Abrégé

A micro light-emitting element includes: a micro light-emitting diode (LED) element configured to emit excitation light; and a wavelength conversion portion containing a nano particle configured to absorb the excitation light to emit light having a longer wavelength than the excitation light. The wavelength conversion portion has, on at least a light emitting surface of the wavelength conversion portion, a stack of one or more layers including an oxygen absorption film.

Classes IPC  ?

• H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
• G09G 3/32 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED]
• H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière

Abrégé

A semiconductor device includes a semiconductor substrate of a first conductivity type, a body region of the first conductivity type, a source region of a second conductivity type, a drain region of the second conductivity type, a gate electrode, a drift region of the second conductivity type, an implanted oxide layer, and a semiconductor region of the first conductivity type. The semiconductor region is formed to extend in a direction along the top face of the semiconductor substrate. A first distance and a second distance are set so that an intensity of 0.35 MV/cm or less is observed in an electric field of a first region including the end portion of the drift region and in an electric field of a second region between the end of the semiconductor region and the drain region.

Classes IPC  ?

• H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée

Abrégé

A beam combining module combines a first beam corresponding to a first wavelength and a second beam corresponding to a second wavelength. The beam combining module includes a collimating lens, a first mirror, and second mirror. The collimating lens is configured to receive the first beam and the second beam that are parallel to each other and to emit the first beam and the second beam in respective non-parallel directions. The first mirror is configured to reflect the first beam emitted by the collimating lens. The second mirror is configured to reflect the second beam emitted by the collimating lens in a direction parallel to the first beam reflected by the first mirror and in such a manner that the second beam emitted by the collimating lens spatially overlaps the first beam reflected by the first mirror.

Classes IPC  ?

• G02B 27/10 - Systèmes divisant ou combinant des faisceaux
• G02B 27/14 - Systèmes divisant ou combinant des faisceaux fonctionnant uniquement par réflexion
• G02B 27/12 - Systèmes divisant ou combinant des faisceaux fonctionnant uniquement par réfraction

Abrégé

A light-emitting apparatus includes: a body having an inner space and an opening, the body incorporating at least one semiconductor laser element the body being made of a metal; and a sealing glass member joined to the body, to hermetically seal the inner space. The sealing glass member has a surface adjacent to the body, the surface of the sealing glass member being provided with a base joint layer in a joint region where the sealing glass member and the body are joined together, the base joint layer being made of a metal having a thermal expansion coefficient that falls between a thermal expansion coefficient of the sealing glass member and a thermal expansion coefficient of the metal constituting the body. The sealing glass member is joined to the body with the base joint layer and a solder-containing joint layer interposed between the sealing glass member and the body.

Classes IPC  ?

• F21V 31/00 - Dispositions d'étanchéité à l'eau ou aux gaz
• F21V 5/04 - Réfracteurs pour sources lumineuses de forme lenticulaire
• F21V 5/00 - Réfracteurs pour sources lumineuses

Abrégé

A micro light emitting element includes: a nitride semiconductor layer in which an N-type layer, a light emitting layer, and a P-type layer are stacked. Viewing in a direction perpendicular to a surface of the nitride semiconductor layer, multiple V pits are arranged at positions corresponding to vertexes of a polygon in a one-to-one relation in a region of the nitride semiconductor layer.

Classes IPC  ?

• H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
• H01L 33/20 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
• H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
• H01L 33/38 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes ayant une forme particulière

Abrégé

A projector includes: a laser light source; a shaping section configured to shape a laser light emitted from the laser light source; and a scanning section configured to two-dimensionally scan, on a screen, a laser beam shaped by the shaping section. Under a situation where a distance from an optical emitting surface of the laser beam to the screen is constant, the laser light source and the shaping section are configured to perform two-dimensional scanning of the laser beam on the screen by using a tip of the laser beam corresponding to each of cross sections at a plurality of positions of a tapered portion of the laser beam from the scanning section to a beam waist of the laser beam.

Classes IPC  ?

• H04N 9/31 - Dispositifs de projection pour la présentation d'images en couleurs
• G03B 21/20 - Boîtes à lumière
• G02B 13/16 - Objectifs optiques spécialement conçus pour les emplois spécifiés ci-dessous à utiliser en combinaison avec des convertisseurs ou des amplificateurs d'image

Abrégé

An image display element includes pixels, a driving circuit substrate, a microlens, and an inter-pixel partition. The pixels are disposed in an array, each including a micro light emitting element. The driving circuit substrate includes a driving circuit configured to supply a current to the micro light emitting element and cause the micro light emitting element to emit light. The microlens is disposed for each of the pixels. The inter-pixel partition is disposed between the pixels and extends from a light emitting surface of the micro light emitting element to the microlens.

Classes IPC  ?

• H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique
• G02B 3/00 - Lentilles simples ou composées
• H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants

Abrégé

An image display element, provided with a pixel region and a connection region, includes a light-emitting unit and a driving circuit substrate. The light-emitting unit includes a semiconductor layer obtained by layering a second conductive layer, a light-emitting layer, and a first conductive layer, mesa shapes formed by dividing the semiconductor layer, and a step portion separated from the mesa shapes by a groove. A first electrode is connected to the first conductive layer and a first driving electrode. The light-emitting unit further includes, between the mesa shapes adjacent to each other, a wiring line layer forming a conductive path, the wiring line layer being thinner than a layer thickness of a portion of each of the mesa shapes in the semiconductor layer. The wiring line layer extends to a top of the step portion and is connected to a common second electrode provided on the step portion.

Classes IPC  ?

• H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
• H01L 33/24 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué de la région électroluminescente, p.ex. jonction du type non planaire
• H01L 33/38 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes ayant une forme particulière
• H01L 33/44 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet
• H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants
• H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails

Abrégé

A laser element comprises a substrate; and an n-type semiconductor layer, a light emitting layer, a p-type semiconductor layer, and an electrode layer successively laminated on one principal surface of the substrate, wherein the p-type semiconductor layer includes a ridge raised in a stripe shape, the ridge including a contact layer formed in a layer including a principal surface on a side opposite to the substrate, a stepped portion defined by recessing the contact layer is formed in at least part of a boundary between a lateral surface among surfaces defining outer edges of the ridge, the lateral surface extending along a lengthwise direction of the ridge, and the principal surface of the ridge, and the electrode layer covers the principal surface of the ridge and the stepped portion.

Classes IPC  ?

• H01S 5/22 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique ayant une structure à nervures ou à bandes
• H01S 5/042 - Excitation électrique

Abrégé

A manufacturing method includes: a step of forming a light-emitting element layer by forming a semiconductor layer, a light-emitting layer, and a semiconductor layer in this order from a side with a first substrate on a surface, of the first substrate, on one side; a step of forming a separation trench in the light-emitting element layer to form a plurality of island shape light-emitting element layers; a step of forming a light shielding layer made of a material different from a material of the light-emitting element layer, in the separation trench; and a step of forming a plurality of light-emitting elements each including a corresponding one of the plurality of island shape light-emitting element layers having a height less than a height of the light shielding layer by etching a portion of the semiconductor layers of each of the plurality of island shape light-emitting element layers.

Classes IPC  ?

• H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique
• H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
• H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
• H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants
• H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure

Abrégé

A semiconductor module comprises an underlayer substrate on which a drive circuit is formed; a light-emitting element electrically coupled to the drive circuit; and a color conversion layer formed on the light-emitting element and containing a color conversion material that absorbs light emitted from the light-emitting element and converts a luminescent color of the light-emitting element to another luminescent color, wherein the color conversion material contained in the color conversion layer is present more on a light-emitting element side of the color conversion layer than on a side opposite to the light-emitting element side of the color conversion layer.

Classes IPC  ?

• H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
• H01L 33/54 - Encapsulations ayant une forme particulière
• H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des groupes principaux , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. circuit hybrides

Abrégé

An image display element provides an image display element including a plurality of micro light-emitting elements arrayed in an array manner, and a semiconductor layer at which a drive circuit is disposed, the drive circuit being configured to supply a current to each of the plurality of micro light-emitting elements to cause light to be emitted, in which a transistor that constitutes the drive circuit and a wiring layer are disposed at a first surface of the semiconductor layer, the plurality of micro light-emitting elements are disposed at a second surface of the semiconductor layer that is an opposite side of the first surface, and the transistor and the wiring layer are electrically coupled to the micro light-emitting elements through a through substrate via that extends through the semiconductor layer.

Classes IPC  ?

• H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
• H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• G09G 3/32 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED]

Abrégé

A light-emitting device comprises a casing including an upper surface portion having one or more first through holes, and a front surface portion having an opening; a transparent member that closes off the one or more first through holes; one or more light-emitting elements that face the one or more first through holes, respectively, within the casing; and a lid member provided so as to close off the opening, wherein the casing is integrally formed using one material.

Classes IPC  ?

• F21K 9/20 - Sources lumineuses comprenant un moyen de fixation
• F21V 31/00 - Dispositions d'étanchéité à l'eau ou aux gaz
• F21V 19/00 - Montage des sources lumineuses ou des supports de sources lumineuses sur ou dans les dispositifs d'éclairage

Abrégé

An image display device comprises a drive circuit substrate including a drive circuit that supplies currents to micro light-emitting elements to emit light; and the micro light-emitting elements arranged in an array shape on the drive circuit substrate, wherein a light-distribution control unit that increases forward light emission of the micro light-emitting elements is disposed on a light-emitting surface of each of the micro light-emitting elements, and a partition wall that does not transmit the light emitted by the micro light-emitting elements is disposed around the light-distribution control unit.

Classes IPC  ?

• H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
• H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
• H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants
• H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
• H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 27/16 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants thermomagnétiques
• H01L 27/146 - Structures de capteurs d'images
• G09G 3/32 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED]

Abrégé

In an image display device, a scattering unit has a size that covers a surface of a red conversion unit on a side that emits light having a second wavelength and a surface of a green conversion unit on a side that emits light having a third wavelength, and faces at most a part of a micro LED element.

Classes IPC  ?

• H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants
• H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde

Abrégé

An image display element includes micro light emitting elements disposed in an array on a driving circuit substrate. An excitation light emitting element includes a main body including a compound semiconductor, a metal electrode disposed on a side of the main body located closer to the driving circuit substrate, and a transparent electrode disposed on an opposite side to the driving circuit substrate, and a light emission layer included in the main body is disposed on a side opposite to the driving circuit substrate from a center portion of the main body.

Classes IPC  ?

• H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des groupes principaux , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. circuit hybrides
• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
• H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants
• H01L 33/40 - Matériaux
• H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
• H01L 33/42 - Matériaux transparents
• H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote

Abrégé

A laser device includes a substrate including a principal surface and a recess provided in the principal surface; a laser oscillation unit fixed to the principal surface in direct contact with the principal surface or with an adhesive interposed between the laser oscillation unit and the principal surface, the laser oscillation unit having an emission surface from which laser light that diverges as the laser light travels is emitted along the principal surface; and a reflecting member fixed to a bottom surface of the recess and having an inclined surface that is inclined with respect to the principal surface so as to reflect the laser light. At least a portion of the inclined surface is positioned in a space inside the recess.

Classes IPC  ?

• H01S 3/13 - Stabilisation de paramètres de sortie de laser, p.ex. fréquence ou amplitude
• H01S 5/02326 - Dispositions pour le positionnement relatif des diodes laser et des composants optiques, p.ex. rainures dans le support pour fixer des fibres optiques ou des lentilles
• H01S 5/183 - Lasers à émission de surface [lasers SE], p.ex. comportant à la fois des cavités horizontales et verticales comportant uniquement des cavités verticales, p.ex. lasers à émission de surface à cavité verticale [VCSEL]
• H01S 5/0236 - Fixation des puces laser sur des supports en utilisant un adhésif
• H01S 5/024 - Dispositions pour la gestion thermique
• H01S 5/40 - Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes
• H01S 5/0222 - Boîtiers remplis de gaz
• H01S 5/323 - Structure ou forme de la région active; Matériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p.ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures dans des composés AIIIBV, p.ex. laser AlGaAs

Abrégé

An image display element includes micro light emitting elements arranged in an array, a drive circuit substrate that includes a drive circuit for supplying a current to the micro light emitting elements to cause light to be emitted, and an antenna arranged on a light emitting surface of each of the micro light emitting elements, in which the antenna includes isolated convex portions.

Classes IPC  ?

• H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des groupes principaux , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. circuit hybrides
• H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants
• H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
• H01L 33/38 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes ayant une forme particulière
• H01L 33/44 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet
• H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique
• H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
• H01L 23/66 - Adaptations pour la haute fréquence

Abrégé

A micro light emitting element includes: a body including a compound semiconductor layer in which a first conductive layer, a light emission layer, and a second conductive layer with a conductive type opposite to a conductive type of the first conductive layer are stacked in order from a light emitting surface side; a first electrode including a transparent electrode on the light emitting surface side; a second electrode including a metal film on a side opposite to the light emitting surface side; and a first reflective material covering a side surface of the body. The light emission layer is disposed on the light emitting surface side of the body. The side surface of the body is tapered at an inclination angle to open in a light emitting direction.

Classes IPC  ?

• H01L 33/20 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
• H01L 33/40 - Matériaux
• H01L 33/38 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes ayant une forme particulière
• H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants
• H01L 33/44 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet
• H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
• H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
• H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des groupes principaux , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. circuit hybrides
• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails

Abrégé

An image display device includes: a plurality of micro light emitting elements arranged in an array shape; a driving circuit substrate including a driving circuit that supplies electric current to the plurality of micro light emitting elements and that causes the plurality of micro light emitting elements to emit light; a plurality of micro lenses in contact with light emitting surfaces of the plurality of micro light emitting elements; and a plurality of partition walls disposed around the plurality of micro lenses in a direction parallel to the light emitting surfaces.

Classes IPC  ?

• H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
• H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
• H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique
• H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants
• H01L 25/04 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
• H01L 51/50 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
• H01L 51/52 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED) - Détails des dispositifs
• H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
• G02B 3/00 - Lentilles simples ou composées

Abrégé

A light emitting device includes a substrate; a semiconductor light emitting element provided on the substrate; a mirror that is formed on the substrate and reflects light emitted by the semiconductor light emitting element; a first resin disposed apart from the semiconductor light emitting element on an optical path and containing a light diffusing material; and a second resin disposed on the optical path between the semiconductor light emitting element and the low light diffusion portion and covering a light emitting surface of the semiconductor light emitting element at least in a region in which a density of the light is highest. A concentration of a light diffusing material in the second resin is lower than a concentration of the light diffusing material in the first resin.

Classes IPC  ?

• H01S 5/02255 - Découplage de lumière utilisant des éléments de déviation de faisceaux lumineux
• H01S 5/02257 - Découplage de lumière utilisant des fenêtres optiques, p.ex. spécialement adaptées pour réfléchir de la lumière sur un détecteur à l’intérieur du boîtier
• H01S 5/028 - Revêtements

Abrégé

In a semiconductor laser device, a semiconductor layer includes a first groove formed on both sides of a ridge, a pair of second recesses facing each other and between which the ridge is interposed on a side of a light emitting surface, and a pair of third grooves in parallel to the first groove from the light emitting surface and interposing the ridge therebetween.

Classes IPC  ?

• H01S 5/00 - Lasers à semi-conducteurs
• H01S 5/22 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique ayant une structure à nervures ou à bandes
• H01S 5/042 - Excitation électrique
• H01S 5/10 - Structure ou forme du résonateur optique
• H01S 5/062 - Dispositions pour commander les paramètres de sortie du laser, p.ex. en agissant sur le milieu actif en faisant varier le potentiel des électrodes
• H01S 5/343 - Structure ou forme de la région active; Matériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p.ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p.ex. laser AlGaAs

Abrégé

A nitride semiconductor laser device at least includes a ridge part disposed on a second-conductivity-type semiconductor layer, a conductive oxide layer covering the upper surface of the ridge part and portions of opposite side surfaces of the ridge part, a dielectric layer covering a portion of the conductive oxide layer, and a first metal layer covering the conductive oxide layer and the dielectric layer, wherein a portion of the conductive oxide layer disposed on the upper surface of the ridge part is exposed through the dielectric layer and covered with the first metal layer.

Classes IPC  ?

• H01S 5/022 - Supports; Boîtiers
• H01S 5/22 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique ayant une structure à nervures ou à bandes
• H01S 5/14 - Lasers à cavité externe
• H01S 5/223 - Structure à bande enterrée
• H01S 5/042 - Excitation électrique
• B82Y 20/00 - Nano-optique, p.ex. optique quantique ou cristaux photoniques

Abrégé

[Object] Collection efficiency of a reflector that reflects a converted beam, which is converted from a pump beam by a phosphor, and projects the resultant as a projection beam is increased. [Solution] An optical member (4) of a light source unit (1) deflects a pump beam (PB) so that a first angle of incidence (α1) of a pump beam (PBX) relative to a surface of a phosphor (3) is larger than a second angle of incidence (α2) of the pump beam (PB), which is incident on the optical member (4), relative to the surface of the phosphor (3).

Classes IPC  ?

• F21K 9/64 - Agencements optiques intégrés dans la source lumineuse, p.ex. pour améliorer l’indice de rendu des couleurs ou l’extraction de lumière en utilisant des moyens de conversion de longueur d’onde distincts ou espacés de l’élément générateur de lumière, p.ex. une couche de phosphore éloignée
• G02B 27/30 - Collimateurs
• G02B 5/02 - Diffuseurs; Eléments afocaux
• F21V 9/35 - CARACTÉRISTIQUES FONCTIONNELLES OU DÉTAILS FONCTIONNELS DES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES D'ÉCLAIRAGE; COMBINAISONS STRUCTURALES DE DISPOSITIFS D'ÉCLAIRAGE AVEC D'AUTRES OBJETS, NON PRÉVUES AILLEURS Éléments modifiant les caractéristiques spectrales, la polarisation ou l’intensité de la lumière émise, p.ex. filtres Éléments contenant un matériau photoluminescent distinct de la source de lumière ou espacé de cette source caractérisés par la disposition du matériau photoluminescent aux points focaux, p.ex. des réfracteurs, lentilles, réflecteurs ou réseaux de sources de lumière
• F21Y 115/30 - Lasers à semi-conducteurs

Abrégé

b of the lens that is opposite to an optical light-emitting surface of the lens is fixed to the adjustment surface with an adhesive AD. A stepped portion that is recessed in the direction of the optical axis L is formed in a bonding portion in which the end surface of the lens and the adjustment surface are bonded together.

Classes IPC  ?

• H01S 5/02 - Lasers à semi-conducteurs - Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
• H01S 5/02253 - Découplage de lumière utilisant des lentilles
• H01S 5/02326 - Dispositions pour le positionnement relatif des diodes laser et des composants optiques, p.ex. rainures dans le support pour fixer des fibres optiques ou des lentilles
• H01S 5/00 - Lasers à semi-conducteurs

Abrégé

A semiconductor laser device includes a semiconductor laser element, a sub mount member, a mount section having an upper surface on which the semiconductor laser element is mounted with the sub mount member interposed therebetween, a lead pin disposed at left and right sides of the mount section, a retainer that retains the mount section and the lead pin together and that is composed of an insulative material, and a protrusion protruding toward the left and right sides of the mount section. A lower surface of the mount section is parallel to an upper surface of the mount section and protrudes from a lower surface of the retainer.

Classes IPC  ?

• H01S 5/0234 - Montage à orientation inversée, p.ex. puce retournée [flip-chip], montage à côté épitaxial au-dessous ou montage à jonction au-dessous
• H01S 5/0231 - Tiges
• H01S 5/02355 - Fixation des puces laser sur des supports

Abrégé

An embodiment of the present invention enables an improvement in image resolution. A projection device (1) includes: a light source (11); a MEMS mirror (14) which reflects and two-dimensionally scans the laser beam emitted from the light source; and a free-form lens (15) which changes focusing properties of the laser beam reflected by the scanning section such that, after propagation of the laser beam to a screen (20) onto which the image is to be projected, a shape of the laser beam when viewed on the screen has a first width that is shorter than a second width of the shape, the first width being along a horizontal direction corresponding to a primary scanning direction in which the MEMS mirror scans the laser beam, the second width being along a vertical direction.

Classes IPC  ?

• G03B 21/12 - Projecteurs ou visionneuses du type par projection; Leurs accessoires prévues pour la projection de vues fixes ou de films de cinéma
• G03B 21/20 - Boîtes à lumière
• G02B 26/12 - Systèmes de balayage utilisant des miroirs à facettes multiples
• G02B 26/08 - Dispositifs ou dispositions optiques pour la commande de la lumière utilisant des éléments optiques mobiles ou déformables pour commander la direction de la lumière
• G02B 27/14 - Systèmes divisant ou combinant des faisceaux fonctionnant uniquement par réflexion
• G03B 21/14 - Projecteurs ou visionneuses du type par projection; Leurs accessoires - Détails

Abrégé

A light source unit provides enhanced control of a colour shift of white light reflected by a retro-reflector. The light source unit includes a pump light source, which emits laser pump light, a phosphor, which converts the laser pump light into white light, a retro-reflector, which has an output aperture that allows emission of part of the white light, the retro-reflector reflecting another part of the white light back to the phosphor, and scattering particles, which are adjusted to increase a blue light ratio of the white light.

Classes IPC  ?

• F21V 9/32 - CARACTÉRISTIQUES FONCTIONNELLES OU DÉTAILS FONCTIONNELS DES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES D'ÉCLAIRAGE; COMBINAISONS STRUCTURALES DE DISPOSITIFS D'ÉCLAIRAGE AVEC D'AUTRES OBJETS, NON PRÉVUES AILLEURS Éléments modifiant les caractéristiques spectrales, la polarisation ou l’intensité de la lumière émise, p.ex. filtres Éléments contenant un matériau photoluminescent distinct de la source de lumière ou espacé de cette source caractérisés par la disposition du matériau photoluminescent
• F21V 29/87 - Protection des dispositifs d'éclairage contre les détériorations thermiques; Dispositions de refroidissement ou de chauffage spécialement adaptées aux dispositifs ou systèmes d'éclairage caractérisées par le matériau additifs thermo-conducteurs ou leurs revêtements
• F21V 7/22 - Réflecteurs pour sources lumineuses caractérisés par les matériaux, traitements de surface ou revêtements

Abrégé

In a semiconductor laser device that includes: a semiconductor laser element that outputs light from an output portion; and a metal stem that holds the semiconductor laser element, the metal stem includes a base that has a reference surface on an upper surface and a protrusion portion that protrudes upward from the reference surface, and the protrusion portion is provided with an installation surface on which the semiconductor laser element is installed and a side surface which is disposed on an identical plane with a part of an outer circumferential surface of the base.

Classes IPC  ?

• H01S 5/0233 - Configuration de montage des puces laser
• H01S 5/024 - Dispositions pour la gestion thermique
• H01S 5/02 - Lasers à semi-conducteurs - Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
• H01S 5/02212 - Supports; Boîtiers caractérisés par la forme des boîtiers du type CAN, p.ex. boîtiers TO-CAN avec émission le long ou parallèlement à l’axe de symétrie
• H01S 5/323 - Structure ou forme de la région active; Matériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p.ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures dans des composés AIIIBV, p.ex. laser AlGaAs
• H01S 5/02218 - Matériaux du boîtier; Matériaux de remplissage du boîtier
• H01S 5/02208 - Supports; Boîtiers caractérisés par la forme des boîtiers

Abrégé

A semiconductor laser element that includes a stripe-shaped light-emitting region and that is formed by adhering a surface of the semiconductor laser element on a side opposite to a semiconductor substrate and a submount to each other by a solder layer includes a terrace section on a surface of the semiconductor laser element that is adhered by the solder layer, the terrace section being separated from a ridge portion, which is a current-carrying portion, by a grooved portion. A top surface of a region including the grooved portion is covered by a metal. The terrace section is divided into a plurality of portions that are disposed in a scattered manner.

Classes IPC  ?

• H01S 5/00 - Lasers à semi-conducteurs
• H01S 5/223 - Structure à bande enterrée
• H01S 5/22 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique ayant une structure à nervures ou à bandes
• H01S 5/022 - Supports; Boîtiers
• H01S 5/343 - Structure ou forme de la région active; Matériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p.ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p.ex. laser AlGaAs

Abrégé

In a light projecting apparatus including a laser light source, a light projecting apparatus is divided into a laser-light-source module and a light-projecting optical module. In the laser-light-source module NOR laser beams from a plurality of laser light sources are combined by a beam combiner. The laser-light-source module and the light-projecting optical module are connected to each other by an optical fiber in a cable. A laser beam formed by the beam combiner is transmitted through the optical fiber to the light-projecting optical module, received by a fiber receptacle, and projected. In the laser-light-source module NOR a fiber-breakage countermeasure section that detects breakage of the optical fiber and takes countermeasures against the breakage is disposed.

Classes IPC  ?

• H05B 37/02 - Commande
• F21V 8/00 - Utilisation de guides de lumière, p.ex. dispositifs à fibres optiques, dans les dispositifs ou systèmes d'éclairage
• G01M 11/00 - Test des appareils optiques; Test des structures ou des ouvrages par des méthodes optiques, non prévu ailleurs
• H05B 47/105 - Commande de la source lumineuse en réponse à des paramètres détectés

Abrégé

A semiconductor light-emitting device 10 includes a heat sink and a semiconductor light-emitting element mounted on the heat sink. A gap is provided between a region of a part of a base bottom surface of a base of the semiconductor light-emitting element and an upper surface of the heat sink, and a lead is disposed in a region where the gap is provided so as to vertically pass through the base. A semiconductor laser chip is provided in a region where the gap is not provided so that its waveguide longitudinal direction is substantially parallel to an upper surface of the base. The lead has its lower end located within the gap and connected to a flexible substrate.

Classes IPC  ?

• H01S 5/024 - Dispositions pour la gestion thermique
• H01S 5/022 - Supports; Boîtiers
• H01S 5/40 - Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes
• H01S 5/02 - Lasers à semi-conducteurs - Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
• H01S 5/00 - Lasers à semi-conducteurs
• H01S 5/323 - Structure ou forme de la région active; Matériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p.ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures dans des composés AIIIBV, p.ex. laser AlGaAs
• H01S 5/0683 - Stabilisation des paramètres de sortie du laser en surveillant les paramètres optiques de sortie

Abrégé

A semiconductor laser device includes an optical waveguide that extends toward a first end of the semiconductor laser device. The optical waveguide includes a first clad layer, an active layer, a second clad layer, and an electrode layer in this order. A reflecting surface, which has a dielectric film and a metal film in this order from the active layer, crosses the active layer at a second end of the optical waveguide.

Classes IPC  ?

• H01S 5/028 - Revêtements
• H01S 5/10 - Structure ou forme du résonateur optique
• H01S 5/22 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique ayant une structure à nervures ou à bandes
• H01S 5/24 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique ayant une structure rainurée, p.ex. à rainures en V
• H01S 5/042 - Excitation électrique
• H01S 5/40 - Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes
• H01S 5/02 - Lasers à semi-conducteurs - Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
• H01S 5/02216 - Supports; Boîtiers caractérisés par la forme des boîtiers du type papillon, c.-à-d. avec les broches d’électrode s’étendant latéralement depuis le boîtier
• H01S 5/16 - Lasers du type à fenêtre, c.à d. avec une région en un matériau non absorbant entre la région active et la surface réfléchissante
• H01S 5/02253 - Découplage de lumière utilisant des lentilles

Abrégé

A light emitting device of the present invention includes a light-emitting section for generating fluorescence by receiving a laser beam, and a light irradiation unit for irradiating a light irradiated surface of the light emitting section with a laser beam that increases regularly in beam diameter in a direction in which the laser beam travels.

Classes IPC  ?

• F21S 41/176 - Sources lumineuses où la lumière est générée par un matériau photoluminescent espacé par rapport à un élément générateur de lumière primaire
• F21S 43/16 - Sources lumineuses où la lumière est générée par un matériau photoluminescent espacé par rapport à un élément générateur de lumière primaire
• F21K 9/64 - Agencements optiques intégrés dans la source lumineuse, p.ex. pour améliorer l’indice de rendu des couleurs ou l’extraction de lumière en utilisant des moyens de conversion de longueur d’onde distincts ou espacés de l’élément générateur de lumière, p.ex. une couche de phosphore éloignée
• B60Q 1/00 - Agencement des dispositifs de signalisation optique ou d'éclairage, leur montage, leur support ou les circuits à cet effet
• F21S 41/14 - Dispositifs d’éclairage spécialement adaptés à l’extérieur des véhicules, p.ex. phares caractérisés par la source lumineuse caractérisés par le type de source lumineuse
• F21S 41/16 - Sources lumineuses laser
• F21V 9/30 - CARACTÉRISTIQUES FONCTIONNELLES OU DÉTAILS FONCTIONNELS DES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES D'ÉCLAIRAGE; COMBINAISONS STRUCTURALES DE DISPOSITIFS D'ÉCLAIRAGE AVEC D'AUTRES OBJETS, NON PRÉVUES AILLEURS Éléments modifiant les caractéristiques spectrales, la polarisation ou l’intensité de la lumière émise, p.ex. filtres Éléments contenant un matériau photoluminescent distinct de la source de lumière ou espacé de cette source
• F21Y 115/30 - Lasers à semi-conducteurs
• F21Y 115/10 - Diodes électroluminescentes [LED]

Abrégé

A nitride semiconductor laser device sequentially includes, between a nitride semiconductor substrate and an n-side cladding layer, a first nitride semiconductor layer formed of an AlGaN layer, a second nitride semiconductor layer that is formed of an AlGaN layer and has a lower Al content than the first nitride semiconductor layer, a third nitride semiconductor layer formed of a GaN layer, a fourth nitride semiconductor layer formed of an InGaN layer, and a fifth nitride semiconductor layer formed of an AlGaN layer.

Classes IPC  ?

• H01S 5/343 - Structure ou forme de la région active; Matériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p.ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p.ex. laser AlGaAs
• H01S 5/22 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique ayant une structure à nervures ou à bandes

Abrégé

y3P (0≤x3≤1, 0.45≤y3≤0.55). The width of the stripe structure is 10 μm or more, and the refractive index with respect to the laser oscillation wavelength of the first n-type cladding layer is less than or equal to the refractive index with respect to the laser oscillation wavelength of the second n-type cladding layer.

Classes IPC  ?

• H01S 5/32 - Structure ou forme de la région active; Matériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p.ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures
• H01S 5/22 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique ayant une structure à nervures ou à bandes
• H01S 5/343 - Structure ou forme de la région active; Matériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p.ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p.ex. laser AlGaAs

Abrégé

A housing provided to a light source device has a sliding surface to which a first lens portion is fixed and an inclined support surface to which a second lens portion is fixed. The sliding surface is vertical to a direction of an optical axis of a semiconductor laser and wider than a first fixing surface of the first lens portion that is fixed to the sliding surface. The inclined support surface is parallel to the direction of the optical axis and wider than a second fixing surface of the second lens portion that is fixed to the inclined support surface.

Classes IPC  ?

• G03B 21/20 - Boîtes à lumière
• H01S 5/022 - Supports; Boîtiers
• H01S 5/024 - Dispositions pour la gestion thermique
• H01S 5/40 - Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes
• H01S 5/00 - Lasers à semi-conducteurs
• H01S 5/02 - Lasers à semi-conducteurs - Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser

Abrégé

A group III nitride based laser light emitting device includes an n-side group III nitride based semiconductor region, a p-side group III nitride based semiconductor region, and a group III nitride based active region between the p-side group III nitride based semiconductor region and n-side group III nitride based semiconductor region. The group III nitride based active region includes first and second quantum well layers and a barrier layer between the first and second quantum well layers, the respective compositions of the first and second quantum well layers comprising different respective amounts of indium. The first quantum well is closer to the n-side group III nitride based semiconductor region than the second quantum well, the second quantum well is closer to the p-side group III nitride based semiconductor region than the first quantum well, and the first quantum well has a larger band gap than the second quantum well.

Classes IPC  ?

• H01S 5/34 - Structure ou forme de la région active; Matériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p.ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH]
• H01S 5/343 - Structure ou forme de la région active; Matériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p.ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p.ex. laser AlGaAs
• H01S 5/22 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique ayant une structure à nervures ou à bandes

Abrégé

Image capturing accuracy is improved while a simple optical system is used. An image capture device includes: a polarizing filter that blocks non-transmitted light that has been in polarized light of an infrared ray radiated from a light source and has not been transmitted through an image capturing target and transmitted light that has been in the polarized light and has been transmitted through the image capturing target without diffusion inside the image capturing target, and transmits transmitted light that has been in the polarized light and has been diffused inside the image capturing target and transmitted therethrough; and an image sensor that receives the light that has been transmitted through the polarizing filter and captures an image of the image capturing target.

Classes IPC  ?

• H04N 5/33 - Transformation des rayonnements infrarouges
• A61B 5/1171 - Identification des personnes basée sur la morphologie ou l’aspect de leur corps ou de parties de celui-ci
• G02B 5/30 - OPTIQUE ÉLÉMENTS, SYSTÈMES OU APPAREILS OPTIQUES Éléments optiques autres que les lentilles Éléments polarisants
• G06K 9/00 - Méthodes ou dispositions pour la lecture ou la reconnaissance de caractères imprimés ou écrits ou pour la reconnaissance de formes, p.ex. d'empreintes digitales
• H04N 5/335 - Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques utilisant des capteurs d'images à l'état solide [capteurs SSIS] 
• A61B 5/117 - Identification des personnes

Abrégé

A nitride semiconductor light-emitting element includes at least an n-type nitride semiconductor layer, a light-emitting layer, and a p-type nitride semiconductor layer. A multilayer body is provided between the n-type nitride semiconductor layer and the light-emitting layer, having at least one stack of first and second semiconductor layers. The second semiconductor layer has a greater band-gap energy than the first semiconductor layer. The first and second semiconductor layers each have a thickness of more than 10 nm and 30 nm or less. In applications in which luminous efficiency at room temperature is a high priority, the first semiconductor layer has a thickness of more than 10 nm and 30 nm or less, the second semiconductor layer has a thickness of more than 10 nm and 40 nm or less, and the light-emitting layer has V-shaped recesses in cross-sectional view.

Classes IPC  ?

• H01L 33/04 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel
• H01L 21/205 - Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c. à d. un dépôt chimique
• H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
• H01L 33/02 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs
• H01L 33/06 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
• H01L 33/12 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure de relaxation des contraintes, p.ex. couche tampon
• H01L 33/24 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué de la région électroluminescente, p.ex. jonction du type non planaire

Abrégé

Light emission efficiency is increased in an eye-safe light source by regulating light distribution properties. An eye-safe light source includes a package, a semiconductor laser that emits laser light from a left light emission end surface and a right light emission end surface, and a wire that is joined to the semiconductor laser. The semiconductor laser is joined to the package such that the laser light is emitted parallel to an upper surface of a lead frame of the package. The package includes reflection surfaces that face the left light emission end surface and the right light emission end surface and reflect the laser light. In top view, a direction in which the wire extends is perpendicular to a direction of emission of the laser light.

Classes IPC  ?

• H01S 5/022 - Supports; Boîtiers
• F21K 9/00 - Sources lumineuses utilisant des dispositifs à semi-conducteurs en tant qu’éléments générateurs de lumière, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED] ou des lasers

Abrégé

A laser device includes a light source that emits a source light having a first peak wavelength. A nonlinear optical component performs a frequency conversion process that converts the source light into output light having a second peak wavelength. A stabilization component minimizes a mismatch error constituting a difference between the first peak wavelength and a wavelength for which the frequency conversion process in the nonlinear optical component has a maximum value. The stabilization component may include a housing that is thermally conductive between the light source and the nonlinear optical component to minimize a temperature difference between the light source and the nonlinear optical component. The laser device may include a focusing optical component that focuses the source light to have a convergence half angle that is larger than a convergence half angle that gives maximum output power, thereby increasing an acceptable range of the mismatch error.

Classes IPC  ?

• H01S 3/04 - Dispositions pour la gestion thermique
• H01S 3/109 - Multiplication de la fréquence, p.ex. génération d'harmoniques
• H01S 3/137 - Stabilisation de paramètres de sortie de laser, p.ex. fréquence ou amplitude par commande de dispositifs placés dans la cavité pour la stabilisation de la fréquence
• H01S 3/0941 - Procédés ou appareils pour l'excitation, p.ex. pompage utilisant le pompage optique par de la lumière cohérente produite par un laser à semi-conducteur, p.ex. par une diode laser
• H01S 5/022 - Supports; Boîtiers
• H01S 5/024 - Dispositions pour la gestion thermique
• H01S 3/08 - Structure ou forme des résonateurs optiques ou de leurs composants
• H01S 5/00 - Lasers à semi-conducteurs
• H01S 5/14 - Lasers à cavité externe

Abrégé

A light emitting device of the present invention includes a light-emitting section for generating fluorescence by receiving a laser beam, and a light irradiation unit for irradiating a light irradiated surface of the light emitting section with a laser beam that increases regularly in beam diameter in a direction in which the laser beam travels.

Classes IPC  ?

• F21V 9/16 - Emploi de matériaux luminescents spécifiés comme écrans de lumière
• F21S 41/176 - Sources lumineuses où la lumière est générée par un matériau photoluminescent espacé par rapport à un élément générateur de lumière primaire
• F21S 43/16 - Sources lumineuses où la lumière est générée par un matériau photoluminescent espacé par rapport à un élément générateur de lumière primaire
• F21K 9/64 - Agencements optiques intégrés dans la source lumineuse, p.ex. pour améliorer l’indice de rendu des couleurs ou l’extraction de lumière en utilisant des moyens de conversion de longueur d’onde distincts ou espacés de l’élément générateur de lumière, p.ex. une couche de phosphore éloignée
• B60Q 1/00 - Agencement des dispositifs de signalisation optique ou d'éclairage, leur montage, leur support ou les circuits à cet effet
• F21S 41/14 - Dispositifs d’éclairage spécialement adaptés à l’extérieur des véhicules, p.ex. phares caractérisés par la source lumineuse caractérisés par le type de source lumineuse
• F21S 41/16 - Sources lumineuses laser
• F21V 9/30 - CARACTÉRISTIQUES FONCTIONNELLES OU DÉTAILS FONCTIONNELS DES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES D'ÉCLAIRAGE; COMBINAISONS STRUCTURALES DE DISPOSITIFS D'ÉCLAIRAGE AVEC D'AUTRES OBJETS, NON PRÉVUES AILLEURS Éléments modifiant les caractéristiques spectrales, la polarisation ou l’intensité de la lumière émise, p.ex. filtres Éléments contenant un matériau photoluminescent distinct de la source de lumière ou espacé de cette source
• F21Y 115/30 - Lasers à semi-conducteurs
• F21Y 115/10 - Diodes électroluminescentes [LED]

Abrégé

A light beam separating and absorbing element includes a mirror that receives first and second light beams incident on a first surface, and the mirror is configured to transmit the first light beam and reflect the second light beam. A beam absorber receives the first light beam transmitted through the mirror, and absorbs a first light portion of the transmitted first light beam after the first light beam has been transmitted through the mirror. The beam absorber scatters a second portion of the first light beam, and the beam absorber and mirror are positioned such that at least a portion of the scattered light is incident on a second surface of the mirror. Transmissivity of the mirror for the scattered light incident on the second mirror surface may be lower as compared to transmissivity for the first light beam incident on the first mirror surface to enhance separation of the first and second light beams.

Classes IPC  ?

• G02B 27/28 - Systèmes ou appareils optiques non prévus dans aucun des groupes , pour polariser
• G02B 5/00 - OPTIQUE ÉLÉMENTS, SYSTÈMES OU APPAREILS OPTIQUES Éléments optiques autres que les lentilles
• G02B 5/30 - OPTIQUE ÉLÉMENTS, SYSTÈMES OU APPAREILS OPTIQUES Éléments optiques autres que les lentilles Éléments polarisants
• G02F 1/35 - Optique non linéaire

Abrégé

A nitride semiconductor light-emitting element includes at least an n-type nitride semiconductor layer, a light-emitting layer, and a p-type nitride semiconductor layer. A multilayer body is provided between the n-type nitride semiconductor layer and the light-emitting layer, having at least one stack of first and second semiconductor layers. The second semiconductor layer has a greater band-gap energy than the first semiconductor layer. The first and second semiconductor layers each have a thickness of more than 10 nm and 30 nm or less. In applications in which luminous efficiency at room temperature is a high priority, the first semiconductor layer has a thickness of more than 10 nm and 30 nm or less, the second semiconductor layer has a thickness of more than 10 nm and 40 nm or less, and the light-emitting layer has V-shaped recesses in cross-sectional view.

Classes IPC  ?

• H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
• H01L 33/04 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel
• H01L 33/02 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs
• H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
• H01L 33/24 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué de la région électroluminescente, p.ex. jonction du type non planaire
• H01L 33/12 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure de relaxation des contraintes, p.ex. couche tampon
• H01L 33/06 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel

Abrégé

A laser device includes a light source that emits a source light having a first peak wavelength. A nonlinear optical component performs a frequency conversion process that converts the source light into output light having a second peak wavelength. A stabilization component minimizes a mismatch error constituting a difference between the first peak wavelength and a wavelength for which the frequency conversion process in the nonlinear optical component has a maximum value. The stabilization component may include a housing that is thermally conductive between the light source and the nonlinear optical component to minimize a temperature difference between the light source and the nonlinear optical component. The laser device may include a focusing optical component that focuses the source light to have a convergence half angle that is larger than a convergence half angle that gives maximum output power, thereby increasing an acceptable range of the mismatch error.

Classes IPC  ?

• H01S 3/109 - Multiplication de la fréquence, p.ex. génération d'harmoniques
• H01S 3/04 - Dispositions pour la gestion thermique
• H01S 3/08 - Structure ou forme des résonateurs optiques ou de leurs composants
• H01S 3/137 - Stabilisation de paramètres de sortie de laser, p.ex. fréquence ou amplitude par commande de dispositifs placés dans la cavité pour la stabilisation de la fréquence
• H01S 3/0941 - Procédés ou appareils pour l'excitation, p.ex. pompage utilisant le pompage optique par de la lumière cohérente produite par un laser à semi-conducteur, p.ex. par une diode laser

Abrégé

a and reaches the exposed first conductivity type nitride semiconductor layer.

Classes IPC  ?

• H01L 33/38 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes ayant une forme particulière
• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
• H01L 33/14 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure contrôlant le transport des charges, p.ex. couche semi-conductrice fortement dopée ou structure bloquant le courant
• H01L 33/20 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
• H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
• H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure

Abrégé

In a light emitting section, a phosphor layer including a first phosphor particle which receives excitation light and emits fluorescence with a first peak wavelength and a phosphor layer including a second phosphor particle which receives the excitation light and emits fluorescence with a second peak wavelength are stacked. In the light emitting section, when an upper surface is a surface from which illumination light is mostly emitted, the illumination light including the fluorescence emitted from the first phosphor particle and the fluorescence emitted from the second phosphor particle, a reflective member to reduce leakage of fluorescence is provided on a side surface of the light emitting section.

Classes IPC  ?

• F21K 9/64 - Agencements optiques intégrés dans la source lumineuse, p.ex. pour améliorer l’indice de rendu des couleurs ou l’extraction de lumière en utilisant des moyens de conversion de longueur d’onde distincts ou espacés de l’élément générateur de lumière, p.ex. une couche de phosphore éloignée
• F21K 9/60 - Agencements optiques intégrés dans la source lumineuse, p.ex. pour améliorer l’indice de rendu des couleurs ou l’extraction de lumière
• F21S 41/14 - Dispositifs d’éclairage spécialement adaptés à l’extérieur des véhicules, p.ex. phares caractérisés par la source lumineuse caractérisés par le type de source lumineuse
• F21S 41/16 - Sources lumineuses laser
• F21V 9/30 - CARACTÉRISTIQUES FONCTIONNELLES OU DÉTAILS FONCTIONNELS DES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES D'ÉCLAIRAGE; COMBINAISONS STRUCTURALES DE DISPOSITIFS D'ÉCLAIRAGE AVEC D'AUTRES OBJETS, NON PRÉVUES AILLEURS Éléments modifiant les caractéristiques spectrales, la polarisation ou l’intensité de la lumière émise, p.ex. filtres Éléments contenant un matériau photoluminescent distinct de la source de lumière ou espacé de cette source
• F21Y 101/00 - Sources lumineuses ponctuelles
• F21Y 115/30 - Lasers à semi-conducteurs
• F21V 29/503 - Dispositions de refroidissement caractérisées par l’adaptation au refroidissement de composants spécifiques de sources lumineuses
• F21V 5/04 - Réfracteurs pour sources lumineuses de forme lenticulaire
• F21V 13/12 - Combinaisons de trois sortes d'éléments uniquement
• F21V 8/00 - Utilisation de guides de lumière, p.ex. dispositifs à fibres optiques, dans les dispositifs ou systèmes d'éclairage
• F21Y 115/10 - Diodes électroluminescentes [LED]

Abrégé

A light-emitting device includes a light-emitting portion that emits fluorescence in response to excitation light incident on a surface of the light-emitting portion, and a reflector that defines a light-emitting region on the surface of the light-emitting portion, the fluorescence being emitted from the light-emitting region. The excitation light has a top-hat energy intensity distribution on the surface of the light-emitting portion.

Classes IPC  ?

• F21V 9/30 - CARACTÉRISTIQUES FONCTIONNELLES OU DÉTAILS FONCTIONNELS DES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES D'ÉCLAIRAGE; COMBINAISONS STRUCTURALES DE DISPOSITIFS D'ÉCLAIRAGE AVEC D'AUTRES OBJETS, NON PRÉVUES AILLEURS Éléments modifiant les caractéristiques spectrales, la polarisation ou l’intensité de la lumière émise, p.ex. filtres Éléments contenant un matériau photoluminescent distinct de la source de lumière ou espacé de cette source
• G02B 27/09 - Mise en forme du faisceau, p.ex. changement de la section transversale, non prévue ailleurs
• F21K 9/61 - Agencements optiques intégrés dans la source lumineuse, p.ex. pour améliorer l’indice de rendu des couleurs ou l’extraction de lumière en utilisant des guides de lumière
• F21K 9/64 - Agencements optiques intégrés dans la source lumineuse, p.ex. pour améliorer l’indice de rendu des couleurs ou l’extraction de lumière en utilisant des moyens de conversion de longueur d’onde distincts ou espacés de l’élément générateur de lumière, p.ex. une couche de phosphore éloignée
• F21S 41/14 - Dispositifs d’éclairage spécialement adaptés à l’extérieur des véhicules, p.ex. phares caractérisés par la source lumineuse caractérisés par le type de source lumineuse
• F21S 41/20 - Dispositifs d’éclairage spécialement adaptés à l’extérieur des véhicules, p.ex. phares caractérisés par des réfracteurs, des glaces de fermeture transparentes, des guides ou des filtres de lumière
• F21S 41/24 - Guides de lumière
• F21S 41/39 - Leur fixation
• F21S 41/16 - Sources lumineuses laser
• F21Y 101/00 - Sources lumineuses ponctuelles
• F21Y 115/30 - Lasers à semi-conducteurs
• H01S 5/00 - Lasers à semi-conducteurs
• F21Y 115/10 - Diodes électroluminescentes [LED]
• F21S 45/47 - Refroidissement passif, p.ex. en utilisant des ailettes, des éléments thermiquement conducteurs ou des ouvertures

Abrégé

A semiconductor laser element is provided with: a substrate formed of a semiconductor; a semiconductor laminated film, which is laminated on the substrate, and which includes an active layer; a first electrode and a second electrode, which are provided on surfaces parallel to the active layer on the side where the semiconductor laminated film is formed on the substrate; and a facet protection film that is provided on both the facets, which are perpendicular to the active layer, and which face each other. In the semiconductor laser element, the facet is used as a fixing surface for the semiconductor laser element, said facet having the facet protection film formed thereon.

Classes IPC  ?

• H01S 5/00 - Lasers à semi-conducteurs
• H01S 5/028 - Revêtements
• H01S 5/042 - Excitation électrique
• H01S 5/022 - Supports; Boîtiers
• H01S 5/22 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique ayant une structure à nervures ou à bandes
• H01S 5/02 - Lasers à semi-conducteurs - Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
• H01S 5/16 - Lasers du type à fenêtre, c.à d. avec une région en un matériau non absorbant entre la région active et la surface réfléchissante

Abrégé

a that is on the opposite side to the light exit aperture 14.

Classes IPC  ?

• F21V 7/22 - Réflecteurs pour sources lumineuses caractérisés par les matériaux, traitements de surface ou revêtements
• C25D 11/04 - Anodisation de l'aluminium ou de ses alliages
• C25D 11/16 - Prétraitement
• F21V 7/06 - Structure de l'optique à courbure parabolique
• F21Y 105/10 - Sources lumineuses planes comprenant un réseau bidimensionnel d’éléments générateurs de lumière ponctuelle
• F21Y 115/10 - Diodes électroluminescentes [LED]

Abrégé

1-x-yN (0≦x≦1, 0≦y≦1) semiconductor materials, and one dimension of an emission region of the laser diode is at least 5 μm.

Classes IPC  ?

• G02F 1/37 - Optique non linéaire pour la génération de l'harmonique deux
• H01S 5/00 - Lasers à semi-conducteurs
• H01S 5/323 - Structure ou forme de la région active; Matériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p.ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures dans des composés AIIIBV, p.ex. laser AlGaAs
• G02F 1/355 - Optique non linéaire caractérisée par les matériaux utilisés
• G02F 1/35 - Optique non linéaire

Abrégé

An optical guide member (104) includes an optical guide section having an exit end surface (Rx1) including a side a, and an imaging lens (105) forms, on a front surface of a light emitting section (101), an image of the side a in an image of excitation light (L1) on the exit end surface (Rx1).

Classes IPC  ?

• F21S 8/10 - spécialement adaptés pour des véhicules
• F21V 8/00 - Utilisation de guides de lumière, p.ex. dispositifs à fibres optiques, dans les dispositifs ou systèmes d'éclairage
• F21V 9/16 - Emploi de matériaux luminescents spécifiés comme écrans de lumière
• F21Y 101/00 - Sources lumineuses ponctuelles

Abrégé

A light emitting device of the present disclosure includes a light emitting section that generates fluorescence by receiving laser light, a reflection film that reflects laser light which is radiated to the vicinity of the light emitting section, among laser light which is emitted toward the light emitting section from a rod lens, and a reflection mirror that collects the laser light reflected by the reflection film, in the light emitting section.

Classes IPC  ?

• F21K 9/64 - Agencements optiques intégrés dans la source lumineuse, p.ex. pour améliorer l’indice de rendu des couleurs ou l’extraction de lumière en utilisant des moyens de conversion de longueur d’onde distincts ou espacés de l’élément générateur de lumière, p.ex. une couche de phosphore éloignée
• F21K 99/00 - Matière non prévue dans les autres groupes de la présente sous-classe
• F21V 8/00 - Utilisation de guides de lumière, p.ex. dispositifs à fibres optiques, dans les dispositifs ou systèmes d'éclairage
• F21K 9/61 - Agencements optiques intégrés dans la source lumineuse, p.ex. pour améliorer l’indice de rendu des couleurs ou l’extraction de lumière en utilisant des guides de lumière
• F21S 41/14 - Dispositifs d’éclairage spécialement adaptés à l’extérieur des véhicules, p.ex. phares caractérisés par la source lumineuse caractérisés par le type de source lumineuse
• F21S 41/24 - Guides de lumière
• F21S 41/255 - Lentilles à contour circulaire ou circulaire tronqué, lorsque vues de face
• F21S 41/32 - Leur conception optique
• F21S 41/16 - Sources lumineuses laser
• F21Y 101/00 - Sources lumineuses ponctuelles
• F21Y 115/30 - Lasers à semi-conducteurs
• F21S 45/47 - Refroidissement passif, p.ex. en utilisant des ailettes, des éléments thermiquement conducteurs ou des ouvertures
• F21V 9/30 - CARACTÉRISTIQUES FONCTIONNELLES OU DÉTAILS FONCTIONNELS DES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES D'ÉCLAIRAGE; COMBINAISONS STRUCTURALES DE DISPOSITIFS D'ÉCLAIRAGE AVEC D'AUTRES OBJETS, NON PRÉVUES AILLEURS Éléments modifiant les caractéristiques spectrales, la polarisation ou l’intensité de la lumière émise, p.ex. filtres Éléments contenant un matériau photoluminescent distinct de la source de lumière ou espacé de cette source

Abrégé

A light projection apparatus that can produce an elongate light projection pattern is provided. The light projection apparatus includes a fluorescent member which is excited with exciting light and a light projecting member which reflects or transmits the light emanating from the fluorescent member to project it outside. The fluorescent member includes an irradiated region which is irradiated with the exciting light, and the length of the irradiated region in a first direction is greater than its length in a second direction.

Classes IPC  ?

• B60Q 1/00 - Agencement des dispositifs de signalisation optique ou d'éclairage, leur montage, leur support ou les circuits à cet effet
• F21V 8/00 - Utilisation de guides de lumière, p.ex. dispositifs à fibres optiques, dans les dispositifs ou systèmes d'éclairage
• F21S 8/10 - spécialement adaptés pour des véhicules

Abrégé

A nitride semiconductor light emitting device includes a first coat film of aluminum nitride or aluminum oxynitride formed at a light emitting portion and a second coat film of aluminum oxide formed on the first coat film. The thickness of the second coat film is at least 80 nm and at most 1000 nm. Here, the thickness of the first coat film is preferably at least 6 nm and at most 200 nm.

Classes IPC  ?

• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
• H01S 5/00 - Lasers à semi-conducteurs
• H01S 5/028 - Revêtements
• B82Y 20/00 - Nano-optique, p.ex. optique quantique ou cristaux photoniques
• H01S 5/22 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique ayant une structure à nervures ou à bandes
• H01S 5/223 - Structure à bande enterrée
• H01S 5/343 - Structure ou forme de la région active; Matériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p.ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p.ex. laser AlGaAs
• H01L 33/44 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet

Abrégé

An illuminating apparatus includes a first light source that emits blue laser light, a light emitting section that emits light by being irradiated with the blue laser light, a second light source that emits green laser light, a biaxial MEMS scanner that irradiates a part of the light emitting section with the green laser light, and a convex lens that projects the light emitted from the light emitting section to the outside.

Classes IPC  ?

• G02B 6/00 - OPTIQUE ÉLÉMENTS, SYSTÈMES OU APPAREILS OPTIQUES - Détails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p.ex. des moyens de couplage
• F21V 8/00 - Utilisation de guides de lumière, p.ex. dispositifs à fibres optiques, dans les dispositifs ou systèmes d'éclairage
• F21S 41/14 - Dispositifs d’éclairage spécialement adaptés à l’extérieur des véhicules, p.ex. phares caractérisés par la source lumineuse caractérisés par le type de source lumineuse
• F21S 41/25 - Lentilles de projection
• F21S 41/675 - Dispositifs d’éclairage spécialement adaptés à l’extérieur des véhicules, p.ex. phares caractérisés par une distribution lumineuse variable par action sur des réflecteurs par déplacement de réflecteurs
• F21S 41/16 - Sources lumineuses laser
• F21S 41/141 - Diodes électroluminescentes [LED]
• F21S 41/24 - Guides de lumière

Abrégé

2 film) having a thickness in the range of 1 to 13 nm, and a tapered DBR end portion (a slope having a taper angle in the range of 15 to 45 degrees) is formed by vapor deposition in a lift-off process. The high-refractive-index thin film is overlaid with a reflective metal film 8D serving as a first layer.

Classes IPC  ?

• H01L 33/10 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure réfléchissante, p.ex. réflecteur de Bragg en semi-conducteur
• H01L 33/46 - Revêtement réfléchissant, p.ex. réflecteur de Bragg en diélectriques
• H01S 5/125 - Lasers à réflecteurs de Bragg répartis [lasers DBR]
• H01S 5/183 - Lasers à émission de surface [lasers SE], p.ex. comportant à la fois des cavités horizontales et verticales comportant uniquement des cavités verticales, p.ex. lasers à émission de surface à cavité verticale [VCSEL]

Abrégé

Provided is a nitride semiconductor light-emitting element including in order a first n-type nitride semiconductor layer, a second n-type nitride semiconductor layer, an n-type electron-injection layer, a light-emitting layer, and a p-type nitride semiconductor layer, wherein the average n-type dopant concentration of the second n-type nitride semiconductor layer is 0.53 times or less as high as the average n-type dopant concentration of the first n-type nitride semiconductor layer, and the average n-type dopant concentration of the n-type electron-injection layer is 1.5 times or more as high as the average n-type dopant concentration of the second n-type nitride semiconductor layer.

Classes IPC  ?

• H01L 31/0328 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, des matériaux semi-conducteurs couverts par plusieurs des groupes
• H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
• H01L 31/0336 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, des matériaux semi-conducteurs couverts par plusieurs des groupes dans des régions semi-conductrices différentes, p.ex. des hétéro-jonctions Cu2X/CdX, X étant un élément du groupe VI de la classification périodique
• H01L 21/00 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
• H01L 33/06 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
• H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
• H01L 33/02 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs
• H01L 33/20 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
• H01L 33/12 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure de relaxation des contraintes, p.ex. couche tampon

Abrégé

A light projecting device of the present invention includes: a light source unit including (i) a laser element for emitting light, (ii) a light converging lens for converging the light emitted from the laser element, and (iii) a light emitting section for emitting light upon receipt of the light converged by the light converging lens; and a reflector for projecting light emitted from the light source unit. The light source unit is provided so as to be attached to or detached from a fixed part to which the light source unit is to be fixed.

Classes IPC  ?

• F21S 8/10 - spécialement adaptés pour des véhicules
• F21V 9/16 - Emploi de matériaux luminescents spécifiés comme écrans de lumière
• F21Y 101/00 - Sources lumineuses ponctuelles

Abrégé

A light-projecting device according to the present invention includes a plurality of light source units including (i) a light emitting section that emits light upon receiving a laser beam and (ii) a reflector. Each of the light source units project light to a corresponding one of light-projected spots which is a region to which light is projected in an illuminated region in a partitioning manner, and the illuminated region is formed by combining a plurality of the light-projected spot.

Classes IPC  ?

• B60Q 1/04 - Agencement des dispositifs de signalisation optique ou d'éclairage, leur montage, leur support ou les circuits à cet effet les dispositifs étant principalement destinés à éclairer la route en avant du véhicule ou d'autres zones de la route ou des environs les dispositifs étant des phares
• F21S 8/10 - spécialement adaptés pour des véhicules
• B60Q 1/00 - Agencement des dispositifs de signalisation optique ou d'éclairage, leur montage, leur support ou les circuits à cet effet
• B60Q 1/14 - Agencement des dispositifs de signalisation optique ou d'éclairage, leur montage, leur support ou les circuits à cet effet les dispositifs étant principalement destinés à éclairer la route en avant du véhicule ou d'autres zones de la route ou des environs les dispositifs étant des phares comportant un dispositif d'atténuation de la lumière
• B60Q 11/00 - Agencement des dispositifs témoin pour les dispositifs prévus dans les groupes
• F21Y 101/02 - Structure miniature, p. ex. diodes électroluminescentes (LED)

Abrégé

In a light emitting section, a phosphor layer including a first phosphor particle which receives excitation light and emits fluorescence with a first peak wavelength and a phosphor layer including a second phosphor particle which receives the excitation light and emits fluorescence with a second peak wavelength are stacked. In the light emitting section, when an upper surface is a surface from which illumination light is mostly emitted, the illumination light including the fluorescence emitted from the first phosphor particle and the fluorescence emitted from the second phosphor particle, a reflective member to reduce leakage of fluorescence is provided on a side surface of the light emitting section.

Classes IPC  ?

• F21K 99/00 - Matière non prévue dans les autres groupes de la présente sous-classe
• F21V 9/16 - Emploi de matériaux luminescents spécifiés comme écrans de lumière
• F21S 8/10 - spécialement adaptés pour des véhicules
• F21Y 101/02 - Structure miniature, p. ex. diodes électroluminescentes (LED)

Abrégé

A nitride semiconductor light-emitting device has a first conductive-type nitride semiconductor layer, a superlattice layer provided on the first conductive-type nitride semiconductor layer, an active layer provided on the superlattice layer, and a second conductive-type nitride semiconductor layer provided on the active layer. An average carrier concentration of the superlattice layer is higher than an average carrier concentration of the active layer.

Classes IPC  ?

• H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
• H01L 29/22 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIBVI
• H01L 33/06 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
• H01L 33/04 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel
• H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
• H01L 33/22 - Surfaces irrégulières ou rugueuses, p.ex. à l'interface entre les couches épitaxiales

Abrégé

A nitride semiconductor light emitting element is provided with: a substrate; a buffer layer that is provided on the substrate; a base layer that is provided on the buffer layer; an n-side nitride semiconductor layer that is provided on the base layer; an MQW light emitting layer that is provided on the n-side nitride semiconductor layer; and a p-side nitride semiconductor layer that is provided on the MQW light emitting layer. An x-ray rocking curve half-value width ω (004) with respect to a (004) plane, i.e., the crystal plane of the nitride semiconductor, is 40 arcsec or less, or the x-ray rocking curve half-value width ω (102) with respect to a (102) plane is 130 arcsec or less, and the rate P (80)/P (25) between light output P (25) at 25° C. and light output P (80) at 80° C. with a same operating current is 95% or more.

Classes IPC  ?

• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
• H01L 33/06 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
• H01L 33/12 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure de relaxation des contraintes, p.ex. couche tampon
• H01L 33/24 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué de la région électroluminescente, p.ex. jonction du type non planaire
• H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
• H01L 33/22 - Surfaces irrégulières ou rugueuses, p.ex. à l'interface entre les couches épitaxiales
• H01L 33/02 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs

Abrégé

d) of the fluorescent body (13) are deposited on the substrate (16).

Classes IPC  ?

• F21K 99/00 - Matière non prévue dans les autres groupes de la présente sous-classe
• H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
• H01L 33/64 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments d'extraction de la chaleur ou de refroidissement
• H01S 5/00 - Lasers à semi-conducteurs
• H01S 3/00 - Lasers, c. à d. dispositifs utilisant l'émission stimulée de rayonnement électromagnétique dans la gamme de l’infrarouge, du visible ou de l’ultraviolet
• F21Y 101/02 - Structure miniature, p. ex. diodes électroluminescentes (LED)

Abrégé

3, and a dislocation reduction layer for laterally bending a threading dislocation on the high concentration silicon-doped layer.

Classes IPC  ?

• H01L 33/02 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs
• H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
• H01L 33/20 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails

Abrégé

An illumination device 1 which is a light emitting device capable of emitting white light, includes: a laser element 2 for emitting a blue laser beam; a light emitting section 4 for generating fluorescence by be being irradiated with the blue laser beam emitted from the laser element 2; and a parabolic mirror 5 for reflecting the fluorescence generated from the light emitting section 4, the parabolic mirror 5 being disposed on an irradiated surface side which irradiated surface is a surface of the light emitting section 4 which surface is irradiated with the blue laser beam. This allows the illumination device 1 to efficiently project the white illumination light.

Classes IPC  ?

• F21V 9/16 - Emploi de matériaux luminescents spécifiés comme écrans de lumière
• F21K 99/00 - Matière non prévue dans les autres groupes de la présente sous-classe
• F21S 8/10 - spécialement adaptés pour des véhicules
• B60Q 1/28 - Agencement des dispositifs de signalisation optique ou d'éclairage, leur montage, leur support ou les circuits à cet effet les dispositifs ayant principalement pour objet d'indiquer le contour du véhicule ou de certaines de ses parties, ou pour engendrer des signaux au bénéfice d'autres véhicules pour indiquer l'avant du véhicule
• F21Y 101/02 - Structure miniature, p. ex. diodes électroluminescentes (LED)
• F21V 29/74 - Dispositions de refroidissement caractérisées par des éléments passifs de dissipation de chaleur, p.ex. puits thermiques avec ailettes ou lames
• F21V 29/00 - Protection des dispositifs d'éclairage contre les détériorations thermiques; Dispositions de refroidissement ou de chauffage spécialement adaptées aux dispositifs ou systèmes d'éclairage

Abrégé

A nitride semiconductor light-emitting element includes a second light-emitting layer, a third barrier layer, and a first light-emitting layer from a side close to a p-type nitride semiconductor layer. The first light-emitting layer includes a plurality of first quantum well layers and a first barrier layer provided between the plurality of first quantum well layers. The second light-emitting layer includes a plurality of second quantum well layers and a second barrier layer provided between the plurality of second quantum well layers. The second quantum well layers include a multiple quantum well light-emitting layer thicker than the first quantum well layers.

Classes IPC  ?

• H01L 33/06 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
• H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
• H01L 33/20 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
• H01L 33/12 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure de relaxation des contraintes, p.ex. couche tampon

Abrégé

A light-emitting unit according to the present invention includes: a fluorescent section for emitting light upon irradiation with a laser beam; and a wavelength selection filter being provided so as to face the fluorescent section. The wavelength selection filter reflects the laser beam toward the fluorescent section and transmits fluorescence emitted from the fluorescent section.

Classes IPC  ?

• F21S 8/10 - spécialement adaptés pour des véhicules
• F21V 9/16 - Emploi de matériaux luminescents spécifiés comme écrans de lumière
• B60Q 1/00 - Agencement des dispositifs de signalisation optique ou d'éclairage, leur montage, leur support ou les circuits à cet effet
• F21Y 115/30 - Lasers à semi-conducteurs
• F21Y 115/10 - Diodes électroluminescentes [LED]

Abrégé

A lighting apparatus is provided that, while suppressing an increase in size, can change the illuminating direction. The lighting apparatus has: a laser generator which emits laser light; a light emitting member which is irradiated with the laser light emitted from the laser generator to emit light; an irradiated position changer which moves and thereafter stops an irradiated position at which the light emitting member is irradiated with the laser light; and a light projecting member which projects the light emitted from the light emitting member.

Classes IPC  ?

• F21V 29/00 - Protection des dispositifs d'éclairage contre les détériorations thermiques; Dispositions de refroidissement ou de chauffage spécialement adaptées aux dispositifs ou systèmes d'éclairage
• F21V 13/02 - Combinaisons de deux sortes d'éléments uniquement
• F21S 8/10 - spécialement adaptés pour des véhicules
• F21V 13/00 - Production de caractéristiques ou d'une distribution particulières de la lumière émise au moyen d'une combinaison d'éléments spécifiés dans plusieurs des groupes principaux
• F21V 13/04 - Combinaisons de deux sortes d'éléments uniquement les éléments étant des réflecteurs et des réfracteurs
• F21Y 101/02 - Structure miniature, p. ex. diodes électroluminescentes (LED)

Abrégé

A light-emitting device includes a light-emitting portion that emits fluorescence in response to excitation light incident on a surface of the light-emitting portion, and a reflector that defines a light-emitting region on the surface of the light-emitting portion, the fluorescence being emitted from the light-emitting region. The excitation light has a top-hat energy intensity distribution on the surface of the light-emitting portion.

Classes IPC  ?

• G02B 27/09 - Mise en forme du faisceau, p.ex. changement de la section transversale, non prévue ailleurs
• F21K 99/00 - Matière non prévue dans les autres groupes de la présente sous-classe
• F21S 8/10 - spécialement adaptés pour des véhicules
• F21Y 101/02 - Structure miniature, p. ex. diodes électroluminescentes (LED)

Abrégé

In a head lamp 1, relative positions of a laser light guide path in a tapered light guide section 20 and a parabolic mirror 5 are fixed. An optical fiber 10 and the tapered light guide section 20 are each provided so as to have a receiving end part where laser light is received and an emitting end part where laser light is emitted. The emitting end part of the optical fiber 10 is located near the receiving end part of the tapered light guide section 20.

Classes IPC  ?

• F21V 8/00 - Utilisation de guides de lumière, p.ex. dispositifs à fibres optiques, dans les dispositifs ou systèmes d'éclairage
• F21S 8/10 - spécialement adaptés pour des véhicules

Abrégé

A headlamp disclosed includes: a laser diode for emitting a laser beam; a light emitting section including a fluorescent material which emits light in response to excitation light emitted from the laser diode; a light-transmitting heat conducting member which is provided so as to face a laser beam irradiation surface of the light emitting section and receive heat of the light emitting section; and an adhesive layer filling a gap between the heat conducting member and the laser beam irradiation surface. This arrangement improves efficiency of the heat conducting member in absorbing the heat of the light emitting section, and consequently cools the light emitting section efficiently.

Classes IPC  ?

• F21V 29/00 - Protection des dispositifs d'éclairage contre les détériorations thermiques; Dispositions de refroidissement ou de chauffage spécialement adaptées aux dispositifs ou systèmes d'éclairage
• F21K 99/00 - Matière non prévue dans les autres groupes de la présente sous-classe
• F21S 8/10 - spécialement adaptés pour des véhicules
• F21V 9/16 - Emploi de matériaux luminescents spécifiés comme écrans de lumière
• F21Y 101/02 - Structure miniature, p. ex. diodes électroluminescentes (LED)

Abrégé

Disclosed is a nitride semiconductor light-emitting element comprising a p-type nitride semiconductor layer 1, a p-type nitride semiconductor layer 2, and a p-type nitride semiconductor layer 3 placed in order above a nitride semiconductor active layer, wherein the p-type nitride semiconductor layer 1 and p-type nitride semiconductor layer 2 each contain A1, the average A1 composition of the p-type nitride semiconductor layer 1 is equivalent to the average A1 composition of the p-type nitride semiconductor layer 2, the p-type nitride semiconductor layer 3 has a smaller band gap than the p-type nitride semiconductor layer 2, the p-type impurity concentration of the p-type nitride semiconductor layer 2 and the p-type impurity concentration of the p-type nitride semiconductor layer 3 are both lower than the p-type impurity concentration of the p-type nitride semiconductor layer 1, and a method for producing same.

Classes IPC  ?

• H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
• H01L 33/12 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure de relaxation des contraintes, p.ex. couche tampon
• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
• H01L 33/20 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué

Abrégé

A lighting apparatus is provided that, while suppressing an increase in size, can change the illuminating direction. The lighting apparatus has: a laser generator which emits laser light; a light emitting member which is irradiated with the laser light emitted from the laser generator to emit light; an irradiated position changer which moves and thereafter stops an irradiated position at which the light emitting member is irradiated with the laser light; and a light projecting member which projects the light emitted from the light emitting member.

Classes IPC  ?

• F21V 13/04 - Combinaisons de deux sortes d'éléments uniquement les éléments étant des réflecteurs et des réfracteurs
• F21V 13/00 - Production de caractéristiques ou d'une distribution particulières de la lumière émise au moyen d'une combinaison d'éléments spécifiés dans plusieurs des groupes principaux
• F21S 8/10 - spécialement adaptés pour des véhicules

Abrégé

Provided is a lighting device that can suppress decrease in its luminous efficiency and shortening of its life. A lighting device (1) includes a fluorescent member (4) which is irradiated with laser light emitted by a semiconductor laser (2) and emits fluorescent light, a rotation mechanism (6) which rotates the fluorescent member, and a reflecting member (7) which reflects the fluorescent light emitted by the fluorescent member toward the outside.

Classes IPC  ?

• F21V 14/08 - Commande de la distribution de la lumière émise par réglage d’éléments constitutifs par un mouvement d'écrans
• F21V 29/02 - Refroidissement en forçant l'air sur ou autour de la source lumineuse (dispositions de réfrigération structurellement associées avec des lampes électriques H01J 61/52, H01K 1/58)
• F21V 9/16 - Emploi de matériaux luminescents spécifiés comme écrans de lumière
• F21V 29/70 - Dispositions de refroidissement caractérisées par des éléments passifs de dissipation de chaleur, p.ex. puits thermiques
• F21S 8/10 - spécialement adaptés pour des véhicules
• F21K 99/00 - Matière non prévue dans les autres groupes de la présente sous-classe
• F21V 7/06 - Structure de l'optique à courbure parabolique
• F21Y 101/02 - Structure miniature, p. ex. diodes électroluminescentes (LED)
• F21V 13/08 - Combinaisons de deux sortes d'éléments uniquement les éléments étant des filtres, ou des éléments photoluminescents, et des réflecteurs
• F21V 29/89 - Métaux

Abrégé

A light-emitting section (2) and a transparent member (1) which is arranged on a side of a surface (SUF2) of the light-emitting section (2) and exhibits transparency with respect to laser light (L) are provided, and the transparent member (1) includes a plurality of scattering microregions (MP) which isotropically scatter the laser light (L) passing therethrough and increase a light-emission spot size of the laser light (L).

Classes IPC  ?

• F21V 9/16 - Emploi de matériaux luminescents spécifiés comme écrans de lumière
• F21K 99/00 - Matière non prévue dans les autres groupes de la présente sous-classe
• F21S 8/10 - spécialement adaptés pour des véhicules
• G02B 5/02 - Diffuseurs; Eléments afocaux
• G02B 5/04 - Prismes
• F21K 9/64 - Agencements optiques intégrés dans la source lumineuse, p.ex. pour améliorer l’indice de rendu des couleurs ou l’extraction de lumière en utilisant des moyens de conversion de longueur d’onde distincts ou espacés de l’élément générateur de lumière, p.ex. une couche de phosphore éloignée
• F21K 9/90 - Procédés de fabrication
• F21Y 101/00 - Sources lumineuses ponctuelles
• F21Y 115/30 - Lasers à semi-conducteurs

Abrégé

A method of producing a nitride semiconductor crystal uses a metal organic chemical vapor deposition process and offers good controllability with respect to a p-type nitride semiconductor crystal. To that end, an organic metal compound of a group III element, a hydride of nitrogen, and an organic compound having any of the partial structures C—C—O, C—C═O, C═C—O, C═C═O, C≡C—O, and C—O—C are used as source materials, and by a metal organic chemical vapor deposition process, C and O atoms are simultaneously introduced into the crystal to obtain p-type conductivity.

Classes IPC  ?

• H01L 29/207 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV caractérisés en outre par le matériau de dopage
• H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• C23C 16/18 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique à partir de composés organométalliques
• C23C 16/34 - Nitrures
• C30B 25/02 - Croissance d'une couche épitaxiale
• C30B 29/40 - Composés AIII BV

Abrégé

Provided is an illumination device capable of reducing coherence of laser light emitted from a laser irradiation device to ensure safety to the eye at low cost. In the illumination device for exciting a fluorescent substance by irradiating the fluorescent substance with the laser light from the laser irradiation device to emit visible light for use as illumination light, a light scattering material is placed on and around an optical axis of the laser light.

Classes IPC  ?

• F21V 9/00 - CARACTÉRISTIQUES FONCTIONNELLES OU DÉTAILS FONCTIONNELS DES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES D'ÉCLAIRAGE; COMBINAISONS STRUCTURALES DE DISPOSITIFS D'ÉCLAIRAGE AVEC D'AUTRES OBJETS, NON PRÉVUES AILLEURS Éléments modifiant les caractéristiques spectrales, la polarisation ou l’intensité de la lumière émise, p.ex. filtres
• F21V 9/16 - Emploi de matériaux luminescents spécifiés comme écrans de lumière
• F21K 99/00 - Matière non prévue dans les autres groupes de la présente sous-classe
• F21S 8/10 - spécialement adaptés pour des véhicules
• F21V 29/58 - Dispositions de refroidissement utilisant des liquides de refroidissement caractérisées par les agents de refroidissement
• F21Y 101/02 - Structure miniature, p. ex. diodes électroluminescentes (LED)

Abrégé

h), or a change in an installation position thereof.

Classes IPC  ?

• F21S 8/10 - spécialement adaptés pour des véhicules
• H01S 5/00 - Lasers à semi-conducteurs
• H01S 5/042 - Excitation électrique
• F21V 9/16 - Emploi de matériaux luminescents spécifiés comme écrans de lumière
• F21Y 101/02 - Structure miniature, p. ex. diodes électroluminescentes (LED)
• H01S 5/068 - Stabilisation des paramètres de sortie du laser
• H01S 5/40 - Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes

Abrégé

a). The gap layer (15) contains at least an inorganic amorphous material.

Classes IPC  ?

• F21V 9/16 - Emploi de matériaux luminescents spécifiés comme écrans de lumière
• B60Q 1/04 - Agencement des dispositifs de signalisation optique ou d'éclairage, leur montage, leur support ou les circuits à cet effet les dispositifs étant principalement destinés à éclairer la route en avant du véhicule ou d'autres zones de la route ou des environs les dispositifs étant des phares
• F21V 9/00 - CARACTÉRISTIQUES FONCTIONNELLES OU DÉTAILS FONCTIONNELS DES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES D'ÉCLAIRAGE; COMBINAISONS STRUCTURALES DE DISPOSITIFS D'ÉCLAIRAGE AVEC D'AUTRES OBJETS, NON PRÉVUES AILLEURS Éléments modifiant les caractéristiques spectrales, la polarisation ou l’intensité de la lumière émise, p.ex. filtres
• G03B 21/14 - Projecteurs ou visionneuses du type par projection; Leurs accessoires - Détails
• F21S 8/10 - spécialement adaptés pour des véhicules
• F21S 8/04 - Dispositifs d'éclairage destinés à des installations fixes destinés uniquement au montage sur un plafond ou sur une structure similaire en porte-à-faux
• F21V 8/00 - Utilisation de guides de lumière, p.ex. dispositifs à fibres optiques, dans les dispositifs ou systèmes d'éclairage
• G03B 21/16 - Refroidissement; Prévention de la surchauffe
• G03B 21/20 - Boîtes à lumière
• B82Y 20/00 - Nano-optique, p.ex. optique quantique ou cristaux photoniques
• F21V 29/00 - Protection des dispositifs d'éclairage contre les détériorations thermiques; Dispositions de refroidissement ou de chauffage spécialement adaptées aux dispositifs ou systèmes d'éclairage
• F21V 7/22 - Réflecteurs pour sources lumineuses caractérisés par les matériaux, traitements de surface ou revêtements
• F21Y 101/02 - Structure miniature, p. ex. diodes électroluminescentes (LED)
• H01S 5/00 - Lasers à semi-conducteurs
• F21V 29/70 - Dispositions de refroidissement caractérisées par des éléments passifs de dissipation de chaleur, p.ex. puits thermiques

Abrégé

3 or lower.

Classes IPC  ?

• C09K 11/77 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant des métaux des terres rares
• F21V 9/16 - Emploi de matériaux luminescents spécifiés comme écrans de lumière
• F21S 8/10 - spécialement adaptés pour des véhicules
• F21S 8/04 - Dispositifs d'éclairage destinés à des installations fixes destinés uniquement au montage sur un plafond ou sur une structure similaire en porte-à-faux
• G02B 6/42 - Couplage de guides de lumière avec des éléments opto-électroniques
• F21V 8/00 - Utilisation de guides de lumière, p.ex. dispositifs à fibres optiques, dans les dispositifs ou systèmes d'éclairage
• C03C 14/00 - Compositions de verre contenant un constituant non vitreux, p.ex. compositions contenant des fibres, filaments, trichites, paillettes ou similaires, dispersés dans une matrice de verre
• F21Y 101/02 - Structure miniature, p. ex. diodes électroluminescentes (LED)

Abrégé

A light projecting device of the present invention includes: a light source unit including (i) a laser element for emitting light, (ii) a light converging lens for converging the light emitted from the laser element, and (iii) a light emitting section for emitting light upon receipt of the light converged by the light converging lens; and a reflector for projecting light emitted from the light source unit. The light source unit is provided so as to be attached to or detached from a fixed part to which the light source unit is to be fixed.

Classes IPC  ?

• F21S 8/10 - spécialement adaptés pour des véhicules
• F21V 9/16 - Emploi de matériaux luminescents spécifiés comme écrans de lumière

Abrégé

2.

Classes IPC  ?

• F21S 8/10 - spécialement adaptés pour des véhicules
• F21W 101/02 - pour les véhicules terrestres
• F21Y 101/02 - Structure miniature, p. ex. diodes électroluminescentes (LED)

Abrégé

A light-emitting device includes a plurality of laser elements, a light-emitting section for emitting light in response to a laser beam, and an emission control section for controlling whether each of the plurality of laser elements emits light or not. At least a part of the plurality of laser elements is positioned in such a manner that irradiation regions of the light-emitting section are positioned at least partially differently.

Classes IPC  ?

• F21V 7/00 - Réflecteurs pour sources lumineuses
• F21V 8/00 - Utilisation de guides de lumière, p.ex. dispositifs à fibres optiques, dans les dispositifs ou systèmes d'éclairage
• F21V 29/00 - Protection des dispositifs d'éclairage contre les détériorations thermiques; Dispositions de refroidissement ou de chauffage spécialement adaptées aux dispositifs ou systèmes d'éclairage
• F21S 8/10 - spécialement adaptés pour des véhicules
• F21V 7/06 - Structure de l'optique à courbure parabolique
• H01S 5/40 - Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes
• B60Q 1/14 - Agencement des dispositifs de signalisation optique ou d'éclairage, leur montage, leur support ou les circuits à cet effet les dispositifs étant principalement destinés à éclairer la route en avant du véhicule ou d'autres zones de la route ou des environs les dispositifs étant des phares comportant un dispositif d'atténuation de la lumière
• B60Q 1/08 - Agencement des dispositifs de signalisation optique ou d'éclairage, leur montage, leur support ou les circuits à cet effet les dispositifs étant principalement destinés à éclairer la route en avant du véhicule ou d'autres zones de la route ou des environs les dispositifs étant des phares réglables, p.ex. commandés à distance de l'intérieur du véhicule automatiquement
• F21V 9/00 - CARACTÉRISTIQUES FONCTIONNELLES OU DÉTAILS FONCTIONNELS DES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES D'ÉCLAIRAGE; COMBINAISONS STRUCTURALES DE DISPOSITIFS D'ÉCLAIRAGE AVEC D'AUTRES OBJETS, NON PRÉVUES AILLEURS Éléments modifiant les caractéristiques spectrales, la polarisation ou l’intensité de la lumière émise, p.ex. filtres
• F21V 13/14 - Combinaisons de trois sortes d'éléments uniquement les éléments étant des filtres ou des éléments photoluminescents, des réflecteurs et des réfracteurs
• F21Y 101/02 - Structure miniature, p. ex. diodes électroluminescentes (LED)
• F21Y 105/00 - Sources lumineuses planes
• H01S 5/00 - Lasers à semi-conducteurs
• H01S 5/022 - Supports; Boîtiers
• H01S 5/024 - Dispositions pour la gestion thermique
• F21V 29/70 - Dispositions de refroidissement caractérisées par des éléments passifs de dissipation de chaleur, p.ex. puits thermiques

Abrégé

A light-emitting device includes a light-emitting section, a lens, and a movement control section, the movement control section changing an illumination position and a spot size of a laser beam in the light-emitting section by changing a relative position of the lens with respect to the light-emitting section.

Classes IPC  ?

• F21S 8/10 - spécialement adaptés pour des véhicules
• F21V 14/00 - Commande de la distribution de la lumière émise par réglage d’éléments constitutifs
• F21V 7/06 - Structure de l'optique à courbure parabolique
• F21V 9/16 - Emploi de matériaux luminescents spécifiés comme écrans de lumière
• F21V 14/06 - Commande de la distribution de la lumière émise par réglage d’éléments constitutifs par un mouvement de réfracteurs
• F21V 29/00 - Protection des dispositifs d'éclairage contre les détériorations thermiques; Dispositions de refroidissement ou de chauffage spécialement adaptées aux dispositifs ou systèmes d'éclairage
• F21V 5/00 - Réfracteurs pour sources lumineuses
• F21V 7/00 - Réflecteurs pour sources lumineuses
• F21V 29/74 - Dispositions de refroidissement caractérisées par des éléments passifs de dissipation de chaleur, p.ex. puits thermiques avec ailettes ou lames
• F21Y 101/00 - Sources lumineuses ponctuelles

Abrégé

A light projection device that can change a light projection pattern is provided. The light projection device includes: a plurality of excitation light sources that emit excitation light; a fluorescent member that is excited by the excitation light from the excitation light sources; a control portion that controls outputs of the excitation light sources; and a light projection member that projects light emitted from the fluorescent member. The fluorescent member includes a plurality of application regions to which the excitation light is applied, and the control portion controls the outputs of the excitation light sources so as to individually control the excitation states of the application regions.

Classes IPC  ?

• F21V 5/00 - Réfracteurs pour sources lumineuses
• B60Q 1/04 - Agencement des dispositifs de signalisation optique ou d'éclairage, leur montage, leur support ou les circuits à cet effet les dispositifs étant principalement destinés à éclairer la route en avant du véhicule ou d'autres zones de la route ou des environs les dispositifs étant des phares
• F21V 9/16 - Emploi de matériaux luminescents spécifiés comme écrans de lumière
• F21V 13/12 - Combinaisons de trois sortes d'éléments uniquement
• B60Q 1/00 - Agencement des dispositifs de signalisation optique ou d'éclairage, leur montage, leur support ou les circuits à cet effet
• B60Q 1/08 - Agencement des dispositifs de signalisation optique ou d'éclairage, leur montage, leur support ou les circuits à cet effet les dispositifs étant principalement destinés à éclairer la route en avant du véhicule ou d'autres zones de la route ou des environs les dispositifs étant des phares réglables, p.ex. commandés à distance de l'intérieur du véhicule automatiquement
• B60Q 1/34 - Agencement des dispositifs de signalisation optique ou d'éclairage, leur montage, leur support ou les circuits à cet effet les dispositifs ayant principalement pour objet d'indiquer le contour du véhicule ou de certaines de ses parties, ou pour engendrer des signaux au bénéfice d'autres véhicules pour indiquer un changement de direction
• F21S 8/10 - spécialement adaptés pour des véhicules

Abrégé

A headlamp (1) includes a light-emitting section (4) which emits fluorescence upon receiving excitation light from a laser element (2). Energy intensity distribution of the excitation light, which is received by the light-emitting section (4), is a top-hat distribution.

Classes IPC  ?

• F21V 11/00 - CARACTÉRISTIQUES FONCTIONNELLES OU DÉTAILS FONCTIONNELS DES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES D'ÉCLAIRAGE; COMBINAISONS STRUCTURALES DE DISPOSITIFS D'ÉCLAIRAGE AVEC D'AUTRES OBJETS, NON PRÉVUES AILLEURS Écrans non couverts par les groupes , ,  ou  
• F21V 1/00 - Abat-jour pour les sources lumineuses
• F21V 9/00 - CARACTÉRISTIQUES FONCTIONNELLES OU DÉTAILS FONCTIONNELS DES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES D'ÉCLAIRAGE; COMBINAISONS STRUCTURALES DE DISPOSITIFS D'ÉCLAIRAGE AVEC D'AUTRES OBJETS, NON PRÉVUES AILLEURS Éléments modifiant les caractéristiques spectrales, la polarisation ou l’intensité de la lumière émise, p.ex. filtres
• F21V 5/00 - Réfracteurs pour sources lumineuses
• F21V 7/04 - Structure de l'optique
• G01S 1/00 - Radiophares ou systèmes de balisage émettant des signaux ayant une ou des caractéristiques pouvant être détectées par des récepteurs non directionnels et définissant des directions, situations ou lignes de position déterminées par rapport aux émetteu; Récepteurs travaillant avec ces systèmes
• G09B 9/00 - Simulateurs pour l'enseignement ou l'entraînement
• H01S 3/00 - Lasers, c. à d. dispositifs utilisant l'émission stimulée de rayonnement électromagnétique dans la gamme de l’infrarouge, du visible ou de l’ultraviolet
• H01S 3/30 - Lasers, c. à d. dispositifs utilisant l'émission stimulée de rayonnement électromagnétique dans la gamme de l’infrarouge, du visible ou de l’ultraviolet utilisant des effets de diffusion, p.ex. l'effet Brillouin ou Raman stimulé
• G02B 5/02 - Diffuseurs; Eléments afocaux
• H01J 5/16 - Dispositifs optiques ou photographiques combinés structuralement avec l'enceinte
• H01P 5/00 - Dispositifs de couplage du type guide d'ondes
• B60Q 1/12 - Agencement des dispositifs de signalisation optique ou d'éclairage, leur montage, leur support ou les circuits à cet effet les dispositifs étant principalement destinés à éclairer la route en avant du véhicule ou d'autres zones de la route ou des environs les dispositifs étant des phares réglables, p.ex. commandés à distance de l'intérieur du véhicule automatiquement selon l'orientation de la direction
• F21V 9/16 - Emploi de matériaux luminescents spécifiés comme écrans de lumière
• F21S 41/12 - Dispositifs d’éclairage spécialement adaptés à l’extérieur des véhicules, p.ex. phares caractérisés par la source lumineuse caractérisés par le type de lumière émise
• F21S 41/141 - Diodes électroluminescentes [LED]
• F21S 41/20 - Dispositifs d’éclairage spécialement adaptés à l’extérieur des véhicules, p.ex. phares caractérisés par des réfracteurs, des glaces de fermeture transparentes, des guides ou des filtres de lumière
• F21S 41/16 - Sources lumineuses laser

Abrégé

A method of manufacturing a nitride semiconductor device includes the step of forming a second nitride semiconductor layer having an inclined facet by metal-organic chemical vapor deposition, in which a molar flow ratio of a group V element gas to a group III element gas that are supplied to a growth chamber of a metal-organic chemical vapor deposition growth apparatus is set at 240 or less.

Classes IPC  ?

• H01L 33/24 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué de la région électroluminescente, p.ex. jonction du type non planaire

Abrégé

A nitride semiconductor light-emitting device includes a nitride semiconductor light-emitting element, a package substrate and an optically transparent resin sealing portion. The nitride semiconductor light-emitting element includes a substrate, a nitride semiconductor multilayer portion having a light-emitting layer and a protective layer. The nitride semiconductor multilayer portion is provided on the substrate. The protective layer is provided on an upper portion of the nitride semiconductor multilayer portion. The resin sealing portion seals the nitride semiconductor light-emitting element that is mounted on the package substrate. An air gap layer is formed in at least one of an area between the substrate and the light-emitting layer in the nitride semiconductor light-emitting element, an area between the light-emitting layer and the protective layer in the nitride semiconductor light-emitting element and an area in the package substrate.

Classes IPC  ?

• H01L 27/14 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit ra

Abrégé

A headlight system in accordance with the present invention includes: a semiconductor laser element that emits laser light; a light-emitting section that upon receipt of the laser light emitted from the semiconductor laser element, emits illumination light which is both the laser light and fluorescence obtained by wavelength conversion of a portion of the laser light; and a diffusion plate that mixes the laser light and fluorescence which are contained in the illumination light emitted by the light-emitting section.

Classes IPC  ?

• F21S 2/00 - Systèmes de dispositifs d'éclairage non prévus dans les groupes principaux  ou , p.ex. à construction modulaire
• F21V 9/16 - Emploi de matériaux luminescents spécifiés comme écrans de lumière
• F21S 8/10 - spécialement adaptés pour des véhicules
• F21Y 101/02 - Structure miniature, p. ex. diodes électroluminescentes (LED)

Abrégé

In a head lamp 1, relative positions of a laser light guide path in a tapered light guide section 20 and a parabolic mirror 5 are fixed. An optical fiber 10 and the tapered light guide section 20 are each provided so as to have a receiving end part where laser light is received and an emitting end part where laser light is emitted. The emitting end part of the optical fiber 10 is located near the receiving end part of the tapered light guide section 20.

Classes IPC  ?

• F21V 9/16 - Emploi de matériaux luminescents spécifiés comme écrans de lumière
• F21S 8/10 - spécialement adaptés pour des véhicules
• F21V 8/00 - Utilisation de guides de lumière, p.ex. dispositifs à fibres optiques, dans les dispositifs ou systèmes d'éclairage

Abrégé

A nitride semiconductor laser device is provided herein that is reduced in capacitance to have a better response. The nitride semiconductor laser device includes: an active layer; an upper cladding layer which is stacked above the active layer; a low dielectric constant insulating film which is stacked above the upper cladding layer; and a pad electrode which is stacked above the low dielectric constant insulating film.

Classes IPC  ?

• H01S 5/00 - Lasers à semi-conducteurs

Abrégé

A headlight of the present invention includes: a fluorescent material light-emitting section; a reflector that reflects light emitted from the fluorescent material light-emitting section so as to emit reflected light out of the headlight; and a mini-mirror that reflects, toward a predetermined surface of the fluorescent material light-emitting section provided substantially at a focal point of the reflector, at least part of light that has not been directed toward the reflector. The mini-mirror has its optical axis inclined with respect to a normal line of the predetermined surface.

Classes IPC  ?

• F21S 8/10 - spécialement adaptés pour des véhicules

Abrégé

A nitride semiconductor light emitting device includes a conductive substrate, a first metal layer, a second conductivity-type semiconductor layer, an emission layer, and a first conductivity-type semiconductor layer in this order. The nitride semiconductor light emitting device additionally has an insulating layer covering at least side surfaces of the second conductivity-type semiconductor layer, the emission layer and the first conductivity-type semiconductor layer. A method of manufacturing the same is provided. The nitride semiconductor light emitting device may further include a second metal layer. Thus, a reliable nitride semiconductor light emitting device and a method of manufacturing the same are provided in which short-circuit at the PN junction portion and current leak is reduced as compared with the conventional examples.

Classes IPC  ?

• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
• H01L 33/40 - Matériaux
• H01L 33/44 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet

Abrégé

A nitride semiconductor light-emitting device has a first conductive-type nitride semiconductor layer, a superlattice layer provided on the first conductive-type nitride semiconductor layer, an active layer provided on the superlattice layer, and a second conductive-type nitride semiconductor layer provided on the active layer. An average carrier concentration of the superlattice layer is higher than an average carrier concentration of the active layer.

Classes IPC  ?

• H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
• H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
• H01L 31/072 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction
• H01L 33/04 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel
• H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote

Abrégé

d) of the fluorescent body (13) are deposited on the substrate (16).

Classes IPC  ?

• H01S 5/00 - Lasers à semi-conducteurs
• H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
• H01L 33/64 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments d'extraction de la chaleur ou de refroidissement
• H01S 3/00 - Lasers, c. à d. dispositifs utilisant l'émission stimulée de rayonnement électromagnétique dans la gamme de l’infrarouge, du visible ou de l’ultraviolet

Abrégé

Disclosed is a nitride semiconductor light-emitting element comprising a p-type nitride semiconductor layer 1, a p-type nitride semiconductor layer 2, and a p-type nitride semiconductor layer 3 placed in order above a nitride semiconductor active layer, wherein the p-type nitride semiconductor layer 1 and p-type nitride semiconductor layer 2 each contain Al, the average Al composition of the p-type nitride semiconductor layer 1 is equivalent to the average Al composition of the p-type nitride semiconductor layer 2, the p-type nitride semiconductor layer 3 has a smaller band gap than the p-type nitride semiconductor layer 2, the p-type impurity concentration of the p-type nitride semiconductor layer 2 and the p-type impurity concentration of the p-type nitride semiconductor layer 3 are both lower than the p-type impurity concentration of the p-type nitride semiconductor layer 1, and a method for producing same.

Classes IPC  ?

• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
• H01L 33/12 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure de relaxation des contraintes, p.ex. couche tampon
• H01L 33/20 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué

Abrégé

A light projection apparatus that can produce an elongate light projection pattern is provided. The light projection apparatus includes a fluorescent member which is excited with exciting light and a light projecting member which reflects or transmits the light emanating from the fluorescent member to project it outside. The fluorescent member includes an irradiated region which is irradiated with the exciting light, and the length of the irradiated region in a first direction is greater than its length in a second direction.

Classes IPC  ?

• B60Q 1/00 - Agencement des dispositifs de signalisation optique ou d'éclairage, leur montage, leur support ou les circuits à cet effet
• F21S 8/10 - spécialement adaptés pour des véhicules

Abrégé

Provided is a functional element which is obtained by forming a lamination film on a substrate and then dividing the substrate and the lamination film into a desired shape. The functional element has a hexagonal substrate, a lamination film formed on a C surface of the substrate, and a plurality of divided surfaces which are exposed by dividing the substrate into quadrilaterals. At least one line of division lines in the case of dividing the substrate into quadrilaterals is perpendicular to any one of equivalent directions of [1-100], [−1010], and [01-01] of the substrate from a [0001] direction of the substrate, and the divided surfaces formed by the division lines are inclined in a direction of other divided surfaces to which at least a part thereof is opposed.

Classes IPC  ?

• H01L 29/15 - Structures avec une variation de potentiel périodique ou quasi périodique, p.ex. puits quantiques multiples, superréseaux
• H01L 31/0312 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIVBIV, p.ex. SiC
• H01L 21/00 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
• H01L 29/04 - Corps semi-conducteurs caractérisés par leur structure cristalline, p.ex. polycristalline, cubique ou à orientation particulière des plans cristallins
• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
• H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
• H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV