Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd.

Chine

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États-Unis - USPTO
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Date
2022 2
2021 39
2020 42
2019 106
Avant 2019 2 624
Classe IPC
G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides 604
G02F 1/1335 - Association structurelle de cellules avec des dispositifs optiques, p.ex. des polariseurs ou des réflecteurs 488
G02F 1/1333 - Dispositions relatives à la structure 460
G02F 1/1362 - Cellules à adressage par une matrice active 405
H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant 396
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Statut
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1.

BACKLIGHT MODULE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

      
Numéro d'application 17251288
Statut En instance
Date de dépôt 2020-11-20
Date de la première publication 2022-09-22
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Liu, Junling

Abrégé

A manufacturing method of a backlight module is provided, which includes forming a first conductive layer and a first insulating layer on a substrate, forming an active material layer on the first conductive layer, patterning the first insulating layer and the active material layer by using a multi-tone photomask to expose a portion of the first conductive layer and cause the active material layer to form an active member, and forming a third conductive layer on the active member to form a source and drain of the backlight module.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
  • H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des groupes principaux , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. circuit hybrides

2.

Amorphous silicon thin film transistor and method for manufacturing the same

      
Numéro d'application 16496441
Numéro de brevet 11387370
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-04-22
Date de la première publication 2022-02-17
Date d'octroi 2022-07-12
Propriétaire Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. (Chine)
Inventeur(s) Li, Jiaxin

Abrégé

The present invention provides an amorphous silicon thin film transistor and a manufacturing method of the amorphous silicon thin film transistor, which comprise: a substrate, a gate electrode layer, a gate insulating layer, an active layer, a source/drain electrode layer, an N+-doped layer, a protective insulating layer, and a passivation layer. The N+-doped layer is disposed between the active layer and the source/drain electrode layer. The protective insulating layer is disposed on the source/drain electrode layer. A channel is formed in the source/drain electrode layer and penetrates the N+-doped layer and the protective insulating layer. The passivation layer covers the channel and the protective insulating layer. The protective insulating layer and the source/drain electrode layer are flush with each other in the channel.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/786 - Transistors à couche mince
  • H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
  • H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

3.

Array substrate

      
Numéro d'application 16496421
Numéro de brevet 11307466
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-04-18
Date de la première publication 2021-12-30
Date d'octroi 2022-04-19
Propriétaire Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. (Chine)
Inventeur(s) Li, Qian

Abrégé

The array substrate of embodiments of the present invention uses the adjustment dielectric layer to reduce parasitic capacitance between the gate metal layer and the electrode layer, thus avoiding the dark streak phenomenon due to the fringing electric field and the surrounding environment and improving display quality.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/14 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit ra
  • G02F 1/136 - Cellules à cristaux liquides associées structurellement avec une couche ou un substrat semi-conducteurs, p.ex. cellules faisant partie d'un circuit intégré
  • H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
  • G02F 1/1337 - Orientation des molécules des cristaux liquides induite par les caractéristiques de surface, p.ex. par des couches d'alignement

4.

Pixel structure, array substrate, and display device

      
Numéro d'application 16319464
Numéro de brevet 11552105
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-12-13
Date de la première publication 2021-11-18
Date d'octroi 2023-01-10
Propriétaire Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. (Chine)
Inventeur(s) Ye, Chengliang

Abrégé

The invention provides a pixel structure, an array substrate, and a display device. The pixel structure includes: scanning lines and data lines; at least one pixel electrode configured in each of pixel areas; at least one shading electrode line connecting to a common voltage, the shading electrode line being configured to be above the data line to shade the data line; a first TFT being configured between the scanning line and the pixel electrode, and the first TFT connecting to the pixel electrode; at least one shading electrode connection line extending along a direction of the scanning line, and the shading electrode connection line electrically connecting to two adjacent shading electrode lines; and the shading electrode connection line being wound to form a mesh pattern, and a semiconductor layer of the first TFT is configured to be opposite to a hollow area of the mesh pattern.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
  • G02F 1/1362 - Cellules à adressage par une matrice active
  • G02F 1/1368 - Cellules à adressage par une matrice active dans lesquelles l'élément de commutation est un dispositif à trois électrodes
  • H01L 29/786 - Transistors à couche mince

5.

Display device system circuit and display device

      
Numéro d'application 16608494
Numéro de brevet 11315500
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-07-03
Date de la première publication 2021-11-18
Date d'octroi 2022-04-26
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Xiao, Jianfeng

Abrégé

A display device system circuit and a display device are provided. The display device system circuit includes a power supply, a plurality of functional circuit modules and a plurality of ground wires corresponding to the plurality of functional circuit modules, respectively. Operating current input ends of the plurality of functional circuit modules are electrically connected to a positive electrode of the power supply, respectively. An operating current output end of each of the functional circuit modules is electrically connected to a negative electrode of the power supply via a corresponding ground wire. The functional circuit modules will not be interfered with each other, avoiding causing abnormal displaying by signal coupling between the functional circuit modules.

Classes IPC  ?

  • G09G 3/34 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante
  • G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides

6.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY PANEL

      
Numéro d'application 16604372
Statut En instance
Date de dépôt 2019-04-28
Date de la première publication 2021-11-18
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s)
  • Li, Houbin
  • Chien, Chingfu

Abrégé

A liquid crystal display panel includes an array substrate, a color filter substrate, a liquid crystal layer, and a spacer. The array substrate is disposed at a bottom of the liquid crystal display panel. The color filter substrate is disposed above the liquid crystal panel. The liquid crystal layer is disposed between the array substrate and the color filter substrate. The spacer is disposed between the array substrate and the color filter substrate and the spacer is configured to support the array substrate and the color filter substrate. The color filter substrate is provided with at least one semi-transparent region configured to shield from light leakage when two sides of the array substrate are shifted, which reduces an aperture ratio of the liquid crystal display panel and a loss ratio of the liquid crystal display panel.

Classes IPC  ?

  • G02F 1/1335 - Association structurelle de cellules avec des dispositifs optiques, p.ex. des polariseurs ou des réflecteurs
  • G02F 1/1339 - Dispositions relatives à la structure Éléments d'espacement; Scellement des cellules

7.

Thin film transistor (TFT) array substrate and display panel

      
Numéro d'application 16607191
Numéro de brevet 11251202
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-05-28
Date de la première publication 2021-10-28
Date d'octroi 2022-02-15
Propriétaire Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. (Chine)
Inventeur(s) Mo, Chaode

Abrégé

A thin film transistor (TFT) array substrate and a display panel are provided. The TFT array substrate has a base substrate, an anti-reflection layer, and a gate electrode insulating layer. The TFT array substrate has a light-transmitting region. The anti-reflection layer is disposed on the base substrate of the light-transmitting region. The gate electrode insulating layer is disposed on the anti-reflection layer. Light refractive indexes of the base substrate, the anti-reflection layer, and the gate electrode insulating layer are increasing sequentially.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
  • G02F 1/1335 - Association structurelle de cellules avec des dispositifs optiques, p.ex. des polariseurs ou des réflecteurs
  • G02F 1/1368 - Cellules à adressage par une matrice active dans lesquelles l'élément de commutation est un dispositif à trois électrodes
  • G02F 1/1362 - Cellules à adressage par une matrice active
  • H01L 29/49 - Electrodes du type métal-isolant-semi-conducteur

8.

Display panel and fabricating method thereof

      
Numéro d'application 16608512
Numéro de brevet 11296129
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-08-07
Date de la première publication 2021-10-28
Date d'octroi 2022-04-05
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s)
  • Xie, Feifei
  • Liu, Zeqin
  • Xie, Kecheng

Abrégé

This invention provides a display panel and a fabricating method thereof. Wherein the display panel defines a display area and an edge area. The display panel includes a substrate, a gate layer, a gate insulating layer, a thin film encapsulation layer, and a polyimide layer. By disposing a buffer tank on the gate insulating layer, the flow rate of the polyimide solution printed through inkjet printing in the edge region is reduced when the polyimide layer is forming, thereby causing it to solidify to form the polyimide layer before flowing over a retaining wall, and preventing sealant contamination and peeling.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
  • G02F 1/1333 - Dispositions relatives à la structure
  • G02F 1/1339 - Dispositions relatives à la structure Éléments d'espacement; Scellement des cellules
  • G02F 1/1368 - Cellules à adressage par une matrice active dans lesquelles l'élément de commutation est un dispositif à trois électrodes

9.

Display device and manufacturing method thereof

      
Numéro d'application 16624208
Numéro de brevet 11417855
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-11-28
Date de la première publication 2021-10-28
Date d'octroi 2022-08-16
Propriétaire
  • SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS (Chine)
  • SEMICONDUCTOR DISPLAY TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Du, Yanying

Abrégé

A display device and a manufacturing method thereof are provided. The display device includes a display area, a non-display area surrounding the display area, a thin film transistor structure layer, a ring-shaped metal layer, a luminous layer, and a first electrode. The ring-shaped metal layer is disposed in the non-display area. The thin film transistor structure layer includes a passivation layer including a protrusion corresponding to the ring-shaped metal layer. The first electrode extends from the display area to the protrusion, and extends from a surface of the protrusion to a surface of the ring-shaped metal layer.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/32 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux avec des composants spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. panneaux d'affichage plats utilisant des diodes émettrices de lumière organiques
  • H01L 51/52 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED) - Détails des dispositifs
  • H01L 51/56 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives

10.

Manufacturing method of TFT substrate

      
Numéro d'application 16609440
Numéro de brevet 11411101
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-06-18
Date de la première publication 2021-10-28
Date d'octroi 2022-08-09
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Wei, Xianwang

Abrégé

A TFT substrate and a manufacturing method thereof are provided. In the manufacturing method, a metal oxide semiconductor layer is irradiated with UV light by using a gate as a shielding layer, such that a portion of the metal oxide semiconductor layer irradiated by the UV light is conductorized to form a source, a drain, and a pixel electrode, and a portion of the metal oxide semiconductor layer shielded by the gate still retains semiconductor properties to form a semiconductor channel. The invention achieves the alignment of the source and the drain with the gate by processes of self-alignment of the gate and conductorization of the metal oxide semiconductor layer, and can effectively control an overlapping region of the source and drain and the gate. Thereby, the parasitic capacitance is reduced, and the display quality is improved. Also, the manufacturing method is simple, and the production efficiency is improved.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/00 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
  • H01L 29/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
  • H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant

11.

Display panel, display module, and display device

      
Numéro d'application 16477388
Numéro de brevet 11506943
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-02-20
Date de la première publication 2021-10-28
Date d'octroi 2022-11-22
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Liu, Ziqi

Abrégé

The present application provides a display panel, a display module and a display device, the display panel includes a pixel electrode layer, at least one firstshading strip and at least one second shading strip; a pixel electrode layer is divided onto at least four pixel electrode regions by the first shading strip and the second shading strip, a plurality of branch electrodes are formed in the pixel electrode region; the branch electrodes in the two adjacent pixel electrode regions and a center line of the two adjacent pixel electrode regions are symmetrically disposed.

Classes IPC  ?

  • G02F 1/1343 - Electrodes
  • G02F 1/1335 - Association structurelle de cellules avec des dispositifs optiques, p.ex. des polariseurs ou des réflecteurs

12.

Thin film transistor and method of manufacturing same

      
Numéro d'application 16495157
Numéro de brevet 11233138
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-05-27
Date de la première publication 2021-10-28
Date d'octroi 2022-01-25
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Tan, Zhiwei

Abrégé

A thin film transistor (TFT) and a method of manufacturing same are provided. A photoresist layer is dry-etched to form a tunnel before an active layer is formed, wherein a bottom of the tunnel is a copper trace layer. After that, two edges of the photoresist layer are aligned with two edges of the copper trace layer. Therefore, the photoresist layer won't protrude over an amorphous silicon layer to block the etching gas from etching the amorphous silicon layer. As a result, an aperture ratio of the TFT is increased, and quality of the TFT is improved. By forming an oxidation protective layer on the tunnel, the copper trace layer is prevented from being reacted with the etching gas to form a compound. Therefore, metals or compounds on the tunnel can be completely etched, and quality of the TFT is further improved.

Classes IPC  ?

13.

Manufacturing method of display encapsulation structure by removing sacrificial layer to expose transparent cover

      
Numéro d'application 16500712
Numéro de brevet 11329253
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-03-13
Date de la première publication 2021-10-28
Date d'octroi 2022-05-10
Propriétaire Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. (Chine)
Inventeur(s) Huang, Hui

Abrégé

A display encapsulation structure and a manufacturing method thereof are provided. The manufacturing method includes steps of providing a sacrificial layer, a display device encapsulation structure, and a transparent cover; providing an encapsulating film layer; and removing the sacrificial layer to expose the transparent cover. The encapsulating film layer is removed from the transparent cover plate when the sacrificial layer is removed, so as to avoid affecting luminous efficiency by the encapsulating film layer, thereby improving the luminous efficiency of the display encapsulation structure.

Classes IPC  ?

  • H01L 51/56 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
  • H01L 51/52 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED) - Détails des dispositifs

14.

Manufacturing method for TFT array substrate

      
Numéro d'application 16307469
Numéro de brevet 11049888
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-09-26
Date de la première publication 2021-06-29
Date d'octroi 2021-06-29
Propriétaire Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. (Chine)
Inventeur(s) Zhu, Maoxia

Abrégé

The manufacturing method for TFT array substrate of the invention exposes the negative photoresist material on the passivation layer with a semi-transmissive mask to form a crosslinked portion, first and second uncrosslinked portion; then, performs the first development to remove the first uncrosslinked portion and forms a via on the passivation layer, performs the ashing treatment for thinning the negative photoresist material to expose the second uncrosslinked portion, performs the second development to remove the second uncrosslinked portion; deposits transparent conductive material on negative photoresist material and exposed passivation layer to form a pixel electrode on passivation layer, and finally removes the remaining negative photoresist material and the transparent conductive material with photoresist stripping solution. The invention, using step-wise development, solves the technical difficulty of forming a halftone structure with a negative photoresist material, and enables feasibility of the use of the negative photoresist material in the 3mask process.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant

15.

Pixel structure and display panel containing same

      
Numéro d'application 16349267
Numéro de brevet 11119371
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-04-23
Date de la première publication 2021-06-24
Date d'octroi 2021-09-14
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO. LTD. (Chine)
Inventeur(s)
  • Li, Hui
  • Liu, Mengyang

Abrégé

The present invention relates to a pixel structure and a display panel containing the same. The pixel structure includes a main area and a sub-area respectively provided with four domains, wherein the main area is located above the sub-area, and the main area and the sub-area are respectively connected with driving thin-film transistors (TFTs) for current charging; wherein a quantity of the driving thin-film transistors (TFTs) connected to the main area is greater than a quantity of the driving TFTs connected to the sub-area, such that a voltage of the main area is greater than a voltage of the sub-area. The invention provides a pixel structure which adopts a novel design of an 8-domain structure, which improves an aperture ratio thereof, thereby reducing the risk of becoming a bright spot.

Classes IPC  ?

  • G02F 1/1362 - Cellules à adressage par une matrice active
  • G02F 1/1368 - Cellules à adressage par une matrice active dans lesquelles l'élément de commutation est un dispositif à trois électrodes

16.

Manufacturing method of TFT array substrate

      
Numéro d'application 16319349
Numéro de brevet 11087985
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-12-11
Date de la première publication 2021-06-17
Date d'octroi 2021-08-10
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Liu, Xiaodi

Abrégé

The invention provides a manufacturing method of the TFT array substrate. Compared to existing 4M process, the invention changes the structural design of the semi-transmissive mask for the photoresist layer for patterning the source/drain metal layer and the semiconductor layer. The edge forms a reduced thickness edge portion, so that the edge of the photoresist layer is thinned, and thereby the width of the photoresist layer is easily reduced in subsequent processes, and the semiconductor layer at the edge of the metal wire structure is easily etched during dry etching, reducing the tailing problem of the active layer at edges of source/drain to achieve finer metal wire structure, and improve optical stability, electrical performance, aperture ratio, reliability, power consumption, and the overall performance of the TFT array substrate. The residual problem of amorphous and heavily doped silicon on source/drain edge in original process is solved or reduced.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/033 - Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe ou comportant des couches inorganiques
  • H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
  • H01L 21/308 - Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique en utilisant des masques
  • H01L 21/3213 - Gravure physique ou chimique des couches, p.ex. pour produire une couche avec une configuration donnée à partir d'une couche étendue déposée au préalable
  • H01L 21/311 - Gravure des couches isolantes
  • H01L 21/4763 - Dépôt de couches non isolantes, p.ex. conductrices, résistives sur des couches isolantes; Post-traitement de ces couches
  • H01L 21/467 - Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique en utilisant des masques
  • H01L 21/4757 - Post-traitement
  • H01L 21/3065 - Gravure par plasma; Gravure au moyen d'ions réactifs

17.

Method of manufacturing light emitting panel, light emitting panel, and display device

      
Numéro d'application 16496965
Numéro de brevet 11430818
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-05-17
Date de la première publication 2021-06-03
Date d'octroi 2022-08-30
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD (Chine)
Inventeur(s) Tan, Zhiwei

Abrégé

A method of manufacturing a light emitting panel, a light emitting panel, and a display device are disclosed. The method includes providing a substrate, forming a first metal layer on the substrate, performing an oxidation process to the first metal layer to form an oxide layer on the first metal layer, forming a photoresist layer on the oxide layer, patterning the photoresist layer, the oxide layer, and the substrate, and stripping a patterned photoresist layer, and sequentially forming a first passivation layer, a color resist layer, a second passivation layer, and an indium tin oxide film layer on the oxide layer.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
  • H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
  • H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
  • H01L 33/44 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet

18.

Image edge processing method, electronic device, and computer readable storage medium

      
Numéro d'application 16080629
Numéro de brevet 11113795
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-05-23
Date de la première publication 2021-05-27
Date d'octroi 2021-09-07
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s)
  • Zhu, Jiang
  • Zhao, Bin
  • Chang, Yuhua
  • Wu, Yu

Abrégé

An image edge processing method is disclosed. The method includes steps of: extracting a brightness component from an input image; calculating an edge probability value mp of each pixel in the image according to the extracted brightness component; calculating an enhancement coefficient A for each pixel based on the edge probability value mp; performing a noise detection according to the brightness component, and determining if each pixel in the image is a noise point; when the pixel is not a noise point, performing a logarithmic processing to the pixel in order to obtain a data w; enhancing an edge of the image according to the λ, the w and the brightness component in order to obtain an enhanced brightness component data; and after performing a brightness component synthesis according to the enhanced brightness component data, outputting an enhanced image. An electronic device and computer readable storage medium are also disclosed.

Classes IPC  ?

  • G06T 5/00 - Amélioration ou restauration d'image
  • G06T 7/143 - Découpage; Détection de bords impliquant des approches probabilistes, p.ex. la modélisation à "champs aléatoires de Markov [MRF]"
  • G06T 7/13 - Détection de bords
  • G06T 5/20 - Amélioration ou restauration d'image en utilisant des opérateurs locaux

19.

GOA circuit driving method and driving device

      
Numéro d'application 16319818
Numéro de brevet 11011128
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-09-27
Date de la première publication 2021-04-29
Date d'octroi 2021-05-18
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Gao, Xiang

Abrégé

The present invention teaches a GOA circuit driving method and a GOA circuit driving device. Through the configuration of a buffer capacitor electrically connected to the level shift IC, the level shift IC connects to the buffer capacitor and switches to the transition level during shifting the target clock signals from high to low level or from low to high level. Through the buffer capacitor, the present invention is able to keep the transition level always equal to one half of the sum of the low voltage and the high voltage, thereby maximizing reduction of power consumption and feedthrough effect of the GOA circuit.

Classes IPC  ?

  • G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides

20.

Manufacturing method of organic light emitting diode back plate and the organic light emitting diode back plate

      
Numéro d'application 16099183
Numéro de brevet 11063246
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-09-19
Date de la première publication 2021-04-22
Date d'octroi 2021-07-13
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Zhou, Xingyu

Abrégé

Provided are a manufacturing method of an organic light emitting diode back plate and the organic light emitting diode back plate. In the manufacturing method of an OLED back plate, pixel openings and light blocking grooves correspondingly above active layers are formed in a pixel definition layer. Then, OLED light-emitting functional layers are formed in the pixel openings and the black light shielding blocks completely covering the active layers are formed in the light shielding grooves by ink jet printing, thereby effectively preventing the TFT elements from being affected by the illumination and ensuring the characteristics of the TFT elements. The structure is simple and the production cost is low.

Classes IPC  ?

  • H01L 51/56 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
  • H01L 27/32 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux avec des composants spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. panneaux d'affichage plats utilisant des diodes émettrices de lumière organiques

21.

GOA circuit for display panel

      
Numéro d'application 16312287
Numéro de brevet 11037514
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-09-26
Date de la première publication 2021-04-22
Date d'octroi 2021-06-15
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Du, Peng

Abrégé

The invention provides a GOA circuit for display panel. The GOA circuit comprises a plurality of cascaded GOA units, for n and m, a pull-up control circuit of n-th stage GOA unit comprising: a first TFT(T1) having gate connected to (n+m)-th stage scan signal, source and drain respectively connected to high voltage and gate signal node; a second TFT(T2), having floating gate and reserved welding pad for connecting start signal(STV), source and drain respectively connected to high voltage and gate signal node; a pull-down control circuit comprising: a third TFT(T4), having gate connected to (n−m)th stage scan signal, source and drain respectively connected to n-th stage scan signal and low voltage; a fourth TFT(T5), having gate connected to (n−m)th stage scan signal, source and drain connected to gate signal node and low voltage respectively. The invention realizes the cutting of display panel into strip screens of any aspect ratio.

Classes IPC  ?

  • G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides

22.

Circuit and method for common voltage feedback compensation and liquid crystal display device

      
Numéro d'application 16316613
Numéro de brevet 11062665
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-09-29
Date de la première publication 2021-04-22
Date d'octroi 2021-07-13
Propriétaire
  • SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS (Chine)
  • SEMICONDUCTOR DISPLAY TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Zhang, Xianming

Abrégé

The invention provides a circuit and method for common voltage feedback compensation and LCD. The circuit comprises: a timing controller and a power management circuit, the timing controller and the power management circuit being electrically connected; the timing controller providing a corresponding preset feedback compensation value to the power management circuit under different images; the power management circuit comprising a common voltage compensation circuit and an adder, and the adder integrating the feedback compensation value and a feedback common voltage returned from a feedback point in a display panel through addition obtain an integration result, the common voltage compensation circuit obtaining a common voltage compensation signal based on the integration result and providing the common voltage compensation signal to the display panel. The invention generates the feedback compensation value required for the common voltage feedback and provides to the power management circuit under different images through the timing controller.

Classes IPC  ?

  • G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides

23.

Voltage output system and liquid crystal display device

      
Numéro d'application 16312286
Numéro de brevet 10984750
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-09-26
Date de la première publication 2021-04-20
Date d'octroi 2021-04-20
Propriétaire Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. (Chine)
Inventeur(s) Chen, Shuai

Abrégé

The invention provides a voltage output system and LCD device. The voltage output system is disposed with a variable resistor, one end of the variable resistor is connected to the input voltage transmitted by the level-shifting unit through a contact and a wire, and the other end of the variable resistor is electrically connected to the LCD panel to output an output voltage through a contact and a wire. After the voltage output system is disposed on the assembled circuit board of the LCD device, when the LCD device is tested, the output voltage of the voltage output system can be preset by adjusting the resistance of the variable resistor so that the required different voltages can be provided to the LCD panel conveniently and quickly, which simplifies the test of the LCD device and reduces the product cost.

Classes IPC  ?

  • G09G 3/00 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques
  • G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides
  • G06F 3/14 - Sortie numérique vers un dispositif de visualisation
  • G02F 1/1345 - Conducteurs connectant les électrodes aux bornes de la cellule
  • H02M 7/00 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu; Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif
  • G06F 1/16 - TRAITEMENT ÉLECTRIQUE DE DONNÉES NUMÉRIQUES - Détails non couverts par les groupes et - Détails ou dispositions de structure

24.

Liquid crystal display, overdrive method for the same and a memory

      
Numéro d'application 16300394
Numéro de brevet 11004412
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-08-07
Date de la première publication 2021-04-15
Date d'octroi 2021-05-11
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Xiao, Guangxing

Abrégé

A liquid crystal display, an overdrive method and a memory are disclosed. The method includes steps of receiving a video source signal, and determining a real-time refresh frequency of the video source signal, obtaining overdrive values corresponding to at least two refresh frequencies of the liquid crystal display measured in advance, wherein the at least two refresh frequencies include a first refresh frequency and a second refresh frequency, and the real-time refresh frequency is greater than the first refresh frequency and less than the second refresh frequency, performing a linear interpolation according to the real-time refresh frequency, the first refresh frequency, a first overdrive value corresponding to the first refresh frequency, the second refresh frequency, and a second overdrive value corresponding to the second refresh frequency to obtain a real-time overdrive value corresponding to the real-time refresh frequency, and driving the liquid crystal display according to the real-time overdrive value.

Classes IPC  ?

  • G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides

25.

Pixel driving circuit and liquid crystal display device

      
Numéro d'application 16319311
Numéro de brevet 10971094
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-09-26
Date de la première publication 2021-04-06
Date d'octroi 2021-04-06
Propriétaire Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. (Chine)
Inventeur(s) Liu, Siyang

Abrégé

The invention provides a pixel driving circuit and LCD device. The pixel driving circuit electrically connects the drain of the third TFT of each sub-pixel in the N-th sub-pixel row to the first end of the second LC capacitor of a corresponding sub-pixel of the (N+1)th row. When driving, when scanning the N-th sub-pixel row, the third TFT of the N-th sub-pixel row turns on to release the voltage at the first end of the second LC capacitor of the N-th sub-pixel row to the first end of the second LC capacitor of the (N+1)th sub-pixel row, and does not affect the voltage on the array substrate common voltage line, thereby effectively ensuring consistent voltage value for various areas on the array substrate common voltage line. When applied to LCD device, the invention can improve the display quality of the LCD device.

Classes IPC  ?

  • G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides
  • G02F 1/1362 - Cellules à adressage par une matrice active
  • G02F 1/1368 - Cellules à adressage par une matrice active dans lesquelles l'élément de commutation est un dispositif à trois électrodes
  • G02F 1/133 - Dispositions relatives à la structure; Excitation de cellules à cristaux liquides; Dispositions relatives aux circuits
  • G02F 1/1335 - Association structurelle de cellules avec des dispositifs optiques, p.ex. des polariseurs ou des réflecteurs

26.

WOLED display panel with CF layer arranged inside thin-film encapsulation layer for reducing thickness and achieving flexibility and manufacturing method thereof

      
Numéro d'application 16307140
Numéro de brevet 11088346
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-09-12
Date de la première publication 2021-04-01
Date d'octroi 2021-08-10
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Huang, Hui

Abrégé

The WOLED display panel includes a substrate, a WOLED array layer on the substrate, a thin-film encapsulation layer on the substrate and the WOLED array layer, and a CF layer inside the thin-film encapsulation layer. The thin-film encapsulation layer includes inorganic barrier layers and organic buffer layers. One of the inorganic batter layer has multiple pixel indentations on a side away from the substrate, each corresponding to and above a WOLED device. The CF layer is embedded in the pixel indentations. By having the CF layer inside the thin-film encapsulation layer, the encapsulation cover is omitted, the WOLED display panel's thickness is reduced, and the flexibility of the display panel is achieved. In addition, not only the encapsulation effect is not affected, but also the chroma and color gamut are guaranteed, manufacturing precision is enhanced, and production cost is reduced.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/08 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 51/52 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED) - Détails des dispositifs
  • H01L 27/32 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux avec des composants spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. panneaux d'affichage plats utilisant des diodes émettrices de lumière organiques
  • H01L 51/56 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives

27.

Manufacturing method of TFT array substrate, TFT array substrate and display panel

      
Numéro d'application 16076186
Numéro de brevet 11114476
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-06-11
Date de la première publication 2021-04-01
Date d'octroi 2021-09-07
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s)
  • Luo, Chuanbao
  • Yao, Jiangbo

Abrégé

A manufacturing method of a TFT array substrate is provided, comprising: depositing and forming a gate and a gate scanning line; depositing sequentially a gate insulating layer, an active layer and a second metal layer; depositing and forming a first photoresist layer and a second photoresist layer on the second metal layer; first photoresist layer comprising a first-stage photoresist layer, second-stage photoresist layer and third-stage photoresist layer with increasing thickness, the first-stage photoresist layer being in the middle of the first photoresist layer and a channel being formed; ashing to remove first-stage photoresist layer, forming a source and a drain by etching; and ashing to remove the second-stage photoresist layer, and then depositing a passivation layer as a whole; stripping third-stage photoresist layer and second photoresist layer, depositing and forming a pixel electrode and a common electrode.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
  • G02F 1/1362 - Cellules à adressage par une matrice active
  • G02F 1/1368 - Cellules à adressage par une matrice active dans lesquelles l'élément de commutation est un dispositif à trois électrodes
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
  • H01L 29/786 - Transistors à couche mince

28.

Electrode structure and array substrate

      
Numéro d'application 16080259
Numéro de brevet 11233071
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-06-11
Date de la première publication 2021-04-01
Date d'octroi 2022-01-25
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Hu, Xiaobo

Abrégé

An electrode structure which includes a copper metal layer formed on a substrate, wherein the copper metal layer doped with a first metal ion within a first depth from upper surface, the first metal ion and the copper grain forming a copper alloy layer; the first depth being less than thickness of the copper metal layer, and the first metal ion being a metal ion having corrosion resistance and an ionic radius smaller than a gap between copper grains.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant

29.

COA type array substrate and method for measuring via size on color-resist layer

      
Numéro d'application 16099181
Numéro de brevet 11049883
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-09-14
Date de la première publication 2021-04-01
Date d'octroi 2021-06-29
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) An, Liyang

Abrégé

The invention provides a COA type array substrate and a method for measuring via size on color-resist layer. The COA type array substrate is formed by designing a drain of the TFT comprising a drain body corresponding to a first via of the color-resist layer, and a first extending portion, a second extending portion and a third extending portion formed by outwardly protruding from edge of the drain body, able to improve the measurement accuracy of the size of the first via on the color-resist layer, thereby improving the production yield of the COA type array substrate.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
  • G02F 1/1362 - Cellules à adressage par une matrice active
  • G02F 1/1368 - Cellules à adressage par une matrice active dans lesquelles l'élément de commutation est un dispositif à trois électrodes
  • H01L 21/66 - Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement

30.

Adjusting method of displaying images

      
Numéro d'application 16309449
Numéro de brevet 11100826
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-09-14
Date de la première publication 2021-04-01
Date d'octroi 2021-08-24
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Xu, Fengcheng

Abrégé

Provided are an adjusting method of displaying images. The adjusting method use obtaining a coordinate of the defect of the images displayed by the display panel in the vertical lines and a type of the defect in the vertical lines, and adjusting grayscale value of the data signals of the pixels of one row by the timing controller corresponding to the coordinate of the defect of the vertical line in the outputted matrix of the pixels according to the type of the defect in the vertical lines, such that the voltage of the data signals outputted from the source driver to the pixels of the row is changed, and a brightness of the pixels of the row is the same as a brightness of the pixels of two adjacent rows.

Classes IPC  ?

  • G09G 3/00 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques
  • G09G 3/20 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice

31.

Driving system of display device, driving method and display device

      
Numéro d'application 16318366
Numéro de brevet 10962845
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-09-13
Date de la première publication 2021-03-30
Date d'octroi 2021-03-30
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Li, Yuntao

Abrégé

In a driving system of a display device, wires are arranged on a first connection unit, a second connection unit and a third connection unit and the traces are arranged on a first circuit board, a second circuit board and a third circuit board accordingly. The electrical path is established on the aforesaid circuit boards and the aforesaid connection units. One end of the electrical path is connected to the power supply voltage, and the other end is connected to the input end of a timing controller. When all the connection units are connected, the power supply voltage is inputted to the timing controller via the path, and the timing controller outputs the power supply control signal for controlling the display device to power on. When the connection units are poorly connected, the timing controller outputs a power supply stopping control signal to stop powering the display device.

Classes IPC  ?

  • G06F 3/038 - Dispositions de commande et d'interface à cet effet, p.ex. circuits d'attaque ou circuits de contrôle incorporés dans le dispositif
  • G09G 5/00 - Dispositions ou circuits de commande de l'affichage communs à l'affichage utilisant des tubes à rayons cathodiques et à l'affichage utilisant d'autres moyens de visualisation
  • G02F 1/1345 - Conducteurs connectant les électrodes aux bornes de la cellule
  • G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides

32.

OLED display device and manufacturing method for the same

      
Numéro d'application 16071511
Numéro de brevet 11145836
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-05-22
Date de la première publication 2021-03-25
Date d'octroi 2021-10-12
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Song, Jiangjiang

Abrégé

An OLED display device and a manufacturing method for the same are provided. The OLED display device includes a substrate, an organic light-emitting layer, a first encapsulation layer, a color filter layer, and a second encapsulation layer. Wherein the organic light-emitting layer is disposed on the substrate, the first encapsulation layer covers a surface of the organic light-emitting layer, the color filter layer is disposed on the first encapsulation layer, and the second encapsulation layer covers a surface of the color filter layer. In the present invention, the first encapsulation layer functions as a substrate of the color filter layer and is encapsulated by the first encapsulation layer and the second encapsulation layer, so that the CF substrate is omitted, the thickness of the entire display device is reduced, and flexibility is achieved.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/08 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 51/50 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
  • H01L 27/32 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux avec des composants spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. panneaux d'affichage plats utilisant des diodes émettrices de lumière organiques
  • H01L 51/52 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED) - Détails des dispositifs
  • H01L 51/56 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives

33.

Liquid crystal panel, liquid crystal display device and electronic device

      
Numéro d'application 16095840
Numéro de brevet 10976620
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-08-03
Date de la première publication 2021-03-25
Date d'octroi 2021-04-13
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s)
  • Luo, Ping
  • Luo, Dong

Abrégé

A liquid crystal panel including an array substrate and a color filter substrate which are disposed opposite and multiple fan-out lines and a color resist layer stacked along a direction from the array substrate toward the color filter substrate. The color film substrate is provided with a common electrode layer. A color resist layer and a columnar spacer are mutually abutted to ensure a distance between the array substrate and the color filter. The color resist layer includes a first plane facing the columnar spacer, and the common electrode line or the common electrode layer surrounds the color resist layer and exposes the first plane. When the liquid crystal panel is subjected to a larger external force such that deformation or displacement occurs between the columnar spacer and the color resist layer, the common electrode line and the common electrode layer are not conductive to form a short circuit.

Classes IPC  ?

  • G02F 1/1362 - Cellules à adressage par une matrice active
  • G02F 1/1335 - Association structurelle de cellules avec des dispositifs optiques, p.ex. des polariseurs ou des réflecteurs
  • G02F 1/1339 - Dispositions relatives à la structure Éléments d'espacement; Scellement des cellules
  • G02F 1/1343 - Electrodes
  • G02F 1/1345 - Conducteurs connectant les électrodes aux bornes de la cellule

34.

IPS type display panel and display device

      
Numéro d'application 16096757
Numéro de brevet 11119346
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-08-31
Date de la première publication 2021-03-25
Date d'octroi 2021-09-14
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s)
  • Sun, Lizhi
  • Xu, Xiangyang

Abrégé

An IPS display panel is disclosed. The panel includes an array substrate and a color filter substrate disposed in parallel and oppositely; and a liquid crystal layer disposed there between; wherein the array substrate includes a base substrate, a pixel electrode, an insulation layer, and a common electrode, the base substrate includes multiple data lines deposed in parallel and at intervals, the base substrate is disposed in parallel with and opposite to the color filter substrate, the pixel electrode is located at a surface of the base substrate facing the color filter substrate, the insulation layer covers a surface of the pixel electrode away from the base substrate, the common electrode is located on a surface of the insulation layer away from the pixel electrode; wherein the color filter substrate includes a first surface facing the array substrate, and providing with multiple touch receiving electrodes corresponding to the data lines.

Classes IPC  ?

  • G02F 1/1333 - Dispositions relatives à la structure
  • G02F 1/1335 - Association structurelle de cellules avec des dispositifs optiques, p.ex. des polariseurs ou des réflecteurs
  • G02F 1/1343 - Electrodes

35.

Display driving system

      
Numéro d'application 16308481
Numéro de brevet 11049478
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-09-20
Date de la première publication 2021-03-25
Date d'octroi 2021-06-29
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Zheng, Yanxuan

Abrégé

The invention provides a display driving system having a master chip and a plurality of slave chips. The master chip marks a serial number of the storage unit buffering the display data of the corresponding region of an image frame in the N storage units when using the connected memory to buffer the display data of the corresponding region; when reading the display data of the corresponding region stored in a storage unit, marks the serial number of the read storage unit, generating a corresponding synchronization signal to transmit to each slave chip to control the display data of an image frame to be buffered synchronously to storage units of the same serial number in the plurality of memories, and control the master/slave chips to synchronously read respectively the display data of the image frame from the storage units with the same serial number in the connected memory.

Classes IPC  ?

  • G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides
  • G09G 5/397 - Dispositions spécialement adaptées pour le transfert simultané du contenu de plusieurs mémoires à mappage binaire vers l'écran, p.ex. pour le mélange ou la superposition

36.

GOA circuit and liquid crystal display device having the same

      
Numéro d'application 16096006
Numéro de brevet 10957270
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-08-31
Date de la première publication 2021-03-23
Date d'octroi 2021-03-23
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Xu, Xiangyang

Abrégé

A GOA circuit is disclosed. The circuit includes multiple cascaded GOA units, wherein the nth stage GOA unit charges the nth horizontal scanning line, and the nth stage GOA unit includes: a pull-up control circuit, a pull-up circuit, a voltage stabilization circuit, a pull-down circuit, a first pull-down maintaining circuit and a second pull-down maintaining circuit; a pull-up control circuit for outputting a pull-up control signal Q(n); and a pull-up circuit for outputting an nth stage transmission signal ST(n) and the nth stage scan driving signal G(n); the voltage stabilization circuit for maintain the stability of the Q(n) at low voltage level; the pull-down circuit makes the Q(n) and G(n) to be at an off state; the pull-down maintaining circuit and the second pull-down maintaining circuit alternately operate to maintain Q(n) and G(n) at the off state. A liquid crystal display device having the above GOA circuit is also disclosed.

Classes IPC  ?

  • G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides

37.

White balance method and device for LCD panel

      
Numéro d'application 16097280
Numéro de brevet 11056066
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-09-14
Date de la première publication 2021-03-18
Date d'octroi 2021-07-06
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Xiao, Guangxing

Abrégé

The present invention teaches a white balance method and device for a LCD panel. The method includes the following steps. Step S1 provides a LCD panel, including a mask-joint area and a non-mask-joint area outside the mask-joint area. The mask-joint area includes multiple first color resists arranged in an array, and the non-mask-joint area includes multiple second color resists arranged in an array. The first and second color resists are of different dimensions. Step S2 obtains a first white balance driving table for the mask-joint area and a second white balance driving table for the non-mask-joint area. Step S3 conducts white balance to the mask-joint area and non-mask-joint area using the first and second white balance driving tables, respectively. By applying different white balance driving tables to the mask-joint area and the non-mask-joint area, the white balance effect is improved, and the display quality of the LCD panel is enhanced.

Classes IPC  ?

  • G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides
  • G02F 1/1335 - Association structurelle de cellules avec des dispositifs optiques, p.ex. des polariseurs ou des réflecteurs

38.

Method for removing backlight mura

      
Numéro d'application 16097281
Numéro de brevet 11049462
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-09-27
Date de la première publication 2021-03-18
Date d'octroi 2021-06-29
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s)
  • Xiao, Guangxing
  • Fu, Yuhong

Abrégé

The present invention teaches a method for removing backlight mura. The method divides backlight into partitions, and divides each partition into units. The method then selects one of the partitions as a reference partition and selects the compensation values of the reference partition from all partitions. The method further calculates brightness difference values for all partitions other than the reference partition relative to the brightness of the reference partition. Finally, the method conduct brightness compensation to the other partitions based on the reference partition's compensation values, and the brightness difference values of the other partitions. The method may not only effectively eliminate backlight mura, but also allow the direct-lit backlight module to be thinner or of lower cost, and significant reduce storage requirement and logic resource.

Classes IPC  ?

  • G09G 3/34 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante
  • G02F 1/13357 - Dispositifs d'éclairage

39.

Color filter substrate having a filter layer disposed on quantum dot layer

      
Numéro d'application 16307136
Numéro de brevet 11024679
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-09-14
Date de la première publication 2021-03-18
Date d'octroi 2021-06-01
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Huang, Hui

Abrégé

The present invention teaches a CF substrate, its manufacturing method, and a WOLED display device. The CF substrate includes a substrate, a pixel definition layer, and multiple filter patterns. The pixel definition layer has multiple openings, each corresponding to a sub-pixel area of the substrate. Each filter pattern is disposed on the substrate inside an opening of the pixel definition layer, and includes a quantum dot layer and a filter layer sequentially formed on the substrate. The CF substrate requires a single lithographic process to form the openings. The quantum dot layers and filter layers of the filter patterns are then formed by solution film formation in the openings, effectively simplifying the manufacturing process and enhancing the production efficiency. Applying the CF substrate to a WOLED display device also enhances the lighting efficiency, color gamut, and product quality of the WOLED display device.

Classes IPC  ?

  • H01L 51/00 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
  • H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
  • H01L 31/0232 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails - Détails Éléments ou dispositions optiques associés au dispositif
  • H01L 21/00 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
  • H01L 51/40 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
  • H01L 27/32 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux avec des composants spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. panneaux d'affichage plats utilisant des diodes émettrices de lumière organiques
  • H01L 51/52 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED) - Détails des dispositifs

40.

OLED display panel and manufacturing method thereof

      
Numéro d'application 16307139
Numéro de brevet 11239447
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-09-17
Date de la première publication 2021-03-18
Date d'octroi 2022-02-01
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Huang, Hui

Abrégé

The invention provides an OLED display panel and manufacturing method thereof. The manufacturing method of OLED display panel of the invention forms a first scattering layer on the thin film encapsulation layer, a quantum dot layer on the first scattering layer, and a second scattering layer on the quantum dot layer. The first scattering layer extracts light from the OLED device, so that the light totally reflected by OLED device through thin film encapsulation layer is emitted as much as possible; the light extracted by the first scattering layer reaches the quantum dot layer. The quantum dots are excited to perform light color matching to emit light of desired color. Since the light excited by quantum dot layer is dispersed, the second scattering layer extracts the light excited by the quantum dot layer in an orderly manner, so that the OLED display panel emits light uniformly, thereby improving luminous efficiency.

Classes IPC  ?

  • H01L 51/52 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED) - Détails des dispositifs
  • H01L 51/56 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives

41.

Image color enhancement method and device

      
Numéro d'application 16095827
Numéro de brevet 10937130
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-10-23
Date de la première publication 2021-03-02
Date d'octroi 2021-03-02
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s)
  • Chen, Yunna
  • Pu, Yiying
  • Syu, Shensian

Abrégé

Disclosed are an image color enhancement method and a device. The method comprises: obtaining a first saturation of any pixel point in an image; processing the first saturation according to a first saturation conversion function to obtain a slope corresponding to the first saturation; obtaining a second saturation conversion function according to local detail information if the slope is smaller than a first preset threshold; processing the first saturation according to the second saturation conversion function to obtain a second saturation of the pixel point; calculating a target brightness value according to the second saturation; and adjusting an original brightness value to the target brightness value. Thereby, a different saturation enhancement method is adopted for the pixel points which are easy to cause the details in the image lost, so that the image vividness is enhanced, and the detail information is preserved to improve the sharpness.

Classes IPC  ?

  • G06T 5/00 - Amélioration ou restauration d'image
  • G06T 5/20 - Amélioration ou restauration d'image en utilisant des opérateurs locaux
  • G06T 11/00 - Génération d'images bidimensionnelles [2D]
  • G06T 7/90 - Détermination de caractéristiques de couleur

42.

Array substrate and manufacturing method thereof

      
Numéro d'application 16312814
Numéro de brevet 10916570
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-09-03
Date de la première publication 2020-11-19
Date d'octroi 2021-02-09
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Chien, Ching Fu

Abrégé

Provided are an array substrate and a manufacturing method thereof. A first wire of a fanout line of the array substrate is divided into a plurality of first sections. A second wire of the fanout line is divided into a plurality of second sections corresponding to the first sections. Each of the first sections is electrically connected to the second section corresponding thereof. Thus, as a certain position of the first wire or the second wire is broken, only a resistance of the first section or the second section where the broken position is located is changed, so that a blocking effect on the entire fanout lines is not large, thereby reducing or avoiding appearance of a light line.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/14 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit ra
  • H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
  • G02F 1/1362 - Cellules à adressage par une matrice active
  • H01L 27/32 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux avec des composants spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. panneaux d'affichage plats utilisant des diodes émettrices de lumière organiques

43.

TFT array substrate and display panel where the second metallic layer is withdrawn for a distance to prevent problems such as broken film and oxidization

      
Numéro d'application 16096812
Numéro de brevet 11127761
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-08-31
Date de la première publication 2020-11-19
Date d'octroi 2021-09-21
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Zhao, Yang

Abrégé

The present invention teaches a TFT array substrate, including a substrate; a first metallic layer disposed on the substrate; a gate insulation layer disposed on the first metallic layer and the substrate, where the gate insulation layer includes a level section above the first metallic layer and a pair of step sections respectively connected to lateral sides of the level section; a second metallic layer disposed on the level section, where an area of the second metallic layer's vertical projection onto the top side of the substrate is smaller than an area of the level section's top side; and a protection layer disposed on the second metallic layer and the gate insulation layer. As the second metallic layer is withdrawn for a distance from the level section's circumference, the protection layer is not required to rise continuously, and the protection layer is less prone to broken film and oxidization.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant

44.

Liquid crystal display panel and liquid crystal display device having the liquid crystal display panel

      
Numéro d'application 16304018
Numéro de brevet 10937375
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-09-18
Date de la première publication 2020-11-19
Date d'octroi 2021-03-02
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Xiao, Guangxing

Abrégé

Disclosed is a liquid crystal display panel, including a non-display area and a display area, wherein the non-display area is provided with a system on chip, and the display area includes at least two display sub-areas, and each display sub-area is provided with a corresponding timing controller; the system on chip is electrically connected to each timing controller, and sends edge video data displayed in an edge area of an adjacent display sub-area to each timing controller, and the timing controller receives and processes the edge video data; the adjacent display sub-area is a display sub-area next to the display sub-area corresponding to the timing controller The timing controller can acquire and process the edge video data displayed in the edge area of the adjacent display sub-area, so that the image processing algorithms have better processing effects on the images at the boundary of the display sub-areas.

Classes IPC  ?

  • G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides

45.

Metal oxide TFT, manufacturing method thereof, and display device

      
Numéro d'application 16076276
Numéro de brevet 10950716
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-07-10
Date de la première publication 2020-11-12
Date d'octroi 2021-03-16
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s)
  • Lin, Qinzun
  • Huang, Guihua

Abrégé

The present invention teaches a method of manufacturing a metal oxide thin film transistor (TFT) that includes the following steps: forming a shielding layer, a metal oxide semiconductor layer, a gate electrode, and a first photoresist pattern layer stacked on a substrate; forming a second photoresist layer on the metal oxide semiconductor layer and the first photoresist pattern layer; conducting ashing process to the second photoresist layer and the first photoresist pattern layer, and lifting the second photoresist layer and first photoresist pattern layer after they are ashing-processed; forming a first insulation layer on the metal oxide semiconductor layer and the gate electrode; and forming independent source electrode and drain electrode on the first insulation layer. The present invention deposits the second photoresist layer on the first photoresist pattern layer hardened by the conductorization process, so that they may be easily lifted after the ashing process.

Classes IPC  ?

  • H01L 33/08 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une pluralité de régions électroluminescentes, p.ex. couche électroluminescente discontinue latéralement ou région photoluminescente intégrée au sein du corps semi-conducteur
  • H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
  • H01L 29/786 - Transistors à couche mince
  • H01L 21/44 - Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes
  • H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
  • H01L 29/40 - Electrodes

46.

Array substrate and display panel

      
Numéro d'application 16603592
Numéro de brevet 10921658
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-06-06
Date de la première publication 2020-11-05
Date d'octroi 2021-02-16
Propriétaire Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. (Chine)
Inventeur(s)
  • Ouyang, Xing
  • Fang, Jianlan

Abrégé

An array substrate and a display panel includes an effective display region and a peripheral lead region; at least two sets of fan-shaped leads are formed on the peripheral lead region and are juxtaposably disposed and spaced apart along a first direction, a common electrode is between the adjacent two sets of the fan-shaped leads, and a plurality of connection lines extend from an edge of the effective display region; the common electrode includes a lateral section; a distance between the lateral section and the effective display region is greater than 500 μm; the connection line and the common electrode constitute into a plurality of diversion lines extending along the second direction on a section between the lateral section and the effective display region.

Classes IPC  ?

47.

Thin film transistor liquid crystal display (TFT-LCD) and the driving circuit and switching power supply thereof

      
Numéro d'application 16083391
Numéro de brevet 11029545
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-07-06
Date de la première publication 2020-10-29
Date d'octroi 2021-06-08
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Li, Yuntao

Abrégé

The present disclosure relates to a TFT-LCD and the driving circuit and the switching power supply thereof. The switching power supply includes a PWM controller, an electronic signal generator, and a field effect transistor. The output pins of the electronic signal generator being configured to output voltage signals that vary periodically between multiple voltage ranges. The frequency selection pins of the PWM controller and the output pins of the electronic signal generator are connected to receive the voltage signals from the electronic signal generator, and the PWM controller outputs switching signals of a predetermined frequency through at least one output pin according to a voltage range of the voltage signals received by the frequency selection pins. A gate pin of the FET connects to output pins of the PWM controller, and a source pin of the FET is grounded.

Classes IPC  ?

  • G02F 1/133 - Dispositions relatives à la structure; Excitation de cellules à cristaux liquides; Dispositions relatives aux circuits
  • G02F 1/1368 - Cellules à adressage par une matrice active dans lesquelles l'élément de commutation est un dispositif à trois électrodes
  • G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides
  • H02M 3/156 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation

48.

Organic monomolecular white light material, manufacturing method for the same, and OLED element

      
Numéro d'application 16081918
Numéro de brevet 10937971
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-01-09
Date de la première publication 2020-09-17
Date d'octroi 2021-03-02
Propriétaire
  • SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
  • SUN YAT-SEN UNIVERSITY (Chine)
Inventeur(s)
  • Li, Xianjie
  • Wu, Yuanchun
  • Lu, Poyen
  • Xu, Bingjia
  • Wu, Haozhong
  • Chen, Junru
  • Wang, Leyu
  • Chi, Zhenguo
  • Zhang, Yi
  • Xu, Jiarui

Abrégé

An organic monomolecular white light material, a manufacturing method for the same, and an OLED element are provided. The organic monomolecular white light material has a room temperature phosphorescence emission property in a solid state, and can trap triplet exciton to achieve high efficient luminescence. Also, that has a higher thermal decomposition temperature and glass transition temperature, and the synthetic method and purification process thereof are simple. It has the advantages of mild reaction condition and high yield, and the thermal properties, luminescent properties, white-light color purity, etc of a final product can be adjusted by connecting to different aromatic fused ring or aromatic heterocyclic ring groups. In the OLED element, the organic monomolecular white light material is used as an emitting layer, and the emitting layer has a high luminous intensity and a good stability, thus the luminous efficiency and working life of the OLED element achieve practical requirements.

Classes IPC  ?

  • H01L 51/00 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
  • H01L 51/50 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
  • C07D 333/76 - Dibenzothiophènes
  • C07D 409/12 - Composés hétérocycliques contenant plusieurs hétérocycles, au moins un cycle comportant des atomes de soufre comme uniques hétéro-atomes du cycle contenant deux hétérocycles liés par une chaîne contenant des hétéro-atomes comme chaînons
  • C09K 11/06 - Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances organiques luminescentes

49.

Array substrate of thin-film transistor liquid crystal display device and method for manufacturing the same

      
Numéro d'application 15739271
Numéro de brevet 10914998
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2017-12-21
Date de la première publication 2020-09-10
Date d'octroi 2021-02-09
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Xu, Xiangyang

Abrégé

Disclosed are an array substrate of a thin-film transistor liquid crystal display device and a method for manufacturing the same. The array substrate includes a plurality of data lines, a plurality of dummy data lines, a plurality of first gate lines, a plurality of second gate lines, and a plurality of groups of pixel units. Each group of pixel units includes an odd-numbered column of first thin film transistors and an even-numbered column of second thin film transistors. First ends and second ends of the dummy data lines are connected respectively to two common voltage electrode lines, which are arranged on the substrate in a transverse direction. The method includes steps of: forming a plurality of gate lines and two common voltage electrode lines; forming a source, a drain, and a plurality of data lines; and forming a plurality of pixel electrodes and a plurality of dummy data lines. A light shielding electrode line provided has good voltage driving uniformity.

Classes IPC  ?

  • G02F 1/136 - Cellules à cristaux liquides associées structurellement avec une couche ou un substrat semi-conducteurs, p.ex. cellules faisant partie d'un circuit intégré
  • G02F 1/1368 - Cellules à adressage par une matrice active dans lesquelles l'élément de commutation est un dispositif à trois électrodes
  • G02F 1/1362 - Cellules à adressage par une matrice active
  • G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides
  • H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
  • H01L 21/285 - Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p.ex. condensation
  • H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant

50.

Array substrate and liquid crystal display panel

      
Numéro d'application 15781489
Numéro de brevet 10921666
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-01-26
Date de la première publication 2020-08-27
Date d'octroi 2021-02-16
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s)
  • Song, Qiaoqiao
  • Zhang, Mengmeng

Abrégé

An array substrate and a liquid crystal display panel are provided. The array substrate includes sub-pixel groups arranged in an array and each including first and second sub-pixels and a third switch assembly. The first sub-pixel includes a first main-zone electrode, a first sub-zone electrode, and a first switch assembly. The second sub-pixel includes a second main-zone electrode, a second sub-zone electrode, and a second switch assembly. The second switch assembly controls conduction of the second main-zone electrode and the second sub-zone electrode. The third switch assembly is connected to the first and second sub-zone electrodes and controls connection and conduction between the first and second sub-zone electrodes to reduce voltages of the first and second sub-zone electrodes. The array substrate helps reduce the number of switch units involved, simplifies the structure of pixels, lowers down fabrication cost, and also increases an aperture ratio of the liquid crystal display panel.

Classes IPC  ?

  • G02F 1/1362 - Cellules à adressage par une matrice active
  • G02F 1/1343 - Electrodes
  • G02F 1/1368 - Cellules à adressage par une matrice active dans lesquelles l'élément de commutation est un dispositif à trois électrodes

51.

Method of fabricating color filter

      
Numéro d'application 16467053
Numéro de brevet 10840309
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-03-22
Date de la première publication 2020-08-27
Date d'octroi 2020-11-17
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Song, Jiangjiang

Abrégé

A method of fabricating a color filter is provided. In the method of fabricating the color filter, a patterned sacrificial layer having a thickness difference is formed on a substrate such that a patterned black photosensitive spacing material layer is formed by a single-tone photomask or a half-tone photomask and has effects of an original black matrix, a main spacer, and a sub-spacer. Thus, production costs can be reduced and a high yield can be carried out.

Classes IPC  ?

  • H01L 51/56 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
  • H01L 27/32 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux avec des composants spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. panneaux d'affichage plats utilisant des diodes émettrices de lumière organiques
  • H01L 51/52 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED) - Détails des dispositifs

52.

Display panel, manufacturing method thereof and display device

      
Numéro d'application 15763184
Numéro de brevet 10971480
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-01-18
Date de la première publication 2020-08-13
Date d'octroi 2021-04-06
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Wang, Zhiwu

Abrégé

The present invention provides a display panel and a manufacturing method thereof. The display panel comprises a micro light emitting diode and a thin film transistor electrically coupled to the micro light emitting diode. The micro light emitting diode comprises a P type semiconductor and a N type semiconductor. The P type semiconductor is close to the thin film transistor and the N type semiconductor is configured at one side of the P type semiconductor away from the thin film transistor. One surface of the N type semiconductor away from the P type semiconductor is roughened by a plasma surface treatment process. Since a thickness of the N type semiconductor is larger than a thickness of the P type semiconductor, the crystal quality of material of the N type semiconductor will not be affected as the N type semiconductor is roughened to increase the light efficiency.

Classes IPC  ?

  • H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
  • H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
  • H01L 29/786 - Transistors à couche mince
  • H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure

53.

Collision machine for simulating collisions and method of simulating collisions

      
Numéro d'application 16494302
Numéro de brevet 11194182
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-02-15
Date de la première publication 2020-07-23
Date d'octroi 2021-12-07
Propriétaire Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. (Chine)
Inventeur(s)
  • Peng, Bangyin
  • Huang, Tienchun

Abrégé

A collision machine for simulating collisions and a method of simulating collisions. The collision machine includes at least two collision units, each of the collision units comprising a housing, support structures, and at least two collision bodies. The support structures are located on two opposite surfaces of the housing for fixing a liquid crystal panel. The collision bodies are located below the support structures, and top surfaces of the collision bodies are in contact with a display surface of the liquid crystal panel for applying repeated impacts to the liquid crystal panel to generate bubbles in the liquid crystal panel by the repeated impacts. Each the collision bodies comprises a closed casing, a collision body located inside the casing, and a driving device for generating the repeated impacts.

Classes IPC  ?

  • G02F 1/13 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des cristaux liquides, p.ex. cellules d'affichage individuelles à cristaux liquides
  • G01N 3/38 - Recherche des propriétés mécaniques des matériaux solides par application d'une contrainte mécanique en appliquant des efforts répétés ou pulsatoires engendrés par des moyens électromagnétiques

54.

Array substrate and touch display device

      
Numéro d'application 15776285
Numéro de brevet 10747346
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-03-27
Date de la première publication 2020-06-25
Date d'octroi 2020-08-18
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Zhang, Yuan

Abrégé

The invention provides an array substrate and touch display device. The array substrate comprises: a plurality of sub-pixel units arranged in array, a plurality of touch sensing lines and DC power lines; a touch sensing line being provided for each column of sub-pixel units, and a DC power line being provided for each row of sub-pixel units, each sub-pixel unit comprising a photosensitive TFT, and the photosensitive TFT having a floating gate, a source electrically connected to the corresponding DC power line, and a drain electrically connected to the corresponding touch sensing line. The photosensitive TFT absorbs infrared radiation emitted by biological being when touched by biological being, thereby achieving conduction to transmit the voltage on DC power line to touch sensing line to complete touch sensing. The touch function is integrated into sub-pixel unit. No additional touch panel is required, which can reduce production cost and prevent erroneous operation.

Classes IPC  ?

  • G06F 3/041 - Numériseurs, p.ex. pour des écrans ou des pavés tactiles, caractérisés par les moyens de transduction
  • G06F 3/042 - Numériseurs, p.ex. pour des écrans ou des pavés tactiles, caractérisés par les moyens de transduction par des moyens opto-électroniques
  • G06F 3/044 - Numériseurs, p.ex. pour des écrans ou des pavés tactiles, caractérisés par les moyens de transduction par des moyens capacitifs
  • G02F 1/1333 - Dispositions relatives à la structure
  • H01L 27/144 - Dispositifs commandés par rayonnement
  • H01L 27/146 - Structures de capteurs d'images
  • G02F 1/133 - Dispositions relatives à la structure; Excitation de cellules à cristaux liquides; Dispositions relatives aux circuits

55.

Manufacturing method of micro light-emitting diode display panel

      
Numéro d'application 16091250
Numéro de brevet 10741608
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-09-13
Date de la première publication 2020-06-11
Date d'octroi 2020-08-11
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Chen, Lixuan

Abrégé

The invention provides a manufacturing method of micro LED display panel, comprising: Step S1: providing a driving substrate, forming a photoresist layer on the driving substrate; Step S2: patterning the photoresist layer to form a plurality of accommodating grooves arranged in an array; Step S3: disposing a micro LED in each accommodating groove. By fabricating the photoresist layer to form the accommodating groove for accommodating the micro LED, the invention can reduce the manufacturing difficulty and improve the light emission efficiency of the micro LED.

Classes IPC  ?

  • H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
  • H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
  • H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
  • H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
  • H01L 33/52 - Encapsulations

56.

Manufacturing method for flexible liquid crystal display panel

      
Numéro d'application 16088298
Numéro de brevet 10775654
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-08-30
Date de la première publication 2020-05-28
Date d'octroi 2020-09-15
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s)
  • Xiang, Xiaoqun
  • Zhao, Rui

Abrégé

A manufacturing method for a flexible liquid crystal display panel is provided. The method includes steps of: providing multiple light-shielding patterns disposed at a side of the rigid base and arranged as a matrix, providing a second substrate disposed at a side of the multiple light-shielding patterns away from the rigid base or disposed at a side of rigid base away from the multiple light-shielding patterns; aligning a side of the second substrate away from the rigid base with the first substrate, disposing a liquid crystal layer between the first substrate and the second substrate to obtain a liquid crystal cell, wherein the liquid crystal layer includes liquid crystal molecules and polymerizable monomer, and using an ultraviolet light to irradiate the liquid crystal cell at a side of the rigid base away from second substrate to form an organic polymer barrier corresponding to a gap between the light-shielding patterns.

Classes IPC  ?

  • G02F 1/1333 - Dispositions relatives à la structure
  • G02F 1/1334 - Dispositions relatives à la structure basées sur des cristaux liquides dispersés dans un polymère, p.ex. cristaux liquides micro-encapsulés
  • G02F 1/1335 - Association structurelle de cellules avec des dispositifs optiques, p.ex. des polariseurs ou des réflecteurs
  • G02F 1/1339 - Dispositions relatives à la structure Éléments d'espacement; Scellement des cellules
  • G02F 1/1362 - Cellules à adressage par une matrice active

57.

Self-oriented material, self-oriented liquid crystal material and manufacturing method of liquid crystal panel

      
Numéro d'application 16088343
Numéro de brevet 10899966
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-08-30
Date de la première publication 2020-05-28
Date d'octroi 2021-01-26
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Wu, Ling

Abrégé

The invention provides a self-oriented material, a self-oriented liquid crystal material and a manufacturing method of the liquid crystal panel. The self-oriented material provided by the invention can be used for carrying out alignment on liquid crystal molecules, and a polyimide alignment layer is not required to be arranged in the liquid crystal panel when the self-oriented material is added into the liquid crystal material. The self-oriented liquid crystal material disclosed by the invention contains the self-oriented material, the self-oriented material can be used for carrying out alignment on liquid crystal molecules, therefore a polyimide alignment layer is not required to be arranged in the liquid crystal panel. According to the manufacturing method of the liquid crystal panel, the orientation of the liquid crystal molecules is realized by utilizing the self-oriented material in the self-oriented liquid crystal material, and the polyimide alignment layer does not need to be manufactured, so that the process for manufacturing the polyimide alignment layer is saved, and the production cost is reduced.

Classes IPC  ?

  • C07C 229/38 - Composés contenant des groupes amino et carboxyle liés au même squelette carboné ayant des groupes amino liés à des atomes de carbone acycliques et des groupes carboxyle liés à des atomes de carbone de cycles aromatiques à six chaînons du même squelette carboné
  • C09K 19/38 - Polymères, p.ex. polyamides
  • C07C 229/34 - Composés contenant des groupes amino et carboxyle liés au même squelette carboné ayant des groupes amino et carboxyle liés à des atomes de carbone acycliques du même squelette carboné le squelette carboné contenant des cycles aromatiques à six chaînons
  • C07C 237/20 - Amides d'acides carboxyliques, le squelette carboné de la partie acide étant substitué de plus par des groupes amino ayant les atomes de carbone des groupes carboxamide liés à des atomes de carbone acycliques du squelette carboné le squelette carboné contenant des cycles aromatiques à six chaînons
  • G02F 1/1337 - Orientation des molécules des cristaux liquides induite par les caractéristiques de surface, p.ex. par des couches d'alignement
  • G02F 1/1341 - Remplissage ou fermeture des cellules

58.

Low-temperature polysilicon (LTPS), thin film transistor (TFT), and manufacturing method of array substrate

      
Numéro d'application 16088673
Numéro de brevet 10699905
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-08-30
Date de la première publication 2020-05-28
Date d'octroi 2020-06-30
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Xu, Xiangyang

Abrégé

The present disclosure relates to a LTPS, a TFT and a method for manufacturing an array substrate. The method for manufacturing LTPSs includes: providing a substrate, forming a buffer layer on the substrate; forming an amorphous silicon layer on the buffer layer; and performing an excimer laser annealing treatment on the amorphous silicon layer under the shielding of a semi-translucent mask. The laser annealing process converts the amorphous silicon layer into a polysilicon layer. The semi-translucent membrane includes a semi-translucent substrate and a patterned semi-translucent film disposed on the surface of the substrate. The present disclosure also provides a corresponding LTPS TFT and an array substrate manufacturing method. The LTPS, the TFT and the array substrate manufacturing method may enhance the polysilicon crystal effect better, improve the electrical performance of the polysilicon TFT, and the dry etching efficiency of the polysilicon layer.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
  • H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant

59.

Manufacturing method of array substrate

      
Numéro d'application 16091067
Numéro de brevet 10790320
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-09-13
Date de la première publication 2020-05-28
Date d'octroi 2020-09-29
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Zhao, Yang

Abrégé

Provided is a manufacturing method of an array substrate. When a first photomask is used to pattern a gate insulating layer to form a plurality of first conductive vias within the OLB area, by increasing a distance between two adjacent first via patterns to more than 10 μm, the effect of gray tone mask effect is reduced as a first conductive via is formed in the gate insulating layer Thus, a slope of the first photoresist via wall is relatively gentle, so that a slope of a via wall of the first conductive via is also relatively gentle, and as a passivation layer is formed thereafter, the passivation layer can be easily formed on the wall of the first conductive via without breaking. Then, a second metal layer in the first conductive via can be completely covered by the passivation layer to avoid oxidation.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant

60.

Image processing method for display device

      
Numéro d'application 16090178
Numéro de brevet 10740872
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-08-30
Date de la première publication 2020-05-28
Date d'octroi 2020-08-11
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Zhu, Jiang

Abrégé

An image processing method for a display device is provided. The method includes steps of: setting one of the multiple pixels arranged as a matrix of the image to be processed as a pixel to be processed, and using the pixel to be processed as a center and setting remaining pixels as reference pixels; obtaining a maximum brightness value and a minimum brightness value of the brightness of the pixel to be processed and the brightness of each reference pixel; determining a relationship of the brightness relation value between the pixel to be processed and the reference pixels and a preset reference value; when the brightness relation value is greater than the preset reference value, setting the brightness of the pixel to be processed as the maximum brightness value, otherwise setting the brightness of the pixel to be processed as the minimum brightness value.

Classes IPC  ?

  • G06T 3/40 - Changement d'échelle d'une image entière ou d'une partie d'image

61.

Organic light-emitting diode (OLED) display panel and manufacturing method thereof

      
Numéro d'application 16091014
Numéro de brevet 10818876
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-09-12
Date de la première publication 2020-05-28
Date d'octroi 2020-10-27
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Huang, Hui

Abrégé

The present disclosure relates to an organic light-emitting diode (OLED) display panel, including: a substrate, an OLED array layer configured on the substrate, a thin film packaging layer configured on the substrate and the OLED array layer, and a light extraction layer configured within the thin film packaging layer. The OLED array layer includes a plurality of OLED components arranged in matrix. The thin film packaging layer includes at least two inorganic barrier layers and at least one organic buffer layer. One side of the inorganic barrier layer facing away the substrate includes a plurality of pixel grooves corresponding to tops of each of the OLED components. The light extraction layer is configured within the pixel grooves, and the light extraction layer is covered by a flattening film configured to seal the light extraction layer within the pixel grooves, so as to flatten a surface of the inorganic barrier layer.

Classes IPC  ?

  • H01L 51/52 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED) - Détails des dispositifs
  • H01L 51/56 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
  • H01L 51/00 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
  • H01L 27/32 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux avec des composants spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. panneaux d'affichage plats utilisant des diodes émettrices de lumière organiques

62.

Liquid crystal display device and driving method thereof

      
Numéro d'application 16087714
Numéro de brevet 10665194
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-09-07
Date de la première publication 2020-05-26
Date d'octroi 2020-05-26
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Xu, Xiangyang

Abrégé

Provided are a liquid crystal display device and a driving method thereof. A first GOA circuit and a second GOA circuit are provided, and channel widths of thin film transistors in the first GOA circuit are greater than channel widths of thin film transistors in the second GOA circuit. When the ambient temperature is too high, the start signal and the clock signal are only outputted to the second GOA circuit to provide the scan signals. When the ambient temperature is too low, the start signal and the clock signal are only outputted to the first GOA circuit to provide the scan signals to the plurality of scan lines. When the ambient temperature is normal, the start signal and the clock signal are outputted to the first GOA circuit and the second GOA circuit to provide the scan signals to the plurality of scan lines at the same time.

Classes IPC  ?

  • G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides

63.

System and method for driving naked-eye 3D liquid crystal prism

      
Numéro d'application 15562834
Numéro de brevet 10823977
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2017-08-11
Date de la première publication 2020-05-07
Date d'octroi 2020-11-03
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s)
  • Wang, Limin
  • Hwang, Tai Jiun

Abrégé

Disclosed are a system and a method for driving a naked-eye 3D liquid crystal prism. The system includes a driving voltage determination module used to determine a corresponding driving voltage for each driving electrode in a display panel according to human eye space-position information; and a liquid crystal prism driving module used to generate a driving signal for driving a corresponding driving electrode according to the driving voltage, so as to adjust a shape of the liquid crystal prism.

Classes IPC  ?

  • G02F 1/29 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire pour la commande de la position ou de la direction des rayons lumineux, c. à d. déflexion
  • G02B 30/27 - Systèmes ou appareils optiques pour produire des effets tridimensionnels [3D], p.ex. des effets stéréoscopiques en fournissant des première et seconde images de parallaxe à chacun des yeux gauche et droit d’un observateur du type autostéréoscopique comprenant des réseaux lenticulaires
  • G02F 1/133 - Dispositions relatives à la structure; Excitation de cellules à cristaux liquides; Dispositions relatives aux circuits
  • G02F 1/1343 - Electrodes
  • G09G 3/00 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques

64.

Circuit and method for detecting short circuit of common electrode wiring

      
Numéro d'application 15749486
Numéro de brevet 10839728
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-01-02
Date de la première publication 2020-04-30
Date d'octroi 2020-11-17
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s)
  • Zhang, Xianming
  • Cao, Dan

Abrégé

A circuit for detecting a short circuit of a common electrode wiring is applied in an LCD panel and includes a common electrode wiring, a short circuit determination module and a resistor. An output terminal of the common electrode wiring is connected with a first terminal of the resistor and an input terminal of the short circuit determination module, and a second terminal of the resistor is connected with an input terminal of the short circuit determination module. The short circuit determination module obtains a voltage drop signal according to a first signal outputted by the common electrode wiring and a second signal from the resistor in a blanking period of the LCD panel, and determines that the common electrode wiring has a short circuit if the voltage value of the voltage drop signal is greater than the voltage value of a reference signal throughout a predetermined period.

Classes IPC  ?

  • G09G 3/00 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques
  • G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides

65.

Manufacturing method of black photo spacer array substrate and black photo spacer array substrate

      
Numéro d'application 16088401
Numéro de brevet 10634958
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-09-25
Date de la première publication 2020-04-28
Date d'octroi 2020-04-28
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Deng, Zhuming

Abrégé

Provided is a manufacturing method of a black photo spacer array substrate. In a manufacturing method of a black photo spacer array substrate, a double layer color resist structure formed with a first color resist layer and a second color resist layer is used to pad a main pad part and a sub pad part of a main photo spacer and a sub photo spacer. Then, a thickness of the main photo spacer and a thickness of the sub photo spacer are decreased to reduce the usage amount of black photo spacer material of forming the main photo spacer and the sub photo spacer to reduce the production cost. A height difference of the main photo spacer and the sub photo spacer can be achieved by decreasing a thickness of the first color resist layer under the sub pad part with a half exposure process.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
  • G02F 1/1339 - Dispositions relatives à la structure Éléments d'espacement; Scellement des cellules
  • G02F 1/1362 - Cellules à adressage par une matrice active
  • G02F 1/1368 - Cellules à adressage par une matrice active dans lesquelles l'élément de commutation est un dispositif à trois électrodes

66.

Pixel driving circuit, pixel driving method and liquid crystal display device

      
Numéro d'application 16069283
Numéro de brevet 10636380
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-07-11
Date de la première publication 2020-04-28
Date d'octroi 2020-04-28
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Xu, Xiangyang

Abrégé

Provided are a pixel driving circuit, a pixel driving method and a liquid crystal display device. Each pixel unit of the pixel driving circuit comprises a first sub pixel and a second sub pixel. A first sub pixel and a second sub pixel in a column of pixel units are respectively connected to one data line and one auxiliary line, and meanwhile, control units receiving the first and second control signals are arranged. Each control unit is coupled to an auxiliary line and a data line connected to a column of pixel units. The control unit is controlled by the first control signal and the second control signal to disconnect the data line from the auxiliary line and to connect the auxiliary line to the common electrode line, or to connect the data line to the auxiliary line and to disconnect the auxiliary line from the common electrode line.

Classes IPC  ?

  • G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides

67.

Inflator and inflation method of vacuum atmosphere conversion chamber, and vacuum sputtering equipment

      
Numéro d'application 15747574
Numéro de brevet 10858731
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-01-04
Date de la première publication 2020-03-19
Date d'octroi 2020-12-08
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Huang, Qiuping

Abrégé

An inflator of a vacuum atmosphere conversion chamber is provided. The inflator comprises a first charging pipe including a first valve body, a second charging pipe including a second valve body, a pressure monitoring and judging module, an oxygen concentration monitoring and judging module and a control module. The pressure monitoring and judging module is connected separately to the vacuum atmosphere conversion chamber and the control module, the oxygen concentration monitoring and judging module is connected separately to the vacuum atmosphere conversion chamber and the control module, and the control module is connected separately to the first valve body and the second valve body. An inflation method of vacuum atmosphere conversion chamber and a vacuum sputtering equipment are also provided. The inflator, the inflation method and the vacuum sputtering equipment can switch the charging gases, for eliminating the safety hazard on the basis of solving the oxidation issue effectively.

Classes IPC  ?

  • C23C 14/56 - Appareillage spécialement adapté au revêtement en continu; Dispositifs pour maintenir le vide, p.ex. fermeture étanche
  • C23C 14/34 - Pulvérisation cathodique
  • C23C 14/54 - Commande ou régulation du processus de revêtement
  • F17C 5/06 - Procédés ou appareils pour remplir des récipients sous pression de gaz liquéfiés, solidifiés ou comprimés pour le remplissage avec des gaz comprimés
  • F17C 13/02 - Adaptations spéciales des dispositifs indicateurs, de mesure ou de contrôle
  • F17C 13/04 - Disposition ou montage des soupapes

68.

Thin-film transistor array substrate and manufacturing method thereof

      
Numéro d'application 16684552
Numéro de brevet 11049886
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-11-14
Date de la première publication 2020-03-12
Date d'octroi 2021-06-29
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Lv, Xiaowen

Abrégé

A thin film transistor array substrate includes: a substrate on which a thin film transistor and a storage capacitor are formed. The storage capacitor includes a first electrode plate formed on the substrate, a gate isolation layer or an etching stopper layer formed on the first electrode plate, and a second electrode plate formed on the gate isolation layer or the etching stopper layer. The etching stopper layer may be formed on the gate isolation layer, of which one is partially etched and removed such that there is only one of the gate isolation layer and the etching stopper layer existing between the two electrode plates of the storage capacitor so as to reduce the overall thickness of the isolation layer of the storage capacitor. Thus, the capacitor occupies a smaller area and a higher aperture ratio may be achieved.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
  • H01L 51/52 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED) - Détails des dispositifs
  • H01L 51/56 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
  • H01L 29/49 - Electrodes du type métal-isolant-semi-conducteur
  • H01L 29/51 - Matériaux isolants associés à ces électrodes
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
  • H01L 29/786 - Transistors à couche mince

69.

Opposite substrate and preparation method thereof, and display device

      
Numéro d'application 16322063
Numéro de brevet 10663819
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-09-13
Date de la première publication 2020-02-13
Date d'octroi 2020-05-26
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Hu, Xiaobo

Abrégé

The present disclosure discloses an opposite substrate including a base substrate and a common electrode layer, wherein the common electrode layer includes a protective layer, a first electrode layer and a second electrode layer sequentially disposed on the base substrate, a material of the protective layer is a transparent insulating material, the first electrode layer is configured to be capable of transmitting visible light and reflecting infrared light, a material of the first electrode layer is Ag, and a material of the second electrode layer is a transparent conductive material. The present disclosure further discloses a preparation method of the opposite substrate as mentioned above and a display device including the opposite substrate as mentioned above. The opposite substrate provided in the present disclosure is disposed with a first electrode layer capable of reflecting infrared light and transmitting visible light therein and is applied to the display device. A problem of the display device can be resolved that a device is overheated due to infrared radiation of an external environment.

Classes IPC  ?

  • G02F 1/1362 - Cellules à adressage par une matrice active
  • G02F 1/155 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur un effet électrochromique - Détails de construction Électrodes
  • G02F 1/1335 - Association structurelle de cellules avec des dispositifs optiques, p.ex. des polariseurs ou des réflecteurs

70.

Manufacturing method for OLED display panel

      
Numéro d'application 16656576
Numéro de brevet 10797271
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-10-18
Date de la première publication 2020-02-13
Date d'octroi 2020-10-06
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Zeng, Weijing

Abrégé

A manufacturing method for OLED display panel is disclosed, which first performs patterning on the encapsulation colloid of the encapsulant to divide encapsulation colloid into a plurality of target encapsulation areas, with each target encapsulation area corresponding to each OLED substrate unit, and a gap area outside of target encapsulation areas, performing disintegration treatment from the other side of encapsulation colloid on a portion of encapsulation colloid belonging to gap area so that the surface losing adhesiveness, then attaches encapsulation colloid to OLED substrate, and finally, obtains a plurality of OLED display panels by cutting. This method is simple to perform, reduces the size compatibility requirement of the laminator and avoids the use of extra manipulator and carrier fixture, which reduces the product cost incurred by fixture cleaning, transport, storage and other complex operations, and improves the product of the alignment accuracy, is good for automated production.

Classes IPC  ?

  • H01L 51/56 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
  • H01L 51/52 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED) - Détails des dispositifs

71.

Oxide semiconductor thin film transistor having spaced channel and barrier strips and manufacturing method thereof

      
Numéro d'application 16300580
Numéro de brevet 10749036
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-09-27
Date de la première publication 2020-02-06
Date d'octroi 2020-08-18
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Zhang, Qianyi

Abrégé

The invention provides an oxide semiconductor TFT and manufacturing method thereof. The oxide semiconductor TFT comprises: a substrate, a gate on the substrate, a gate insulating layer on the gate and substrate, an oxide semiconductor layer on the gate insulating layer, and a barrier layer on the semiconductor layer, and a source and a drain on the oxide semiconductor layer and gate insulating layer; the oxide semiconductor layer comprising: a channel region and two contact regions respectively located at two sides of the channel region, and the barrier layer being located on the channel region; the channel region comprising a plurality of channel strips spaced apart in a channel width direction, and the barrier layer comprising a plurality of barrier strips respectively corresponding to the plurality of channel strips. The invention can reduce power consumption of the oxide semiconductor TFT and improve and the stability in the winding state.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
  • H01L 29/12 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
  • H01L 29/786 - Transistors à couche mince
  • H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
  • H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant

72.

HVA wiring method based on GOA circuit

      
Numéro d'application 15562795
Numéro de brevet 10621935
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2017-07-21
Date de la première publication 2020-02-06
Date d'octroi 2020-04-14
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Xu, Xiangyang

Abrégé

An HVA wiring method based on a GOA circuit is disclosed. A direct-current low voltage input end and a reset signal input end are connected to a first signal providing end, and the first signal providing end is configured to provide a direct-current low voltage signal to the direct-current low voltage input end and to provide a reset signal to the reset signal input end. When the HVA wiring method is used, the GOA circuit in which the reset signal is added can share the existing HVA jigs.

Classes IPC  ?

  • G09G 5/00 - Dispositions ou circuits de commande de l'affichage communs à l'affichage utilisant des tubes à rayons cathodiques et à l'affichage utilisant d'autres moyens de visualisation
  • G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides
  • G02F 1/133 - Dispositions relatives à la structure; Excitation de cellules à cristaux liquides; Dispositions relatives aux circuits
  • G02F 1/1337 - Orientation des molécules des cristaux liquides induite par les caractéristiques de surface, p.ex. par des couches d'alignement

73.

GOA circuit and liquid crystal display device

      
Numéro d'application 15578524
Numéro de brevet 10896654
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2017-08-03
Date de la première publication 2020-02-06
Date d'octroi 2021-01-19
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Li, Wenying

Abrégé

Disclosed are a GOA circuit and a liquid crystal display device. The GOA circuit includes multiple stages of GOA sub-circuits connected in cascade. In a pull-down unit of a GOA sub-circuit, a first thin film transistor and a second thin film transistor are connected in series. Leakage current at Q point in the GOA circuit can be reduced, stability of the GOA circuit can be improved in harsh environments, and reliability of a liquid crystal panel can be enhanced.

Classes IPC  ?

  • G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides

74.

GOA circuit and liquid crystal display device

      
Numéro d'application 15578530
Numéro de brevet 10565952
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2017-08-03
Date de la première publication 2020-02-06
Date d'octroi 2020-02-18
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Li, Wenying

Abrégé

Disclosed are a GOA circuit and a liquid crystal display device. The GOA circuit includes multistage GOA sub-circuits. Each stage of GOA sub-circuit includes a pull-up control unit, a pull-up unit, a transfer unit, a pull-down unit, a pull-down holding unit and a bootstrap unit. The bootstrap unit includes a first capacitor, a second capacitor, a first thin-film transistor and a second thin-film transistor. The first capacitor and the second capacitor are used as coupling capacitors for node Q so as to boost a voltage at node Q and enhance driving capability of the GOA circuit.

Classes IPC  ?

  • G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides
  • G09G 3/3266 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED] organiques, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes organiques [OLED] - Détails des circuits de commande pour les électrodes de balayage

75.

Liquid crystal panel including GOA circuit and driving method thereof

      
Numéro d'application 16321987
Numéro de brevet 10627658
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-09-11
Date de la première publication 2020-01-30
Date d'octroi 2020-04-21
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Chen, Shuai

Abrégé

There provides a liquid crystal panel including a GOA circuit and a driving method thereof, the GOA circuit including a plurality of single-level GOA circuit units that are cascaded, wherein each single-level GOA circuit unit includes a pull-down maintaining unit, the pull-down maintaining unit including a first transistor having a gate connected to a first node, a source connected to a present-level pre-charging node, and a drain connected to a low supply voltage wire; and a second transistor having a gate connected to an upper-level pre-charging node so as to receive a pre-charging signal from the upper-level pre-charging node and a drain connected to the low supply voltage wire, wherein the second transistor is configured to turn off the first transistor in response to an upper level pre-charging signal before the present-level pre-charging node is pre-charged.

Classes IPC  ?

  • G02F 1/133 - Dispositions relatives à la structure; Excitation de cellules à cristaux liquides; Dispositions relatives aux circuits
  • G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides
  • G02F 1/1362 - Cellules à adressage par une matrice active
  • G02F 1/1333 - Dispositions relatives à la structure

76.

Liquid crystal panel

      
Numéro d'application 16322035
Numéro de brevet 10747035
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-09-13
Date de la première publication 2020-01-30
Date d'octroi 2020-08-18
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Chen, Shuai

Abrégé

A GOA circuit including a plurality of cascade single-stage GOA circuit units, wherein each of the single-stage GOA circuit units includes: a first pull-down maintaining unit connected to a low power source voltage line and including a first output end; a second pull-down maintaining unit connected to the low power source voltage line and including a second output end; a first compensation unit connected to the first pull-down maintaining unit and configured to connect the first input end to a pre-charging node and a high power source voltage line in response to a first control signal and a second control signal, respectively; and a second compensation unit connected to the second pull-down maintaining unit and configured to connect the second input end to the high power source voltage line and the pre-charging node in response to the first control signal and the second control signal, respectively.

Classes IPC  ?

  • G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides
  • G02F 1/133 - Dispositions relatives à la structure; Excitation de cellules à cristaux liquides; Dispositions relatives aux circuits
  • G02F 1/1362 - Cellules à adressage par une matrice active
  • G02F 1/1343 - Electrodes

77.

Liquid crystal panel including GOA circuit and driving method thereof

      
Numéro d'application 16322044
Numéro de brevet 10825412
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-09-12
Date de la première publication 2020-01-30
Date d'octroi 2020-11-03
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Chen, Shuai

Abrégé

There is provided a liquid crystal panel including a GOA circuit and a driving method thereof. The GOA circuit includes a plurality of cascaded single-stage GOA circuit units, and each single-stage GOA circuit unit includes a first pull-down maintaining circuit unit and a second pull-down maintaining circuit unit. A first control terminal of the first pull-down maintaining circuit unit is input with a first clock signal, a second control terminal of the second pull-down maintaining circuit unit is input with a second clock signal, and the pull-down circuit unit is input with a scan driving signal of a GOA circuit unit of next second stage. The first clock signal and the second clock signal are input alternately to the pull-up circuit units and the pull-down circuit units in GOA circuit units of adjacent stages. The first clock signal and the second clock signal have the same long period.

Classes IPC  ?

  • G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides

78.

GOA circuit and display panel and display device including the same

      
Numéro d'application 16321970
Numéro de brevet 10810923
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-09-11
Date de la première publication 2020-01-23
Date d'octroi 2020-10-20
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Chen, Shuai

Abrégé

A GOA circuit is provided, the GOA circuit being a cascaded multiple-stages GOA circuit, each stage GOA circuit comprising a pull-up control unit, a pull-up unit, a signal downward transfer unit, a pull-down unit, one pull-down maintenance unit and a bootstrap unit, each stage GOA circuit being disposed with a clock signal input terminal, a first node, a first voltage input terminal, a pull-down signal input terminal and a scan signal output terminal to output a scan signal onto a horizontal scan line, the one pull-down maintenance unit comprising an inverter, the first node being disposed between an output terminal of the pull-up control unit and the bootstrap unit, when a potential of the first node is a high potential, a potential of a pull-down signal input to the pull-down signal input terminal is a low potential.

Classes IPC  ?

  • G11C 19/00 - Mémoires numériques dans lesquelles l'information est déplacée par échelons, p.ex. registres à décalage
  • G09G 3/20 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice
  • G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides
  • G11C 19/28 - Mémoires numériques dans lesquelles l'information est déplacée par échelons, p.ex. registres à décalage utilisant des éléments semi-conducteurs

79.

GOA circuit and display panel and display device including the same

      
Numéro d'application 16322074
Numéro de brevet 10665187
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-09-13
Date de la première publication 2020-01-23
Date d'octroi 2020-05-26
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Chen, Shuai

Abrégé

A GOA circuit is GOA circuits of multiple levels. The GOA circuit of each level includes a signal downward transmission unit, a pull-down unit and a pull-down maintaining unit, and the pull-down maintaining unit includes a pull-down maintaining transistor, a pull-down maintaining capacitor and a second pull-down maintaining transistor. A gate of the pull-down maintaining transistor is connected to an output end of a lower-level signal downward transmission unit, a source and a drain are respectively connected to a lower-level scan signal output end and a pull-down maintaining signal output end, the pull-down maintaining capacitor is connected between the drain of the first pull-down maintaining transistor and a first voltage input end, a gate of the second pull-down maintaining transistor is connected to an upper-level first node, and a source and a drain are respectively connected to the pull-down maintaining signal output end and the first voltage input end.

Classes IPC  ?

  • G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides
  • G06F 1/10 - Répartition des signaux d'horloge

80.

Array substrate

      
Numéro d'application 16230191
Numéro de brevet 10861881
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-12-21
Date de la première publication 2020-01-23
Date d'octroi 2020-12-08
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Chien, Ching Fu

Abrégé

The array substrate taught by the present invention have dummy ITO lines on the fanout lines configured as multiple segments separated at intervals so that, when two neighboring dummy ITO lines are short-circuited, the place of short circuit is limited to a segment of the neighboring dummy ITO lines. Coupling capacitance is limited to that between the segments and fanout lines. Compared to prior arts where coupling capacitance occurs between neighboring dummy ITO lines and fanout lines, the present invention has much smaller coupling capacitance, thereby reducing the impact of coupling capacitance to signal transmission on the fanout lines, avoiding the occurrence of light lines on the display panel, and enhancing the display effect of the display panel.

Classes IPC  ?

  • H04L 27/12 - Circuits de modulation; Circuits émetteurs
  • H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
  • H01L 27/32 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux avec des composants spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. panneaux d'affichage plats utilisant des diodes émettrices de lumière organiques
  • G09G 3/3266 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED] organiques, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes organiques [OLED] - Détails des circuits de commande pour les électrodes de balayage
  • H01L 51/44 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement - Détails des dispositifs
  • G09G 3/3275 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED] organiques, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes organiques [OLED] - Détails des circuits de commande pour les électrodes de données

81.

GOA drive circuit

      
Numéro d'application 15539738
Numéro de brevet 10699658
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2017-05-08
Date de la première publication 2020-01-09
Date d'octroi 2020-06-30
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s)
  • Lv, Xiaowen
  • Liao, Congwei

Abrégé

A GOA drive circuit includes a multiple stage of GOA drive units. A GOA drive unit includes a pre-pulldown unit which is configured to disconnect a discharge path of a first voltage signal via the pull-down sustaining unit before the first voltage signal jumps from a low electric potential to a high electric potential. In the GOA drive circuit, the voltage stability of the key nodes in a circuit and the reliability of the timing can be ensured; overall performance of the GOA drive circuit can be improved; and a service life of a display device can be prolonged.

Classes IPC  ?

  • G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides

82.

Control circuit for LCD panel and LCD panel

      
Numéro d'application 16219239
Numéro de brevet 10629156
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-12-13
Date de la première publication 2020-01-02
Date d'octroi 2020-04-21
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Gao, Xiang

Abrégé

The invention provides a control circuit for an LCD panel and an LCD panel, wherein the control circuit is configured to drive an array pixel unit, and the control circuit comprises: a timing controller, a gamma voltage generation module, and a source a pole driver, wherein a first control end of the timing controller is connected to an input end of the gamma voltage generation module, and an output end of the gamma voltage generation module is connected to a first input end of the source driver, a second control end of the timing controller is connected to a second input end of the source driver, and an output end of the source driver is connected to a data line of the array pixel unit. The embodiment of the invention can reduce the level crosstalk generated during the LC displaying process and improve the flicker phenomenon of the screen.

Classes IPC  ?

  • G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides
  • G02F 1/133 - Dispositions relatives à la structure; Excitation de cellules à cristaux liquides; Dispositions relatives aux circuits

83.

Sustrate comprising quantum rod film and method for manufacturing the same, display panel

      
Numéro d'application 15550135
Numéro de brevet 10649278
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2017-07-04
Date de la première publication 2020-01-02
Date d'octroi 2020-05-12
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s)
  • Chen, Xingwu
  • Li, Dongze

Abrégé

Disclosed are a substrate including a quantum rod film, a method for manufacturing the substrate including the quantum rod film, and a display panel. Quantum rod assemblies included in the quantum rod film are arranged sequentially on the substrate, and meanwhile lights of different wavelengths can be obtained by adjusting sizes of the quantum rod assemblies. The quantum rod film disclosed corresponds to a combination of a polarizing layer and a color filter layer in the prior art. Thus, a thickness of the display panel can be reduced, and meanwhile production costs can be reduced. Besides, since quantum rods have high light conversion efficiency, a light utilization rate can be improved to enable the display panel to have a high color gamut and a high luminance.

Classes IPC  ?

  • G02F 1/1335 - Association structurelle de cellules avec des dispositifs optiques, p.ex. des polariseurs ou des réflecteurs
  • G02F 1/13357 - Dispositifs d'éclairage

84.

Driving method and driving system for reducing residual image of AMOLED display

      
Numéro d'application 15327308
Numéro de brevet 10741119
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2016-12-21
Date de la première publication 2019-12-26
Date d'octroi 2020-08-11
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s)
  • Zeng, Yuchao
  • Hwang, Tai Jiun

Abrégé

Disclosed are a driving method and a driving system for reducing a residual image of AMOLED display. The driving method includes steps of: determining whether an image to be displayed is a static image; performing hierarchical segmentation on the static image if a determination result is yes; regulating an output brightness proportional coefficient of each pixel based on a hierarchical segmentation result; and outputting brightness of each pixel according to a corresponding output brightness proportional coefficient. The driving method can significantly reduce generation of a residual image when a static image is displayed.

Classes IPC  ?

  • G09G 3/20 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice
  • G09G 3/3225 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED] organiques, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes organiques [OLED] utilisant une matrice active

85.

Method for manufacturing color resist

      
Numéro d'application 15539739
Numéro de brevet 11067729
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2017-05-02
Date de la première publication 2019-12-26
Date d'octroi 2021-07-20
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Gan, Qiming

Abrégé

A method for manufacturing a color resist is disclosed. According to the method, a mask is moved so that an alignment mark is aligned with marks of a black matrix layer respectively. Each color resist and a corresponding color block are formed on the black matrix layer by the mask, and a position of each color resist is checked according to a positional relationship between a corresponding color block and hollowed-out region. A distance between a first mark and a second mark and a distance between a first mark and a third mark are configured in such manner that the color blocks do not overlap with one another. Therefore, the color blocks do not overlap with one another while a size thereof does not change.

Classes IPC  ?

86.

Pixel unit and array substrate comprising the same

      
Numéro d'application 15539819
Numéro de brevet 10916612
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2017-05-25
Date de la première publication 2019-12-26
Date d'octroi 2021-02-09
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) An, Liyang

Abrégé

The technical field of liquid crystal display is related to. A pixel unit is provided. The pixel unit includes a storage capacitor that is arranged on an array substrate. The storage capacitor includes a first electrode arranged on a first metal layer and a second electrode arranged on a second metal layer. An insulation layer is arranged between the first electrode and the second electrode. The second electrode and the first electrode overlap with each other to form a first overlapping region, an area of which does not change if a deviation of the second electrode relative to the first electrode is within a preset distance. Storage capacitor difference among different pixel units generated by alignment accuracy difference thereof can be eliminated, and watermark which would be generated otherwise can be eliminated as well. An array substrate is further provided, which includes the storage capacitor of the aforesaid pixel unit. A quality of a product can be improved.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/32 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux avec des composants spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. panneaux d'affichage plats utilisant des diodes émettrices de lumière organiques
  • H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant

87.

Voltage calibration method and calibration system based on timing controller

      
Numéro d'application 15754525
Numéro de brevet 10607561
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-01-24
Date de la première publication 2019-12-19
Date d'octroi 2020-03-31
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Xiao, Guangxing

Abrégé

A voltage calibration method and a voltage system based on a timing controller are disclosed, wherein, the voltage calibration method comprises: the timing controller reads a voltage configuration value of a built-in non-volatile memory in a control chip; an analog-to-digital conversion chip acquires an output voltage of the control chip; the timing controller determines whether the output voltage is within a preset voltage range, and if not, updates the voltage configuration value in the built-in non-volatile memory until the output voltage is within the preset voltage range. The disclosure acquires the output voltage value of the control chip through the analog-digital conversion chip and automatically updates corresponding built-in non-volatile memories to automatically adjust the output voltage so as to ensure a stability of the output voltage and solve the problem of an output voltage drift.

Classes IPC  ?

  • G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides
  • G05F 1/46 - Régulation de la tension ou de l'intensité là où la variable effectivement régulée par le dispositif de réglage final est du type continu
  • H03M 1/12 - Convertisseurs analogiques/numériques

88.

Liquid crystal display panel and liquid crystal display device

      
Numéro d'application 15327327
Numéro de brevet 10649284
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2016-12-28
Date de la première publication 2019-12-19
Date d'octroi 2020-05-12
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Tsuei, Bochin

Abrégé

A liquid crystal display panel and a liquid crystal display device are provided. The liquid crystal display panel includes a first substrate having a plurality of pixel electrodes. Each of the pixel electrodes includes a horizontal trunk electrode and a vertical trunk electrode through which a pixel unit corresponding to the pixel electrode is divided into four light-transmitting areas, and two adjacent light-transmitting areas have different alignment directions. The pixel electrode also includes a plurality of branch electrodes located in the four light-transmitting areas. The branch electrodes are parallel to the horizontal trunk electrode or the vertical trunk electrode.

Classes IPC  ?

  • G02F 1/1343 - Electrodes
  • G02F 1/1337 - Orientation des molécules des cristaux liquides induite par les caractéristiques de surface, p.ex. par des couches d'alignement
  • G02F 1/1335 - Association structurelle de cellules avec des dispositifs optiques, p.ex. des polariseurs ou des réflecteurs

89.

Graphene transparent conductive film and method for manufacturing the same

      
Numéro d'application 15500117
Numéro de brevet 10795220
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2017-01-17
Date de la première publication 2019-12-19
Date d'octroi 2020-10-06
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Lan, Song

Abrégé

A graphene transparent conductive film is disclosed. The graphene transparent conductive film includes graphene and a vertical alignment agent. A method for manufacturing the graphene transparent conductive film is further disclosed. In the method, graphene, a surfactant, and water are mixed to obtain a graphene solution; a vertical alignment agent is added to the graphene solution to obtain a graphene transparent conductive film liquid, and the film liquid is coated on a substrate and heated to obtain the graphene transparent conductive film. The vertical alignment agent can reduce a surface energy of liquid crystal molecules in a polymer matrix, increase a contact angle, so that the liquid crystal molecules can be aligned vertically.

Classes IPC  ?

  • G02F 1/1343 - Electrodes
  • C01B 32/194 - Post-traitement
  • H01B 1/04 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisés; Emploi de matériaux spécifiés comme conducteurs composés principalement soit de compositions à base de carbone-silicium, soit de carbone soit de silicium
  • H01B 5/14 - Conducteurs ou corps conducteurs non isolés caractérisés par la forme comprenant des couches ou pellicules conductrices sur supports isolants
  • H01B 13/00 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de conducteurs ou câbles

90.

Naked-eye three-dimensional display device

      
Numéro d'application 15531602
Numéro de brevet 10804339
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2017-04-11
Date de la première publication 2019-12-19
Date d'octroi 2020-10-13
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s)
  • Wang, Limin
  • Hwang, Tai Jiun

Abrégé

Disclosed is a naked-eye three-dimensional display device, which is from top to bottom sequentially provided with a first substrate, a light-emitting layer, a second substrate, a first indium tin oxide (ITO) electrode layer, a three-dimensional prism liquid crystal layer, a second ITO electrode layer and a third substrate. One side of the first substrate facing the light-emitting layer is provided with thin film transistors arranged in a matrix form. Since the first ITO electrode layer is disposed directly on the second substrate, a substrate and a transparent photoresist layer are not used. Thus, the weight of the device is reduced, and the display brightness and the alignment accuracy are improved. When liquid crystal prism electrode units of the first ITO electrode layer and display regions of pixel units are configured to overlap with each other, the influence of transmitted light on naked eye 3D display can be avoided and the 3D display effect is improved.

Classes IPC  ?

  • G02B 30/26 - Systèmes ou appareils optiques pour produire des effets tridimensionnels [3D], p.ex. des effets stéréoscopiques en fournissant des première et seconde images de parallaxe à chacun des yeux gauche et droit d’un observateur du type autostéréoscopique
  • H01L 27/32 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux avec des composants spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. panneaux d'affichage plats utilisant des diodes émettrices de lumière organiques

91.

OLED component and method for manufacturing the same

      
Numéro d'application 15550486
Numéro de brevet 10727438
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2017-07-04
Date de la première publication 2019-12-19
Date d'octroi 2020-07-28
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s)
  • Li, Wenjie
  • Wu, Tsung Yuan

Abrégé

An OLED component is disclosed, which relates to the technical field of display panel. The OLED component comprises a TFT substrate, a coating zone, a sealant, a cover and a photo spacer. The coating zone is located at a center of the TFT substrate; the sealant is arranged around the coating zone; the cover is arranged above the coating zone and the sealant; and the photo spacer is arranged on an upper surface of the coating zone for supporting the cover. Since the photo spacer is arranged on the upper surface of the coating zone, an alignment accuracy can be improved, and the OLED component can be easily manufactured. Meanwhile, a cell thickness uniformity of a large-sized panel can be maintained, and occurrence of Newton rings can be avoided.

Classes IPC  ?

  • H01L 51/52 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED) - Détails des dispositifs
  • H01L 27/32 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux avec des composants spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. panneaux d'affichage plats utilisant des diodes émettrices de lumière organiques
  • H01L 51/00 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
  • H01L 51/56 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives

92.

Method for driving pixel circuit

      
Numéro d'application 15565461
Numéro de brevet 10650743
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2017-08-11
Date de la première publication 2019-12-19
Date d'octroi 2020-05-12
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s)
  • Zeng, Yuchao
  • Liang, Pengfei

Abrégé

Disclosed is a method for driving a pixel circuit. The method includes steps of obtaining an actual threshold voltage and an actual current-to-voltage conversion factor of a driving thin film transistor as well as actual luminous efficiency of an organic light emitting diode in sequence; and calculating a compensation data signal inputted to a source of a switching thin film transistor based on the obtained actual threshold voltage and actual current-to-voltage conversion factor of the driving thin film transistor and the obtained actual luminous efficiency of the organic light emitting diode.

Classes IPC  ?

  • G09G 3/325 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED] organiques, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes organiques [OLED] utilisant une matrice active avec un circuit de pixel pour commander le courant à travers l'élément électroluminescent le courant à travers l'élément électroluminescent étant fixé en utilisant un courant de données fourni par le circuit de commande de données, p.ex. à l'aide d'un miroir de courant à deux transistors le courant de données circulant à travers le transistor de commande pendant une phase de réglage, p.ex. en utilisant un commutateur pour connecter le transistor de commande au circuit de commande de données
  • G09G 3/3258 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED] organiques, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes organiques [OLED] utilisant une matrice active avec un circuit de pixel pour commander la tension aux bornes de l'élément électroluminescent
  • H01L 27/32 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux avec des composants spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. panneaux d'affichage plats utilisant des diodes émettrices de lumière organiques
  • G09G 3/3225 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED] organiques, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes organiques [OLED] utilisant une matrice active

93.

Method and apparatus for detecting high-frequency component in image

      
Numéro d'application 15749013
Numéro de brevet 10553165
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-01-12
Date de la première publication 2019-12-19
Date d'octroi 2020-02-04
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Guan, Xiaoliang

Abrégé

The present disclosure provides a method and an apparatus of detecting high-frequency components in an image. The method using a first grayscale difference, a second grayscale difference to calculate the target grayscale difference with the target grayscale difference algorithm, comparing the target grayscale difference with a preset grayscale threshold value to determine whether the image pixel to be detected is a high-frequency image pixel, and adjusting the actual grayscale value of the high-frequency image pixel to reduce the difference between the actual grayscale value of the high-frequency image pixel and the original grayscale value. It can optimize the detection process of high-frequency components in the image and improve the poor display caused by the color shift compensation algorithm to improve the display quality.

Classes IPC  ?

  • G06T 7/00 - Analyse d'image
  • G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides
  • G06T 7/90 - Détermination de caractéristiques de couleur

94.

Method for alleviating color shift at large viewing angle, and display panel

      
Numéro d'application 15562680
Numéro de brevet 10910452
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2017-07-13
Date de la première publication 2019-12-19
Date d'octroi 2021-02-02
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s)
  • He, Jian
  • Syu, Shen Sian

Abrégé

Disclosed is a method for alleviating color shift of a display panel at a large viewing angle. The panel includes a sub-pixel array formed by R, G, B sub-pixels, and black matrix areas located between the sub-pixels. The method includes providing, above the sub-pixel array, an optical grating that is parallel with the sub-pixel array. The optical grating includes transparent areas and non-transparent areas. The non-transparent areas are provided above the black matrix areas. The optical grating is configured as such that when a sub-pixel is observed at a large viewing angle, light transmitted through the sub-pixel is partially blocked by the non-transparent areas of the optical grating.

Classes IPC  ?

  • H01L 27/32 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux avec des composants spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. panneaux d'affichage plats utilisant des diodes émettrices de lumière organiques

95.

Method for compensating pixel driving circuit of OLED display panel

      
Numéro d'application 15565215
Numéro de brevet 10650744
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2017-08-25
Date de la première publication 2019-12-19
Date d'octroi 2020-05-12
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s)
  • Jin, Yufeng
  • Xie, Hongjun

Abrégé

Disclosed is a method for compensating a pixel driving circuit of an OLED display panel. In the compensation method, a driving transistor is enabled to operate stably in a saturation region for twice, and a threshold voltage of the driving transistor is calculated based on a collected charging voltage and charging time. A pixel driving circuit is compensated by establishing a threshold-voltage compensation table. The compensation method is easy to operate and can significantly improve a detecting speed of a threshold voltage. Moreover, an effect of a voltage-current conversion factor on detecting accuracy of a threshold voltage can be avoided.

Classes IPC  ?

  • G09G 3/3258 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED] organiques, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes organiques [OLED] utilisant une matrice active avec un circuit de pixel pour commander la tension aux bornes de l'élément électroluminescent
  • G09G 3/3208 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED] organiques, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes organiques [OLED]
  • G09G 3/3233 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED] organiques, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes organiques [OLED] utilisant une matrice active avec un circuit de pixel pour commander le courant à travers l'élément électroluminescent

96.

Light guide plate and backlight module comprising the light guide plate

      
Numéro d'application 15565452
Numéro de brevet 10802204
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2017-07-13
Date de la première publication 2019-12-19
Date d'octroi 2020-10-13
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Que, Chengwen

Abrégé

Disclosed are a light guide plate and a backlight module including the light guide plate. The light guide plate includes multiple light guide plate segments, each of which is linear, and the multiple light guide plate segments are connected with each other successively to form an entire light guide plate. The entire light guide plate extends in a curved shape along a length direction thereof, and the entire light guide plate includes a light exiting surface and a light entering surface which is arranged at a side of the light exiting surface. The backlight module includes a light source, a plurality of quantum dot glass tubes which are connected with each other successively, and a light guide plate. The light source and the light entering surface of the light guide plate are arranged corresponding to each other, and each of the quantum dot glass tubes is arranged between the light source and a light guide plate segment correspondingly. By means of the light guide plate and the backlight module including the light guide plate, light coupling efficiency of the light guide plate and the quantum dot glass tubes can be improved, and an application range of the quantum dot glass tubes can be enlarged.

Classes IPC  ?

  • F21V 8/00 - Utilisation de guides de lumière, p.ex. dispositifs à fibres optiques, dans les dispositifs ou systèmes d'éclairage

97.

Gamut mapping method and device for compressing out-of-gamut area to in-of-gamut area, storage medium, and electronic device

      
Numéro d'application 16087652
Numéro de brevet 10565957
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-08-16
Date de la première publication 2019-12-19
Date d'octroi 2020-02-18
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Rao, Yang

Abrégé

1 in the small gamut area.

Classes IPC  ?

  • G09G 5/02 - Dispositions ou circuits de commande de l'affichage communs à l'affichage utilisant des tubes à rayons cathodiques et à l'affichage utilisant d'autres moyens de visualisation caractérisés par la manière dont la couleur est visualisée

98.

Curved surface adjustment mechanism and backlight module

      
Numéro d'application 15774043
Numéro de brevet 10991276
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-01-19
Date de la première publication 2019-12-12
Date d'octroi 2021-04-27
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Mo, Zhiping

Abrégé

The present invention discloses a curved surface adjusting mechanism, which comprises a support, a backplate and an adjustment assembly; the support comprising two first frame portions opposite to each other; the adjusting assembly comprising a sliding block and a link hinged with the sliding block, the free end of the link hinged with the long side wall of the backplate, the sliding block which can slide along the longitudinal direction of the backplate. The present invention further discloses a backlight module. In the invention, a support is designed outside the backplate, and a slidable sliding block and a link connecting to the backplate are arranged between the support and the backplate. By the movement of the slider, it can freely switch the curved and flat states of the backplate, so that the surface display effect and flat display effect of TV can be converted more conveniently and efficiently.

Classes IPC  ?

  • H05K 1/00 - Circuits imprimés
  • G09F 9/30 - Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels dans lesquels le ou les caractères désirés sont formés par une combinaison d'éléments individuels
  • G02F 1/1333 - Dispositions relatives à la structure
  • G02F 1/13357 - Dispositifs d'éclairage

99.

Hardware controller of NAND device, control method and liquid crystal display

      
Numéro d'application 16228416
Numéro de brevet 10748462
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-12-20
Date de la première publication 2019-12-05
Date d'octroi 2020-08-18
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Zhou, Xuebing

Abrégé

Disclosed is a hardware controller of a Nand device, a control method and a liquid crystal display. The hardware controller includes: a bad block management module, configured to manage bad block information of the Nand device, where the bad block information represents a bad block set in the Nand device; a main control module, configured to receive an operation command of a terminal; wherein the operation command is used to indicate a read/write operation on a target block set of the Nand device and a data transmission mode to perform the read/write operation, and the data transmission mode includes at least one of parallel transmission and serial transmission; and a read/write module, configured to skip a block in the Nand device that exists both in the bad block set and the target block set, and perform the read/write operation on remaining blocks in the target block set.

Classes IPC  ?

  • G06F 11/10 - Détection ou correction d'erreur par introduction de redondance dans la représentation des données, p.ex. en utilisant des codes de contrôle en ajoutant des chiffres binaires ou des symboles particuliers aux données exprimées suivant un code, p.ex. contrôle de parité, exclusion des 9 ou des 11
  • G06F 12/02 - Adressage ou affectation; Réadressage
  • G09G 3/00 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques
  • G09G 3/36 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante utilisant des cristaux liquides
  • G11C 16/04 - Mémoires mortes programmables effaçables programmables électriquement utilisant des transistors à seuil variable, p.ex. FAMOS
  • G11C 29/52 - Protection du contenu des mémoires; Détection d'erreurs dans le contenu des mémoires
  • G11C 16/14 - Circuits pour effacer électriquement, p.ex. circuits de commutation de la tension d'effacement
  • G11C 16/26 - Circuits de détection ou de lecture; Circuits de sortie de données
  • G11C 16/10 - Circuits de programmation ou d'entrée de données

100.

Vapor deposition apparatus and vapor deposition method

      
Numéro d'application 16313004
Numéro de brevet 11111574
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-09-14
Date de la première publication 2019-11-28
Date d'octroi 2021-09-07
Propriétaire SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (Chine)
Inventeur(s) Kuang, Youyuan

Abrégé

The invention provides a vapor deposition apparatus, comprising: a heating source, a crucible lid, a first crucible, a second crucible, a moving part, and a bracket. The first and second crucibles and moving part are disposed under the crucible lid; the first crucible is fixed on the bracket; and the first crucible and the second crucible each comprises an inner sidewall, an outer sidewall and a bottom. The crucible lid is mounted on the outer sidewall of the first crucible, the second crucible is fixed to top surface of the moving part; projection of the inner sidewall of the first crucible in vertical direction is located outside the outer sidewall of the second crucible. The density of the heating wire in the first region corresponding to the position of the crucible lid and the first crucible is greater than the density of the second region below the first region.

Classes IPC  ?

  • C23C 14/26 - Evaporation sous vide par chauffage de la source par induction ou par résistance
  • H01L 51/00 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
  • H01L 51/56 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
  • C23C 14/24 - Evaporation sous vide
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