Senic Inc.

République de Corée

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Brevet
International - WIPO
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Date
2023 1
2021 1
Classe IPC
C30B 29/36 - Carbures 2
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives 2
C30B 23/00 - Croissance des monocristaux par condensation d'un matériau évaporé ou sublimé 1
C30B 23/02 - Croissance d'une couche épitaxiale 1
C30B 35/00 - Appareillages non prévus ailleurs, spécialement adaptés à la croissance, à la production ou au post-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée 1
Résultats pour  brevets

1.

METHOD FOR MANUFACTURING SIC WAFER AND METHOD FOR PREPARING SIC INGOT

      
Numéro d'application KR2022017294
Numéro de publication 2023/080733
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-11-04
Date de publication 2023-05-11
Propriétaire SENIC INC. (République de Corée)
Inventeur(s)
  • Ku, Kap Ryeol
  • Kyun, Myung Ok
  • Kim, Jung Gyu
  • Choi, Jung Woo
  • Seo, Jung Doo
  • Park, Jong Hwi

Abrégé

A method for manufacturing a silicon carbide (SiC) wafer is disclosed. The method for manufacturing a SiC wafer comprises the steps of: placing a SiC block in a crucible; sublimating SiC contained in the SiC block to form a SiC ingot; and processing the SiC ingot.

Classes IPC  ?

  • C30B 23/02 - Croissance d'une couche épitaxiale
  • C30B 29/36 - Carbures
  • H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives

2.

SILICON CARBIDE INGOT MANUFACTURING METHOD, SILICON CARBIDE INGOTS, AND GROWTH SYSTEM THEREFOR

      
Numéro d'application KR2020007157
Numéro de publication 2021/246542
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-06-02
Date de publication 2021-12-09
Propriétaire SENIC INC. (République de Corée)
Inventeur(s)
  • Park, Jonghwi
  • Choi, Jungwoo
  • Kim, Junggyu
  • Ku, Kapryeol
  • Ko, Sangki
  • Jang, Byungkyu
  • Shim, Jongmin
  • Kyun, Myungok

Abrégé

In a silicon carbide ingot manufacturing method, silicon carbide ingots, a silicon carbide ingot manufacturing system, and the like, of the present invention, silicon carbide ingots are provided by a method of preparing a crucible assembly, which comprises a crucible main body that has an inner space and a crucible lid for covering the crucible main body, arranging a raw material and a silicon carbide seed, and then growing silicon carbide ingots, and performing application, and the like, so that the weight of the crucible assembly is 1.5-2.7 on the basis of 1 of the weight of the raw material, and thus silicon carbide ingots having fewer defects even while having a large area are provided.

Classes IPC  ?

  • C30B 23/00 - Croissance des monocristaux par condensation d'un matériau évaporé ou sublimé
  • C30B 29/36 - Carbures
  • C30B 35/00 - Appareillages non prévus ailleurs, spécialement adaptés à la croissance, à la production ou au post-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée
  • H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives