique
G05B 13/02 - Systèmes de commande adaptatifs, c. à d. systèmes se réglant eux-mêmes automatiquement pour obtenir un rendement optimal suivant un critère prédéterminé électriques
The disclosure describes a plasma source assemblies comprising a differential screw assembly, an RF hot electrode, a top cover, an upper housing and a lower housing. The differential screw assembly is configured to provide force to align the plasma source assembly vertically matching planarity of a susceptor. More particularly, the differential screw assembly increases a distance between the top cover and the upper housing to align the gap with the susceptor. The disclosure also provides a better thermal management by cooling fins. A temperature capacity of the plasma source assemblies is extended by using titanium electrode. The disclosure provides a cladding material covering a portion of a first surface of RF hot electrode, a second surface of RF hot electrode, a bottom surface of RF hot electrode, a portion of a surface of the showerhead and a portion of lower housing surface.
An electronic device manufacturing system configured to obtain sensor data associated with a deposition process performed in a process chamber to deposit a film stack on a surface of a substrate. The film stack can include a known film pattern and an unknown film pattern. The manufacturing system is further configured to input the sensor data into a first trained machine-learning model to obtain a first output value of the first trained machine-learning model. The first output value can be associated with the known film pattern. The manufacturing system is further configured to input the first output value into a second trained machine-learning model to obtain a second output value of the second trained machine-learning model. The second output value can be indicative of metrology data of the known film pattern.
Methods for forming a semiconductor structure and semiconductor structures are described. The method comprises non-selectively depositing an amorphous silicon layer on a top surface and a sidewall surface of at least one contact trench on a substrate and a crystalline silicon layer on a bottom surface of the at least one contact trench at a temperature less than or equal to 400 °C, the bottom surface including a source/drain material. The amorphous silicon layer is selectively removed from the top surface and the sidewall surface at a temperature less than or equal to 400 °C. The method may be performed in a processing chamber without breaking vacuum.
H01L 21/285 - Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p.ex. condensation
H01L 21/3213 - Gravure physique ou chimique des couches, p.ex. pour produire une couche avec une configuration donnée à partir d'une couche étendue déposée au préalable
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
Electrostatic chucks (ESCs) for reactor or plasma processing chambers, and methods of fabricating ESCs, are described. In an example, a method of fabricating a substrate support assembly includes providing a ceramic top plate having a top surface with a processing region. A plurality of mesas is formed within the processing region and on the top surface of the ceramic plate. Laser-machining of one or more of the plurality of mesas is performed to reduce or to increase a surface roughness of the one or more of the plurality of mesas.
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p.ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
C23C 16/458 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour supporter les substrats dans la chambre de réaction
27.
ENHANCED CHAMBER CLEAN AND RECOVERY WITH DUAL FLOW PATH
Processing chambers comprising a chamber body, a remote plasma source (RPS) outside the chamber body, a first connection line between the remote plasma source and the interior volume of the chamber body through the top wall and a second connection line between the remote plasma source and the interior volume through the sidewall of the chamber body. Methods of cleaning a processing chamber comprising flowing an etchant gas through the RPS into the chamber body, followed by a flow recovery gas through the RPS into the chamber body through both the first connection line and second connection line.
Embodiments of the present disclosure relate to optical device fabrication using methods of discrete grating assembly and optical interconnection. Discrete gratings corresponding to one of an input coupling grating, an intermediate grating, or an output coupling grating of an optical device are formed on separated donor substrates. The donor substrates are diced into individual gratings and adhered to an optical device substrate. An inkjet material is disposed between the gratings to optically interconnect the portions of the optical device.
Methods and apparatus for electroplating a substrate incorporate aspects of digital lithography and feedback from electroplating processes to improve characteristics of plating material based on die patterns. In some embodiments, a method of electroplating a substrate may include receiving a die design, forming a first lithographic pattern for a first substrate based on the die design, using a digital lithography process to pattern the first substrate with the first lithographic pattern, using an electroplating process to deposit material on the first substrate, using a metrology process to determine at least one parameter of the deposited material on the first substrate, and forming a second lithographic pattern from the first lithographic pattern for a second substrate based, at least in part, on the at least one parameter received directly from the metrology process on the first substrate by the digital lithographic process for the second substrate.
Methods for adjusting a work function of a structure in a substrate leverage near surface doping. In some embodiments, a method for adjusting a work function of a structure in a substrate may include coating surfaces of the structure to form a doping layer in a non-solid phase that contains dopants on the surfaces of the structure and performing a dopant diffusion process using an oxidation process to drive the dopants through the surfaces the structure to embed the dopants in the structure to adjust the work function of the structure near the surfaces to form an abrupt junction profile and form an oxidation layer on the surfaces of the structure. The coating of the surfaces of the structure may be performed using a gas-phase or liquid-phase process.
H01L 21/225 - Diffusion des impuretés, p.ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, à l'intérieur ou hors du corps semi-conducteur, ou entre les régions semi-conductrices; Redistribution des impuretés, p.ex. sans introduction ou sans élimination de matériau dopant supplémentaire en utilisant la diffusion dans ou hors d'un solide, à partir d'une ou en phase solide, p.ex. une couche d'oxyde dopée
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
The present disclosure provides an apparatus and method for fabricating optical devices. The apparatus includes a support table having process chambers and a laser used to direct a beam along a propagation path to each of the process chambers. A central mirror is centrally disposed among the process chambers and is rotatable to reflect the beam to each of the process chambers for processing. A beam splitter is disposed within each of process chambers, each beam splitter is used to receive beams from the central mirror and emits a first beam in a first direction and a second beam in a second direction. A first mirror directs the first beam to a device and a second mirror directs the second beam to the device. Each of the first and second mirror is rotatable in at least three axes.
G02B 27/09 - Mise en forme du faisceau, p.ex. changement de la section transversale, non prévue ailleurs
G02B 27/28 - Systèmes ou appareils optiques non prévus dans aucun des groupes , pour polariser
G02B 26/08 - Dispositifs ou dispositions optiques pour la commande de la lumière utilisant des éléments optiques mobiles ou déformables pour commander la direction de la lumière
Methods of depositing a metal film by exposing a substrate surface to a halide precursor and an organosilane reactant are described. The halide precursor comprises a compound of general formula (I): MQzRm, wherein M is a metal, Q is a halogen selected from Cl, Br, F or I, z is from 1 to 6, R is selected from alkyl, CO, and cyclopentadienyl, and m is from 0 to 6. The aluminum reactant comprises a compound of general formula (II) or general formula (III):
Methods of depositing a metal film by exposing a substrate surface to a halide precursor and an organosilane reactant are described. The halide precursor comprises a compound of general formula (I): MQzRm, wherein M is a metal, Q is a halogen selected from Cl, Br, F or I, z is from 1 to 6, R is selected from alkyl, CO, and cyclopentadienyl, and m is from 0 to 6. The aluminum reactant comprises a compound of general formula (II) or general formula (III):
Methods of depositing a metal film by exposing a substrate surface to a halide precursor and an organosilane reactant are described. The halide precursor comprises a compound of general formula (I): MQzRm, wherein M is a metal, Q is a halogen selected from Cl, Br, F or I, z is from 1 to 6, R is selected from alkyl, CO, and cyclopentadienyl, and m is from 0 to 6. The aluminum reactant comprises a compound of general formula (II) or general formula (III):
wherein R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, Ra, Rb, Rc, Rd, Re, and Rf are independently selected from hydrogen (H), substituted alkyl or unsubstituted alkyl; and X, Y, X′, and Y′ are independently selected from nitrogen (N) and carbon (C).
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
C08G 77/26 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à des groupes organiques contenant des atomes autres que le carbone, l'hydrogène et l'oxygène groupes contenant de l'azote
C08G 77/50 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone dans lesquels au moins deux atomes de silicium, mais pas la totalité, sont liés autrement que par des atomes d'oxygène par des liaisons au carbone
C23C 16/46 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour le chauffage du substrat
Methods and formulations for manufacturing polishing articles used in polishing processes are provided. In one implementation, a UV curable resin precursor composition is provided. The UV curable resin precursor comprises a precursor formulation. The precursor formulation comprises a first resin precursor component that comprises a semi-crystalline radiation curable oligomeric material, wherein the semi-crystalline radiation curable oligomeric material is selected from a semi-crystalline aliphatic polyester urethane acrylate, a semi-crystalline aliphatic polycarbonate urethane acrylate, a semi-crystalline aliphatic polyether urethane acrylate, or combinations thereof. The precursor formulation further comprises a second resin precursor component that comprises a monofunctional or multifunctional acrylate monomer. The resin precursor formulation further comprises a photoinitiator, wherein the precursor formulation has a viscosity that enables the precursor formulation to be dispensed to form a portion of a polishing article by an additive manufacturing process.
B29C 64/112 - Procédés de fabrication additive n’utilisant que des matériaux liquides ou visqueux, p.ex. dépôt d’un cordon continu de matériau visqueux utilisant des gouttelettes individuelles, p.ex. de buses de jet
B33Y 70/10 - Composites de différents types de matériaux, p.ex. mélanges de céramiques et de polymères ou mélanges de métaux et de biomatériaux
34.
COMMUNICATION NODE TO INTERFACE BETWEEN EVALUATION SYSTEMS AND A MANUFACTURING SYSTEM
An electronic device manufacturing system that includes a process tool and a tool server coupled to the process tool and comprising a communication node and an evaluation system. The communication node is configured to obtain one or more attributes from an evaluation system and provide a monitoring device comprising a data collection plan that is based on the one or more attributes. The communication node is further configured to register the monitoring device with a process tool. The communication node is further configured to receive, from the process tool, data based on the data collection plan and send the received data to the evaluation system.
G05B 19/4155 - Commande numérique (CN), c.à d. machines fonctionnant automatiquement, en particulier machines-outils, p.ex. dans un milieu de fabrication industriel, afin d'effectuer un positionnement, un mouvement ou des actions coordonnées au moyen de données d'u caractérisée par le déroulement du programme, c.à d. le déroulement d'un programme de pièce ou le déroulement d'une fonction machine, p.ex. choix d'un programme
G05B 19/18 - Commande numérique (CN), c.à d. machines fonctionnant automatiquement, en particulier machines-outils, p.ex. dans un milieu de fabrication industriel, afin d'effectuer un positionnement, un mouvement ou des actions coordonnées au moyen de données d'u
Exemplary semiconductor structures may include a silicon-containing substrate. The structures may include a first layer of a first metal nitride overlying the silicon-containing substrate. The structures may include a second layer of a second metal nitride overlying the first layer of the first metal nitride. The structures may include a gallium nitride structure overlying the layer of the metal nitride.
H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
Methods and systems for predictively determining tool drift in a digital lithography tool for early warning, and/or adjusting the tool in-situ to mitigate the effects of drift. Drift is measured during manufacturing by measuring alignment marks from eye-to-eye a bridge-to-bridge, among other methods. Measured drift is decomposed into three components: trend—trending drift over time, increment—rate of change of drift over time, and remaining—the difference between the drift, the trend, and the increment. Each component is provided to a machine learning engine, that predicts the next measurement of each component. Predicted measurements may be provided to the tool for use as adjustment parameters to modify how an eye module shoots a pattern onto a substrate, and/or as an early warning when predicted parameters are outside of a desired processing parameter window.
This application generally relates to a chamber component for a thermal processing chamber comprising a base component having a coating disposed thereon, the coating having a base component having a coating disposed thereon, the coating includes a surface, a thickness, and a plurality of cracks extending from the surface of the coating through at least 40 percent of the thickness of the coating.
C23C 4/04 - Revêtement par pulvérisation du matériau de revêtement à l'état fondu, p.ex. par pulvérisation à l'aide d'une flamme, d'un plasma ou d'une décharge électrique caractérisé par le matériau de revêtement
Embodiments disclosed herein include a method of modeling a rapid thermal processing (RTP) tool. In an embodiment, the method comprises developing a lamp model of an RTP tool, wherein the lamp model comprises a plurality of lamp zones, calculating an irradiance graph for the plurality of lamp zones, multiplying irradiance values of the plurality of lamp zones in the irradiance graph by a power of an existing RTP tool at a given time during a process recipe, summing the multiplied irradiance values for the plurality of lamp zones to form an irradiation graph of the lamp model, using the irradiation graph as an input to a machine learning algorithm, and outputting the temperature across a hypothetical substrate from the machine learning algorithm.
G06F 30/27 - Optimisation, vérification ou simulation de l’objet conçu utilisant l’apprentissage automatique, p.ex. l’intelligence artificielle, les réseaux neuronaux, les machines à support de vecteur [MSV] ou l’apprentissage d’un modèle
G06K 9/62 - Méthodes ou dispositions pour la reconnaissance utilisant des moyens électroniques
39.
INORGANIC SILICON-CONTAINING OVERHANG STRUCTURES OF OLED SUBPIXELS
The present disclosure relates to overhang structures and methods of fabricating a sub-pixel circuit with the overhang structures that may be utilized in a display such as an organic light-emitting diode (OLED) display. The adjacent inorganic silicon-containing overhang structures defining each sub-pixel of the sub- pixel circuit of the display provide for formation of the sub-pixel circuit using evaporation deposition and provide for the inorganic silicon-containing overhang structures to remain in place after the sub-pixel circuit is formed. A first configuration of the inorganic silicon-containing overhang structures includes a gradient concentration profile. A second configuration of the inorganic silicon-containing overhang structures includes an upper portion and a lower portion. The inorganic silicon-containing overhang structures define deposition angles for each of the OLED material and the cathode such the OLED material does not contact sidewalls of the inorganic silicon-containing overhang structures.
H10K 59/122 - Structures ou couches définissant le pixel, p. ex. bords
H10K 59/173 - Affichages à OLED à matrice passive comprenant des bords ou des masques d'ombre
H10K 59/80 - Dispositifs intégrés, ou ensembles de plusieurs dispositifs, comprenant au moins un élément organique émetteur de lumière couvert par le groupe - Détails de structure
H10K 59/12 - Affichages à OLED à matrice active [AMOLED]
H10K 71/60 - Formation de régions ou de couches conductrices, p. ex. d’électrodes
40.
METHODS FOR DEPOSITING BLOCKING LAYERS ON CONDUCTIVE SURFACES
Methods of selectively depositing blocking layers on conductive surfaces over dielectric surfaces are described. In some embodiments, a 4-8 membered substituted heterocycle is exposed to a substrate to selectively form a blocking layer. In some embodiments, a layer is selectively deposited on the dielectric surface after the blocking layer is formed. In some embodiments, the blocking layer is removed.
H01L 21/32 - Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches en utilisant des masques
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
41.
ELECTROSTATIC CHUCK DESIGN WITH IMPROVED CHUCKING AND ARCING PERFORMANCE
Aspects of the present disclosure relate to one or more implementations of a substrate support for a processing chamber. In one implementation, a substrate support includes a body having a center, and a support surface on the body configured to at least partially support a substrate. The substrate support includes a first angled wall that extends upward and radially outward from the support surface, and a first upper surface disposed above the support surface. The substrate support also includes a second angled wall that extends upward and radially outward from the first upper surface, the first upper surface extending between the first angled wall and the second angled wall. The substrate support also includes a second upper surface extending from the second angled wall. The second upper surface is disposed above the first upper surface.
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
Dual channel showerhead assemblies are described. In some embodiments, the dual channel showerhead assemblies, which include a showerhead upper plate and a showerhead lower plate, enable delivery of mutually incompatible precursors along separate channels that mix in the process zone above a wafer. The dual channel showerhead assemblies provide at least two separate gas paths. In some embodiments, the hole design and hole distribution are configured for minimal jetting effect and plenum volumes for fast purging. The dual channel showerhead assemblies described herein may have a reduced purge out time compared to single channel showerheads, spiral dual channel showerheads, and bonded dual channel showerheads.
B05B 7/00 - Appareillages de pulvérisation pour débiter des liquides ou d'autres matériaux fluides provenant de plusieurs sources, p.ex. un liquide et de l'air, une poudre et un gaz
This application generally relates to a chamber component for a thermal processing chamber comprising a base component having a coating disposed thereon, the coating having a base component having a coating disposed thereon, the coating includes a surface, a thickness, and a plurality of cracks extending from the surface of the coating through at least 40 percent of the thickness of the coating.
Embodiments disclosed herein include a method of modeling a rapid thermal processing (RTF) tool. In an embodiment, the method comprises developing a lamp model of an RTF tool, wherein the lamp model comprises a plurality of lamp zones, calculating an irradiance graph for the plurality of lamp zones, multiplying irradiance values of the plurality of lamp zones in the irradiance graph by a power of an existing RTF tool at a given time during a process recipe, summing the multiplied irradiance values for the plurality of lamp zones to form an irradiation graph of the lamp model, using the irradiation graph as an input to a machine learning algorithm, and outputting the temperature across a hypothetical substrate from the machine learning algorithm.
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
A system comprising a spinning disk is disclosed. The system comprises a semiconductor processing system, such as a high energy implantation system. The semiconductor processing system produces a spot ion beam, which is directed to a plurality of workpieces, which are disposed on the spinning disk. The spinning disk comprises a rotating central hub with a plurality of platens. The spinning disk rotates about a central axis. The spinning disk is also translated linearly in a directional perpendicular to the central axis. The spot ion beam strikes the spinning disk at a distance from the central axis, referred to as the radius of impact. The rotation rate and the scan velocity may both vary inversely with the radius of impact.
H01J 37/317 - Tubes à faisceau électronique ou ionique destinés aux traitements localisés d'objets pour modifier les propriétés des objets ou pour leur appliquer des revêtements en couche mince, p.ex. implantation d'ions
46.
PROCESS CHARACTERIZATION AND CORRECTION USING OPTICAL WALL PROCESS SENSOR (OWPS)
A method includes receiving, by a processing device, first data from an optical sensor of a processing chamber. The method further includes processing the first data to obtain second data. The second data includes an indication of a condition of a coating on an interior surface of the processing chamber. The method further includes generating an indication of performance of a processing operation of the processing chamber in view of the second data. The method further includes causing performance of a corrective action in view of the indication of performance of the processing chamber.
G01B 11/06 - Dispositions pour la mesure caractérisées par l'utilisation de techniques optiques pour mesurer la longueur, la largeur ou l'épaisseur pour mesurer l'épaisseur
G01N 21/84 - Systèmes spécialement adaptés à des applications particulières
A method includes receiving, by a processing device, first sensor data indicating a state of a wall corresponding to a first processing chamber. The first sensor data includes optical spectral data. The method further includes determining, by the processing device, a first value based on the first sensor data. The first value corresponds to a first amount of a product disposed along a surface of the wall at a first time. The method further includes determining, by the processing device, a first update to a first process operation associated with the first processing chamber based on the first value. The method further includes performing, by the processing device, one or more of (i) preparing a notification indicating the first update for presentation on a graphical user interface (GUI), or (ii) causing performance of the first process operation in accordance with the first update.
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
H01L 21/66 - Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
48.
RADIO FREQUENCY SOURCE FOR INDUCTIVELY COUPLED AND CAPACITIVELY COUPLED PLASMAS IN SUBSTRATE PROCESSING CHAMBERS
A radio frequency (RF) source may be used to generate a capacitively coupled plasma to perform a plasma-based process on a substrate in a plasma processing chamber. A controller may cause the RF source and a switching element to route an RF signal to electrodes in the pedestal that generate the plasma in the processing chamber as part of a recipe performed on a substrate during etch or deposition processes. Between processes, the controller may cause the same RF source to generate a second RF signal that is instead routed by the switching element to inductive coils to generate an inductively coupled plasma for a cleaning process to remove film deposits on the interior of the plasma processing chamber.
A showerhead for a processing chamber includes a faceplate with a plurality of openings. A plurality of compartments are recessed into a top surface of the faceplate. The showerhead includes a plurality of MEMS devices. Each MEMS device is disposed in a corresponding compartment of the plurality of compartments. A printed circuit board including a plurality of ports therethrough is coupled to each MEMS device. Each MEMS device is configured to regulate a gas flow into each corresponding compartment through a corresponding port of the plurality of ports in the printed circuit board.
C23C 16/50 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
50.
CHAMBER CONFIGURATIONS AND PROCESSES FOR PARTICLE CONTROL
Exemplary processing methods may include forming a plasma of a cleaning precursor in a remote region of a semiconductor processing chamber. The methods may include flowing plasma effluents of the cleaning precursor into a processing region of the semiconductor processing chamber. The methods may include contacting a substrate support with the plasma effluents for a first period of time. The methods may include lowering the substrate support from a first position to a second position while continuing to flow plasma effluents of the cleaning precursor. The methods may include cleaning the processing region of the semiconductor processing chamber for a second period of time.
Embodiments of the present disclosure generally relate to a system used in a semiconductor device manufacturing process. More specifically, embodiments provided herein generally include apparatus and methods for synchronizing and controlling the delivery of an RF bias voltage signal and a pulsed voltage waveform to one or more electrodes within a plasma processing chamber. Embodiments of the disclosure include a method and apparatus for synchronizing a pulsed radio frequency (RF) waveform to a pulsed voltage (PV) waveform, such that the pulsed RF waveform is on during a first stage of the PV waveform and off during a second stage. The first stage of the PV waveform includes a sheath collapse stage. The second stage of the PV waveform includes an ion current stage.
A method includes receiving, by a processing device, first sensor data indicating a state of a wall corresponding to a first processing chamber. The first sensor data includes optical spectral data. The method further includes determining, by the processing device, a first value based on the first sensor data. The first value corresponds to a first amount of a product disposed along a surface of the wall at a first time. The method further includes determining, by the processing device, a first update to a first process operation associated with the first processing chamber based on the first value. The method further includes performing, by the processing device, one or more of (i) preparing a notification indicating the first update for presentation on a graphical user interface (GUI), or (ii) causing performance of the first process operation in accordance with the first update.
A method includes receiving, by a processing device, first data from an optical sensor of a processing chamber. The method further includes processing the first data to obtain second data. The second data includes an indication of a condition of a coating on an interior surface of the processing chamber. The method further includes generating an indication of performance of a processing operation of the processing chamber in view of the second data. The method further includes causing performance of a corrective action in view of the indication of performance of the processing chamber.
C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement
G01N 21/01 - Dispositions ou appareils pour faciliter la recherche optique
C23C 16/52 - Commande ou régulation du processus de dépôt
G01N 21/94 - Recherche de souillures, p.ex. de poussières
Methods of forming a resist model for angled gratings on optical devices. In one example, a method includes designing a model with a model area and a verification area with initial mask patterns having a first grating pattern with a first angle and a first critical dimension and fabricating test masks with the model area having a first model angle and a first model critical dimension and the verification area having a first verification angle and a first verification critical dimension. The method also includes patterning a substrate with the test masks, measuring the first model angle, the first model critical dimension, the first verification angle and the first verification critical dimension, and fabricating a new device mask if the first verification angle is within the threshold range of the first desired angle and the first verification critical dimension is within the threshold range of the first desired critical dimension.
The present invention generally relates method and apparatus for detecting erosion to a ring assembly used in an etching or other plasma processing chamber. In one embodiment, a method begins by obtaining a metric indicative of wear on a ring assembly disposed on a substrate support in a plasma processing chamber prior to processing with plasma in the plasma processing chamber. The metric for the ring assembly is monitored with a sensor. A determination is made if the metric exceeds a threshold and generating a signal in response to the metric exceeding the threshold.
H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p.ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
56.
DYNAMIC INTERFACE FOR PROVIDING A SYMMETRIC RADIO FREQUENCY RETURN PATH
Exemplary substrate processing system may include a chamber body that defines a processing region. The systems may include a liner positioned atop the chamber body. The liner may include first disconnect members. The systems may include a faceplate that is positioned atop the liner. The systems may include a support disposed within the chamber body. The support may include a plate comprising a heater. The plate may include second disconnect members. The support may include a shaft coupled with the plate. The support may include a dynamic plate disposed about the shaft below the plate. The support may include metallic straps that couple the plate with the dynamic plate. The dynamic plate may include inner disconnect members and outer disconnect members. Inner disconnect members may be engageable with second disconnect members in a transfer position. Outer disconnect members may be engageable with first disconnect members in a process position.
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p.ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
H01L 21/673 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants utilisant des supports spécialement adaptés
H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
57.
ION IMPLANTATION FOR REDUCED HYDROGEN INCORPORATION IN AMORPHOUS SILICON
Exemplary methods of semiconductor processing may include forming a layer of amorphous silicon on a semiconductor substrate. The layer of amorphous silicon may be characterized by a first amount of hydrogen incorporation. The methods may include performing a beamline ion implantation process or plasma doping process on the layer of amorphous silicon. The methods may include removing hydrogen from the layer of amorphous silicon to a second amount of hydrogen incorporation less than the first amount of hydrogen incorporation.
An annealing system is provided that includes a chamber body that defines a chamber, a support to hold a workpiece and a robot to insert the workpiece into the chamber. The annealing system also includes a first gas supply to provide a hydrogen gas, a pressure source coupled to the chamber to raise a pressure in the chamber to at least 5 atmospheres, and a controller configured to cause the robot to transport a workpiece having a metal film thereon into the chamber, where the metal film contains fluorine on a surface or embedded within the metal film, to cause the first gas supply to supply the hydrogen gas to the chamber and form atomic hydrogen therein, and to cause the pressure source to raise a pressure in the chamber to at least 5 atmospheres while the workpiece is held on the support in the chamber.
H01L 21/285 - Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p.ex. condensation
C23C 16/14 - Dépôt d'un seul autre élément métallique
H10B 69/00 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable [EPROM] non couverts par les groupes , p.ex. dispositifs de mémoire morte reprogrammable aux ultraviolets [UVEPROM]
C23C 16/08 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique à partir d'halogénures métalliques
A vacuum deposition system (100, 200, 300) for coating a substrate in an essentially vertical orientation is described. The vacuum deposition system includes a vacuum transfer chamber (120), a first deposition branch (130) extending from the vacuum transfer chamber (120) and comprising a first deposition chamber (131) provided in-line with and adjacent to a second deposition chamber (132) along a first substrate transport path (P1), and a second deposition branch (140) extending from the vacuum transfer chamber (120) and comprising a third deposition chamber (141) provided in-line with and adjacent to a fourth deposition chamber (142) along a second substrate transport path. The vacuum transfer chamber (120) is configured for transferring the substrate between the first substrate transport path (P1) and the second substrate transport path (P2). Further described are methods of coating substrates in a vacuum deposition system, particularly in the vacuum deposition system described herein.
C23C 14/56 - Appareillage spécialement adapté au revêtement en continu; Dispositifs pour maintenir le vide, p.ex. fermeture étanche
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
H01L 21/677 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le transport, p.ex. entre différents postes de travail
1211 is a first aromatic ligand having a hapticity selected from η3, η5, or η622 is a ligand having a hapticity selected from of η3, η4, η5, η6, η7, η8, η9or η10112345622, can be independently selected from a group consisting of hexa-1,3,5-triene, 2-methylene-1,3-propanediyl, 1,2-diethenylcyclohex-1-ene, cyclooctatetraene, cyclooctatetraenide anion, styrene, o-quinodimethane, phenyl thiocyanate, phenyl isothiocyanate, (3-methylphenyl)-methylene and derivatives thereof.
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
C23C 16/18 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique à partir de composés organométalliques
A showerhead for a processing chamber includes a faceplate with a plurality of openings. A plurality of compartments are recessed into a top surface of the faceplate. The showerhead includes a plurality of MEMS devices. Each MEMS device is disposed in a corresponding compartment of the plurality of compartments. A printed circuit board including a plurality of ports therethrough is coupled to each MEMS device. Each MEMS device is configured to regulate a gas flow into each corresponding compartment through a corresponding port of the plurality of ports in the printed circuit board.
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
C23C 16/52 - Commande ou régulation du processus de dépôt
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
62.
PACKAGE IMAGING FOR DIE LOCATION CORRECTION IN DIGITAL LITHOGRAPHY
Actual physical locations of dies on a substrate package may be identified without using a full metrology scan of the substrate. Instead, one or more cameras may be used to efficiently locate the approximate location of any of the alignment features based on their expected positioning in the design file for the packages are substrate. The cameras may then be moved to locations where alignment features should be, and images may be captured to determine the actual location of the alignment feature. These actual locations of the alignment features may then be used to identify coordinates for the dies, as well as rotations and/or varying heights of the dies on the packages. A difference between the expected location from the design file and the actual physical location may be used to adjust instructions for the digital lithography system to compensate for the misalignment of the dies.
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
Exemplary semiconductor structures may include a silicon-containing substrate. The structures may include a first layer of a first metal nitride overlying the silicon-containing substrate. The structures may include a second layer of a second metal nitride overlying the first layer of the first metal nitride. The structures may include a gallium nitride structure overlying the layer of the metal nitride.
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
64.
COMMUNICATION NODE TO INTERFACE BETWEEN EVALUATION SYSTEMS AND A MANUFACTURING SYSTEM
An electronic device manufacturing system that includes a process tool and a tool server coupled to the process tool and comprising a communication node and an evaluation system. The communication node is configured to obtain one or more attributes from an evaluation system and provide a monitoring device comprising a data collection plan that is based on the one or more attributes. The communication node is further configured to register the monitoring device with a process tool. The communication node is further configured to receive, from the process tool, data based on the data collection plan and send the received data to the evaluation system.
H04L 67/12 - Protocoles spécialement adaptés aux environnements propriétaires ou de mise en réseau pour un usage spécial, p.ex. les réseaux médicaux, les réseaux de capteurs, les réseaux dans les véhicules ou les réseaux de mesure à distance
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
Methods of forming a resist model for angled gratings on optical devices. In one example, a method includes designing a model with a model area and a verification area with initial mask patterns having a first grating pattern with a first angle and a first critical dimension and fabricating test masks with the model area having a first model angle and a first model critical dimension and the verification area having a first verification angle and a first verification critical dimension. The method also includes patterning a substrate with the test masks, measuring the first model angle, the first model critical dimension, the first verification angle and the first verification critical dimension, and fabricating a new device mask if the first verification angle is within the threshold range of the first desired angle and the first verification critical dimension is within the threshold range of the first desired critical dimension.
G03F 7/00 - Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
G02B 27/00 - Systèmes ou appareils optiques non prévus dans aucun des groupes ,
Exemplary methods of etching may include flowing a fluorine-containing precursor and a secondary gas into a processing region of a semiconductor processing chamber. The secondary gas may be or include oxygen or nitrogen. A flow rate ratio of the fluorine-containing precursor to the secondary gas may be greater than or about 1:1. The methods may include contacting a substrate with the fluorine-containing precursor and the secondary gas. The substrate may include an exposed metal. The substrate may define a high aspect-ratio structure. The methods may include etching the exposed metal within the high aspect-ratio structure.
H01L 21/3213 - Gravure physique ou chimique des couches, p.ex. pour produire une couche avec une configuration donnée à partir d'une couche étendue déposée au préalable
H01L 27/11524 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec grilles flottantes caractérisées par la région noyau de mémoire avec transistors de sélection de cellules, p.ex. NON-ET
H01L 27/1157 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec isolateurs de grille à piégeage de charge, p.ex. MNOS ou NROM caractérisées par la région noyau de mémoire avec transistors de sélection de cellules, p.ex. NON-ET
H01L 27/11582 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec isolateurs de grille à piégeage de charge, p.ex. MNOS ou NROM caractérisées par des agencements tridimensionnels, p.ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p.ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p.ex. canaux en forme de U
H01L 27/11556 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec grilles flottantes caractérisées par des agencements tridimensionnels, p.ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p.ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p.ex. des canaux en forme de U
Exemplary methods of coating a metal-containing component are described. The methods are developed to increase corrosion resistance and improve coating adhesion to a metal substrate. The methods include forming a bonding layer on a metal substrate, where the bonding layer includes an oxide of a metal in the metal substrate. The coating methods further include depositing a stress buffer layer on the bonding layer, where the stress buffer layer is characterized by a stress buffer layer coefficient of thermal expansion (CTE) that is less than a metal substrate CTE and a bonding layer CTE. The coating methods also include depositing an environmental barrier layer on the stress buffer layer, where a ratio of the metal substrate CTE to an environmental barrier layer CTE is greater than or about 20:1, and where the environmental barrier layer includes silicon oxide. The metal-containing components may be used in fabrication equipment for electronic devices.
H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
C04B 35/622 - Procédés de mise en forme; Traitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques
C04B 35/12 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur composition; Compositions céramiques; Traitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base d'oxydes à base d'oxyde de chrome
C04B 35/10 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur composition; Compositions céramiques; Traitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base d'oxydes à base d'oxyde d'aluminium
C04B 35/14 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur composition; Compositions céramiques; Traitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base d'oxydes à base de silice
68.
APPARATUS FOR ENVIRONMENTAL CONTROL OF DIES AND SUBSTRATES FOR HYBRID BONDING
Apparatus for extending substrate queue time for hybrid bonding by preserving plasma activation. In some embodiments, the apparatus may include an environmentally controllable space with a support for holding a die or a substrate, a gas velocity accelerator that recirculates one or more gases laterally across the support, a filter, a humidifier apparatus that is fluidly connected to the environmentally controllable space, wherein the humidifier apparatus enables controllable humidity levels within the environmentally controllable space, a pressurizing apparatus fluidly connected to the humidifier apparatus on an output and fluidly connected to at least one gas supply on an input, a relative humidity (RH) sensor positioned within the environmentally controllable space, and an environment controller in communication with at least the humidifier apparatus and the RH sensor, wherein the environment controller is configured to maintain an RH level of approximately 80% to approximately 95%.
G05B 19/418 - Commande totale d'usine, c.à d. commande centralisée de plusieurs machines, p.ex. commande numérique directe ou distribuée (DNC), systèmes d'ateliers flexibles (FMS), systèmes de fabrication intégrés (IMS), productique (CIM)
H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p.ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
69.
PACKAGE IMAGING FOR DIE LOCATION CORRECTION IN DIGITAL LITHOGRAPHY
Actual physical locations of dies on a substrate package may be identified without using a full metrology scan of the substrate. Instead, one or more cameras may be used to efficiently locate the approximate location of any of the alignment features based on their expected positioning in the design file for the packages are substrate. The cameras may then be moved to locations where alignment features should be, and images may be captured to determine the actual location of the alignment feature. These actual locations of the alignment features may then be used to identify coordinates for the dies, as well as rotations and/or varying heights of the dies on the packages. A difference between the expected location from the design file and the actual physical location may be used to adjust instructions for the digital lithography system to compensate for the misalignment of the dies.
G03F 9/00 - Mise en registre ou positionnement d'originaux, de masques, de trames, de feuilles photographiques, de surfaces texturées, p.ex. automatique
G01B 11/27 - Dispositions pour la mesure caractérisées par l'utilisation de techniques optiques pour tester l'alignement des axes pour tester l'alignement des axes
A system comprising a spinning disk is disclosed. The system comprises a semiconductor processing system, such as a high energy implantation system. The semiconductor processing system produces a spot ion beam, which is directed to a plurality of workpieces, which are disposed on the spinning disk. The spinning disk comprises a rotating central hub with a plurality of platens. The spinning disk rotates about a central axis. The spinning disk is also translated linearly in a directional perpendicular to the central axis. The spot ion beam strikes the spinning disk at a distance from the central axis, referred to as the radius of impact. The rotation rate and the scan velocity may both vary inversely with the radius of impact.
Methods for depositing a film using a non-halide oxygen-free organometallic precursors are disclosed. The method includes forming the film on a substrate surface by exposing the surface to the precursor and a reducing agent, the precursor has a general formula (1): M-L1L2, wherein M is a metal, L1 is a first aromatic ligand having a hapticity selected from η3, η5, or η6, L2 is a ligand having a hapticity selected from of η3, η4, η5, η6, η7, η8, η9 or η10. The first aromatic ligand, L1, may include a structure according to formula (II)
Methods for depositing a film using a non-halide oxygen-free organometallic precursors are disclosed. The method includes forming the film on a substrate surface by exposing the surface to the precursor and a reducing agent, the precursor has a general formula (1): M-L1L2, wherein M is a metal, L1 is a first aromatic ligand having a hapticity selected from η3, η5, or η6, L2 is a ligand having a hapticity selected from of η3, η4, η5, η6, η7, η8, η9 or η10. The first aromatic ligand, L1, may include a structure according to formula (II)
Methods for depositing a film using a non-halide oxygen-free organometallic precursors are disclosed. The method includes forming the film on a substrate surface by exposing the surface to the precursor and a reducing agent, the precursor has a general formula (1): M-L1L2, wherein M is a metal, L1 is a first aromatic ligand having a hapticity selected from η3, η5, or η6, L2 is a ligand having a hapticity selected from of η3, η4, η5, η6, η7, η8, η9 or η10. The first aromatic ligand, L1, may include a structure according to formula (II)
wherein each of R1, R2, R3, R4, R5 and R6 is independently selected from a group consisting of H, methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl and iso-butyl. The ligand, L2, can be independently selected from a group consisting of hexa-1,3,5-triene, 2-methylene-1,3-propanediyl, 1,2-diethenylcyclohex-1-ene, cyclooctatetraene, cyclooctatetraenide anion, styrene, o-quinodimethane, phenyl thiocyanate, phenyl isothiocyanate, (3-methylphenyl)-methylene and derivatives thereof.
C07F 11/00 - Composés contenant des éléments des groupes 6 ou 16 de la classification périodique
C07F 15/00 - Composés contenant des éléments des groupes 8, 9, 10 ou 18 de la classification périodique
C09D 1/00 - Compositions de revêtement, p.ex. peintures, vernis ou vernis-laques, à base de substances inorganiques
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
C23C 16/18 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique à partir de composés organométalliques
72.
METHODS TO IMPROVE PROCESS WINDOW AND RESOLUTION FOR DIGITAL LITHOGRAPHY WITH TWO EXPOSURES
Embodiments described herein relate to methods of printing double exposure patterns in a lithography environment. The methods include determining a second exposure pattern to be exposed with a first exposure pattern in a lithography process. The second exposure pattern is determined with a rule-based process flow or a lithography model process flow.
Exemplary pixel structures are described that include a first light emitting diode structure, operable to generate blue light characterized by a peak emission wavelength of greater than or about 450 nm, and a second light emitting diode structure positioned on the first light emitting diode structure. The second light emitting diode structure is operable to generate ultraviolet light characterized by a peak emission wavelength of less than or about 380 nm. The pixel structures may also include a photoluminescent region, containing a photoluminescent material, that is positioned on the second light emitting diode structure.
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
74.
VAPOR PHASE THERMAL ETCH SOLUTIONS FOR METAL OXO PHOTORESISTS
Embodiments disclosed herein include methods of developing a metal oxo photoresist. In an embodiment, the method comprises providing a substrate with the metal oxo photoresist into a vacuum chamber, where the metal oxo photoresist comprises exposed regions and unexposed regions. In an embodiment, the unexposed regions comprise a higher carbon concentration than the exposed regions. The method may further comprise vaporizing a halogenating agent into the vacuum chamber, where the halogenating agent reacts with either the unexposed regions or the exposed regions to produce a volatile byproduct. In an embodiment, the method may further comprise purging the vacuum chamber.
H01L 21/3213 - Gravure physique ou chimique des couches, p.ex. pour produire une couche avec une configuration donnée à partir d'une couche étendue déposée au préalable
G03F 7/26 - Traitement des matériaux photosensibles; Appareillages à cet effet
C23F 4/02 - Procédés pour enlever des matériaux métalliques des surfaces, non couverts par le groupe ou par évaporation
A method of polishing a substrate includes polishing a conductive layer on the substrate at a polishing station, monitoring the layer with an in-situ eddy current monitoring system to generate a plurality of measured signals values for a plurality of different locations on the layer, generating thickness measurements the locations, and detecting a polishing endpoint or modifying a polishing parameter based on the thickness measurements. The conductive layer is formed of a first material having a first conductivity. Generating includes calculating initial thickness values based on the plurality of measured signals values and processing the initial thickness values through a neural network that was trained using training data acquired by measuring calibration substrates having a conductive layer formed of a second material having a second conductivity that is lower than the first conductivity to generated adjusted thickness values.
B24B 37/013 - Dispositifs ou moyens pour détecter la fin de l'opération de rodage
B24B 49/10 - Appareillage de mesure ou de calibrage pour la commande du mouvement d'avance de l'outil de meulage ou de la pièce à meuler; Agencements de l'appareillage d'indication ou de mesure, p.ex. pour indiquer le début de l'opération de meulage impliquant des dispositifs électriques
H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement
77.
SYNTHETIC TIME SERIES DATA ASSOCIATED WITH PROCESSING EQUIPMENT
A method includes providing a random or pseudo-random input to a first trained machine learning model trained to generate synthetic sensor time series data for a processing chamber. The method further includes providing first data indicative of one or more attributes of target synthetic sensor time series data to the first trained machine learning model. The method further includes receiving an output from the first trained machine learning model. The output includes synthetic sensor time series data associated with the processing chamber. The output is generated in view of the first data indicative of the one or more attributes.
Apparatus for extending substrate queue time for hybrid bonding by preserving plasma activation. In some embodiments, the apparatus may include an environmentally controllable space with a support for holding a die or a substrate, a gas velocity accelerator that recirculates one or more gases laterally across the support, a filter, a humidifier apparatus that is fluidly connected to the environmentally controllable space, wherein the humidifier apparatus enables controllable humidity levels within the environmentally controllable space, a pressurizing apparatus fluidly connected to the humidifier apparatus on an output and fluidly connected to at least one gas supply on an input, a relative humidity (RH) sensor positioned within the environmentally controllable space, and an environment controller in communication with at least the humidifier apparatus and the RH sensor, wherein the environment controller is configured to maintain an RH level of approximately 80% to approximately 95%.
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p.ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
79.
HEAT SHIELD ASSEMBLIES FOR MINIMIZING HEAT RADIATION TO PUMP OF PROCESS CHAMBER
Embodiments of heat shield assemblies for a processing chamber are provided herein. In some embodiments, a heat shield assembly for a processing chamber includes: a first shield comprising a circular plate; a second shield coupled to the first shield and in a parallel configuration with the first shield, wherein the second shield has an outer diameter greater than an outer diameter of the first shield and the second shield includes a central opening having a diameter smaller than an outer diameter of the first shield; and a third shield coupled to and in a parallel configuration with the second shield, wherein an outer diameter of the third shield is greater than the diameter of the central opening of the second shield.
C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement
Exemplary modular gas blocks may include a body having inlet and outlet ends. The body may define a portion of a first gas path along a length of the body and may define a second gas path along a width of the body. The first gas path may include channel segments defined within the body. The inlet end may define a gas inlet that is coupled with the first gas path. The body may define first fluid ports that are coupled with the first gas path. A fluid port of the first fluid ports may be coupled with the gas inlet. The first fluid ports may be coupled with one another via a respective channel segment. An upper surface may define a lateral fluid port that is spaced apart from a first fluid port along the width and is coupled with the first fluid port via the second gas path.
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
81.
TRANSISTOR DEVICES WITH MULTI-LAYER INTERLAYER DIELECTRIC STRUCTURES
A transistor device includes a channel region, a first source/drain region adjacent to a first end of the channel region and a second source/drain region adjacent to a second end of the channel region, a gate structure disposed on the channel region, the first source/drain region and the second source/drain region, and an interlayer dielectric (ILD) structure disposed on the gate structure. The ILD structure includes a first dielectric layer including a first set of sublayers. The first set of sublayers includes a first sublayer including a first dielectric material having a first hydrogen concentration and a second sublayer including the first dielectric material having a second hydrogen concentration lower than the first hydrogen concentration. The ILD structure further includes a second dielectric layer including a second set of sublayers. The second set of sublayers includes a third sublayer including a second dielectric material different from the first dielectric material.
Exemplary methods of coating a metal-containing component are described. The methods are developed to increase corrosion resistance and improve coating adhesion to a metal substrate. The methods include forming a bonding layer on a metal substrate, where the bonding layer includes an oxide of a metal in the metal substrate. The coating methods further include depositing a stress buffer layer on the bonding layer, where the stress buffer layer is characterized by a stress buffer layer coefficient of thermal expansion (CTE) that is less than a metal substrate CTE and a bonding layer CTE. The coating methods also include depositing an environmental barrier layer on the stress buffer layer, where a ratio of the metal substrate CTE to an environmental barrier layer CTE is greater than or about 20:1, and where the environmental barrier layer includes silicon oxide. The metal-containing components may be used in fabrication equipment for electronic devices.
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement
83.
EROSION RESISTANT METAL OXIDE COATINGS DEPOSITED BY ATOMIC LAYER DEPOSITION
Embodiments of the present disclosure relate to articles, coated articles and methods of coating such articles with a rare earth metal containing oxide coating. A method of co-depositing a rare earth metal containing oxide coating on a surface of an article is disclosed. The method includes contacting the article surface with a first or second metal containing precursor to form a partial metal adsorption layer of a first metal or a second metal. The method further includes contacting the partial metal adsorption layer with the first or second metal containing precursor to form a co-adsorption layer of the first metal and the second metal. The method further includes contacting the co-adsorption layer with a reactant to form the rare earth metal containing oxide coating.
C04B 35/48 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur composition; Compositions céramiques; Traitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base d'oxydes à base d'oxydes de zirconium ou d'hafnium ou de zirconates ou d'hafnates
C04B 35/50 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur composition; Compositions céramiques; Traitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base de composés de terres rares
C04B 35/505 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur composition; Compositions céramiques; Traitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base de composés de terres rares à base d'oxyde d'yttrium
C09D 1/00 - Compositions de revêtement, p.ex. peintures, vernis ou vernis-laques, à base de substances inorganiques
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
Exemplary modular gas blocks may include a body having inlet and outlet ends. The body may define a portion of a first gas path along a length of the body and may define a second gas path along a width of the body. The first gas path may include channel segments defined within the body. The inlet end may define a gas inlet that is coupled with the first gas path. The body may define first fluid ports that are coupled with the first gas path. A fluid port of the first fluid ports may be coupled with the gas inlet. The first fluid ports may be coupled with one another via a respective channel segment. An upper surface may define a lateral fluid port that is spaced apart from a first fluid port along the width and is coupled with the first fluid port via the second gas path.
F16L 41/03 - Ensembles de branchements, p.ex. d'une seule pièce, soudés à l'autogène, rivetés comportant des pièces d'assemblage pour quatre tuyaux ou plus
G05D 11/13 - Commande du rapport des débits de plusieurs matériaux fluides ou fluents caractérisée par l'usage de moyens électriques
B01F 25/43 - Tubes de mélange, p.ex. dans lesquels la matière est déplacée dans une direction radiale ou partiellement inversée
A method for removing particulates from a plurality of substrates includes opening a first access port in a top of a first container holding a cleaning fluid bath, inserting a first substrate through the first access port to a first support, closing the first access port, opening a second access port in the top of the first container, inserting a second substrate through the second access port to a second support, closing the second access port, opening the first access port, removing the first substrate through the first access port and delivering the first substrate into a rinsing station, closing the first access port, opening the second access port, removing the second substrate through the second access port and delivering the second substrate into the rinsing station, and closing the second access port.
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
B08B 3/08 - Nettoyage impliquant le contact avec un liquide le liquide ayant un effet chimique ou dissolvant
B08B 1/00 - Nettoyage par des procédés impliquant l'utilisation d'outils, de brosses ou d'éléments analogues
B08B 3/12 - Nettoyage impliquant le contact avec un liquide avec traitement supplémentaire du liquide ou de l'objet en cours de nettoyage, p.ex. par la chaleur, par l'électricité ou par des vibrations par des vibrations soniques ou ultrasoniques
H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p.ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
B08B 1/04 - Nettoyage par des procédés impliquant l'utilisation d'outils, de brosses ou d'éléments analogues utilisant des éléments actifs rotatifs
B08B 13/00 - Accessoires ou parties constitutives, d'utilisation générale, des machines ou appareils de nettoyage
B08B 7/04 - Nettoyage par des procédés non prévus dans une seule autre sous-classe ou un seul groupe de la présente sous-classe par une combinaison d'opérations
B65G 47/90 - Dispositifs pour saisir et déposer les articles ou les matériaux
B08B 3/02 - Nettoyage par la force de jets ou de pulvérisations
B08B 3/04 - Nettoyage impliquant le contact avec un liquide
B08B 3/14 - Enlèvement des déchets, p.ex. des étiquettes, se trouvant dans le liquide de nettoyage
A retaining ring comprises a generally annular body. The body comprises a top surface, a bottom surface, an outer surface connected to the top surface at an outer top perimeter and the bottom surface at an outer bottom perimeter, and an inner surface connected to the top surface at an inner top perimeter and the bottom surface at an inner bottom perimeter. The inner surface comprises seven or more planar facets. Adjacent planar facets are connected at corners. The inner bottom perimeter comprises straight edges of the planar facets connected at the corners.
A method of controlling polishing includes polishing a substrate, monitoring the substrate during polishing with an in-situ monitoring system, filtering a signal from the monitoring system to generate a filtered signal, and determining at least one of a polishing endpoint or an adjustment for a polishing rate from the filtered signal. The filtering includes modelling a plurality of periodic disturbances at a plurality of different frequencies using a plurality of disturbance states, modelling an underlying signal using a plant state, and applying a linear prediction filter to the plant state and the plurality of disturbance states to generate a filtered signal representing the underlying signal.
B24B 37/013 - Dispositifs ou moyens pour détecter la fin de l'opération de rodage
B24B 49/10 - Appareillage de mesure ou de calibrage pour la commande du mouvement d'avance de l'outil de meulage ou de la pièce à meuler; Agencements de l'appareillage d'indication ou de mesure, p.ex. pour indiquer le début de l'opération de meulage impliquant des dispositifs électriques
A structure is provided including a substrate and a tungsten-containing layer. The tungsten-containing layer includes a nucleation layer disposed on the substrate and a bulk layer is disposed over the nucleation layer. The nucleation layer includes tungsten and the bulk layer includes about 0.1% to about 20% atomic molybdenum. The tungsten-containing layer includes a film stress of about 350 MPa to about 450 MPa.
H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
H01L 23/532 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées caractérisées par les matériaux
C23C 16/14 - Dépôt d'un seul autre élément métallique
Lid separators for vacuum processing chamber lid separation and vacuum processing chambers incorporating same are provided herein. In some embodiments, a lid separator for a vacuum processing chamber includes: a shaft having a first end and an opposing second end, wherein the shaft is threaded along at least a first portion of the shaft; and a contact pad having an outer diameter greater than an outer diameter of the shaft, a recess disposed in a first side of the contact pad, and a central opening disposed through a second side of the contact pad, opposite the first side, and into the recess, wherein the shaft is coupled to the contact pad, wherein the first end of the shaft extends through the central opening and into the recess without reaching the first side of the contact pad, and wherein the first portion and the second end of the shaft extend away from the second side of the contact pad.
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
90.
HEAT SHIELD ASSEMBLIES FOR MINIMIZING HEAT RADIATION TO PUMP OF PROCESS CHAMBER
Embodiments of heat shield assemblies for a processing chamber are provided herein. In some embodiments, a heat shield assembly for a processing chamber includes: a first shield comprising a circular plate; a second shield coupled to the first shield and in a parallel configuration with the first shield, wherein the second shield has an outer diameter greater than an outer diameter of the first shield and the second shield includes a central opening having a diameter smaller than an outer diameter of the first shield; and a third shield coupled to and in a parallel configuration with the second shield, wherein an outer diameter of the third shield is greater than the diameter of the central opening of the second shield.
A body is brought into contact with a polishing pad of a polishing system, a polishing liquid is supplied to the polishing pad, relative motion between the body and the polishing pad is generated while the body contacts the polishing pad, a signal from an in-situ eddy current monitoring system during the relative motion while the body contacts the polishing pad, generating, and mechanical vibrations in the polishing system are detected based on a signal from the in-situ eddy current monitoring system.
B24B 49/10 - Appareillage de mesure ou de calibrage pour la commande du mouvement d'avance de l'outil de meulage ou de la pièce à meuler; Agencements de l'appareillage d'indication ou de mesure, p.ex. pour indiquer le début de l'opération de meulage impliquant des dispositifs électriques
B24B 37/26 - Tampons de rodage pour travailler les surfaces planes caractérisés par la forme ou le profil de la surface du tampon de rodage, p.ex. rainurée
92.
TRANSISTOR DEVICES WITH MULTI-LAYER INTERLAYER DIELECTRIC STRUCTURES
A transistor device includes a channel region, a first source/drain region adjacent to a first end of the channel region and a second source/drain region adjacent to a second end of the channel region, a gate structure disposed on the channel region, the first source/drain region and the second source/drain region, and an interlayer dielectric (ILD) structure disposed on the gate structure. The ILD structure includes a first dielectric layer including a first set of sublayers. The first set of sublayers includes a first sublayer including a first dielectric material having a first hydrogen concentration and a second sublayer including the first dielectric material having a second hydrogen concentration lower than the first hydrogen concentration. The ILD structure further includes a second dielectric layer including a second set of sublayers. The second set of sublayers includes a third sublayer including a second dielectric material different from the first dielectric material.
Described herein is a chamber component including a metal layer comprising nickel and a barrier layer of nickel oxide over the metal layer. The barrier layer of nickel oxide may be formed by ozone treating the chamber component with air, nitrogen or argon O2, O3 at a temperature from about 25° C. to about 350° C.
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
C23C 18/32 - Revêtement avec l'un des métaux fer, cobalt ou nickel; Revêtement avec des mélanges de phosphore ou de bore et de l'un de ces métaux
C23C 14/16 - Matériau métallique, bore ou silicium sur des substrats métalliques, en bore ou en silicium
C23C 18/16 - Revêtement chimique par décomposition soit de composés liquides, soit de solutions des composés constituant le revêtement, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement; Dépôt par contact par réduction ou par substitution, p.ex. dépôt sans courant électrique
Exemplary semiconductor processing chambers may include a chamber body. The chambers may include a showerhead. The chambers may include a substrate support. The substrate support may include a platen characterized by a first surface facing the showerhead. The substrate support may include a shaft coupled with the platen along a second surface of the platen opposite the first surface of the platen. The shaft may extend at least partially through the chamber body. A coating may extend conformally about the first surface of the platen. The coating may include a first layer of silicon proximate the first surface of the platen, and may include a second layer of material overlying the first layer of silicon.
Embodiments of link chamber for use in multi-chamber processing tools or systems are provided herein. In some embodiments, a link chamber for use in a multi-chamber processing tool includes: a link chamber body having a plurality of facets extending between a bottom plate and a top plate, wherein at least seven of the plurality of facets have a chamber opening to form a plurality of chamber openings, wherein the plurality of chamber openings are sized to pass a substrate therethrough, and wherein each of the plurality of chamber openings are configured to be coupled to a slit valve, a load lock chamber, a cover plate, a process chamber, or a second link chamber body.
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
H01L 21/677 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le transport, p.ex. entre différents postes de travail
96.
METAL DEPOSITION AND ETCH IN HIGH ASPECT-RATIO FEATURES
Exemplary methods of etching may include flowing a fluorine-containing precursor and a secondary gas into a processing region of a semiconductor processing chamber. The secondary gas may be or include oxygen or nitrogen. A flow rate ratio of the fluorine-containing precursor to the secondary gas may be greater than or about 1:1. The methods may include contacting a substrate with the fluorine-containing precursor and the secondary gas. The substrate may include an exposed metal. The substrate may define a high aspect-ratio structure. The methods may include etching the exposed metal within the high aspect-ratio structure.
H01L 21/3213 - Gravure physique ou chimique des couches, p.ex. pour produire une couche avec une configuration donnée à partir d'une couche étendue déposée au préalable
H10B 41/27 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes caractérisés par les agencements tridimensionnels, p ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p.ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p.ex. des canaux en forme de U
H10B 43/27 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par les agencements tridimensionnels, p ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p.ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p.ex. des canaux en forme de U
97.
SEMICONDUCTOR CHAMBER COMPONENTS WITH MULTI-LAYER COATING
Exemplary semiconductor processing chambers may include a chamber body. The chambers may include a showerhead. The chambers may include a substrate support. The substrate support may include a platen characterized by a first surface facing the showerhead. The substrate support may include a shaft coupled with the platen along a second surface of the platen opposite the first surface of the platen. The shaft may extend at least partially through the chamber body. A coating may extend conformally about the first surface of the platen. The coating may include a first layer of silicon proximate the first surface of the platen, and may include a second layer of material overlying the first layer of silicon.
H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p.ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
C23C 16/458 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour supporter les substrats dans la chambre de réaction
A structure is provided including a substrate and a tungsten-containing layer. The tungsten-containing layer includes a nucleation layer disposed on the substrate and a bulk layer is disposed over the nucleation layer. The nucleation layer includes tungsten and the bulk layer includes about 0.1% to about 20% atomic molybdenum. The tungsten-containing layer includes a film stress of about 350 MPa to about 450 MPa.
H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
H01L 23/532 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées caractérisées par les matériaux
H01L 21/285 - Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p.ex. condensation
C23C 16/04 - Revêtement de parties déterminées de la surface, p.ex. au moyen de masques
C23C 16/08 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique à partir d'halogénures métalliques
C23C 16/507 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques utilisant des décharges à radiofréquence utilisant des électrodes externes, p.ex. dans des réacteurs de type tunnel
99.
EDDY CURRENT MONITORING TO DETECT VIBRATION IN POLISHING
A body is brought into contact with a polishing pad of a polishing system, a polishing liquid is supplied to the polishing pad, relative motion between the body and the polishing pad is generated while the body contacts the polishing pad, a signal from an in-situ eddy current monitoring system during the relative motion while the body contacts the polishing pad, generating, and mechanical vibrations in the polishing system are detected based on a signal from the in-situ eddy current monitoring system.
B24B 49/10 - Appareillage de mesure ou de calibrage pour la commande du mouvement d'avance de l'outil de meulage ou de la pièce à meuler; Agencements de l'appareillage d'indication ou de mesure, p.ex. pour indiquer le début de l'opération de meulage impliquant des dispositifs électriques
B24B 57/02 - Dispositifs pour l'alimentation, l'application, le triage ou la récupération de produits de meulage, polissage ou rodage pour l'alimentation en produits de meulage, polissage ou rodage à l'état fluide, vaporisés, pulvérisés ou liquéfiés
B24B 47/12 - MACHINES, DISPOSITIFS OU PROCÉDÉS POUR MEULER OU POUR POLIR; DRESSAGE OU REMISE EN ÉTAT DES SURFACES ABRASIVES; ALIMENTATION DES MACHINES EN MATÉRIAUX DE MEULAGE, DE POLISSAGE OU DE RODAGE Équipement à cet effet pour entraîner dans leur mouvement de rotation ou de va-et-vient les arbres porte-meules ou les arbres porte-pièces par une transmission mécanique ou par l'énergie électrique
100.
COVER RING TO MITIGATE CARBON CONTAMINATION IN PLASMA DOPING CHAMBER
A plasma doping system including a plasma doping chamber, a platen mounted in the plasma doping chamber for supporting a workpiece, a source of ionizable gas coupled to the chamber, the ionizable gas containing a desired dopant for implantation into the workpiece, a plasma source for producing a plasma having a plasma sheath in a vicinity of the workpiece, the plasma containing positive ions of the ionizable gas, and accelerating said positive ions across the plasma sheath toward the platen for implantation into the workpiece, a shield ring surrounding the platen and adapted to extend the plasma sheath beyond an edge of the workpiece, and a cover ring disposed on top of the shield ring and adapted to mitigate sputtering of the shield ring, wherein the cover ring comprises a crystalline base layer and a non-crystalline top layer.
H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
H01J 37/317 - Tubes à faisceau électronique ou ionique destinés aux traitements localisés d'objets pour modifier les propriétés des objets ou pour leur appliquer des revêtements en couche mince, p.ex. implantation d'ions
