Abrégé

A method of manufacturing a microelectronic package with an integrally formed electromagnetic interference (“EMI”) shield and/or antenna is disclosed. The method comprises patterning a conductive structure to comprise a base, a plurality of interconnection elements, and a die attach area sized to receive a microelectronic element; bonding ends of the plurality of interconnection elements to a carrier; encapsulating the plurality of interconnection elements, and the microelectronic element with an encapsulant; removing the carrier to expose free ends of the plurality of interconnection elements; patterning the exposed outer surface of the conductive structure overlying the microelectronic element to form a portion of the EMI shield structure and/or an antenna. The portion of the EMI shield structure and/or antenna can be patterned to extend continuously from one or more of the plurality of interconnection elements.

Classes IPC  ?

• H01L 23/552 - Protection contre les radiations, p.ex. la lumière
• H01Q 1/38 - Forme structurale pour éléments rayonnants, p.ex. cône, spirale, parapluie formés par une couche conductrice sur un support isolant
• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements

Abrégé

A microelectronic device may include a substrate, a first chip on the substrate, and a second chip on the substrate. A plurality of pillars may be located between the first chip and the second chip, wherein a first end of each pillar of the plurality of pillars is adjacent to the substrate. A spacing among the plurality of pillars is at least equal to a distance sufficient to block electromagnetic interference (EMI) and/or radio frequency interference (RFI) between the first chip and the second chip. The microelectronic device may also include a cover over at least the first chip, the second chip, and the plurality of pillars, wherein a second end of each pillar of the plurality of pillars is at least adjacent to a trench defined within the cover. The trench may include a conductive material therein.

Classes IPC  ?

• H01L 23/552 - Protection contre les radiations, p.ex. la lumière
• H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 23/522 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées

Abrégé

A contact pad includes a solder-wettable porous network (310) which wicks the molten solder (130) and thus restricts the lateral spread of the solder, thus preventing solder bridging between adjacent contact pads.

Classes IPC  ?

• H05K 3/40 - Fabrication d'éléments imprimés destinés à réaliser des connexions électriques avec ou entre des circuits imprimés
• H05K 1/11 - Eléments imprimés pour réaliser des connexions électriques avec ou entre des circuits imprimés
• H05K 3/34 - Connexions soudées
• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements

Abrégé

Apparatus and method relating generally to an LED display is disclosed. In such an apparatus, a driver die has a plurality of driver circuits. A plurality of light-emitting diodes, each having a thickness of 10 microns or less and discrete with respect to one another, are respectively interconnected to the plurality of driver circuits. The plurality of light-emitting diodes includes a first portion for a first color, a second portion for a second color, and a third portion for a third color respectively obtained from a first, a second, and a third optical wafer. The first, the second, and the third color are different from one another.

Classes IPC  ?

• G09G 3/32 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED]
• G09G 3/20 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice
• H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique
• H01L 33/38 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes ayant une forme particulière

Abrégé

An apparatus relating generally to a substrate is disclosed. In this apparatus, a post extends from the substrate. The post includes a conductor member. An upper portion of the post extends above an upper surface of the substrate. An exterior surface of the post associated with the upper portion is in contact with a dielectric layer. The dielectric layer is disposed on the upper surface of the substrate and adjacent to the post to provide a dielectric collar for the post. An exterior surface of the dielectric collar is in contact with a conductor layer. The conductor layer is disposed adjacent to the dielectric collar to provide a metal collar for the post, where a top surface of each of the conductor member, the dielectric collar and the metal collar have formed thereon a bond structure for interconnection of the metal collar and the conductor member.

Classes IPC  ?

• H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
• H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

Abrégé

High yield substrate assembly. In accordance with a first method embodiment, a plurality of piggyback substrates are attached to a carrier substrate. The edges of the plurality of the piggyback substrates are bonded to one another. The plurality of piggyback substrates are removed from the carrier substrate to form a substrate assembly. The substrate assembly is processed to produce a plurality of integrated circuit devices on the substrate assembly. The processing may use manufacturing equipment designed to process wafers larger than individual instances of the plurality of piggyback substrates.

Classes IPC  ?

• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
• H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
• H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• H01L 23/544 - Marques appliquées sur le dispositif semi-conducteur, p.ex. marques de repérage, schémas de test

Abrégé

An interconnection component includes a semiconductor material layer having a first surface and a second surface opposite the first surface and spaced apart in a first direction. At least two metalized vias extend through the semiconductor material layer. A first pair of the at least two metalized vias are spaced apart from each other in a second direction orthogonal to the first direction. A first insulating via in the semiconductor layer extends from the first surface toward the second surface. The insulating via is positioned such that a geometric center of the insulating via is between two planes that are orthogonal to the second direction and that pass through each of the first pair of the at least two metalized vias. A dielectric material at least partially fills the first insulating via or at least partially encloses a void in the insulating via.

Classes IPC  ?

• H01L 23/522 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
• H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
• H01L 23/14 - Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles caractérisés par le matériau ou par ses propriétés électriques
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes

Abrégé

A microelectronic assembly including first and second laminated microelectronic elements is provided. A patterned bonding layer is disposed on a face of each of the first and second laminated microelectronic elements. The patterned bonding layers are mechanically and electrically bonded to form the microelectronic assembly.

Classes IPC  ?

• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

Abrégé

Vertical capacitors for microelectronics are provided. An example thin capacitor layer can provide one or numerous capacitors to a semiconductor chip or integrated circuit. In an implementation, a thin capacitor layer of 50-100 μm thickness may have 5000 vertically disposed capacitor plates per linear centimeter, while occupying only a thin slice of the package. Electrodes for each capacitor plate are accessible at multiple surfaces. Electrode density for very fine pitch interconnects can be in the range of 2-200 μm separation between electrodes. A redistribution layer (RDL) may be fabricated on one or both sides of the thin capacitor layer to provide fan-out ball grid arrays that occupy insignificant space. RDLs or through-vias can connect together sets of the interior vertical capacitor plates within a given thin capacitor layer to form various capacitors from the plates to meet the needs of particular chips, dies, integrated circuits, and packages.

Classes IPC  ?

• H01L 23/522 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
• H01L 23/66 - Adaptations pour la haute fréquence
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des groupes principaux , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. circuit hybrides
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes
• H01L 49/02 - Dispositifs à film mince ou à film épais
• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

Abrégé

An integrated circuit (IC) package includes a first substrate having a backside surface and a top surface with a cavity disposed therein. The cavity has a floor defining a front side surface. A plurality of first electroconductive contacts are disposed on the front side surface, and a plurality of second electroconductive contacts are disposed on the back side surface. A plurality of first electroconductive elements penetrate through the first substrate and couple selected ones of the first and second electroconductive contacts to each other. A first die containing an IC is electroconductively coupled to corresponding ones of the first electroconductive contacts. A second substrate has a bottom surface that is sealingly attached to the top surface of the first substrate, and a dielectric material is disposed in the cavity so as to encapsulate the first die.

Classes IPC  ?

• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
• H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des groupes principaux , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. circuit hybrides
• H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes
• H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
• H01L 23/13 - Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles caractérisés par leur forme
• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 23/10 - Conteneurs; Scellements caractérisés par le matériau ou par la disposition des scellements entre les parties, p.ex. entre le couvercle et la base ou entre les connexions et les parois du conteneur
• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/14 - Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles caractérisés par le matériau ou par ses propriétés électriques

Abrégé

Each of a first and a second integrated circuit structures has hole(s) in the top surface, and capacitors at least partially located in the holes. A semiconductor die is attached to the top surface of the second structure. Then the first and second structures are bonded together so that the die becomes disposed in the first structure's cavity, and the holes of the two structures are aligned to electrically connect the respective capacitors to each other. A filler is injected into the cavity through one or more channels in the substrate of the first structure. Other embodiments are also provided.

Classes IPC  ?

• H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
• H01L 49/02 - Dispositifs à film mince ou à film épais
• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 25/10 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs ayant des conteneurs séparés
• H01L 25/11 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs ayant des conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des groupes principaux , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. circuit hybrides
• H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/522 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants

Abrégé

In a microelectronic component having conductive vias (114) passing through a substrate (104) and protruding above the substrate, one or more conductive features (120E.A, 120E.B, or both) are provided above the substrate that wrap around the conductive vias' protrusions (114′) to form capacitors, electromagnetic shields, and possibly other elements. Other features and embodiments are also provided.

Classes IPC  ?

• H01L 23/04 - Conteneurs; Scellements caractérisés par la forme
• H01L 23/52 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
• H01L 23/522 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
• H01L 49/02 - Dispositifs à film mince ou à film épais
• H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
• H01L 21/8234 - Technologie MIS

Abrégé

Apparatus(es) and method(s) relate generally to via arrays on a substrate. In one such apparatus, the substrate has a conductive layer. First plated conductors are in a first region extending from a surface of the conductive layer. Second plated conductors are in a second region extending from the surface of the conductive layer. The first plated conductors and the second plated conductors are external to the first substrate. The first region is disposed at least partially within the second region. The first plated conductors are of a first height. The second plated conductors are of a second height greater than the first height. A second substrate is coupled to first ends of the first plated conductors. The second substrate has at least one electronic component coupled thereto. A die is coupled to second ends of the second plated conductors. The die is located over the at least one electronic component.

Classes IPC  ?

• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/367 - Refroidissement facilité par la forme du dispositif
• H01L 23/42 - Choix ou disposition de matériaux de remplissage ou de pièces auxiliaires dans le conteneur pour faciliter le chauffage ou le refroidissement
• H01L 23/522 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
• H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes
• H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des groupes principaux , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. circuit hybrides
• H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• B81C 1/00 - Fabrication ou traitement de dispositifs ou de systèmes dans ou sur un substrat
• H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
• B81B 7/00 - Systèmes à microstructure
• H01L 49/02 - Dispositifs à film mince ou à film épais

Abrégé

An interconnect element includes a semiconductor or insulating material layer that has a first thickness and defines a first surface; a thermally conductive layer; a plurality of conductive elements; and a dielectric coating. The thermally conductive layer includes a second thickness of at least 10 microns and defines a second surface of the interconnect element. The plurality of conductive elements extend from the first surface of the interconnect element to the second surface of the interconnect element. The dielectric coating is between at least a portion of each conductive element and the thermally conductive layer.

Classes IPC  ?

• H05K 1/09 - Emploi de matériaux pour réaliser le parcours métallique
• H05K 1/11 - Eléments imprimés pour réaliser des connexions électriques avec ou entre des circuits imprimés
• H05K 3/38 - Amélioration de l'adhérence entre le substrat isolant et le métal
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes
• H01L 23/52 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
• H01L 23/522 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
• H01L 23/532 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées caractérisées par les matériaux
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
• H01L 23/373 - Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif
• H01L 23/367 - Refroidissement facilité par la forme du dispositif
• H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
• H01L 23/36 - Emploi de matériaux spécifiés ou mise en forme, en vue de faciliter le refroidissement ou le chauffage, p.ex. dissipateurs de chaleur

Abrégé

A method for making a microelectronic unit includes forming a plurality of wire bonds on a first surface in the form of a conductive bonding surface of a structure comprising a patternable metallic element. The wire bonds are formed having bases joined to the first surface and end surfaces remote from the first surface. The wire bonds have edge surfaces extending between the bases and the end surfaces. The method also includes forming a dielectric encapsulation layer over a portion of the first surface of the conductive layer and over portions of the wire bonds such that unencapsulated portions of the wire bonds are defined by end surfaces or portions of the edge surfaces that are uncovered by the encapsulation layer. The metallic element is patterned to form first conductive elements beneath the wire bonds and insulated from one another by portions of the encapsulation layer.

Classes IPC  ?

• H01L 23/522 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
• H05K 3/40 - Fabrication d'éléments imprimés destinés à réaliser des connexions électriques avec ou entre des circuits imprimés
• H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 25/10 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs ayant des conteneurs séparés
• H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
• H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif

Abrégé

Representative implementations of devices and techniques provide a hybrid interposer for 3D or 2.5D package arrangements. A quantity of pockets is formed on a surface of a carrier in a predetermined pattern. The pockets are filled with a reflowable conductive material. Chip dice are coupled to the interposer carrier by fixing terminals of the dice into the pockets. The carrier may include topside and backside redistribution layers to provide fanout for the chip dice, for coupling the interposer to another carrier, board, etc. having a pitch greater than that of the chip dice.

Classes IPC  ?

• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes
• H01L 23/13 - Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles caractérisés par leur forme
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition

Abrégé

HD color video using monochromatic CMOS image sensors integrated in a 3D package is provided. An example 3DIC package for color video includes a beam splitter to partition received light of an image stream into multiple light outputs. Multiple monochromatic CMOS image sensors are each coupled to one of the multiple light outputs to sense a monochromatic image stream at a respective component wavelength of the received light. Each monochromatic CMOS image sensor is specially constructed, doped, controlled, and tuned to its respective wavelength of light. A parallel processing integrator or interposer chip heterogeneously combines the respective monochromatic image streams into a full-spectrum color video stream, including parallel processing of an infrared or ultraviolet stream. The parallel processing of the monochromatic image streams provides reconstruction to HD or 4K HD color video at low light levels. Parallel processing to one interposer chip also enhances speed, spatial resolution, sensitivity, low light performance, and color reconstruction.

Classes IPC  ?

• G06T 1/20 - Architectures de processeurs; Configuration de processeurs p.ex. configuration en pipeline
• H01L 31/028 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des éléments du groupe IV de la classification périodique
• H04N 9/43 - Conversion de signaux d'image monochrome en signaux d'image en couleurs pour visualiser une image en couleurs
• G02B 27/10 - Systèmes divisant ou combinant des faisceaux
• H01L 27/146 - Structures de capteurs d'images
• H01L 31/0232 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails - Détails Éléments ou dispositions optiques associés au dispositif
• H01L 31/0296 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIBVI, p.ex. CdS, ZnS, HgCdTe
• H01L 31/0304 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
• H01L 31/032 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés non couverts par les groupes
• H04N 5/33 - Transformation des rayonnements infrarouges
• H04N 5/374 - Capteurs adressés, p.ex. capteurs MOS ou CMOS
• H04N 9/04 - Générateurs de signaux d'image
• H04N 9/097 - Dispositions optiques associées aux dispositifs analyseurs, p.ex. pour partager des faisceaux, pour corriger la couleur
• H04N 9/76 - Circuits pour le traitement de signaux de couleur pour obtenir des effets particuliers pour le mélange de signaux de couleur

Abrégé

Methods and apparatuses for stacking devices in an integrated circuit assembly are provided. A tray for supporting multiple dies of a semiconductor material enables both top side processing and bottom side processing of the dies. The dies can be picked and placed for bonding on a substrate or on die stacks without flipping the dies, thereby avoiding particulate debris from the diced edges of the dies from interfering and contaminating the bonding process. In an implementation, a liftoff apparatus directs a pneumatic flow of gas to lift the dies from the tray for bonding to a substrate, and to previously bonded dies, without flipping the dies. An example system allows processing of both top and bottom surfaces of the dies in a single cycle in preparation for bonding, and then pneumatically lifts the dies up to a target substrate so that top sides of the dies bond to bottom sides of dies of the previous batch, in an efficient and flip-free assembly of die stacks.

Classes IPC  ?

• H01L 21/76 - Réalisation de régions isolantes entre les composants
• H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
• H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe

Abrégé

Laminated interposers and packages, with embedded trace interconnects are provided. An example process for making an interposer or package achieves vertical conductive vias in the package by depositing conductive traces on multiple wafers or panes, then laminating these substrates into a stack, thereby embedding the conductive traces. The laminated stack is sliced to dimensions of an interposer or electronic package. A side of the sliced stack is then used as the top of the interposer or package, rendering some of the horizontally laid traces into vertical conductive vias. The interposer or package can be finished or developed by adding redistribution layers on the top and bottom surfaces, and active and passive components. Electronic components can also be embedded in the laminated stack. Some of the stack layers can be active dies, such as memory controllers, memory storage arrays, and processors, to form a memory subsystem or self-contained computing device.

Classes IPC  ?

• H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 23/552 - Protection contre les radiations, p.ex. la lumière
• H01L 25/10 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs ayant des conteneurs séparés
• H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/66 - Adaptations pour la haute fréquence
• H01L 23/36 - Emploi de matériaux spécifiés ou mise en forme, en vue de faciliter le refroidissement ou le chauffage, p.ex. dissipateurs de chaleur
• H05K 1/03 - Emploi de matériaux pour réaliser le substrat
• H05K 1/18 - Circuits imprimés associés structurellement à des composants électriques non imprimés
• H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des groupes principaux , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. circuit hybrides

Abrégé

Methods of forming flipped radio frequency (RF) filter components are provided. An example method for miniaturizing conventional planar RF filters comprises: determining radio frequency (RF) filtering characteristics of a conventional planar microstrip RF filter or a conventional stripline RF filter, determining distributed RF filter elements for emulating the RF filtering characteristics of the conventional planar microstrip RF filter or the conventional stripline RF filter, creating each distributed RF filter element on a substrate, laminating a stack of the distributed RF filter elements into a single solid RF filter module; and mounting the single solid RF filter module on a horizontal substrate to vertically dispose the distributed RF filter elements of the stack. The methods create laminated stacks of distributed RF filter elements that provide a dramatic reduction in size over the horizontal planar RF filters that they replace. Deposited conductive traces of an example flipped RF filter stack provide various stub configurations of an RF filter and emulate various distributed filter elements and their configuration geometries.

Classes IPC  ?

• H05K 1/18 - Circuits imprimés associés structurellement à des composants électriques non imprimés
• H01P 1/203 - Filtres triplaque
• H05K 1/16 - Circuits imprimés comprenant des composants électriques imprimés incorporés, p.ex. une résistance, un condensateur, une inductance imprimés
• H01P 11/00 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de guides d'ondes, résonateurs, lignes ou autres dispositifs du type guide d'ondes
• H05K 1/02 - Circuits imprimés - Détails
• H05K 3/46 - Fabrication de circuits multi-couches

Abrégé

A microelectronic assembly (300) or system (1500) includes at least one microelectronic package (100) having a microelectronic element (130) mounted face up above a first surface (108) of a substrate (102), one or more columns (138, 140) of contacts (132) extending in a first direction (142) along the microelectronic element front face. Columns (104A, 105B, 107A, 107B) of terminals (105 107) exposed at a second surface (110) of the substrate extend in the first direction. First terminals (105) exposed at surface (110) in a central region (112) thereof having width (152) not more than three and one-half times a minimum pitch (150) of the columns of terminals can be configured to carry address information usable to determine an addressable memory location. An axial plane of the microelectronic element can intersect the central region.

Classes IPC  ?

• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 25/10 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs ayant des conteneurs séparés
• H05K 1/18 - Circuits imprimés associés structurellement à des composants électriques non imprimés
• H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• G11C 5/06 - Dispositions pour interconnecter électriquement des éléments d'emmagasinage
• H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• G06F 1/18 - Installation ou distribution d'énergie
• H01L 23/367 - Refroidissement facilité par la forme du dispositif
• H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
• H01L 23/50 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes pour des dispositifs à circuit intégré
• H05K 1/02 - Circuits imprimés - Détails
• H01L 23/36 - Emploi de matériaux spécifiés ou mise en forme, en vue de faciliter le refroidissement ou le chauffage, p.ex. dissipateurs de chaleur
• H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
• H01L 23/525 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées avec des interconnexions modifiables
• H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements

Abrégé

The invention pertains to semiconductor memories, and more particularly to enhancing the reliability of stacked memory devices. Apparatuses and methods are described for implementing RAID-style error correction to increase the reliability of the stacked memory devices.

Classes IPC  ?

• G11C 7/00 - Dispositions pour écrire une information ou pour lire une information dans une mémoire numérique
• G06F 11/10 - Détection ou correction d'erreur par introduction de redondance dans la représentation des données, p.ex. en utilisant des codes de contrôle en ajoutant des chiffres binaires ou des symboles particuliers aux données exprimées suivant un code, p.ex. contrôle de parité, exclusion des 9 ou des 11
• G11C 29/52 - Protection du contenu des mémoires; Détection d'erreurs dans le contenu des mémoires
• G11C 5/02 - Disposition d'éléments d'emmagasinage, p.ex. sous la forme d'une matrice
• G11C 29/42 - Dispositifs de vérification de réponse utilisant des codes correcteurs d'erreurs [ECC] ou un contrôle de parité
• G11C 29/44 - Indication ou identification d'erreurs, p.ex. pour la réparation
• G11C 29/00 - Vérification du fonctionnement correct des mémoires; Test de mémoires lors d'opération en mode de veille ou hors-ligne
• H03M 13/29 - Codage, décodage ou conversion de code pour détecter ou corriger des erreurs; Hypothèses de base sur la théorie du codage; Limites de codage; Méthodes d'évaluation de la probabilité d'erreur; Modèles de canaux; Simulation ou test des codes combinant plusieurs codes ou structures de codes, p.ex. codes de produits, codes de produits généralisés, codes concaténés, codes interne et externe
• G11C 5/04 - Supports pour éléments d'emmagasinage; Montage ou fixation d'éléments d'emmagasinage sur de tels supports
• G11C 11/401 - Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments électriques utilisant des dispositifs à semi-conducteurs utilisant des transistors formant des cellules nécessitant un rafraîchissement ou une régénération de la charge, c. à d. cellules dynamiques

Abrégé

Representative implementations of devices and techniques provide interconnect structures and components for coupling various carriers, printed circuit board (PCB) components, integrated circuit (IC) dice, and the like, using tall and/or fine pitch physical connections. Multiple layers of conductive structures or materials are arranged to form the interconnect structures and components. Nonwettable barriers may be used with one or more of the layers to form a shape, including a pitch of one or more of the layers.

Classes IPC  ?

• H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H05K 3/34 - Connexions soudées

Abrégé

A component such as an interposer or microelectronic element can be fabricated with a set of vertically extending interconnects of wire bond structure. Such method may include forming a structure having wire bonds extending in an axial direction within one of more openings in an element and each wire bond spaced at least partially apart from a wall of the opening within which it extends, the element consisting essentially of a material having a coefficient of thermal expansion (“CTE”) of less than 10 parts per million per degree Celsius (“ppm/° C.”). First contacts can then be provided at a first surface of the component and second contacts provided at a second surface of the component facing in a direction opposite from the first surface, the first contacts electrically coupled with the second contacts through the wire bonds.

Classes IPC  ?

• H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
• H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes
• H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
• H01L 23/373 - Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif

Abrégé

A microelectronic assembly can include a microelectronic package connected with a circuit panel. The package has a microelectronic element having a front face facing away from a substrate of the package, and electrically connected with the substrate through conductive structure extending above the front face. First terminals provided in first and second parallel grids or in first and second individual columns can be configured to carry address information usable to determine an addressable memory location from among all the available addressable memory locations of the memory storage array. The first terminals in the first grid can have signal assignments which are a mirror image of the signal assignments of the first terminals in the second grid.

Classes IPC  ?

• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• G11C 5/04 - Supports pour éléments d'emmagasinage; Montage ou fixation d'éléments d'emmagasinage sur de tels supports
• G11C 5/06 - Dispositions pour interconnecter électriquement des éléments d'emmagasinage
• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/13 - Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles caractérisés par leur forme
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 23/50 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes pour des dispositifs à circuit intégré
• H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
• G11C 8/18 - Circuits de synchronisation ou d'horloge; Génération ou gestion de signaux de commande d'adresse, p.ex. pour des signaux d'échantillonnage d'adresse de ligne [RAS] ou d'échantillonnage d'adresse de colonne [CAS]
• H01L 23/02 - Conteneurs; Scellements

Abrégé

An interconnection component includes a semiconductor material layer having a first surface and a second surface opposite the first surface and spaced apart in a first direction. At least two metalized vias extend through the semiconductor material layer. A first pair of the at least two metalized vias are spaced apart from each other in a second direction orthogonal to the first direction. A first insulating via in the semiconductor layer extends from the first surface toward the second surface. The insulating via is positioned such that a geometric center of the insulating via is between two planes that are orthogonal to the second direction and that pass through each of the first pair of the at least two metalized vias. A dielectric material at least partially fills the first insulating via or at least partially encloses a void in the insulating via.

Classes IPC  ?

• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes
• H01L 23/14 - Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles caractérisés par le matériau ou par ses propriétés électriques
• H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
• H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 23/522 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées

Abrégé

Apparatuses relating generally to a substrate are disclosed. In such an apparatus, first wire bond wires (“first wires”) extend from a surface of the substrate. Second wire bond wires (“second wires”) extend from the surface of the substrate. The first wires and the second wires are external to the substrate. The first wires are disposed at least partially within the second wires. The first wires are of a first height. The second wires are of a second height greater than the first height for coupling of at least one electronic component to the first wires at least partially disposed within the second wires.

Classes IPC  ?

• B81B 7/00 - Systèmes à microstructure
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes
• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/42 - Choix ou disposition de matériaux de remplissage ou de pièces auxiliaires dans le conteneur pour faciliter le chauffage ou le refroidissement
• H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
• H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des groupes principaux , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. circuit hybrides
• H01L 49/02 - Dispositifs à film mince ou à film épais
• H01L 23/367 - Refroidissement facilité par la forme du dispositif
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 23/522 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
• H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe

Abrégé

Fan-out wafer level packages with resist vias are provided. In an implementation, an example wafer level process or panel fabrication process includes adhering a die to a carrier, applying a temporary resist layer over the die and the carrier, developing the resist layer to form channels or spaces, filling the channels or the spaces with a molding material, removing the remaining resist to create vias in the molding material, and metalizing the vias in the molding material to provide conductive vias for the microelectronics package. The methods automatically create good via and pad alignment. In another implementation, an example process includes adhering a die to a carrier, applying a permanent resist layer over the die and the carrier, developing the resist layer to form vias in the resist layer, and metalizing the vias in the remaining resist of the permanent resist layer to provide conductive vias for the microelectronics package. Assemblies may be constructed with the semiconductor dies face-up or face-down. One or more redistribution layers (RDLs) may be built on one or both sides of an assembly with resist vias.

Classes IPC  ?

• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes
• H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
• H01L 21/78 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
• H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
• H01L 25/10 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs ayant des conteneurs séparés
• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
• H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition

Abrégé

A method for making an interconnection component includes forming a mask layer that covers a first opening in a sheet-like element that includes a first opening extending between the first and second surfaces of the element. The element consists essentially of a material having a coefficient of thermal expansion of less than 10 parts per million per degree Celsius. The first opening includes a central opening and a plurality of peripheral openings open to the central opening that extends in an axial direction of the central opening. A conductive seed layer can cover an interior surface of the first opening. The method further includes forming a first mask opening in at least a portion of the mask layer overlying the first opening to expose portions of the conductive seed layer within the peripheral openings; and forming electrical conductors on exposed portions of the conductive seed layer.

Classes IPC  ?

• H01K 3/10 - Machines à cet effet
• H05K 1/02 - Circuits imprimés - Détails
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H05K 1/11 - Eléments imprimés pour réaliser des connexions électriques avec ou entre des circuits imprimés
• H05K 3/42 - Trous de passage métallisés
• H01R 12/71 - Dispositifs de couplage pour circuits imprimés rigides ou structures similaires

Abrégé

A low resistance metal is charged into holes formed in a semiconductor substrate to thereby form through electrodes. Post electrodes of a wiring-added post electrode component connected together by a support portion thereof are simultaneously fixed to and electrically connected to connection regions formed on an LSI chip. On the front face side, after resin sealing, the support portion is separated so as to expose front face wiring traces. On the back face side, the semiconductor substrate is grounded so as to expose tip ends of the through electrodes. The front face wiring traces exposed to the front face side and the tip ends of the through electrodes exposed to the back face side are used as wiring for external connection.

Classes IPC  ?

• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
• H01L 23/532 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées caractérisées par les matériaux
• H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
• H01L 23/522 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées

Abrégé

A microelectronic assembly includes a first microelectronic package having a substrate with first and second opposed surfaces and substrate contacts thereon. The first package further includes first and second microelectronic elements, each having element contacts electrically connected with the substrate contacts and being spaced apart from one another on the first surface so as to provide an interconnect area of the first surface between the first and second microelectronic elements. A plurality of package terminals at the second surface are electrically interconnected with the substrate contacts for connecting the package with a component external thereto. A plurality of stack terminals are exposed at the first surface in the interconnect area for connecting the package with a component overlying the first surface of the substrate. The assembly further includes a second microelectronic package overlying the first microelectronic package and having terminals joined to the stack terminals of the first microelectronic package.

Classes IPC  ?

• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 25/10 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs ayant des conteneurs séparés
• B81C 1/00 - Fabrication ou traitement de dispositifs ou de systèmes dans ou sur un substrat
• H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 23/13 - Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles caractérisés par leur forme
• H01L 23/367 - Refroidissement facilité par la forme du dispositif

Abrégé

The invention pertains to non-volatile memory devices, and more particularly to advantageously encoding data in non-volatile devices in a flexible manner by both NVM manufacturers and NVM users. Multiple methods of preferred state encoding (PSE) and/or error correction code (ECC) encoding may be used in different pages or blocks in the same NVM device for different purposes which may be dependent on the nature of the data to be stored.

Classes IPC  ?

• G11C 29/00 - Vérification du fonctionnement correct des mémoires; Test de mémoires lors d'opération en mode de veille ou hors-ligne
• G06F 11/10 - Détection ou correction d'erreur par introduction de redondance dans la représentation des données, p.ex. en utilisant des codes de contrôle en ajoutant des chiffres binaires ou des symboles particuliers aux données exprimées suivant un code, p.ex. contrôle de parité, exclusion des 9 ou des 11
• G06F 3/06 - Entrée numérique à partir de, ou sortie numérique vers des supports d'enregistrement
• G11C 29/52 - Protection du contenu des mémoires; Détection d'erreurs dans le contenu des mémoires
• G11C 29/04 - Détection ou localisation d'éléments d'emmagasinage défectueux

Abrégé

A method for making a microelectronic unit includes forming a plurality of wire bonds on a first surface in the form of a conductive bonding surface of a structure comprising a patternable metallic element. The wire bonds are formed having bases joined to the first surface and end surfaces remote from the first surface. The wire bonds have edge surfaces extending between the bases and the end surfaces. The method also includes forming a dielectric encapsulation layer over a portion of the first surface of the conductive layer and over portions of the wire bonds such that unencapsulated portions of the wire bonds are defined by end surfaces or portions of the edge surfaces that are unconvered by the encapsulation layer. The metallic element is patterned to form first conductive elements beneath the wire bonds and insulated from one another by portions of the encapsulation layer.

Classes IPC  ?

• H01L 23/522 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
• H01L 25/10 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs ayant des conteneurs séparés
• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
• H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
• H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
• H05K 3/40 - Fabrication d'éléments imprimés destinés à réaliser des connexions électriques avec ou entre des circuits imprimés

Abrégé

In a microelectronic component having conductive vias (114) passing through a substrate (104) and protruding above the substrate, conductive features (120E.A, 120E.B) are provided above the substrate that wrap around the conductive vias' protrusions (114′) to form capacitors, electromagnetic shields, and possibly other elements. Other features and embodiments are also provided.

Classes IPC  ?

• H01L 23/04 - Conteneurs; Scellements caractérisés par la forme
• H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
• H01L 23/52 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
• H01L 23/522 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
• H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
• H01L 49/02 - Dispositifs à film mince ou à film épais
• H01L 21/8234 - Technologie MIS

Abrégé

A device with thermal control is presented. In some embodiments, the device includes a plurality of die positioned in a stack, each die including a chip, interconnects through a thickness of the chip, metal features of electrically conductive composition connected to the interconnects on a bottom side of the chip, and adhesive or underfill layer on the bottom side of the chip. At least one thermally conducting layer, which can be a pyrolytic graphite layer, a layer formed of carbon nanotubes, or a graphene layer, is coupled between a top side of one of the plurality of die and a bottom side of an adjoining die in the stack. A heat sink can be coupled to the thermally conducting layer.

Classes IPC  ?

• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 23/36 - Emploi de matériaux spécifiés ou mise en forme, en vue de faciliter le refroidissement ou le chauffage, p.ex. dissipateurs de chaleur
• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/367 - Refroidissement facilité par la forme du dispositif
• H01L 23/373 - Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif
• H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

Abrégé

Apparatus, and corresponding method, relates generally to a microelectronic device. In such an apparatus, a first conductive layer is for providing a lower interior surface of a circuit structure. A plurality of wire bond wires are interconnected to the lower interior surface and spaced apart from one another for providing at least one side of the circuit structure. A second conductive layer is for providing an upper interior surface of the circuit structure spaced apart from the lower interior surface by and interconnected to the plurality of wire bond wires. The plurality of wire bond wires, the first conductive layer and the second conductive layer in combination define at least one opening in the at least one side for a signal port of the circuit structure. Such circuit structure may be a signal guide circuit structure, such as for a signal waveguide or signal cavity for example.

Classes IPC  ?

• H01P 1/207 - Filtres en forme de guides d'ondes creux
• H05K 1/02 - Circuits imprimés - Détails
• H05K 3/30 - Assemblage de circuits imprimés avec des composants électriques, p.ex. avec une résistance
• H01P 1/208 - Cavités en cascade; Résonateurs en cascade situés à l'intérieur d'une structure en forme de guide d'ondes creux
• H01P 3/12 - Guides d'ondes creux
• H01P 1/39 - Circulateurs à guide d'ondes creux
• H01P 5/19 - Dispositifs à accès conjugués, c. à d. dispositifs présentant au moins un accès découplé d'un autre accès du type à jonction
• H01P 7/06 - Résonateurs à cavité
• H01P 11/00 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de guides d'ondes, résonateurs, lignes ou autres dispositifs du type guide d'ondes
• H01Q 13/18 - Antennes à fentes résonnantes la fente étant adossée à, ou formée par, une paroi limite d'une cavité résonnante

Abrégé

In a method for forming a microelectronic device, a substrate is loaded into a mold press. The substrate has a first surface and a second surface. The second surface is placed on an interior lower surface of the mold press. The substrate has a plurality of wire bond wires extending from the first surface toward an interior upper surface of the mold press. An upper surface of a mold film is indexed to the interior upper surface of the mold press. A lower surface of the mold film is punctured with tips of the plurality of wire bond wires for having the tips of the plurality of wire bond wires extending above the lower surface of the mold film into the mold film. The tips of the plurality of wire bond wires are pressed down toward the lower surface of the mold film to bend the tips over.

Classes IPC  ?

• H05K 3/28 - Application de revêtements de protection non métalliques
• H05K 3/10 - Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés dans lesquels le matériau conducteur est appliqué au support isolant de manière à former le parcours conducteur recherché
• H05K 1/02 - Circuits imprimés - Détails
• H05K 3/00 - Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés
• B29C 45/14 - Moulage par injection, c. à d. en forçant un volume déterminé de matière à mouler par une buse d'injection dans un moule fermé; Appareils à cet effet en incorporant des parties ou des couches préformées, p.ex. moulage par injection autour d'inserts ou sur des objets à recouvrir
• H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
• B29L 31/34 - Appareils électriques, p.ex. bougies ou leurs parties constitutives

Abrégé

A foldable microelectronic assembly and a method for forming the same are provided. One or more packages comprising encapsulated microelectronic elements are formed, along with a compliant layer. The packages and the compliant layer are coupled to a redistribution layer. The compliant layer and the redistribution layer are bent such that the redistribution layer is non-planar.

Classes IPC  ?

• H01L 23/495 - Cadres conducteurs
• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
• H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes

Abrégé

An adhesive with self-connecting interconnects is provided. The adhesive layer provides automatic 3D joining of microelectronic components with a conductively self-adjusting anisotropic matrix. In an implementation, the adhesive matrix automatically makes electrical connections between two surfaces that have opposing electrical contacts, and bonds the two surfaces together. Conductive members in the adhesive matrix are aligned to automatically establish electrical connections between at least partially aligned contacts on each of the two surfaces while providing nonconductive adhesion between parts of the two surfaces lacking aligned contacts. An example method includes forming an adhesive matrix between two surfaces to be joined, including conductive members anisotropically aligned in an adhesive medium, then pressing the two surfaces together to automatically connect corresponding electrical contacts that are at least partially aligned on the two surfaces. The adhesive medium in the matrix secures the two surfaces together.

Classes IPC  ?

• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

Abrégé

Dies (110) with integrated circuits are attached to a wiring substrate (120), possibly an interposer, and are protected by a protective substrate (410) attached to a wiring substrate. The dies are located in cavities in the protective substrate (the dies may protrude out of the cavities). In some embodiments, each cavity surface puts pressure on the die to strengthen the mechanical attachment of the die the wiring substrate, to provide good thermal conductivity between the dies and the ambient (or a heat sink), to counteract the die warpage, and possibly reduce the vertical size. The protective substrate may or may not have its own circuitry connected to the dies or to the wiring substrate. Other features are also provided.

Classes IPC  ?

• H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 23/055 - Conteneurs; Scellements caractérisés par la forme le conteneur étant une structure creuse ayant une base isolante qui sert de support pour le corps semi-conducteur les connexions ayant un passage à travers la base
• H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
• H01L 21/288 - Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes à partir d'un liquide, p.ex. dépôt électrolytique
• H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/04 - Conteneurs; Scellements caractérisés par la forme
• H01L 23/14 - Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles caractérisés par le matériau ou par ses propriétés électriques
• H01L 23/367 - Refroidissement facilité par la forme du dispositif
• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
• H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes
• H01L 23/10 - Conteneurs; Scellements caractérisés par le matériau ou par la disposition des scellements entre les parties, p.ex. entre le couvercle et la base ou entre les connexions et les parois du conteneur

Abrégé

Methods and apparatuses for stacking devices in an integrated circuit assembly are provided. A tray for supporting multiple dies of a semiconductor material enables both topside processing and bottom side processing of the dies. The dies can be picked and placed for bonding on a substrate or on die stacks without flipping the dies, thereby avoiding particulate debris from the diced edges of the dies from interfering and contaminating the bonding process. In an implementation, a liftoff apparatus directs a pneumatic flow of gas to lift the dies from the tray for bonding to a substrate, and to previously bonded dies, without flipping the dies. An example system allows processing of both top and bottom surfaces of the dies in a single cycle in preparation for bonding, and then pneumatically lifts the dies up to a target substrate so that topsides of the dies bond to bottom sides of dies of the previous batch, in an efficient and flip-free assembly of die stacks.

Classes IPC  ?

• H01L 21/00 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
• H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
• H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

Abrégé

The invention pertains to semiconductor memories, and more particularly to enhancing the reliability of stacked memory devices. Apparatuses and methods are described for implementing RAID-style error correction to increase the reliability of the stacked memory devices.

Classes IPC  ?

• G11C 7/00 - Dispositions pour écrire une information ou pour lire une information dans une mémoire numérique
• G06F 11/10 - Détection ou correction d'erreur par introduction de redondance dans la représentation des données, p.ex. en utilisant des codes de contrôle en ajoutant des chiffres binaires ou des symboles particuliers aux données exprimées suivant un code, p.ex. contrôle de parité, exclusion des 9 ou des 11
• H03M 13/29 - Codage, décodage ou conversion de code pour détecter ou corriger des erreurs; Hypothèses de base sur la théorie du codage; Limites de codage; Méthodes d'évaluation de la probabilité d'erreur; Modèles de canaux; Simulation ou test des codes combinant plusieurs codes ou structures de codes, p.ex. codes de produits, codes de produits généralisés, codes concaténés, codes interne et externe
• G11C 29/52 - Protection du contenu des mémoires; Détection d'erreurs dans le contenu des mémoires

Abrégé

A contact pad includes a solder-wettable porous network (310) which wicks the molten solder (130) and thus restricts the lateral spread of the solder, thus preventing solder bridging between adjacent contact pads.

Classes IPC  ?

• H05K 1/11 - Eléments imprimés pour réaliser des connexions électriques avec ou entre des circuits imprimés
• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H05K 3/40 - Fabrication d'éléments imprimés destinés à réaliser des connexions électriques avec ou entre des circuits imprimés
• H05K 3/34 - Connexions soudées

Abrégé

A microelectronic assembly including first and second laminated microelectronic elements is provided. A patterned bonding layer is disposed on a face of each of the first and second laminated microelectronic elements. The patterned bonding layers are mechanically and electrically bonded to form the microelectronic assembly.

Classes IPC  ?

• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes
• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

Abrégé

Flipped radio frequency (RF) and microwave filters and components for compact package assemblies are provided. An example RF filter is constructed by depositing a conductive trace, such as a redistribution layer, onto a flat surface of a substrate, to form an RF filter element. The substrate is vertically mounted on a motherboard, thereby saving dedicated area. Multiple layers of substrate are laminated into a stack and mounted so that the RF filter elements of each layer are in vertical planes with respect to a horizontal motherboard, providing dramatic reduction in size. Deposited conductive traces of an example flipped RF filter stack provide various stub configurations of an RF filter and emulate various distributed filter elements and their configuration geometries. The deposited conductive traces also form other electronic components to be used in conjunction with the RF filter elements. A wirebond or bond via array (BVATM) version provides flipped RF and microwave filters.

Classes IPC  ?

• H05K 1/18 - Circuits imprimés associés structurellement à des composants électriques non imprimés
• H01P 1/203 - Filtres triplaque
• H01P 11/00 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de guides d'ondes, résonateurs, lignes ou autres dispositifs du type guide d'ondes
• H05K 1/02 - Circuits imprimés - Détails
• H05K 1/16 - Circuits imprimés comprenant des composants électriques imprimés incorporés, p.ex. une résistance, un condensateur, une inductance imprimés
• H05K 3/46 - Fabrication de circuits multi-couches

Abrégé

An apparatus relating generally to a substrate is disclosed. In this apparatus, a post extends from the substrate. The post includes a conductor member. An upper portion of the post extends above an upper surface of the substrate. An exterior surface of the post associated with the upper portion is in contact with a dielectric layer. The dielectric layer is disposed on the upper surface of the substrate and adjacent to the post to provide a dielectric collar for the post. An exterior surface of the dielectric collar is in contact with a conductor layer. The conductor layer is disposed adjacent to the dielectric collar to provide a metal collar for the post, where a top surface of each of the conductor member, the dielectric collar and the metal collar have formed thereon a bond structure for interconnection of the metal collar and the conductor member.

Classes IPC  ?

• H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif

Abrégé

Representative implementations of devices and techniques provide interconnect structures and components for coupling various carriers, printed circuit board (PCB) components, integrated circuit (IC) dice, and the like, using tall and/or fine pitch physical connections. Multiple layers of conductive structures or materials are arranged to form the interconnect structures and components. Nonwettable barriers may be used with one or more of the layers to form a shape, including a pitch of one or more of the layers.

Classes IPC  ?

• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H05K 3/34 - Connexions soudées

Abrégé

An interconnection component includes a first support portion, a second support portion, a redistribution layer and a passive device, wherein at least one of the first and second support portions is comprised of a semiconductor material. The first support portion includes first and second opposed major surfaces and a plurality of first conductive vias extending through the first support portion substantially perpendicular to major surfaces. The second support portion includes first and second opposed major surfaces and a plurality of second conductive vias extending through the second support portion substantially perpendicular to the first and second major surfaces of the second support. The redistribution layer can be disposed between the second surfaces of the first and second support portions. The passive device can be positioned at least partially within the redistribution layer and electrically connected with one or more of the first conductive vias and the second conductive vias.

Classes IPC  ?

• H05K 1/00 - Circuits imprimés
• H05K 3/10 - Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés dans lesquels le matériau conducteur est appliqué au support isolant de manière à former le parcours conducteur recherché
• H05K 3/16 - Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés dans lesquels le matériau conducteur est appliqué au support isolant de manière à former le parcours conducteur recherché utilisant la technique de la vaporisation pour appliquer le matériau conducteur par pulvérisation cathodique
• H05K 7/00 - CIRCUITS IMPRIMÉS; ENVELOPPES OU DÉTAILS DE RÉALISATION D'APPAREILS ÉLECTRIQUES; FABRICATION D'ENSEMBLES DE COMPOSANTS ÉLECTRIQUES - Détails de construction communs à différents types d'appareils électriques
• H05K 7/02 - Dispositions de composants de circuits ou du câblage sur une structure de support
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes
• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

Abrégé

Each of a first and a second integrated circuit structures has hole(s) in the top surface, and capacitors at least partially located in the holes. A semiconductor die is attached to the top surface of the second structure. Then the first and second structures are bonded together so that the die becomes disposed in the first structure's cavity, and the holes of the two structures are aligned to electrically connect the respective capacitors to each other. A filler is injected into the cavity through one or more channels in the substrate of the first structure. Other embodiments are also provided.

Classes IPC  ?

• H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
• H01L 49/02 - Dispositifs à film mince ou à film épais
• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 25/10 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs ayant des conteneurs séparés
• H01L 25/11 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs ayant des conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des groupes principaux , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. circuit hybrides
• H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 23/522 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées

Abrégé

An assembly can include a first microelectronic package and a circuit structure comprising a plurality of dielectric layers and electrically conductive features thereon. The first package can include a substrate having a plurality of first contacts at a first or second surface thereof and a plurality of second contacts at the first surface thereof, and a first microelectronic element having a plurality of element contacts at a front surface thereof. The first contacts can be electrically coupled with the element contacts of the first microelectronic element. The electrically conductive features of the first circuit structure can include a plurality of bumps at the first surface of the circuit structure facing the second contacts of the substrate and joined thereto, a plurality of circuit structure contacts at a second surface of the circuit structure, and a plurality of traces coupling at least some of the bumps with the circuit structure contacts.

Classes IPC  ?

• H01L 23/02 - Conteneurs; Scellements
• H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
• H01L 23/52 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
• H01L 23/28 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes
• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 21/78 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
• H01L 25/10 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs ayant des conteneurs séparés
• H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
• H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
• H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 23/367 - Refroidissement facilité par la forme du dispositif
• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des groupes principaux , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. circuit hybrides
• H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
• H01L 23/04 - Conteneurs; Scellements caractérisés par la forme
• H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

Abrégé

A microelectronic package includes a first microelectronic element comprising logic circuitry which is flip-chip mounted to a substrate, the substrate having terminals for connection with a circuit panel or other external component. A second microelectronic element overlies a rear surface of the first microelectronic element and has contacts electrically coupled with the substrate through electrically conductive interconnects extending through a region of the first microelectronic element. A heat spreader is thermally coupled with the rear surface of the substrate, either directly or through an additional element overlying the rear surface. Additional contacts of the second microelectronic element may be coupled with contacts of the substrate through electrically conductive structure disposed beyond an edge surface of the first microelectronic element.

Classes IPC  ?

• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
• H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

Abrégé

Multi-surface edge pads for vertical mount packages and methods of making package stacks are provided. Example substrates for vertical surface mount to a motherboard have multi-surface edge pads. The vertical mount substrates may be those of a laminate-based FlipNAND. The multi-surface edge pads have cutouts or recesses that expose more surfaces and more surface area of the substrate for bonding with the motherboard. The cutouts in the edge pads allow more solder to be used between the attachment surface of the substrate and the motherboard. The placement and geometry of the resulting solder joint is stronger and has less internal stress than conventional solder joints for vertical mounting. In an example process, blind holes can be drilled into a thickness of a substrate, and the blind holes plated with metal. The substrate can be cut in half though the plated holes to provide two substrates with plated multi-surface edge pads including the cutouts for mounting to the motherboard.

Classes IPC  ?

• H05K 1/11 - Eléments imprimés pour réaliser des connexions électriques avec ou entre des circuits imprimés
• H05K 1/14 - Association structurale de plusieurs circuits imprimés
• H05K 1/18 - Circuits imprimés associés structurellement à des composants électriques non imprimés
• H05K 3/34 - Connexions soudées
• H05K 3/36 - Assemblage de circuits imprimés avec d'autres circuits imprimés
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes
• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/13 - Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles caractérisés par leur forme
• H01L 25/10 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs ayant des conteneurs séparés
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants

Abrégé

Wafer-level packaged components are disclosed. In a wafer-level-packaged, an integrated circuit die has first contacts in an inner third region of a surface of the integrated circuit die. A redistribution layer has second contacts in an inner third region of a first surface of the redistribution layer and third contacts in an outer third region of a second surface of the redistribution layer opposite the first surface thereof. The second contacts of the redistribution layer are coupled for electrical conductivity to the first contacts of the integrated circuit die with the surface of the integrated circuit die face-to-face with the first surface of the redistribution layer. The third contacts are offset from the second contacts for being positioned in a fan-out region for association at least with the outer third region of the second surface of the redistribution layer, the third contacts being surface mount contacts.

Classes IPC  ?

• H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
• H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 25/10 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs ayant des conteneurs séparés
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes
• H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
• H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

Abrégé

Dies-on-package devices and methods therefor are disclosed. In a dies-on-package device, a first IC die is surface mount coupled to an upper surface of a package substrate. Conductive lines are coupled to the upper surface of the package substrate in a fan-out region with respect to the first IC die. A molding layer is formed over the upper surface of the package substrate, around sidewall surfaces of the first IC die, and around bases and shafts of the conductive lines. A plurality of second IC dies is located at a same level above an upper surface of the molding layer respectively surface mount coupled to sets of upper portions of the conductive lines. The plurality of second IC dies are respectively coupled to the sets of the conductive lines in middle third portions respectively of the plurality of second IC dies for corresponding fan-in regions thereof.

Classes IPC  ?

• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes
• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 21/52 - Montage des corps semi-conducteurs dans les conteneurs
• H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
• H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/528 - Configuration de la structure d'interconnexion
• H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 25/11 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs ayant des conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
• H01L 25/10 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs ayant des conteneurs séparés
• H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,

Abrégé

Package-on-package (“PoP”) devices with multiple levels and methods therefor are disclosed. In a PoP device, a first integrated circuit die is surface mount coupled to an upper surface of a package substrate. First and second conductive lines are coupled to the upper surface of the package substrate respectively at different heights in a fan-out region. A first molding layer is formed over the upper surface of the package substrate. A first and a second wafer-level packaged microelectronic component are located above an upper surface of the first molding layer respectively surface mount coupled to a first and a second set of upper portions of the first conductive lines. A third and a fourth wafer-level packaged microelectronic component are located above the first and the second wafer-level packaged microelectronic component respectively surface mount coupled to a first and a second set of upper portions of the second conductive lines.

Classes IPC  ?

• H01L 23/10 - Conteneurs; Scellements caractérisés par le matériau ou par la disposition des scellements entre les parties, p.ex. entre le couvercle et la base ou entre les connexions et les parois du conteneur
• H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 25/10 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs ayant des conteneurs séparés

Abrégé

Package-on-package (“PoP”) devices with upper RDLs of WLP (“WLP”) components and methods therefor are disclosed. In a PoP device, a first IC die is surface mount coupled to an upper surface of the package substrate. Conductive lines are coupled to the upper surface of the package substrate in a fan-out region with reference to the first IC. A molding layer is formed over the upper surface of the package substrate. A first and a second WLP microelectronic component is located at a same level above an upper surface of the molding layer respectively surface mount coupled to sets of upper portions of the conductive lines. Each of the first and the second WLP microelectronic components have a second IC die located below a first RDL respectively thereof. A third and a fourth IC die are respectively surface mount coupled over the first and the second WLP microelectronic components.

Classes IPC  ?

• H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/528 - Configuration de la structure d'interconnexion
• H01L 25/11 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs ayant des conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements

Abrégé

Package-on-package (“PoP”) devices with same level wafer-level packaged (“WLP”) components and methods therefor are disclosed. In a PoP device, a first integrated circuit die is surface mount coupled to an upper surface of a package substrate. Conductive lines are coupled to the upper surface of the package substrate in a fan-out region. The first conductive lines extend away from the upper surface of the package substrate. A molding layer is formed over the upper surface of the package substrate, around sidewall surfaces of the first integrated circuit die, and around bases and shafts of the conductive lines. WLP microelectronic components are located at a same level above an upper surface of the molding layer respectively surface mount coupled to sets of upper portions of the conductive lines.

Classes IPC  ?

• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
• H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 21/52 - Montage des corps semi-conducteurs dans les conteneurs

Abrégé

Package-on-package (“PoP”) devices with WLP (“WLP”) components with dual RDLs (“RDLs”) for surface mount dies and methods therefor. In a PoP, a first IC die surface mount coupled to an upper surface of a package substrate. Conductive lines are coupled to the upper surface of the package substrate in a fan-out region. A molding layer is formed over the upper surface of the package substrate. A first and a second WLP microelectronic component are located at a same level above an upper surface of the molding layer respectively surface mount coupled to sets of upper portions of the conductive lines. Each of the first and the second WLP microelectronic components have a second IC die located between a first RDL and a second RDL. A third and a fourth IC die are respectively surface mount coupled over the first and the second WLP microelectronic components.

Classes IPC  ?

• H01L 25/10 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs ayant des conteneurs séparés
• H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes
• H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
• H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
• H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition

Abrégé

A solder connection may be surrounded by a solder locking layer (1210, 2210) and may be recessed in a hole (1230) in that layer. The recess may be obtained by evaporating a vaporizable portion (1250) of the solder connection. Other features are also provided.

Classes IPC  ?

• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• B32B 15/01 - Produits stratifiés composés essentiellement de métal toutes les couches étant composées exclusivement de métal
• B23K 35/22 - Baguettes, électrodes, matériaux ou environnements utilisés pour le brasage, le soudage ou le découpage caractérisés par la composition ou la nature du matériau
• H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 25/10 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs ayant des conteneurs séparés
• H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes
• H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• B23K 35/02 - Baguettes, électrodes, matériaux ou environnements utilisés pour le brasage, le soudage ou le découpage caractérisés par des propriétés mécaniques, p.ex. par la forme
• B23K 1/00 - Brasage ou débrasage
• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• B23K 101/40 - Dispositifs semi-conducteurs

Abrégé

Interposer circuitry (130) is formed on a possibly sacrificial substrate (210) from a porous core (130′) covered by a conductive coating (130″) which increases electrical conductance. The core is printed from nanoparticle ink. Then a support (120S) is formed, e.g. by molding, to mechanically stabilize the circuitry. A magnetic field can be used to stabilize the circuitry while the circuitry or the support are being formed. Other features are also provided.

Classes IPC  ?

• H05K 13/04 - Montage de composants
• H05K 1/09 - Emploi de matériaux pour réaliser le parcours métallique
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes
• H05K 1/11 - Eléments imprimés pour réaliser des connexions électriques avec ou entre des circuits imprimés
• H05K 1/16 - Circuits imprimés comprenant des composants électriques imprimés incorporés, p.ex. une résistance, un condensateur, une inductance imprimés
• H05K 3/18 - Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés dans lesquels le matériau conducteur est appliqué au support isolant de manière à former le parcours conducteur recherché utilisant la technique de la précipitation pour appliquer le matériau conducteur

Abrégé

Interposers and methods of making the same are disclosed herein. In one embodiment, an interposer includes a region having first and second oppositely facing surfaces and a plurality of pores, each pore extending in a first direction from the first surface towards the second surface, wherein alumina extends along a wall of each pore; a plurality of electrically conductive connection elements extending in the first direction, consisting essentially of aluminum and being electrically isolated from one another by at least the alumina; a first conductive path provided at the first surface for connection with a first component external to the interposer; and a second conductive path provided at the second surface for connection with a second component external to the interposer, wherein the first and second conductive paths are electrically connected through at least some of the connection elements.

Classes IPC  ?

• H05K 1/09 - Emploi de matériaux pour réaliser le parcours métallique
• H05K 1/03 - Emploi de matériaux pour réaliser le substrat
• H05K 1/11 - Eléments imprimés pour réaliser des connexions électriques avec ou entre des circuits imprimés
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes
• H01L 23/13 - Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles caractérisés par leur forme
• H05K 3/40 - Fabrication d'éléments imprimés destinés à réaliser des connexions électriques avec ou entre des circuits imprimés
• H05K 3/42 - Trous de passage métallisés
• H01L 23/373 - Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif
• H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe

Abrégé

Deformable conductive contacts are provided. A plurality of deformable contacts on a first substrate may be joined to a plurality of conductive pads on a second substrate during die level or wafer level assembly of microelectronics. Each deformable contact complies to a degree that is related to the amount of joining pressure between the first substrate and the second substrate. Since an individual contact can make the conductive coupling within a range of distances from a target pad, an array of the deformable contacts provides tolerance and compliance when there is some variation in height of the conductive elements on either side of the join. A flowable underfill may be provided to press the deformable contacts against opposing pads and to permanently join the surfaces at a fixed distance. The deformable contacts may include a wiping feature to clear their target pads for establishing improved metal-to-metal contact or a thermocompression bond.

Classes IPC  ?

• H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/29 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par le matériau

Abrégé

An interconnect element includes a semiconductor or insulating material layer that has a first thickness and defines a first surface; a thermally conductive layer; a plurality of conductive elements; and a dielectric coating. The thermally conductive layer includes a second thickness of at least 10 microns and defines a second surface of the interconnect element. The plurality of conductive elements extend from the first surface of the interconnect element to the second surface of the interconnect element. The dielectric coating is between at least a portion of each conductive element and the thermally conductive layer.

Classes IPC  ?

• H05K 1/00 - Circuits imprimés
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
• H01L 23/36 - Emploi de matériaux spécifiés ou mise en forme, en vue de faciliter le refroidissement ou le chauffage, p.ex. dissipateurs de chaleur
• H01L 23/373 - Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif
• H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
• H01L 23/367 - Refroidissement facilité par la forme du dispositif

Abrégé

A microelectronic package can include a substrate having first and second surfaces, first, second, and third microelectronic elements each having a surface facing the first surface, terminals exposed at the second surface, and leads electrically connected between contacts of each microelectronic element and the terminals. The substrate can have first, second, and third spaced-apart apertures having first, second, and third parallel axes extending in directions of the lengths of the apertures. The contacts of the first, second, and third microelectronic elements can be aligned with one of the first, second, or third apertures. The terminals can include first and second sets of first terminals configured to carry address information. The first set can be connected with the first and third microelectronic elements and not with the second microelectronic element, and the second set can be connected with the second microelectronic element and not with the first or third microelectronic elements.

Classes IPC  ?

• G11C 5/06 - Dispositions pour interconnecter électriquement des éléments d'emmagasinage
• G11C 8/00 - Dispositions pour sélectionner une adresse dans une mémoire numérique
• G11C 5/02 - Disposition d'éléments d'emmagasinage, p.ex. sous la forme d'une matrice
• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• G11C 11/408 - Circuits d'adressage

Abrégé

An integrated circuit (IC) package includes a first substrate having a backside surface and a top surface with a cavity disposed therein. The cavity has a floor defining a front side surface. A plurality of first electroconductive contacts are disposed on the front side surface, and a plurality of second electroconductive contacts are disposed on the back side surface. A plurality of first electroconductive elements penetrate through the first substrate and couple selected ones of the first and second electroconductive contacts to each other. A first die containing an IC is electroconductively coupled to corresponding ones of the first electroconductive contacts. A second substrate has a bottom surface that is sealingly attached to the top surface of the first substrate, and a dielectric material is disposed in the cavity so as to encapsulate the first die.

Classes IPC  ?

• H01L 23/10 - Conteneurs; Scellements caractérisés par le matériau ou par la disposition des scellements entre les parties, p.ex. entre le couvercle et la base ou entre les connexions et les parois du conteneur
• H01L 23/13 - Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles caractérisés par leur forme
• H01L 23/14 - Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles caractérisés par le matériau ou par ses propriétés électriques
• H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des groupes principaux , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. circuit hybrides
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes
• H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

Abrégé

System and method for providing precision a self calibrating resistance circuit is described that provides for matching a reference resistor using dynamically configurable resistance networks. The resistor network is coupled to the connection, wherein the resistor network provides a configurable resistance across the connection. In addition, the resistor network comprises a digital resistor network and an analog resistor network. Also, the circuit includes control circuitry for configuring the configurable resistance based on a reference resistance of the reference resistor. The configurable resistance is configured by coarsely tuning the resistor network through the digital resistor network and fine tuning the resistor network through the analog resistor network.

Classes IPC  ?

• H03L 5/00 - Commande automatique de la tension, du courant ou de la puissance
• H03K 19/00 - Circuits logiques, c. à d. ayant au moins deux entrées agissant sur une sortie; Circuits d'inversion
• H01C 10/50 - Résistances variables associées structurellement à un moyen de commutation
• G11C 7/10 - Dispositions d'interface d'entrée/sortie [E/S, I/O] de données, p.ex. circuits de commande E/S de données, mémoires tampon de données E/S
• H03F 3/45 - Amplificateurs différentiels

Abrégé

Methods of forming 3-D ICs with integrated passive devices (IPDs) include stacking separately prefabricated substrates. An active device (AD) substrate has contacts on its upper portion. A ground plane is located between the AD substrate and an IPD substrate. The ground plane provides superior IPD to AD cross-talk attenuation.

Classes IPC  ?

• H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
• H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
• H01L 23/367 - Refroidissement facilité par la forme du dispositif
• H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
• H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
• H01L 23/58 - Dispositions électriques structurelles non prévues ailleurs pour dispositifs semi-conducteurs
• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des groupes principaux , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. circuit hybrides
• H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
• H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive

Abrégé

A microelectronic package includes at least one microelectronic element having a front surface defining a plane, the plane of each microelectronic element parallel to the plane of any other microelectronic element. An encapsulation region overlying edge surfaces of each microelectronic element has first and second major surfaces substantially parallel to the plane of each microelectronic element and peripheral surfaces between the major surfaces. Wire bonds are electrically coupled with one or more first package contacts at the first major surface of the encapsulation region, each wire bond having a portion contacted and surrounded by the encapsulation region. Second package contacts at an interconnect surface being one or more of the second major surface and the peripheral surfaces include portions of the wire bonds at such surface, and/or electrically conductive structure electrically coupled with the wire bonds.

Classes IPC  ?

• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes
• H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
• H01L 23/495 - Cadres conducteurs
• H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

Abrégé

A component, e.g., interposer has first and second opposite sides, conductive elements at the first side and terminals at the second side. The terminals can connect with another component, for example. A first element at the first side can comprise a first material having a thermal expansion coefficient less than 10 ppm/° C., and a second element at the second side can comprise a plurality of insulated structures separated from one another by at least one gap. Conductive structure extends through at least one insulated structure and is electrically coupled with the terminals and the conductive elements. The at least one gap can reduce mechanical stress in connections between the terminals and another component.

Classes IPC  ?

• H01L 21/00 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des groupes principaux , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. circuit hybrides
• H01L 23/14 - Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles caractérisés par le matériau ou par ses propriétés électriques
• H01L 23/13 - Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles caractérisés par leur forme

Abrégé

The invention pertains to semiconductor memories, and more particularly to enhancing the reliability of stacked memory devices. Apparatuses and methods are described for implementing RAID-style error correction to increase the reliability of the stacked memory devices.

Classes IPC  ?

• G11C 7/00 - Dispositions pour écrire une information ou pour lire une information dans une mémoire numérique
• G06F 11/10 - Détection ou correction d'erreur par introduction de redondance dans la représentation des données, p.ex. en utilisant des codes de contrôle en ajoutant des chiffres binaires ou des symboles particuliers aux données exprimées suivant un code, p.ex. contrôle de parité, exclusion des 9 ou des 11
• G11C 29/52 - Protection du contenu des mémoires; Détection d'erreurs dans le contenu des mémoires
• H03M 13/29 - Codage, décodage ou conversion de code pour détecter ou corriger des erreurs; Hypothèses de base sur la théorie du codage; Limites de codage; Méthodes d'évaluation de la probabilité d'erreur; Modèles de canaux; Simulation ou test des codes combinant plusieurs codes ou structures de codes, p.ex. codes de produits, codes de produits généralisés, codes concaténés, codes interne et externe

Abrégé

In a microelectronic component having conductive vias (114) passing through a substrate (104) and protruding above the substrate, conductive features (120E.A, 120E.B) are provided above the substrate that wrap around the conductive vias' protrusions (114′) to form capacitors, electromagnetic shields, and possibly other elements. Other features and embodiments are also provided.

Classes IPC  ?

• H01L 23/04 - Conteneurs; Scellements caractérisés par la forme
• H01L 23/52 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
• H01L 21/44 - Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes
• H01L 23/522 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
• H01L 49/02 - Dispositifs à film mince ou à film épais
• H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
• H01L 21/8234 - Technologie MIS

Abrégé

A microelectronic assembly (300) or system (1500) includes at least one microelectronic package (100) having a microelectronic element (130) mounted face up above a first surface (108) of a substrate (102), one or more columns (138, 140) of contacts (132) extending in a first direction (142) along the microelectronic element front face. Columns (104A, 105B, 107A, 107B) of terminals (105 107) exposed at a second surface (110) of the substrate extend in the first direction. First terminals (105) exposed at surface (110) in a central region (112) thereof having width (152) not more than three and one-half times a minimum pitch (150) of the columns of terminals can be configured to carry address information usable to determine an addressable memory location. An axial plane of the microelectronic element can intersect the central region.

Classes IPC  ?

• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 25/10 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs ayant des conteneurs séparés
• H05K 1/18 - Circuits imprimés associés structurellement à des composants électriques non imprimés
• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• G06F 1/18 - Installation ou distribution d'énergie
• H01L 23/367 - Refroidissement facilité par la forme du dispositif
• H01L 23/36 - Emploi de matériaux spécifiés ou mise en forme, en vue de faciliter le refroidissement ou le chauffage, p.ex. dissipateurs de chaleur
• H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
• H01L 23/525 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées avec des interconnexions modifiables
• H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
• H01L 23/50 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes pour des dispositifs à circuit intégré
• H05K 1/02 - Circuits imprimés - Détails
• H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants

Abrégé

An interconnection component includes a semiconductor material layer having a first surface and a second surface opposite the first surface and spaced apart in a first direction. At least two metalized vias extend through the semiconductor material layer. A first pair of the at least two metalized vias are spaced apart from each other in a second direction orthogonal to the first direction. A first insulating via in the semiconductor layer extends from the first surface toward the second surface. The insulating via is positioned such that a geometric center of the insulating via is between two planes that are orthogonal to the second direction and that pass through each of the first pair of the at least two metalized vias. A dielectric material at least partially fills the first insulating via or at least partially encloses a void in the insulating via.

Classes IPC  ?

• H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
• H01L 23/52 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
• H01L 29/40 - Electrodes
• H01L 23/522 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes
• H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
• H01L 23/14 - Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles caractérisés par le matériau ou par ses propriétés électriques
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants

Abrégé

A substrate structure is presented that can include a porous polyimide material and electrodes formed in the porous polyimide material. In some examples, a method of forming a substrate can include depositing a barrier layer on a substrate; depositing a resist over the barrier layer; patterning and etching the resist; forming electrodes; removing the resist; depositing a porous polyimide aerogel; depositing a dielectric layer over the aerogel material; polishing a top side of the interposer to expose the electrodes; and removing the substrate from the bottom side of the interposer.

Classes IPC  ?

• H01M 2/08 - Matériaux de scellement
• H01M 2/16 - Séparateurs; Membranes; Diaphragmes; Eléments d'espacement caractérisés par le matériau
• H01M 2/18 - Séparateurs; Membranes; Diaphragmes; Eléments d'espacement caractérisés par la forme
• H01M 4/02 - PROCÉDÉS OU MOYENS POUR LA CONVERSION DIRECTE DE L'ÉNERGIE CHIMIQUE EN ÉNERGIE ÉLECTRIQUE, p.ex. BATTERIES Électrodes Électrodes composées d'un ou comprenant un matériau actif
• H01M 4/04 - Procédés de fabrication en général
• H01M 4/52 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'oxydes ou d'hydroxydes inorganiques de nickel, de cobalt ou de fer
• H01M 4/80 - Plaques poreuses, p.ex. supports frittés
• H01M 4/485 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'oxydes ou d'hydroxydes inorganiques d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes pour insérer ou intercaler des métaux légers, p.ex. LiTi2O4 ou LiTi2OxFy
• H05K 1/00 - Circuits imprimés
• H05K 3/10 - Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés dans lesquels le matériau conducteur est appliqué au support isolant de manière à former le parcours conducteur recherché
• H05K 3/40 - Fabrication d'éléments imprimés destinés à réaliser des connexions électriques avec ou entre des circuits imprimés
• H05K 3/46 - Fabrication de circuits multi-couches
• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
• H05K 1/02 - Circuits imprimés - Détails
• H05K 1/03 - Emploi de matériaux pour réaliser le substrat
• H01L 23/15 - Substrats en céramique ou en verre

Abrégé

A component such as an interposer or microelectronic element can be fabricated with a set of vertically extending interconnects of wire bond structure. Such method may include forming a structure having wire bonds extending in an axial direction within one of more openings in an element and each wire bond spaced at least partially apart from a wall of the opening within which it extends, the element consisting essentially of a material having a coefficient of thermal expansion (“CTE”) of less than 10 parts per million per degree Celsius (“ppm/° C.”). First contacts can then be provided at a first surface of the component and second contacts provided at a second surface of the component facing in a direction opposite from the first surface, the first contacts electrically coupled with the second contacts through the wire bonds.

Classes IPC  ?

• H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes
• H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants

Abrégé

A microelectronic assembly includes a plurality of stacked microelectronic packages, each comprising a dielectric element having a major surface, an interconnect region adjacent an interconnect edge surface which extends away from the major surface, and plurality of package contacts at the interconnect region. A microelectronic element has a front surface with chip contacts thereon coupled to the package contacts, the front surface overlying and parallel to the major surface. The microelectronic packages are stacked with planes defined by the dielectric elements substantially parallel to one another, and the package contacts electrically coupled with panel contacts at a mounting surface of a circuit panel via an electrically conductive material, the planes defined by the dielectric elements being oriented at a substantial angle to the mounting surface.

Classes IPC  ?

• H01L 23/49 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes formées de structures soudées du type fils de connexion
• H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
• H01L 25/10 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs ayant des conteneurs séparés
• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H05K 1/18 - Circuits imprimés associés structurellement à des composants électriques non imprimés
• H05K 1/11 - Eléments imprimés pour réaliser des connexions électriques avec ou entre des circuits imprimés

Abrégé

A method for reducing load in a memory module. In such a method, a plurality of memory chips are coupled to a circuit platform. Each memory chip of the plurality of memory chips each has a plurality of memory dies. At least one controller is coupled to the circuit platform and further coupled to the plurality of memory chips for communication with the plurality of memory dies thereof. The at least one controller is for receiving chip select signals to provide a plurality of rank select signals in excess of the chip select signals. The plurality of memory dies are coupled with wire bonds within the plurality of memory chips for a reduced load for coupling the circuit platform for communicating via a memory channel. The load is sufficiently reduced for having at least two instances of the memory module share the memory channel.

Classes IPC  ?

• G06F 13/16 - Gestion de demandes d'interconnexion ou de transfert pour l'accès au bus de mémoire
• G11C 8/12 - Circuits de sélection de groupe, p.ex. pour la sélection d'un bloc de mémoire, la sélection d'une puce, la sélection d'un réseau de cellules
• G06F 12/06 - Adressage d'un bloc physique de transfert, p.ex. par adresse de base, adressage de modules, extension de l'espace d'adresse, spécialisation de mémoire
• G11C 5/06 - Dispositions pour interconnecter électriquement des éléments d'emmagasinage
• G11C 8/06 - Dispositions d'interface d'adresses, p.ex. mémoires tampon d'adresses
• G11C 5/04 - Supports pour éléments d'emmagasinage; Montage ou fixation d'éléments d'emmagasinage sur de tels supports

Abrégé

Interposers and methods of making the same are disclosed herein. In one embodiment, an interposer includes a region having first and second oppositely facing surfaces and a plurality of pores, each pore extending in a first direction from the first surface towards the second surface, wherein alumina extends along a wall of each pore; a plurality of electrically conductive connection elements extending in the first direction, consisting essentially of aluminum and being electrically isolated from one another by at least the alumina; a first conductive path provided at the first surface for connection with a first component external to the interposer; and a second conductive path provided at the second surface for connection with a second component external to the interposer, wherein the first and second conductive paths are electrically connected through at least some of the connection elements.

Classes IPC  ?

• H05K 1/09 - Emploi de matériaux pour réaliser le parcours métallique
• H05K 1/00 - Circuits imprimés
• H05K 1/11 - Eléments imprimés pour réaliser des connexions électriques avec ou entre des circuits imprimés
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
• H01L 23/373 - Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes

Abrégé

A microelectronic package includes a first microelectronic element comprising logic circuitry which is flip-chip mounted to a substrate, the substrate having terminals for connection with a circuit panel or other external component. A second microelectronic element overlies a rear surface of the first microelectronic element and has contacts electrically coupled with the substrate through electrically conductive interconnects extending through a region of the first microelectronic element. A heat spreader is thermally coupled with the rear surface of the substrate, either directly or through an additional element overlying the rear surface. Additional contacts of the second microelectronic element may be coupled with contacts of the substrate through electrically conductive structure disposed beyond an edge surface of the first microelectronic element.

Classes IPC  ?

• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

Abrégé

Disclosed herein are technologies for forming a plurality of known good die (KGD)-light emitting diode (LED) components into a larger size optically coherent LED chips or devices. This Abstract is submitted with the understanding that it will not be used to interpret or limit the scope or meaning of the claims.

Classes IPC  ?

• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
• H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
• H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 21/66 - Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
• H01L 33/40 - Matériaux
• G01R 31/26 - Test de dispositifs individuels à semi-conducteurs

Abrégé

A microelectronic assembly including a dielectric region, a plurality of electrically conductive elements, an encapsulant, and a microelectronic element are provided. The encapsulant may have a coefficient of thermal expansion (CTE) no greater than twice a CTE associated with at least one of the dielectric region or the microelectronic element.

Classes IPC  ?

• H01L 23/49 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes formées de structures soudées du type fils de connexion
• H01L 27/146 - Structures de capteurs d'images
• H05K 1/02 - Circuits imprimés - Détails
• H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes
• H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
• H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
• H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

Abrégé

A method of making an assembly can include forming a first conductive element at a first surface of a substrate of a first component, forming conductive nanoparticles at a surface of the conductive element by exposure to an electroless plating bath, juxtaposing the surface of the first conductive element with a corresponding surface of a second conductive element at a major surface of a substrate of a second component, and elevating a temperature at least at interfaces of the juxtaposed first and second conductive elements to a joining temperature at which the conductive nanoparticles cause metallurgical joints to form between the juxtaposed first and second conductive elements. The conductive nanoparticles can be disposed between the surfaces of the first and second conductive elements. The conductive nanoparticles can have long dimensions smaller than 100 nanometers.

Classes IPC  ?

• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants

Abrégé

In a microelectronic package, a first wire bond wire is coupled to an upper surface of a substrate. A first bond mass is coupled to another end of the first wire bond wire. A second wire bond wire is coupled to the upper surface. A second bond mass is coupled to another end of the second wire bond wire. The first and second wire bond wires laterally jut out horizontally away from the upper surface of the substrate for at least a distance of approximately 2 to 3 times a diameter of both the first wire bond wire and the second wire bond wire. The first wire bond wire and the second wire bond wire are horizontal for the distance with respect to being co-planar with the upper surface within +/−10 degrees.

Classes IPC  ?

• H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
• H01L 23/52 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
• H01L 29/40 - Electrodes
• H01L 27/146 - Structures de capteurs d'images
• H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements

Abrégé

Stacked microelectronic packages comprise microelectronic elements each having a contact-bearing front surface and edge surfaces extending away therefrom, and a dielectric encapsulation region contacting an edge surface. The encapsulation defines first and second major surfaces of the package and a remote surface between the major surfaces. Package contacts at the remote surface include a first set of contacts at positions closer to the first major surface than a second set of contacts, which instead are at positions closer to the second major surface. The packages are configured such that major surfaces of each package can be oriented in a nonparallel direction with the major surface of a substrate, the package contacts electrically coupled to corresponding contacts at the substrate surface. The package stacking and orientation can provide increased packing density.

Classes IPC  ?

• H01L 23/495 - Cadres conducteurs
• H01L 21/00 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 25/10 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs ayant des conteneurs séparés
• H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants

Abrégé

High yield substrate assembly. In accordance with a first method embodiment, a plurality of piggyback substrates are attached to a carrier substrate. The edges of the plurality of the piggyback substrates are bonded to one another. The plurality of piggyback substrates are removed from the carrier substrate to form a substrate assembly. The substrate assembly is processed to produce a plurality of integrated circuit devices on the substrate assembly. The processing may use manufacturing equipment designed to process wafers larger than individual instances of the plurality of piggyback substrates.

Classes IPC  ?

• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
• H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
• H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• H01L 23/544 - Marques appliquées sur le dispositif semi-conducteur, p.ex. marques de repérage, schémas de test

Abrégé

A component can include a substrate having an opening extending between first and second surfaces thereof, and an electrically conductive via having first and second portions. The first portion can include a first layer structure extending within the opening and at least partially along an inner wall of the opening, and a first principal conductor extending within the opening and at least partially overlying the first layer structure. The first portion can be exposed at the first surface and can have a lower surface located between the first and second surfaces. The second portion can include a second layer structure extending within the opening and at least partially along the lower surface of the first portion, and a second principal conductor extending within the opening and at least partially overlying the second layer structure. The second portion can be exposed at the second surface.

Classes IPC  ?

• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
• H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif

Abrégé

An apparatus relating generally to a substrate is disclosed. In such an apparatus, the substrate has a first surface and a second surface opposite the first surface. The first surface and the second surface define a thickness of the substrate. A via structure extends from the first surface of the substrate to the second surface of the substrate. The via structure has a first terminal at or proximate to the first surface and a second terminal at or proximate to the second surface provided by a conductive member of the via structure extending from the first terminal to the second terminal. A barrier layer of the via structure is disposed between at least a portion of the conductive member and the substrate. The barrier layer has a conductivity configured to offset a capacitance between the conductive member and the substrate when a signal is passed through the conductive member of the via structure.

Classes IPC  ?

• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes
• H01L 23/532 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées caractérisées par les matériaux
• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

Abrégé

Fan-out wafer-level packaging (WLP) using metal foil lamination is provided. An example wafer-level package incorporates a metal foil, such as copper (Cu), to relocate bonding pads in lieu of a conventional deposited or plated RDL. A polymer such as an epoxy layer adheres the metal foil to the package creating conductive contacts between the metal foil and metal pillars of a die. The metal foil may be patterned at different stages of a fabrication process. An example wafer-level package with metal foil provides relatively inexpensive electroplating-free traces that replace expensive RDL processes. Example techniques can reduce interfacial stress at fan-out areas to enhance package reliability, and enable smaller chips to be used. The metal foil provides improved fidelity of high frequency signals. The metal foil can be bonded to metallic pillar bumps before molding, resulting in less impact on the mold material.

Classes IPC  ?

• H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
• H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
• H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
• H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 21/304 - Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
• H01L 23/29 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par le matériau
• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe

Abrégé

A microelectronic package can include a substrate having first and second surfaces, first, second, and third microelectronic elements each having a surface facing the first surface, terminals exposed at the second surface, and leads electrically connected between contacts of each microelectronic element and the terminals. The substrate can have first, second, and third spaced-apart apertures having first, second, and third parallel axes extending in directions of the lengths of the apertures. The contacts of the first, second, and third microelectronic elements can be aligned with one of the first, second, or third apertures. The terminals can include first and second sets of first terminals configured to carry address information. The first set can be connected with the first and third microelectronic elements and not with the second microelectronic element, and the second set can be connected with the second microelectronic element and not with the first or third microelectronic elements.

Classes IPC  ?

• G11C 5/06 - Dispositions pour interconnecter électriquement des éléments d'emmagasinage
• G11C 8/00 - Dispositions pour sélectionner une adresse dans une mémoire numérique
• G11C 5/02 - Disposition d'éléments d'emmagasinage, p.ex. sous la forme d'une matrice
• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• G11C 11/408 - Circuits d'adressage

Abrégé

A low resistance metal is charged into holes formed in a semiconductor substrate to thereby form through electrodes. Post electrodes of a wiring-added post electrode component connected together by a support portion thereof are simultaneously fixed to and electrically connected to connection regions formed on an LSI chip. On the front face side, after resin sealing, the support portion is separated so as to expose front face wiring traces. On the back face side, the semiconductor substrate is grounded so as to expose tip ends of the through electrodes. The front face wiring traces exposed to the front face side and the tip ends of the through electrodes exposed to the back face side are used as wiring for external connection.

Classes IPC  ?

• H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 23/532 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées caractérisées par les matériaux
• H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
• H01L 23/522 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées

Abrégé

Apparatuses relating generally to a substrate are disclosed. In such an apparatus, first wire bond wires (“first wires”) extend from a surface of the substrate. Second wire bond wires (“second wires”) extend from the surface of the substrate. The first wires and the second wires are external to the substrate. The first wires are disposed at least partially within the second wires. The first wires are of a first height. The second wires are of a second height greater than the first height for coupling of at least one electronic component to the first wires at least partially disposed within the second wires.

Classes IPC  ?

• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 49/02 - Dispositifs à film mince ou à film épais
• B81B 7/00 - Systèmes à microstructure

Abrégé

A microelectronic assembly includes a dielectric element having bumps projecting from a first surface thereof, the bumps having end surfaces flush with a planarized encapsulation. A circuit structure having a thickness less than or equal to 10 microns, formed by depositing two or more dielectric layers and conductive layers on the respective dielectric layers, has electrically conductive features thereon which electrically contact the bumps. The circuit structure can be formed separately on a carrier and then joined with the bumps on the dielectric element, or the circuit structure can be formed by a build up process on the planarized surface of the encapsulation and the planarized surfaces of the bumps.

Classes IPC  ?

• H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 23/367 - Refroidissement facilité par la forme du dispositif
• H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes
• H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension

Abrégé

Representative implementations of devices and techniques provide a hybrid interposer for 3D or 2.5D package arrangements. A quantity of pockets is formed on a surface of a carrier in a predetermined pattern. The pockets are filled with a reflowable conductive material. Chip dice are coupled to the interposer carrier by fixing terminals of the dice into the pockets. The carrier may include topside and backside redistribution layers to provide fanout for the chip dice, for coupling the interposer to another carrier, board, etc. having a pitch greater than that of the chip dice.

Classes IPC  ?

• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes
• H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition

Abrégé

A component can include a generally planar element, a reinforcing dielectric layer overlying the generally planar element, an encapsulation overlying the reinforcing dielectric layer, and a plurality of wire bonds. Each wire bond can have a tip at a major surface of the encapsulation. The wire bonds can have first portions extending within the reinforcing dielectric layer. The first portions of at least some of the wire bonds can have bends that change an extension direction of the respective wire bond. The reinforcing dielectric layer can have protruding regions surrounding respective ones of the wire bonds, the protruding regions extending to greater peak heights from the first surface of the generally planar element than portions of the reinforcing dielectric layer between adjacent ones of the protruding regions. The peak heights of the protruding regions can coincide with points of contact between the reinforcing dielectric layer and individual wire bonds.

Classes IPC  ?

• H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
• H01L 21/00 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 23/495 - Cadres conducteurs
• H01L 23/043 - Conteneurs; Scellements caractérisés par la forme le conteneur étant une structure creuse ayant une base conductrice qui sert de support et en même temps de connexion électrique pour le corps semi-conducteur
• H01L 23/053 - Conteneurs; Scellements caractérisés par la forme le conteneur étant une structure creuse ayant une base isolante qui sert de support pour le corps semi-conducteur
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes
• H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe

Abrégé

Methods and apparatuses relate generally to a packaged microelectronic device for a package-on-package device (“PoP”) with enhanced tolerance for warping. In one such packaged microelectronic device, at least one redistribution layer includes first interconnect pads on a lower surface and second interconnect pads on an upper surface of the at least one redistribution layer. Interconnect structures are on and extend away from corresponding upper surfaces of the second interconnect pads. A microelectronic device is coupled to an upper surface of the at least one redistribution layer. A dielectric layer surrounds at least portions of shafts of the interconnect structures. The interconnect structures have upper ends thereof protruding above an upper surface of the dielectric layer a distance to increase a warpage limit for a combination of at least the packaged microelectronic device and one other packaged microelectronic device directly coupled to protrusions of the interconnect structures.

Classes IPC  ?

• H01L 21/76 - Réalisation de régions isolantes entre les composants
• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
• H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
• H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
• H01L 21/288 - Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes à partir d'un liquide, p.ex. dépôt électrolytique
• H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes
• H01L 21/54 - Remplissage des conteneurs, p.ex. remplissage en gaz
• H01L 23/18 - Matériaux de remplissage caractérisés par le matériau ou par ses propriétes physiques ou chimiques, ou par sa disposition à l'intérieur du dispositif complet
• H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
• H01L 25/10 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs ayant des conteneurs séparés
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants

Abrégé

Methods and apparatuses relate generally to a packaged microelectronic device for a package-on-package device (“PoP”) with enhanced tolerance for warping. In one such packaged microelectronic device, interconnect structures are in an outer region of the packaged microelectronic device. A microelectronic device is coupled in an inner region of the packaged microelectronic device inside the outer region. A dielectric layer surrounds at least portions of shafts of the interconnect structures and along sides of the microelectronic device. The interconnect structures have first ends thereof protruding above an upper surface of the dielectric layer a distance to increase a warpage limit for a combination of at least the packaged microelectronic device and one other packaged microelectronic device directly coupled to protrusions of the interconnect structures.

Classes IPC  ?

• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
• H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
• H01L 21/288 - Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes à partir d'un liquide, p.ex. dépôt électrolytique
• H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
• H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes
• H01L 21/54 - Remplissage des conteneurs, p.ex. remplissage en gaz
• H01L 23/18 - Matériaux de remplissage caractérisés par le matériau ou par ses propriétes physiques ou chimiques, ou par sa disposition à l'intérieur du dispositif complet
• H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
• H01L 25/10 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs ayant des conteneurs séparés
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

Abrégé

A microelectronic package may include a first microelectronic unit including a semiconductor chip having first chip contacts, an encapsulant contacting an edge of the semiconductor chip, and first unit contacts exposed at a surface of the encapsulant and electrically connected with the first chip contacts. The package may include a second microelectronic unit including a semiconductor chip having second chip contacts at a surface thereof, and an encapsulant contacting an edge of the chip of the second unit and having a surface extending away from the edge. The surfaces of the chip and the encapsulant of the second unit define a face of the second unit. Package terminals at the face may be electrically connected with the first unit contacts through bond wires electrically connected with the first unit contacts, and the second chip contacts through metallized vias and traces formed in contact with the second chip contacts.

Classes IPC  ?

• H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 25/10 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs ayant des conteneurs séparés
• H01L 23/13 - Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles caractérisés par leur forme
• H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
• H01L 25/11 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs ayant des conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
• H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
• H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif

Abrégé

A method of testing a microelectronic package configured to provide memory access can include energizing terminals of the microelectronic package, the terminals including first terminals configured to carry address information and second terminals configured to carry data signals. The method can also include applying read and write test data signals simultaneously to the first and second sets of second terminals, so as to simultaneously test read and write operation in first and second microelectronic elements of the microelectronic package. The first and second microelectronic elements can be configured to provide access to memory storage array locations in the first and second microelectronic elements. The terminals can also include third terminals configured to receive a test mode input that reconfigures the first and second microelectronic elements to permit simultaneous access to memory storage array locations in the first and second microelectronic elements.

Classes IPC  ?

• G11C 29/00 - Vérification du fonctionnement correct des mémoires; Test de mémoires lors d'opération en mode de veille ou hors-ligne
• G11C 29/56 - Vérification du fonctionnement correct des mémoires; Test de mémoires lors d'opération en mode de veille ou hors-ligne Équipements externes pour test de mémoires statiques, p.ex. équipement de test automatique [ATE]; Interfaces correspondantes
• G11C 29/12 - Dispositions intégrées pour les tests, p.ex. auto-test intégré [BIST]

Abrégé

A microelectronic unit includes a semiconductor element having a front surface to which a packaging layer is attached, and a rear surface remote from the front surface. The element includes a light detector including a plurality of light detector element arranged in an array disposed adjacent to the front surface and arranged to receive light through the rear surface. The semiconductor element also includes an electrically conductive contact at the front surface connected to the light detector. The conductive contact includes a thin region and a thicker region which is thicker than the thin region. A conductive interconnect extends through the packaging layer to the thin region of the conductive contact, and a portion of the conductive interconnect is exposed at a surface of the microelectronic unit.

Classes IPC  ?

• H01L 27/146 - Structures de capteurs d'images
• H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
• H01L 27/148 - Capteurs d'images à couplage de charge

Abrégé

A microelectronic package can include a substrate having a first surface and a second surface opposite therefrom, the substrate having a first conductive element at the first surface, and a plurality of wire bonds, each of the wire bonds having a base electrically connected to a corresponding one of the first conductive elements and having a tip remote from the base, each wire bond having edge surfaces extending from the tip toward the base. The microelectronic package can also include an encapsulation having a major surface facing away from the first surface of the substrate, the encapsulation having a recess extending from the major surface in a direction toward the first surface of the substrate, the tip of a first one of the wire bonds being disposed within the recess, and an electrically conductive layer overlying an inner surface of the encapsulation exposed within the recess, the electrically conductive layer overlying and electrically connected with the tip of the first one of the wire bonds.

Classes IPC  ?

• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
• H01L 25/10 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs ayant des conteneurs séparés
• H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide