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Résultats pour
brevets
1.
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METHOD FOR MANUFACTURING SIC WAFER AND METHOD FOR PREPARING SIC INGOT
Numéro d'application |
KR2022017294 |
Numéro de publication |
2023/080733 |
Statut |
Délivré - en vigueur |
Date de dépôt |
2022-11-04 |
Date de publication |
2023-05-11 |
Propriétaire |
SENIC INC. (République de Corée)
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Inventeur(s) |
- Ku, Kap Ryeol
- Kyun, Myung Ok
- Kim, Jung Gyu
- Choi, Jung Woo
- Seo, Jung Doo
- Park, Jong Hwi
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Abrégé
A method for manufacturing a silicon carbide (SiC) wafer is disclosed. The method for manufacturing a SiC wafer comprises the steps of: placing a SiC block in a crucible; sublimating SiC contained in the SiC block to form a SiC ingot; and processing the SiC ingot.
Classes IPC ?
- C30B 23/02 - Croissance d'une couche épitaxiale
- C30B 29/36 - Carbures
- H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
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2.
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SILICON CARBIDE INGOT MANUFACTURING METHOD, SILICON CARBIDE INGOTS, AND GROWTH SYSTEM THEREFOR
Numéro d'application |
KR2020007157 |
Numéro de publication |
2021/246542 |
Statut |
Délivré - en vigueur |
Date de dépôt |
2020-06-02 |
Date de publication |
2021-12-09 |
Propriétaire |
SENIC INC. (République de Corée)
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Inventeur(s) |
- Park, Jonghwi
- Choi, Jungwoo
- Kim, Junggyu
- Ku, Kapryeol
- Ko, Sangki
- Jang, Byungkyu
- Shim, Jongmin
- Kyun, Myungok
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Abrégé
In a silicon carbide ingot manufacturing method, silicon carbide ingots, a silicon carbide ingot manufacturing system, and the like, of the present invention, silicon carbide ingots are provided by a method of preparing a crucible assembly, which comprises a crucible main body that has an inner space and a crucible lid for covering the crucible main body, arranging a raw material and a silicon carbide seed, and then growing silicon carbide ingots, and performing application, and the like, so that the weight of the crucible assembly is 1.5-2.7 on the basis of 1 of the weight of the raw material, and thus silicon carbide ingots having fewer defects even while having a large area are provided.
Classes IPC ?
- C30B 23/00 - Croissance des monocristaux par condensation d'un matériau évaporé ou sublimé
- C30B 29/36 - Carbures
- C30B 35/00 - Appareillages non prévus ailleurs, spécialement adaptés à la croissance, à la production ou au post-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée
- H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
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